JP2010135355A - ロードポート - Google Patents

Abstract

【課題】パージ作業中であってもウェーハをＦＯＵＰ内と半導体製造装置内との間で出し入れすることができるロードポートを提供する。
【解決手段】共通のクリーンルーム内において半導体製造装置に隣接して設けられるロードポート１として、ＦＯＵＰ内部の気体雰囲気を窒素ガスに置換するパージポート（注入用パージポート２３、排出用パージポート２４）を有するパージステージ２と、パージステージ２に並べて設けられ且つ半導体製造装置Ｂ内に通じる開口部３３及び開口部３３を開閉可能なドア部３４を有するオープナステージ３と、ＦＯＵＰをパージステージ２とオープナステージ３との間で移動させる移動機構４とを備えた構成とした。
【選択図】図２

Description

本発明は、クリーンルーム内において半導体製造装置に隣接して設けられるロードポートに関するものである。

半導体の製造工程においては、歩留まりや品質の向上のため、クリーンルーム内でのウェーハの処理がなされている。しかしながら、素子の高集積化や回路の微細化、ウェーハの大型化が進んでいる今日では、小さな塵をクリーンルーム内の全体で管理することは、コスト的にも技術的にも困難となってきている。このため、近年では、クリーンルーム内全体の清浄度向上に代わる方法として、ウェーハの周囲の局所的な空間についてのみ清浄度をより向上させる「ミニエンバイロメント方式」を取り入れ、ウェーハの搬送その他の処理を行う手段が採用されている。ミニエンバイロメント方式では、ウェーハを高清浄な環境で搬送・保管するためのＦＯＵＰ（Front-Opening Unified Pod）と呼ばれる格納用容器と、ＦＯＵＰ内のウェーハを半導体製造装置との間で出し入れするとともに搬送装置との間でＦＯＵＰの受け渡しを行うインターフェース部の装置であるロードポート（Load Port）が重要な装置として利用されている。すなわち、クリーンルーム内において特にＦＯＵＰ内と半導体製造装置内とを高清浄度に維持しながら、ロードポートを配置した空間、換言すればＦＯＵＰ外と半導体製造装置外を低清浄度とすることで、クリーンルーム建設・稼働コストを抑制するようにされている。

そして、ロードポートに設けたドア部をＦＯＵＰの背面に設けた扉に密着させた状態でこれらドア部及び扉が同時に開けられ、ＦＯＵＰ内のウェーハが半導体製造装置内に供給される。その後、種々の処理または加工が施されたウェーハは、半導体製造装置内からＦＯＵＰ内に再度収容される。

ところで、半導体製造装置内はウェーハの処理または加工に適した所定の気体雰囲気に維持されているが、ＦＯＵＰ内から半導体製造装置内にウェーハを送り出す際にはＦＯＵＰの内部空間と半導体製造装置の内部空間とが相互に連通することになる。したがって、ＦＯＵＰ内の環境が半導体製造装置内よりも低清浄度であると、ＦＯＵＰ内の気体が半導体製造装置内に進入して半導体製造装置内の気体雰囲気に悪影響を与え得る。また、ウェーハを半導体製造装置内からＦＯＵＰ内に収納する際に、ＦＯＵＰ内の気体雰囲気中の水分、酸素或いはその他のガス等によって、ウェーハの表面に酸化膜が形成され得るという問題もある。

そこで、特許文献１には、ＦＯＵＰの内部空間と半導体製造装置の内部空間とを連通させる前に、ＦＯＵＰ内を半導体製造装置内と同一又はほぼ同一の気体雰囲気にすべく、ウェーハが収納されているＦＯＵＰをロードポートの載置板に載置されたことを検出した際に、所定の気体（例えば窒素や不活性ガス等）をＦＯＵＰ内に注入して充満させてＦＯＵＰ内を所定の気体雰囲気に置換するようにしたロードポートが開示されている。

また、ロードポートとは別に窒素や乾燥空気等の所定の気体をＦＯＵＰ内に注入して、ＦＯＵＰ内を所定の気体に置換するパージ専用装置を設け、このパージ専用装置でＦＯＵＰ内を所定の気体雰囲気に置換した後にロードポートに搬送して以降の処理を行うようにした態様も知られている。
特開２００６−３５１６１９号公報

