JP2010171148A

JP2010171148A - Laminated structure body and production process of laminated structure

Info

Publication number: JP2010171148A
Application number: JP2009011364A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Onodera; 敦小野寺; Yukie Suzuki; 幸栄鈴木
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2009-01-21
Filing date: 2009-01-21
Publication date: 2010-08-05
Anticipated expiration: 2029-01-21
Also published as: JP5444725B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laminated structure which is robust with respect to migration. <P>SOLUTION: The laminated structure has a substrate and some substance that includes a material whose critical surface tension changes by disposing energy on the substrate, thereby changing from a low surface energy state to a high surface energy state. The laminated structure has a wettability variation layer on which the first and second high surface energy regions and low surface energy region are formed by disposing energy; a first conductive layer formed using a conductive material on the first high surface energy region; and a second conductive layer formed on the first high surface energy region and the first conductive layer, wherein a conductive layer that has a laminated structure covering the first conductive layer by the second conductive layer is formed. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、積層構造体及び積層構造体の製造方法に関する。 The present invention relates to a laminated structure and a method for manufacturing the laminated structure.

電気回路等における電極、絶縁体、半導体などの形成方法として、これらの材料を含む溶液を基板上の所定位置に供給するインクジェット法がある。 As a method for forming an electrode, an insulator, a semiconductor, or the like in an electric circuit or the like, there is an inkjet method in which a solution containing these materials is supplied to a predetermined position on a substrate.

インクジェット法は、露光装置を用いるフォトリソグラフィー法に比べて、高価な装置や設備を必要とすることなく、工程数も少なく、材料効率が高いといった利点を有している。 The ink jet method has advantages in that the number of steps is small and the material efficiency is high, without requiring an expensive apparatus or equipment, compared to the photolithography method using an exposure apparatus.

特許文献１には、被パターン形成面に低表面エネルギー部と高表面エネルギー部からなる表面エネルギーによるコントラストを設ける方法により、微細配線を形成する方法が開示されている。 Patent Document 1 discloses a method of forming fine wiring by a method of providing a contrast by surface energy composed of a low surface energy portion and a high surface energy portion on a pattern formation surface.

また、インクジェット法による微細配線形成技術が進展する一方で、配線パターンの信頼性、とりわけマイグレーションが大きな課題となっている。ここでいう、マイグレーションとは、高湿度環境下において電極間に電圧が印加された場合、電極間に金属の析出物が発生して短絡へと繋がる現象である。インクジェット法での配線パターン形成に用いられる機能液の代表的なものとして、ナノサイズの金属微粒子を溶液中に分散させたナノメタルインクがあり、低価格で、かつ、導電性が高いＡｇやＣｕ等の金属材料が用いられている。しかしながら、ＡｇやＣｕはマイグレーションが生じやすいという性質を併せ持っており、マイグレーションを防止するための技術が必要不可欠となる。 Further, while the fine wiring forming technology by the ink jet method is progressing, the reliability of the wiring pattern, in particular, migration is a big problem. Here, migration is a phenomenon in which when a voltage is applied between electrodes in a high humidity environment, metal deposits are generated between the electrodes, leading to a short circuit. As a typical functional liquid used for forming a wiring pattern by the ink jet method, there is a nano metal ink in which nano-sized metal fine particles are dispersed in a solution, which is inexpensive and has high conductivity such as Ag or Cu. The metal material is used. However, Ag and Cu have a property that migration is likely to occur, and a technique for preventing migration is indispensable.

マイグレーション現象のメカニズムに関しては、例えば、Ａｇにおいては、水分の存在により陽極のＡｇがイオンとなり溶け出し、これが酸化物や水酸化物の生成や分解過程を伴いながら、印加される電圧に従って陰極に到達し、陰極においてＡｇが還元析出される。このような現象が繰り返され、これにより短絡に繋がることが知られている。従って、マイグレーションを防止するためには、陽極における金属の溶出過程や、陽極から陰極へのイオンの拡散過程を防止することが重要である。 Regarding the mechanism of the migration phenomenon, for example, in Ag, Ag in the anode dissolves as ions due to the presence of moisture, and this reaches the cathode according to the applied voltage, accompanied by generation and decomposition processes of oxides and hydroxides. Then, Ag is reduced and deposited at the cathode. It is known that this phenomenon is repeated, which leads to a short circuit. Therefore, in order to prevent migration, it is important to prevent the metal elution process at the anode and the ion diffusion process from the anode to the cathode.

このようなマイグレーションを防止するための技術の多くは、封止技術や無機バリア層を形成するといった防湿技術であった。また防湿技術に頼らないマイグレーション防止技術として、合金等によるマイグレーション耐性に優れる金属材料を用いる方法も考えられる。しかしながら、防湿技術や配線金属の変更等は、コスト上昇等を招くことから、実用的には不向きな場合が多い。 Many of the techniques for preventing such migration are moisture-proof techniques such as a sealing technique and an inorganic barrier layer. Further, as a migration prevention technology that does not rely on moisture-proof technology, a method using a metal material having excellent migration resistance due to an alloy or the like is also conceivable. However, changes in moisture-proof technology, wiring metal, and the like cause cost increases and are often unsuitable for practical use.

一方、上記の方法等は異なり、マイグレーションしやすい導電性材料からなる配線の上に、別の導電性材料からなる配線を形成した積層配線を形成し、このような積層配線構造によりマイグレーションを抑制するというマイグレーション防止技術がある。 On the other hand, the above method is different, and a laminated wiring in which a wiring made of another conductive material is formed on a wiring made of a conductive material that easily migrates, and migration is suppressed by such a laminated wiring structure. There is a migration prevention technology.

特許文献２には、フォトリソグラフィー法を用いた積層配線形成技術として、基板上にバンクを形成する工程と、バンクで区画された開口部に第１膜パターンを形成する工程と、第１膜パターンの側部と対向するバンクを除去する工程と、第１膜パターンの側部及び上部を被覆する第２膜パターンをメッキにより形成する工程からなる膜パターンの形成方法が開示されている。 In Patent Document 2, as a laminated wiring forming technique using a photolithography method, a step of forming a bank on a substrate, a step of forming a first film pattern in an opening section partitioned by the bank, and a first film pattern A film pattern forming method is disclosed which includes a step of removing a bank facing the side portion of the first film pattern and a step of forming a second film pattern covering the side portion and the upper portion of the first film pattern by plating.

また、特許文献３には、Ａｇを導電体として用いた薄膜で形成された電極上をインジウム酸化物またはインジウム錫酸化物薄膜で被覆するマイグレーション防止方法が開示されている。 Patent Document 3 discloses a migration preventing method in which an electrode formed of a thin film using Ag as a conductor is covered with an indium oxide or indium tin oxide thin film.

また、非特許文献１には、フォトリソグラフィー法を用いない積層配線成型技術として、Ａｇ電極上にスクリーン印刷法を用いてカーボンを含む導電性樹脂層を形成する方法が開示されている。 Non-Patent Document 1 discloses a method for forming a conductive resin layer containing carbon on an Ag electrode using a screen printing method as a laminated wiring molding technique that does not use a photolithography method.

また、特許文献４には、基板上に配線パターンの形成領域に応じた被機能液配置領域とこの被機能液配置領域を囲む撥液領域とを形成する工程と、前記被機能液配置領域上に導電性微粒子を含む第１の機能液を配置する工程と、配置された第１の機能液からなる層の上に、第１の機能液が含む導電性微粒子と異なる導電性微粒子を含む第２の機能液を配置する工程と、被機能液配置領域上に積層した第１の機能液からなる層と第２の機能液とに対して所定の処理を施すことによって、異なる導電性材料からなる層が複数積層されてなる配線パターンを形成する工程を有する配線パターン形成方法が開示されている。
特開２００５−３１０９６２号公報特開２００６−３０３２７５号公報特開２００１−２７４５３５号公報特許第３８２３９８１号公報唐沢範之、外６名、「０．５ｍｍピッチ仕様耐マイグレーションコネクタ回路」、フジクラ技報、２００５年４月、第１０８巻、ｐ．３９−４３ Further, Patent Document 4 discloses a step of forming a function liquid placement region corresponding to a wiring pattern formation region and a liquid repellent region surrounding the function liquid placement region on a substrate, and the function liquid placement region. A first functional liquid containing conductive fine particles on the first functional liquid, and a first functional liquid containing conductive fine particles different from the conductive fine particles contained in the first functional liquid on the layer made of the first functional liquid arranged. By applying a predetermined treatment to the step of arranging the two functional fluids, the layer of the first functional fluid laminated on the functional fluid placement region, and the second functional fluid, different conductive materials are used. A wiring pattern forming method having a step of forming a wiring pattern in which a plurality of layers are stacked is disclosed.
JP-A-2005-310962 JP 2006-303275 A JP 2001-274535 A Japanese Patent No. 38233981 Noriyuki Karasawa, 6 others, "0.5mm pitch specification migration resistant connector circuit", Fujikura Technical Report, April 2005, Vol. 108, p. 39-43

しかしながら、特許文献２、３に開示されているようなフォトリソグラフィー法を用いる積層配線形成に関する技術は、マイグレーションし易い配線層を完全に覆うためには、フォトリソグラフィー法を多用するため、工程が複雑であった。 However, the technique related to the multilayer wiring formation using the photolithography method as disclosed in Patent Documents 2 and 3 requires a complicated process because the photolithography method is frequently used to completely cover the wiring layer that is easily migrated. Met.

