JP2010118444A

JP2010118444A - 回路基板及び回路基板の製造方法

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Publication number: JP2010118444A
Application number: JP2008289799A
Authority: JP
Inventors: Yasunori Karasawa; 泰紀柄澤; Tatsuo Fukuda; 達夫福田
Original assignee: Lintec Corp
Current assignee: Lintec Corp
Priority date: 2008-11-12
Filing date: 2008-11-12
Publication date: 2010-05-27

Abstract

【課題】ディスプレイ用、特に平面ディスプレイ用の各画素を制御するために用いられる信頼性の高い回路基板を提供する。
【解決手段】エネルギー線硬化型高分子材料から得られた回路基板用樹脂シートに回路チップを埋め込み、これにエネルギー線を照射して硬化させた回路基板であって、回路チップが埋め込まれた側の硬化後におけるシート表面のケイ素原子含有率が５原子％以下であることを特徴とする回路基板である。
【選択図】図１

Description

本発明は、回路基板及び回路基板の製造方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、誤作動や回路破壊が生じず信頼性の高い回路基板及び回路基板の製造方法に関するものである。

従来、液晶ディスプレイで代表される平面ディスプレイにおいては、例えばガラス基板上にＣＶＤ法（化学的気相蒸着法）などにより絶縁膜、半導体膜などを順次積層し、半導体集積回路を作製するのと同じ工程を経て、画面を構成する各画素近傍に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などの微小電子デバイスを形成し、これにより各画素のオン、オフ、濃淡の制御が行われている。すなわち、ガラス基板上にて、ＴＦＴなどの微小電子デバイスをその場で作製しているのである。しかしながら、このような技術においては、工程が多段階で煩雑であってコスト高になるのを免れず、また、ディスプレイ面積が拡大すると、ガラス基板上に膜を形成するためのＣＶＤ装置なども大型化し、コストが飛躍的に上昇するなどの問題がある。
そこで、コスト削減を目的として、微小な結晶シリコン集積回路チップを印刷インクのように印刷原板に付着させ、それを印刷技術などの手段により、ディスプレイ用のガラス基板上の所定箇所に移し、固定させる技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。この場合、ガラス基板上に、予め高分子フィルムを形成しておき、これに微小な結晶シリコン集積回路チップを印刷技術などの手段で移し、熱成形や加熱プレスなどの方法により、該チップを高分子フィルムに埋め込むことが行われる。しかしながら、このような方法では、高分子フィルムの歪みや発泡などの不具合が発生しやすい上、加熱に時間がかかるため効率的ではない。

また、前記高分子フィルムの代わりにエネルギー線硬化型高分子材料からなる回路基板用樹脂シートを用いて、回路チップ埋め込み時及び埋め込み後のそれぞれの貯蔵弾性率を所定範囲にコントロールすることにより、加熱を行なわなくても回路チップ埋め込みが可能な回路基板用シートが開示されている（例えば、特許文献２参照）。
特開２００３−２４８４３６号公報特開２００６−３２３３３５号公報

しかしながら、前記特許文献２における回路基板用樹脂シートにおいては、回路チップが埋め込まれた硬化シート表面に、回路用の配線パターン形成のためのフォトレジストを塗布した際に、フォトレジスト膜にピンホールやハジキといった不都合が発生し、その結果、最終的に形成される配線パターンが設計とは異なるものになり、誤作動や過大な電流による回路破壊などの問題が発生することが、本発明者らの研究により分かった。
また、上記問題を回避するために、フォトレジスト液を複数回塗布することは、工程の煩雑化の要因となり、歩留まりにも影響する。
本発明は、このような状況下になされたもので、ディスプレイ用、特に平面ディスプレイ用の各画素を制御するために用いられる信頼性の高い回路基板及び回路基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、回路基板を製造するための回路基板用樹脂シートとして、エネルギー線硬化型高分子材料から得られたものを用い、かつその硬化後におけるシート表面のケイ素原子含有率が特定の値以下とすることにより、品質のよい回路基板を提供することができ、その目的を達成し得ることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、
［１］エネルギー線硬化型高分子材料から得られた回路基板用樹脂シートに回路チップを埋め込み、これにエネルギー線を照射して硬化させた回路基板であって、回路チップが埋め込まれた側の硬化後におけるシート表面のケイ素原子含有率が５原子％以下であることを特徴とする回路基板、
［２］回路チップが埋め込まれた側の表面に、配線が形成されてなる上記[１]項に記載の回路基板、
［３］エネルギー線硬化型高分子材料から得られた回路基板用樹脂シートと、回路基板用樹脂シートの回路チップが埋め込まれる側の面に貼合される対面フィルムとの間に回路チップを配置し、前記回路基板用樹脂シートに回路チップを埋め込みエネルギー線を照射して該回路基板用樹脂シートを硬化させ、対面フィルムを剥離することを特徴とする上記[１]又は[２]項に記載の回路基板の製造方法、及び
［４］対面フィルムの回路基板用樹脂シートに貼合される面が、シリコーン系剥離剤層を有さない上記[３]項に記載の回路基板の製造方法、
を提供するものである。