しかしながら、ＦＯＵＰがロードポートの載置板に載置されたことを検出した際に、窒素や乾燥空気等の気体をＦＯＵＰ内に注入してＦＯＵＰ内を所定の気体雰囲気に置換するようにしたロードポートであれば、置換作業（パージ作業）中は、載置部がパージ作業中のＦＯＵＰに占有されるため、ロードポート本来の機能、つまり、ウェーハをＦＯＵＰ内と半導体製造装置内との間で出し入れするという機能を発揮することができず、作業効率が低下するという問題があった。

一方、後者の態様では、ロードポートとは別に専用のパージ装置が必要であることに加えて、ロードポートとパージ専用装置との相対離間距離が大きければ大きいほどＦＯＵＰをパージ専用装置からロードポートの載置板まで移動させる距離が増大し、やはり作業効率が低下するという問題が生じる。

本発明は、このような課題に着目してなされたものであって、主たる目的は、パージ作業中であってもウェーハをＦＯＵＰ内と半導体製造装置内との間で出し入れすることができるとともに、パージ作業を行う位置と、ウェーハをＦＯＵＰ内と半導体製造装置内との間で出し入れする位置とを可及的に近付けてＦＯＵＰの移動距離を小さくし、作業効率を向上させることができるロードポートを提供することにある。

すなわち、本発明のロードポートは、半導体の製造工程において用いられるものであって、クリーンルーム内において半導体製造装置に隣接して設けられ、搬送されてきたＦＯＵＰを受け取りＦＯＵＰ内に格納されているウエーハを半導体製造装置内とＦＯＵＰ内との間で出し入れするものであって、ＦＯＵＰ内の気体雰囲気を窒素又は乾燥空気に置換可能なパージポートを有するパージステージと、パージステージに並べて設けられ且つ半導体製造装置内に通じる開口部及び開口部を開閉可能なドア部を有するオープナステージと、ＦＯＵＰをパージステージとオープナステージとの間で移動させる移動機構とを備えたものであることを特徴とする。

このようなものであれば、パージステージにおいてパージポートからＦＯＵＰ内に窒素又は乾燥空気を吹き込んでＦＯＵＰ内の気体雰囲気を窒素又は乾燥空気に置換する作業、つまりパージ作業と、オープナステージにおいてウェーハをＦＯＵＰ内と半導体製造装置内との間で出し入れする作業とを同時に行うことが可能であるため、置換作業（パージ作業）中であっても、ロードポートがパージ作業中のＦＯＵＰに占有されるという事態を回避することができ、置換作業（パージ作業）中であってもウェーハをＦＯＵＰ内と半導体製造装置内との間で出し入れすることができ、作業効率が向上する。しかも、パージステージとオープナステージとを並べて設け、移動機構によりＦＯＵＰをこれらパージステージとオープナステージとの間で移動可能に構成しているため、パージ作業を行う位置と、ウェーハをＦＯＵＰ内と半導体製造装置内との間で出し入れする位置とを可及的に近付けることができ、ＦＯＵＰの移動距離を小さくして、作業効率のさらなる向上を図ることができる。ここで、本発明における「半導体製造装置」は、ロードポートに直接隣接する位置に配設される移送室を備えたもの、又は移送室を備えないもの、これら何れをも含むものである。なお、移送室内には、ＦＯＵＰ内のウェーハを１枚ずつ、又はＦＯＵＰ内に着脱可能にセットされウェーハを複数枚格納する多段式カセットをＦＯＵＰ内と半導体製造装置本体内との間で移送する移送機を設けている。

また、オープナステージにおける開閉部を開放してＦＯＵＰ内と半導体製造装置内とを連通させた場合に、ＦＯＵＰ内の気体雰囲気が、パージ作業直後と比較して清浄度が低下し、ＦＯＵＰ内の気体雰囲気中の水分、酸素或いはその他のガス等によって、ウェーハの表面に酸化膜が形成され得るという問題を解消するためには、オープナステージに、ドア部を作動させて開閉部を開放した際に、ＦＯＵＰ内に窒素又は乾燥空気を吹き込み得るサブパージ部を設ければよい。

