JP2005166956A - 基板処理法及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 各種基板を処理するに際し、乾燥処理効率を上げ、危険な乾燥流体の使用量を少なくして安全で、且つ高品質の表面処理ができるようにする。
【解決手段】 ほぼ水平に保持された状態で回転する被処理基板Wに処理流体を吹き付けて表面処理を行う基板処理法において、
前記被処理基板の乾燥時に、前記被処理基板のほぼ中心部付近から外周縁に向けて、出口が閉鎖され下面が開放された偏平なトンネル状ダクト51からなる平型噴射ノズル50と、前記トンネル状ダクト51の一部外周囲を囲む排気吸引ダクト60とをセットにし、て前記被処理基板Wと所定の間隔を空け平行に配設し、前記トンネル状ダクト51の入口から供給された乾燥流体が前記出口閉鎖端50で遮られ一時滞留することによって生じる前記トンネル状ダクト51内の圧力をP1、前記排気吸引ダクト60の吸引力をP2とし、前記圧力P1を以下の関係に調節して前記被処理基板に吹き付ける。
P1>P2
【選択図】 図3
【解決手段】 ほぼ水平に保持された状態で回転する被処理基板Wに処理流体を吹き付けて表面処理を行う基板処理法において、
前記被処理基板の乾燥時に、前記被処理基板のほぼ中心部付近から外周縁に向けて、出口が閉鎖され下面が開放された偏平なトンネル状ダクト51からなる平型噴射ノズル50と、前記トンネル状ダクト51の一部外周囲を囲む排気吸引ダクト60とをセットにし、て前記被処理基板Wと所定の間隔を空け平行に配設し、前記トンネル状ダクト51の入口から供給された乾燥流体が前記出口閉鎖端50で遮られ一時滞留することによって生じる前記トンネル状ダクト51内の圧力をP1、前記排気吸引ダクト60の吸引力をP2とし、前記圧力P1を以下の関係に調節して前記被処理基板に吹き付ける。
P1>P2
【選択図】 図3
Description
本発明は、半導体ウェーハ、液晶表示装置用基板、記録ディスク用基板、或いはマスク用基板等の各種基板の表面処理を行う基板処理法及び基板処理装置に関する。
半導体ウェーハ、液晶表示装置用基板、記録ディスク用基板、或いはマスク用基板等の各種基板(以下、ウェーハという)は、その表面を清浄にするために、ウェーハ表面を薬液によって処理したのち、純水によって洗浄し、更に有機溶剤、例えばイソプロピルアルコール(以下、IPAという)等の有機溶剤を用いた乾燥が行われている。
これらの処理工程において、乾燥工程が終了した段階においても、ウェーハ表面に水滴が僅かでも残っていると、ウェーハ表面にパーティクル或いはウォータマーク等の発生の原因となってウェーハの品質低下を招来することになる。このため、これらの汚染物質がウェーハに付着しないようにした基板処理装置が開発され広く使用されている。
これらの処理工程において、乾燥工程が終了した段階においても、ウェーハ表面に水滴が僅かでも残っていると、ウェーハ表面にパーティクル或いはウォータマーク等の発生の原因となってウェーハの品質低下を招来することになる。このため、これらの汚染物質がウェーハに付着しないようにした基板処理装置が開発され広く使用されている。
この種の基板処理装置は、一般にバッチ式基板処理装置と枚葉式基板処理装置とに大別され、バッチ式基板処理装置は一回に多数枚のウェーハを処理でき処理能力が高いという特徴を有し、一方、枚葉式基板処理装置はウェーハを1枚ずつ扱うようになっているので高品質の処理ができるという特徴を有している。(例えば、特許文献1、2参照。)。
図7は、下記の特許文献1に記載されている枚葉式基板処理装置を示す断面図である。
この枚葉式基板処理装置100は、液体101で覆われたウェーハWが遠心機102内に設置され、遠心機102内で回転運動を受けることによりウェーハWの表面から液体を遠心分離により除去する装置である。この装置は、液体101が遠心分離によりウェーハWの表面から除去されてしまう前、すなわちウェーハが遠心機102内で回転運動を受ける前に、可溶性で、液体に溶解すると液体の表面張力を小さくするような溶媒蒸気がパイプ103の開口からウェーハW上の液体101に噴射されるようになっている。そして、上記溶媒には、キャリアガスをパイプ104からIPAが貯留されている容器105内に通過させ、この混合ガス106が遠心機102に導入されるようになっている。
この枚葉式基板処理装置100は、液体101で覆われたウェーハWが遠心機102内に設置され、遠心機102内で回転運動を受けることによりウェーハWの表面から液体を遠心分離により除去する装置である。この装置は、液体101が遠心分離によりウェーハWの表面から除去されてしまう前、すなわちウェーハが遠心機102内で回転運動を受ける前に、可溶性で、液体に溶解すると液体の表面張力を小さくするような溶媒蒸気がパイプ103の開口からウェーハW上の液体101に噴射されるようになっている。そして、上記溶媒には、キャリアガスをパイプ104からIPAが貯留されている容器105内に通過させ、この混合ガス106が遠心機102に導入されるようになっている。
また、図8は、下記の特許文献2に記載された枚葉式基板処理装置を示す断面図である。
この枚葉式基板処理装置110は、回転可能なチャック111の上にウェーハWがローディングされるチャンバと、チャンバの一側からウェーハに向けて純水を供給してウェーハ上に水膜112を形成する純水供給ライン113a、113bと、ウェーハW上に洗浄ガスを含んだ各種のガスを噴射しうるガス噴射手段114とから構成されている。
そして、ガス噴射手段114は、第1ノズルN1及び第2ノズルN2を含むガス注入チューブ115aと、ガス注入チューブ115aに取り付けられてウェーハW上に噴射された水膜102の表面に近づいて小さいチャンバ116を形成するガスガード115bとからなり、ガス注入チューブ115aには第1ガスG1及び第2ガスG2が注入されるようになっている。
この枚葉式基板処理装置110は、回転可能なチャック111の上にウェーハWがローディングされるチャンバと、チャンバの一側からウェーハに向けて純水を供給してウェーハ上に水膜112を形成する純水供給ライン113a、113bと、ウェーハW上に洗浄ガスを含んだ各種のガスを噴射しうるガス噴射手段114とから構成されている。
