JP2010086246A - メモリインターフェース及びメモリインターフェースの動作方法 - Google Patents
メモリインターフェース及びメモリインターフェースの動作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010086246A JP2010086246A JP2008253989A JP2008253989A JP2010086246A JP 2010086246 A JP2010086246 A JP 2010086246A JP 2008253989 A JP2008253989 A JP 2008253989A JP 2008253989 A JP2008253989 A JP 2008253989A JP 2010086246 A JP2010086246 A JP 2010086246A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- read
- memory
- circuit
- memory interface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 claims description 24
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 24
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 8
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 6
- 101150071746 Pbsn gene Proteins 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1006—Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
- G11C29/022—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters in I/O circuitry
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
- G11C29/023—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters in clock generator or timing circuitry
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
- G11C29/028—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters with adaption or trimming of parameters
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/1066—Output synchronization
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/1069—I/O lines read out arrangements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
- G11C7/1093—Input synchronization
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
- G11C7/1096—Write circuits, e.g. I/O line write drivers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
- G11C7/222—Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
Landscapes
- Dram (AREA)
- Memory System (AREA)
Abstract
【課題】初期化シーケンスにおけるタイミングキャリブレーションを適切に実行する技術を提供する。
【解決手段】入力バッファ(21)に供給するデータを遅延させる第1遅延回路(23)と、出力バッファ(21)から読み出したデータを遅延させる第2遅延回路(24)と、第1遅延回路(23)を介してデータをメモリ(5)に供給するデータ書込み回路(25)と、メモリ(5)に書き込まれたデータを、第2遅延回路(24)を介して読み出して読み出しデータとするデータ読み出し回路(26)と、データ信号の揺らぎに応じて形成されるeye開口の開始端部の位置と終了端部の位置を検出し、開始端部と終了端部との中間位置を特定し、中間位置と開始端部との差を、データ信号とデータストローブ信号との位相差とする決定する制御回路(20)とを具備するメモリインターフェースを構成する。