本発明によれば、ディスプレイ用、特に平面ディスプレイ用の各画素を制御するために回路チップが埋め込まれた信頼性の高い回路基板を提供することができる。

まず、本発明の回路基板に用いられる回路基板用樹脂シートについて説明する。
［回路基板用樹脂シート］
本発明で用いる回路基板用樹脂シート（以下、単に樹脂シートと称することがある。）は、回路チップを埋め込むためのエネルギー線硬化型高分子材料から得られた樹脂シートである。

（エネルギー線硬化型高分子材料）
本発明において、エネルギー線硬化型高分子材料とは、電磁波又は荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するもの、すなわち紫外線又は電子線などを照射することにより、架橋する高分子材料を指す。
本発明で用いる前記エネルギー線硬化型高分子材料としては、例えば、(メタ)アクリル酸エステル系重合体とエネルギー線硬化型重合性オリゴマー及び／又は重合性モノマーと所望により光重合開始剤を含む高分子材料を挙げることができる。
前記高分子材料において、(メタ)アクリル酸エステル系重合体としては、エステル部分のアルキル基の炭素数が１〜２０の(メタ)アクリル酸エステルと、所望により用いられる活性水素をもつ官能基を有する単量体及び他の単量体との重合体、すなわち(メタ)アクリル酸エステル系重合体を好ましく挙げることができる。本発明において、「(メタ)アクリル酸・・・」とは「アクリル酸・・・」及び「メタクリル酸・・・」の両方を意味する。

ここで、エステル部分のアルキル基の炭素数が１〜２０の(メタ)アクリル酸エステルの例としては、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸ペンチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸２−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸イソオクチル、(メタ)アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸ドデシル、(メタ)アクリル酸ミリスチル、(メタ)アクリル酸パルミチル、(メタ)アクリル酸ステアリルなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
一方、所望により用いられる活性水素をもつ官能基を有する単量体としては、例えば(メタ)アクリル酸２−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸３−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸２−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸３−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸４−ヒドロキシブチルなどの(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキルエステルなどの水酸基含有単量体、(メタ)アクリル酸モノメチルアミノエチル、(メタ)アクリル酸モノエチルアミノエチル、(メタ)アクリル酸モノメチルアミノプロピル、(メタ)アクリル酸モノエチルアミノプロピルなどの(メタ)アクリル酸モノアルキルアミノアルキル；アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、イタコン酸、シトラコン酸などのエチレン性不飽和カルボン酸などを適宜用いることができる。

また、所望により用いられる他の単量体の例としては酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルなどのビニルエステル類；エチレン、プロピレン、イソブチレンなどのオレフィン類；塩化ビニル、ビニリデンクロリドなどのハロゲン化オレフィン類；スチレン、α−メチルスチレンなどのスチレン系単量体；ブタジエン、イソプレン、クロロプレンなどのジエン系単量体；アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのニトリル系単量体；アクリルアミド、Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルアクリルアミドなどのアクリルアミド類などが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。(メタ)アクリル酸エステル系重合体中、これらの単量体単位は、０〜３０質量％含有することができる。
該高分子材料において、アクリル系重合体として用いられる(メタ)アクリル酸エステル系重合体は、その共重合形態については特に制限はなく、ランダム、ブロック、グラフト共重合体のいずれであってもよい。また、分子量は、重量平均分子量で５万〜２００万が好ましい。
なお、上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定した標準ポリスチレン換算の値である。
本発明においては、この(メタ)アクリル酸エステル系重合体は１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

