JP2010134317A - 液晶装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】画素電極の下層側に位置する中継電極を利用して、表示光量の増大を図ることのできる液晶装置、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】反射型の液晶装置100において、隣接する反射性の画素電極9aは、ドレイン電極6bを介して電界効果型トランジスタ30に電気的に接続され、隣接する画素電極9aの間には隙間9s、9tが存在する。ドレイン電極6bは、反射性中継電極として形成され、画素電極9aの端部から隙間9s、9tに張り出している。このため、隣接する画素電極9aの隙間9s、9tに向かう光は、ドレイン電極6bで反射して再び、第2基板20の側から出射される間に液晶層50によって光変調され、表示に寄与する。
【選択図】図3
【解決手段】反射型の液晶装置100において、隣接する反射性の画素電極9aは、ドレイン電極6bを介して電界効果型トランジスタ30に電気的に接続され、隣接する画素電極9aの間には隙間9s、9tが存在する。ドレイン電極6bは、反射性中継電極として形成され、画素電極9aの端部から隙間9s、9tに張り出している。このため、隣接する画素電極9aの隙間9s、9tに向かう光は、ドレイン電極6bで反射して再び、第2基板20の側から出射される間に液晶層50によって光変調され、表示に寄与する。
【選択図】図3
Description
本発明は、反射型の液晶装置および当該液晶装置を備えた電子機器に関するものである。
液晶装置は、投射型表示装置のライトバルブや携帯電話等の表示装置として広く採用されている。かかる液晶装置のうち、反射型の液晶装置は、画素電極をアルミニウム合金などといった反射性金属からなる反射性の画素電極とすることにより実現される。
このような反射型の液晶装置では、画素電極で反射した光により画像を表するため、隣接する画素電極により挟まれた隙間は表示に寄与せず、その分、表示光量が減少することになる。従って、隣接する画素電極間の隙間を狭くすればよいが、かかる狭い隙間を実現するには、高価な設備で画素電極をパターニング形成する必要があるため、設備コストが増大する。また、かかる高価な設備を用いても、画素電極同士が短絡する可能性が残る。
そこで、画素電極の上層側に、透光性の絶縁膜、および画素電極と同一形状の金属反射膜を形成するとともに、金属反射膜を画素電極からずれた位置に形成した構造が提案されている。かかる構造によれば、金属反射膜も画素電極として機能するため、画素電極の隙間に入射しようとする光を表示に寄与させることができる(特許文献1参照)。
特開2006−350149号公報(段落0023および図2など)
しかしながら、特許文献1に記載の技術では、2つの画素電極を、絶縁膜を介して重ねて形成した構造であるため、製造工程数が大幅に増大するという問題点がある。また、画素電極と同一形状の金属反射膜を画素電極からずれた位置に形成した構造では、製造工程を追加したわりには、隣接する画素電極間に広い隙間が残るため、表示光量を十分に増大させることができないという問題点もある。
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、画素電極の下層側に位置する中継電極を利用して、表示光量の増大を図ることのできる液晶装置、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明に係る液晶装置では、基板上にデータ線および走査線に接続された画素トランジスタと、該画素トランジスタに電気的接続された反射性中継電極と、該反射性中継電極を覆う透光性絶縁膜と、該透光性絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記反射性中継電極に電気的接続された反射性の画素電極と、を備えた画素を複数、有し、前記画素において、前記反射性中継電極は、当該画素に属する前記画素電極と、当該画素に隣接する画素に属する画素電極とに挟まれた隙間に対して平面的に重なっていることを特徴とする。
本発明では、画素電極の下層側に形成した反射性中継電極が、隣接する画素電極間の隙間と平面的に重なっており、かかる反射性中継電極は、同一の画素に属する画素電極と同電位である。このため、反射性中継電極において、隣接する画素電極間の隙間に位置する部分も画素電極と同様、液晶の配向制御に寄与する。また、隣接する画素電極間の隙間に入射した光は、反射性中継電極によって反射され、表示に寄与する。従って、表示光量を増大することができるので、明るい表示を行なうことができる。
本発明において、前記透光性絶縁膜は、屈折率が相違する複数の誘電体層が積層されてなることが好ましい。かかる構成を採用すると、反射性中継電極による反射率が高いので、表示光量を大幅に増大することができる。
本発明において、前記画素において、前記反射性中継電極は、当該画素に属する画素電極の端部と平面的に重なる位置から、隣接する画素電極の端部と平面的に重なる位置まで張り出していることが好ましい。このように構成すると、隣接する画素電極間の隙間に入射した光の略全体を表示光として利用することができるので、表示光量を大幅に増大することができる。
本発明において、前記画素電極は、矩形あるいは略矩形の平面形状を備え、前記反射性中継電極は、前記反射性画素電極の少なくとも一辺の全体あるいは略全体から張り出していることが好ましい。このように構成すると、隣接する画素電極間の隙間に入射した光の略全体を表示光として利用することができるので、表示光量を大幅に増大することができる。
本発明では、前記画素において、前記反射性中継電極は、当該画素に属する画素電極の端部から前記データ線の延在方向の一方側、および前記走査線の延在方向の一方側の双方に向けて張り出していることが好ましい。このように構成すると、隣接する画素電極間の隙間に入射した光の略全体を表示光として利用することができるので、表示光量を大幅に増大することができる。
本発明では、前記画素において、前記反射性中継電極は、前記データ線の延在方向の一方側で隣接する画素電極の端部、および前記走査線の延在方向の一方側で隣接する画素電極の端部の双方と平面的に重なっていることが好ましい。
本発明において、前記反射性中継電極は、前記データ線と同一の絶縁層上に形成されている構成を採用することができる。かかる構成によれば、最も少ない層数で、明るい表示が可能な液晶装置を実現することができる。
本発明において、前記反射性中継電極は、前記データ線と異なる絶縁層上に形成されている構成を採用してもよい。この場合、前記画素において、前記反射性中継電極は、前記隙間と平面的に重なる領域において、当該画素に属する画素トランジスタに電気的接続するデータ線の端部と平面的に重なっていることが好ましい。
本発明において、前記データ線は、前記画素電極に対して前記走査線の延在方向の中央から偏った位置に平面的に重なるように延在していることが好ましい。このように構成すると、データ線が画素電極の中央に平面的に重なる場合と比較して、反射性中継電極を長く延在させなくても、隣接する画素電極間の隙間に反射性中継電極が平面的に重なった構造を実現することができる。
