JP2010118153A - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】保護層の特性の安定化を実現することで、良好な画像表示を行うことができるプラズマディスプレイパネルを提供する。
【解決手段】前面基板上に形成した表示電極と、この表示電極を覆うように形成した誘電体層と、さらにこの誘電体層を覆うように形成した保護層とを備える前面板を有するパネルの製造方法であって、前面板は、保護層の形成後、前面板温度が400℃以下である期間のみ、水分レス雰囲気下とすることを特徴とする。
【選択図】図2

Description

本発明は、プラズマディスプレイ装置に用いられる交流面放電型プラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
プラズマディスプレイパネル(以下、単に「パネル」と略記する)として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルが形成されている。前面板は、ガラス製の前面基板と、1対の走査電極と維持電極とからなる表示電極と、それらを覆う誘電体層および保護層を有する。ここで保護層は、初期電子を発生させて安定した放電を発生させるとともに、放電により発生したイオンが誘電体層をスパッタしないように設けられている。背面板は、ガラス製の背面基板と、データ電極と、それを覆う誘電体層と、隔壁と、蛍光体層とを有する。そして、表示電極とデータ電極とが立体交差するように前面板と背面板とが対向配置されて密封され、内部の放電空間には放電ガスが封入されている。ここで表示電極とデータ電極とが対向する部分に放電セルが形成される。このように構成されたパネルの各放電セル内でガス放電を発生させ、赤、緑、青各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている(特許文献1参照)。
特開2003−131580号公報
ところで上述したように、パネルにおいては、保護層は、初期電子を発生させて安定した放電を発生させるとともに、放電により発生したイオンが誘電体層をスパッタしないように設けられているものであり、すなわち保護層のこれら特性を安定させることが良好に画像表示を行えるパネルの実現には重要である。
本発明はこのような現状に鑑みなされたもので、保護層の特性の安定化を実現することで、良好な画像表示を行うことができるパネルを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明は、前面基板上に形成した表示電極と、この表示電極を覆うように形成した誘電体層と、さらにこの誘電体層を覆うように形成した保護層とを備える前面板を有するパネルの製造方法であって、前面板は、保護層の形成後、前面板温度が400℃以下である期間のみ、水分レス雰囲気下とすることを特徴とする。この方法により、保護層の特性の安定化を実現することで、良好な画像表示を行うことができるパネルを提供することができる。
また本発明は、前面基板上に形成した表示電極と、この表示電極を覆うように形成した誘電体層と、さらにこの誘電体層を覆うように形成した保護層とを備える前面板を有するパネルの製造方法であって、前面板は、保護層の形成後に、400℃を超える温度に加熱され、その後の冷却期間において400℃以下となる期間のみ、水分レス雰囲気下とされて室温にまで冷却されることを特徴とする。この方法によっても、保護層の特性の安定化を実現することで、良好な画像表示を行うことができるパネルを提供することができる。
また本発明は、前面基板上に形成した表示電極と、この表示電極を覆うように形成した誘電体層と、さらにこの誘電体層を覆うように形成した保護層とを備える前面板を有するパネルの製造方法であって、前面板は、保護層の形成後、前面板温度が400℃以下である期間のみ、二酸化炭素レス雰囲気下とすることを特徴とする。この方法によっても、保護層の特性の安定化を実現することで、良好な画像表示を行うことができるパネルを提供することができる。