また、エネルギー線硬化型重合性オリゴマーとしては、例えばポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系、ウレタンアクリレート系、ポリエーテルアクリレート系、ポリブタジエンアクリレート系、シリコーンアクリレート系などのオリゴマーが挙げられる。ここで、ポリエステルアクリレート系オリゴマーとしては、例えば多価カルボン酸と多価アルコールの縮合によって得られる両末端に水酸基を有するポリエステルオリゴマーの水酸基を(メタ)アクリル酸でエステル化することにより、あるいは、多価カルボン酸にアルキレンオキシドを付加して得られるオリゴマーの末端の水酸基を(メタ)アクリル酸でエステル化することにより得ることができる。エポキシアクリレート系オリゴマーは、例えば、比較的低分子量のビスフェノール型エポキシ樹脂やノボラック型エポキシ樹脂のオキシラン環に、(メタ)アクリル酸を反応しエステル化することにより得ることができる。また、このエポキシアクリレート系オリゴマーを部分的に二塩基性カルボン酸無水物で変性したカルボキシル変性型のエポキシアクリレートオリゴマーも用いることができる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、例えば、ポリエーテルポリオールやポリエステルポリオールとポリイソシアナートの反応によって得られるポリウレタンオリゴマーを、(メタ)アクリル酸でエステル化することにより得ることができ、ポリオールアクリレート系オリゴマーは、ポリエーテルポリオールの水酸基を(メタ)アクリル酸でエステル化することにより得ることができる。
上記重合性オリゴマーの重量平均分子量は、ＧＰＣ法で測定した標準ポリスチレン換算の値で、好ましくは５００〜１００,０００、より好ましくは１,０００〜７０,０００さらに好ましくは３,０００〜４０,０００の範囲で選定される。
この重合性オリゴマーは、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

一方、エネルギー線硬化型重合性モノマーとしては、例えば(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸２−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸ラウリル、(メタ)アクリル酸ステアリル、(メタ)アクリル酸イソボルニルなどの単官能性アクリル酸エステル類、ジ(メタ)アクリル酸１,４−ブタンジオールエステル、ジ(メタ)アクリル酸１,６−ヘキサンジオールエステル、ジ(メタ)アクリル酸ネオペンチルグリコールエステル、ジ(メタ)アクリル酸ポリエチレングリコールエステル、ジ(メタ)アクリル酸ネオペンチルグリコールアジペートエステル、ジ(メタ)アクリル酸ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールエステル、ジ(メタ)アクリル酸ジシクロペンタニル、ジ(メタ)アクリル酸カプロラクトン変性ジシクロペンテニル、ジ(メタ)アクリル酸エチレンオキシド変性リン酸エステル、ジ(メタ)アクリル酸アリル化シクロヘキシル、ジ(メタ)アクリル酸イソシアヌレート、ジ(メタ)アクリル酸ジメチロールトリシクロデカン、トリ(メタ)アクリル酸トリメチロールプロパンエステル、トリ(メタ)アクリル酸ジペンタエリスリトールエステル、トリ(メタ)アクリル酸プロピオン酸変性ジペンタエリスリトールエステル、トリ(メタ)アクリル酸ペンタエリスリトールエステル、トリ(メタ)アクリル酸プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパンエステル、イソシアヌル酸トリス(アクリロキシエチル)、ペンタ(メタ)アクリル酸プロピオン酸変性ジペンタエリスリトールエステル、ヘキサ(メタ)アクリル酸ジペンタエリスリトールエステル、ヘプタ(メタ)アクリル酸トリエリスリトールエステル、ヘキサ(メタ)アクリル酸カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールエステル、カプロラクトン変性トリス(アクリロキシエチル)イソシアヌレートなど多官能性アクリル酸エステル類が挙げられる。これらの重合性モノマーは１種用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