本発明を適用した液晶装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータ等の電子機器に用いることができる。また、本発明を適用した液晶装置は、電子機器としての投射型表示装置にも用いることができ、かかる投射型表示装置は、液晶装置に光を供給するための光源部と、前記液晶装置によって光変調された光を投射する投射光学系とを備えている。
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、画素構成を示す図3(a)、図6(a)、および図7(a)において、端部同士が平面的に重なる要素については、その外形線をずらして表してある。さらに、電界効果型トランジスタでは、流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。
[実施の形態1]
(全体構成)
図1は、本発明を適用した液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。図1に示すように、液晶装置100は、液晶パネル100pを有しており、液晶パネル100pは、その中央領域に複数の画素100aがマトリクス状に配列された画素領域10bを備えている。かかる液晶パネル100pにおいて、後述する第1基板10には、画素領域10bの内側で複数本のデータ線6aおよび複数本の走査線3aが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素100aが構成されている。複数の画素100aの各々には、画素トランジスタとしての電界効果型トランジスタ30、および後述する画素電極9aが形成されている。電界効果型トランジスタ30のソースにはデータ線6aが電気的に接続され、電界効果型トランジスタ30のゲートには走査線3aが電気的に接続され、電界効果型トランジスタ30のドレインには、画素電極9aが電気的に接続されている。
(全体構成)
図1は、本発明を適用した液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。図1に示すように、液晶装置100は、液晶パネル100pを有しており、液晶パネル100pは、その中央領域に複数の画素100aがマトリクス状に配列された画素領域10bを備えている。かかる液晶パネル100pにおいて、後述する第1基板10には、画素領域10bの内側で複数本のデータ線6aおよび複数本の走査線3aが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素100aが構成されている。複数の画素100aの各々には、画素トランジスタとしての電界効果型トランジスタ30、および後述する画素電極9aが形成されている。電界効果型トランジスタ30のソースにはデータ線6aが電気的に接続され、電界効果型トランジスタ30のゲートには走査線3aが電気的に接続され、電界効果型トランジスタ30のドレインには、画素電極9aが電気的に接続されている。
第1基板10(素子基板)において、画素領域10bの外側領域には走査線駆動回路104およびデータ線駆動回路101が構成されている。データ線駆動回路101は各データ線6aの一端に電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線6aに順次供給する。走査線駆動回路104は、各走査線3aに電気的に接続しており、走査信号を各走査線3aに順次供給する。
各画素100aにおいて、画素電極9aは、後述する第2基板(対向基板)に形成された共通電極と液晶を介して対向し、液晶容量50aを構成している。また、各画素100aには、液晶容量50aで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量50aと並列に保持容量60が付加されている。本形態では、保持容量60を構成するために、複数の画素100aに跨って走査線3aと並行して延びた容量線3bが形成されている。
(液晶パネルおよび素子基板の構成)
図2(a)、(b)は各々、本発明を適用した液晶装置100の液晶パネル100pを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH−H′断面図である。図2(a)、(b)に示すように、液晶装置100の液晶パネル100pでは、所定の隙間を介して第1基板10(素子基板)と第2基板20(対向基板)とが所定の隙間を介してシール材107によって貼り合わされており、シール材107は第2基板20の縁に沿うように配置されている。シール材107は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。本形態において、第1基板10の基体は透光性基板10dであり、第2基板20の基体も、同様な透光性基板20dである。
図2(a)、(b)は各々、本発明を適用した液晶装置100の液晶パネル100pを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH−H′断面図である。図2(a)、(b)に示すように、液晶装置100の液晶パネル100pでは、所定の隙間を介して第1基板10(素子基板)と第2基板20(対向基板)とが所定の隙間を介してシール材107によって貼り合わされており、シール材107は第2基板20の縁に沿うように配置されている。シール材107は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。本形態において、第1基板10の基体は透光性基板10dであり、第2基板20の基体も、同様な透光性基板20dである。
第1基板10において、シール材107の外側領域では、第1基板10の一辺に沿ってデータ線駆動回路101および複数の端子102が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路104が形成されている。また、第2基板20のコーナー部の少なくとも1箇所においては、第1基板10と第2基板20との間で電気的導通をとるための上下導通材109が形成されている。
詳しくは後述するが、第1基板10には、アルミニウムやアルミニウム合金などといったアルミニウム系材料や、銀や銀合金などといった銀系材料からなる反射性の画素電極9aがマトリクス状に形成されている。本形態では、画素電極9aには、上記の金属材料のうち、アルミニウムやアルミニウム合金などといったアルミニウム系材料が用いられている。
第2基板20には、シール材107の内側領域に遮光性材料からなる額縁108が形成され、その内側が画像表示領域10aとされている。第2基板20には、ITO(Indium Tin Oxide)膜からなる透光性の共通電極21が形成されている。
なお、画素領域10bには、額縁108と平面的に重なる領域にダミーの画素が構成される場合があり、この場合、画素領域10bのうち、ダミー画素を除いた領域が画像表示領域10aとして利用されることになる。
