JP2010098127A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】被処理基板に形成された所定膜に対して所定の液処理を行う基板処理装置において、前記所定膜に対する液処理の進行を促進させ、且つ、効率的に液処理を完了することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｇに液処理を行う基板処理装置２４において、水平姿勢の被処理基板Ｇの処理面に沿って処理液を供給し、該基板Ｇの処理面に処理液を塗布する第１の液処理部２４ｂと、前記第１の液処理部２４ｂにより処理液が塗布された前記被処理基板Ｇを傾斜姿勢にすると共に、該傾斜姿勢の基板Ｇの処理面に沿って処理液を供給する第２の液処理部２４ｃとを備える。
【選択図】図２

Description

本発明は、例えばＬＣＤ用ガラス基板等の被処理基板に所定の回路パターンを形成するために現像処理を行う基板処理装置及び基板処理方法に関する。

ＬＣＤの製造においては、ガラス基板にレジスト膜を形成した後に、回路パターンに対応してこのレジスト膜を露光し、さらにこれを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィ技術を用いて、ガラス基板に所定の回路パターンを形成している。
ここで、例えば、現像処理については、特許文献１に、現像済みのフォトレジスト（及び現像液）を除去する際のリンス液の使用量を削減することのできる基板処理方法及び装置が開示されている。

特許文献１に開示された基板処理方法においては、先ず、水平姿勢で一方向に搬送される基板の表面に現像液を塗布して基板上に液層を形成し、所定時間保持することで現像反応を進行させる（以下、パドル式現像方法という）。その後、基板の搬送方向と直交する方向の端面の一方を持ち上げて基板を傾斜姿勢に変換して現像液を流し落とし、さらに基板を傾斜姿勢で搬送しながらリンス液を基板に供給するというものである。

しかしながら、近年にあっては、ＬＣＤ基板の大型化の要求が強く、特許文献１に開示の基板処理方法では、大型の基板を傾斜姿勢のまま高速搬送した場合、基板に掛かる機械的な負荷や搬送装置の負荷が大きくなり、それら基板や装置に損傷を来す虞があった。

このような問題に対し、本願出願人は、パドル式現像方法を行うべく現像液が塗布され、その後、現像液が塗布された基板から現像液を除去する際、基板を傾斜姿勢として使用後の現像液を流し落とし、その後、傾斜姿勢に保持された基板の表面に沿ってリンス液供給ノズルを所定速度で移動させながらリンス液を基板に供給する液処理装置及び方法を特許文献２に提案している。

この液処理装置及び方法によれば、基板を傾斜姿勢で高速搬送しないため、処理安全性が向上し、また、基板及び装置の破損や損傷の発生を抑制することができる。
また、大型の基板であっても、基板に現像液を塗布する方向と、現像液を液切りする際に基板から現像液が流れ落ちる方向とを同じ方向とすることによって、処理液が基板に接している時間が基板全体で均等化され、基板全体で均一な液処理を行うことができる。
特開平１１−８７２１０号公報 特開２００３−１７４０１号公報

特許文献２に開示の液処理装置及び方法によれば、大型の基板に対する現像処理において、一般に多く用いられているポジ型のレジストに対し、広く対応することができる。
しかしながら、例えばカラーフィルタの着色パターン形成に用いられるＲ，Ｇ，Ｂの各顔料入りレジスト（以下、カラーレジストという）にあっては、カラーレジストへの現像液の浸透性が悪いため、特許文献２に開示する液処理装置で採用しているパドル式の現像方法では現像速度が遅く、実用的ではなかった。
また、顔料入りのカラーレジストにあっては、不要なカラーレジストを現像液に十分に溶解させて除去することができず、リンス洗浄後にレジスト残渣が生じる虞があった。

本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、被処理基板に形成された所定膜に対して所定の液処理を行う基板処理装置において、前記所定膜に対する液処理の進行を促進させ、且つ、効率的に液処理を完了することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。