また、エネルギー線として、通常紫外線又は電子線が照射されるが、紫外線を照射する際には、光重合開始剤を用いることができる。この光重合開始剤としては、例えばベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイン−ｎ−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、アセトフェノン、ジメチルアミノアセトフェノン、２,２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、１−[４−(２−ヒドロキシエトキシ)−フェニル]−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−(４−モルフォリノフェニル)−ブタノン−１、ビス(２,４,６−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイド、２,４,６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド、２,２−ジメトキシ−１,２−ジフェニルエタン−１−オン、２,２−ジエトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−１−[４−[４−(２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル)−ベンジル]−フェニル]−２−メチル−プロパン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１−[４−(メチルチオ)フェニル]−２−モルフォリノ−プロパン−１−オン、４−(２−ヒドロキシエトキシ)フェニル−２−(ヒドロキシ−２−プロピル)ケトン、ベンゾフェノン、ｐ−フェニルベンゾフェノン、４,４'−ジエチルアミノベンゾフェノン、ジクロロベンゾフェノン、２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、２−アミノアントラキノン、２−メチルチオキサントン、２−エチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２,４−ジメチルチオキサントン、２,４−ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジメチルケタール、ｐ−ジメチルアミン安息香酸エステル、オリゴ[２−ヒドロキシ−２−メチル−１−[４−(１−プロペニル)フェニル]プロパノン]などが挙げられる。これらは１種を用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
配合量は、上述のエネルギー線硬化型高分子材料の固形分１００質量部に対し、通常０.０１〜１０質量部である。

本発明においては、得られる回路基板用樹脂シートのエネルギー線による硬化時の体積収縮を抑え、かつ耐熱性を向上させるなどの目的で、当該エネルギー線硬化型材料に無機微粒子を含有させることができる。
前記無機微粒子としては、例えばチタン、ジルコニウム、スズ、アルミニウム、鉄などの各種金属元素の酸化物や炭化物などを用いることができる。
本発明においては、この無機微粒子は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、その平均粒子径は、透明性、均一分散性、体積収縮の抑制効果などの観点から、３〜５０ｎｍの範囲が好ましく、５〜３０ｎｍの範囲がより好ましい。なお、本発明における平均粒子径はＢＥＴ法による算出値に基づくものである。

前記エネルギー線硬化型高分子材料においては、本発明の効果が損なわれない範囲で、所望により、架橋剤、粘着付与剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、軟化剤などを添加することができる。
前記架橋剤としては、例えばポリイソシアナート化合物、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ジアルデヒド類、メチロールポリマー、アジリジン系化合物、金属キレート化合物、金属アルコキシド、金属塩などが挙げられるが、ポリイソシアナート化合物が好ましく用いられる。この架橋剤は、上述の(メタ)アクリル酸エステル系共重合体の固形分１００質量部に対して、０〜３０質量部配合することができる。
ここで、ポリイソシアナート化合物の例としては、トリレンジイソシアナート、ジフェニルメタンジイソシアナート、キシリレンジイソシアナートなどの芳香族ポリイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナートなどの脂肪族ポリイソシアナート、イソホロンジイソシアナート、水素添加ジフェニルメタンジイソシアナートなどの脂環式ポリイソシアナートなど、及びそれらのビウレット体、イソシアヌレート体、さらにはエチレングリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリコール、トリメチロールプロパン、ヒマシ油などの低分子活性水素含有化合物との反応物であるアダクト体などを挙げることができる。これらの架橋剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

（回路基板用樹脂シートの作製）
以下に、本発明で用いる回路基板用樹脂シートの作製方法について説明するが、本発明はこれにより特に制限されるものではない。
剥離シートの剥離剤層上に、前記エネルギー線硬化型高分子材料を含む適当な濃度に調整された塗工液を、公知の方法、例えばナイフコート法、ロールコート法、バーコート法、ブレードコート法、ダイコート法、グラビアコート法などにより、所定の厚さになるように塗布・乾燥することによって１層構造の回路基板用樹脂シートが形成される。前記剥離シートは回路基板用樹脂シートの保管や保護のため積層されたままであってもよい。さらに、回路基板用樹脂シートの他方の面には、前記剥離シートとは剥離力の異なる剥離シートが積層されてもよいし、積層されずに後述する回路基板用シートの作製にそのまま使用されてもよい。
ここで、回路基板用樹脂シートの厚さは、その使用条件にもよるが、通常５０〜１０００μｍ程度であり、好ましくは８０〜５００μｍである。なお、回路基板用樹脂シートの厚さを大きくする場合、前記回路基板用樹脂シートの製造方法により作製した樹脂層を積層することにより回路基板用樹脂シートとすることができる。