また、非特許文献１、特許文献４に開示されているようなフォトリソグラフィー法を用いない積層配線形成に関しては、Ａｇ等のマイグレーションし易い配線層の一部が微細化に伴い露出される可能性が高くなり、マイグレーションを防ぐのが困難であった。特に、特許文献４に記載されている配線パターンの形成方法では、マイグレーションし易い配線層の一部が露出してしまうという問題がある。また、被機能液配置領域の一部でも導電性材料機能液が行き渡らない部分があった場合には、この露出された領域に水分が付着してしまい、この領域を起点にマイグレーションの発生が促進される等の問題を有していた。 In addition, regarding the formation of a laminated wiring that does not use a photolithography method as disclosed in Non-Patent Document 1 and Patent Document 4, a part of a wiring layer that easily migrates, such as Ag, may be exposed as a result of miniaturization. It was difficult to prevent migration. In particular, the wiring pattern forming method described in Patent Document 4 has a problem that a part of the wiring layer that is easily migrated is exposed. In addition, if there is a part where the conductive material functional liquid does not spread even in a part of the functional liquid arrangement area, moisture adheres to the exposed area, and migration starts from this area. Had problems such as being.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、低コストで、かつ、導電性に優れ、マイグレーションの防止効果を有する積層配線パターンを形成した積層構造体及び積層構造体の製造方法を提供するものである。 The present invention has been made in view of the above, and provides a laminated structure in which a laminated wiring pattern having a low cost, excellent conductivity, and an effect of preventing migration is formed, and a method for manufacturing the laminated structure. Is.

本発明は、基板と、前記基板上において、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化し、低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態へと変化する材料を含むものであって、前記エネルギーの付与により、第１の高表面エネルギー領域及び第２の高表面エネルギー領域と、低表面エネルギー領域とが形成されている濡れ性変化層と、前記第１の高表面エネルギー領域上に導電性材料により形成された第１の導電層と、前記第２の高表面エネルギー領域上及び前記第１の導電層上に形成された第２の導電層と、を有し、前記第１の導電層を前記第２の導電層により覆われた積層構造の導電層が形成されているものであることを特徴とする。 The present invention includes a substrate and a material that changes the critical surface tension by applying energy on the substrate and changes from a low surface energy state to a high surface energy state. The wettability changing layer in which the first high surface energy region, the second high surface energy region, and the low surface energy region are formed, and the conductive material is formed on the first high surface energy region. And a second conductive layer formed on the second high surface energy region and on the first conductive layer, the first conductive layer being the first conductive layer. A conductive layer having a laminated structure covered with two conductive layers is formed.

また、本発明は、前記第２の高表面エネルギー領域は、前記第１の高表面エネルギー領域の外側に隣接して形成されていることを特徴とする。 The present invention is characterized in that the second high surface energy region is formed adjacent to the outside of the first high surface energy region.

また、本発明は、前記第１の高表面エネルギー領域と前記第２の高表面エネルギー領域との間には、低表面エネルギー領域が形成されていることを特徴とする。 Further, the present invention is characterized in that a low surface energy region is formed between the first high surface energy region and the second high surface energy region.

また、本発明は、前記第１の高表面エネルギー領域よりも、前記第２の高表面エネルギー領域の前記基板面上の高さが、相対的に低いものであることを特徴とする。 Further, the present invention is characterized in that a height of the second high surface energy region on the substrate surface is relatively lower than that of the first high surface energy region.

また、本発明は、前記エネルギーの付与は紫外線照射により行なわれるものであって、前記第１の高表面エネルギー領域を形成する際に照射される紫外線照射量よりも、前記第２の高表面エネルギー領域を形成する際に照射される紫外線照射量の方が多いことを特徴とする。 According to the present invention, the energy is imparted by ultraviolet irradiation, and the second high surface energy is higher than the ultraviolet irradiation amount irradiated when forming the first high surface energy region. It is characterized in that the amount of UV irradiation irradiated when forming the region is larger.

また、本発明は、前記第１の導電層を形成する導電性材料は、ＡｇまたはＣｕであることを特徴とする。 Further, the present invention is characterized in that the conductive material forming the first conductive layer is Ag or Cu.

また、本発明は、前記第２の導電層を形成する導電性材料は、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｎｉ又はＡｌを含む合金、導電性ポリマー、カーボン、ＩＴＯであることを特徴とする。 In the invention, it is preferable that the conductive material forming the second conductive layer is an alloy containing Sn, Au, Pd, Pt, Fe, Ni, or Al, a conductive polymer, carbon, or ITO. To do.

また、本発明は、前記第２の導電層を形成する導電性材料は、前記第１の導電層を形成する導電性材料よりも、イオン化傾向が高いものであることを特徴とする。 In addition, the present invention is characterized in that the conductive material forming the second conductive layer has a higher ionization tendency than the conductive material forming the first conductive layer.

また、本発明は、基板上にエネルギーの付与により表面エネルギーが変化する濡れ性変化材料を含む濡れ性変化層を形成する工程と、前記濡れ性変化層に前記エネルギーを付与することにより、第１の高表面エネルギー領域を形成する工程と、前記第１の高表面エネルギー領域上に第１の導電性材料を含む溶液を供給する工程と、前記第１の導電性材料を含む溶液を乾燥させることにより、前記第１の高表面エネルギー領域上に第１の導電層を形成する工程と、前記濡れ性変化層の前記第１の導電層に隣接している部分又は近傍における部分に前記エネルギーを付与することにより、第２の高表面エネルギー領域を形成する工程と、前記第２の高表面エネルギー領域上及び前記第１の導電層上に第２の導電性材料を含む溶液を供給する工程と、前記第２の導電性材料を含む溶液を乾燥させることにより、前記第２の高表面エネルギー領域上及び第１の導電層上に第２の導電層を形成する工程と、を有することを特徴とする。 The present invention also includes a step of forming a wettability changing layer including a wettability changing material whose surface energy is changed by applying energy on the substrate, and applying the energy to the wettability changing layer. Forming a high surface energy region, supplying a solution containing the first conductive material on the first high surface energy region, and drying the solution containing the first conductive material. The step of forming the first conductive layer on the first high surface energy region and applying the energy to a portion of the wettability changing layer adjacent to or near the first conductive layer Forming a second high surface energy region, and supplying a solution containing a second conductive material on the second high surface energy region and on the first conductive layer, Forming a second conductive layer on the second high surface energy region and on the first conductive layer by drying a solution containing the second conductive material. To do.

また、本発明は、基板上にエネルギーの付与により表面エネルギーが変化する濡れ性変化材料を含む濡れ性変化層を形成する工程と、前記濡れ性変化層に前記エネルギーを付与することにより、第１の高表面エネルギー領域及び、前記第１の高表面エネルギー領域の近傍部分に第２の表面エネルギー領域を形成する工程と、前記第１の高表面エネルギー領域上に第１の導電性材料を含む溶液を供給する工程と、前記第１の導電性材料を含む溶液を乾燥させることにより、前記第１の高表面エネルギー領域上に第１の導電層を形成する工程と、前記第２の高表面エネルギー領域上、前記第１の導電層上及び前記第２の高表面エネルギー領域と前記第１の導電層との間の低表面エネルギー領域上に第２の導電性材料を含む溶液を供給する工程と、前記第２の導電性材料を含む溶液を乾燥させることにより、前記第２の高表面エネルギー領域上、第１の導電層上及び前記第２の高表面エネルギー領域と前記第１の導電層との間の低表面エネルギー領域上に第２の導電層を形成する工程と、を有することを特徴とする。 The present invention also includes a step of forming a wettability changing layer including a wettability changing material whose surface energy is changed by applying energy on the substrate, and applying the energy to the wettability changing layer. A step of forming a second surface energy region in the vicinity of the first high surface energy region, and a solution containing a first conductive material on the first high surface energy region A first conductive layer on the first high surface energy region by drying a solution containing the first conductive material, and the second high surface energy. Supplying a solution containing a second conductive material on a region, on the first conductive layer, and on a low surface energy region between the second high surface energy region and the first conductive layer; , By drying the solution containing the second conductive material, the second high surface energy region, the first conductive layer, and the second high surface energy region and the first conductive layer And a step of forming a second conductive layer on the low surface energy region therebetween.

また、本発明は、前記エネルギーの付与は紫外線照射により行なわれるものであって、前記第１の高表面エネルギー領域を形成するための紫外線照射量よりも、前記第２の高表面エネルギー領域を形成するための紫外線照射量の方が高いものであることを特徴とする。 In the present invention, the energy is imparted by ultraviolet irradiation, and the second high surface energy region is formed rather than the ultraviolet irradiation amount for forming the first high surface energy region. It is characterized in that the amount of ultraviolet irradiation for the purpose is higher.

また、本発明は、前記第１の導電性材料を含む溶液は、インクジェット法により供給されるものであることを特徴とする。 Further, the invention is characterized in that the solution containing the first conductive material is supplied by an ink jet method.

本発明によれば、低コストで、かつ、導電性に優れ、マイグレーションの防止効果を有する積層配線パターンを形成した積層構造体及び積層構造体の製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the laminated structure which formed the laminated wiring pattern which is low-cost, excellent in electroconductivity, and has the effect of preventing migration can be provided.

本発明を実施するための最良の形態について、以下に説明する。 The best mode for carrying out the present invention will be described below.