かかる反射型の液晶装置100は、モバイルコンピュータ、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、第2基板20には、カラーフィルタ(図示せず)や保護膜が形成される。また、第2基板20の光入射側の面には、使用する液晶層50の種類、すなわち、TN(ツイステッドネマティック)モード、STN(スーパーTN)モード等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード/ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が所定の向きに配置される。さらに、液晶装置100は、後述する投射型表示装置(液晶プロジェクタ)において、RGB用のライトバルブとして用いることができる。この場合、RGB用の各液晶装置100の各々には、RGB色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルタは形成されない。
(各画素の構成)
図3(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態1に係る反射型の液晶装置100に用いた第1基板10において相隣接する画素の平面図、およびそのA1−A1′線に相当する位置で液晶装置100を切断したときの断面図である。なお、図3(a)において、データ線6aおよびドレイン電極6bは一点鎖線で示し、走査線3aおよび容量線3bは実線で示し、半導体層1aは短い点線、画素電極9aについては二点鎖線で示してある。また、図3(a)では、1つの画素については、この画素に属する画素電極9aに右上がりの斜線を付し、当該画素に属するドレイン電極6b(反射性中継電極)については右下がりの斜線を付してある。また、走査線3aの延在方向を矢印Xで示し、その延在方向の一方側を+X方向とし、他方側を−X方向として表し、データ線6aの延在方向を矢印Yで示し、その延在方向の一方側を+Y方向とし、他方側を−Y方向としてある。
図3(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態1に係る反射型の液晶装置100に用いた第1基板10において相隣接する画素の平面図、およびそのA1−A1′線に相当する位置で液晶装置100を切断したときの断面図である。なお、図3(a)において、データ線6aおよびドレイン電極6bは一点鎖線で示し、走査線3aおよび容量線3bは実線で示し、半導体層1aは短い点線、画素電極9aについては二点鎖線で示してある。また、図3(a)では、1つの画素については、この画素に属する画素電極9aに右上がりの斜線を付し、当該画素に属するドレイン電極6b(反射性中継電極)については右下がりの斜線を付してある。また、走査線3aの延在方向を矢印Xで示し、その延在方向の一方側を+X方向とし、他方側を−X方向として表し、データ線6aの延在方向を矢印Yで示し、その延在方向の一方側を+Y方向とし、他方側を−Y方向としてある。
図3(a)、(b)に示すように、第1基板10には、石英基板やガラス基板等からなる透光性基板10dの第1面10xおよび第2面10yのうち、第2基板20側に位置する第1面10xにシリコン酸化膜等からなる透光性の下地絶縁層15が形成されているとともに、その上層側において、画素電極9aと平面的に重なる位置にNチャネル型の電界効果型トランジスタ30が形成されている。電界効果型トランジスタ30は、島状のポリシリコン膜、あるいは島状の単結晶半導体層からなる半導体層1aに対して、チャネル領域1g、低濃度ソース領域1b、高濃度ソース領域1d、低濃度ドレイン領域1c、および高濃度ドレイン領域1eが形成されたLDD構造を備えている。半導体層1aの表面側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる透光性のゲート絶縁層2が形成されており、ゲート絶縁層2の表面には、金属膜やドープトシリコン膜からなるゲート電極(走査線3a)が形成されている。半導体層1aにおける高濃度ドレイン領域1eからの延設部分には、ゲート絶縁層2を介して容量線3bが対向し、保持容量60が形成されている。
本形態において、電界効果型トランジスタ30はLDD(Lightly Doped Drain)構造を備えているが、高濃度ソース領域および高濃度ドレイン領域が走査線3aに自己整合的に形成されている構造を採用してもよい。また、本形態では、ゲート絶縁層2は、熱酸化により形成されたシリコン酸化膜からなるが、CVD法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を用いることもできる。さらに、ゲート絶縁層2には、熱酸化により形成されたシリコン酸化膜と、CVD法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜との多層膜を用いることもできる。さらに、第1基板10では、基体として、単結晶シリコン基板を用いることができる。
電界効果型トランジスタ30の上層側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなる層間絶縁膜71、およびシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等からなる透光性絶縁膜75が形成されている。層間絶縁膜71の表面には、後述する反射性の金属膜からなるデータ線6aおよびドレイン電極6bが形成され、データ線6aは、層間絶縁膜71に形成されたコンタクトホール71aを介して高濃度ソース領域1dに電気的に接続し、ドレイン電極6bは、層間絶縁膜71に形成されたコンタクトホール71bを介して高濃度ドレイン領域1eに電気的に接続している。
透光性絶縁膜75の表面には画素電極9aが島状に形成されており、画素電極9aは、透光性絶縁膜75に形成されたコンタクトホール75bを介してドレイン電極6bに電気的に接続されている。かかる電気的な接続を行なうにあたって、本形態では、コンタクトホール75bの内部は、プラグ8aと称せられる導電膜によって埋められ、画素電極9aは、プラグ8aを介してドレイン電極6bに電気的に接続されている。かかる構成によれば、画素電極9aの表面にコンタクトホール75bに起因する凹凸が発生しないという利点がある。
透光性絶縁膜75の表面とプラグ8aの表面は、連続した平坦面を形成しており、かかる平坦面上に画素電極9aが形成されている。また、隣接する画素電極9aの間において、画素電極9aの厚さ寸法に相当する深さの溝状凹部は表面絶縁膜78で埋められている。このため、画素電極9aと表面絶縁膜78とは連続した平坦面を形成しており、かかる平坦面上に配向膜16が形成されている。従って、配向膜16をラビング処理されたポリイミド膜などにより形成した場合、ラビング処理を適正に行なうことができる。なお、表面絶縁膜78については省略することもある。
第2基板20では、透光性基板20dにおいて第1基板10と対向する面全体にITO膜からなる共通電極21が形成され、共通電極21の表面には配向膜26が形成されている。