【選択図】図5
【解決手段】入力バッファ(21)に供給するデータを遅延させる第1遅延回路(23)と、出力バッファ(21)から読み出したデータを遅延させる第2遅延回路(24)と、第1遅延回路(23)を介してデータをメモリ(5)に供給するデータ書込み回路(25)と、メモリ(5)に書き込まれたデータを、第2遅延回路(24)を介して読み出して読み出しデータとするデータ読み出し回路(26)と、データ信号の揺らぎに応じて形成されるeye開口の開始端部の位置と終了端部の位置を検出し、開始端部と終了端部との中間位置を特定し、中間位置と開始端部との差を、データ信号とデータストローブ信号との位相差とする決定する制御回路(20)とを具備するメモリインターフェースを構成する。
【選択図】図5
Description
本発明は、メモリインターフェース及びメモリインターフェースの動作方法に関する。
情報処理技術の進歩に伴って、高速化、低消費電力化を可能にした半導体記憶装置が普及している。そのような半導体記憶装置において、高速データ通信を実現するために、データストローブ信号(DQS)を採用した半導体記憶装置に関する技術が知られている。データストローブ信号(DQS)を採用した半導体記憶装置としては、例えば、DDR(Double Data Rate)2 SDRAM(Synchronous DRAM)や、DDR3 SDRAMなど、データ転送レートがGbps帯の半導体記憶装置が例示される。
一般的に、そのような高速の半導体記憶装置と演算処理装置(CPU)との間には、メモリインターフェースが備えられている。現在、市場に流通しているDDR2 SDRAMや、DDR3 SDRAMなどの半導体記憶装置は、電源投入直後の内部回路の論理状態が不定である。それらの半導体記憶装置では、正常な動作を確保するために、電源投入後にメモリインターフェースによる初期化(イニシャライズ)が行われる。
図1は、従来の半導体記憶装置の初期化動作を示すフローチャートである。図1を参照すると、ステップS1において、I/Oとメモリのイネーブルおよび初期値の設定が行われる。その後、ステップS2において、タイミングキャリブレーションが行われる。そして、ステップS3において、初期化シーケンスの終了と、ノーマルオペレーションの開始の準備が行われる。
図2は、上述のタイミングキャリブレーションの構成・動作を示すブロック図である。そのタイミングキャリブレーションは、メモリ側とインターフェース側の双方の制御に基づいて実行される。図2の(a)は、タイミングキャリブレーションの第1段階を示す図である。図2の(b)は、タイミングキャリブレーションの第2段階を示す図である。図2の(c)は、タイミングキャリブレーションの第3段階を示す図である。
図2の(a)を参照すると、タイミングキャリブレーションの第1段階では、転送レートを落として、リードキャリブレーションを行うためのデータ(例えば、PRBS 27−1)を書き込む。図2の(b)を参照すると、第2段階では、その書き込まれたデータを用いてリード側のDQ、DQSのスキュー調整を実行する。図2の(c)を参照すると、第3段階では、リード側のDQ、DQSのスキュー調整を実行する。
従来のスキュー調整では、Write側の物理的な制限(例えば、相対精度のバラツキや、基盤配線等の設計者が調整できる制限)を抑える事が出来ない場合、SDRモードへのモード変更や、転送レートを落として確実にWriteデータを書き込むという手法がある。その手法では、クロックの分周比やモードを通常モード動作中にOn The Flyで安全に切り替えができる機能と、テスト回路とが必要である。そして、テストには、 PRBSなどの擬似ランダムパターンが必要である。
たとえばPRBS7段などの特定パターン長を用いて、上述のタイミングキャリブレーションを実行する場合、
「ReadデータのWrite」、
「ReadのCalibration」、
「WriteのCalibration」
の3回の処理を実行しなければならない。
このとき、Read時に正常なデータが取り込めなかった場合、最初のWriteに失敗したためなのか、Readに問題があるのかの判断をすることが困難である。また、最初のWriteに失敗した場合は、再度周波数を落としてWriteする必要がある。
「ReadデータのWrite」、
「ReadのCalibration」、
「WriteのCalibration」
の3回の処理を実行しなければならない。
このとき、Read時に正常なデータが取り込めなかった場合、最初のWriteに失敗したためなのか、Readに問題があるのかの判断をすることが困難である。また、最初のWriteに失敗した場合は、再度周波数を落としてWriteする必要がある。