前記した課題を解決するために、本発明に係る基板処理装置は、被処理基板の処理面に形成された所定膜に対して所定の液処理を行う基板処理装置において、水平姿勢となされた前記被処理基板の処理面に沿って処理液を供給し、該基板の処理面に処理液を塗布する第１の液処理部と、前記第１の液処理部により処理液が塗布された被処理基板を傾斜姿勢にすると共に、該傾斜姿勢の基板の処理面に沿って処理液を供給する第２の液処理部とを備えることに特徴を有する。
尚、前記第２の液処理部は、水平姿勢の前記被処理基板を傾斜姿勢に変換する基板傾斜手段を有し、前記基板傾斜手段は、前記第１の液処理部により処理液が塗布された前記基板の搬送方向の前方を持ち上げて該基板を傾斜姿勢にすることが望ましい。
また、前記第２の液処理部は、処理液を供給する処理液供給ノズルと、前記処理液供給ノズルを移動させるノズル移動手段とを有し、前記処理液供給ノズルは、処理液を前記被処理基板に供給する際、前記ノズル移動手段により、前記傾斜姿勢の基板の処理面に沿って移動されることが望ましい。

このような２段階の液処理を構成することにより、例えばカラーレジストのような現像液（処理液）が浸透し難いレジスト（所定膜）であっても、第２の液処理部において、それまでに現像液（処理液）に溶解したレジストを、新たに供給された現像液（処理液）により押し流し、さらに、新たな現像液（処理液）により現像処理を速く進行させることができる。
したがって、液処理（現像処理）を十分に促進させることができ、且つ、現像処理後のリンス処理（洗浄処理）により基板上にレジスト残渣を残さず、効率的に液処理を完了することができる。

また、前記課題を解決するために、本発明に係る基板処理方法は、被処理基板の処理面に形成された所定膜に対して所定の液処理を行う基板処理方法において、水平姿勢となされた前記被処理基板の処理面に沿って第１の処理液を供給し、該基板の処理面に前記第１の処理液を塗布するステップと、前記第１の処理液が塗布された前記被処理基板を傾斜姿勢にすると共に、該傾斜姿勢の基板の処理面に沿って新たに第１の処理液を供給するステップとを実行することに特徴を有する。
尚、さらに、前記傾斜姿勢の被処理基板を水平姿勢にするステップと、前記水平姿勢の被処理基板に第２の処理液を供給し、前記第１の処理液を除去するステップとを実行することが望ましい。
また、前記第１の処理液が塗布された前記被処理基板を傾斜姿勢にすると共に、該傾斜姿勢の基板の処理面に沿って新たに第１の処理液を供給するステップにおいて、前記基板の搬送方向の前方を持ち上げて該基板を傾斜姿勢にすることが望ましい。

このような２段階の液処理を行うことにより、例えばカラーレジストのような現像液（処理液）が浸透し難いレジスト（所定膜）であっても、第２の液処理部において、それまでに現像液（処理液）に溶解したレジストを、新たに供給された現像液（処理液）により押し流し、さらに、新たな現像液（処理液）により現像処理を速く進行させることができる。
したがって、液処理（現像処理）を十分に促進させることができ、且つ、現像処理後のリンス処理（洗浄処理）により基板上にレジスト残渣を残さず、効率的に液処理を完了することができる。

本発明によれば、被処理基板に形成された所定膜に対して所定の液処理を行う基板処理装置において、前記所定膜に対する液処理の進行を促進させ、且つ、効率的に液処理を完了することのできる基板処理装置及び基板処理方法を得ることができる。

以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。ここで、本実施の形態では、本発明の基板処理装置を、例えばカラーフィルタのパターン形成において、カラーレジストの成膜後に露光処理が施されたガラス基板（被処理基板）に現像処理を行う現像処理ユニット（ＤＥＶ）に適用した場合を例として説明することとする。
図１は、本発明の一実施形態である現像処理ユニット（ＤＥＶ）を具備し、レジスト膜の形成から現像までの処理を連続して行うレジスト塗布・現像処理システムの概略構成を示す平面図である。

最初にレジスト塗布・現像処理システム１００の動作の流れについて簡単に説明する。
まず、カセットステーション１の載置台９に配置されたカセットＣ内のガラス基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで、搬送装置４１により、ガラス基板Ｇがスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、スクラブ洗浄される。スクラブ洗浄処理後、ガラス基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（図示せず）に搬出される。

パスユニットに配置されたガラス基板Ｇは、最初に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１の脱水ベークユニット（図示せず）に搬送されて加熱処理される。
次いで熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニット（図示せず）に搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１もしくは熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒージョン処理ユニット（図示せず）に搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化処理）が施される。