このように構成した第1基板10と第2基板20は、画素電極9aと共通電極21とが対面するように対向配置され、かつ、これらの基板間には、シール材107により囲まれた空間内に電気光学物質としての液晶層50が封入されている。液晶層50は、画素電極9aからの電界が印加されていない状態で、第1基板10および第2基板20に形成された配向膜16、26により所定の配向状態をとる。液晶層50は、一種または数種のネマティック液晶を混合したもの等からなる。
(表示光量の向上のための構成)
本形態の液晶装置100において、画素電極9aは、矩形あるいは略矩形に形成されており、画素電極9aは、走査線3aの延在方向(X方向)およびデータ線の延在方向(Y方向)で整列している。このため、走査線3aの延在方向(X方向)で隣接する画素電極9aの間には、データ線6aと平行に延在する隙間9sが形成され、データ線6aの延在方向で隣接する画素電極9aの間には、走査線3aと平行に延在する隙間9tが形成されている。
本形態の液晶装置100において、画素電極9aは、矩形あるいは略矩形に形成されており、画素電極9aは、走査線3aの延在方向(X方向)およびデータ線の延在方向(Y方向)で整列している。このため、走査線3aの延在方向(X方向)で隣接する画素電極9aの間には、データ線6aと平行に延在する隙間9sが形成され、データ線6aの延在方向で隣接する画素電極9aの間には、走査線3aと平行に延在する隙間9tが形成されている。
このような構成の液晶装置100では、従来、第2基板20の側から入射した光のうち、隣接する画素電極9aの隙間9s、9tに向けて進行した光は表示光として利用されず、損失となってしまう。そこで、本形態では、以下に説明するように、画素電極9aの下層側に形成されているドレイン電極6bを利用して、上記の損失を低減する。
まず、本形態において、データ線6aは、画素電極9aの下層側のうち、走査線3aの延在方向(矢印Xで示す方向)における中央から、他方側(矢印−Xで示す方向)に偏った位置を通っている。
データ線6aおよびドレイン電極6bは、アルミニウムやアルミニウム合金などといったアルミニウム系材料や、銀や銀合金などといった銀系材料からなる反射性金属により形成されている。従って、ドレイン電極6bは、反射性中継電極として構成されている。ここで、ドレイン電極6bは、後述するように、画素電極9aと同様、光の反射に利用される。従って、層間絶縁膜71の表面は平坦化されていることが好ましい。
ドレイン電極6bは、画素電極9aにおいてデータ線6aの延在方向(矢印Yで示す方向)の一方側(矢印+Yで示す方向)の端部から隙間9tに向けて張り出し、データ線6aの延在方向の一方側で隣接する画素電極9aの端部に平面的に重なっている。また、ドレイン電極6bは、画素電極9aにおいて走査線3aの延在方向(矢印Xで示す方向)の一方側(矢印+Xで示す方向)の端部から隙間9sに向けて張り出して、走査線3aの延在方向の一方側で隣接する画素電極9aの端部に平面的に重なっている。
図3(a)では、図を見やすくするため、ドレイン電極6bが隣接する画素電極9aと平面的に重なっているように描かれているが、本形態では、図3(b)に示したように、ドレイン電極6bの端部と隣接する画素電極9aの端部とは互いに平面的に重なっている。このため、ドレイン電極6bと、隣接する画素電極9aとの間の電気的な干渉を防止することができる。なお、ドレイン電極6bについては、図3(a)に示したように、ドレイン電極6bの端部と、隣接する画素電極9aの端部とが、平面的にある程度の重なり幅をもっている構成を採用してもよい。また、ドレイン電極6bの端部が隣接する画素電極9aの端部から、平面的に、ある程度離間している構成を採用してもよい。いずれの場合も、クロストークなどを防止するという観点からすれば、画素電極9aおよびドレイン電極6bと、異なる画素100aの画素電極9aおよびドレイン電極6bとが平面的に重なる面積は最小限に止めることが好ましい。
ここで、データ線6aおよびドレイン電極6bはいずれも同一の層間絶縁膜71の上に形成されている。このため、ドレイン電極6bとデータ線6aとの間には十分な隙間6sが確保されており、ドレイン電極6bとデータ線6aとの短絡や、電界効果型トランジスタ30がオフ状態にある間、ドレイン電極6bとデータ線6aとの間で電気的な相互干渉が発生しないようになっている。
また、データ線6aの延在方向に隣接する画素100aのドレイン電極6bの間にも十分な隙間6tが確保されており、隣接するドレイン電極6b同士の短絡や、ドレイン電極6b同士の電位の相互干渉が発生しない。また、本形態では、ドレイン電極6bは、画素電極9aの一辺の略全体から矢印+Yで示す方向に張り出して、隣接する画素電極9aの一辺の略全体に平面的に重なっている。このため、データ線6aの延在方向に隣接する画素100aのドレイン電極6bの間に確保された隙間6tは狭い。
(本形態の作用および主な効果)
本形態の反射型の液晶装置100においては、走査線3aによって選択された画素100aでは、データ線6aから供給された画像信号が電界効果型トランジスタ30を介して書き込まれ、画素電極9aと対向電極26との間に発生した電場により液晶層50の配向が制御される。従って、図3(b)に矢印Lで示すように、第2基板20の側から入射した光が画素電極9aで反射して再び、第2基板20の側から出射される間に液晶層50によって画素毎に光変調される結果、画像が表示される。
本形態の反射型の液晶装置100においては、走査線3aによって選択された画素100aでは、データ線6aから供給された画像信号が電界効果型トランジスタ30を介して書き込まれ、画素電極9aと対向電極26との間に発生した電場により液晶層50の配向が制御される。従って、図3(b)に矢印Lで示すように、第2基板20の側から入射した光が画素電極9aで反射して再び、第2基板20の側から出射される間に液晶層50によって画素毎に光変調される結果、画像が表示される。
また、本形態の液晶装置100において、ドレイン電極6bは、画素電極9aの端部から隙間9s、9tに張り出し、かつ、ドレイン電極6bと液晶層50との間に介在する透光性絶縁膜75および表面絶縁膜78の膜厚が薄い。しかも、ドレイン電極6bは画素電極9aと同電位である。従って、液晶層50において隙間9s、9tと平面的に重なる部分も、ドレイン電極6bと対向電極26との電界によって駆動され、配向が制御される。また、ドレイン電極6bは反射性を備えている。従って、図3(b)に矢印Ls、Ltで示すように、第2基板20の側から入射した光のうち、隣接する画素電極9aの隙間9s、9tに向かう光は、ドレイン電極6bで反射して再び、第2基板20の側から出射される間に液晶層50によって画素毎に光変調され、表示に寄与する。それ故、本形態の液晶装置100によれば、ドレイン電極6bが隙間9s、9tに張り出している分だけ、有効画素開口率(画素全体において、表示光を出射可能な面積が占める割合)が高いので、表示光量の増大を図ることができ、明るい表示を行なうことができる。
さらに、図4および図5を参照して以下に製造方法を説明するように、本形態の液晶装置100では、ドレイン電極6bの形成パターンを改良するだけで表示光量の増大を図ることができる。それ故、隣接する画素電極9aの隙間9s、9tに向かう光も表示光として利用した場合でも、新たな導電層を追加する必要がないので、生産性が低下することがない。