前記剥離シートについては、当該回路基板用樹脂シートにおける、後述する支持体に貼合する側の剥離シートに特に制限はなく、ポリエチレンフィルムやポリプロピレンフィルムなどのポリオレフィンフィルム、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステルフィルムに、シリコーン樹脂などの剥離剤を塗布して剥離剤層を設けたものなどを用いることができる。
一方、当該樹脂シートにおける、回路チップを埋め込む側の剥離シートとしては、硬化後の回路基板用樹脂シートのケイ素原子含有率を５原子％以下とする観点からポリエチレンフィルムやポリプロピレンフィルムなどのポリオレフィンフィルム、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステルフィルムに、アルキド樹脂系剥離剤層、ポリブタジエン系剥離剤層、ポリエチレン系剥離剤層などの非シリコーン系剥離剤層を設けたもの、あるいはシリコーンの移行量の少ないシリコーン系剥離剤層を設けたものなどを用いることができる。シリコーンの移行量の少ないシリコーン系剥離剤としては、剥離コントロール剤（シリコーンレジン）やシリコーンオイル等の移行成分を実質的に含まないものが挙げられる。
この剥離シートの厚さは、通常２０〜１５０μｍ程度である。

本発明の回路基板用樹脂シートは支持体上に形成されていてもよい。（以下、回路基板用シートという）
前記支持体については特に制限はなく、通常ディスプレイ用支持体として使用されている透明支持体の中から、任意のものを適宜選択して用いることができる。このような支持体としてはガラス基板、あるいは板状又はフィルム状のプラスチック支持体などを挙げることができる。ガラス基板としては、例えばソーダライムガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、アルミノケイ酸ガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英などからなる支持体を用いることができる。一方板状又はフィルム状のプラスチック支持体としては、例えばポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルスルフィド樹脂、ポリスルフォン樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂などからなる支持体を用いることができる。これらの支持体の厚さは、用途に応じて適宜選定されるが、通常２０μｍ〜５ｍｍ程度、好ましくは５０μｍ〜２ｍｍである。

本発明の回路基板用シートを作製する方法に特に制限はないが、生産性の面から、例えば下記の第１の方法及び第２の方法を好ましく採用することができる。
第１の方法としては、当該回路基板用シートの作製に用いる樹脂シートとして、樹脂シートの片面に軽剥離型剥離シートが積層され、もう一方の面に重剥離型剥離シートが積層されてなる樹脂シートを使用し、まず、軽剥離型剥離シートを剥がし、その剥がした面を前記支持体と貼り合わせることにより回路基板用シートを作製する。
第２の方法としては、剥離シート上に前記の方法により回路基板用樹脂シートを作製し、その後、直接支持体と貼り合わせることにより回路基板用シートを作製する。

次に、回路基板について説明する。
［回路基板］
本発明の回路基板は、前述のようにして作製された回路基板用樹脂シート面に、回路チップを埋め込み、これにエネルギー線を照射して硬化させ、回路チップが埋め込まれた側の硬化後におけるシート表面のケイ素原子含有率が５原子％以下であることを特徴とする。
本発明の回路基板は、下記の本発明の方法、すなわち、前述のエネルギー線硬化型高分子材料から得られた回路基板用樹脂シートと、回路基板用樹脂シートの回路チップが埋め込まれる側の面に貼合される対面フィルムとの間に回路チップを配置し、前記回路基板用樹脂シートに回路チップを埋め込みエネルギー線を照射して該回路基板用樹脂シートを硬化させ、対面フィルムを剥離することにより、製造することができる。
具体的には、回路基板用樹脂シートの回路チップが埋め込まれる面に向かい合うように貼合して用いられる対面フィルムの上に被埋め込み回路チップを置き、その上に回路基板用シートを回路基板用樹脂シート面（回路基板用樹脂シートが剥離シートと貼り合わされている場合は予め剥がして使用する）が該回路チップに接するように載置し、０.０５〜２.０ＭＰａ程度の荷重下に該チップを、好ましくは０〜１５０℃、より好ましくは５〜１００℃の温度で埋め込み、エネルギー線を照射して回路基板用樹脂シートを硬化させたのち、前記回路チップを置いていた対面フィルムを剥離することにより、本発明の回路基板が得られる。なお、加熱して回路チップを埋め込んだ場合には、エネルギー線の照射は、回路基板用樹脂シートが加熱された状態で行ってもよいし、室温に冷却されてから行ってもよい。
エネルギー線としては、通常紫外線又は電子線が用いられる。紫外線は、高圧水銀ランプ、フュージョン製Ｈランプ、キセノンランプなどで得られ、一方、電子線は電子線加速器などによって得られる。このエネルギー線の中では、特に紫外線が好適である。このエネルギー線の照射量としては、例えば紫外線の場合には、光量で１００〜５０００ｍＪ／ｃｍ²が好ましく、電子線の場合には、１０〜１０００ｋｒａｄ程度が好ましい。