また本発明は、前面基板上に形成した表示電極と、この表示電極を覆うように形成した誘電体層と、さらにこの誘電体層を覆うように形成した保護層とを備える前面板を有するパネルの製造方法であって、前面板は、保護層の形成後に、400℃を超える温度に加熱され、その後の冷却期間において400℃以下となる期間のみ、二酸化炭素レス雰囲気下とされて室温にまで冷却されることを特徴とする。この方法によっても、保護層の特性の安定化を実現することで、良好な画像表示を行うことができるパネルを提供することができる。
また本発明の保護層は、酸化マグネシウムを主成分とし平均粒径が10nm〜100nmの結晶粒子により形成された層により構成されたものであってもよい。
また本発明の保護層は、酸化マグネシウムを主成分とし平均粒径が10nm〜100nmの結晶粒子により形成された層と、粒径が0.3μm〜2μmの酸化マグネシウムの単結晶粒子が複数個凝集した凝集粒子による粒子層とから構成されたものであってもよい。
本発明によれば、保護層の特性の安定化を実現することができ、もって、良好な画像表示を行うことができるパネルを提供することが可能となる。
以下、本発明の一実施の形態によるパネルの製造方法について、図面を用いて説明する。
(実施の形態1)
図1は、本発明の一実施の形態によるパネルの製造方法により製造されるパネルの概略構成を示す分解斜視図である。パネル10は、前面板20と背面板30とを対向配置し周辺部を封着部材(図示せず)を用いて封着することにより構成されており、内部に多数の放電セルが形成されている。
前面板20は、ガラス製の前面基板21と、走査電極22と維持電極23とからなる表示電極24と、誘電体層26と、保護層27とを有する。前面基板21上には1対の走査電極22と維持電極23とからなる表示電極24が互いに平行に複数形成されている。なお、図1には表示電極24が、走査電極22、維持電極23、走査電極22、維持電極23、・・・となるように形成されている例を示しているが、表示電極24が、走査電極22、維持電極23、維持電極23、走査電極22、・・・となるように形成されていてもよい。
そしてそれら表示電極24を覆うように誘電体層26が形成され、誘電体層26上に保護層27が形成されている。ここで保護層27は、酸化マグネシウム(MgO)を主成分とする材料による、スパッタ膜もしくは蒸着膜である。
背面板30は、ガラス製の背面基板31と、データ電極32と、誘電体層33と、隔壁34と、蛍光体層35とを有する。背面基板31上には、複数のデータ電極32が互いに平行に形成されている。そしてデータ電極32を覆うように誘電体層33が形成され、その上に縦隔壁34aと横隔壁34bとを有する井桁状の隔壁34が形成されている。さらに誘電体層33の表面と隔壁34の側面とに赤、緑、青各色の蛍光体層35が形成されている。
そして、表示電極24とデータ電極32とが立体交差するように前面板20と背面板30とが対向配置され、表示電極24とデータ電極32とが対向する部分に放電セルが形成される。放電セルが形成された画像表示領域の外側の位置で、低融点ガラスを用いて前面板20と背面板30とが封着され、内部の放電空間には放電ガスが封入されている。
ここで、以上述べた構成のパネル10を製造する過程においては、前面板20の保護層27には、水(HO)や二酸化炭素(CO)と接触する工程が存在する。例えば、前面板20に保護層27をスパッタや蒸着で形成した後、例えば脱ガスを目的とした、前面板20単体の状態で加熱・焼成する工程や、前面板20と背面板30とを封着部材により封着する、いわゆる封着工程である。
保護層27の材料である酸化マグネシウム(MgO)は、水、炭酸ガス(CO)等と反応しやすく、上述したような工程により、保護層27の材料である酸化マグネシウム(MgO)が変質してしまう場合があり、そのような場合、以下のような不具合が発生する。
すなわち、例えば水(HO)と反応して酸化マグネシウム(MgO)の一部が水酸化マグネシウム(Mg(OH))に変質すると、保護層27の耐スパッタ性が劣化して画像表示デバイスとしての寿命が短くなるおそれがある。また炭酸ガス(CO)と反応して酸化マグネシウム(MgO)の一部が炭酸マグネシウム(MgCO)に変質すると、放電開始電圧が上昇し、そのため画像表示デバイスとしての輝度の低下が加速され寿命が短くなるおそれがある。