また、上述の技術以外にも、メモリインターフェース回路の技術が知られている(たとえば、特許文献1、2参照)。その特許文献1(特開2007−058990号公報)には、データと、そのデータをサンプリングするためのストローブ信号との位相関係が、入力と出力で異なるインターフェースにおいて、ループバック試験を可能とする技術が記載されている。その特許文献1を参照すると、入力側の位相シフトとサンプリング回路をテストするために、出力側の位相シフト回路においてDQとDQSの位相をそろえて出力し、DQSは位相シフト回路で90度シフトされ、サンプリング回路でサンプルされる。出力側機能をテストするために、入力側のDQSの位相シフトしないように位相シフト回路を制御し、出力側の位相シフト回路は、データサンプリングクロックの位相シフトを90度に設定し、DQSの位相シフトは180度固定とし、サンプリング回路は、ループバックされたDQを、90度位相をシフトされたDQSでサンプルしている。
また、特許文献2(特開2008−052335号公報)には、データ信号のデータ有効ウィンドウを自動検知してストローブ信号の最適遅延量を調整するキャリブレーション回路と、データ信号遅延回路とを有するインターフェース回路に関連する技術が記載されている。そのデータ信号遅延回路は、キャリブレーション回路における最小遅延量をtMINDLY、データ信号とストローブ信号との間のスキューをtSKEW、データ信号のセットアップ時間をtSETUPとしたとき、
tFIXDLY>tMINDLY+tSKEW−tSETUP
を満たす遅延量tFIXDLYだけデータ信号を遅延させている。
特開2007−058990号公報
特開2008−052335号公報
tFIXDLY>tMINDLY+tSKEW−tSETUP
を満たす遅延量tFIXDLYだけデータ信号を遅延させている。
上述のように、従来のメモリインターフェースは、タイミングキャリブレーションを行うときに、最初のWriteが確実にできないと、Read時に正常なデータが取り込めなかった。そのため、従来のメモリインターフェースは、Read時のデータの取り込みが不完全だった場合に、最初のWriteに失敗したため、データの取り込みに失敗したのか、最初のWriteは成功しているが、Readに問題があるのかの判断が困難であった。
殊に、高速でデータを転送する半導体記憶装置においては、高速化、プロセスの微細化などに起因して、1ビット長に占める反射やISI、IRドロップ等によるジッタの割合が大きくなってきている。そのため、そのようなに半導体記憶装置に対応したメモリインターフェースに対して、ジッタの割合が大きくても、安定してデータの読み出しと書込みとができる技術が求められている。本発明が解決しようとする課題は、タイミングキャリブレーションを適切に実行しるための技術を提供することにある。
以下に、[発明を実施するための最良の形態]で使用される番号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号は、[特許請求の範囲]の記載と[発明を実施するための最良の形態]との対応関係を明らかにするために付加されたものである。ただし、それらの番号を、[特許請求の範囲]に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
上記の課題を解決するために、入力バッファ(21)に供給するデータを遅延させる第1遅延回路(23)と、出力バッファ(21)から読み出したデータを遅延させる第2遅延回路(24)と、前記第1遅延回路(23)を介して前記データをメモリ(5)に供給するデータ書込み回路(25)と、前記メモリ(5)に書き込まれた前記データを、前記第2遅延回路(24)を介して読み出して読み出しデータとするデータ読み出し回路(26)と、データ信号の揺らぎに応じて形成されるeye開口の開始端部の位置と終了端部の位置を検出し、前記開始端部と前記終了端部との中間位置を特定し、前記中間位置と前記開始端部との差を、データ信号とデータストローブ信号との位相差とする決定する制御回路(20)とを具備するメモリインターフェースを構成する。
また、メモリインターフェースを、以下の行為の連鎖に対応して動作させる。まず、(a)データの揺らぎに応じて形成されるeye開口を特定し、前記eye開口の端部の位置を検出する。そして、(b)前記端部に対向する他の端部の位置を検出する。そのうえで、(c)前記端部と前記他の端部との中間を、データストローブ信号の立ち上がり/立下りの位置とする。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、データストローブ信号を用いてデータの読み出しと書き込みとを行うメモリシステムにおいて、初期化シーケンスにおけるタイミングキャリブレーションを適切に実行する技術を提供することが可能となる。