（積層構造体）
図１に、本実施の形態における積層構造体の構造を示す。図１（ａ）は、この積層構造体の上面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）における破線１Ａ−１Ｂにおいて切断した断面図である。 (Laminated structure)
FIG. 1 shows the structure of the laminated structure in this embodiment. FIG. 1A is a top view of the laminated structure, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along a broken line 1A-1B in FIG.

本実施の形態における積層構造体は、基板２０上に濡れ性変化層３０を形成したものである。濡れ性変化層３０は、エネルギーの付与により、表面エネルギーが変化する濡れ性変化材料を含むものであり、表面には、表面エネルギーの高い高表面エネルギー領域４０と、表面エネルギーの低い低表面エネルギー領域５０とが形成されている。 The laminated structure in the present embodiment is obtained by forming the wettability changing layer 30 on the substrate 20. The wettability changing layer 30 includes a wettability changing material whose surface energy changes when energy is applied. The surface has a high surface energy region 40 having a high surface energy and a low surface energy region having a low surface energy. 50 is formed.

高表面エネルギー領域４０では、後述するように、機能性材料を含む溶液と接触することにより、表面エネルギーを下げようとするので、機能性材料を含む溶液に対する濡れ性がよく、低表面エネルギー領域５０では、機能性材料を含む溶液に対する濡れ性が悪い。従って、高表面エネルギー領域４０上に導電性材料を含む溶液を選択的に付着させることができ、これにより、高表面エネルギー領域４０上に導電層７０を形成することができる。なお、導電層７０は、第１の導電層７１が第２の導電層７２により覆われた構造となっており、第１の導電層７１と第２の導電層７２とが積層された導電層７０を形成している。 In the high surface energy region 40, as will be described later, the surface energy is lowered by contact with the solution containing the functional material. Therefore, the wettability to the solution containing the functional material is good, and the low surface energy region 50 is used. Then, the wettability with respect to the solution containing a functional material is bad. Therefore, a solution containing a conductive material can be selectively deposited on the high surface energy region 40, and thus the conductive layer 70 can be formed on the high surface energy region 40. Note that the conductive layer 70 has a structure in which the first conductive layer 71 is covered with the second conductive layer 72, and the conductive layer in which the first conductive layer 71 and the second conductive layer 72 are stacked. 70 is formed.

基板２０は、ガラス基板、シリコン基板、ステンレス基板、フィルム基板等の基板を用いることができる。フィルム基板では、ポリイミド（ＰＩ）基板、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）基板、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）基板等が挙げられる。 As the substrate 20, a substrate such as a glass substrate, a silicon substrate, a stainless steel substrate, or a film substrate can be used. Examples of the film substrate include a polyimide (PI) substrate, a polyethersulfone (PES) substrate, a polyethylene terephthalate (PET) substrate, and a polyethylene naphthalate (PEN) substrate.

濡れ性変化層３０は、熱、電子線、紫外線、プラズマ等のエネルギーの付与により表面エネルギー（臨界表面張力）が変化する濡れ性変化材料を含む材料により構成されている。この濡れ性変化材料としては、側鎖に疎水基を有する高分子材料を用いることができる。このような高分子材料は、紫外線等のエネルギーの付与により、疎水基の結合が切断されることで、当初の低エネルギー表面（疎水性）から高エネルギー表面（親水性）へと変化する。具体的には、後述するように、所定のパターンの形成されたフォトマスクを用いて、紫外線を濡れ性変化層３０の表面を露光することにより、露光された領域が高表面エネルギー領域４０となり、濡れ性変化層３０の表面には、高表面エネルギー領域４０と低表面エネルギー領域５０とが形成される。 The wettability changing layer 30 is made of a material including a wettability changing material whose surface energy (critical surface tension) is changed by application of energy such as heat, electron beam, ultraviolet light, and plasma. As this wettability changing material, a polymer material having a hydrophobic group in the side chain can be used. Such a polymer material changes from an initial low energy surface (hydrophobic) to a high energy surface (hydrophilicity) by breaking the bond of the hydrophobic group by applying energy such as ultraviolet rays. Specifically, as will be described later, by exposing the surface of the wettability changing layer 30 with ultraviolet rays using a photomask having a predetermined pattern, the exposed region becomes the high surface energy region 40, A high surface energy region 40 and a low surface energy region 50 are formed on the surface of the wettability changing layer 30.

濡れ性変化材料に含まれる高分子材料としては、具体的には、ポリイミドや（メタ）アクリルレート等の骨子を有する主鎖に直接又は結合基を介して疎水基を有する側鎖が結合しているものが挙げられる。このような高分子材料のうち、ポリイミドは耐溶剤性、耐熱性、絶縁性に優れていることから、特に好適である。耐溶剤性に優れていることから、機能性材料を含む溶液の溶媒の選択肢を広げることができ、耐熱性に優れていることから、機能性材料を含む溶液を乾燥させる際の熱処理プロセス等にも十分耐えうる。また、絶縁性に優れているため、導電層７０を形成した際に、導電層７０同士が短絡するおそれもない。 Specifically, as the polymer material included in the wettability changing material, a side chain having a hydrophobic group is bonded directly or via a bonding group to a main chain having a main structure such as polyimide or (meth) acrylate. The thing that is. Of these polymer materials, polyimide is particularly suitable because it is excellent in solvent resistance, heat resistance, and insulation. Excellent solvent resistance enables a wider range of solvent choices for solutions containing functional materials, and excellent heat resistance makes it suitable for heat treatment processes when drying solutions containing functional materials. Can withstand. Moreover, since it is excellent in insulation, when the conductive layer 70 is formed, there is no possibility that the conductive layers 70 are short-circuited.

上述の疎水基としては、フッ素を含むフルオロアルキル基やフッ素を含まない炭化水素基が挙げられる。 Examples of the hydrophobic group include a fluoroalkyl group containing fluorine and a hydrocarbon group not containing fluorine.

濡れ性変化層３０の表面では、高表面エネルギー領域４０と、低表面エネルギー領域５０との表面エネルギーの異なる２つの領域を備えており、導電性材料を含む溶液を高表面エネルギー領域４０上に選択的に配置することができる。 The surface of the wettability changing layer 30 includes two regions having different surface energies, ie, a high surface energy region 40 and a low surface energy region 50, and a solution containing a conductive material is selected on the high surface energy region 40. Can be arranged.

また、濡れ性変化層３０は、紫外線等のエネルギーの付与により表面エネルギーが変化するだけでなく、同時にエネルギーが付与された部分の膜減りが生じる。後述するように、この膜減りを利用することにより、第１の導電層７１を第２の導電層７２により確実に覆うことが可能である。 In addition, the wettability changing layer 30 not only changes the surface energy due to the application of energy such as ultraviolet rays, but also reduces the thickness of the portion to which energy has been applied. As will be described later, the first conductive layer 71 can be reliably covered with the second conductive layer 72 by utilizing this film reduction.

第１の導電層７１に用いられる導電性材料としては、低コストで、かつ、高導電率が得られるＡｇやＣｕ等の材料が好ましい。第２の導電層７２に用いられる導電性材料としては、第１の導電層７１に用いられる導電性材料よりもマイグレーション耐性の高い材料であるＳｎ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ａｌ等の他、ＡｇやＣｕを含めた合金、または、導電性ポリマー等を用いることができる。また、第２の導電層７２に用いる導電性材料としてカーボン又はＩＴＯ等の材料を用いることもできる。更に、第２の導電層７２に用いる導電性材料として、第１の導電層７１に用いる金属材料の溶出を防ぐ目的で、第１の導電層７１に用いる金属材料よりもイオン化傾向の高い金属材料を用いても良い。 The conductive material used for the first conductive layer 71 is preferably a material such as Ag or Cu that can be obtained at low cost and high conductivity. Examples of the conductive material used for the second conductive layer 72 include Sn, Au, Pd, Pt, Fe, Ni, and Al, which are materials having higher migration resistance than the conductive material used for the first conductive layer 71. In addition, alloys including Ag and Cu, conductive polymers, and the like can be used. In addition, as the conductive material used for the second conductive layer 72, a material such as carbon or ITO can be used. Further, as a conductive material used for the second conductive layer 72, a metal material having a higher ionization tendency than the metal material used for the first conductive layer 71 for the purpose of preventing elution of the metal material used for the first conductive layer 71. May be used.

（積層構造体の製造方法）
次に、本実施の形態における積層構造体の製造方法について説明する。 (Manufacturing method of laminated structure)
Next, the manufacturing method of the laminated structure in this Embodiment is demonstrated.

最初に、図２に示すように基板２０上に濡れ性変化層３０を形成する。尚、図２（ａ）は、この状態の上面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）における破線２Ａ−２Ｂにおいて切断した断面図である。 First, the wettability changing layer 30 is formed on the substrate 20 as shown in FIG. 2A is a top view of this state, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along a broken line 2A-2B in FIG. 2A.

具体的には、基板２０上に濡れ性変化材料を含む溶液を、スピンコーター等を用いて塗布し、この後乾燥させることにより、濡れ性変化層３０を形成する。濡れ性変化層３０を形成するために用いる濡れ性変化材料として、側鎖に疎水基を有する構造の高分子材料を用いた場合では、基板２０上に形成された濡れ性変化層３０の表面は、低表面エネルギー状態（表面が低表面エネルギー領域５０により覆われた状態）となっている。 Specifically, a wettability changing layer 30 is formed by applying a solution containing a wettability changing material on the substrate 20 using a spin coater or the like and then drying the solution. When a polymer material having a structure having a hydrophobic group in the side chain is used as the wettability changing material used to form the wettability changing layer 30, the surface of the wettability changing layer 30 formed on the substrate 20 is The surface energy state is low (the surface is covered with the low surface energy region 50).