そして、ガス噴射手段114は、第1ノズルN1及び第2ノズルN2を含むガス注入チューブ115aと、ガス注入チューブ115aに取り付けられてウェーハW上に噴射された水膜102の表面に近づいて小さいチャンバ116を形成するガスガード115bとからなり、ガス注入チューブ115aには第1ガスG1及び第2ガスG2が注入されるようになっている。
ところで、下記特許文献1、2に記載されているような枚葉式基板処理装置は、ウェーハ乾燥処理時に、ウェーハが高速回転、例えば1500〜2000rpmの高速回転され、この高速回転による遠心力を利用してウェーハ表面に付着した水滴を吹き飛ばす、いわゆる高速スピン乾燥で行われている。
しかし、このような高速スピン乾燥によっても、ウェーハ表面にパーティクルやウォータマーク等の汚染物質が残留してしまうことが判明した。
その原因は、主に
(i)乾燥工程におけるウェーハの回転中に生じる微細な塵の付着、或いは、
(ii)洗浄不良、いわゆるリンス液による洗浄不良にある。
これらの原因のうち、上記(i)微細な塵付着は、高速回転により発生する風により、微細な塵が空中に舞い、それがウェーハに付着するものであり、これとは別に、高速回転により回転軸から大量に発生する塵がシールを潜り抜けてチャンバに入りこむことも考えられる。また、上記(ii)リンス液による洗浄不良は、元々ウェーハ上のリンス液が除去されないことに起因し、特に、この洗浄不良がパーティクル増加の主たる原因になっている。
しかし、このような高速スピン乾燥によっても、ウェーハ表面にパーティクルやウォータマーク等の汚染物質が残留してしまうことが判明した。
その原因は、主に
(i)乾燥工程におけるウェーハの回転中に生じる微細な塵の付着、或いは、
(ii)洗浄不良、いわゆるリンス液による洗浄不良にある。
これらの原因のうち、上記(i)微細な塵付着は、高速回転により発生する風により、微細な塵が空中に舞い、それがウェーハに付着するものであり、これとは別に、高速回転により回転軸から大量に発生する塵がシールを潜り抜けてチャンバに入りこむことも考えられる。また、上記(ii)リンス液による洗浄不良は、元々ウェーハ上のリンス液が除去されないことに起因し、特に、この洗浄不良がパーティクル増加の主たる原因になっている。
ウェーハ表面に付着する水滴の粒径は、約0.12μm程度であり、この大きさの水滴を上記の高速スピン乾燥による遠心力によって除去しようとすると、試算では、約7.2×107rpmの超高速回転が必要になると考えられる。また、この水滴は、その粒径が0.12μm程度のものばかりでなく、この粒径より更に小さい微小水滴も混在している。したがって、これらの微小水滴をも除去しようとすると、更に回転数を上げなければならないが、現在、このような超高速回転を実現できる技術は未だ開発されていない。
また、下記特許文献1、2に記載されている枚葉式基板処理装置は、乾燥流体がウェーハ表面の上方から放射状に吹き付けられるようになっているので、乾燥流体は分散され均等にウェーハ表面に当たらず、ムラができ高品質の処理が困難である。この点下記特許文献2の基板処理装置は、ガスガードが設けられてこのガスガード内に乾燥流体が噴射されるようになっているが、このガスガードは、ウェーハ表面の中心部を覆い、局部的に乾燥流体を吹き付けるだけなので、ウェーハ全表面に当たらず、この処理装置においても高品質の処理を行うことが難しい。
更に、乾燥流体には通常、IPA蒸気が使用されている。このIPA蒸気は引火し易く、且つ爆発の危険性を有しているため、このようなIPA蒸気を高速回転しているウェーハに吹き付けると、極めて簡単に引火し、爆発事故をも誘発することになる。
下記特許文献1、2の基板処理装置で使用されている乾燥流体は、何れもIPA蒸気である。
このIPA蒸気は、不活性ガスでIPAをバブリングすることによって得たものであるため、飽和濃度未満のIPA気体以外にも微小なIPAの液体粒(以下、「ミスト」という。)が多量に含まれている。そして、ミストの大きさ(サイズ)及び質量は、窒素ガスのそれに比べて大きくて重い。そのためIPAミストの供給量が制限されてしまい、水滴がIPAによって効率よく置換されない。
このIPA蒸気は、不活性ガスでIPAをバブリングすることによって得たものであるため、飽和濃度未満のIPA気体以外にも微小なIPAの液体粒(以下、「ミスト」という。)が多量に含まれている。そして、ミストの大きさ(サイズ)及び質量は、窒素ガスのそれに比べて大きくて重い。そのためIPAミストの供給量が制限されてしまい、水滴がIPAによって効率よく置換されない。
また、不活性ガスを有機溶剤中にバブリングすることなく、有機溶剤を蒸発槽内で加熱蒸発させて有機溶剤蒸気と不活性ガスとの混合ガスを生成して、乾燥流体として利用した基板処理装置も知られている。(例えば、特許文献3参照。)。
下記特許文献3に記載されている基板処理装置は、有機溶剤中に不活性ガスをバブリングすることなく、有機溶剤を蒸発槽内で加熱蒸発させて、この有機溶剤蒸気と不活性ガスとの混合ガスを生成し、この混合ガスを配管内において不活性ガスで希釈すると共に加熱保温して噴射ノズルより噴射するようになしたものである。
この基板処理装置では、配管内及びノズルから噴出されるガス中の有機溶剤蒸気は完全に気体となっており、このような完全に気体となっている有機溶剤蒸気を使用すれば、気体の有機溶剤分子の大きさはミストの大きさよりも遙かに小さいことから、上述のような有機溶剤ミストを使用した場合の問題点は生じないことになる。
この基板処理装置では、配管内及びノズルから噴出されるガス中の有機溶剤蒸気は完全に気体となっており、このような完全に気体となっている有機溶剤蒸気を使用すれば、気体の有機溶剤分子の大きさはミストの大きさよりも遙かに小さいことから、上述のような有機溶剤ミストを使用した場合の問題点は生じないことになる。
しかしながら、完全に気体となっている有機溶剤蒸気を使用してウェーハの乾燥処理を行っても、乾燥ガス中の有機溶剤蒸気濃度は飽和濃度以上にはならないので、乾燥ガス中の有機溶剤の絶対量は少ない。したがって、下記特許文献3に開示されている基板処理装置では、有機溶剤蒸気を大口径ウェーハの隅々まで行き渡らせてウェーハ表面の水滴と置換させるためには非常に時間がかかるので、未だ上述のウェーハ表面に形成されるウォータマークを少なくして殆ど零にすると共にパーティクルの発生をなくし、かつ乾燥処理速度の速い基板処理方法及び装置を提供するには至っていない。
