JP2010097606A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (2)

1. 外部から供給される電力の大きさに応じた電位を出力する電圧検出回路と、
   前記電圧検出回路から出力される前記電位の最大値に応じた電位を保持する記憶回路と、
   前記記憶回路に保持された電位に応じてインピーダンスが変化することで、前記電力の過剰分を消費あるいは反射させる保護回路と、を有する半導体装置であって、
   前記記憶回路はリセット端子を有し、
   前記リセット端子にリセット信号が入力されると、前記記憶回路は、保持した電位をリセットすることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記記憶回路は、トランジスタと容量素子とを有し、
   前記トランジスタの第１の端子が、前記容量素子の第１の端子に電気的に接続され、
   前記トランジスタの第２の端子が、前記容量素子の第２の端子に電気的に接続され、
   前記トランジスタの第１の端子は、一定電位であり、
   前記トランジスタのゲートに前記リセット端子が電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。