次に、図３に示すように濡れ性変化層３０の表面に紫外光等を照射し、高表面エネルギー領域４０と低表面エネルギー領域５０を形成する。尚、図３（ａ）は、この状態の上面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）における破線３Ａ−３Ｂにおいて切断した断面図である。 Next, as shown in FIG. 3, the surface of the wettability changing layer 30 is irradiated with ultraviolet light or the like to form a high surface energy region 40 and a low surface energy region 50. 3A is a top view of this state, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along a broken line 3A-3B in FIG. 3A.

具体的には、フォトマスク８０を用いて矢印で示すように紫外線による露光を行うことにより高表面エネルギー領域４０と低表面エネルギー領域５０とを形成する。フォトマスク８０には、紫外光を透過しないＣｒ等のパターンが形成されており、Ｃｒ等のパターンの形成された領域においては、紫外光は透過することなく、濡れ性変化層３０の表面に紫外光は照射されない。一方、Ｃｒ等のパターンの形成されていない領域においては紫外光がフォトマスク８０を透過し、濡れ性変化層３０の表面に照射される。これにより、紫外光の照射された濡れ性変化層３０においては、疎水基の結合が切断され低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態へと変化する。これにより、紫外光の照射された領域の濡れ性変化層３０の表面は高表面エネルギー領域４０となる。一方、紫外光の照射されていない領域は、濡れ性変化層３０の表面は低表面エネルギー状態のままであるため、この領域の表面は低表面エネルギー領域５０となる。このようにして、濡れ性変化層３０の表面に高表面エネルギー領域４０と低表面エネルギー領域５０が形成される。 Specifically, the high surface energy region 40 and the low surface energy region 50 are formed by performing exposure with ultraviolet rays as indicated by arrows using a photomask 80. The photomask 80 is formed with a pattern of Cr or the like that does not transmit ultraviolet light. In the region where the pattern of Cr or the like is formed, the ultraviolet light is not transmitted and the surface of the wettability changing layer 30 is irradiated with ultraviolet light. No light is irradiated. On the other hand, in a region where a pattern such as Cr is not formed, ultraviolet light passes through the photomask 80 and is irradiated on the surface of the wettability changing layer 30. Thereby, in the wettability change layer 30 irradiated with the ultraviolet light, the bond of the hydrophobic group is cut, and the state changes from the low surface energy state to the high surface energy state. Thereby, the surface of the wettability changing layer 30 in the region irradiated with ultraviolet light becomes the high surface energy region 40. On the other hand, since the surface of the wettability changing layer 30 remains in a low surface energy state in the region not irradiated with ultraviolet light, the surface of this region becomes the low surface energy region 50. In this way, the high surface energy region 40 and the low surface energy region 50 are formed on the surface of the wettability changing layer 30.

次に、図４に示すように、液滴吐出ノズル９０より、高表面エネルギー領域４０条に第１の導電性材料を含む溶液７１ａの液滴を供給する。尚、図４（ａ）は、この状態の上面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）における破線４Ａ−４Ｂにおいて切断した断面図である。 Next, as shown in FIG. 4, droplets of a solution 71 a containing the first conductive material are supplied from the droplet discharge nozzle 90 to the high surface energy region 40. 4A is a top view of this state, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along a broken line 4A-4B in FIG. 4A.

導電性材料を含む溶液の供給手段としては、インクジェット法、ディスペンサ法が挙げられるが、低粘度の微小液滴を非接触で高い精度で供給することが可能な上述の液滴吐出ノズル９０を用いたインクジェット法がより好適である。尚、本実施の形態では、後述する液滴吐出装置により、第１の導電性材料を含む溶液７１ａを供給している。 Examples of means for supplying a solution containing a conductive material include an ink jet method and a dispenser method, and the above-described droplet discharge nozzle 90 capable of supplying a low-viscosity minute droplet with high accuracy without contact is used. The inkjet method is more suitable. In the present embodiment, the solution 71a containing the first conductive material is supplied by a droplet discharge device described later.

第１の導電性材料を含む溶液７１ａに含まれる導電性材料としては、ＡｇやＣｕ等の金属微粒子を溶液中に分散させたいわゆるナノメタルインクや、有機金属化合物を溶解させた溶液を用いることができる。インクジェット法により形成する際には、第１の導電性材料を含む溶液７１ａの表面張力は、２０ｍＮ／ｍ以上、５０ｍＮ／ｍ以下であることが好ましく、また、粘度は、２ｍＰａ・ｓ以上、５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。 As the conductive material contained in the solution 71a containing the first conductive material, a so-called nanometal ink in which metal fine particles such as Ag and Cu are dispersed in the solution, or a solution in which an organometallic compound is dissolved is used. it can. When forming by the inkjet method, the surface tension of the solution 71a containing the first conductive material is preferably 20 mN / m or more and 50 mN / m or less, and the viscosity is 2 mPa · s or more and 50 mPa. -It is preferable that it is below s.

次に、図５に示すように、高表面エネルギー領域４０上の第１の導電性材料を含む溶液７１ａを乾燥させて、固化させることにより第１の導電層７１を形成する。尚、図５（ａ）は、この状態の上面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）における破線５Ａ−５Ｂにおいて切断した断面図である。 Next, as shown in FIG. 5, the first conductive layer 71 is formed by drying and solidifying the solution 71 a containing the first conductive material on the high surface energy region 40. 5A is a top view of this state, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along a broken line 5A-5B in FIG. 5A.

第１の導電性材料を含む溶液７１ａを乾燥させるための乾燥方法は、オーブン等を利用した対流電熱方式、ホットプレート等を利用した伝導伝熱方式、遠赤外線やマイクロ波を利用した輻射伝熱方式等が挙げられる。また、必ずしも大気圧で行う必要はなく、必要に応じて減圧した状態で行ってもよい。また、乾燥させ固化させて形成された第１の導電層７１は、更に追加で熱処理等を加えてもよい。特に、第１の導電性材料を含む溶液７１ａとしてナノメタルインクを用いた場合では、乾燥させ固化させただけでは、十分な導電性を得ることが困難である場合があり、更に熱処理を行うことにより、導電性材料の微粒子同士を溶融させて、より高い導電性を得ることが可能となる。 The drying method for drying the solution 71a containing the first conductive material includes a convection electric heating method using an oven, a conduction heat transfer method using a hot plate, etc., and a radiant heat transfer using far infrared rays or microwaves. The method etc. are mentioned. Moreover, it does not necessarily need to be performed at atmospheric pressure, and may be performed in a depressurized state as necessary. Further, the first conductive layer 71 formed by drying and solidification may be additionally subjected to heat treatment or the like. In particular, in the case where nanometal ink is used as the solution 71a containing the first conductive material, it may be difficult to obtain sufficient conductivity only by drying and solidifying. It is possible to obtain higher conductivity by melting fine particles of the conductive material.

次に、図６に示すように、第１の導電性材料を含む溶液７１ａとは異なる導電性材料を含む第２の導電性材料を含む溶液７２ａを供給する。尚、図６（ａ）は、この状態の上面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）における破線６Ａ−６Ｂにおいて切断した断面図である。 Next, as shown in FIG. 6, a solution 72a containing a second conductive material containing a conductive material different from the solution 71a containing the first conductive material is supplied. 6A is a top view of this state, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along a broken line 6A-6B in FIG. 6A.

第２の導電性材料を含む溶液７２ａは、第１の導電層７１を覆うように供給される。第２の導電性材料を含む溶液７２ａは、インク又はペーストであり、インクジェット法、ディスペンサ法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法又はスクリーン印刷法等の各種印刷法により、第１の導電層７１を覆うように、第２の導電性材料を含む溶液７２ａのパターンを形成する。 The solution 72 a containing the second conductive material is supplied so as to cover the first conductive layer 71. The solution 72a containing the second conductive material is an ink or a paste, and the first conductive material is formed by various printing methods such as an inkjet method, a dispenser method, a flexographic printing method, a gravure printing method, an offset printing method, or a screen printing method. A pattern of the solution 72 a containing the second conductive material is formed so as to cover the layer 71.

次に、図７に示すように、第２の導電性材料を含む溶液７２ａを乾燥させて、固化させることにより第２の導電層７２を形成する。尚、図７（ａ）は、この状態の上面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）における破線７Ａ−７Ｂにおいて切断した断面図である。 Next, as shown in FIG. 7, the second conductive layer 72 is formed by drying and solidifying the solution 72a containing the second conductive material. 7A is a top view of this state, and FIG. 7B is a cross-sectional view taken along a broken line 7A-7B in FIG. 7A.

第２の導電性材料を含む溶液７２ａを乾燥ための乾燥方法は、第１の導電性材料を含む溶液７１ａを乾燥させるための乾燥方法と同様である。第２の導電層７２を形成した後に熱処理を行なう場合、第１の導電層７１を形成した後に、熱処理を行なうことなく、第１の導電層７１及び第２の導電層７２を一括して熱処理を行なうことにより、第１の導電層７１と第２の導電層７２は同時に熱処理することができ、製造工程を短縮することが可能である。これにより、第１の導電層７１を覆うように第２の導電層７２が積層された構造の導電層７０を有する積層構造体が形成される。 The drying method for drying the solution 72a containing the second conductive material is the same as the drying method for drying the solution 71a containing the first conductive material. In the case where the heat treatment is performed after the second conductive layer 72 is formed, the first conductive layer 71 and the second conductive layer 72 are collectively heat-treated without performing the heat treatment after the first conductive layer 71 is formed. By performing the steps, the first conductive layer 71 and the second conductive layer 72 can be heat-treated at the same time, and the manufacturing process can be shortened. Thereby, a laminated structure having the conductive layer 70 having a structure in which the second conductive layer 72 is laminated so as to cover the first conductive layer 71 is formed.

