JP2010123899A - 電界効果トランジスタ - Google Patents

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Abstract

【課題】電流コラプスを抑制することができる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】電界効果トランジスタとしてのＨＥＭＴ１００は、第１の窒化物半導体からなる第１の窒化物半導体層１０３と、第１の窒化物半導体層１０３の上に形成されて、第１の窒化物半導体よりもバンドギャップの大きな第２の窒化物半導体からなる第２の窒化物半導体層１０４とを備え、第１の窒化物半導体層１０３は、貫通転位密度が積層方向に増大する領域を有している。
【選択図】図１

Description

本発明は、例えばエアコン等の民生機器の電源回路に用いられるパワートランジスタに適用可能な窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタに関わるものである。
窒化物半導体はＳｉやＧａＡｓなどと比べ、バンドギャップ、絶縁破壊電界、および電子の飽和ドリフト速度のいずれもが大きい。また、（０００１）面を主面とする基板上に形成したＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ構造では、自発分極およびピエゾ分極によりヘテロ界面に２次元電子ガスが生じ、何もドープしなくとも１×１０13ｃｍ-2以上のシートキャリア濃度が得られる。この高濃度の２次元電子ガスをキャリアとして用いた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）が近年注目を集めており、種々の構造のＨＥＭＴが提案されている。
図１３は、ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ構造を有する従来の電界効果型トランジスタを示す断面図である（例えば、特許文献１参照）。
同図に示す従来の窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて、Ｓｉ基板７０１上に低温ＡｌＮバッファ層７０２、アンドープＧａＮ層７０３、およびアンドープＡｌＧａＮ層７０４がこの順に形成されている。また、Ｔｉ層およびＡｌ層からなるソース電極７０５およびドレイン電極７０７がアンドープＡｌＧａＮ層７０４上に形成されている。さらに、Ｎｉ層、Ｐｔ層およびＡｕ層からなるゲート電極７０６がソース電極７０５およびドレイン電極７０７の間に形成されている。さらにまた、パシベーション膜としてＳｉＮ層（図外）が形成されている。
このような構造の電界効果トランジスタでは、アンドープＡｌＧａＮ層７０４とアンドープＧａＮ層７０３との界面に形成される２次元電子ガスがキャリアとして利用される。ソース・ドレイン間に電圧を印加するとチャネル内の電子がソース電極７０５からドレイン電極７０７に向かって移動する。このとき、ゲート電極７０６に加える電圧を制御してゲート電極７０６直下の空乏層の厚さを変化させることで、ソース電極７０５からドレイン電極７０７へ移動する電子、すなわちドレイン電流を制御することが可能となる。
特開２００７−２５１１４４号公報
しかしながら、ＧａＮを用いたこのようなＨＥＭＴにおいては、電流コラプスとよばれる現象が観測され、デバイス動作時に問題を引き起こすことが知られている。この現象は、ソース・ドレイン間、ソース・ゲート間、およびドレイン・基板間などにいったん強い電界がかかるとその後ソース・ドレイン間のチャネル電流が減少する現象である。
そこで、本発明は上記の課題に鑑み、電流コラプスを抑制することができる電界効果トランジスタを提供することを目的とする。
上述した課題を解決するために、本発明の電界効果トランジスタは、第１の窒化物半導体からなる第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成され、前記第１の窒化物半導体よりもバンドギャップの大きな第２の窒化物半導体からなる第２の半導体層とを備え、前記第１の半導体層は、貫通転位密度が積層方向に増大する領域を有していることを特徴とする。ここで、前記第１の半導体層の前記第２の半導体層との接合面での貫通転位密度は、２×１０9ｃｍ-2以上であることが好ましい。
これにより、第１の半導体層および第２の半導体層が接する部分をチャネルとする電界効果トランジスタにおいて、チャネルの第１の半導体層の貫通転位密度を高くし、電流コラプスを悪化させない貫通転位密度とすることができる。その結果、電流コラプスを抑制することが可能な電界効果トランジスタを実現できる。