以下、本発明のメモリインターフェース11の実施の形態を、図面に基づいて説明する。本実施形態のメモリインターフェース11は、データストローブ信号に対応してデータの読み出しと書込みとが実行されるメモリに対し、そのデータの読み書きを制御する。本実施形態のメモリインターフェース11は、適用される機器に対する制限は無く、その機器に搭載されたメモリが、データストローブ信号に対応していればよい。したがって、以下の実施形態においては、メモリインターフェース11がコンピュータシステム1に搭載された場合を例示して、本実施形態の構成・動作について説明を行う。なお、本実施形態の構成・動作を説明するための図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
図3は、本実施形態のメモリインターフェース11を搭載したコンピュータシステム1の構成を例示するブロック図である。コンピュータシステム1は、メモリインターフェース11を含むチップセットに対応した情報処理装置であり、入力、出力、記憶、演算、制御などの機能を実現することができる。そのコンピュータシステム1は、CPU2と、メモリブリッジ3と、I/Oブリッジ4と、メモリ5と、グラフィックスカード6と、HDD7と、スイッチ8と、周辺機器9とローカルI/O10とを含んでいる。
CPU2は、本実施形態のコンピュータシステム1を構成する情報処理装置本体に備えられた中央演算処理装置である。CPU2は、コンピュータシステム1に備えられた各種装置の制御やデータの処理を行う。CPU2は、入力装置(図示されず)などから受け取ったデータを解釈して演算し、その演算結果を出力装置(図示されず)などに出力する。
メモリブリッジ3は、ノースブリッジとも呼ばれ、CPU2とメモリ5とを相互に接続してデータの橋渡し(Bridge)を行う。また、メモリブリッジ3は、CPU2と拡張バスとを相互に接続してデータの橋渡しを行う。I/Oブリッジ4は、サウスブリッジとも呼ばれ、各種のI/Oコントローラを統合し、拡張バスなどとのデータの橋渡しを行う。
メモリ5は、主記憶装置(メインメモリ)とも呼ばれ、コンピュータシステム1の内部でデータやプログラムを記憶する装置である。メモリ5は、CPU(中央処理装置)が直接読み書きできる領域を備えている。以下の実施形態においては、メモリ5が、DDR3 SDRAMなどの高速な半導体記憶装置である場合を例示する。
グラフィックスカード6は、コンピュータシステム1の出力装置(例えば、液晶ディスプレイ)に、画面を表示するための回路基板である。グラフィックスカード6は、メモリブリッジ3を介してCPU2に接続され、CPU2の命令に応答してユーザに画面を提供する。HDD7は、電源が遮断された後も情報を保持し続けることができる補助記憶装置である。本実施形態のコンピュータシステム1においては、補助記憶装置として、HDD7の他にフラッシュメモリなどの不揮発性半導体記憶装置を適用することもできる。周辺機器9は、スイッチ8を介してI/Oブリッジ4に接続される外部入出力装置である。ローカルI/O10は、コンピュータシステム1に固有の周辺装置である。
また、図3に示されているように、メモリブリッジ3は、メモリインターフェース11と、CPUインターフェース12と、グラフィックインターフェース13とを含んでいる。メモリインターフェース11は、メモリ5に接続され、メモリ5へのデータの書き込みと、メモリ5からのデータの読み出しとを制御する。CPUインターフェース12は、CPU2に接続され、CPU2からの命令を受け取ったり、CPU2へデータを供給したりする。グラフィックインターフェース13は、グラフィックスカード6に接続され、グラフィックスカード6への画像データの供給を制御する。
以下に、図面を参照して、メモリインターフェース11の詳細な構成について説明を行う。図4Aおよび図4Bは、メモリインターフェース11の構成を例示するブロック図である。図4Aは、メモリインターフェース11の第1領域の構成を例示している。図4Bは、メモリインターフェース11の第2領域を例示している。
図4Aおよび図4Bを参照すると、メモリインターフェース11は、制御回路20と、入出力バッファ21と、データストローブ入出力バッファ22と、書込み側遅延回路23と、読み出し側遅延回路24と、データ書込み回路25と、データ読み出し回路26と、選択回路27と、エッジ検出回路28と、Elastic Buffer29と、DLL(Delay Lock Loop)30とを含んでいる。なお、以下の説明において、同様の機能を提供する複数の構成要素の各々を区別する場合には、参照符号の後に枝番号を付す。
