JP2010108486A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. アンテナと、
   前記アンテナに電気的に接続された整流回路と、
   第１の保護回路と、
   第２の保護回路と、を有し、
   前記第１の保護回路は、第１のダイオードと、第２のダイオードと、を有し、
   前記第１のダイオードは、アノードが前記アンテナに電気的に接続され、カソードが配線に電気的に接続され、
   前記第２のダイオードは、カソードが前記アンテナに電気的に接続され、アノードが前記配線に電気的に接続され、
   前記第１のダイオードと前記第２のダイオードとは、並列接続され、
   前記第２の保護回路は、容量素子と、トランジスタと、を有し、
   前記容量素子は、一方の電極が前記アンテナに電気的に接続され、
   前記トランジスタは、ゲート電極が前記整流回路の出力端子に接続され、ソース電極及びドレイン電極の一方が前記容量素子の他方の電極に電気的に接続され、ソース電極及びドレイン電極の他方が前記配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第２の保護回路は、抵抗素子と、容量素子と、を有し、
   前記抵抗素子は、一端が前記整流回路の出力端子に電気的に接続され、他端が前記トランジスタのゲート電極に電気的に接続され、
   前記容量素子は、一方の電極が前記トランジスタのゲート電極及び前記抵抗素子の他端に電気的に接続され、他方の電極が前記配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
3. アンテナと、
   前記アンテナに電気的に接続された整流回路と、
   第１の保護回路と、
   第２の保護回路と、を有し、
   前記第１の保護回路は、第１のダイオードと、第２のダイオードと、を有し、
   前記第１のダイオードは、アノードが前記アンテナに電気的に接続され、カソードが配線に電気的に接続され、
   前記第２のダイオードは、カソードが前記アンテナに電気的に接続され、アノードが前記配線に電気的に接続され、
   前記第１のダイオードと前記第２のダイオードとは、並列接続され、
   前記第２の保護回路は、第１の抵抗素子と、ダイオードと、ｐ型トランジスタと、第２の抵抗素子と、第１の容量素子と、ｎ型トランジスタと、を有し、
   前記第１の抵抗素子は、一端が前記整流回路の出力端子に電気的に接続され、
   前記ダイオードは、アノードが前記第１の抵抗素子の他端に電気的に接続され、カソードが前記配線に電気的に接続され、
   前記ｐ型トランジスタは、ゲート電極が前記第１の抵抗素子の他端及び前記ダイオードのアノードに電気的に接続され、ソース電極及びドレイン電極の一方が前記整流回路の出力端子に電気的に接続され、
   前記第２の抵抗素子は、一端が前記ｐ型トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続され、他端が前記配線に電気的に接続され、
   前記第１の容量素子は、一方の電極が前記アンテナに電気的に接続され、
   前記ｎ型トランジスタは、ゲート電極が前記ｐ型トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方並びに前記第２の抵抗素子の一端に電気的に接続され、ソース電極及びドレイン電極の一方が前記第１の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、ソース電極及びドレイン電極の他方が前記配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項３において、
   前記第２の保護回路は、第３の抵抗素子と、第２の容量素子と、を有し、
   前記第３の抵抗素子は、一端が前記ｐ型トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方並びに前記第２の抵抗素子の一端に電気的に接続され、他端が前記ｎ型トランジスタのゲート電極に電気的に接続され、
   前記第２の容量素子は、一方の電極が前記ｎ型トランジスタのゲート電極及び前記第３の抵抗素子の他端に電気的に接続され、他方の電極が前記配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記配線は、接地電位が供給されていることを特徴とする半導体装置。