本発明のロードポートによれば、パージ作業中であってもウェーハをＦＯＵＰ内と半導体製造装置内との間で出し入れすることができるとともに、パージ作業を行う位置と、ウェーハをＦＯＵＰ内と半導体製造装置内との間で出し入れする位置との間でＦＯＵＰを移動機構により好適に移動させることができ、作業効率が向上する。

以下、本発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。

本実施形態に係るロードポート１は、図１に示すように、半導体の製造工程において用いられ、共通のクリーンルームＡ内において半導体製造装置Ｂに隣接して配置されるものであり、ＦＯＵＰ９側のドアを密着させて開閉し、半導体製造装置Ｂとの間でＦＯＵＰ９内に収容されたウェーハ（図示省略）の出し入れを行うものである。なお、図１はロードポート１とその周辺を上から見た平面図として、クリーンルームＡにおけるロードポート１と半導体製造装置Ｂとの相対位置関係を模式的に示している。

ロードポート１は、図１〜図５（図２及び図３はロードポート１を相互に異なる角度から見た全体概略図であり、図４はロードポート１の正面図であり、図５は図４における矢印Ｘ方向から見たロードポート１の側面図である）に示すように、ＦＯＵＰ９内に窒素や不活性ガス又は乾燥空気等の気体（本実施形態では窒素ガスを用いる）を注入し、ＦＯＵＰ９内の気体雰囲気を窒素ガスに置換するパージステージ２と、ＦＯＵＰ９内に収容されたウェーハを半導体製造装置Ｂ内に払い出すとともに、半導体製造装置Ｂで処理されたウェーハをＦＯＵＰ９内に収容するオープナステージ３とを一体的に備え、さらに、ＦＯＵＰ９をパージステージ２とオープナステージ３との間で移動させる移動機構４を備えたものである。

本実施形態で適用するＦＯＵＰ９は、既知のものであるため、詳細な説明は省略する。半導体製造装置Ｂは、図１に示すように、半導体製造装置本体Ｂ１と、半導体製造装置本体Ｂ１に隣接して配置される移送室Ｂ２とを備えたものであり、移送室Ｂ２内に、例えばＦＯＵＰ９内のウェーハを１枚ずつＦＯＵＰ９内と移送室Ｂ２内との間、及び移送室Ｂ２内と半導体製造装置本体Ｂ１内との間で移送する移送機（図示省略）を設けている。なお、ＦＯＵＰ９と半導体製造装置Ｂ（半導体製造装置本体Ｂ１及び移送室Ｂ２）との間でウェーハを複数枚格納したカセットごと移送することも可能である。このような構成により、クリーンルームＡにおいて、半導体製造装置本体Ｂ１内、移送室Ｂ２内、及びＦＯＵＰ９内は高清浄度に維持される一方、ロードポート１を配置した空間、換言すれば半導体製造装置本体Ｂ１外、移送室Ｂ２外、及びＦＯＵＰ９外は比較的低清浄度となる。以下、本実施形態のロードポート１の構成について主として説明する。

パージステージ２は、ほぼ矩形板状をなし略鉛直姿勢で配置されるパージステージ側フレーム２１と、このパージステージ側フレーム２１の高さ方向中央部からやや上方寄りの位置に略水平姿勢で設けたパージステージ側載置板２２と、パージステージ側載置板２２に設けたパージポート（注入用パージポート２３、排出用パージポート２４）を主として備えたものである。パージステージ側フレーム２１は、後述するオープナステージ側フレーム３１とともに共通のベースフレーム５の前面に配されるものである。本実施形態のロードポート１は、ベースフレーム５の背面を半導体製造装置Ｂ（具体的には移送室Ｂ２）の前面に密着させた状態で使用可能なものである（図１参照）。

パージステージ側載置板２２は、後述する移動機構４のうち昇降移動及び水平移動可能なメインテーブル４１との干渉を避けるパージステージ側切欠部２２ａを形成したものである。また、このパージステージ側載置板２２には、上向きに突出させた３つの突起２２ｂを形成しており、これらの突起２２ｂをＦＯＵＰ９の底面に形成された穴（図示省略）に係合させることで、パージステージ側載置板２２上におけるＦＯＵＰ９の位置決めを図っている。