入出力バッファ21は、メモリに書き込むためのデータや、メモリから読み出されたデータを一時的に保持する記憶する。メモリインターフェース11は、複数の入出力バッファ21(第1入出力バッファ21−1、第2入出力バッファ21−2…第n入出力バッファ21−n)を備えている。複数の入出力バッファ21の各々は、書込みバッファと読み出しバッファとを備えている。
データストローブ入出力バッファ22は、データストローブ信号DQS(または、反転データストローブ信号DQSb)を一時的に保持する。データストローブ入出力バッファ22は、データストローブ読み出しバッファ22aとデータストローブ書込みバッファ22bとを含んでいる。
制御回路20は、メモリインターフェース11に備えられて各回路ブロックの設定値や、データの書込み/読み出しのタイミングの制御を行う。
書込み側遅延回路23は、メモリに書き込むデータを遅延させる。メモリインターフェース11は、複数の書込み側遅延回路23(第1書込み側遅延回路23−1、第2書込み側遅延回路23−2…第n書込み側遅延回路23−n)を備えている。複数の書込み側遅延回路23の各々は、入出力バッファ21の書込みバッファに接続されている。書込み側遅延回路23は、制御回路20から供給される遅延制御信号に応答して、遅延値が変化する。また、メモリインターフェース11は、書込み側データストローブ遅延回路23−sを備えている。その書込み側データストローブ遅延回路23−sは、データストローブ書込みバッファ22bに接続されている。
読み出し側遅延回路24は、メモリから読み出したデータを遅延させる。メモリインターフェース11は、複数の読み出し側遅延回路24(第1読み出し側遅延回路24−1、読第2み出し側遅延回路24−2…第n読み出し側遅延回路24−n)を備えている。複数の読み出し側遅延回路24の各々は、入出力バッファ21の読み出しバッファに接続されている。読み出し側遅延回路24は、制御回路20から供給される遅延制御信号に応答して、遅延値が変化する。また、メモリインターフェース11は、読み出し側データストローブ遅延回路24−sを備えている。その読み出し側データストローブ遅延回路24−sは、DLL(Delay Lock Loop)30を介してデータストローブ読み出しバッファ22aに接続されている。
DLL(Delay Lock Loop)30は、初期化状態のときに、データストローブ読み出しバッファ22aから供給されるデータストローブ信号DQSに応答して、位相が異なる2種類のデータストローブ信号(以下、第1データストローブ信号s90および第2データストローブ信号s45と記載する)を生成する。
データ書込み回路25は、メモリに書き込むデータを供給する。メモリインターフェース11は、複数のデータ書込み回路25(第1データ書込み回路25−1、第2データ書込み回路25−2…第nデータ書込み回路25−n)を備えている。複数のデータ書込み回路25の各々は、対応する書込み側遅延回路23に一対一に接続されている。また、データ書込み回路25は、パラレルデータをシリアルデータに変換する。
データ読み出し回路26は、メモリから読み出されたデータを後段に出力する。メモリインターフェース11は、複数のデータ読み出し回路26(第1データ読み出し回路26−1、第2データ読み出し回路26−2…第nデータ読み出し回路26−n)を備えている。複数のデータ読み出し回路26の各々は、対応する読み出し側遅延回路24に一対一に接続されている。複数のデータ読み出し回路26の各々は、読み出し側データストローブ遅延回路24−sから供給されるデータストローブ信号DQS(第1データストローブ信号s90、第2データストローブ信号s45)に応答して、データの読み出しを行う。また、データ読み出し回路26は、シリアルデータをパラレルデータに変換する。
選択回路27は、初期化を行っているときに制御回路20から供給されるテストパターンと、通常動作を行っているときの書込み用データとを選択する。メモリインターフェース11は、複数の選択回路27(第1選択回路27−1、第2選択回路27−2…第n選択回路27−n)を備えている。その選択回路27の各々は、対応するデータ書込み回路25に一対一に接続されている。
エッジ検出回路28は、データ読み出し回路26から供給されるデータに基づいて、そのデータのエッジを検出する。メモリインターフェース11は、複数のエッジ検出回路28(第1エッジ検出回路28−1、第2エッジ検出回路28−2…第nエッジ検出回路28−n)を備えている。複数のエッジ検出回路28の各々は、検出結果を制御回路20に供給する。
Elastic Buffer29は、データ読み出し回路26から供給されるデータを一時的に保持した後、そのデータを後段の回路(例えば、CPU)に供給する。メモリインターフェース11は、複数のElastic Buffer29(Elastic Buffer29−1、Elastic Buffer29−2…Elastic Buffer29−n)を備えている。複数のElastic Buffer29の各々は、データ読み出し回路26に一対一に対応して設けられている。