また、前記第１の半導体層は、第３の半導体層と、前記第３の半導体層上に形成された結晶性コントロール層と、前記結晶性コントロール層上に形成された第４の半導体層とを有し、前記結晶性コントロール層では、貫通転位密度が積層方向に増大し、前記第４の半導体層の貫通転位密度は、前記第３の半導体層の貫通転位密度に比べ大きくてもよい。
これにより、第１の半導体層の一部を貫通転位密度の高い層とし、それ以外を貫通転位密度の低い層として第１の半導体層の膜厚を高くすることができる。その結果、高耐圧と電流コラプスの抑制とを両立することができる。
また、前記第１の半導体層は、貫通転位密度が積層方向に減少する領域を有していてもよい。
これにより、第１の半導体層の第２の半導体層との接合面での貫通転位密度を１．６×１０10ｃｍ-2以下に低くし、シート抵抗を実用上使用できる範囲に抑えることができる。また、第１の半導体層の膜厚を高くすることができるので、高耐圧の電界効果トランジスタを実現できる。
また、前記第１の半導体層の膜厚は、２μｍ以上であってもよい。
これにより、高耐圧の電界効果トランジスタを実現できる。
本発明により、電流コラプスを抑制することが可能な高耐圧の電界効果トランジスタを実現できる。
以下、本発明の実施形態における電界効果トランジスタについて図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る電界効果トランジスタとしてのＨＥＭＴ１００の構成を模式的に示す断面図である。
図１に示すように、ＨＥＭＴ１００は、基板１０１上にバッファ層１０２を介して順次積層された、第１の窒化物半導体層１０３および第２の窒化物半導体層１０４を備える。ＨＥＭＴ１００は、第２の窒化物半導体層１０４上に並んで形成された、ソース電極１０７、ゲート電極１０８およびドレイン電極１０９を備える。
第１の窒化物半導体層１０３は、本発明の第１の半導体層の一例であり、バッファ層１０２上に形成された、第１の窒化物半導体からなる層である。第２の窒化物半導体層１０４は、本発明の第２の半導体層の一例であり、第１の窒化物半導体層１０３上に形成された、第１の窒化物半導体よりもバンドギャップの大きな第２の窒化物半導体からなる層である。
以下、ＨＥＭＴ１００が備える第１の窒化物半導体層１０３について説明する。
本発明者らは、ＨＥＭＴ１００において第１の窒化物半導体層１０３のチャネルの結晶性が電流コラプスと相関関係があると予想した。したがって、図１に示すような構造のＨＥＭＴ１００を第１の窒化物半導体層１０３の結晶性を変化させて複数枚作製し、第１の窒化物半導体層１０３についてＸ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅と電流コラプスとの対応関係を調べた。なお、測定サンプルとしては、第１の窒化物半導体層１０３を厚さ２μｍのＧａＮで構成したものが用いられた。
図２は、Ｘ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅と電流コラプス度Ｒaf／Ｒbfとの関係を表すグラフである。
ここで、Ｘ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅とは、ωスキャンモードで測定した（１０１２）面に対するＸ線回折によって得られるロッキングカーブの半値全幅を表す。図２に示すＸ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅の値は、ＣｕのＫα線（波長λ＝１．５４Å）を用いたＸ線回折によるロッキングカーブの半値全幅を示している。なお、ロッキングカーブを取得する際に使用するＸ線は、ＣｕのＫα線に限定して解釈する必要はなく、ＭｏのＫα線等、他のＸ線が用いられてもよい。
一方、図２に示す電流コラプス度の測定方法は以下の通りである。例えば図１に示すような構造のＨＥＭＴ１００において、ソース電極１０７に０Ｖ、ゲート電極１０８に０Ｖ、基板１０１に０Ｖ、ドレイン電極１０９に２Ｖの電圧を与え、ソース・ドレイン間の抵抗を測定し、これをＲbfとする。次に、いったんゲート電極１０８に−５Ｖ、ドレイン電極１０９に２００Ｖを与えることでＨＥＭＴ１００をオフ状態にして３０秒間保持する。そのあと再度ドレイン電極１０９に２Ｖの電圧を印加し、ソース・ドレイン間の抵抗を測定し、これをＲafとする。このとき、電流コラプスが生じ、ソース・ドレイン間の抵抗は増大している。この増大率Ｒaf／Ｒbfは電流コラプスの大きさを表す指標として取り扱うことが可能である。