その後、ガラス基板Ｇは、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニットに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（図示せず）に搬送される。
このような一連の処理を行う際のガラス基板Ｇの搬送処理は、全て第１の搬送装置３３によって行われる。

熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニットに配置されたガラス基板Ｇは、レジスト処理ユニット２３の搬送アームによりレジスト処理ユニット２３内へ搬入される。
ガラス基板Ｇは、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａにおいて所定のカラーレジスト液がスピン塗布された後に減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに搬送されて減圧乾燥され、さらに周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃに搬送されてガラス基板Ｇ周縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、ガラス基板Ｇは搬送アームによりレジスト処理ユニット２３から、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（図示せず）に受け渡される。

熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニットに配置されたガラス基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４もしくは熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニット（図示せず）のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のクーリングユニット（図示せず）に搬送されて所定温度に冷却される。
そして、第２の搬送装置３６により、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（図示せず）に搬送される。

その後、ガラス基板Ｇは第２の搬送装置３６によりインターフェイスステーション３のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４へ搬送され、インターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われる。
次いで搬送装置４２により露光装置４に搬送されてそこでガラス基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によってはバッファーステージ（ＢＵＦ）４３上のバッファカセットにガラス基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。

露光終了後、ガラス基板Ｇはインターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されてガラス基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に載置される。ガラス基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４から第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニットへ搬送される。

次いで、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニットから現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより、ガラス基板Ｇはパスユニットから現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入され、そこで現像処理が施される。この現像処理工程については後に詳細に説明することとする。

現像処理終了後、ガラス基板Ｇは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、ガラス基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、ガラス基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内のコロ搬送機構により第３の熱的処理ユニットセクション２８に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット（図示せず）に搬出される。

熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニットに配置されたガラス基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７もしくは熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（図示せず）に搬送されてポストベーク処理される。
その後、ガラス基板Ｇは、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニット（図示せず）に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセットステーション１に配置されている所定のカセットＣに収容される。

次に、本発明の基板処理装置が適用される現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の構造について詳細に説明する。図２は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の概略構造を示す側面図、図３は概略平面図である。
現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４は、導入ゾーン２４ａ、第１の現像液供給ゾーン２４ｂ（第１の液処理部）、第２の現像液供給ゾーン２４ｃ（第２の液処理部）、リンスゾーン２４ｄ、乾燥ゾーン２４ｅから構成されている。
図２，図３に示すように、導入ゾーン２４ａは熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に隣接し、乾燥ゾーン２４ｅはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に隣接している。

図２に示すようにパスユニット（ＰＡＳＳ）７３とｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５の間には、モータ等の駆動によってコロ１７を回転させることによってコロ１７上のガラス基板Ｇを所定方向へ搬送するコロ搬送機構１４が設けられている。このコロ搬送機構１４を動作させることによって、ガラス基板Ｇをパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４を通ってｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に向けて搬送することができるようになっている。また、コロ１７はガラス基板Ｇに撓み等が生じ難いように、ガラス基板Ｇの搬送方向および幅方向（Ｙ方向）に所定数設けられる。

尚、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、コロ搬送機構１４を、例えば、ガラス基板Ｇの搬送速度が異なる領域に分割し、領域ごとに独立して駆動することが好ましい。例えば、ガラス基板Ｇは、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３と導入ゾーン２４ａは第１モータ（図示せず）の駆動によって搬送され、第１の現像液供給ゾーン２４ｂは第２モータ（図示せず）の駆動によって搬送され、第２の現像液供給ゾーン２４ｃは第３モータ（図示せず）の駆動によって搬送され、リンスゾーン２４ｄと乾燥ゾーン２４ｅでは第４モータ（図示せず）の駆動によって搬送されるようになされる。

コロ搬送機構１４については、図４に詳細な構成が示されている。図４（ａ）〜（ｃ）は、第２の現像液供給ゾーン２４ｃに設けられた基板傾斜機構１１０の構成を示す平面図と側面図である。図４（ａ）〜（ｃ）に示されるように、コロ搬送機構１４は、ガラス基板Ｇの搬送方向（Ｘ方向）に延在し、モータ１５によってＸ軸回りに回転する枢軸１８ａと、枢軸１８ａに固定されてＸ軸回りに回転する第１歯車１８ｂとを有している。