(液晶装置100の製造方法)
以下、図4および図5を参照して、本発明を適用した液晶装置100の製造方法を説明する。図4および図5はいずれも、図3に示す液晶装置100の製造方法において、要部となる工程の工程断面図である。
以下、図4および図5を参照して、本発明を適用した液晶装置100の製造方法を説明する。図4および図5はいずれも、図3に示す液晶装置100の製造方法において、要部となる工程の工程断面図である。
本形態の液晶装置100の製造工程において、素子基板としての第1基板10を形成するには、図4(a)に示すように、透光性基板10d上に電界効果型トランジスタ30などを形成した後、CVD法などにより、シリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜71を形成し、次に、層間絶縁膜71にコンタクトホール71a、71bを形成する。かかる工程において、層間絶縁膜71にコンタクトホール71a、71bを形成する前に層間絶縁膜71の表面に研磨を行ない、層間絶縁膜71の表面を平坦化しておくことが好ましい。層間絶縁膜71の表面を平坦化しておけば、その上層に形成されるドレイン電極6bの表面が平坦になるため、隙間9s、9tに入射した光をドレイン電極6bの表面で反射して表示光とするのに適している。かかる研磨としては、化学機械研磨を用いる。
次に、スパッタ法などにより、アルミニウムやアルミニウム合金などといったアルミニウム系材料や、銀や銀合金などといった銀系材料からなる反射性の導電膜6を形成する。
次に、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を用いて導電膜6をパターニングし、図4(b)に示すように、データ線6aおよびドレイン電極6bを形成する。
次に、図4(c)に示すように、CVD法などを利用して、データ線6aおよびドレイン電極6bを覆うように、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる透光性絶縁膜75を形成する。
次に、図4(d)に示すように、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術により、透光性絶縁膜75にコンタクトホール75bを形成する。
次に、コンタクトホール75bが埋まる程度の膜厚でプラグ用導電膜を形成した後、透光性絶縁膜75が露出するまでプラグ用導電膜を研磨する。その結果、図4(e)に示すように、コンタクトホール75bはプラグ8aで埋まった状態となる。かかる研磨としては、化学機械研磨を用いる。
次に、図5(a)に示すように、スパッタ法などを利用して、透光性絶縁膜75の上面に、アルミニウムやアルミニウム合金などといったアルミニウム系材料や、銀や銀合金などといった銀系材料からなる反射性の導電膜9を形成する。
次に、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を用いて導電膜9をパターニングし、図5(b)に示すように、画素電極9aを島状に形成する。その結果、隣接する画素電極9aの間に隙間9s、9tが発生するが、かかる隙間9s,9tに対しては、下方のドレイン電極6bが平面的に重なった状態となる。
次に、図5(c)に示すように、画素電極9aの表面を覆うように、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる表面絶縁膜78を形成する。
次に、図5(d)に示す研磨工程において、画素電極9aの表面が露出するまで表面絶縁膜78を研磨する。その結果、画素電極9aの表面が露出するとともに、隣接する画素電極9aの隙間9s、9tは、表面絶縁膜78によって埋められた状態となる。かかる研磨には化学機械研磨を利用できる。
しかる後には、図3(b)に示すように、画素電極9aの形成領域を含む第1基板10の全面あるいは略全面に配向膜16を形成する。
[実施の形態1の変形例]
図6(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態1の変形例に係る反射型の液晶装置100に用いた第1基板10において相隣接する画素の平面図、およびそのA2−A2′線に相当する位置で液晶装置100を切断したときの断面図である。なお、図6(a)においても、図3(a)と同様、データ線6aおよびドレイン電極6bは一点鎖線で示し、走査線3aおよび容量線3bは実線で示し、半導体層1aは短い点線、画素電極9aについては二点鎖線で示してある。また、図6(a)では、1つの画素については、この画素に属する画素電極9aに右上がりの斜線を付し、当該画素に属するドレイン電極6b(反射性中継電極)については右下がりの斜線を付してある。また、走査線3aの延在方向を矢印Xで示し、その延在方向の一方側を+X方向とし、他方側を−X方向として表し、データ線6aの延在方向を矢印Yで示し、その延在方向の一方側を+Y方向とし、他方側を−Y方向としてある。また、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。
図6(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態1の変形例に係る反射型の液晶装置100に用いた第1基板10において相隣接する画素の平面図、およびそのA2−A2′線に相当する位置で液晶装置100を切断したときの断面図である。なお、図6(a)においても、図3(a)と同様、データ線6aおよびドレイン電極6bは一点鎖線で示し、走査線3aおよび容量線3bは実線で示し、半導体層1aは短い点線、画素電極9aについては二点鎖線で示してある。また、図6(a)では、1つの画素については、この画素に属する画素電極9aに右上がりの斜線を付し、当該画素に属するドレイン電極6b(反射性中継電極)については右下がりの斜線を付してある。また、走査線3aの延在方向を矢印Xで示し、その延在方向の一方側を+X方向とし、他方側を−X方向として表し、データ線6aの延在方向を矢印Yで示し、その延在方向の一方側を+Y方向とし、他方側を−Y方向としてある。また、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。
図6(a)、(b)に示すように、本形態の反射型の液晶装置100においては、実施の形態1と違って、データ線6aは、画素電極9aの下層側のうち、走査線3aの延在方向(矢印Xで示す方向)における中央あるいは略中央を通っている。
また、本形態の反射型の液晶装置100でも、実施の形態1と同様、ドレイン電極6bは、アルミニウムやアルミニウム合金などといったアルミニウム系材料や、銀や銀合金などといった銀系材料からなる反射性金属により形成されている。また、ドレイン電極6bは、画素電極9aにおいてデータ線6aの延在方向(矢印Yで示す方向)の一方側(矢印+Yで示す方向)の端部から隙間9tに向けて張り出し、データ線6aの延在方向の一方側で隣接する画素電極9aの端部に平面的に重なっている。さらに、ドレイン電極6bは、画素電極9aにおいて走査線3aの延在方向(矢印Xで示す方向)の一方側(矢印+Xで示す方向)の端部から隙間9sに向けて張り出して、走査線3aの延在方向の一方側で隣接する画素電極9aの端部に平面的に重なっている。