図２に示すように、電流コラプス度Ｒaf／Ｒbfの値が大きいと電流コラプスが悪く、小さいと電流コラプスがよい。また、Ｘ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅が小さくなるにつれて電流コラプス度が大きくなる（電流コラプスが悪化する）。特に、Ｘ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅は８００ａｒｃｓｅｃ以下において電流コラプスの悪化が著しい。したがって、第１の窒化物半導体層１０３は、第２の窒化物半導体層１０４との接合面でＸ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅が８００ａｒｃｓｅｃ以上となるように形成される。好ましくは、チャネルとして機能する第１の窒化物半導体層１０３の第２の窒化物半導体層１０４と接する部分（第１の窒化物半導体層１０３における、第２の窒化物半導体層１０４との接合面から１００ｎｍの範囲の部分）で、Ｘ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅が８００ａｒｃｓｅｃ以上となるように形成される。
ここで、第１の窒化物半導体層１０３についてのＸ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅は第１の窒化物半導体層１０３中に存在する貫通転位密度に対応づけることが可能である。図３は、第１の窒化物半導体層１０３のＸ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅と第１の窒化物半導体層１０３の中に存在する貫通転位密度との関係を表したもの（Ｐ．Ｇａｙ，Ｐ．Ｂ．Ｈｉｒｓｃｈ，Ａ．Ｋｅｌｌｙ，Ａｃｔａ Ｍｅｔａｌ，１（１９５３），３１５．を参考）である。
図３に示すように、第１の窒化物半導体層１０３についてＸ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅８００ａｒｃｓｅｃ以上とは、第１の窒化物半導体層１０３の貫通転位密度が２×１０9ｃｍ-2以上と換算できる。したがって、第１の窒化物半導体層１０３は、第２の窒化物半導体層１０４との接合面、好ましくはチャネルとして機能する第２の窒化物半導体層１０４と接する部分で、貫通転位密度が２×１０9ｃｍ-2以上となるように形成される。
図４は、Ｘ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅とチャネルのシート抵抗との関係を示すグラフである。
図４に示すように、第１の窒化物半導体層１０３のＸ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅が広くなるにつれてチャネルとしての第１の窒化物半導体層１０３のシート抵抗が増大していく傾向が認められる。ここで、シート抵抗は１２００Ω／ｓｑ．以下であれば実用上使用することができる。したがって、Ｘ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅は１９００ａｒｃｓｅｃ以下である必要がある。そして、このＸ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅の１９００ａｒｃｓｅｃ以下とは、貫通転位密度に換算すると、図３より１．６×１０10ｃｍ-2以下と換算できる。その結果、第１の窒化物半導体層１０３は、第２の窒化物半導体層１０４との接合面で貫通転位密度が１．６×１０10ｃｍ-2以下となるように形成される。好ましくは、チャネルとして機能する、第１の窒化物半導体層１０３の第２の窒化物半導体層１０４と接する部分で、貫通転位密度が１．６×１０10ｃｍ-2以下となるように形成される。
ここで、厚さ１μｍの第１の窒化物半導体層１０３を用いた場合には、ＨＥＭＴ１００の耐圧が４００Ｖ以下となり、実用上十分な耐圧を有していない。これは、ソース・ドレイン間に強い電圧が印加されたとき、導電性の基板１０１を通してソース・ドレイン間のブレイクダウンが生じるためである。したがって、より高い耐圧のＨＥＭＴ１００を作製するためには、ソース・基板間およびドレイン・基板間の耐圧を高耐圧化する、つまり第１の窒化物半導体層１０３の膜厚を厚くする必要がある。必要とされる第１の窒化物半導体層１０３の膜厚は、例えばＨＥＭＴ１００の耐圧として８００Ｖ以上の耐圧が必要とされる場合には４μｍ以上、６００Ｖ以上の耐圧が必要とされる場合には３μｍ以上、４００Ｖ以上の耐圧が必要とする場合には２μｍ以上の膜厚が望ましい。ところが、図５の第１の窒化物半導体層１０３の膜厚とＸ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅との関係を示すグラフの通り、一般的に第１の窒化物半導体層１０３の膜厚を増やしていくと転位の消滅により貫通転位密度が低減し、Ｘ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅は狭くなり、その結果、電流コラプスが悪化する。すなわち、第１の窒化物半導体層１０３の膜厚が厚くなるにしたがい、耐圧や移動度は高くなるが、電流コラプスは逆に悪化するというトレードオフの関係が生じる。