また、ガラス基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）に配設され、コロ１７が所定間隔で取り付けられた枢軸１９ａと、枢軸１９ａの一端に第１歯車１８ｂと噛み合うように取り付けられ、第１歯車１８ｂのＸ軸回りの回転をＹ軸回りの回転に変換する第２歯車１９ｂを有している。
また、枢軸１９ａの他端には第３歯車１９ｂ´が取り付けられ、この第３歯車１９ｂ´は、第２歯車１９ｂの回転によって枢軸１９ａを介して回転するようになされている。
さらに、前記枢軸１８ａとガラス基板Ｇの幅方向において対向し、Ｘ軸回りに回転自在な枢軸１８ａ´を有している。前記枢軸１８ａ´には、前記第３歯車１９ｂ´と噛み合うように第４歯車１８ｂ´が設けられ、この第４歯車１８ｂ´は、第３歯車１９ｂ´のＹ軸回りの回転をＸ軸回りの回転に変換する。

コロ搬送機構１４においては、枢軸１９ａを回転させるための駆動部が枢軸１８ａ、第１歯車１８ｂ、第２歯車１９ｂ、モータ１５から構成されている。
なお、第３歯車１９ｂ´、第４歯車１８ｂ´は枢軸１９ａがスムーズに回転するように枢軸１９ａを支持する役割を担っている。

また、図２に示すように、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３は昇降自在な昇降ピン１６を具備している。
ガラス基板Ｇを保持した第２の搬送装置３６の基板保持アームがパスユニット（ＰＡＳＳ）７３内に進入した状態で昇降ピン１６を上昇させると、ガラス基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３の基板保持アームから昇降ピン１６に受け渡される。
また、前記基板保持アームをパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から退出させた後に昇降ピン１６を降下させると、ガラス基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３内のコロ１７上に載置される。そしてコロ搬送機構１４の駆動により、ガラス基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から導入ゾーン２４ａへ搬出されるようになされている。

導入ゾーン２４ａは、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３と第１の現像液供給ゾーン２４ｂとの間の緩衝領域として設けられているものである。この導入ゾーン２４ａは、第１の現像液供給ゾーン２４ｂからパスユニット（ＰＡＳＳ）７３へ現像液が飛散する等して、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３が汚染されるのを防止する。

第１の現像液供給ゾーン２４ｂは、導入ゾーン２４ａから搬送されてきたガラス基板Ｇに最初の現像液の液盛り（パドル形成）を行うゾーンである。このゾーンでは、ガラス基板Ｇに対して処理液として現像液（第１の処理液）を塗布する主現像液吐出ノズル５１ａと副現像液吐出ノズル５１ｂ（以下「現像ノズル５１ａ・５１ｂ」という）の２本のノズルが設けられている。
図３に示すように、第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおいて、基板搬送路の両側には、ガイドレール５９が配置されている。
前記対配置されたガイドレール５９には基板幅方向に沿ってスライドアーム５８が架設され、このスライドアーム５８は、Ｘ方向に移動自在となされている。
また、前記現像ノズル５１ａ・５１ｂは、前記スライドアーム５８に対し、昇降自在に取り付けられている。

また、現像ノズル５１ａ・５１ｂには図示しない現像液供給源から現像液が供給されるようになっている。
ガラス基板Ｇへの現像液のパドル形成の際には、例えば、昇降機構によって現像ノズル５１ａ・５１ｂとガラス基板Ｇとの間隔を調整後、ガラス基板Ｇの搬送方向とは逆の方向に現像ノズル５１ａ・５１ｂを移動させながら吐出口から現像液を基板面に吐出することで基板面に現像液の膜が形成される。

現像ノズル５１ａ・５１ｂとしては、ガラス基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）に長く（図３参照）、その下端には長手方向に沿ってスリット状の吐出口が形成され、そのスリット状の吐出口から略帯状に現像液を吐出することができる構造のものが好適に用いられる。現像ノズル５１ａ・５１ｂには、スリット状の吐出口に代えて複数の円形吐出口が所定間隔で複数形成されているものを用いることもできる。