（液滴吐出装置）
次に、導電性材料を含む溶液の液滴を供給するための液滴吐出装置であるインクジェット装置について説明する。 (Droplet discharge device)
Next, an ink jet apparatus which is a liquid droplet ejection apparatus for supplying liquid droplets containing a conductive material will be described.

図８は、本実施の形態に用いたインクジェット装置の斜視図である。このインクジェット装置１００は、定盤１０１と、ステージ１０２と、液滴吐出ヘッド１０３と、液滴吐出ヘッド１０３に接続されたＸ軸方向移動機構１０４と、ステージ１０２に接続されたＹ軸方向移動機構１０５と、制御装置１０６とを備えている。 FIG. 8 is a perspective view of the ink jet apparatus used in the present embodiment. The inkjet apparatus 100 includes a surface plate 101, a stage 102, a droplet discharge head 103, an X-axis direction moving mechanism 104 connected to the droplet discharge head 103, and a Y-axis direction moving mechanism connected to the stage 102. 105 and a control device 106.

ステージ１０２は、基板２０を支持する目的で備えられており、基板２０を吸着する吸着機構（図示せず）等の固定機構を備えている。また、基板２０上に配置された導電性材料を含む溶液を乾燥させるための熱処理機構を備えて良い。 The stage 102 is provided for the purpose of supporting the substrate 20, and includes a fixing mechanism such as an adsorption mechanism (not shown) that adsorbs the substrate 20. Further, a heat treatment mechanism for drying the solution containing the conductive material disposed on the substrate 20 may be provided.

液滴吐出ヘッド１０３は、複数の吐出ノズルを備えたヘッドであり、複数の吐出ノズルが液滴吐出ヘッド１０３の下面に、Ｘ軸方向に沿って一定間隔で並んでいる。この吐出ノズルからステージ１０２に支持されている基板２０に対して、導電性材料を含む溶液（第１の導電性材料を含む溶液７１ａ又は、第２の導電性材料を含む溶液７２ａ）が吐出される。液滴吐出ヘッド１０３の液滴吐出機構には、例えばピエゾ方式を用いることができ、この場合、液滴吐出ヘッド１０３内のピエゾ素子に電圧を印加することで液滴が吐出する。 The droplet discharge head 103 is a head including a plurality of discharge nozzles, and the plurality of discharge nozzles are arranged on the lower surface of the droplet discharge head 103 at regular intervals along the X-axis direction. A solution containing a conductive material (a solution 71a containing a first conductive material or a solution 72a containing a second conductive material) is discharged from the discharge nozzle to the substrate 20 supported by the stage 102. The For example, a piezo method can be used as a droplet discharge mechanism of the droplet discharge head 103. In this case, a droplet is discharged by applying a voltage to a piezo element in the droplet discharge head 103.

Ｘ軸方向移動機構１０４はＸ軸方向駆動軸１０７、及びＸ軸方向駆動モータ１０８で構成される。Ｘ軸方向駆動モータ１０８はステッピングモータ等であり、制御装置１０６からＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸駆動軸１０７を動作させ、液滴吐出ヘッド１０３がＸ軸方向に移動する。 The X-axis direction moving mechanism 104 includes an X-axis direction drive shaft 107 and an X-axis direction drive motor 108. The X-axis direction drive motor 108 is a stepping motor or the like. When a drive signal in the X-axis direction is supplied from the control device 106, the X-axis direction drive shaft 107 is operated and the droplet discharge head 103 moves in the X-axis direction. .

Ｙ軸方向移動機構１０５はＹ軸方向駆動軸１０９およびＹ軸方向駆動モータ１１０で構成される。制御装置１０６からＸ軸方向の駆動信号が供給されるとステージ１０２がＹ軸方向に移動する。 The Y-axis direction moving mechanism 105 includes a Y-axis direction drive shaft 109 and a Y-axis direction drive motor 110. When a drive signal in the X-axis direction is supplied from the control device 106, the stage 102 moves in the Y-axis direction.

制御装置１０６は液滴吐出ヘッド１０３に吐出制御用の信号を供給する。またＸ軸方向駆動モータ１０８にＸ軸方向の駆動信号を、またＹ軸方向駆動モータ１１０にＹ軸方向の駆動信号をそれぞれ供給する。なお制御装置１０６は、液滴吐出ヘッド１０３、Ｘ軸方向駆動モータ１０８、Ｙ軸方向駆動モータ１１０とそれぞれつながっているが、その配線は図示していない。 The control device 106 supplies a discharge control signal to the droplet discharge head 103. Further, a drive signal in the X-axis direction is supplied to the X-axis direction drive motor 108, and a drive signal in the Y-axis direction is supplied to the Y-axis direction drive motor 110, respectively. The control device 106 is connected to the droplet discharge head 103, the X-axis direction drive motor 108, and the Y-axis direction drive motor 110, but the wiring thereof is not shown.

インクジェット装置１００は、液滴吐出ヘッド１０３とステージ１０２とを相対的に走査させながらステージ１０２上に固定された基板２０に対して導電性材料を含む溶液の液滴を吐出する。なお液滴吐出ヘッド１０３とＸ軸方向移動機構１０４の間には、Ｘ軸方向移動機構１０４と独立動作する回転機構を備え付けても良い。回転機構を動作させて液滴吐出ヘッド１０３とステージ１０２との相対角度を変化させることで、吐出ノズル間ピッチを調節できる。また液滴吐出ヘッド１０３とＸ軸方向移動機構１０４の間には、Ｘ軸方向移動機構１０４と独立動作するＺ軸方向移動機構を備え付けても良い。Ｚ軸方向に液滴吐出ヘッド１０３を移動させることで、基板２０とノズル面との距離を任意に調節可能である。またステージ１０２とＹ軸方向移動機構１０５の間には、Ｙ軸方向移動機構１０５と独立動作する回転機構を備え付けても良い。回転機構を動作させることで、ステージ１０２上に固定された基板２０を任意の角度に回転させた状態で、基板２０に対して液滴を吐出できる。 The inkjet apparatus 100 discharges droplets of a solution containing a conductive material onto the substrate 20 fixed on the stage 102 while relatively scanning the droplet discharge head 103 and the stage 102. A rotation mechanism that operates independently of the X-axis direction moving mechanism 104 may be provided between the droplet discharge head 103 and the X-axis direction moving mechanism 104. By operating the rotation mechanism to change the relative angle between the droplet discharge head 103 and the stage 102, the pitch between the discharge nozzles can be adjusted. Further, a Z-axis direction moving mechanism that operates independently of the X-axis direction moving mechanism 104 may be provided between the droplet discharge head 103 and the X-axis direction moving mechanism 104. By moving the droplet discharge head 103 in the Z-axis direction, the distance between the substrate 20 and the nozzle surface can be arbitrarily adjusted. A rotation mechanism that operates independently of the Y-axis direction moving mechanism 105 may be provided between the stage 102 and the Y-axis direction moving mechanism 105. By operating the rotation mechanism, it is possible to discharge droplets onto the substrate 20 in a state where the substrate 20 fixed on the stage 102 is rotated at an arbitrary angle.

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されて解釈されるものではなく、本発明の範囲を逸脱することなく、実施例に種々の変形や置換を加えることが可能である。 Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples. However, the present invention is not construed as being limited to the examples, and various modifications and substitutions may be made to the examples without departing from the scope of the present invention. It is possible to add.

（実施例１）
本実施例は、図９に示す積層構造体の作製に関するものである。具体的に、本実施例の積層構造体の作製方法について説明する。尚、図９（ａ）は、この状態の上面図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）における破線９Ａ−９Ｂにおいて切断した断面図である。 Example 1
This example relates to the production of the laminated structure shown in FIG. Specifically, a method for manufacturing the laminated structure of this example will be described. 9A is a top view in this state, and FIG. 9B is a cross-sectional view taken along a broken line 9A-9B in FIG. 9A.

最初に、基板２０上に濡れ性変化層３０を形成する。具体的には、基板２０となるガラス基板上に、濡れ性変化材料を含むＮＭＰ溶液をスピンコーターにより塗布する。この濡れ性変化材料には、紫外線の照射により表面自由エネルギーが変化する側鎖にアルキル基を有するポリイミド材料を用いている。この後、１００℃のオーブンにより前焼成を行った後、３００℃で溶媒を揮発させることにより除去し、濡れ性変化層３０を形成する。 First, the wettability changing layer 30 is formed on the substrate 20. Specifically, an NMP solution containing a wettability changing material is applied on a glass substrate to be the substrate 20 by a spin coater. As the wettability changing material, a polyimide material having an alkyl group in a side chain whose surface free energy changes by irradiation with ultraviolet rays is used. Thereafter, pre-baking is performed in an oven at 100 ° C., and then the solvent is removed by volatilization at 300 ° C. to form the wettability changing layer 30.