本発明者は、以上述べた、高耐圧化に必要な第１の窒化物半導体層１０３の厚膜化とそれに伴う電流コラプスの悪化というトレードオフ関係を打破するため、第１の窒化物半導体層１０３の一部としてＸ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅を広くするための層を挿入することにより、電流コラプスが改善することを見出した。したがって、第１の窒化物半導体層１０３内には、Ｘ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅を広くするための貫通転位密度が積層方向に増大する領域が設けられる。ここで、貫通転位密度が積層方向に増大する領域は、積層方向については第１の窒化物半導体層１０３の微小な領域に設けられていれば良いが、積層方向に垂直な方向（面内方向）については第１の窒化物半導体層１０３の所定の幅以上の幅を持った領域に設けられていることが好ましい。具体的には、ソース電極１０７およびドレイン電極１０９の間の距離の半分以上の面内方向の幅の領域に設けられていることが好ましい。なぜならば、面内方向について第１の窒化物半導体層１０３の微小な領域でのみ貫通転位密度が積層方向に増大する場合、その領域の真上に位置するチャネルの一部ではチャネルの空乏化は改善されるが、チャネルのその他の部分では空乏化が改善されず、ＨＥＭＴ１００全体の特性としてみたときに電流コラプスが十分に改善されるとは言えないからである。電流コラプスの改善を確実にするためには、第１の窒化物半導体層１０３のチャネルが形成されＨＥＭＴ１００として機能する領域、つまりソース電極１０７およびドレイン電極１０９で挟まれる領域（図１の領域Ａ）において、面内方向の概ね全領域、すなわちチャネルが形成される概ね全領域にわたって、貫通転位密度が積層方向に増大する領域が設けられることが好ましい。そして、第１の窒化物半導体層１０３には、貫通転位密度が積層方向に減少する領域がさらに設けられることが好ましい。さらに、高耐圧化のため第１の窒化物半導体層１０３の膜厚は２μｍ以上とされることが好ましい。
以上のように本実施形態のＨＥＭＴ１００によれば、第１の窒化物半導体層１０３の第２の窒化物半導体層１０４との接合面の貫通転位密度は２×１０9ｃｍ-2以上かつ１．６×１０10ｃｍ-2以下となるように形成される。したがって、シート抵抗を実用上使用できる範囲に抑えつつ電流コラプスを抑制することができる。
また、本実施形態のＨＥＭＴ１００によれば、第１の窒化物半導体層１０３の全てではなく一部（少なくとも第２の窒化物半導体層１０４との接合面、好ましくは、チャネルとして機能する、第１の窒化物半導体層１０３の第２の窒化物半導体層１０４との接合面から１００ｎｍの範囲）が２×１０9ｃｍ-2以上の高い貫通転位密度の領域とされ、その他の領域は低い貫通転位密度の領域とされる。したがって、高耐圧と電流コラプスの抑制とを両立することができる。
（実施例１）
本実施形態のＨＥＭＴ１００の応用例を、実施例１によって示す。
図６は、本実施例に係るＨＥＭＴ２００の構成を模式的に示す断面図である。
図６に示すように、ＨＥＭＴ２００は、基板２０１上にバッファ層２０２を介して順次積層された、アンドープＧａＮ層２０３、結晶性コントロール層２０４、アンドープＧａＮ層２０５、およびアンドープＡｌＧａＮ層２０６を備える。なお、アンドープＧａＮ層２０３は、本発明の第３の半導体層の一例であり、アンドープＧａＮ層２０５は本発明の第４の半導体層の一例である。
基板２０１は、例えばＳｉ基板、ＳｉＣ基板、サファイア基板またはＧａＮ基板等である。バッファ層２０２は、低温成長により形成された例えばＡｌＮからなる半導体層である。
結晶性コントロール層２０４は、アンドープＡｌＮとＧａＮで構成された超格子構造体からなる半導体層であり、結晶性コントロール層２０４では貫通転位密度が積層方向に増大する。ここでいう「超格子構造」とは、例えば膜厚５ｎｍのＡｌＮと膜厚２０ｎｍのＧａＮとを１ペアとして、これを２０ペア交互に積層した構造である。
アンドープＧａＮ層２０３の膜厚は例えば１．５μｍであり、アンドープＧａＮ層２０５の膜厚は例えば１μｍである。
アンドープＧａＮ層２０３およびアンドープＧａＮ層２０５は、通常の結晶成長により不純物も添加されることなく形成される単一の半導体層であるため、貫通転位密度が積層方向に減少する。ただし、結晶性コントロール層２０４で貫通転位密度が大きくなるため、結晶性コントロール層２０４の上方に形成されたアンドープＧａＮ層２０５の貫通転位密度は、下方に形成されたアンドープＧａＮ層２０３の貫通転位密度に比べ大きくなる。