この点を更に詳述すると、乾燥ガス中に含まれる全IPA量が同じであれば、IPAミストのサイズが大きいとそのミストの数は減り、逆にIPAミストのサイズが小さいとそのミストの数は増える。しかも、IPAミストのサイズが大きければ、その分だけ質量も重く、移動スピードが遅くなってしまう。そのため乾燥工程において、乾燥ガスがウェーハに供給されても、ウェーハの表面に付着した洗浄液の水滴数とIPAミストの粒数が均衡せず、例えばIPAミストの粒数が水滴数より少なければ、一部の水滴がIPAによって置換されずに残り、ウォータマークの発生原因となってしまうことになる。
近年、ウェーハの直径も200mmから300mm、更にそれ以上に大口径化してきている。そのため、直径が200mm以下の比較的小さなウェーハでは、ウォータマーク及びパーティクルの発生を抑制できても、直径が300mmのような大口径のウェーハではウォータマーク及びパーティクルが発生してしまい、これまでの装置での処理には限界があることも判明した。
なお、一般に「蒸気」とは「気体」のことを示すが、ウェーハ処理の技術分野においては上述の乾燥ガスのように「気体」以外に「微小な液体粒(ミスト)」を含むものも慣用的に「蒸気」ないしは「ベーパ」と表現されているので、本願明細書及び特許請求の範囲においても「気体」以外に「微小な液体粒(ミスト)」を含むものも「蒸気」と表すこととする。
本発明者は、これらの従来技術が抱える前記課題に鑑み、ウェーハ表面にウォータマーク及びパーティクル等の汚染物質が残留する原因を探求し、その原因が吹き付け時の被処理基板の温度、及び乾燥流体中の蒸気の粒径サイズにあることを突き止めて、本発明を完成するに至ったものである。
そこで、発明の第1の目的は、簡単な方法で乾燥流体により徐々に被処理基板を昇温して乾燥処理効率を上げる基板処理法を提供することにある。
第2の目的は、危険な乾燥流体の使用量を少なくして安全で、且つ高品質の表面処理ができるようにした基板処理法を提供することにある。
第3の目的は、簡単な方法で乾燥流体により徐々に被処理基板を昇温して乾燥処理効率を上げる基板処理装置を提供することにある。
第4の目的は、危険な乾燥流体の使用量を少なくして安全で、且つ高品質の表面処理ができるようにした基板処理装置を提供することにある。
本願の請求項1に係る基板処理法の発明は、
ほぼ水平に保持された状態で回転する被処理基板に処理流体を吹き付けて表面処理を行う基板処理法において、
前記被処理基板の乾燥時に、前記被処理基板のほぼ中心部付近から外周縁に向けて、出口が閉鎖され下面が開放された偏平なトンネル状ダクトからなる平型噴射ノズルと、前記トンネル状ダクトの一部外周囲を囲む排気吸引ダクトとをセットにして前記被処理基板と所定の間隔を空け平行に配設し、前記トンネル状ダクトの入口から供給された乾燥流体が前記出口閉鎖端で遮られ一時滞留することによって生じる前記トンネル状ダクト内の圧力をP1、前記排気吸引ダクトの吸引力をP2とし、前記圧力P1を以下の関係に調節して前記被処理基板に吹き付けることを特徴とする。
P1>P2
ほぼ水平に保持された状態で回転する被処理基板に処理流体を吹き付けて表面処理を行う基板処理法において、
前記被処理基板の乾燥時に、前記被処理基板のほぼ中心部付近から外周縁に向けて、出口が閉鎖され下面が開放された偏平なトンネル状ダクトからなる平型噴射ノズルと、前記トンネル状ダクトの一部外周囲を囲む排気吸引ダクトとをセットにして前記被処理基板と所定の間隔を空け平行に配設し、前記トンネル状ダクトの入口から供給された乾燥流体が前記出口閉鎖端で遮られ一時滞留することによって生じる前記トンネル状ダクト内の圧力をP1、前記排気吸引ダクトの吸引力をP2とし、前記圧力P1を以下の関係に調節して前記被処理基板に吹き付けることを特徴とする。
P1>P2
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理法において、前記乾燥流体は、少なくとも2種類の乾燥流体からなり、これらの乾燥流体を切り換えて供給することを特徴とする。
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の基板処理法において、前記乾燥流体の1種類は、有機溶剤の蒸気と不活性ガスとからなる混合ガスであり、他は不活性ガスであることを特徴とする。
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の基板処理法において、前記有機溶剤の蒸気は、サブミクロンサイズのミストを含んだものであることを特徴とする。
請求項5に記載の発明は、請求項3又は4に記載の基板処理法において、前記有機溶剤は、イソプロピルアルコール、ジアセトンアルコール、1−メトキシ−2−プロパノール、エチル・グリコール、1−プロパノール、2−プロパノール、テトラヒドロフランからなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする。
本願の請求項6に係る基板処理装置の発明は、
被処理基板をほぼ水平に保持した状態で回転させる基板保持回転手段と、前記被処理基板に処理液等を噴射する噴射手段と、前記噴射手段に処理液等を供給する供給手段とを備えた基板処理装置において、
前記噴射手段は、出口が閉鎖され下面が開放された偏平なトンネル状ダクトで形成した平型噴射ノズルからなり、
前記被処理基板の乾燥時に、前記被処理基板のほぼ中心部付近から外周縁に向けて、前記平型噴射ノズルのトンネル状ダクトと、前記トンネル状ダクトの一部外周囲を囲む排気吸引ダクトとをセットにして前記被処理基板と所定の間隔を空け平行に配設し、乾燥流体を前記平型噴射ノズルのトンネル状ダクトの入口から供給して前記被処理基板に吹き付けることを特徴とする。
被処理基板をほぼ水平に保持した状態で回転させる基板保持回転手段と、前記被処理基板に処理液等を噴射する噴射手段と、前記噴射手段に処理液等を供給する供給手段とを備えた基板処理装置において、
前記噴射手段は、出口が閉鎖され下面が開放された偏平なトンネル状ダクトで形成した平型噴射ノズルからなり、
前記被処理基板の乾燥時に、前記被処理基板のほぼ中心部付近から外周縁に向けて、前記平型噴射ノズルのトンネル状ダクトと、前記トンネル状ダクトの一部外周囲を囲む排気吸引ダクトとをセットにして前記被処理基板と所定の間隔を空け平行に配設し、乾燥流体を前記平型噴射ノズルのトンネル状ダクトの入口から供給して前記被処理基板に吹き付けることを特徴とする。