ここで、データ線6aは、画素電極9aの下層側のうち、走査線3aの延在方向(矢印Xで示す方向)における中央あるいは略中央を通っており、かつ、データ線6aは、ドレイン電極6bと同じく層間絶縁膜71の上に形成されている。このため、データ線6aに対して、走査線3aの延在方向(矢印Xで示す方向)の一方側(矢印+Xで示す方向)に位置する隙間9tに対してはドレイン電極6bを重ねることができるが、データ線6aに対して、走査線3aの延在方向の他方側(矢印−Xで示す方向)に位置する隙間9tに対してはドレイン電極6bを重ねることができない。
そこで、本形態では、データ線6aに対して、走査線3aの延在方向(矢印Xで示す方向)の他方側(矢印−Xで示す方向)に位置する隙間9tに対しては、走査線3aの延在方向の他方側に位置する画素100aからドレイン電極6bを延在させ、かかるドレイン電極6bの延在部分6b1によって、隙間9tの略全体にドレイン電極6bが平面的に重なった構造にしてある。つまり、隙間9tにおいては、データ線6aのX側に設けられているドレイン電極6bと−X側に設けられているドレイン電極6bとでは、互いに属する画素が異なっている。
このように構成した液晶装置100でも、ドレイン電極6bとデータ線6aとの間には十分な隙間6sが確保されており、ドレイン電極6bとデータ線6aとの短絡や、電界効果型トランジスタ30がオフ状態にある間、ドレイン電極6bがデータ線6aの電位の影響を受けないようになっている。さらに、データ線6aの延在方向に隣接する画素100aのドレイン電極6bの間にも十分な隙間6tが確保されており、隣接するドレイン電極6b同士の間での電気的な干渉が発生しないようになっている。
その他の構成は実施の形態1と同様であり、製造方法も実施の形態1と同様である。従って、それらの説明を省略する。
以上説明したように、本形態の液晶装置100においても、実施の形態1と同様、第2基板20の側から入射した光のうち、隣接する画素電極9aの隙間9s、9tに向かう光は、ドレイン電極6bで反射して再び、第2基板20の側から出射される間に液晶層50によって画素毎に光変調され、表示に寄与する。それ故、本形態の液晶装置100によれば、ドレイン電極6bが隙間9s、9tに張り出している分だけ、有効画素開口率が高いので、表示光量の増大を図ることができ、明るい表示を行なうことができる。また、本形態の液晶装置100では、ドレイン電極6bの形成パターンを改良するだけで表示光量の増大を図ることができるので、生産性が低下することがない。
[実施の形態2]
図7(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態2に係る反射型の液晶装置100に用いた第1基板10において相隣接する画素の平面図、およびそのA3−A3′線に相当する位置で液晶装置100を切断したときの断面図である。なお、図7(a)において、走査線3aおよび容量線3bは実線で示し、半導体層1aは短い点線、画素電極9aについては二点鎖線で示してある。また、図7(a)において、データ線6aは一点鎖線で示してあるが、ドレイン電極4bは長い点線で示してある。また、図7(a)では、1つの画素については、この画素に属する画素電極9aに右上がりの斜線を付し、当該画素に属するドレイン電極4b(反射性中継電極)については右下がりの斜線を付してある。また、走査線3aの延在方向を矢印Xで示し、その延在方向の一方側を+X方向とし、他方側を−X方向として表し、データ線6aの延在方向を矢印Yで示し、その延在方向の一方側を+Y方向とし、他方側を−Y方向としてある。また、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。
図7(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態2に係る反射型の液晶装置100に用いた第1基板10において相隣接する画素の平面図、およびそのA3−A3′線に相当する位置で液晶装置100を切断したときの断面図である。なお、図7(a)において、走査線3aおよび容量線3bは実線で示し、半導体層1aは短い点線、画素電極9aについては二点鎖線で示してある。また、図7(a)において、データ線6aは一点鎖線で示してあるが、ドレイン電極4bは長い点線で示してある。また、図7(a)では、1つの画素については、この画素に属する画素電極9aに右上がりの斜線を付し、当該画素に属するドレイン電極4b(反射性中継電極)については右下がりの斜線を付してある。また、走査線3aの延在方向を矢印Xで示し、その延在方向の一方側を+X方向とし、他方側を−X方向として表し、データ線6aの延在方向を矢印Yで示し、その延在方向の一方側を+Y方向とし、他方側を−Y方向としてある。また、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。
図7(a)、(b)に示すように、本形態の反射型の液晶装置100においても、実施の形態1と同様、データ線6aは、画素電極9aの下層側のうち、走査線3aの延在方向(矢印Xで示す方向)における中央から他方側(矢印−Xで示す方向)に偏った位置を通っている。
また、本形態においても、実施の形態1と同様、データ線6aは層間絶縁膜71の上層に形成されている。但し、ドレイン電極4bは、層間絶縁膜72の上層に形成されており、ゲート絶縁層2、層間絶縁膜71、72を貫通するコンタクトホール72bを介して電界効果型トランジスタ30の高濃度ドレイン領域1eに電気的に接続されている。
本形態でも、ドレイン電極4bの上層には、シリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜からなる透光性絶縁膜75が形成されており、かかる透光性絶縁膜75の上層に画素電極9aが形成されている。このため、画素電極9aは、透光性絶縁膜75のコンタクトホール75bに充填されたプラグ8aを介してドレイン電極4bに電気的に接続されている。
このように構成した液晶装置100でも、隣接する画素電極9aの間には隙間9s、9tが形成されている。そこで、本形態では、ドレイン電極4bは、アルミニウムやアルミニウム合金などといったアルミニウム系材料や、銀や銀合金などといった銀系材料からなる反射性金属により形成されている。従って、ドレイン電極4bは反射性中継電極として構成されている。
また、ドレイン電極4bは、画素電極9aにおいてデータ線6aの延在方向(矢印Yで示す方向)の一方側(矢印+Yで示す方向)の端部から隙間9tに向けて張り出し、データ線6aの延在方向の一方側で隣接する画素電極9aの端部に平面的に重なっている。さらに、ドレイン電極4bは、画素電極9aにおいて走査線3aの延在方向(矢印Xで示す方向)の一方側(矢印+Xで示す方向)の端部から隙間9sに向けて張り出して、走査線3aの延在方向の一方側で隣接する画素電極9aの端部に平面的に重なっている。