アンドープＧａＮ層２０３、結晶性コントロール層２０４およびアンドープＧａＮ層２０５は、本実施形態のＨＥＭＴ１００における第１の窒化物半導体層１０３を構成する。同様に、アンドープＡｌＧａＮ２０６層は、本実施形態のＨＥＭＴ１００における第２の窒化物半導体層１０４を構成する。
ＨＥＭＴ２００は、さらに、アンドープＡｌＧａＮ２０６層上に並んで形成された、ソース電極２０７、ゲート電極２０８およびドレイン電極２０９を備える。
オーミック電極としてのソース電極２０７およびドレイン電極２０９は、それぞれアンドープＡｌＧａＮ層２０６上に積層されたＴｉ層とＡｌ層とから構成されている。ショットキー電極としてのゲート電極２０８は、アンドープＡｌＧａＮ層２０６上に積層されたＰｔ層とＡｕ層とから構成されている。
本実施例に係るＨＥＭＴ２００における貫通転位密度の膜厚方向依存性の模式図を図７（Ｇ）中の曲線８００に示し、結晶構造の模式図を図７（Ａ）に示す。
図７（Ａ）および図７（Ｇ）に示すように、アンドープＧａＮ層２０３により積層方向（ＧａＮ成長方向）に貫通転位密度が単調減少するが、結晶性コントロール層２０４の超格子構造により貫通転位密度が一旦増大する。その後、アンドープＧａＮ層２０５により積層方向（ＧａＮ成長方向）に貫通転位密度が再び減少していき、その結果、アンドープＧａＮ層２０５のアンドープＡｌＧａＮ層２０６との接合面でのＸ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅は１０００ａｒｃｓｅｃとなり、貫通転位密度に換算して４．４×１０9ｃｍ-2となる。このようなＨＥＭＴ２００では、電流コラプス度Ｒaf／Ｒbf＝２．８が達成され、実用上問題ないレベルとなった。また、第１の窒化物半導体層１０３が全体として２．５μｍとなり、このときの耐圧は５００Ｖと、日本の商用電源において必要とされる耐圧４００Ｖを超えることができた。
以上のように本実施例のＨＥＭＴ２００によれば、チャネルの結晶性が結晶性コントロール層２０４によりコントロールされ、貫通転位密度が２×１０9ｃｍ-2以上１．６×１０10ｃｍ-2以下になるように調整される。したがって、シート抵抗を実用上使用できる範囲に抑えつつ電流コラプスを抑制することができる。
また、本実施例のＨＥＭＴ２００によれば、貫通転位密度が大きい結晶性コントロール層２０４の他に、貫通転位密度が積層方向に単調減少するアンドープＧａＮ層２０３およびアンドープＧａＮ層２０５が設けられる。したがって、高耐圧と電流コラプスの抑制とを両立することができる。
（実施例２）
本実施形態のＨＥＭＴ１００の応用例を、実施例２によって示す。
図８は、本実施例に係るＨＥＭＴ３００の構成を模式的に示す断面図である。
図８に示すように、ＨＥＭＴ３００は、基板２０１上にバッファ層２０２を介して順次積層された、アンドープＧａＮ層３０３、結晶性コントロール層３０４、およびアンドープＡｌＧａＮ層２０６を備える。ＨＥＭＴ３００は、さらに、アンドープＡｌＧａＮ２０６層上に並んで形成された、ソース電極２０７、ゲート電極２０８およびドレイン電極２０９を備える。
結晶性コントロール層３０４は、例えば１μｍのＧａＮからなる半導体層であり、通常の成長温度である１０２０℃に比べて低温（９００℃〜１０００℃）もしくは高温（１０４０℃〜１１００℃）でＧａＮを結晶成長させて形成される。従って、結晶性コントロール層３０４では、貫通転位密度が積層方向に徐々に増大する。
アンドープＧａＮ層３０３の膜厚は例えば１．５μｍである。アンドープＧａＮ層３０３は、通常の結晶成長により不純物も添加されることなく形成される単一の半導体層であるため、貫通転位密度が積層方向に減少する。
アンドープＧａＮ層３０３および結晶性コントロール層３０４は、本実施形態のＨＥＭＴ１００における第１の窒化物半導体層１０３を構成する。
本実施例に係るＨＥＭＴ３００における貫通転位密度の膜厚方向依存性の模式図を図７（Ｇ）中の曲線８０１に示し、結晶構造の模式図を図７（Ｂ）に示す。
図７（Ｂ）および図７（Ｇ）に示すように、アンドープＧａＮ層３０３により積層方向（ＧａＮ成長方向）に貫通転位密度が単調減少するが、結晶性コントロール層３０４により積層方向（ＧａＮ成長方向）に貫通転位密度が徐々に増大する。例えば、成長温度を１０５０℃として１μｍのＧａＮを成長させて結晶性コントロール層３０４を形成した場合、結晶性コントロール層３０４のアンドープＡｌＧａＮ層２０６との接合面でのＸ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅は１０５０ａｒｃｓｅｃとなり、貫通転位密度に換算して４．９×１０9ｃｍ-2となる。これにより、ＨＥＭＴ３００の電流コラプス度Ｒaf／Ｒbfは２．７となり、実用上問題ないレベルにまで電流コラプスを抑えることができる。