請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の基板処理装置において、前記乾燥流体の流れが前記トンネル状ダクトの出口閉鎖端で遮られ一時滞留することによって生じる前記トンネル状ダクト内の圧力をP1、前記排気吸引ダクトの吸引力をP2とし、両者は以下の関係にあることを特徴とする。
P1>P2
P1>P2
請求項8に記載の発明は、請求項6又は7に記載の基板処理装置において、前記平型噴射ノズルのトンネル状ダクトは、長手方向の長さL1、この長手方向と直交する方向の幅長L2、前記被処理基板の直径をL3とし、これらは以下の関係になっていることを特徴とする。
L3>L1>L2
L3>L1>L2
請求項9に記載の発明は、請求項6〜8の何れか1項に記載の基板処理装置において、前記平型噴射ノズル、前記平型噴射ノズルと前記供給手段とを接続する配管の外周部にヒータが付設されていることを特徴とする。
請求項10に記載の発明は、請求項6〜9の何れか1項に記載の基板処理装置において、前記乾燥流体は、少なくとも2種類の乾燥流体からなり、これらの乾燥流体を切り換えて供給することを特徴とする。
請求項11に記載の発明は、請求項10に記載の基板処理装置において、前記乾燥流体の1種類は、有機溶剤の蒸気と不活性ガスとからなる混合ガスであり、他は不活性ガスであることを特徴とする。
請求項12に記載の発明は、請求項11に記載の基板処理装置において、前記有機溶剤の蒸気は、サブミクロンサイズのミストを含んだものであることを特徴とする。
請求項13に記載の発明は、請求項11又は12に記載の基板処理装置において、前記有機溶剤は、イソプロピルアルコール、ジアセトンアルコール、1−メトキシ−2−プロパノール、エチル・グリコール、1−プロパノール、2−プロパノール、テトラヒドロフランからなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする。
請求項1記載の発明によれば、乾燥流体は、平型噴射ノズル内で一時滞留し、この滞留した状態で被処理基板表面に接触することになる。その結果、乾燥流体は、四方へ放射状に分散されることなく流路内に集められて被処理基板表面に吹き付けられ所定時間接触するので、乾燥流体の無駄がなくなり、少ない乾燥流体でも効率よく被処理基板の乾燥処理ができる。
また、乾燥流体は、流路内で一時滞留して被処理基板に付着している水滴と接触するので、乾燥流体に含まれる有機溶剤が被処理基板に付着している水滴に効率よく浸透し、有機溶剤と水滴との置換効率が上がり、水滴が効率よく除去される。しかも、一時滞留した乾燥流体により被処理基板の温度も上昇するので、乾燥効率がよくなる。
更に、平型噴射ノズルを構成するトンネル状ダクトの内圧P1と排気吸引ダクトの吸引力P2とが、P1>P2の関係にあることから、トンネル状ダクト内で十分に乾燥流体の滞留が起こるようになり、さらに平型噴射ノズルの下面から排出される乾燥流体は、スムーズに排気吸引ダクトに吸込まれ、乾燥流体が外部へ漏れることが少なくなる。その結果、乾燥流体に引火性の有機溶剤を使用しても、危険性がなく安全に乾燥処理を行うことができる。
また、乾燥流体は、流路内で一時滞留して被処理基板に付着している水滴と接触するので、乾燥流体に含まれる有機溶剤が被処理基板に付着している水滴に効率よく浸透し、有機溶剤と水滴との置換効率が上がり、水滴が効率よく除去される。しかも、一時滞留した乾燥流体により被処理基板の温度も上昇するので、乾燥効率がよくなる。
更に、平型噴射ノズルを構成するトンネル状ダクトの内圧P1と排気吸引ダクトの吸引力P2とが、P1>P2の関係にあることから、トンネル状ダクト内で十分に乾燥流体の滞留が起こるようになり、さらに平型噴射ノズルの下面から排出される乾燥流体は、スムーズに排気吸引ダクトに吸込まれ、乾燥流体が外部へ漏れることが少なくなる。その結果、乾燥流体に引火性の有機溶剤を使用しても、危険性がなく安全に乾燥処理を行うことができる。
請求項2記載の発明によれば、種類の異なる乾燥流体を被処理基板に吹き付けることにより、効率のよい、高品質の乾燥処理が可能になる。
請求項3記載の発明によれば、有機溶剤の蒸気と不活性ガスとからなる混合ガスと不活性ガスとを組み合わせ、切り換えて被処理基板に吹き付けることにより、更に効率のよい、高品質の乾燥処理が可能となる。
請求項4記載の発明によれば、有機溶剤の蒸気がサブミクロンサイズのミストを含んだものであるので、このサブミクロンサイズのミストを含んだ有機溶剤の蒸気が効率よく被処理基板に吹き付けられることにより、有機溶剤のサブミクロンサイズのミストが被処理基板の表面の水滴に浸透し、水滴を有機溶剤で置換する。この有機溶剤の蒸気による置換により、水滴の表面張力が低下し、水滴の除去が効率よく行われる。
請求項5記載の発明によれば、有機溶剤に、イソプロピルアルコール、ジアセトンアルコール、1−メトキシ−2−プロパノール、エチル・グリコール、1−プロパノール、2−プロパノール、テトラヒドロフランからなる群から選択される少なくとも1種を使用することにより、それぞれの溶剤の特徴を生かして、良好な被処理基板の処理を行うことができる。
請求項6〜13に記載の発明によれば、前記請求項1〜5に記載の基板処理法を実施し得る基板処理装置が提供される。この基板処理装置は、また、請求項1〜5記載の効果に加え、以下の効果を有している。
平型噴射ノズルは、偏平なトンネル状ダクトで形成できるので、構成が簡単になる。また、トンネル状ダクトの長手方向の長さ及び幅長を変更することにより、乾燥流体流路の大きさを変更し、ウェーハの大きさに合わせて効率のよい乾燥処理ができる。
更に、平型噴射ノズル及び配管にヒータが付設されるので、処理流体の温度を所定の温度に保温しておくことができる。
平型噴射ノズルは、偏平なトンネル状ダクトで形成できるので、構成が簡単になる。また、トンネル状ダクトの長手方向の長さ及び幅長を変更することにより、乾燥流体流路の大きさを変更し、ウェーハの大きさに合わせて効率のよい乾燥処理ができる。
更に、平型噴射ノズル及び配管にヒータが付設されるので、処理流体の温度を所定の温度に保温しておくことができる。