次に、第１の高表面エネルギー領域４１と低表面エネルギー領域５０を形成する。具体的には、波長３００ｎｍ以下の紫外光（超高圧水銀ランプ）を用いて、線幅５０μｍの線状の開口パターンが形成されているフォトマスクを介し、濡れ性変化層３０の表面を露光する。これにより、濡れ性変化層３０の表面において紫外光の照射された領域は、第１の高表面エネルギー領域４１となり、紫外光の照射されていない領域は低表面エネルギー領域５０となり、第１の高表面エネルギー領域４１と低表面エネルギー領域５０からなるパターンが形成される。尚、この際照射される紫外線照射量は、１０Ｊ／ｃｍ^２である。 Next, the first high surface energy region 41 and the low surface energy region 50 are formed. Specifically, the surface of the wettability changing layer 30 is exposed through a photomask in which a linear opening pattern having a line width of 50 μm is formed using ultraviolet light (ultra-high pressure mercury lamp) having a wavelength of 300 nm or less. . As a result, the region irradiated with ultraviolet light on the surface of the wettability changing layer 30 becomes the first high surface energy region 41, and the region not irradiated with ultraviolet light becomes the low surface energy region 50, and the first high surface energy region 41. A pattern composed of the surface energy region 41 and the low surface energy region 50 is formed. In addition, the ultraviolet irradiation amount irradiated at this time is 10 J / cm ² .

次に、インクジェット法により第１の導電性材料を含む溶液の液滴を第１の高表面エネルギー領域４１上に供給し選択的に配置する。この第１の導電性材料を含む溶液は、Ａｇの微粒子を含有するナノメタルインクであり、特性は、表面張力が約３０ｍＮ／ｍ、粘度が約１０ｍＰａ・ｓである。また、インクジェット装置より吐出される第１の導電性材料を含む溶液の液滴の体積は、８ｐＬである。また、液適法を用いて測定した第１の高表面エネルギー領域４１における接触角は５°、低表面エネルギー領域５０における接触角は３０°である。 Next, a droplet of a solution containing the first conductive material is supplied onto the first high surface energy region 41 by an inkjet method and is selectively disposed. The solution containing the first conductive material is a nanometal ink containing fine particles of Ag, and has characteristics of a surface tension of about 30 mN / m and a viscosity of about 10 mPa · s. Further, the volume of the droplet of the solution containing the first conductive material discharged from the ink jet apparatus is 8 pL. Further, the contact angle in the first high surface energy region 41 measured using the liquid suitability method is 5 °, and the contact angle in the low surface energy region 50 is 30 °.

次に、第１の高表面エネルギー領域４１上に供給された第１の導電性材料を含む溶液を１００℃のオーブンで乾燥・固化させた後、２００℃のオーブンにより熱処理を加えて、平均膜厚約１００ｎｍの第１の導電層７１を形成する。 Next, after the solution containing the first conductive material supplied onto the first high surface energy region 41 is dried and solidified in an oven at 100 ° C., heat treatment is applied in the oven at 200 ° C. to obtain an average film A first conductive layer 71 having a thickness of about 100 nm is formed.

次に、線幅７５μｍの線状の開口パターンが形成されているフォトマスクを介し、波長３００ｎｍ以下の紫外光（超高圧水銀ランプ）を用いて、濡れ性変化層３０の表面を露光する。この際、開口パターンにおける露光される領域の中心と、第１の導電層７１の中心とが一致するよう位置合せをした後、露光を行なう。
これにより、濡れ性変化層３０の表面に第２の高表面エネルギー領域４２を形成する。尚、この際照射される紫外線照射量は、１０Ｊ／ｃｍ^２である。 Next, the surface of the wettability changing layer 30 is exposed using ultraviolet light (ultra-high pressure mercury lamp) having a wavelength of 300 nm or less through a photomask on which a linear opening pattern having a line width of 75 μm is formed. At this time, alignment is performed so that the center of the exposed region in the opening pattern matches the center of the first conductive layer 71, and then exposure is performed.
Thereby, the second high surface energy region 42 is formed on the surface of the wettability changing layer 30. In addition, the ultraviolet irradiation amount irradiated at this time is 10 J / cm ² .

次に、インクジェット法により第２の導電性材料を含む溶液の液滴を第２の高表面エネルギー領域４２及び第１の導電層７１上に供給し選択的に配置する。この第２の導電性材料を含む溶液は、Ｎｉの微粒子を含有するナノメタルインクであり、特性は、表面張力が約３０ｍＮ／ｍ、粘度が約１０ｍＰａ・ｓである。また、インクジェット装置より吐出される第２の導電性材料を含む溶液の液滴の体積は、８ｐＬである。 Next, a droplet of a solution containing the second conductive material is supplied onto the second high surface energy region 42 and the first conductive layer 71 by an inkjet method, and is selectively disposed. The solution containing the second conductive material is a nanometal ink containing Ni fine particles, and has characteristics of a surface tension of about 30 mN / m and a viscosity of about 10 mPa · s. Further, the volume of the droplet of the solution containing the second conductive material discharged from the ink jet apparatus is 8 pL.

次に、第２の高表面エネルギー領域４２及び第１の導電層７１上に供給された第２の導電性材料を含む溶液を１００℃のオーブンで乾燥・固化させた後、３００℃のオーブンにより熱処理を加えて、平均膜厚約３００ｎｍの第２の導電層７２を形成した。 Next, the solution containing the second conductive material supplied onto the second high surface energy region 42 and the first conductive layer 71 is dried and solidified in an oven at 100 ° C., and then is heated in an oven at 300 ° C. Heat treatment was performed to form a second conductive layer 72 having an average film thickness of about 300 nm.

以上、本実施例では、２度の紫外線照射と２度のインクジェット法による印刷により、第１の導電層７１と第２の導電層７２が積層された構造の導電層７０が形成された積層構造体を容易に得ることができた。 As described above, in this embodiment, the stacked structure in which the conductive layer 70 having the structure in which the first conductive layer 71 and the second conductive layer 72 are stacked is formed by two ultraviolet irradiations and two printings by the inkjet method. The body could be easily obtained.

（実施例２）
本実施例は、図１０に示す積層構造体の作製に関するものである。本実施例では、第２の高表面エネルギー領域４２を形成するために照射する紫外線照射量を４０Ｊ／ｃｍ^２とし、これ以外の条件は実施例１と同じ条件により積層構造体を作製したものである。尚、図１０（ａ）は、この状態の上面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）における破線１０Ａ−１０Ｂにおいて切断した断面図である。 (Example 2)
This example relates to the production of the laminated structure shown in FIG. In this embodiment, the ultraviolet irradiation amount of radiation to form a second high surface energy area 42 and 40 J / cm ^2, other conditions in which to prepare a laminated structure by the same conditions as in Example 1 is there. 10A is a top view of this state, and FIG. 10B is a cross-sectional view taken along a broken line 10A-10B in FIG. 10A.

図に示すように、濡れ性変化層３０は、紫外線照射量が増加するに従い、膜厚が薄くなる膜減りが生じる。従って、第２の高表面エネルギー領域４２を形成する際の紫外線照射量を第１の高表面エネルギー領域４１を形成する際の紫外線照射量よりも増やすことにより、第１の高表面エネルギー領域４１よりも第２の高表面エネルギー領域４２は５０ｎｍ程度多く膜減りが生じ段差が発生する。よって、第１の導電層７１が接する第１の高表面エネルギー領域４１よりも第２の導電層７２が接する第２の高表面エネルギー領域４２の高さが相対的に低くなる。これにより、より一層確実に第１の導電層７１を第２の導電層７２により覆った積層構造体を得ることができる。
（実施例３）
本実施例は、図１１に示す積層構造体の作製に関するものである。尚、図１１（ａ）は、この状態の上面図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）における破線１１Ａ−１１Ｂにおいて切断した断面図である。 As shown in the drawing, the wettability changing layer 30 is reduced in film thickness as the ultraviolet ray irradiation amount increases. Accordingly, the amount of ultraviolet irradiation when forming the second high surface energy region 42 is increased from the amount of ultraviolet irradiation when forming the first high surface energy region 41, thereby increasing the amount of ultraviolet irradiation from the first high surface energy region 41. However, in the second high surface energy region 42, the film is reduced by about 50 nm and a step is generated. Therefore, the height of the second high surface energy region 42 in contact with the second conductive layer 72 is relatively lower than that of the first high surface energy region 41 in contact with the first conductive layer 71. Thereby, a laminated structure in which the first conductive layer 71 is covered with the second conductive layer 72 can be obtained more reliably.
(Example 3)
This example relates to the production of the laminated structure shown in FIG. 11A is a top view of this state, and FIG. 11B is a cross-sectional view taken along a broken line 11A-11B in FIG. 11A.

