JP2010103366A - 基板洗浄装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置用の基板Wを洗浄する基板洗浄装置1において、気泡発生手段3は基板保持手段6に保持された基板Wに供給される洗浄液中に、正または負の一方に帯電し、且つ、気泡径が10nm以上、100μm以下の気泡を発生させ、噴射ノズル21は、この気泡を含んだ洗浄液を噴霧用のガスと混合して微粒化し、基板Wに向けてミストを噴射することにより当該基板Wを洗浄する。
【選択図】図3
Description
基板を保持する基板保持手段と、
この基板保持手段に保持された基板に供給される洗浄液中に気泡発生用のガスを供給して、正または負の一方に帯電し、且つ、気泡径が10nm以上、100μm以下の気泡を発生させるための気泡発生手段と、
この気泡発生手段にて気泡を含んだ洗浄液を噴霧用のガスと混合して微粒化し、前記基板保持手段に保持された基板に向けてミストを噴射することにより当該基板を洗浄する噴射ノズルと、を備えたことを特徴とする。
本例に係る洗浄装置1は、ウエハWの表裏両面を洗浄可能な構成を備えている。図1及び図2に示すように洗浄装置1は、ウエハWの洗浄機構を納めるケース体10と、このケース体10の内部に格納され、ウエハWの洗浄が行われる空間を区画する処理容器であるカップ体4と、ウエハWの表面(上面)に洗浄液を供給するノズル21が設けられたノズルアーム23と、を備えている。
詳細には、洗浄液供給部82には2本の洗浄液供給ライン821、822が設けられていて、これらの洗浄液供給ライン821、822へは洗浄液である例えば純水が供給される。第1の洗浄液供給ライン821は、後述の気泡発生手段3とその吐出管301とを介してノズル21側の洗浄液供給管24に接続されており、第2の洗浄液供給ライン822は共通ライン830を介してアンダープレート25側の裏面洗浄用流路28に接続されている。
そしてウエハ保持手段6に保持されたウエハWと、ウエハWの下方に待機しているアンダープレート25との間の隙間を通って搬送アームがケース体10の外へと退避し、インナーカップ51並びにアンダープレート25が処理時の位置まで上昇した後、ウエハWの表裏両面の洗浄を開始する。このときヒータ27はアンダープレート25を例えば20℃〜70℃の温度に保っておく。また本例においては、ウエハWの両面を同時に洗浄する場合について説明する。
このようにしてウエハWの表裏両面の洗浄及び乾燥が終了したら、インナーカップ51を待機位置まで下降させ、搬入時とは逆の経路で搬送アームによりウエハWを搬出し、一連のウエハWの洗浄動作を終了する。
マイクロナノバブルを含む洗浄液を噴射ノズル(ノズル21)で微粒化し、ノズル21から得られたミスト120の粒径分布を計測した。気泡発生手段3としてはナノプラネット研究所製のマイクロナノバブル発生装置を用い、気泡発生用のガス(N2ガス:100scc)と洗浄液(純水:10cc)とを混合して平均気泡径が10μmのマイクロナノバブル含有洗浄液を得た。このマイクロナノバブル含有洗浄液10ccをノズル21に供給すると共に、キャリアガスの流量を種々変化させて、10cc分のマイクロナノバブル含有洗浄液から得られるミスト数、及びその粒径分布を計測した。
A.実験条件
(実施例1)
マイクロナノバブルを含有する洗浄液を用い、キャリアガスの供給量を600sccmとしてミストを生成した。
(実施例2)
マイクロナノバブルを含有する洗浄液を用い、キャリアガスの供給量を1250sccmとしてミストを生成した。
(実施例3)
マイクロナノバブルを含有する洗浄液を用い、キャリアガスの供給量を2000sccmとしてミストを生成した。
(比較例1)
マイクロナノバブルを含有しない洗浄液を用い、(実施例1)と同じ条件でミストを生成した。
(比較例2)
マイクロナノバブルを含有しない洗浄液を用い、(実施例2)と同じ条件でミストを生成した。
(比較例3)
マイクロナノバブルを含有しない洗浄液を用い、(実施例3)と同じ条件でミストを生成した。
(実施例1)と(比較例1)とにおける体積基準の粒径分布を図8に示し、(実施例2)と(比較例2)及び、(実施例3)と(比較例3)の同様の粒径分布を各々図9、図10に示した。図8〜図10の各図において、横軸はミストの粒径([μm])、縦軸は各粒径におけるミストの体積基準の頻度([%])を示している。
以上のことから、洗浄液にマイクロナノバブルを含有させることにより、マイクロナノバブルを含まない場合と比較して噴射ノズル(ノズル21)においてより小さなミストを生成できることが確認できた。
1 洗浄装置
10 ケース体
110 柱状体
111 円筒体
120 ミスト
21 ノズル
22 ガス供給管
23 ノズルアーム
24 洗浄液供給管
25 アンダープレート
26 支柱
28 裏面洗浄用流路
3 気泡発生手段
4 カップ体
6 ウエハ保持手段
63 回転筒
64 突縁部
8 制御部
Claims (4)
- 表面にパターンが形成された半導体装置用の基板を洗浄する基板洗浄装置において、
基板を保持する基板保持手段と、
この基板保持手段に保持された基板に供給される洗浄液中に気泡発生用のガスを供給して、正または負の一方に帯電し、且つ、気泡径が10nm以上、100μm以下の気泡を発生させるための気泡発生手段と、
この気泡発生手段にて気泡を含んだ洗浄液を噴霧用のガスと混合して微粒化し、前記基板保持手段に保持された基板に向けてミストを噴射することにより当該基板を洗浄する噴射ノズルと、を備えたことを特徴とする基板洗浄装置。 - 前記基板保持手段を鉛直軸回りに回転させる回転機構を備えたことを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄装置。
- 前記噴射ノズルは、前記気泡を含んだ洗浄液と噴霧用のガスとの混合領域に、ミストの吐出口を備えていることを特徴とする請求項1または2に記載の基板洗浄装置。
- 前記ミストの平均粒径が100nm以上、100μm以下であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。
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