ここで、データ線6aは層間絶縁膜71の上層に形成され、ドレイン電極4bは層間絶縁膜72の上層に形成されている。このため、ドレイン電極4bをデータ線6aと接近させた構成、あるいはドレイン電極4bがデータ線6aと平面的に重なる構成を採用した場合でも、ドレイン電極4bとデータ線6aとが短絡することがない。
そこで、本形態では、隙間9tと平面的に重なる領域において、ドレイン電極4bは、自身が属する画素100aを通るデータ線6aの端部に平面的に重なっている。また、ドレイン電極4bは、走査線3aの延在方向の一方側で隣接する画素100aを通るデータ線6aの端部にも平面的に重なっている。さらに、ドレイン電極4bは、隙間9tと平面的に重なる領域において、走査線3aの延在方向の一方側に大きく突き出た矩形の突部4b1を備えており、かかる突部4b1は、隣接する画素100aを通るデータ線6aと平面的に大きく重なっている。このため、ドレイン電極4bと、隣接する画素100aのドレイン電極4bとは、狭い隙間4sを隔てているだけである。それ故、本形態では、隙間9tの略全体にドレイン電極4bが平面的に重なった構造になっている。
かかる場合でも、データ線6aの延在方向に隣接する画素100aのドレイン電極4bの間には十分な隙間4tが確保されており、隣接するドレイン電極4b同士の間での電気的な干渉が発生しないようになっている。
その他の構成は実施の形態1と同様であり、製造方法も実施の形態1と略同様である。従って、それらの説明を省略する。
以上説明したように、本形態の液晶装置100においても、実施の形態1と同様、第2基板20の側から入射した光のうち、隣接する画素電極9aの隙間9s、9tに向かう光は、ドレイン電極4bで反射して再び、第2基板20の側から出射される間に液晶層50によって画素毎に光変調され、表示に寄与する。それ故、本形態の液晶装置100によれば、ドレイン電極4bが隙間9s、9tに張り出している分だけ、有効画素開口率(画素全体において、表示光を出射可能な面積が占める割合)が高いので、表示光量の増大を図ることができ、明るい表示を行なうことができる。また、本形態の液晶装置100では、ドレイン電極4bの形成パターンを改良するだけで表示光量の増大を図ることができるので、生産性が低下することがない。
また、本形態では、データ線6aとドレイン電極4bが異なる絶縁膜上に形成されているので、データ線6aとドレイン電極4bとが短絡するおそれがない。従って、データ線6aとドレイン電極4bとを平面的に重ねることができるので、隙間6tの略全体をドレイン電極4bと平面的に重なった状態とすることができる。それ故、有効画素開口率を最大限まで高めることができ、表示光量を大幅に増大することができる。
[実施の形態3]
上記実施の形態1、2において、透光性絶縁膜75についてはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる場合を説明したが、本形態では、透光性絶縁膜75については、屈折率が異なる誘電体膜を多層に積層した誘電体多層膜を用いる。かかる誘電体多層膜は、増反射膜として機能するため、ドレイン電極4b、6bでの反射率を高めることができる。それ故、表示光量を増大させることができる。
上記実施の形態1、2において、透光性絶縁膜75についてはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる場合を説明したが、本形態では、透光性絶縁膜75については、屈折率が異なる誘電体膜を多層に積層した誘電体多層膜を用いる。かかる誘電体多層膜は、増反射膜として機能するため、ドレイン電極4b、6bでの反射率を高めることができる。それ故、表示光量を増大させることができる。
かかる誘電体多層膜は、低屈折率層と高屈折率層とが交互に1層ずつ、計2層形成された構成や、低屈折率層と高屈折率層とを1組にして複数組(例えば、2組)が積層された構成を有している。ここで、低屈折率層と高屈折率層とは、屈折率の相対的な高低に定義されるものであり、その高低に絶対的な数値が存在するものではない。従って、例えば、屈折率が1.7未満のものを低屈折率層とし、屈折率が1.7以上のものを高屈折率層と定義すれば、低屈折率層および高屈折率層としては、以下の材料
低屈折率層
フッ化マグネシウム(MgF2)/屈折率=1.38
二酸化シリコン(SiO2)/屈折率=1.46
フッ化ランタン(LaF3)/屈折率=1.59
酸化アルミニウム(Al2O3)/屈折率=1.62
フッ化セリウム(CeF3)/屈折率=1.63
高屈折率層
窒化シリコン(SiN)/屈折率=2.05
酸化チタン(TiO2)/屈折率=2.10
酸化ジルコニウム(ZrOF2)/屈折率=2.10
酸化タンタル(Ta2O5)/屈折率=2.10
酸化タングステン(WO3)/屈折率=2.35
硫化亜鉛(ZnS)/屈折率=2.35
酸化セリウム(CeO2)/屈折率=2.42
を単一あるいは混合して用いることができる。
低屈折率層
フッ化マグネシウム(MgF2)/屈折率=1.38
二酸化シリコン(SiO2)/屈折率=1.46
フッ化ランタン(LaF3)/屈折率=1.59
酸化アルミニウム(Al2O3)/屈折率=1.62
フッ化セリウム(CeF3)/屈折率=1.63
高屈折率層
窒化シリコン(SiN)/屈折率=2.05
酸化チタン(TiO2)/屈折率=2.10
酸化ジルコニウム(ZrOF2)/屈折率=2.10
酸化タンタル(Ta2O5)/屈折率=2.10
酸化タングステン(WO3)/屈折率=2.35
硫化亜鉛(ZnS)/屈折率=2.35
酸化セリウム(CeO2)/屈折率=2.42
を単一あるいは混合して用いることができる。
これらのいずれの誘電体膜を用いた場合も、低屈折率層および高屈折率層の各々の光学的膜厚nd(n=屈折率、d=膜厚)は、設計の際の波長λ0の1/4倍に設定される。
なお、本形態の場合、隙間9s、9tにおいてドレイン電極4b、6bの上層には透光性絶縁膜75と表面絶縁膜78とが被さっている。従って、透光性絶縁膜75と表面絶縁膜78とを合わせた全体を誘電体多層膜とし、増反射膜として機能させてもよい。
[電子機器への搭載例]
本発明に係る反射型の液晶装置100は、図8(a)に示す投射型表示装置(液晶プロジェクタ/電子機器)や、図8(b)、(c)に示す携帯用電子機器に用いることができる。
本発明に係る反射型の液晶装置100は、図8(a)に示す投射型表示装置(液晶プロジェクタ/電子機器)や、図8(b)、(c)に示す携帯用電子機器に用いることができる。
図8(a)に示す投射型表示装置1000は、システム光軸Lに沿って光源部810、インテグレータレンズ820および偏光変換素子830が配置された偏光照明装置800を有している。また、投射型表示装置1000は、システム光軸Lに沿って、偏光照明装置800から出射されたS偏光光束をS偏光光束反射面841により反射させる偏光ビームスプリッタ840と、偏光ビームスプリッタ840のS偏光光束反射面841から反射された光のうち、青色光(B)の成分を分離するダイクロイックミラー842と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光(R)の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー843とを有している。また、投射型表示装置1000は、各色光が入射する3枚の液晶装置100R、100G、100B(液晶装置100)を備えている。かかる投射型表示装置1000は、3つの液晶装置100R、100G、100Bにて変調された光をダイクロイックミラー842、843、および偏光ビームスプリッタ840にて合成した後、この合成光を投射光学系850によってスクリーン860に投射する。