対面フィルムとしては、ある程度の剛性を有し、かつ硬化後の回路基板用樹脂シートに対して剥離性を有するものであればよく特に制限されず、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、シクロポリオレフィンフィルムなどのポリオレフィン系フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルムなどのポリエステル系フィルム、ポリイミドフィルムなどの樹脂シートやガラス板を挙げることができる。対面フィルムの厚さは、通常１０〜１０００μｍ程度、好ましくは２０〜５００μｍである。
また、回路チップを埋め込む側の剥離シートとしてシリコーン系剥離剤層を設けた剥離シートを用いた際に、回路基板用樹脂シート表面にシリコーンが転移してＳｉが残存した場合であっても、対面フィルムとしてシリコーン系剥離剤層を有さないフィルムを貼合し、回路基板用樹脂シートを硬化した後、対面フィルムを剥離することにより、シリコーンを対面フィルムに転移させ、硬化後の回路基板用樹脂シートの回路チップが埋め込まれた側の表面のＳｉ含有率を低減させることができる。Ｓｉ含有率が５原子％を超えると配線形成時に回路基板に塗布するレジストにはじきやピンホールが生じ、設計通りの配線を形成することが困難である。Ｓｉ含有率は４原子％以下であることが好ましく３.５原子％以下であることがより好ましい。Ｓｉ原子含有率をこのような値とする方法としては、前述したように回路チップを埋め込む側の剥離シートを非シリコーン系剥離剤層を設けたもの、あるいはシリコーン移行量の少ないシリコーン系剥離剤層を設けたものとしたり、対面フィルムを用いて転移させるなどの方法が挙げられる。なお、Ｓｉ含有率の測定は、後記するように、回路基板の回路が埋め込まれた側の硬化樹脂表面をＸ線電子分光法を用いて測定し、ケイ素（Ｓｉ）と炭素（Ｃ）の量から次式により算出する。
{Ｓｉ／(Ｓｉ＋Ｃ)}×１００（原子％）

図１は、回路基板用シートを用いて、回路チップを埋め込む方法の１例を示す工程説明図である。
まず、支持体１上に形成されてなる、未硬化状態のエネルギー線硬化型高分子材料から得られた回路基板用樹脂シート２を用意すると共に、対面フィルム４上に回路チップ３を置く［（ａ）］。次いで、回路基板用樹脂シート２を、回路チップ３に接するように載置し、荷重下に該チップを埋め込み、エネルギー線を照射して硬化させる［（ｂ）］。この操作により、未硬化状態の回路基板用樹脂シート２は硬化層となり、その中に回路チップ３が埋め込まれ、固定されると共に、本発明の回路基板５が、対面フィルム４から容易に剥離される［（ｃ）］。
このような方法によれば、高分子フィルムを加熱して回路チップを埋め込むのではなく、エネルギー線硬化型高分子材料を用いて、回路チップを埋め込み、その後硬化することにより、回路チップを固定化するため、高分子フィルムを用いる場合の不具合も生じにくく、操作時間も短縮でき、効率的である。

（配線形成）
このようにして、回路チップが埋め込まれ、硬化処理されて固定化されてなる回路基板は、通常その表面に配線（回路）が形成されている。
この配線形成の方法に特に制限はなく、従来行われている方法の中から、任意の方法を適宜選択して実施することができる。例えばフォトリソグラフィー技術を用いて配線形成を行うことができる。その１例を示すと、回路チップが埋め込まれ、硬化処理されてなる回路基板上に、まずポジ型又はネガ型のフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層を形成する。フォトレジスト層の厚さは通常０.１〜１μｍである。次いで、所定のマスクパターンを介して、上記フォトレジスト層を露光したのち、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液などのアルカリ現像液を用いて現像処理し、レジストパターンを形成させる。
次に、例えば配線材料としてのクロムターゲットやアルミニウムターゲットを用いたスパッタリングなどによって、上記レジストパターン上に、所定の厚さのクロムあるいはアルミニウムの膜を形成したのち、この回路基板用シートをエタノールなどのエッチング液に浸漬して、レジストのエッチングが行われる。本発明の回路基板を用いると上記フォトレジスト層にピンホールやハジキが生じないので、所望の配線を形成することができる。