最初に、実施例１と同様の方法により濡れ性変化層３０を形成し、次に、所定の開口パターンを有するフォトマスクを用いて、波長３００ｎｍ以下の紫外光（超高圧水銀ランプ）を用いて、濡れ性変化層３０の表面を露光する。これにより、濡れ性変化層３０の表面に、第１の高表面エネルギー領域４１、第２の高表面エネルギー領域４２、第１の低表面エネルギー領域５１、第１の低表面エネルギー領域５２からなるパターンを形成する。この際、形成される第１の高表面エネルギー領域４１の幅ＷＨ１は５０μｍであり、第２の高表面エネルギー領域４２の幅ＷＨ２は５μｍであり、第１の低表面エネルギー領域５１の幅ＷＬ１は２．５μｍである。尚、照射される紫外線照射量は、１０Ｊ／ｃｍ^２である。 First, the wettability changing layer 30 is formed by the same method as in Example 1, and then using ultraviolet light (ultra-high pressure mercury lamp) having a wavelength of 300 nm or less using a photomask having a predetermined opening pattern. Then, the surface of the wettability changing layer 30 is exposed. Thereby, the pattern which consists of the 1st high surface energy area | region 41, the 2nd high surface energy area | region 42, the 1st low surface energy area | region 51, and the 1st low surface energy area | region 52 on the surface of the wettability change layer 30 is demonstrated. Form. At this time, the width WH1 of the formed first high surface energy region 41 is 50 μm, the width WH2 of the second high surface energy region 42 is 5 μm, and the width WL1 of the first low surface energy region 51 is 2.5 μm. Incidentally, the ultraviolet irradiation amount of irradiation is 10J / cm ^2.

次に、インクジェット法により第１の導電性材料を含む溶液の液滴を第１の高表面エネルギー領域４１上に供給し選択的に配置する。この第１の導電性材料を含む溶液は、Ａｇの微粒子を含有するナノメタルインクであり、実施例１で用いたものと同様のものである。 Next, a droplet of a solution containing the first conductive material is supplied onto the first high surface energy region 41 by an inkjet method and is selectively disposed. The solution containing the first conductive material is a nanometal ink containing Ag fine particles, which is the same as that used in Example 1.

次に、インクジェット法により第２の導電性材料を含む溶液の液滴を第２の高表面エネルギー領域４２、第１の低表面エネルギー領域５１及び第１の導電層７１上に供給し選択的に配置する。この第２の導電性材料を含む溶液は、Ｎｉの微粒子を含有するナノメタルインクであり、実施例１で用いたものと同様のものである。 Next, a droplet of a solution containing the second conductive material is supplied onto the second high surface energy region 42, the first low surface energy region 51, and the first conductive layer 71 selectively by an ink jet method. Deploy. The solution containing the second conductive material is a nanometal ink containing Ni fine particles, which is the same as that used in Example 1.

次に、第２の高表面エネルギー領域４２、第１の低表面エネルギー領域５１及び第１の導電層７１上に供給された第２の導電性材料を含む溶液を１００℃のオーブンで乾燥・固化させた後、３００℃のオーブンにより熱処理を加えて、平均膜厚約３００ｎｍの第２の導電層７２を形成する。 Next, the solution containing the second conductive material supplied onto the second high surface energy region 42, the first low surface energy region 51, and the first conductive layer 71 is dried and solidified in an oven at 100 ° C. Then, heat treatment is performed in an oven at 300 ° C. to form a second conductive layer 72 having an average film thickness of about 300 nm.

以上、本実施例では、１度の紫外線照射と２度のインクジェット法による印刷により、第１の導電層７１と第２の導電層７２が積層された構造の導電層７０が形成された積層構造体を容易に得ることができた。 As described above, in this embodiment, the stacked structure in which the conductive layer 70 having the structure in which the first conductive layer 71 and the second conductive layer 72 are stacked is formed by one-time ultraviolet irradiation and two-time printing by the inkjet method. The body could be easily obtained.

（実施例４）
実施例４として、図１２に示す積層構造体を作製し、マイグレーション試験を行なった。尚、図１２（ａ）は、この状態の上面図であり、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）における破線１２Ａ−１２Ｂにおいて切断した断面図である。 Example 4
As Example 4, the laminated structure shown in FIG. 12 was produced and a migration test was performed. 12A is a top view of this state, and FIG. 12B is a cross-sectional view taken along a broken line 12A-12B in FIG. 12A.

この積層構造体は、基板２０上に濡れ性変化層３０が形成されており、この濡れ性変化層３０上に長さＬが１０ｍｍの４０本の櫛形電極が交互に形成されているパターンからなるものである。このパターンは、第１の高表面エネルギー領域４１の幅ＷＨ１は５０μｍであり、第２の高表面エネルギー領域４２の幅ＷＨ２は５μｍであり、また、第１の低表面エネルギー領域５１の幅ＷＬ１は２．５μｍである。第１の高表面エネルギー領域４１上に第１の導電層７１が形成され、第２の高表面エネルギー領域４２、第１の低表面エネルギー領域５１及び第１の導電層７１上に第２の導電層７２が形成される。第１の導電層７１の平均膜厚、第２の導電層７２の平均膜厚については実施例３と同様である。 This laminated structure has a pattern in which wettability changing layers 30 are formed on a substrate 20 and 40 comb-shaped electrodes having a length L of 10 mm are alternately formed on the wettability changing layer 30. Is. In this pattern, the width WH1 of the first high surface energy region 41 is 50 μm, the width WH2 of the second high surface energy region 42 is 5 μm, and the width WL1 of the first low surface energy region 51 is 2.5 μm. A first conductive layer 71 is formed on the first high surface energy region 41, and a second conductive material is formed on the second high surface energy region 42, the first low surface energy region 51, and the first conductive layer 71. Layer 72 is formed. The average film thickness of the first conductive layer 71 and the average film thickness of the second conductive layer 72 are the same as in Example 3.

この条件において、マイグレーション試験を行うため、隣接する導電層７０間のスペースとなる領域が異なるものを作製した。具体的には、第２の低表面エネルギー領域５２の幅ＷＬ２を変化させ、１０μｍ、２０μｍ、５０μｍとなる３種類のパターンの櫛形導電を形成した積層構造体を各々作製した。 Under these conditions, in order to perform a migration test, a region having a different space between adjacent conductive layers 70 was manufactured. Specifically, each of the stacked structures in which the width WL2 of the second low surface energy region 52 was changed and the three types of patterns of comb-shaped conductivity of 10 μm, 20 μm, and 50 μm were formed.

（比較例１）
比較例１として、図１３に示す積層構造体を作製し、マイグレーション試験を行なった。尚、図１３（ａ）は、この状態の上面図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）における破線１３Ａ−１３Ｂにおいて切断した断面図である。 (Comparative Example 1)
As Comparative Example 1, a laminated structure shown in FIG. 13 was produced and a migration test was performed. 13A is a top view of this state, and FIG. 13B is a cross-sectional view taken along a broken line 13A-13B in FIG. 13A.

この積層構造体は、基板２２０上に濡れ性変化層２３０が形成されており、この濡れ性変化層２３０上に長さＬＲが１０ｍｍの４０本の櫛形電極が交互に形成されているパターンからなるものである。このパターンは、高表面エネルギー領域２４０の幅ＷＲＨが５０μｍであり、Ａｇナノ粒子を含む溶液を用いて、厚さ１００ｎｍの導電層２７０を形成したものである。 This laminated structure has a pattern in which wettability changing layers 230 are formed on a substrate 220 and 40 comb electrodes having a length LR of 10 mm are alternately formed on the wettability changing layers 230. Is. In this pattern, the width WRH of the high surface energy region 240 is 50 μm, and a conductive layer 270 having a thickness of 100 nm is formed using a solution containing Ag nanoparticles.

この条件において、マイグレーション試験を行うため、隣接する導電層２７０間のスペースとなる領域が異なるものを作製した。具体的には、低表面エネルギー領域２５０の幅ＷＲＬが、１０μｍ、２０μｍ、５０μｍとなる３種類のパターンの櫛形導電を形成した積層構造体を各々作製した。 Under these conditions, in order to perform a migration test, a region having a different space between adjacent conductive layers 270 was manufactured. Specifically, laminated structures each having three patterns of comb-shaped conductive layers each having a width WRL of 10 μm, 20 μm, and 50 μm were prepared.

作製した実施例４と比較例１の積層構造体について、２５℃、８５％ＲＨの環境下
において、櫛形電極間に２０Ｖの電圧を印加し、マイグレーション試験を行なった結
果を表１に示す。表１より、比較例１における積層構造体では、すべて１００時間に達する前に櫛形電極間における絶縁抵抗が１ＭΩ以下となり、マイグレーションが発生した。一方、実施例４における積層構造体では、すべての積層構造体において、１００時間を経過しても、櫛形電極間における絶縁抵抗が１ＭΩ以下となることはなかった。これにより、実施例４の積層構造体の耐マイグレーション性が確認された。

Table 1 shows the results of a migration test performed on the laminated structures of Example 4 and Comparative Example 1 by applying a voltage of 20 V between the comb electrodes in an environment of 25 ° C. and 85% RH. From Table 1, in the laminated structure in Comparative Example 1, the insulation resistance between the comb electrodes was 1 MΩ or less before reaching 100 hours, and migration occurred. On the other hand, in the laminated structure in Example 4, the insulation resistance between the comb electrodes did not become 1 MΩ or less even after 100 hours had passed in all the laminated structures. Thereby, the migration resistance of the laminated structure of Example 4 was confirmed.

尚、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。 In addition, although the form which concerns on implementation of this invention was demonstrated, the said content does not limit the content of invention.