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための基板処理法及び基板処理装置を例示するものであって、本発明をこれらに特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものも等しく適用し得るものである。
図1は本発明の実施例1の基板処理装置を配管図と共に示した概要図、図2は図1の処理室に設置される基板保持回転機構及び平型噴射ノズルを示す拡大側面図、図3は図2の基板保持回転機構及び平型噴射ノズルを示し、同図(a)は平面図、同図(b)は(a)のA−A線の断面図、図4は平型噴射ノズルを示し、同図(a)は斜視図、同図(b)は(a)のB−B断面図である。
基板処理装置10は、図1に示すように、半導体ウェーハ、液晶表示装置用基板、記録ディスク用基板、或いはマスク用基板等の各種基板(以下、ウェーハという)Wの処理を行う処理室20と、この処理室20に乾燥流体を供給する乾燥流体供給部40とから構成されている。なお、この基板処理装置10には、上記の乾燥流体供給部の他に、処理室20に各種薬液及びリンス液を供給してウェーハWを処理及び洗浄を行う処理部及び洗浄部、並びに薬液及びリンス液供給処部が設けられているが、これらは既に公知のものを使用するので、これらは省略されている。
処理室20は、細長な密閉された小室、いわゆるチャンバからなり、このチャンバ20内には、ウェーハWをほぼ水平に保持し回転させるターンテーブル31と、ウェーハWに乾燥流体を吹き付ける噴射ノズル35が収容されている。チャンバ20は、複数本の支柱221、222に支えられ、所定の高さに設置されている。
チャンバ20は、空調設備(図示省略)に連結され、送気口23から清浄な空気が供給され、排気口(図示省略)からチャンバ20内の空気を適宜排出することでチャンバ20内は気流調節されている。また、排気口から排出される排気等は、排気処理設備に送られて処理される。
チャンバ20の底部には、複数個の排出口221、222が形成され、各排出口221、222は排出管223を経て廃液処理設備(図示省略)に接続され、使用済みの各種処理液等はこの廃液処理設備で処理される。
チャンバ20は、空調設備(図示省略)に連結され、送気口23から清浄な空気が供給され、排気口(図示省略)からチャンバ20内の空気を適宜排出することでチャンバ20内は気流調節されている。また、排気口から排出される排気等は、排気処理設備に送られて処理される。
チャンバ20の底部には、複数個の排出口221、222が形成され、各排出口221、222は排出管223を経て廃液処理設備(図示省略)に接続され、使用済みの各種処理液等はこの廃液処理設備で処理される。
ターンテーブル31には、その上面に複数本のチャックピン311〜31nが立設され、各チャックピン311〜31nには、その先端にウェーハWを保持する保持部31’1〜31’nが形成されている。
また、ターンテーブル31の裏面の中心部は、回転軸32に固定され、この回転軸32には、例えばモータなどの回転駆動部341が結合され、回転軸32は回転駆動部341により回転される。したがって、回転駆動部341からの駆動力により回転軸32が回転すると、ターンテーブル31が所定方向へ回転し、複数本のピン311〜31nで保持されたウェーハWが水平面内で回転する。
また、ターンテーブル31の裏面の中心部は、回転軸32に固定され、この回転軸32には、例えばモータなどの回転駆動部341が結合され、回転軸32は回転駆動部341により回転される。したがって、回転駆動部341からの駆動力により回転軸32が回転すると、ターンテーブル31が所定方向へ回転し、複数本のピン311〜31nで保持されたウェーハWが水平面内で回転する。
噴射ノズル39は、昇降・回動機構35に付設されている。昇降・回動機構35は、ターンテーブル31の外側に鉛直方向に沿って設けられた支持軸36と、支持軸36を上下動させるための昇降・回動駆動部342と、支持軸36の上端から水平方向に延びた腕部37とからなる。腕部37は、複数本の配管を収納できる容積を有するダクトで形成されている。
腕部37の先端部には、平型噴射ノズル50が設けられる。この平型噴射ノズル50は、その下面がウェーハW表面との距離が等間隔になるように対向し、支持部材を用いて腕部37の先端部に取り付けられる。平型噴射ノズル50は、図3(a)、(b)に示すように、一端を入口とし、他端の出口が閉鎖され、下面が開放された偏平な逆U字型ダクト51、いわゆるトンネル状ダクトで構成される。このトンネル状ダクト51は、長手方向の長さをL1、この長手方向と直交する幅長をL2、ウェーハWの直径をL3とすると、L3>L1>L2に設定される。
このトンネル状ダクト51は、図4(b)に示すように、上方部がほぼ平坦面52で形成され、この平坦面52の両側部から側壁531、532が垂下し、両側壁531、532の長さは、それぞれ同一長で平坦面52の幅長に比べて短くなって、全体として偏平になっている。また、トンネル状ダクト51は、入口541に管状の管体54が接続され、入口に対向するもう一端55は閉鎖されている。(図3(a)参照。)。
管体54は、ウェーハWから離れる方向、すなわちウェーハW表面の上方へ湾曲している。管体54に湾曲部542を設けることにより、供給管412から供給される乾燥流体は、湾曲部542で流路がスムーズに変更されトンネル状ダクト51内へ供給される。すなわち、乾燥流体は、腕部37の上方から供給管412、湾曲部542を通り下方へ供給され、その流路は入口541付近において上下方向から、水平方向へ変更されるが、その際、乾燥流体は湾曲部542に沿ってスムーズに流れ、流路変更が容易になる。管体54の端部543は、供給管412を介して乾燥流体供給部40に接続されている。
トンネル状ダクト51は、図4に示すように、上方部がほぼ平坦面52で形成され、この平坦面52の両側部から側壁531、532が垂下し、両側壁531、532の長さは、それぞれ同一長で平坦面52の幅長に比べて短くなっている。また、トンネル状ダクト51は、一端541が管状の管体54で形成され、先端部の他端が閉じて閉鎖端55となっている。管体54の端部543は、供給管412を介して乾燥流体供給部40に接続される。