なお、上記実施例において、第１の窒化物半導体層１０３はアンドープＧａＮ層３０３および結晶性コントロール層３０４より構成され、貫通転位密度が単調減少する領域としてのアンドープＧａＮ層３０３を備えるとした。しかし、第１の窒化物半導体層１０３は結晶性コントロール層３０４より構成され、貫通転位密度が単調増加する領域のみを備えてもよい。この場合のＨＥＭＴ３００の構成を図９の断面図に模式的に表し、貫通転位密度の膜厚方向依存性の模式図を図７（Ｇ）中の曲線８０２に示し、結晶構造の模式図を図７（Ｃ）に示す。図７（Ｃ）および図７（Ｇ）に示すように、結晶性コントロール層３０４により積層方向（ＧａＮ成長方向）に貫通転位密度が徐々に増大する。
また同様に、第１の窒化物半導体層１０３はアンドープＧａＮ層３０３、結晶性コントロール層３０４およびアンドープＧａＮ層３０５より構成され、結晶性コントロール層３０４の上に貫通転位密度が単調減少する領域を備えてもよい。アンドープＧａＮ層３０５は、通常の結晶成長により不純物も添加されることなく形成される単一の半導体層である。この場合のＨＥＭＴ３００の構成を図１０の断面図に模式的に表し、貫通転位密度の膜厚方向依存性の模式図を図７（Ｇ）中の曲線８０３に示し、結晶構造の模式図を図７（Ｄ）に示す。図７（Ｄ）および図７（Ｇ）に示すように、結晶性コントロール層３０４により積層方向（ＧａＮ成長方向）に貫通転位密度が徐々に増大するが、アンドープＧａＮ層３０５により積層方向（ＧａＮ成長方向）に貫通転位密度が徐々に減少する。
（実施例３）
本実施の形態のＨＥＭＴ１００の応用例を、実施例３によって示す。
図１１は、本実施例に係るＨＥＭＴ４００の構成を模式的に示す断面図である。
図１１に示すように、ＨＥＭＴ４００は、基板２０１上にバッファ層２０２を介して順次積層された、アンドープＧａＮ層２０３、結晶性コントロール層４０４および４０５、ならびにアンドープＡｌＧａＮ層２０６を備える。ＨＥＭＴ４００は、さらに、アンドープＡｌＧａＮ２０６層上に並んで形成された、ソース電極２０７、ゲート電極２０８およびドレイン電極２０９を備える。
結晶性コントロール層４０４は、アンドープＡｌＮとＧａＮで構成された超格子構造体からなる半導体層であり、結晶性コントロール層４０４では貫通転位密度が積層方向に増大する。ここでいう「超格子構造」とは、例えば膜厚５ｎｍのＡｌＮと膜厚２０ｎｍのＧａＮとを１ペアとして、これを２０ペア交互に積層した構造である。
結晶性コントロール層４０５は、例えば１μｍのＧａＮからなる半導体層であり、通常の成長温度である１０２０℃に比べて低温（９００℃〜１０００℃）もしくは高温（１０４０℃〜１１００℃）でＧａＮを結晶成長させて形成される。従って、結晶性コントロール層４０５では、貫通転位密度が積層方向に徐々に増大する。
アンドープＧａＮ層２０３、結晶性コントロール層４０４および４０５は、本実施形態のＨＥＭＴ１００における第１の窒化物半導体層１０３を構成する。
本実施例に係るＨＥＭＴ４００における貫通転位密度の膜厚方向依存性の模式図を図７（Ｇ）中の曲線８０４に示し、結晶構造の模式図を図７（Ｅ）に示す。
図７（Ｅ）および図７（Ｇ）に示すように、アンドープＧａＮ層２０３により積層方向（ＧａＮ成長方向）に貫通転位密度が単調減少するが、結晶性コントロール層４０４により貫通転位密度が一旦増大し、さらに結晶性コントロール層４０５によって積層方向（ＧａＮ成長方向）に貫通転位密度が徐々に増大する。その結果、結晶性コントロール層４０５のアンドープＡｌＧａＮ層２０６との接合面でのＸ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅は１０８０ａｒｃｓｅｃとなり、貫通転位密度に換算して５．２×１０9ｃｍ-2となる。これにより、ＨＥＭＴ４００の電流コラプス度Ｒaf／Ｒbfは２．９となり、実用上問題ないレベルにまで電流コラプスを抑えることができる。
（実施例４）
本実施の形態のＨＥＭＴ１００の応用例を、実施例４によって示す。
図１２は、本実施例に係るＨＥＭＴ５００の構成を模式的に示す断面図である。
図１２に示すように、ＨＥＭＴ５００は、基板２０１上にバッファ層２０２を介して順次積層された、アンドープＧａＮ層２０３、結晶性コントロール層５０４、アンドープＧａＮ層５０５、結晶性コントロール層５０６および５０７、ならびにアンドープＡｌＧａＮ層２０６を備える。ＨＥＭＴ５００は、さらに、アンドープＡｌＧａＮ２０６層上に並んで形成された、ソース電極２０７、ゲート電極２０８およびドレイン電極２０９を備える。
結晶性コントロール層５０４および５０６は、それぞれアンドープＡｌＮとＧａＮで構成された超格子構造体からなる半導体層であり、結晶性コントロール層５０４および５０６では貫通転位密度が積層方向に増大する。ここでいう「超格子構造」とは、例えば膜厚５ｎｍのＡｌＮと膜厚２０ｎｍのＧａＮとを１ペアとして、これを２０ペア交互に積層した構造である。