ここで、本実施形態のように基板Ｇの処理面に形成されたフォトレジスト膜（所定膜）が顔料入りのカラーレジストである場合、現像液がレジストに浸透し難いため、パドル式の現像処理だけでは、短時間で充分に現像処理を進めることができない。このため、第２の現像液供給ゾーン２４ｃでは、ガラス基板Ｇを傾斜姿勢に変換し、第１の現像液供給ゾーン２４ｂで供給された現像液及び現像液に溶解したレジストを流し落とすと共に、基板Ｇを傾斜姿勢に保持した状態でさらに現像ノズル５２から基板表面（処理面）に沿って現像液を吐出するスキャン現像を行う。

第２の現像液供給ゾーン２４ｃは、ガラス基板Ｇを傾斜姿勢に変換する基板傾斜機構１１０（基板傾斜手段）と、基板傾斜機構１１０によって傾斜姿勢に保持されたガラス基板の表面に新たな現像液を供給する現像液供給機構６０とを備えている。
さらに基板傾斜機構１１０によって傾斜姿勢に保持されたガラス基板Ｇから流れ落ちる現像液を回収する現像液回収容器４７が設けられている。

図４に示すように、基板傾斜機構１１０は、ガラス基板Ｇの裏面の所定位置に当接するコロ１０１とコロ１０１を連結する軸部材１０２ａと、軸部材１０２ａを保持するフレーム部材１０３と、フレーム部材１０３の一端を昇降させる昇降機構１０６とを有している。さらに、フレーム部材１０３の一端を上昇させた際にコロ１０１によって斜めに支持されたガラス基板Ｇが滑り落ちないようにガラス基板Ｇの下端となる端面を支持するガイドピン１０４とを有している。軸部材１０２ａとフレーム部材１０３との間は、軸部材１０２ａの両端部に取り付けられた連結治具１０２ｂによって連結されている。

コロ１０１は軸部材１０２ａにＹ方向に所定間隔で複数取り付けられており、また、コロ１０１が取り付けられた軸部材１０２ａはＸ方向に所定間隔でフレーム部材１０３に取り付けられている。こうしてコロ１０１がガラス基板Ｇの裏面に当接してガラス基板Ｇを支持した際に、ガラス基板Ｇに大きな撓みが生じないようになっている。
コロ１０１は軸部材１０２ａ回りに回転自在となっており、ガラス基板Ｇを姿勢変換する際には、ガラス基板Ｇとコロ１０１との摩擦力によってガラス基板Ｇの移動に応じてコロ１０１が回転する。こうして、ガラス基板Ｇの裏面に擦り傷等が付くことが防止される。

ガラス基板Ｇは、ガラス基板Ｇの裏面がコロ１７の上端に接した状態で、コロ搬送機構１４によって第２の現像液供給ゾーン２４ｃへ搬入される。また、第２の現像液供給ゾーン２４ｃにおいては、コロ１０１がガラス基板Ｇの搬送を阻害しないように、コロ１０１の上端がコロ１７の上端と同じ位置かまたはコロ１７の上端よりも低い位置に保持される。

また、フレーム部材１０３における昇降機構１０６が取り付けられていない側の端部は軸部材１０５によって支持されている。即ち、フレーム部材１０３はこの軸部材１０５回りに回動自在となっており、昇降機構１０６によってフレーム部材１０３の一端を持ち上げた際には、フレーム部材１０３が回動して所定角度（例えば５°）で傾斜した状態に保持される。フレーム部材１０３を傾斜させると、コロ１７に支持されていたガラス基板Ｇは、コロ１０１によって支持されて傾斜姿勢に変換される。

ガイドピン１０４は、第２の現像液供給ゾーン２４ｃにおいてガラス基板Ｇを搬送する際には、ガラス基板Ｇの搬送を阻害しないように、ガイドピン１０４の上端が搬送されるガラス基板Ｇの裏面よりも下方に位置するように配置される。また、ガイドピン１０４は、昇降機構１０６によってフレーム部材１０３を傾斜させる際に上方へ突出してガラス基板Ｇの下方端面を支持し、ガラス基板Ｇの滑り落ちを防止する。