トンネル状ダクト51の先端部を閉鎖端55とすることにより、管体54から供給される乾燥流体は、この閉鎖端55で流れがブロックされ、トンネル状ダクト内で一時滞留し、この滞留の間、乾燥流体がウェーハ表面に接触することになる。したがって、この滞留の間に乾燥流体に含まれる有機溶剤がウェーハ表面に付着している水滴に十分浸透し、有機溶剤が効率よく凝縮するので、水滴の表面張力が小さくなって遠心力により水滴を効率よく除去することができるようになる。
トンネル状ダクト51の先端部を閉鎖端55とすることにより、管体54から供給される乾燥流体は、この閉鎖端55で流れがブロックされ、トンネル状ダクト内で一時滞留し、この滞留の間、乾燥流体がウェーハ表面に接触することになる。したがって、この滞留の間に乾燥流体に含まれる有機溶剤がウェーハ表面に付着している水滴に十分浸透し、有機溶剤が効率よく凝縮するので、水滴の表面張力が小さくなって遠心力により水滴を効率よく除去することができるようになる。
また、管体54は、図3(b)に示すように、ウェーハWから離れる方向、すなわちウェーハW表面の上方へ湾曲している。管体54に湾曲部542を設けることにより、供給管412から供給される乾燥流体は、湾曲部542で流路がスムーズに変更されトンネル状ダクト51内へ供給される。すなわち、乾燥流体は、腕部37の上方から供給管412、湾曲部542を通り下方へ供給され、その流路は入口541付近において、水平方向へ変更されるが、その際、乾燥流体は湾曲部542に沿ってスムーズに流れ、流路変更が容易になる。管体54の端部543は、供給管412を介して乾燥流体供給部40に接続されている。
平型噴射ノズル50は、トンネル状ダクト51、入口541及び管体54の外周面にヒータ56が付設される。このヒータは、トンネル状ダクト51及び管体54を通過する乾燥流体の温度が低下しないように保温する。
平型噴射ノズル50は、その三周囲、すなわち閉鎖端55及び長手方向の両側壁531、532が排気ダクト60で囲まれている。この排気ダクト60は、ほぼU字型をなし、U字型の内面、すなわち平型噴射ノズル50の閉鎖端55及び長手方向の両側壁531、532と対向する部分611〜613が開放され、U字型の外周面は側壁で閉鎖されたダクトからなり、ダクトの他端部62は、排気処理設備(図示省略)に連結されている。排気処理設備は、排気吸引装置65を備えており、平型噴射ノズル50から噴射される乾燥流体が吸引される。この吸引装置65は、所定の吸引能力を有するものが使用される。吸引手段の吸引量をB2とし、乾燥流体の排出量をB1とすると、両者は、B2≧B1に設定される。
したがって、この排気ダクト60は、ウェーハWの乾燥工程時に、平型噴射ノズルの三周囲を囲み、平型噴射ノズル底部とウェーハWとの隙間から噴出される乾燥流体を吸込ませることにより、殆どの乾燥流体がこの排気ダクトに吸込まれ、外に漏れることが少なくなる。その結果、乾燥流体に発火性のある溶剤の使用が可能になる。
この排気ダクト60は、移動機構(図示省略)に付設されて、ウェーハ乾燥時に、ウェーハWの表面上に移動される。このとき排気ダクトとウェーハ表面との隙間は、ほぼ等間隔になるように位置決めされる。
したがって、この排気ダクト60は、ウェーハWの乾燥工程時に、平型噴射ノズルの三周囲を囲み、平型噴射ノズル底部とウェーハWとの隙間から噴出される乾燥流体を吸込ませることにより、殆どの乾燥流体がこの排気ダクトに吸込まれ、外に漏れることが少なくなる。その結果、乾燥流体に発火性のある溶剤の使用が可能になる。
この排気ダクト60は、移動機構(図示省略)に付設されて、ウェーハ乾燥時に、ウェーハWの表面上に移動される。このとき排気ダクトとウェーハ表面との隙間は、ほぼ等間隔になるように位置決めされる。
平型噴射ノズル50は、ウェーハ乾燥時に、平型噴射ノズル50の一端部に近い中心部cがウェーハWのほぼ中心部の真上へまで移動され、ウェーハWとの距離が調節されるが、この際の調節は、昇降・回動機構35により行われる。その調節は、支持軸36を回動させて、平型噴射ノズル50をウェーハWのほぼ中心位置の真上の位置に来るよう調節し、次いで、昇降駆動部342により平型噴射ノズル50を上下動させて、ウェーハWとの距離が調節される。
乾燥流体供給部40は、サブミクロンサイズのミストを含む乾燥流体を発生させる蒸気発生槽45と、蒸気発生槽45内の有機溶剤を加熱する加熱槽(ウォーターバス)46と、蒸気発生槽45に有機溶剤を供給する有機溶剤供給源43と、蒸気発生槽45に貯留された有機溶剤に気泡を発生(バブリング)させる不活性ガス供給源42と、噴射ノズル39へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給源41とから構成されている。
有機溶剤には、ウェーハWの表面に付着する水滴に容易に浸透し、水滴の表面張力を低下させる有機溶剤、例えばイソプロピルアルコール(IPA)が使用される。また、有機溶剤は、このIPAの他に、ジアセトンアルコール、1−メトキシ−2−プロパノール、エチル・グリコール、1−プロパノール、2−プロパノール、テトラヒドロフラン等の有機化合物からなる群から適宜選択して使用される。
不活性ガスには、窒素ガスN2が使用され、この窒素ガスN2の他に、アルゴン、ヘリウム等が適宜選択して使用される。
不活性ガスには、窒素ガスN2が使用され、この窒素ガスN2の他に、アルゴン、ヘリウム等が適宜選択して使用される。
蒸気発生槽45及び不活性ガス供給源41は、処理室20に配管で接続される。蒸気発生槽45と処理室20内の平型噴射ノズル50とは、途中にバルブV2を挿入して配管412、413により接続され、また、不活性ガス供給源41と処理室20内の平型噴射ノズル50とは、途中にバルブV1を挿入して配管411、412により接続される。各配管411〜413は、外周面にヒータ41Hが付設され、各配管を通る乾燥流体を保温し、蒸気発生槽45及び不活性ガス供給源41から供給される乾燥流体等の温度が低下しないようにする。また、各平型噴射ノズル50にもヒータ(図示省略)が付設されている。また、不活性ガス供給源42から蒸気発生槽45へ供給される不活性ガスは、調節弁Pによって調節され、また、蒸気発生槽45内の温度制御は、制御装置T(レギュレータ、温度センサ)によって行われる。