本実施の形態に係る積層構造体の構成図Configuration diagram of laminated structure according to the present embodiment 本実施の形態に係る積層構造体の製造方法における工程図（１）Process drawing (1) in the manufacturing method of the laminated structure which concerns on this Embodiment 本実施の形態に係る積層構造体の製造方法における工程図（２）Process drawing (2) in the manufacturing method of the laminated structure which concerns on this Embodiment 本実施の形態に係る積層構造体の製造方法における工程図（３）Process drawing (3) in the manufacturing method of the laminated structure which concerns on this Embodiment 本実施の形態に係る積層構造体の製造方法における工程図（４）Process drawing (4) in the manufacturing method of the laminated structure which concerns on this Embodiment 本実施の形態に係る積層構造体の製造方法における工程図（５）Process drawing (5) in the manufacturing method of the laminated structure which concerns on this Embodiment 本実施の形態に係る積層構造体の製造方法における工程図（６）Process drawing in the manufacturing method of the laminated structure which concerns on this Embodiment (6) 本実施の形態に係る積層構造体の製造に用いられる液滴吐出装置の斜視図The perspective view of the droplet discharge apparatus used for manufacture of the laminated structure which concerns on this Embodiment 実施例１における積層構造体の構成図Configuration diagram of laminated structure in Example 1 実施例２における積層構造体の構成図Configuration diagram of laminated structure in Example 2 実施例３における積層構造体の構成図Configuration diagram of laminated structure in Example 3 実施例４における積層構造体の構成図Configuration diagram of laminated structure in Example 4 比較例１における積層構造体の構成図Configuration diagram of laminated structure in Comparative Example 1

２０基板
３０濡れ性変化層
４０高表面エネルギー領域
４１第１の高表面エネルギー領域
４２第２の高表面エネルギー領域
５０低表面エネルギー領域
５１第１の低表面エネルギー領域
５２第２の低表面エネルギー領域
７０導電層
８０フォトマスク
９０液滴吐出ノズル 20 Substrate 30 Wetting change layer 40 High surface energy region 41 First high surface energy region 42 Second high surface energy region 50 Low surface energy region 51 First low surface energy region 52 Second low surface energy region 70 Conductive layer 80 Photomask 90 Droplet discharge nozzle

Claims

基板と、
前記基板上において、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化し、低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態へと変化する材料を含むものであって、前記エネルギーの付与により、第１の高表面エネルギー領域及び第２の高表面エネルギー領域と、低表面エネルギー領域とが形成されている濡れ性変化層と、
前記第１の高表面エネルギー領域上に導電性材料により形成された第１の導電層と、
前記第２の高表面エネルギー領域上及び前記第１の導電層上に形成された第２の導電層と、
を有し、
前記第１の導電層を前記第２の導電層により覆われた積層構造の導電層が形成されているものであることを特徴とする積層構造体。 A substrate,
On the substrate, the material includes a material whose critical surface tension is changed by applying energy and changing from a low surface energy state to a high surface energy state, and the first high surface is formed by applying the energy. A wettability changing layer in which an energy region and a second high surface energy region and a low surface energy region are formed;
A first conductive layer formed of a conductive material on the first high surface energy region;
A second conductive layer formed on the second high surface energy region and on the first conductive layer;
Have
A laminated structure in which a conductive layer having a laminated structure in which the first conductive layer is covered with the second conductive layer is formed.

前記第２の高表面エネルギー領域は、前記第１の高表面エネルギー領域の外側に隣接して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の積層構造体。 The stacked structure according to claim 1, wherein the second high surface energy region is formed adjacent to the outside of the first high surface energy region.

前記第１の高表面エネルギー領域と前記第２の高表面エネルギー領域との間には、低表面エネルギー領域が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の積層構造体。 The laminated structure according to claim 1, wherein a low surface energy region is formed between the first high surface energy region and the second high surface energy region.

前記第１の高表面エネルギー領域よりも、前記第２の高表面エネルギー領域の前記基板面上の高さが、相対的に低いものであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の積層構造体。 4. The height of the second high surface energy region on the substrate surface is relatively lower than the first high surface energy region. 5. The laminated structure described.

前記エネルギーの付与は紫外線照射により行なわれるものであって、前記第１の高表面エネルギー領域を形成する際に照射される紫外線照射量よりも、前記第２の高表面エネルギー領域を形成する際に照射される紫外線照射量の方が多いことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の積層構造体。 The application of the energy is performed by ultraviolet irradiation, and when forming the second high surface energy region, the amount of ultraviolet irradiation irradiated when forming the first high surface energy region is larger. The laminated structure according to any one of claims 1 to 3, wherein the irradiation amount of ultraviolet rays is larger.

前記第１の導電層を形成する導電性材料は、ＡｇまたはＣｕであることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の積層構造体。 The laminated structure according to any one of claims 1 to 5, wherein the conductive material forming the first conductive layer is Ag or Cu.

前記第２の導電層を形成する導電性材料は、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｎｉ又はＡｌを含む合金、導電性ポリマー、カーボン、ＩＴＯであることを特徴とする請求項６に記載の積層構造体。 The conductive material forming the second conductive layer is an alloy containing Sn, Au, Pd, Pt, Fe, Ni, or Al, a conductive polymer, carbon, or ITO. Laminated structure.

前記第２の導電層を形成する導電性材料は、前記第１の導電層を形成する導電性材料よりも、イオン化傾向が高いものであることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の積層構造体。 6. The conductive material forming the second conductive layer has a higher ionization tendency than the conductive material forming the first conductive layer. The laminated structure described.

基板上にエネルギーの付与により表面エネルギーが変化する濡れ性変化材料を含む濡れ性変化層を形成する工程と、
前記濡れ性変化層に前記エネルギーを付与することにより、第１の高表面エネルギー領域を形成する工程と、
前記第１の高表面エネルギー領域上に第１の導電性材料を含む溶液を供給する工程と、
前記第１の導電性材料を含む溶液を乾燥させることにより、前記第１の高表面エネルギー領域上に第１の導電層を形成する工程と、
前記濡れ性変化層の前記第１の導電層に隣接している部分又は近傍における部分に前記エネルギーを付与することにより、第２の高表面エネルギー領域を形成する工程と、
前記第２の高表面エネルギー領域上及び前記第１の導電層上に第２の導電性材料を含む溶液を供給する工程と、
前記第２の導電性材料を含む溶液を乾燥させることにより、前記第２の高表面エネルギー領域上及び第１の導電層上に第２の導電層を形成する工程と、
を有することを特徴とする積層構造体の製造方法。 Forming a wettability changing layer including a wettability changing material whose surface energy is changed by applying energy on the substrate;
Forming the first high surface energy region by applying the energy to the wettability changing layer;
Supplying a solution containing a first conductive material on the first high surface energy region;
Forming a first conductive layer on the first high surface energy region by drying a solution containing the first conductive material;
Forming a second high surface energy region by applying the energy to a portion of the wettability changing layer adjacent to or in the vicinity of the first conductive layer;
Supplying a solution containing a second conductive material on the second high surface energy region and on the first conductive layer;
Forming a second conductive layer on the second high surface energy region and on the first conductive layer by drying a solution containing the second conductive material;
A method for producing a laminated structure, comprising:

基板上にエネルギーの付与により表面エネルギーが変化する濡れ性変化材料を含む濡れ性変化層を形成する工程と、
前記濡れ性変化層に前記エネルギーを付与することにより、第１の高表面エネルギー領域及び、前記第１の高表面エネルギー領域の近傍部分に第２の表面エネルギー領域を形成する工程と、
前記第１の高表面エネルギー領域上に第１の導電性材料を含む溶液を供給する工程と、
前記第１の導電性材料を含む溶液を乾燥させることにより、前記第１の高表面エネルギー領域上に第１の導電層を形成する工程と、
前記第２の高表面エネルギー領域上、前記第１の導電層上及び前記第２の高表面エネルギー領域と前記第１の導電層との間の低表面エネルギー領域上に第２の導電性材料を含む溶液を供給する工程と、
前記第２の導電性材料を含む溶液を乾燥させることにより、前記第２の高表面エネルギー領域上、第１の導電層上及び前記第２の高表面エネルギー領域と前記第１の導電層との間の低表面エネルギー領域上に第２の導電層を形成する工程と、
を有することを特徴とする積層構造体の製造方法。 Forming a wettability changing layer including a wettability changing material whose surface energy is changed by applying energy on the substrate;
Forming the first high surface energy region and a second surface energy region in the vicinity of the first high surface energy region by applying the energy to the wettability changing layer;
Supplying a solution containing a first conductive material on the first high surface energy region;
Forming a first conductive layer on the first high surface energy region by drying a solution containing the first conductive material;
A second conductive material on the second high surface energy region, on the first conductive layer and on a low surface energy region between the second high surface energy region and the first conductive layer; Supplying a solution containing;
By drying the solution containing the second conductive material, the second high surface energy region, the first conductive layer, the second high surface energy region, and the first conductive layer Forming a second conductive layer on the low surface energy region in between,
A method for producing a laminated structure, comprising:

前記エネルギーの付与は紫外線照射により行なわれるものであって、前記第１の高表面エネルギー領域を形成するための紫外線照射量よりも、前記第２の高表面エネルギー領域を形成するための紫外線照射量の方が高いものであることを特徴とする請求項９又は１０に記載の積層構造体の製造方法。 The application of energy is performed by ultraviolet irradiation, and the ultraviolet irradiation amount for forming the second high surface energy region is larger than the ultraviolet irradiation amount for forming the first high surface energy region. The method for producing a laminated structure according to claim 9 or 10, characterized in that is higher.

前記第１の導電性材料を含む溶液は、インクジェット法により供給されるものであることを特徴とする請求項９から１１のいずれかに記載の積層構造体の製造方法。 The method for manufacturing a laminated structure according to claim 9, wherein the solution containing the first conductive material is supplied by an inkjet method.