パージポート（注入用パージポート２３、排出用パージポート２４）は、パージステージ側載置板２２の幅方向に沿って離間した位置に対にして設けられ、一方が窒素ガスを注入する注入用パージポート２３として機能するものであり、他方がＦＯＵＰ９内の気体雰囲気を排出する排出用パージポート２４として機能するものである。注入用パージポート２３及び排出用パージポート２４は、気体の逆流を規制する弁機能を有するものであり、ＦＯＵＰ９の底部に設けた注入口及び排出口（ともに図示省略）に嵌合した状態で連結可能なものである。なお、各パージポート（注入用パージポート２３、排出用パージポート２４）と注入口及び取出口との嵌合部分は、注入用パージポート２３及び排出用パージポート２４の先端部に設けたパッキン等によって密閉状態になる。

また、パージステージ側載置板２２に、加圧センサを設け、ＦＯＵＰ９のうち底部が加圧センサの被押圧部を押圧したことを検出した際に、図示しない制御部からの信号によって、注入用パージポート２３から窒素ガスが噴出し、注入口を通じてＦＯＵＰ９内に窒素ガスを注入する。この際、ＦＯＵＰ９内に充満していた空気などの気体は、ＦＯＵＰ９の排出口から排出用パージポート２４を通じてＦＯＵＰ９の外へ排出される。

オープナステージ３は、ほぼ矩形板状をなし略鉛直姿勢で配置されるオープナステージ側フレーム３１と、このオープナステージ側フレーム３１の高さ方向中央部からやや上方寄りの位置に略水平姿勢で設けたオープナステージ側載置板３２と、オープナステージ側フレーム３１のうちオープナステージ側載置板３２とほぼ同じ高さ位置に開口下縁を設定し半導体製造装置Ｂ内（具体的には移送室Ｂ２内）に連通し得る開口部３３と、この開口部３３を開閉するドア部３４とを備えたものである。ここでオープナステージ側フレーム３１及びパージステージ側フレーム２１は共通のベースフレーム５の前面に並べて設けられ、これらオープナステージ側フレーム３１及びパージステージ側フレーム２１は平面視同一直線状に配される（図１参照）。

オープナステージ側載置板３２は、後述する移動機構４のうち昇降移動及び水平移動可能なメインテーブル４１との干渉を避けるオープナステージ側切欠部３２ａを形成したものである。また、このオープナステージ側載置板３２には、上向きに突出させた３つの突起３２ｂを形成している。これら３つの突起３２ｂは、パージステージ側載置板２２に設けた３つの突起２２ｂと対応する箇所に設けたものであり、これら３つの突起３２ｂをＦＯＵＰ９の底面に形成された穴（図示省略）に係合させることで、オープナステージ側載置板３２上におけるＦＯＵＰ９の位置決めを図っている。本実施形態では、オープナステージ側載置板３２の高さ位置をパージステージ側載置板２２と同一又はほぼ同一高さ位置に設定している。

ドア部３４は、ＦＯＵＰ９をオープナステージ側載置板３２に載置した状態においてＦＯＵＰ９の背面に設けた扉（図示省略）に密着した状態でその扉を開ける開状態と、隣接する半導体製造装置Ｂ（具体的には移送室Ｂ２）の内部空間とＦＯＵＰ９の内部空間とを遮断する閉状態との間で作動可能なものであり、具体的な開閉構造は既知のものに準じたものである。

また、オープナステージ３には、図６に示すように、開口部３３近傍に、ドア部３４を開放した際、つまりドア部３４が開状態となった際に、ＦＯＵＰ９内に窒素や不活性ガス又は乾燥空気等の気体（本実施形態では窒素ガスを用いる）を吹き込むサブパージ部（トップサブパージ部３５、サイドサブパージ部３６）を設けている。本実施形態では、開口部３３のうち開口上縁部近傍にトップサブパージ部３５を設け、開口部３３のうち両側縁部近傍にサイドサブパージ部３６を設けている。これらトップサブパージ部３５及びサイドサブパージ部３６は、ドア部３４よりも奥方（半導体製造装置Ｂ側）に設けられている。なお、トップサブパージ部３５及びサイドサブパージ部３６は、通常の使用状態において外観から視認できないようにオープナステージ側フレーム３１内に組み込まれている。また、図６は図３の一部を拡大してサブパージ部（トップサブパージ部３５、サイドサブパージ部３６）の構造及びサブパージ部と開口部３３との相対位置関係を模式的に示す図であり、説明の便宜上、ドア部３４等は省略している。