サブミクロンサイズのミストを含む乾燥流体の生成は、先ず、有機溶剤供給源43から蒸気発生槽45内へ有機溶剤、例えばIPAを供給し貯留する。貯留されたIPAは、蒸気発生槽45内で、加熱槽46に貯えられた温水によって加熱される。次いで、蒸気発生槽45に不活性ガス供給源42から不活性ガス、例えば窒素ガスN2を供給し、貯留され加熱されたIPA内に気泡を発生(バブリング)させる。このとき、IPAは、約50℃に加熱される。この温度の加熱により、蒸気発生槽45からサブミクロンサイズのミストを含むIPA蒸気が生成される。生成されたIPA蒸気は、保温された配管を通り、処理室20へ供給される。このとき、配管は約80℃に保温されている。
以下、図1〜6を参照し、上記基板処理装置を用いウェーハWの乾燥工程を説明する。
図5は乾燥流体の供給時間を示したタイミングチャート、図6は乾燥プロセスを模式的に示した説明図であって、図6(a)はリンス液によって洗浄した直後のウェーハの表面状態を示した図、図6(b)は乾燥流体が吹き付けられたときのウェーハの表面状態を示した図、図6(c)は不活性ガスが吹き付けられたときのウェーハの表面状態を示した図である。
図5は乾燥流体の供給時間を示したタイミングチャート、図6は乾燥プロセスを模式的に示した説明図であって、図6(a)はリンス液によって洗浄した直後のウェーハの表面状態を示した図、図6(b)は乾燥流体が吹き付けられたときのウェーハの表面状態を示した図、図6(c)は不活性ガスが吹き付けられたときのウェーハの表面状態を示した図である。
先ず、ウェーハWを図示しない搬送ロボットによって搬送し、チャックピン311〜31nの保持部31’2〜31’nで保持し、回転駆動部341を作動させて、ターンテーブル31を回転させる。
次いで、公知の処理装置(図示省略)を用い、回転しているウェーハW表面に各種薬液を供給して薬液処理し、その後、ウェーハWをリンス液で洗浄する。
ウェーハWをリンス液で洗浄したのちに、ウェーハWの乾燥工程へ移行する。
この乾燥工程は、先ず昇降・回動駆動部35を作動させて、平型噴射ノズル50をウェーハWのほぼ中心部の真上に移動させ、平型噴射ノズル50の閉鎖端55がU字型排気ダクト60の底部と対向させ、ウェーハWとの距離を所定距離に調整する。なお、U字型排気ダクト60は、平型噴射ノズル50をウェーハW表面に位置決めしたのちに、移動機構を作動させてU字型排気ダクトで平型噴射ノズル50の三周囲を囲むようにしてもよい。
次いで、回転駆動部341を作動させて、回転軸32に連結されたターンテーブル31をウェーハWと共に回転させる。その後、平型噴射ノズル50から回転するウェーハWへ乾燥流体を吹き付ける。
この乾燥工程は、先ず昇降・回動駆動部35を作動させて、平型噴射ノズル50をウェーハWのほぼ中心部の真上に移動させ、平型噴射ノズル50の閉鎖端55がU字型排気ダクト60の底部と対向させ、ウェーハWとの距離を所定距離に調整する。なお、U字型排気ダクト60は、平型噴射ノズル50をウェーハW表面に位置決めしたのちに、移動機構を作動させてU字型排気ダクトで平型噴射ノズル50の三周囲を囲むようにしてもよい。
次いで、回転駆動部341を作動させて、回転軸32に連結されたターンテーブル31をウェーハWと共に回転させる。その後、平型噴射ノズル50から回転するウェーハWへ乾燥流体を吹き付ける。
乾燥流体は、乾燥流体供給部40から配管412、423、及び管体54を通り平型噴射ノズル50へ供給される。この際、供給される乾燥流体の流路は、管体の湾曲部542で流路が変更されて幅広の水平流となって平型噴射ノズル50内に送り込まれる。そして、平型噴射ノズル50内に送り込まれた乾燥流体は、閉鎖端55で流れがブロックされ、平型噴射ノズル50内で一時滞留することになる。この滞留の間、乾燥流体がウェーハ表面に接触し、乾燥流体に含まれる有機溶剤がウェーハ表面に付着している水滴に十分浸透し、有機溶剤が効率よく凝縮するので、水滴の表面張力が小さくなるために遠心力によるその除去が容易になる。
平型噴射ノズル50内に滞留した後、乾燥流体は、平型噴射ノズル50の底面とウェーハWとの隙間から放出され、排気ダクト60に吸引されて排気処理設備へ送られる。
平型噴射ノズル50内に滞留した後、乾燥流体は、平型噴射ノズル50の底面とウェーハWとの隙間から放出され、排気ダクト60に吸引されて排気処理設備へ送られる。
このとき乾燥流体は、2種類の乾燥流体を用い、これらの乾燥流体を乾燥流体供給部40から噴射ノズル39へ供給し、この平型噴射ノズル50からウェーハWに噴射する。この2種類の乾燥流体の切り換えは、図5(a)に示すタイミングにより行うと、先ず各バルブV1、V2を開き、蒸気発生槽45で生成されたサブミクロンサイズのミストを含むIPAミストと、不活性ガス供給源41からの窒素ガスとを混合した混合ガスを平型噴射ノズル50に供給し、この平型噴射ノズル50からウェーハWへ吹き付ける。
更に詳述すると、純水によって洗浄された直後のウェーハWの表面は、図6(a)に示すように、ウェーハWの表面に複数個の水滴w0が付着しているが、混合ガスmの吹き付けによりこの混合ガスmに含まれているIPAミストがウェーハW表面の水滴w0に浸透し、水滴w0の表面張力を低下させる。このIPAミストの浸透により、水滴w0は表面張力が低下され偏平状態になると共に、この水滴にIPAミストが凝縮される。更に、表面張力の低下した水滴w0は、混合ガスの吹き付け、及びウェーハWの回転による遠心力によって、平型噴射ノズルの外部に吹飛ばされ除去される。(図6(b)参照。)。
この混合ガスmの供給を所定時間T1した後に、バルブV2を閉じて混合ガスmの供給を止め、不活性ガス供給源41から噴射ノズル39へ加熱された不活性ガスnを供給し、ウェーハWに所定時間T2吹き付ける。このとき、既にウェーハ表面には水滴w0はほとんど吹飛ばされ、ウェーハ表面にはIPAミストが凝縮した薄いIPA液膜が残っているのみであるので、この工程によりウェーハ表面に残った薄いIPA液膜を吹飛ばす、あるいは気化させるようにし、ウェーハ表面の処理を終了する。(図6(c)参照。)。
また、2種類の乾燥流体の切り換えは、図5(b)に示すタイミングで行ってもよい。すなわち、先ず、不活性ガス供給源41から不活性ガス(窒素ガス)の供給を所定時間t1継続したのちに、サブミクロンサイズのミストを含むIPAミストと窒素ガスとを配管内412、413で混合した混合ガスを噴射ノズル39に供給する。次に、この混合ガスの供給を所定時間t2継続したのちに、IPAミストの供給を中止し、再び不活性ガスのみを所定時間t3供給する。ちなみに不活性ガス及び混合ガスの切り換え供給は、各バルブV1、V2の開閉によって行われる。