次に、本発明を実施例により、さらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
なお、各例における諸特性は、以下に示す方法に従って求めた。
（１）表面Ｓｉ含有率
回路基板の回路が埋め込まれた側の硬化樹脂表面のＳｉ含有率（原子％）を、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて、下記の条件で測定した。
測定装置：アルバックファイ社製「Ｑｕａｎｔｕｍ−２０００」
Ｘ線源：ＡｌＫα（１４８６.６ｅＶ）
取り出し角度：４５度
測定元素：珪素（Ｓｉ）及び炭素（Ｃ）
なお、Ｓｉ量は、Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ｃ）の値に１００を乗じて、「原子％」で表示した。
（２）配線形成
配線形成は、フォトリソグラフィー法を用いて行った。回路基板の硬化層上にポジ型レジスト液［東京応化工業株式会社製、商品名「ＯＦＰＲ−８００」］をスピンコーターにより回転数３０００ｒｐｍ、時間４０秒で全面に均一に塗布し、その後１００℃で５分間乾燥し、厚さ０.５μｍのレジスト膜を形成した。次に、光透過部が幅２００μｍの配線パターンであるフォトマスクを使用し露光した。露光後、回路基板を現像液［東京応化工業株式会社製、商品名「ＮＭＤ−３」］に１分間浸漬して、露光部のレジストを除去し、精製水で洗浄、１００℃で５分間乾燥し現像を行った。その後、アルミニウム（Ａｌ）ターゲットを用いて、スパッタリングにより回路基板上に厚さ１５ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜を形成した。スパッタリングはマグネトロン型スパッタ装置「ロック技研社製、装置名「ＰＶＳ−ＷＳ」］を用いて、電力：２５００Ｗ、圧力：２.０×１０^-1Ｐａ、時間：１０秒間の条件で行った。最後にエタノールに１０分間浸漬し、レジストのエッチングを行い、チップ間にＡ１の配線を形成した。デジタル顕微鏡［(株)キーエンス製、商品名「デジタルマイクロスコープＶＨＸ−２００」］を用いて倍率２５０倍で観察し、任意の１０点で配線幅を測定し平均値を算出した。
（３）レジスト液の塗布ムラ
目視により、レジスト液の塗布ムラを観察した。

実施例１
重量平均分子量１０万のポリ(メタクリル酸メチル)固形分１００質量部に対して、光重合開始剤である２,２−ジメトキシ−１,２−ジフェニルエタン−１−オン［チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、商品名「イルガキュア６５１」］固形分９.０質量部と、ジアクリル酸ジメチロールトリシクロデカン［共栄社化学社製、製品名「ライトアクリレートＤＣＰ−Ａ」］固形分２００質量部を加え、最後にメチルエチルケトンを加えて固形分濃度を３８質量％に調整し、均一な溶液となるまで撹拌してエネルギー線硬化型高分子材料の塗工液とした。
調製した塗工液をナイフコーターによって、ポリエチレンテレフタレートフィルムの片面にシリコーン系剥離剤層が設けられた重剥離型剥離シート［リンテック社製、商品名「ＰＥＴ５０Ｃ」］の剥離処理面に塗布し、１００℃で９０秒間加熱乾燥させ、エネルギー線硬化型高分子材料からなる厚さ５０μｍの樹脂層を形成した。同様にして、ポリエチレンテレフタレートフィルムの片面にシリコーン系剥離剤層が設けられた軽剥離型剥離シート［リンテック社製、商品名「ＰＥＴ３８ＧＳ」］の剥離処理面にエネルギー線硬化型高分子材料からなる厚さ５０μｍの樹脂層を形成した。
これらの樹脂層同士が接するようにラミネータを用いて積層し、厚さ１００μｍの回路基板用樹脂シートを作製し、さらに軽剥離型剥離シートを剥離してガラス支持体に貼合して回路基板用シートとした。対面フィルムとしての厚さ１００μｍのシクロポリオレフィンフィルム［オプテス社製、商品名「ゼオノアＺＦ−１６」］に、回路チップ（厚さ５０μｍ、縦３ｍｍ、横３ｍｍ）を２個置き、回路基板用シートの重剥離型剥離シートを剥離して該回路チップに接するように載置し、７０℃下、０.２ＭＰａの荷重をかけて埋め込み、フュージョン製Ｈバルブを光源とする紫外線（照度条件：４００ｍＷ／ｃｍ²、光量条件：３００ｍＪ／ｃｍ²）を照射することによって回路基板用樹脂シートの硬化を行い回路基板を得た。その後、シクロポリオレフィンフィルムを剥離し、回路基板の硬化シート表面のＳｉ含有率の測定、及び配線形成を行い、配線幅及びレジスト液の塗布ムラを観察した。その結果を第１表に示す。