ここで、本発明者らが行った検討により以下の知見を得ることができた。
すなわち、保護層27の材料である酸化マグネシウム(MgO)は、水(HO)や二酸化炭素(CO)と結合してしまい、水酸化マグネシウム(Mg(OH))や炭酸マグネシウム(MgCO)に変質してしまったとしても、400℃を超える温度に加熱すると水(HO)や二酸化炭素(CO)は離脱して元の酸化マグネシウム(MgO)に戻ることとなる。そして400℃を超える雰囲気においては、その雰囲気に水(HO)、二酸化炭素(CO)が存在していても、それが酸化マグネシウム(MgO)と結合してしまうということはない。そして再び400℃以下の温度になると、再度、酸化マグネシウム(MgO)は水(HO)や二酸化炭素(CO)と結合してしまい、水酸化マグネシウム(Mg(OH))や炭酸マグネシウム(MgCO)に変質してしまう。
つまり、保護層27を形成した後、保護層27の酸化マグネシウム(MgO)が変質しないように、水分レス雰囲気や二酸化炭素レス雰囲気とするような場合、400℃以下の場合のみ、その雰囲気とすればよく、特に、二酸化炭素(CO)や水(HO)が離脱する400℃を超える温度を経る場合には、その温度上昇後、冷却する期間において、400℃以下となる期間のみ、水分レス雰囲気や二酸化炭素レス雰囲気とすればよい。
そこで、パネル10の製造工程においては、酸化マグネシウム(MgO)の変質を抑えることを目的として、前面板20が保護層27形成後に受ける熱履歴を以下に述べるような工程とする。図2から図4は、本発明の一実施の形態におけるパネル10の製造方法における、前面板20が保護層27形成後に受ける熱履歴のプロファイルの一例を示す図である。
図2は、保護層27形成時に、保護層27に付着した不純ガスを脱離させる(脱ガス)ために行う、「事前焼成工程」の熱履歴プロファイルの一例を示す図である。
また図3は、保護層27を形成した後、前面板20に、背面板30と封着させるための封着部材を塗布し、その後、封着工程に先立ち、この封着部材の樹脂成分を焼成させるために行う、「脱バインダ工程」の熱履歴プロファイルの一例を示す図である。
そして、図4は、前面板20と背面板30とを封着部材により封着するために行う、「封着工程」の熱履歴プロファイルの一例を示す図である。
図2に示す「事前焼成工程」においては、期間1において、室温から所定の温度、すなわち、保護層27から不純ガスを脱ガスするのに必要な温度(脱ガス温度)、つまりは、最低限400℃を超える温度にまで上昇させ、期間2において、その所定の温度(「脱ガス温度」)で一定時間保持することで保護層27の「脱ガス」を行い、その後、期間3にて、所定の温度(「脱ガス温度」)から室温にまで冷却する。
ここで、期間3での前面板20の冷却期間において、前面板20の温度が400℃以下となる期間のみ、水分レス雰囲気下、もしくは、二酸化炭素レス雰囲気下としている。
以上のような熱履歴プロファイルとすることで、期間2において、保護層27から不純ガスを離脱させることができ、且つ、期間3の冷却期間において、保護層27に、水や二酸化炭素等の不純ガスが保護層27に再付着することを抑制することができるので、もって、保護層27の酸化マグネシウム(MgO)を変質させることなく「事前焼成工程」を実施することができる。
また、図3に示す「脱バインダ工程」においては、期間1において、室温から所定の温度、すなわち、封着部材の樹脂成分を焼成させるのに必要な温度(「脱バインダ温度」)にまで上昇させる期間であり、400℃を超える温度にまで上昇させるのが一般的である。期間2は、その所定の温度で一定時間保持する期間であり、封着部材の樹脂成分の焼成が行われるとともに、フリットガラスの表面を少し軟化させる。そして期間3により、所定の温度(「脱バインダ温度」)から室温にまで冷却、フリットガラスの表面を硬化させ、前面板と背面板の張り合わせの際に擦れることで、フリットガラスが剥れたり、ガラス粉のダストが発生したりしないようにしている。
なお、期間3での前面板20の冷却期間において、前面板20の温度が400℃以下となる期間のみ、水分レス雰囲気下、もしくは、二酸化炭素レス雰囲気下としている。