アンドープＧａＮ層５０５は、通常の結晶成長により不純物も添加されることなく形成される単一の半導体層であるため、貫通転位密度が積層方向に減少する。アンドープＧａＮ層５０５の膜厚は例えば０．５μｍである。
結晶性コントロール層５０７は、例えば１μｍのＧａＮからなる半導体層であり、通常の成長温度である１０２０℃に比べて低温（９００℃〜１０００℃）もしくは高温（１０４０℃〜１１００℃）でＧａＮを結晶成長させて形成される。従って、結晶性コントロール層５０７では、貫通転位密度が積層方向に徐々に増大する。
アンドープＧａＮ層２０３、結晶性コントロール層５０４、５０６および５０７ならびにアンドープＧａＮ層５０５は、本実施形態のＨＥＭＴ１００における第１の窒化物半導体層１０３を構成する。
本実施例に係るＨＥＭＴ５００における貫通転位密度の膜厚方向依存性の模式図を図７（Ｇ）中の曲線８０５に示し、結晶構造の模式図を図７（Ｆ）に示す。
図７（Ｆ）および図７（Ｇ）に示すように、アンドープＧａＮ層２０３により積層方向（ＧａＮ成長方向）に貫通転位密度は単調減少するが、結晶性コントロール層５０４の超格子構造により貫通転位密度が一旦増大する。その後、アンドープＧａＮ層５０５により一旦貫通転位密度が減少し、その後再び結晶性コントロール層５０６の超格子構造により貫通転位密度が一旦増大し、さらに結晶性コントロール層５０７により貫通転位密度が徐々に増大する。その結果、結晶性コントロール層５０７のアンドープＡｌＧａＮ層２０６との接合面でのＸ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅は１１００ａｒｃｓｅｃとなり、貫通転位密度に換算して５．３×１０9ｃｍ-2となる。これにより、ＨＥＭＴ５００の電流コラプス度Ｒaf／Ｒbfは２．５となり、実用上問題ないレベルにまで電流コラプスを抑えることができる。
以上、本発明の電界効果トランジスタについて、実施形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施形態に限定されるものではない。本発明の要旨を逸脱しない範囲内で当業者が思いつく各種変形を施したものも本発明の範囲内に含まれる。
例えば、上記実施形態において第１の窒化物半導体層１０３（チャネルとして機能するＧａＮ層）は結晶性コントロール層を含むとした。しかし、第１の窒化物半導体層１０３の第２の窒化物半導体層１０４との接合面で、Ｘ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅が８００から１９００ａｒｃｓｅｃの間であり、貫通転位密度に換算して２×１０9ｃｍ-2以上４．４×１０10ｃｍ-2以下であればこれに限られない。このような領域は、第１の窒化物半導体層１０３の形成条件を適切にコントロールすることにより形成される。
すなわち、アンモニアとトリメチルガリウムの流量比（Ｖ族元素およびＩＩＩ族元素の比）を増大させながらバッファ層１０２上にＧａＮ層を結晶成長させ、Ｖ族元素およびＩＩＩ族元素の比を１１５０とし、ＧａＮ層を２μｍ成長させることにより形成される。この場合、チャネルでのＸ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅は９５０ａｒｃｓｅｃとなり、貫通転位密度に換算して４．０×１０9ｃｍ-2となる。これにより、ＨＥＭＴの電流コラプス度Ｒaf／Ｒbfは３．５となり、実用上問題ないレベルにまで電流コラプスを抑えることができる。
また、バッファ層１０２上にＧａＮ層を結晶成長させる際にＢ、Ａｓ、ＰもしくはＮなどの不純物を１０16ｃｍ-3以上の不純物濃度でドーピングすることにより形成される。形成されたＧａＮ層はＢ、Ａｓ、Ｐ又はＮなどの不純物を１０16ｃｍ-3以上の不純物濃度で含有する。これらドーパント原子とＮ原子の大きさの違いからＧａＮの格子定数が歪んでＧａＮ層には転位が導入される。この場合、チャネルでのＸ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅が８５０ａｒｃｓｅｃとなり、貫通転位密度に換算して３．２×１０9ｃｍ-2となる。これにより、ＨＥＭＴの電流コラプス度Ｒaf／Ｒbfは３．８となり、実用上問題ないレベルにまで電流コラプスを抑えることができる。
また、上記実施形態において第１の窒化物半導体層１０３はＧａＮから構成されるとしたが、ＧａＮ以外にも、ＡｌおよびＩｎなどを含んだＡｌ1-x-yＧａxＩｎyＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）系の半導体材料から構成されてもかまわない。