また、昇降機構１０６は、ガラス基板Ｇの搬送方向前方側（リンスゾーン２４ｄ側）を持ち上げるようにフレーム部材１０３を回動させるものである。
通常、第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおいて、ガラス基板Ｇの搬送方向前方側から現像液をガラス基板Ｇに塗布する。
したがって、ガラス基板Ｇにおいて現像液の塗布が開始された端面側を持ち上げてガラス基板Ｇから現像液を流し落とすことによって、第１の現像液供給ゾーン２４ｂで塗布された現像液がガラス基板Ｇに接している時間をガラス基板Ｇ全体で均一化する必要がある。
前記のように、ガラス基板Ｇの搬送方向前方側（リンスゾーン２４ｄ側）を持ち上げるようにフレーム部材１０３を回動させることによって、現像むらの発生を抑制し、線幅均一性を高めることができる。

基板傾斜機構１１０によってガラス基板Ｇを傾斜させた際にガラス基板Ｇから流れ落ちる現像液は現像液回収容器４７へ回収される。現像液回収容器４７に回収された濃度の高い現像液は、回収ラインへと送液されてリサイクルされる。

図３に示すように、現像液供給機構６０は、傾斜姿勢に保持されたガラス基板Ｇに残る現像液残渣を押し流すと共に、さらに現像処理を進めるための新たな現像液（第１の処理液）を吐出する現像ノズル５２と、現像ノズル５２を傾斜姿勢に保持されたガラス基板Ｇの表面に沿って斜めに所定速度で移動させる現像ノズル移動機構８５（ノズル移動手段）を有している。
現像ノズル移動機構８５は、ガラス基板Ｇの傾斜角度θと同じ角度で配置されたガイドレール８６と、ガイドレール８６に沿って移動可能に設けられ、かつ現像ノズル５２を保持するノズル保持アーム８７と、ノズル保持アーム８７をガイドレール８６に沿って移動させる駆動機構８８とを有している。

この構成において、基板傾斜機構１１０によって傾斜姿勢に保持されたガラス基板Ｇの処理面に沿って現像ノズル５２を移動させながら、現像ノズル５２から処理液としての現像液がガラス基板Ｇの処理面に供給される。ここで、現像ノズル５２を、基板処理面の上部端から下部端に向けて移動させながら現像液を供給してもよいし、或いは基板処理面の下部端から上部端に向けて移動しながら現像液を供給してもよい。また、基板処理面に対し現像ノズル５２を一方向に移動させるだけでなく、基板処理面に沿って現像ノズル５２を（１回或いは複数回）往復移動させながら現像液を供給するようにしてもよい。
これにより、基板上で現像液に溶解したレジストを効果的に押し流して除去することができ、さらに新たに供給された現像液により、現像速度を向上することができる。

また、リンスゾーン２４ｄには、高速（例えば１６０〜１８０ｍｍ／ｓｅｃ）で搬入されるガラス基板Ｇの表面に対し純水等のリンス液（第２の処理液）を吐出して、基板上の現像液を素早くリンス液に置換するリンスノズル４８と、リンス液に置換後に減速搬送（例えば３０ｍｍ／ｓｅｃ）されるガラス基板Ｇの表面及び裏面に、さらにリンス液を吐出する複数のリンスノズル５３とが搬送路に沿って順に取り付けられている。

即ち、リンスゾーン２４ｄにおいては、ガラス基板Ｇを搬送しながらガラス基板Ｇの表面と裏面にリンス液を供給して、ガラス基板Ｇに付着している現像液の徹底除去およびガラス基板Ｇの洗浄が行われる。なお、リンスノズル４８，５３は、ガラス基板Ｇの幅よりも長い形状を有しており、ガラス基板Ｇの幅方向全体にリンス液を吐出することができるようになっている。

リンスゾーン２４ｄを通過したガラス基板Ｇが搬送される乾燥ゾーン２４ｅには、所定の風圧で窒素ガス等の乾燥ガスを噴射するエアーノズル（エアーナイフ）５４が設けられている。乾燥ゾーン２４ｅにおいては、ガラス基板Ｇを所定速度で搬送しながらガラス基板Ｇの表面と裏面に乾燥ガスを噴射し、ガラス基板Ｇに付着したリンス液を吹き飛ばしてガラス基板Ｇを乾燥する。なお、エアーノズル５４は、ガラス基板Ｇの幅よりも長い形状を有しており、ガラス基板Ｇの幅方向全体に乾燥ガスを吐出することができるようになっている。
乾燥処理が終了したガラス基板Ｇは、コロ搬送機構１４により、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５される。