以上のような熱履歴プロファイルとすることで、期間2においては、封着部材の樹脂成分が焼成されると同時に、保護層27から不純ガスを離脱させることができ、且つ、期間3の冷却期間において、保護層27に、水や二酸化炭素等の不純ガスが保護層27に再付着することを抑制することができるので、もって、保護層27の酸化マグネシウム(MgO)を変質させることなく「脱バインダ工程」を実施することができる。
また、図4に示す「封着工程」においては、期間1においては、室温から所定の温度、すなわち、封着部材を、前面板20と背面板30との封着が可能な状態にするのに必要な温度(「封着温度」)にまで上昇させる期間であり、400℃を超える温度で、且つ、前の「脱バインダ温度」を超える温度にまで上昇させるのが一般的である。期間2は、その所定の温度で一定時間保持する期間であり、前面板と背面板との封着、すなわち接合が行われる。そして期間3により、所定の温度(「封着温度」)から室温にまで冷却される。
なお、期間3での前面板20の冷却期間において、前面板20の温度が400℃以下となる期間のみ、水分レス雰囲気下、もしくは、二酸化炭素レス雰囲気下としている。
以上のような熱履歴プロファイルとすることで、期間2においては、封着部材により前面板20と背面板30との封着が行われると同時に、保護層27から不純ガスを離脱させることができ、且つ、期間3の冷却期間において、保護層27に、水や二酸化炭素等の不純ガスが保護層27に再付着することを抑制することができるので、もって、保護層27の酸化マグネシウム(MgO)を変質させることなく「封着工程」を実施することができる。
なお、封着後は、保護層27はパネル10の内側の、隔壁34に仕切られた放電セル内でのみ露出するという、パネル10の外側の雰囲気との接触が大幅に制限された構造となるため、MgOの保護層27の酸化マグネシウム(MgO)の変質の進行状態は、前面板20単体の状態の場合に比べ、大幅に遅くなる。
そこで、上述した「封着工程」の後、速やかに、パネル10の内部を排気する、排気・ベーキング工程を行い、その後、放電ガスを封入してパネル10を完成させることで、保護層27の特性の安定化が実現でき、もって、良好な画像表示を行うことができるパネル10を提供することが可能となる。
なお、上述の、本発明の一実施の形態によるパネルの製造方法においては、図2〜図4を用いて説明した、「事前焼成工程」、「脱バインダ工程」、「封着工程」それぞれは、当然ながら、全てを導入することが、最も効果的に保護層27の特性の安定化を実現できることとなり、よって、良好な画像表示を行うことができるパネル10を実現するのに最も効果的となるが、何らかの事情により全てを導入できない場合においては、例えば、最終工程となる封着工程だけを導入する等、適宜、状況に応じて、効果的となるように、導入する工程を取捨選択の上、決定すればよい。
以上述べたように、保護層27の酸化マグネシウム(MgO)の変質を抑制するには、保護層27を形成した後、保護層27の酸化マグネシウム(MgO)が変質しないように、水分レス雰囲気や二酸化炭素レス雰囲気とするような場合、二酸化炭素(CO)や水(HO)が離脱する400℃を超える熱履歴を経た後に、室温にまで冷却する過程において、400℃以下となる期間のみ、水分レス雰囲気や二酸化炭素レス雰囲気とすればよい。
このことは、逆に言えば、400℃を超える温度での加熱に際して、室温からの昇温期間、その後の加熱中でのキープ期間においては、水分レス雰囲気や二酸化炭素レス雰囲気といった雰囲気制御をする必要がなく、冷却期間での400℃以下の期間のみの雰囲気制御で済むことを意味し、昇温期間や温度キープ期間に雰囲気制御のためのガスを導入するとその温度制御が難しくなる場合があるところ、そのような問題の発生をなくすことができる、という有利な効果を有する。
なお、以上においては、水分レス雰囲気としては、例えば、露点−40℃以下のドライエア雰囲気や、露点−40℃以下のドライ窒素雰囲気を挙げることができる。
また、二酸化炭素レス雰囲気としては、例えば、少なくとも二酸化炭素濃度が0.1%以下、より好ましくは0.001%以下で、露点−40℃以下のドライ窒素雰囲気や、窒素雰囲気を挙げることができる。