また、図4Bを参照すると、制御回路20は、スキューコントローラ31と、パターンジェネレータ32と、パターンコンパレータ33とを含んでいる。スキューコントローラ31は、データDQとデータストローブ信号DQSの位相の制御を行う。パターンジェネレータ32は、メモリ5に書き込むパターンを生成する。パターンコンパレータ33は、読み出したデータパターンと、書き込まれたパターンとの比較を行う。
以下に、本実施形態の動作について説明を行う。図5は、本実施形態の動作を例示するフローチャートである。本実施形態のメモリインターフェース11は、初期化動作の実行中において、図5に示される手順に従って、キャリブレーション動作を行う。
図5を参照すると、ステップS101において、メモリインターフェース11は、eye開口(タイミングマージン)が構成されるときの、端部(左端部)のタイミングを特定する。図5に示されているように、メモリインターフェース11は、時間の流れに対し、そのeye開口が出現する時刻を、その端部のタイミングとする。ステップS102において、メモリインターフェース11は、そのeye開口の他の端部(右端部)のタイミングを特定する。図5に示されているように、メモリインターフェース11は、時間の流れに対し、そのeye開口が消滅する時刻を、その端部のタイミングとする。
その後、ステップS103において、メモリインターフェース11は、特定した2つの端部のタイミングに基づいて、データストローブ信号DQSの動作タイミングを設定する。このような動作によって、初期化の際にデータDQとデータストローブ信号DQSとの位相を最適な値にする。なお、上述のフローチャートでは、eye開口の左端部を先に特定する場合の動作を例示した。本実施形態のメモリインターフェース11の動作は、このフローチャートの流れに制限されることは無く、例えば、eye開口の右端部を先に特定しても良い。
ここで、本実施形態の動作の詳細について説明を行う。図6は、本実施形態のメモリインターフェース11によるキャリブレーション動作で用いるデータの波形を例示する波形図である。本実施形態において、初期化シーケンスではLone Bitのデータ(1ビットの孤立波)と、Low Frequencyのデータ(2ビット以上の連続データ)を使用する。
図6に示されているように、また、Low Frequencyのデータの周波数成分は、低域に偏ったものであり、このパターンによって、Jitterを回避したEye開口の左側を検出することができる。また、Lone Bitのデータは、1bitだけ論理が違う孤立波(たとえば01000000)であり、その周波数成分は、PRBSと同じように高域にわたってデータ成分を保有している。そのため、伝送線路等のLossにより高域データが減衰するというデータの品質劣化の影響を受けやすい。これによって、Eye開口の右端と左端を検出することができる。
図7は、上述の図5におけるステップS101の動作の詳細を例示するフローチャートである。図7に示されている動作によって、メモリインターフェース11は、Eye開口の左端部を検出する。メモリインターフェース11は、Low Frequencyのデータで書込みと読み出しとを行いながら、読み出しは、ランダムジッタを回避した領域、すなわち、後述の図10におけるRL0からRR1までの領域を見つける。ここにおいて、eye開口の左端は、そのRL0に一致する。また、書込みは、何かしらのデータ書き込みが可能な領域、すなわち、図10におけるWL0からWR0までの領域を見つける。
図7を参照すると、ステップS201において、メモリインターフェース11の制御回路20に備えられたスキューコントローラ31は、書込み側遅延回路23と読み出し側遅延回路24の遅延を最小値に設定する。ステップS202において、制御回路20は、書込み側遅延回路23を介して、メモリ5にLow Frequencyのデータを、通常モードでメモリ5に書き込む。
ステップS203において、制御回路20は、読み出し側遅延回路24に、そのLow Frequencyのデータの読み出しを指示する。読み出し側遅延回路24は、その指示に応答して、メモリ5から、そのLow Frequencyのデータを読み出す。また、この読み出し動作に対応して、エッジ検出シーケンスを実行する。
ステップS204において、エッジ検出回路28は、読み出し側遅延回路24から供給されるLow Frequencyのデータに基づいて、そのエッジの検出を行う。また、エッジ検出回路28は、その検出結果を、制御回路20に通知する。