実施例２
実施例１において、対面フィルムとして厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム［三菱化学ポリエステルフィルム社製、商品名「Ｔ−７００」］を用いた以外は、実施例１と同様に実施した。その結果を第１表に示す。
実施例３
実施例１において、対面フィルムとして厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム［三菱化学ポリエステルフィルム社製、商品名「Ｔ−１００」］を用いた以外は、実施例１と同様に実施した。その結果を第１表に示す。
実施例４
実施例１において、重剥離型剥離シート［リンテック社製、商品名「ＰＥＴ５０Ｃ」］の代わりに、ポリエチレンテレフタレートフィルムに低密度ポリエチレン系剥離剤層が設けられた非シリコーン系の剥離シート［リンテック(株)社製、商品名「ＰＥＴ３８ＮＡ」厚さ６０μｍ］を用いた以外は、実施例１と同様に実施した。その結果を第１表に示す。

比較例１
実施例１において、対面フィルムをポリエチレンテレフタレートフィルムの片面にシリコーン系剥離剤層が設けられた重剥離型剥離シート［リンテック社製、商品名「ＰＥＴ３８２０５０」］を用いた以外は、実施例１と同様に実施した。その結果を第１表に示す。
比較例２
実施例１において対面フィルムをポリエチレンテレフタレートフィルムの片面にシリコーン系剥離剤層が設けられた重剥離型剥離シート［リンテック社製、商品名「ＰＥＴ３８０１」］を用いた以外は、実施例１と同様に実施した。その結果を第１表に示す。

第１表の結果から、対面フィルムとして、シリコーン系剥離剤層が設けられていないシートを用いれば、回路基板用樹脂シートの硬化後の表面Ｓｉ含有率が５原子％以下となり、レジスト液の塗布ムラもなく設計通りの幅を有する配線パターンが得られることが分かった（実施例１〜３）。一方、Ｓｉ含有率が５原子％を超えている比較例１〜２ではレジスト液の塗布ムラが生じてしまい配線幅が設計値よりはるかに大きくなってしまい、使用可能な配線を形成することは不可能であった。配線を形成させるにはレジスト液を再度塗布するなどの工程が必要となり、本発明によれば回路基板を作製するにあたり工程の簡略化につながると予想される。
なお、実施例４のように、回路基板用樹脂シートの回路チップが埋め込まれる側の面（対面フィルムが貼合される側）の剥離シートに、シリコーン系剥離剤層以外の剥離剤層を設けた剥離シートを用いた場合、Ｓｉは検出されず設計通りの幅を有する配線パターンが得られた。

本発明の回路基板は、シート表面のＳｉ含有率が５原子％以下であり、ディスプレイ用、特に平面ディスプレイ用の各画素を制御するために回路チップが埋め込まれた回路基板を提供することができる。

回路基板用樹脂シートを用いて、本発明の回路基板を製造する方法の１例を示す工程説明図である。

符号の説明

１支持体
２回路基板用樹脂シート
３回路チップ
４対面フィルム
５回路基板

Claims

エネルギー線硬化型高分子材料から得られた回路基板用樹脂シートに回路チップを埋め込み、これにエネルギー線を照射して硬化させた回路基板であって、回路チップが埋め込まれた側の硬化後におけるシート表面のケイ素原子含有率が５原子％以下であることを特徴とする回路基板。
回路チップが埋め込まれた側の表面に、配線が形成されてなる請求項１に記載の回路基板。
エネルギー線硬化型高分子材料から得られた回路基板用樹脂シートと、回路基板用樹脂シートの回路チップが埋め込まれる側の面に貼合される対面フィルムとの間に回路チップを配置し、前記回路基板用樹脂シートに回路チップを埋め込みエネルギー線を照射して該回路基板用樹脂シートを硬化させ、対面フィルムを剥離することを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板の製造方法。
対面フィルムの回路基板用樹脂シートに貼合される面が、シリコーン系剥離剤層を有さない請求項３に記載の回路基板の製造方法。