以上より、本発明の一実施の形態によるパネルの製造方法においては、前面板20の保護層27形成後に受ける熱履歴において、その冷却期間で400℃以下となる期間のみ、水分レス雰囲気下、または二酸化炭素レス雰囲気下として室温にまで冷却するので、前面板20の加熱の際の温度制御が容易で且つ効果的に酸化マグネシウム(MgO)の変質を防止することが可能となる。その結果、保護層27の耐スパッタ性を向上させることや放電開始電圧の上昇を抑制し輝度の低下を抑えることが可能となる。また、従来の技術では一般的に酸化マグネシウム(MgO)に吸着した水(HO)や二酸化炭素(CO)を、脱ガスのため、封着工程において、放電ガスを封入する前に400℃以上に加熱して、パネル内部を真空排気することが必要であったが、本発明により100℃〜300℃程度の加熱排気で、前述の特性を得ることが可能となった。
(実施の形態2)
実施の形態1においては、保護層27としては、酸化マグネシウム(MgO)のスパッタ膜もしくは蒸着膜を例に説明したが、特にこれに制限されることはなく、例えば、保護層27として、酸化マグネシウム(MgO)粒子を塗布することで形成したような構成であっても、実施の形態1と同様、パネルの製造方法において、図2〜図4を用いて説明した、「事前焼成工程」、「脱バインダ工程」、「封着工程」を、適宜、導入することにより、本発明の効果は同様に得られる。
また、上述のような粒子層による構成の保護層27では、表面積が大きくなり水(HO)や二酸化炭素(CO)の吸着量も多く、その分、酸化マグネシウム(MgO)の変質の度合いが多くなってしまうが、前面板保護層形成後の熱履歴を、上述したようなものとすれば、水(HO)や二酸化炭素(CO)の離脱と再付着防止とを効果的に実現でき、もって、変質が大幅に抑制された、酸化マグネシウム(MgO)を主成分とした粒子の層により構成された保護層27の実現が可能である。なお、酸化マグネシウム(MgO)粒子の具体的な例としては、酸化マグネシウム(MgO)を主成分とする平均粒径が10nm〜100nmのナノ結晶粒子を挙げることができる。
ここで、このようなナノ結晶粒子の層により構成された保護層27の形成方法について詳細に説明する。まず、平均粒径が10nm〜100nmの単結晶粒子(「ナノ結晶粒子」)を気相生成法によって作成する。具体的には、プラズマや電子ビーム等の高エネルギー下で気化したマグネシウム蒸気を、酸素ガスを含む冷却ガス(例えばアルゴンガス)によって瞬間冷却することで、ナノ結晶粒子を作製する。
そして、ターピネオールを60重量%とブチルカルビトールアセテートを30重量%とアクリル樹脂を10重量%とを混合し作成したビークルに、上述の、ナノ結晶粒子を同等の重量配分となるように混錬することで、酸化マグネシウムペーストを作成する。
そしてこの酸化マグネシウムペーストをスクリーン印刷法等の公知技術を用いて誘電体層26上に塗布し、乾燥した後、焼成することで、厚さ0.5μm〜5μmの、ナノ結晶粒子の層により構成された保護層27を形成する。
ここで、保護層27が、ナノ結晶粒子の層により構成された構造の場合には、実施の形態1において説明した、「事前焼成工程」、「脱バインダ工程」、「封着工程」に加え、塗布・乾燥させた酸化マグネシウムペーストを焼成する「焼成工程」も、図5に示すような熱履歴プロファイルとすることで、最も効果的に保護層27の特性の安定化が実現でき、よって、良好な画像表示を行うことができるパネル10を実現するのに効果的となり、好ましい。
図5は、「焼成工程」の熱履歴プロファイルの一例を示す図であり、期間1においては、室温から所定の温度、すなわち、例えば酸化マグネシウムペーストの樹脂を焼成するのに必要な温度にまで上昇させる期間である。上述したようなプロセスのための温度としては、最低限、400℃を超える温度にまで上昇させるのが一般的である。
また期間2は、その所定の温度で一定時間保持する期間であり、樹脂の焼成が行われる。そして期間3は、所定の温度から焼成温度まで上昇させる期間である。期間4は、焼成温度で一定時間保持する期間であり、期間2において焼成された酸化マグネシウムペーストの樹脂に対する焼成が、再度、行われる。そして期間5は、焼成温度から所定の温度まで、さらに所定の温度から室温にまで冷却する期間である。
ここで、期間5での前面板20の冷却期間において、前面板20の温度が400℃以下となる期間のみ、水分レス雰囲気下とする、もしくは、二酸化炭素レス雰囲気下としている。