トップサブパージ部３５は、ガス管３５１から分岐させた複数のトップノズル３５２によって構成したものである。本実施形態では、計４つのトップノズル３５２をそれぞれ先端を下方且つ前方（ＦＯＵＰ９側）に向けた姿勢で開口部３３の上辺に沿って等ピッチで配している。

サイドサブパージ部３６は、ガス管３６１から分岐させた複数のサイドノズル３６２によって構成したものである。本実施形態では、開口部３３の両サイドにそれぞれ計４つのサイドノズル３６２をそれぞれ先端を側方且つ前方（ＦＯＵＰ９側）に向けた姿勢で開口部３３の側辺に沿って等ピッチで配している。

また、本実施形態に係るロードポート１は、オープナステージ３に、ＦＯＵＰ９内に格納されたウェーハの枚数や位置をマッピングするマッピング装置（図示省略）を設けている。

このように本実施形態に係るロードポート１は、パージステージ２及びオープナステージ３を、半導体製造装置Ｂ（具体的には移送室Ｂ２）の前面にその面方向に沿って且つ水平方向に並んだ状態で配置可能に構成し、次に説明する移動機構４によりＦＯＵＰ９をパージステージ２とオープナステージ３との間で移動させるようにしている。

移動機構４は、ＦＯＵＰ９を上面に載せ置くことが可能なメインテーブル４１と、メインテーブル４１を昇降移動させる昇降移動部４２と、メインテーブル４１をパージステージ２とオープナステージ３との間で水平移動させる水平移動部４３とを備えたものである。

メインテーブル４１は、例えば平面視略三角形状をなす板状の部材であり、上向きに突出させた３つの突起４１ａを形成しており、これらの突起４１ａをＦＯＵＰ９の底面に形成された前述とは異なる穴（図示省略）に係合させることで、メインテーブル４１上におけるＦＯＵＰ９の位置決めを図っている。すなわちＦＯＵＰ９の底面には、６つの位置決め用の穴が形成されており、そのうちの３つをメインテーブル４１の突起４１ａと、残りの３つをパージステージ側載置板２２の突起２２ｂ又はオープナステージ側載置板３２の突起３２ｂと、それぞれ係合させ得るようにしている。

昇降移動部４２は、メインテーブル４１を、パージステージ側載置板２２及びオープナステージ側載置板３２よりも低位置に設定される降下位置と、パージステージ側載置板２２及びオープナステージ側載置板３２よりも高位置に設定される上昇位置との間で昇降動作させるものである。昇降移動部４２は、複数の液圧式又はガス圧式のシリンダ４２１を用いて構成される（図４参照）。シリンダ４２１はカバー体４２２によって被覆されている。

水平移動部４３は、メインテーブル４１を、パージステージ側載置板２２に形成したパージステージ側切欠部２２ａに少なくとも平面視において嵌合し得るパージステージ側位置（図１に実線で示す位置）と、オープナステージ側載置板３２に形成したオープナステージ側切欠部３２ａに少なくとも平面視において嵌合し得るオープナステージ側位置（図１に破線で示す位置）との間で水平移動させるものである。水平移動部４３は、パージステージ側フレーム２１及びオープナステージ側フレーム３１に亘る領域に水平姿勢に設けられたレール支持板４３１と、レール支持板４３１上に設けられ、且つ長手方向をロードポート１の幅方向に一致させたレール４３２（図示例では２本のレール４３２）と、レール４３２に沿って移動可能な台車４３３とを備えたものである。本実施形態では、台車４３３上に昇降移動部４２及びメインテーブル４１を配設している。

