JP5247488B2 - フォトダイオードアレイ及び放射線検出器 - Google Patents
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Description
[第1実施形態]
図1及び図2を参照して、第1実施形態に係るフォトダイオードアレイ1aの構成について説明する。図1は、第1実施形態に係るフォトダイオードアレイ1aを示す平面図である。図2は、図1におけるII−II線に沿った断面構成を示す模式図である。
図5及び図6を参照して、第2実施形態に係るフォトダイオードアレイ91の構成について説明する。図5は、第2実施形態に係るフォトダイオードアレイ91を示す平面図である。図6は、図5におけるVI−VI線に沿った断面構成を示す模式図である。
図12を参照して、本実施形態に係る放射線検出器100の構成について説明する。図12は、本実施形態に係る放射線検出器100の断面構成を示す模式図である。
1a〜1e,91…フォトダイオードアレイ、3…n型(第1導電型)半導体基板、3a,3c…表面、3b,3d…裏面、5,5a〜5d…p型(第2導電型)半導体領域、11…pn接合、13…フォトダイオード、33…バンプ電極、35…領域(第1の領域)、36…領域(第2の領域)、37,37a〜37e…領域、38…領域、50,50a,50b,52,54,56…改質領域、56a…第1の部分、56b…第2の部分、73…シンチレータ、100,200,300…放射線検出器、F…集光点、La…レーザ光、L1…光。
Claims (11)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の一方面側に並んで配置されていると共に、それぞれが前記半導体基板との接合によりフォトダイオードを構成する複数の第2導電型の半導体領域と、を備え、
隣接する前記第2導電型の半導体領域間の領域には、該領域の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、前記隣接する第2導電型の半導体領域の配置方向に交差する方向に延びて改質領域が形成され、
隣接する少なくとも3つの前記第2導電型の半導体領域に囲まれる領域には、前記改質領域が形成されていないことを特徴とするフォトダイオードアレイ。 - 前記複数の第2導電型の半導体領域は、行列状に二次元配列されており、
前記改質領域は、行方向に隣接する前記第2導電型の半導体領域間の領域と、列方向に隣接する前記第2導電型の半導体領域間の領域と、にのみ形成されていることを特徴とする請求項1記載のフォトダイオードアレイ。 - 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の一方面側に並んで配置されていると共に、それぞれが前記半導体基板との接合によりフォトダイオードを構成する複数の第2導電型の半導体領域と、を備え、
隣接する前記第2導電型の半導体領域間の領域には、該領域の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、前記隣接する第2導電型の半導体領域の配置方向に交差する方向に延びて第1の改質領域が形成され、
隣接する少なくとも3つの前記第2導電型の半導体領域に囲まれる領域には、該領域の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、第2の改質領域が形成されており、
前記第1の改質領域と前記第2の改質領域とは離れて位置していることを特徴とするフォトダイオードアレイ。 - 前記複数の第2導電型の半導体領域は、行列状に二次元配列されており、
前記第1の改質領域は、行方向に隣接する前記第2導電型の半導体領域間の領域と、列方向に隣接する前記第2導電型の半導体領域間の領域と、に形成され、
前記第2の改質領域は、前記行方向及び前記列方向に交差する方向に隣接する前記第2導電型の半導体領域間の領域に形成されていることを特徴とする請求項3記載のフォトダイオードアレイ。 - 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の一方面側に並んで配置されていると共に、それぞれが前記半導体基板との接合によりフォトダイオードを構成する複数の第2導電型の半導体領域と、を備え、
前記第2導電型の半導体領域は、行列状に二次元配列されており、
前記複数の第2導電型の半導体領域のうち、隣接する4つの第2導電型の半導体領域を、行方向に隣接する第1及び第2の第2導電型の半導体領域と、列方向に前記第1の第2導電型の半導体領域と隣接する第3の第2導電型の半導体領域と、前記行方向及び前記列方向に交差する方向に前記第1の第2導電型の半導体領域と隣接する第4の第2導電型の半導体領域と規定したときに、
前記第1及び第2の第2導電型の半導体領域と前記第3及び第4の第2導電型の半導体領域との間の領域には、該領域の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、前記行方向に連続して延びる第1の改質領域が形成され、
前記第1及び第2の第2導電型の半導体領域間の領域と、前記第3及び第4の第2導電型の半導体領域間の領域とには、それぞれの該領域の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、前記列方向に延びる第2の改質領域が形成され、
前記第1の改質領域と前記第2の改質領域とは離れて位置していることを特徴とするフォトダイオードアレイ。 - 前記半導体基板は、前記複数の第2導電型の半導体領域が配置される第1の領域と、前記第1の領域を囲むと共にその外縁が前記半導体基板の外縁をなす第2の領域と、を有し、
前記第2の領域には、改質領域が形成されていないことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のフォトダイオードアレイ。 - 前記半導体基板は、前記複数の第2導電型の半導体領域が配置される第1の領域と、前記第1の領域を囲むと共にその外縁が前記半導体基板の外縁をなす第2の領域と、を有し、
前記第2の領域には、該領域の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって改質領域が形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のフォトダイオードアレイ。 - 前記第2の領域の前記改質領域は、前記半導体基板の前記外縁に沿う方向に延びて複数形成されており、
該複数の改質領域は、第1の領域を囲んでいることを特徴とする請求項7に記載のフォトダイオードアレイ。 - 前記第2の領域の前記改質領域は、前記半導体基板の前記外縁に沿う方向に延びると共に互いに離れて並ぶ複数の第1の部分と、隣接する前記第1の部分の間の領域において、前記半導体基板の前記外縁に交差する方向に延びると共に前記第1の部分と離れて並ぶ複数の第2の部分と、を有しており、
前記複数の第1及び第2の部分は、前記第1の領域を囲んでいることを特徴とする請求項7に記載のフォトダイオードアレイ。 - 隣接する少なくとも3つの前記第2導電型の半導体領域に囲まれる領域上にバンプが配置されていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載のフォトダイオードアレイ。
- 請求項1〜10のいずれか一項に記載のフォトダイオードアレイと、
前記半導体基板の前記一方面上又は前記一方面に対向する他方面上に配置されるシンチレータと、を備えていることを特徴とする放射線検出器。
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