以上のような熱履歴プロファイルとすることで、酸化マグネシウムペーストの樹脂を焼成させることができると同時に、保護層27から不純ガスを離脱させることができ、そして期間5の冷却期間において、保護層27に、水や二酸化炭素等の不純ガスが再付着することを抑制することができるので、もって、保護層27の酸化マグネシウム(MgO)を変質させることなく「焼成工程」を実施することができる。
なお、上述における「事前焼成工程」、「脱バインダ工程」、「封着工程」、および「焼成工程」それぞれは、当然ながら、全てを導入することが、最も効果的に保護層27の特性の安定化を実現できることとなり、よって、良好な画像表示を行うことができるパネル10を実現するのに最も効果的となるが、何らかの事情により全てを導入できない場合においては、例えば、最終工程となる封着工程だけを導入する等、適宜、状況に応じて、効果的となるように、導入する工程を取捨選択の上、決定すればよい。
また、保護層27を上述のようなナノ結晶粒子の層による構成とすることは、スパッタ法や真空蒸着法で形成した酸化マグネシウム(MgO)薄膜の保護層に比べ、低コストで保護層27を形成できるだけでなく、後述するように、衝撃に対するパネルの強度が向上するという付加的な効果を得ることもできる。
すなわち本実施の形態によれば、衝撃に対するパネルの強度を向上させるという効果が得られる、ナノ結晶粒子の層により構成される保護層27を、酸化マグネシウム(MgO)の変質を抑制した状態で実現することができる。すなわち、水(HO)と反応して酸化マグネシウム(MgO)の一部が水酸化マグネシウム(Mg(OH))に変質することがなく、また炭酸ガス(CO)と反応して酸化マグネシウム(MgO)の一部が炭酸マグネシウム(MgCO)に変質することもないため、保護層27の耐スパッタ性が向上して画像表示デバイスとしての寿命が長くなり、また放電開始電圧が上昇することもなく、そのため画像表示デバイスとしての輝度の低下も抑制されるという効果を減衰させることなく十分に得ることができるパネルの実現が可能となる。
なお、以上の構成においては、走査電極および維持電極のそれぞれの構成としては特に制限はなく、例えば、幅の広いストライプ状の透明電極の上に幅の狭いストライプ状のバス電極を積層して形成した構成であってもよい。またそれ以外の構成であってもよい。
図6は、本発明の他の実施の形態におけるパネル10の表示電極24の構成を示す図であり、図7は、本発明の他の実施の形態におけるパネル10の表示電極24の構成の詳細を示す図である。表示電極24の構成としては、図3に示すような、黒色層221c、222cの上に導電層221d、222dを積層して形成された走査電極221、222と、黒色層231c、232cの上に導電層231d、232dを積層して形成された維持電極231、232との間に放電ギャップMGを形成して構成したようなものであってもよい。また、図4に示すような、梯子形状の長い縦木の一方に相当し放電ギャップMGを規定するバス電極221、231と、梯子形状の長い縦木の他方に相当し走査電極の導電性を高めるためのバス電極222、232と、梯子形状の横木に相当し、バス電極221とバス電極222との間の抵抗を下げるためのバス電極223、およびバス電極231とバス電極232との間の抵抗を下げるためのバス電極233とを有するような構成であってもよい。
ここで、図6や図7に示す構成であると、バス電極221、222、231、232で構成された表示電極24の厚みは1μm〜6μm、本実施の形態においては4μm程度となる。そのため放電ギャップMG付近での誘電体層26の表面に凹凸が生じる。
図8は、本発明の他の実施の形態におけるパネル10の断面図であり、データ電極32に平行な面での断面を放電ギャップMG付近で拡大した図である。上述したように、誘電体層26の表面には凹凸が生じておりおよそ2μmの段差となっている。そして前面板20と背面板30とを対向配置した際に、誘電体層26上の凸の位置、すなわちバス電極221、231が形成されている位置で保護層27と縦隔壁34aとが当接する。