本発明は、電界効果トランジスタとして有用であり、特エアコンなどの民生機器の電源回路等で用いられるパワートランジスタとして有用である。
本発明の実施形態に係る窒化物電界効果トランジスタとしてのＨＥＭＴの構成を模式的に示す断面図である。 Ｘ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅と電流コラプス度Ｒaf／Ｒbfとの関係を表す図である。 貫通転位密度とＸ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅との関係を表す図である。 Ｘ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅とチャネルのシート抵抗との関係を示すグラフである。 Ｘ線ロッキングカーブの（１０１２）線の半値全幅と第１の窒化物半導体層の膜厚との関係を表すグラフである。 実施例１に係るＨＥＭＴの構成を模式的に示す断面図である。 各実施例に係るＨＥＭＴにおいて積層方向にＸ線（１０１２）線の半値全幅が変化する様子を模式的に表したグラフである。 実施例２に係るＨＥＭＴの構成を模式的に示す断面図である。 実施例２に係るＨＥＭＴの変形例の構成を模式的に示す断面図である。 実施例２に係るＨＥＭＴの変形例の構成を模式的に示す断面図である。 実施例３に係るＨＥＭＴの構成を模式的に示す断面図である。 実施例４に係るＨＥＭＴの構成を模式的に示す断面図である。 従来の電界効果型トランジスタの構成を模式的に示す断面図である。
符号の説明
１００、２００、３００、４００、５００ ＨＥＭＴ
１０１、２０１ 基板
１０２、２０２ バッファ層
１０３ 第１の窒化物半導体層
１０４ 第２の窒化物半導体層
１０７、２０７、７０５ ソース電極
１０８、２０８、７０６ ゲート電極
１０９、２０９、７０７ ドレイン電極
２０３、２０５、３０３、５０５、７０３ アンドープＧａＮ層
２０４、３０４、４０４、４０５、５０４、５０６、５０７ 結晶性コントロール層
２０６、７０４ アンドープＡｌＧａＮ層
７０１ Ｓｉ基板
７０２ 低温ＡｌＮバッファ層
８００、８０１、８０２、８０３、８０４、８０５ 曲線

Claims (9)

  1. 第１の窒化物半導体からなる第１の半導体層と、
    前記第１の半導体層上に形成され、前記第１の窒化物半導体よりもバンドギャップの大きな第２の窒化物半導体からなる第２の半導体層とを備え、
    前記第１の半導体層は、貫通転位密度が積層方向に増大する領域を有している
    電界効果トランジスタ。
  2. 前記第１の半導体層は、第３の半導体層と、前記第３の半導体層上に形成された結晶性コントロール層と、前記結晶性コントロール層上に形成された第４の半導体層とを有し、
    前記結晶性コントロール層では、貫通転位密度が積層方向に増大し、
    前記第４の半導体層の貫通転位密度は、前記第３の半導体層の貫通転位密度に比べ大きい
    請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
  3. 前記第１の半導体層の前記第２の半導体層との接合面での貫通転位密度は、２×１０9ｃｍ-2以上である
    請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
  4. 前記第１の半導体層は、貫通転位密度が積層方向に減少する領域を有している
    請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
  5. 前記第１の半導体層の膜厚は、２μｍ以上である
    請求項１〜４のいずれか１項に記載の電界効果トランジスタ。
  6. 前記第１の半導体層は、前記貫通転位密度が積層方向に増大する領域として、ＧａＮおよびＡｌＮからなる超格子構造の層を有する
    請求項１〜５のいずれか１項に記載の電界効果トランジスタ。
  7. 前記第１の半導体層は、前記貫通転位密度が積層方向に増大する領域として、ＧａＮからなり、９００℃〜１０００℃又は１０４０℃〜１１００℃の温度で結晶成長させて形成される層を有する
    請求項１〜５のいずれか１項に記載の電界効果トランジスタ。
  8. 前記第１の半導体層は、前記貫通転位密度が積層方向に増大する領域として、Ｂ、Ａｓ、Ｐ又はＮを１０16ｃｍ-3以上の不純物濃度で含有する層を有する
    請求項１〜５のいずれか１項に記載の電界効果トランジスタ。
  9. 前記第１の半導体層は、Ｖ族元素およびＩＩＩ族元素の比を増大させながら結晶成長させて形成される
    請求項１〜５のいずれか１項に記載に電界効果トランジスタ。
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