JP2010098072A - 半導体装置の製造方法及びそのための装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 被処理基板3の一方の面に光硬化型接着剤層4を形成し、支持基板1の一方の面に、光熱変換層2を形成し、この被処理基板3を光熱変換層2の表面上に光硬化型接着剤層4を介して覆い、光を照射することで光硬化型接着剤層を硬化して積層体を得る。その際、光硬化型接着剤層4のうち、被処理基板2から露出する部分に光が当たらないように、遮光板20を用いて光を遮蔽する。これにより、被処理基板2から露出する部分は、容易に除去可能な未硬化状態に維持される。その後、被処理基板3の表面を研削や湿式処理などの処理をして、半導体装置を製造する。
【選択図】 図2
Description
2 光熱変換層
3 被処理基板
4 着剤層
5 紫外光
6 レーザー光
7 剥離用テープ
8 スピンコーター装置のチャンバー
9 スピンチャック
10 薬液塗布ノズル
11 アルカリ性水溶液
12 高圧洗浄用ノズル
13 高圧洗浄水
14 洗浄用ブラシ
20 遮光板
Claims (7)
- 被処理基板の一方の面に、光硬化型接着剤層を形成する工程と、
支持基板の一方の面に、光熱変換層を形成する工程と、
前記被処理基板を前記光熱変換層の表面上に前記光硬化型接着剤層を介して覆い、光を照射することで前記光硬化型接着剤層を硬化して積層体を得る工程と、
この積層体において、前記被処理基板の前記支持基板との接着面とは反対側の面を処理する工程と、
前記処理した被処理基板を、前記光硬化型接着剤層から離す工程と
を含む半導体装置の製造方法において、
前記光硬化型接着剤層を硬化する工程において、前記光硬化型接着剤層のうち、前記被処理基板から露出する部分を未硬化状態に維持することを特徴とする製造方法。 - 前記未硬化状態の光硬化型接着剤層の部分を、高圧の水流で除去する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記未硬化状態の光硬化型接着剤層の部分を、ブラシ洗浄で除去する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記光硬化型接着剤層を硬化する工程が、前記光硬化型接着剤層のうち、前記被処理基板から露出する部分への光の照射を遮蔽することを含む請求項1に記載の製造方法。
- 一方の面に光硬化型接着剤層が形成された被処理基板と、一方の面に光熱変換層が形成された支持基板とを、前記光硬化型接着剤層および前記光熱変換層を介して接着して積層体を製造する装置であって、
前記被処理基板から露出する光硬化型接着剤層の部分に、前記光硬化型接着剤層を硬化するための光が当たらないように遮蔽する手段を備えた装置。 - 未硬化の光硬化型接着剤層を除去するために、高圧の水流を噴射する手段を更に備えた請求項5に記載の装置。
- 未硬化の光硬化型接着剤層を除去するために、ブラシを更に備えた請求項5に記載の装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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JP2010098072A true JP2010098072A (ja) | 2010-04-30 |
JP5252283B2 JP5252283B2 (ja) | 2013-07-31 |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5252283B2 (ja) |
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