ここで、保護層27と縦隔壁34aとが「点」で当接しているのではなく、保護層27が縦隔壁34aに押されて変形し、その結果、保護層27と縦隔壁34aとが「面」で当接している。そのために縦隔壁34aに加わる応力は分散されて、縦隔壁34aに欠損を生じる可能性が低くなっている。
もし仮に保護層が剛性の高い保護層であれば、保護層は変形せず保護層と縦隔壁とが「点」で当接するので、縦隔壁の当接している部分に大きな応力が加わり、縦隔壁に欠損を発生する可能性が高くなる。そして放電ギャップの周囲で隔壁の欠損が発生すると、対応する放電セル内部に隔壁の破片が飛散する。加えて蛍光体層がはがれて落下する可能性もある。このような放電セルは放電特性が大きく変化して放電そのものが阻害され、正常な動作ができなくなる。
しかしながら、酸化マグネシウム(MgO)を主成分とするナノ結晶粒子の層で形成されている保護層27であり、膜厚が誘電体層26の表面に生じる凹凸による段差と同程度であれば、保護層27と縦隔壁34aとが当接する位置では、保護層27が縦隔壁34aに押されて変形し、その結果、保護層27と縦隔壁34aとが「面」で当接する。そのために縦隔壁34aに大きな応力が加わることがなく、縦隔壁34aに欠損を生じることがない。
このように、保護層27として、ナノ結晶粒子の層により構成された保護層27を用いることで、その構成がクッションとなり、隔壁との接触が点接触から面接触となり、応力の増加はなくなり、隔壁34の損傷が抑制される、という付加的な効果が得られる。
また、保護層27として、酸化マグネシウム(MgO)を主成分とし平均粒径が10nm〜100nmの結晶粒子により形成された下地保護層27aと、粒径が0.3μm〜2μmの酸化マグネシウム(MgO)の単結晶粒子が複数個凝集した凝集粒子による粒子層27bとから構成されたものであってもよい。図9は、本発明のさらに他の実施の形態におけるパネルの前面板の断面の拡大図である。
ここで、凝集粒子29は平均粒径が10nm〜100nmの単結晶粒子28により形成された層(下地保護層)27aの全面にわたってほぼ均一に分布するように離散的に付着させることにより構成されている。なお、図9には単結晶粒子28および凝集粒子29を拡大して示している。凝集粒子29とは単結晶粒子28が凝集またはネッキングした状態のもので、静電気やファンデルワールス力等によって複数の単結晶粒子28が集合体をなしているものである。単結晶粒子28としては、14面体や12面体等の7面以上の面を持ち、粒径が0.3μm〜2.0μm程度の多面体形状を有するものが望ましい。また凝集粒子29としては単結晶粒子28が2個〜5個凝集したものが望ましく、凝集粒子29の粒径としては、0.3μm〜5μm程度のものが望ましい。このような単結晶粒子28およびそれらが凝集した凝集粒子29は電子放出能力が優れており、放電遅れが小さく、高速で放電制御できるパネルが得られるため、特に高速で多数の放電セルを制御する必要のある高精細パネルに有用である。
上述した条件を満たす単結晶粒子28およびそれらが凝集した凝集粒子29は、次のようにして生成することができる。例えば、炭酸マグネシウム(MgCO)や水酸化マグネシウム(Mg(OH))等の酸化マグネシウム(MgO)前駆体を焼成して生成する場合、焼成温度を比較的高い1000℃以上に設定することで、粒径を0.3μm〜2μm程度に制御することができる。さらに、酸化マグネシウム(MgO)前駆体を焼成することにより、単結晶粒子28同士が凝集またはネッキングした凝集粒子29を得ることができる。
このように構成された保護層に対する熱履歴を、上述したような本発明のようにすれば、酸化マグネシウム(MgO)の変質を抑制できるので、電子放出性能が高く、且つ電荷保持性能も高い良好な特性を示すパネルを、その特性を損なうことなく実現することができる。
以上のように本発明は、大画面、高精細のプラズマディスプレイ装置を提供する上で有用な発明である。