次に、図8(b)に示す携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001、スクロールボタン3002、並びに表示ユニットとしての液晶装置100〈直視型表示装置〉を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、液晶装置100に表示される画面がスクロールされる。図8(c)に示す情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)は、複数の操作ボタン4001、電源スイッチ4002、並びに表示ユニットとしての液晶装置100を備えており、電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が液晶装置100に表示される。
また、本発明を適用した液晶装置100が搭載される電子機器としては、図8(a)、(b)、(c)に示すものの他、ヘッドマウンティトディスプレイ、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、銀行端末などの電子機器などが挙げられる。
さらに、液晶装置100を透過型に構成した場合も、透過型の投射型表示装置のライトバルブや、直視型の表示装置に本発明を適用した液晶装置100を用いることができる。
4b、6b・・ドレイン電極(反射性中継電極)、6a・・データ線、9a・・画素電極、9s、9t・・隣接する画素電極間の隙間、10・・第1基板、20・・第2基板、21・・共通電極、30・・電界効果型トランジスタ(画素トランジスタ)、50・・液晶層、75・・透光性絶縁膜、100・・液晶装置、100a・・画素
Claims (11)
- 基板上にデータ線および走査線に接続された画素トランジスタと、該画素トランジスタに電気的接続された反射性中継電極と、該反射性中継電極を覆う透光性絶縁膜と、該透光性絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記反射性中継電極に電気的接続された反射性の画素電極と、を備えた画素を複数、有し、
前記画素において、前記反射性中継電極は、当該画素に属する画素電極と、当該画素に隣接する画素に属する画素電極とに挟まれた隙間に対して平面的に重なっていることを特徴とする液晶装置。 - 前記透光性絶縁膜は、屈折率が相違する複数の誘電体層が積層されてなることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。
- 前記画素において、前記反射性中継電極は、当該画素に属する画素電極の端部と平面的に重なる位置から、隣接する画素電極の端部と平面的に重なる位置まで張り出していることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶装置。
- 前記画素電極は、矩形あるいは略矩形の平面形状を備え、
前記画素において、前記反射性中継電極は、当該画素に属する画素電極の少なくとも一辺の略全体から張り出していることを特徴とする請求項3に記載の液晶装置。 - 前記画素において、前記反射性中継電極は、当該画素に属する画素電極の端部から前記データ線の延在方向の一方側、および前記走査線の延在方向の一方側の双方に向けて張り出していることを特徴とする請求項4に記載の液晶装置。
- 前記画素において、前記反射性中継電極は、前記データ線の延在方向の一方側で隣接する画素電極の端部、および前記走査線の延在方向の一方側で隣接する画素電極の端部の双方と平面的に重なっていることを特徴とする請求項5に記載の液晶装置。
- 前記反射性中継電極は、前記データ線と同一の絶縁層上に形成されていることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の液晶装置。
- 前記反射性中継電極は、前記データ線と異なる絶縁層上に形成されていることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の液晶装置。
- 前記画素において、前記反射性中継電極は、前記隙間と平面的に重なる領域において、当該画素に属する画素トランジスタに電気的接続するデータ線の端部と平面的に重なっていることを特徴とする請求項8に液晶装置。
- 前記データ線は、前記画素電極に対して前記走査線の延在方向の中央から偏った位置に平面的に重なるように延在していることを特徴とする請求項1乃至9の何れか一項に記載の液晶装置。
- 請求項1乃至10の何れか一項に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
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JP2008311838A JP2010134317A (ja) | 2008-12-08 | 2008-12-08 | 液晶装置および電子機器 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US11428982B2 (en) | 2018-07-04 | 2022-08-30 | Sony Corporation | Electrode structure, method for manufacturing electrode structure, liquid crystal display element, method for driving liquid crystal display element, and electronic equipment |
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2008
- 2008-12-08 JP JP2008311838A patent/JP2010134317A/ja not_active Withdrawn
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US11428982B2 (en) | 2018-07-04 | 2022-08-30 | Sony Corporation | Electrode structure, method for manufacturing electrode structure, liquid crystal display element, method for driving liquid crystal display element, and electronic equipment |
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