次に、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４における現像処理工程について説明する。図５は現像処理工程の概略を示すフローチャートである。パスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬入されたガラス基板Ｇは、コロ搬送機構１４によって、導入ゾーン２４ａを通過して第１の現像液供給ゾーン２４ｂに所定速度（例えば２００ｍｍ／秒）で搬入される（図５のステップＳＴ１）。尚、ガラス基板Ｇの処理面には、カラーレジストからなる露光後のレジスト膜（所定膜）が形成されている。

第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおいては、ガラス基板Ｇを所定位置で停止させた状態として（図５のステップＳＴ２）、現像ノズル５１ａ・５１ｂを、例えば、１８０ｍｍ／秒という高速で、基板搬送方向の前方から後方へ向けて移動させながら基板Ｇの表面に現像液を塗布する（図５のステップＳＴ３）。
尚、このようにガラス基板Ｇを停止させた状態とすることで、現像ノズル５１ａ・５１ｂの駆動制御が容易となる。また、安定して現像液をガラス基板Ｇに液盛りすることができる。

次いで、第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおける液盛り（現像液のパドル形成）が終了した基板Ｇを、コロ搬送機構１４を動作させて、例えば、４６ｍｍ／秒の搬送速度で第２の現像液供給ゾーン２４ｃへ搬送する（図５のステップＳＴ４）。
ガラス基板Ｇが第２の現像液供給ゾーン２４ｃに搬送されると、そこでガラス基板Ｇを基板傾斜機構１１０によって傾斜姿勢に変換して基板Ｇ上の現像液が流し落とされる（図５のステップＳＴ５）。こうして基板Ｇから流し落とされた現像液は、現像液回収容器４７に回収され、回収ラインへ送液される。尚、ここで基板傾斜機構１１０は、ガラス基板Ｇの搬送方向の前方側を持ち上げて基板Ｇを傾斜姿勢とする。これにより、第１の現像液供給ゾーン２４ｂで塗布された現像液がガラス基板Ｇに接している時間がガラス基板Ｇ全体で均一化される。

ガラス基板Ｇが所定の傾斜角度θ（例えば５°）に到達するとほぼ同時に、現像ノズル５２から現像液を基板Ｇの処理面に向けて吐出させながら、現像ノズル５２を基板表面に沿って、例えば、２００ｍｍ／秒の高速度で移動させる（図５のステップＳＴ６）。
このステップＳＴ６の処理により、基板処理面において、現像液に溶解したレジストが現像ノズル５２から吐出された新たな現像液により効果的に押し流され、さらに新たな現像液により現像処理が進行し、全体としての現像速度が促進される。

傾斜姿勢のガラス基板Ｇは、基板傾斜機構１１０により高速に（例えば２秒で）水平姿勢に戻され（変換され）、さらに高速（例えば１６０〜１８０ｍｍ／ｓｅｃ）でリンスゾーン２４ｄに搬送される（図５のステップＳＴ７）。
リンスゾーン２４ｄでは、高速で搬入されるガラス基板Ｇの表面に対しリンスノズル４８により純水等のリンス液が供給され、基板上に残る現像液が素早くリンス液に置換される。

さらに、基板Ｇは低速搬送（例えば３０ｍｍ／ｓｅｃ）に切り替えられ、表裏面に対しリンスノズル５３によりリンス液が供給される。
即ち、リンスゾーン２４ｄにおいては、ガラス基板Ｇを搬送しながらガラス基板Ｇの表面と裏面にリンス液を供給して、ガラス基板Ｇに付着している現像液の徹底除去およびガラス基板Ｇの洗浄が行われる（図５のステップＳＴ８）。

このようなリンス処理が行われつつリンスゾーン２４ｄを通過したガラス基板Ｇは乾燥ゾーン２４ｅに搬送される（図５のステップＳＴ９）。乾燥ゾーン２４ｅでは、ガラス基板Ｇを所定速度で搬送しながら、エアーノズル５４による乾燥処理が行われる（図５のステップＳＴ１０）。乾燥処理が終了したガラス基板Ｇは、コロ搬送機構１４により、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、そこで所定の紫外線照射処理が施される。

