JP2010098017A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウエハWを複数の保持体で垂直に保持した状態で搬送する搬送手段であるウエハボートを具備する基板処理装置において、ウエハボート5は、ウエハの下端部を支持する下側保持体20と、ウエハの下部側端部を保持する左右一対の上側保持体30とを具備し、少なくとも一つの保持体は、該保持体の長手方向に対して所定角度に傾斜する略V字状の保持溝21,31を形成してなる。保持溝を構成する第1の傾斜面41でウエハの一方の面を保持すると共に、保持溝を構成する第2の傾斜面でウエハの他方の面を保持する。
【選択図】 図4
Description
上記洗浄・乾燥処理装置は、図1に示すように、被処理基板である半導体ウエハW(以下にウエハWという)を収容する処理室である処理槽1と、この処理槽1の上方に位置するウエハWを収容する乾燥室2と、処理槽1内のウエハWに処理液である酸化膜除去用の薬液例えば希フッ酸水(DHF)を供給する薬液供給手段3と、処理槽1内のウエハWに別の処理液である洗浄用のリンス液を供給するリンス液供給手段4と、乾燥室2内に例えば窒素ガス(N2ガス)や清浄空気等の乾燥気体を供給する乾燥気体供給手段6と、薬液供給手段3、リンス液供給手段4及び乾燥気体供給手段6やこの発明における後述する搬送手段であるウエハボート5、容器カバー昇降機構8、シャッタ9等に制御(作動)信号を伝達する制御手段例えば中央演算処理装置10(以下にCPU10という)と、を具備している。
上記第1実施形態では、下側保持体20が1本の場合について説明したが、下側保持体20Aを2本にしてもよい。すなわち、第2実施形態のウエハボート5Aは、図9ないし図11に示すように、ガイド部7と、このガイド部7に水平状態に固着された互いに平行な、ウエハWの周縁の下端部を支持する2本の下側保持体20A,20Bと、ウエハWの周縁の下部側端部を保持する左右一対の上側保持体30とで主に構成されている。
(1)上記実施形態では、下側保持体20及び上側傾斜保持体30がウエハWの表面を保持する第1の傾斜面41と第2の傾斜面42を有する溝傾斜保持体にて形成される場合について説明したが、下側保持体20及び上側傾斜保持体30のうちの少なくとも一つを溝傾斜保持体にて形成してもよい。この場合、好ましくは少なくとも下側保持体20を溝傾斜保持体にて形成する方がよい。
1 処理槽
2 乾燥室
3 薬液供給手段
4 リンス液供給手段
5,5A ウエハボート(搬送手段)
6 乾燥気体供給手段
9 シャッタ
10 CPU(制御手段)
20,20A,20B 下側保持体
21 保持溝
22 保持面
30 上側保持体
31 保持溝
32 保持面
41 第1の傾斜面
42 第2の傾斜面
43a 表面側保持部
43b 裏面側保持部
Claims (11)
- 被処理基板を複数の保持体で垂直に保持した状態で搬送する搬送手段を具備する基板処理装置において、
少なくとも一つの上記保持体は、該保持体の長手方向に対して所定角度に傾斜する略V字状の保持溝を形成してなり、
上記保持溝を構成する第1の傾斜面で被処理基板の一方の面を保持すると共に、保持溝を構成する第2の傾斜面で被処理基板の他方の面を保持する溝傾斜保持体である、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1記載の基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽を更に具備し、被処理基板を上記搬送手段の保持体によって保持した状態で処理槽内の処理液に浸漬させて被処理基板に処理を施すように形成してなる、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1又は2記載の基板処理装置において、
上記搬送手段は、被処理基板の下端部を支持する下側保持体と、被処理基板の下部側端部を保持する左右一対の上側保持体とを具備する、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3記載の基板処理装置において、
上記下側保持体が溝傾斜保持体にて形成されている、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3記載の基板処理装置において、
上記下側保持体及び上側保持体が溝傾斜保持体にて形成されている、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1又は2記載に基板処理装置において、
隣り合う少なくとも二以上の保持体が溝傾斜保持体にて形成され、
上記隣り合う溝傾斜保持体に形成される保持溝の傾斜角度が両溝傾斜保持体間の中心点に対して対称である、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記溝傾斜保持体において、該保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、保持体の長手方向に沿う中心点に対して対称位置にある、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項5記載の基板処理装置において、
上記下側保持体及び上側保持体において、各溝傾斜保持体の保持溝に保持される被処理基板の保持部は、被処理基板の面中心点に対して対称位置にある、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3,4,5,7又は8のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記下側保持体及び上側保持体における保持溝を有する保持面は、上記下側保持体及び上側保持体によって保持される被処理基板の面中心方向に対向してなる、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし9のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記保持体は、複数枚の被処理基板を互いに並行に保持すべく複数の保持溝を適宜間隔に列設してなる、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3,4,5,7,8,9又は10のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記下側保持体は親水性を有する部材にて形成され、上記上側保持体は疎水性を有する部材にて形成される、ことを特徴とする基板処理装置。
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