本発明の一実施の形態におけるパネルの分解斜視図 本発明の一実施の形態におけるパネルの製造方法における、前面板が保護層形成後に受ける熱履歴のプロファイルの一例を示す図 本発明の一実施の形態におけるパネルの製造方法における、前面板が保護層形成後に受ける熱履歴のプロファイルの一例を示す図 本発明の一実施の形態におけるパネルの製造方法における、前面板が保護層形成後に受ける熱履歴のプロファイルの一例を示す図 本発明の一実施の形態におけるパネルの製造方法における、前面板が保護層形成後に受ける熱履歴のプロファイルの一例を示す図 本発明の他の実施の形態におけるパネルの表示電極の構成を示す図 本発明の他の実施の形態におけるパネルの表示電極の詳細を示す図 本発明の他の実施の形態におけるパネルの断面図 本発明のさらに他の実施の形態におけるパネルの前面板の断面の拡大図
符号の説明
10 パネル
20 前面板
21 前面基板
22 走査電極
23 維持電極
24 表示電極
26 誘電体層
27 保護層
27a 下地保護層
27b 粒子層
28 単結晶粒子
29 凝集粒子
30 背面板
31 背面基板
32 データ電極
33 誘電体層
34 隔壁
34a 縦隔壁
34b 横隔壁
35 蛍光体層
221,222,223 バス電極(走査電極)
221c,222c,231c,232c 黒色層
221d,222d,231d,232d 導電層
231,232,233 バス電極(維持電極)

Claims (6)

  1. 前面基板上に形成した表示電極と、この表示電極を覆うように形成した誘電体層と、さらにこの誘電体層を覆うように形成した保護層とを備える前面板を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
    前記前面板は、前記保護層の形成後、前記前面板温度が400℃以下である期間のみ、水分レス雰囲気下とすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  2. 前面基板上に形成した表示電極と、この表示電極を覆うように形成した誘電体層と、さらにこの誘電体層を覆うように形成した保護層とを備える前面板を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
    前記前面板は、前記保護層の形成後に、400℃を超える温度に加熱され、その後の冷却期間において400℃以下となる期間のみ、水分レス雰囲気下とされて室温にまで冷却されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  3. 前面基板上に形成した表示電極と、この表示電極を覆うように形成した誘電体層と、さらにこの誘電体層を覆うように形成した保護層とを備える前面板を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
    前記前面板は、前記保護層の形成後、前記前面板温度が400℃以下である期間のみ、二酸化炭素レス雰囲気下とすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  4. 前面基板上に形成した表示電極と、この表示電極を覆うように形成した誘電体層と、さらにこの誘電体層を覆うように形成した保護層とを備える前面板を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
    前記前面板は、前記保護層の形成後に、400℃を超える温度に加熱され、その後の冷却期間において400℃以下となる期間のみ、二酸化炭素レス雰囲気下とされて室温にまで冷却されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  5. 前記保護層は、酸化マグネシウムを主成分とし平均粒径が10nm〜100nmの結晶粒子により形成された層により構成されたものであることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  6. 前記保護層は、酸化マグネシウムを主成分とし平均粒径が10nm〜100nmの結晶粒子により形成された層と、粒径が0.3μm〜2μmの酸化マグネシウムの単結晶粒子が複数個凝集した凝集粒子による粒子層とから構成されたものであることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
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