以上のように、本発明に係る実施の形態によれば、第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおいて、水平姿勢の基板Ｇに現像液が盛られるパドル式の現像処理が施され、さらに第２の現像液供給ゾーン２４ｃにおいて、傾斜姿勢の基板Ｇに対し、基板処理面に沿って新たに現像液が供給される。
このような２段階の現像処理により、カラーレジストのような現像液が浸透し難いレジストであっても、第２の現像液供給ゾーン２４ｃにおいて、それまでに現像液に溶解したレジストを、新たに供給された現像液により押し流し、さらに、新たな現像液により現像処理を促進させることができる。
したがって、現像処理を十分に促進させることができ、且つ、現像処理後のリンス処理により基板上にレジスト残渣を残さず、効率的に現像処理を完了することができる。

図１は、本発明の一実施形態である現像処理ユニットを具備するレジスト塗布・現像処理システムの概略構成を示す平面図である。 図２は、現像処理ユニットの概略構造を示す側面図である。 図３は、現像処理ユニットの概略平面図である。 図４は、第２の現像液供給ゾーンに設けられた基板傾斜機構の構成を示す平面図と側面図である。 図５は、現像処理工程の概略を示すフローチャートである。

符号の説明

１４ コロ搬送機構
１７ コロ
２４ 現像処理ユニット（基板処理装置）
２４ａ 導入ゾーン
２４ｂ 第１の現像液供給ゾーン（第１の液処理部）
２４ｃ 第２の現像液供給ゾーン（第２の液処理部）
２４ｄ リンスゾーン
２４ｅ 乾燥ゾーン
４７ 現像液回収容器
４８ リンスノズル
５１ａ 主現像液吐出ノズル
５１ｂ 副現像液吐出ノズル
５２ 現像ノズル
５３ リンスノズル
５４ エアーノズル
６０ 現像液供給機構
８５ 現像ノズル移動機構
８６ ガイドレール
８７ 現像保持アーム
８８ 駆動機構
１００ レジスト塗布・現像処理システム
１０１ コロ
１０２ａ 軸部材
１０３ フレーム部材
１０４ ガイドピン
１０６ 昇降機構
１１０ 基板傾斜機構（基板傾斜手段）
Ｇ ガラス基板（被処理基板）

Claims (6)

1. 被処理基板の処理面に形成された所定膜に対して所定の液処理を行う基板処理装置において、
   水平姿勢となされた前記被処理基板の処理面に沿って処理液を供給し、該基板の処理面に処理液を塗布する第１の液処理部と、
   前記第１の液処理部により処理液が塗布された被処理基板を傾斜姿勢にすると共に、該傾斜姿勢の基板の処理面に沿って処理液を供給する第２の液処理部とを備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記第２の液処理部は、
   水平姿勢の前記被処理基板を傾斜姿勢に変換する基板傾斜手段を有し、
   前記基板傾斜手段は、前記第１の液処理部により処理液が塗布された前記基板の搬送方向の前方を持ち上げて該基板を傾斜姿勢にすることを特徴とする請求項１に記載された基板処理装置。
3. 前記第２の液処理部は、処理液を供給する処理液供給ノズルと、
   前記処理液供給ノズルを移動させるノズル移動手段とを有し、
   前記処理液供給ノズルは、処理液を前記被処理基板に供給する際、前記ノズル移動手段により、前記傾斜姿勢の基板の処理面に沿って移動されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された基板処理装置。
4. 被処理基板の処理面に形成された所定膜に対して所定の液処理を行う基板処理方法において、
   水平姿勢となされた前記被処理基板の処理面に沿って第１の処理液を供給し、該基板の処理面に前記第１の処理液を塗布するステップと、
   前記第１の処理液が塗布された前記被処理基板を傾斜姿勢にすると共に、該傾斜姿勢の基板の処理面に沿って新たに第１の処理液を供給するステップとを実行することを特徴とする基板処理方法。
5. さらに、前記傾斜姿勢の被処理基板を水平姿勢にするステップと、
   前記水平姿勢の被処理基板に第２の処理液を供給し、前記第１の処理液を除去するステップとを実行することを特徴とする請求項４に記載された基板処理方法。
6. 前記第１の処理液が塗布された前記被処理基板を傾斜姿勢にすると共に、該傾斜姿勢の基板の処理面に沿って新たに第１の処理液を供給するステップにおいて、
   前記基板の搬送方向の前方を持ち上げて該基板を傾斜姿勢にすることを特徴とする請求項４または請求項５に記載された基板処理方法。

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