なお、ロードポート１の通常使用時は、移動機構４のうち昇降移動部４２及び水平移動部４３をカバー（図示省略）で覆っている。また、この移動機構４が、メインテーブル４１に載置しているＦＯＵＰ９をドア部３４に接離するようにメインテーブル４１を移動させる機能や、搬送装置から任意の方向で載置されたＦＯＵＰ９の向きを正しい方向に変更する（移動させる）機能を有するものであってもよい。

次に、このような構成をなすロードポート１の使用方法及び作用について説明する。

先ず、図示しない搬送装置によりＦＯＵＰ９がロードポート１に搬送される。搬送されたＦＯＵＰ９は、パージステージ側位置であって且つ上昇位置に位置付けられたメインテーブル４１に載置され、このメインテーブル４１が昇降移動部４２により上方位置から降下位置へ移動する動作に伴って、ＦＯＵＰ９がパージステージ側載置板２２に載置される。この際、パージステージ側載置板２２上に設けた突起２２ｂがＦＯＵＰ９の底部に形成した穴に係合する。ＦＯＵＰ９がパージステージ側載置板２２に載置されると同時またはほぼ同時に、パージステージ側載置板２２に設けた注入用パージポート２３及び排出用パージポート２４が、ＦＯＵＰ９の底部に形成した注入口及び排出口にそれぞれ連結し、注入用パージポート２３から窒素ガスをＦＯＵＰ９内に注入し、ＦＯＵＰ９内に充満していた気体を、排出用パージポート２４からＦＯＵＰ９外へ排出する。

次いで、内部空間を窒素ガスで充填したＦＯＵＰ９を、移動機構４によりパージステージ２からオープナステージ３へ移動させる。具体的には、降下位置に位置付けられているメインテーブル４１を昇降移動部４２により上昇位置へ移動させる。この上昇移動の途中でＦＯＵＰ９はパージステージ側載置板２２からメインテーブル４１上に移載される。この際、メインテーブル４１上に設けた突起４１ａがＦＯＵＰ９の底部に形成した穴に係合する。引き続き、メインテーブル４１を水平移動部４３によりパージステージ側位置からオープナステージ側位置へ移動する。メインテーブル４１を昇降移動部４２により上方位置から降下位置へ移動させて、ＦＯＵＰ９をオープナステージ側載置板３２に載置する。この際、オープナステージ側載置板３２上に設けた突起３２ｂがＦＯＵＰ９の底部に形成した穴に係合する。

そして、オープナステージ側載置板３２にＦＯＵＰ９を載置した直後に、ＦＯＵＰ９内のウェーハをオープナステージ３から半導体製造装置Ｂ内に順次払い出す。具体的には、オープナステージ３のドア部３４がＦＯＵＰ９の扉（図示省略）に密着した状態で閉状態から開状態となり、開口部３３を開放した状態で移送室Ｂ２内に設けた移送機によりＦＯＵＰ９内のウェーハを半導体製造装置Ｂ内に順次移送する。移送室Ｂ２内に移送されたウェーハは引き続いて半導体製造装置本体Ｂ１内に移送されて半導体製造装置本体Ｂ１による半導体製造処理工程に供される。半導体製造装置本体Ｂ１により半導体製造処理工程を終えたウェーハは移送機により移送室Ｂ１内を経由してＦＯＵＰ９内に順次格納される。本実施形態に係るロードポート１は、オープナステージ３の開口部３３が開放した際、換言すればドア部３４が開状態となった際、さらに言えばウェーハをＦＯＵＰ９内と半導体製造装置Ｂ内との間で出し入れする際に、トップサブパージ部３５及びサイドサブパージ部３６からそれぞれ窒素ガスをＦＯＵＰ９内に向かって吹き付ける。これにより、ウェーハをＦＯＵＰ９内と半導体製造装置Ｂ内との間で出し入れする際に、ＦＯＵＰ９内の気体雰囲気を低いレベルではあるものの窒素ガスに置換したり、余計な水分を除去することが可能である。