図5(b)に示すタイミングにより乾燥工程を行った場合、基板上に付着した水滴w0の内、比較的大きな水滴を混合ガスにより置換する前に吹飛ばすことができるため、より効率の良い乾燥を行うことができるようになる。
10 基板処理装置
20 処理室(チャンバ)
221、221 排出口
223 排出管
23 送気口
31 ターンテーブル
32 回転軸
35 昇降・回動機構
40 乾燥流体供給部
41、42 不活性ガス供給源
411〜413 配管
41H、56 ヒータ
43 有機溶剤供給部
45 蒸気発生槽
50 平型噴射ノズル
51 トンネル状ダクト
54 管体
60 排気ダクト
65 排気吸引装置
20 処理室(チャンバ)
221、221 排出口
223 排出管
23 送気口
31 ターンテーブル
32 回転軸
35 昇降・回動機構
40 乾燥流体供給部
41、42 不活性ガス供給源
411〜413 配管
41H、56 ヒータ
43 有機溶剤供給部
45 蒸気発生槽
50 平型噴射ノズル
51 トンネル状ダクト
54 管体
60 排気ダクト
65 排気吸引装置
Claims (13)
- ほぼ水平に保持された状態で回転する被処理基板に処理流体を吹き付けて表面処理を行う基板処理法において、
前記被処理基板の乾燥時に、前記被処理基板のほぼ中心部付近から外周縁に向けて、出口が閉鎖され下面が開放された偏平なトンネル状ダクトからなる平型噴射ノズルと、前記トンネル状ダクトの一部外周囲を囲む排気吸引ダクトとをセットにして前記被処理基板と所定の間隔を空け平行に配設し、前記トンネル状ダクトの入口から供給された乾燥流体が前記出口閉鎖端で遮られ一時滞留することによって生じる前記トンネル状ダクト内の圧力をP1、前記排気吸引ダクトの吸引力をP2とし、前記圧力P1を以下の関係に調節して前記被処理基板に吹き付けることを特徴とする基板処理法。
P1>P2 - 前記乾燥流体は、少なくとも2種類の乾燥流体からなり、これらの乾燥流体を切り換えて供給することを特徴とする請求項1記載の基板処理法。
- 前記乾燥流体の1種類は、有機溶剤の蒸気と不活性ガスとからなる混合ガスであり、他は不活性ガスであることを特徴とする請求項2記載の基板処理法。
- 前記有機溶剤の蒸気は、サブミクロンサイズのミストを含んだものであることを特徴とする請求項3記載の基板処理法。
- 前記有機溶剤は、イソプロピルアルコール、ジアセトンアルコール、1−メトキシ−2−プロパノール、エチル・グリコール、1−プロパノール、2−プロパノール、テトラヒドロフランからなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項3又は4記載の基板処理法。
- 被処理基板をほぼ水平に保持した状態で回転させる基板保持回転手段と、前記被処理基板に処理液等を噴射する噴射手段と、前記噴射手段に処理液等を供給する供給手段とを備えた基板処理装置において、
前記噴射手段は、出口が閉鎖され下面が開放された偏平なトンネル状ダクトで形成した平型噴射ノズルからなり、前記被処理基板の乾燥時に、前記被処理基板のほぼ中心部付近から外周縁に向けて、前記平型噴射ノズルのトンネル状ダクトと、前記トンネル状ダクトの一部外周囲を囲む排気吸引ダクトとをセットにして前記被処理基板と所定の間隔を空け平行に配設し、乾燥流体を前記平型噴射ノズルのトンネル状ダクトの入口から供給して前記被処理基板に吹き付けることを特徴とする基板処理装置。 - 前記乾燥流体の流れが前記トンネル状ダクトの出口閉鎖端で遮られ一時滞留することによって生じる前記トンネル状ダクト内の圧力をP1、前記排気吸引ダクトの吸引力をP2とし、両者は以下の関係にあることを特徴とする請求項6記載の基板処理装置。
P1>P2 - 前記平型噴射ノズルのトンネル状ダクトは、長手方向の長さL1、この長手方向と直交する方向の幅長L2、前記被処理基板の直径をL3とし、これらは以下の関係になっていることを特徴とする請求項6又7記載の基板処理装置。
L3>L1>L2 - 前記平型噴射ノズル、前記平型噴射ノズルと前記供給手段とを接続する配管の外周部にヒータが付設されていることを特徴とする請求項6〜8の何れか1項に記載の基板処理装置。
- 前記乾燥流体は、少なくとも2種類の乾燥流体からなり、これらの乾燥流体を切り換えて供給することを特徴とする請求項6〜9の何れか1項に記載の基板処理法。
- 前記乾燥流体の1種類は、有機溶剤の蒸気と不活性ガスとからなる混合ガスであり、他は不活性ガスであることを特徴とする請求項10記載の基板処理装置。
- 前記有機溶剤の蒸気は、サブミクロンサイズのミストを含んだものであることを特徴とする請求項11記載の基板処理装置。
- 前記有機溶剤は、イソプロピルアルコール、ジアセトンアルコール、1−メトキシ−2−プロパノール、エチル・グリコール、1−プロパノール、2−プロパノール、テトラヒドロフランからなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項11又は12記載の基板処理装置。
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JP2003403845A JP2005166956A (ja) | 2003-12-02 | 2003-12-02 | 基板処理法及び基板処理装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009021422A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
US7694688B2 (en) | 2007-01-05 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Wet clean system design |
US7775219B2 (en) | 2006-12-29 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Process chamber lid and controlled exhaust |
-
2003
- 2003-12-02 JP JP2003403845A patent/JP2005166956A/ja active Pending
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