全てのウェーハが半導体製造処理工程を終えてＦＯＵＰ９内に収納されると、オープナステージ３のドア部３４がＦＯＵＰ９の扉に密着した状態で開状態から閉状態となり、開口部３３は閉止される。引き続き、オープナステージ側載置板３２に載置されたＦＯＵＰ９は図示しない搬送機構により次工程へと運び出される。なお、必要であれば、半導体製造処理工程を終えたウェーハを収納したＦＯＵＰ９を、移動機構４によりオープナステージ３からパージステージ２に移動し、パージステージ２において再度パージ処理工程を経るようにしてもよい。このようにすれば、半導体製造処理工程を終えたウェーハを収納したＦＯＵＰ９に対して直ぐにパージ処理を開始することができ、処理済みのウェーハの酸化防止を図ることができる。

また、オープナステージ３においてウェーハをＦＯＵＰ９内と半導体製造装置Ｂ内との間で出し入れする処理を行うと同時またはほぼ同時に、パージステージ２に搬送されてきた次ロットのＦＯＵＰ９に対してパージ処理を行うことにより、ロードポート１上におけるウェーハの出し入れ処理工程とパージ処理工程とを効率良く行うことができ、一つのＦＯＵＰ９に対する処理時間の短縮化を図ることが可能である。

このように、本実施形態に係るロードポート１は、注入用パージポート２３及び排出用パージポート２４を有するパージステージ２と、半導体製造装置Ｂ内に通じる開口部３３を開閉可能なドア部３４を有するオープナステージ３とを幅方向に並べて設けているため、パージステージ２において注入用パージポート２３及び排出用パージポート２４を通じてＦＯＵＰ９内の気体雰囲気を窒素又は乾燥空気等の気体に置換するパージ作業を行いながら、オープナステージ３ではウェーハをＦＯＵＰ９内と半導体製造装置Ｂ内との間で出し入れすることができ、パージ作業中であってもウェーハをＦＯＵＰ９内と半導体製造装置Ｂ内との間で出し入れするというＦＯＵＰ９本来の機能を発揮することができ、作業効率が大幅に向上する。また、ウェーハをＦＯＵＰ９内と半導体製造装置Ｂ内との間で出し入れした後に、パージ作業を行う場合であっても、ＦＯＵＰ９をオープナステージ３に留めておく必要がなく、次ロットのＦＯＵＰ９に対して大きなタイムロスが発生することなく引き続いてウェーハの出し入れ処理を行うことができる。

しかも、本実施形態に係るロードポート１は、ＦＯＵＰ９をパージステージ２とオープナステージ３との間で移動させる移動機構４をさらに備えたものであるため、パージ作業を行う位置と、ウェーハをＦＯＵＰ９内と半導体製造装置Ｂ内との間で出し入れする位置との離間距離を可及的に近付けることができ、ＦＯＵＰ９の移動距離を短くしてＦＯＵＰ９の移動時間の短縮化を図ることができ、さらなる作業効率の向上を図ることができる。

特に、オープナステージ３は、開口部３３を開放した際に、ＦＯＵＰ９内に窒素ガスを吹き込み得るサブパージ部（トップサブパージ部３５、サイドサブパージ部３６）を備えたものであるため、上述したように、ウェーハをＦＯＵＰ９内と半導体製造装置Ｂ内との間で出し入れする際に、トップサブパージ部３５及びサイドサブパージ部３６からそれぞれ窒素ガスをＦＯＵＰ９内に向かって吹き付けることにより、ＦＯＵＰ９内の気体雰囲気を窒素ガスに置換したり、余計な水分を除去することが可能であり、ウェーハの酸化防止を図ることができるとともに、湿気による悪影響を回避することができる。また、共通のＦＯＵＰ９内に収容される複数のウェーハのうち、最初に半導体製造処理工程を終えてＦＯＵＰ９内に収容されたウェーハは、最後に半導体製造処理工程を経るウェーハがＦＯＵＰ９内に収容されるまで、通常であればＦＯＵＰ９内においてウェーハの出し入れ作業時間の経過とともに窒素ガスの充填度（置換度）が低下する気体雰囲気に晒されることにより僅かながらも悪影響を受け得るが、トップサブパージ部３５及びサイドサブパージ部３６からそれぞれ窒素ガスをＦＯＵＰ９内に向かって吹き付けることにより、ＦＯＵＰ９内における窒素ガス充填度（置換度）の低下を効果的に抑制することができ、ウェーハを良好な状態でＦＯＵＰ９内に収納しておくことができる。

なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、パージステージとオープナステージとの相対位置関係は逆であってよい。また、図７に示すように、本実施形態に係るロードポート１を２台並べ、各ロードポート１におけるオープナステージ３が相互に隣接するように、各ロードポート１におけるパージステージ２とオープナステージ３との相対位置関係を設定すれば、各オープナステージ３上に載置されたＦＯＵＰ９内のウェーハを共通の半導体製造装置Ｂ内に効率良く出し入れすることができる。この場合、各ロードポート１のパージステージ２は半導体製造装置Ｂに直に接していなくても構わない。

また、パージステージにおけるパージポート（注入用パージポート、排出用パージポート）の数や配置箇所を適宜変更してもよい。オープナステージにおけるサブパージ部を、トップサブパージ部又はサイドサブパージ部の何れか一方のみによって構成してもよく、或いは、開口部の下縁近傍に設けたボトムサブパージ部によって構成してもよい。サブパージ部における吹出口（上述した実施形態におけるノズルに相当するもの）の数や形状も適宜変更しても構わない。

また、移動機構は、少なくともＦＯＵＰをパージステージとオープナステージとの間で移動させるものであればよく、ＦＯＵＰを水平移動させる機能のみを有するものであっても構わない。また、移動機構がメインテーブルを備えたものである場合、メインテーブルの平面視形状等は適宜変更してもよく、パージステージ側載置板及びオープナステージ側載置板にそれぞれメインテーブルとの干渉を回避する所定形状の切欠部を形成すればよい。移動機構が、メインテーブルを備えず、ＦＯＵＰを吊った状態でパージステージとオープナステージとの間で移動させるもの、またはＦＯＵＰを所定のベルト上を滑らせてパージステージとオープナステージとの間で移動させるものであっても構わない。

さらにまた、上述した実施形態における移送室内に設けた移送機が、ＦＯＵＰ内に着脱可能にセットされウェーハを複数枚格納する多段式カセットをＦＯＵＰ内と半導体製造装置本体内との間で移送するものであってもよい。また、ロードポートを、移送室を有さない半導体製造装置に隣接して設けても構わない。

その他、各部の具体的構成についても上記実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形が可能である。

本発明の一実施形態に係るロードポートの平面図であって、クリーンルームにおけるロードポートと半導体製造装置との相対位置関係を模式的に示す図。 同実施形態に係るロードポートの全体概略図。 同実施形態に係るロードポートを図２とは異なる角度から見た全体概略図。 同実施形態に係るロードポートの正面図。 図４におけるＸ方向矢視図。 同実施形態に係るロードポートにおけるサブパージ部を模式的に示す図。 同実施形態に係るロードポートを２台並べて配置した態様を図１に対応させて示す図。

符号の説明

１…ロードポート
２…パージステージ
２３、２４…パージポート（注入用パージポート、排出用パージポート）
３…オープナステージ
３３…開口部
３４…ドア部
３５、３６…サブパージ部（トップサブパージ部、サイドサブパージ部）
４…移動機構
９…ＦＯＵＰ
Ａ…クリーンルーム
Ｂ…半導体製造装置

Claims (2)

1. クリーンルーム内において半導体製造装置に隣接して設けられ、搬送されてきたＦＯＵＰを受け取り当該ＦＯＵＰ内に格納されているウェーハを前記半導体製造装置内と当該ＦＯＵＰ内との間で出し入れするロードポートであって、
   前記ＦＯＵＰ内の気体雰囲気を窒素又は乾燥空気に置換可能なパージポートを有するパージステージと、
   当該パージステージに並べて設けられ、且つ前記半導体製造装置内に通じる開口部及び当該開口部を開閉可能なドア部を有するオープナステージと、
   前記ＦＯＵＰを前記パージステージと前記オープナステージとの間で移動させる移動機構とを具備してなることを特徴とするロードポート。
2. 前記オープナステージに、前記ドア部を作動させて前記開口部を開放した際に、前記ＦＯＵＰ内に窒素又は乾燥空気を吹き込み得るサブパージ部を設けている請求項１に記載のロードポート。

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