ステップS205において、制御回路20は、エッジ検出回路28からの通知に基づいて、エッジが検出されたか否かの判断を実行する。その判断の結果、エッジが検出された場合には、処理は、終了する。その判断の結果、エッジが検出されなかった場合には、処理はステップS206に進む。そのステップS206において、制御回路20は、書込み側遅延回路23の遅延量を変化させた後、処理はステップS202に戻り、その書込み側遅延回路23を介して、メモリ5にLow Frequencyのデータを書き込む。
図8は、上述のエッジの検出の動作を具体的に例示するタイミングチャートである。図8に示されているように、メモリインターフェース11は、S−ATA(Serial − Advanced Technology Attachment)などで使用されているような、位相を違えた複数のクロック(ここでは、45度と90度)で同じデータをラッチし、各々の位相のデータの値を比較して位相、すなわちエッジを検出する。このときは、エッジを検出できればよいので、Low Frequencyのデータが正常に書き込めている必要は無い。たとえば、
“11001100”
を書き込もうとした場合、データストローブ信号DQSのずれによって、
“11100100”
と書き込まれた場合でも、少なくとも3点のエッジの変化点がある。そのため、エッジの検出は可能である。
“11001100”
を書き込もうとした場合、データストローブ信号DQSのずれによって、
“11100100”
と書き込まれた場合でも、少なくとも3点のエッジの変化点がある。そのため、エッジの検出は可能である。
図9は、上述の図5におけるステップS102の動作の詳細を例示するフローチャートである。メモリインターフェース11は、図9に示されている動作によって、Eye開口の右端部を検出する。メモリインターフェース11は、Lone Bitパターンを用いて、ISI(inter-symbol interference:シンボル間干渉)に起因する劣化を加味した領域で、データが正常にRead/Writeできる領域、すなわち、図10におけるRL0からRR1’までの領域と、WL0’からWR0’までの領域とを検出する。ここにおいて、Eye開口の右端はRR1’に一致する。
図10は、上述のEye開口の右端部を検出する動作における、期待値の照合に用いられる領域の構成を例示する概念図である。図10には、Low Frequencyのエッジ検出により検出された領域とLone Bitの期待値照合で詳細検出された領域とが例示されている。
Low Frequencyのエッジ検出により検出された領域は、そのLow Frequencyのデータの読み出しでのEye開口の左端の特定と、書き込みにおいて、何かしらのデータが書き込める領域の特定とで決まる。また、Lone Bitの期待値照合で詳細検出された領域は、そのLone Bitのデータの読み出しでのEye開口の右端の特定と、書込みでのEye開口の右端と左端の特定とで決まる。
図10に示すように、読み出しの実行においては、Eye開口の左側の位置が認識されている。そのため、1UI(Unit Interval)のずれがない場合、データの読み出しを失敗することはない。期待値に一致する領域を検出中に、書き込まれたデータの読み出しが適切に出来ないと言うことは、1UI単位のずれがあることを意味する。
Low Frequencyのエッジ検出により検出された領域は、そのLow Frequencyのデータの読み出しでのEye開口の左端の特定と、書き込みにおいて、何かしらのデータが書き込める領域の特定とで決まる。また、Lone Bitの期待値照合で詳細検出された領域は、そのLone Bitのデータの読み出しでのEye開口の右端の特定と、書込みでのEye開口の右端と左端の特定とで決まる。
図10に示すように、読み出しの実行においては、Eye開口の左側の位置が認識されている。そのため、1UI(Unit Interval)のずれがない場合、データの読み出しを失敗することはない。期待値に一致する領域を検出中に、書き込まれたデータの読み出しが適切に出来ないと言うことは、1UI単位のずれがあることを意味する。
図9に戻り、ステップS301において、メモリインターフェース11の制御回路20は、書込み側遅延回路23と読み出し側遅延回路24の遅延を最小値に設定する。ステップS302において、制御回路20は、書込み側遅延回路23を介して、通常モードでメモリ5にLone Bitのデータを書き込む。
ステップS303において、メモリインターフェース11は、そのLone Bitのデータを読み出す。また、この読み出し動作に対応して、期待値照合のシーケンスを実行する。ステップS304において、読み出し側遅延回路24から供給されるLone Bitのデータの遅延位置の制御を実行する。
ステップS305において、制御回路20は、期待値に一致する領域が検出されたか否かの判断を実行する。データの期待値照合は、パラレルデータに変換した後のデータを用いる。そのため、フローでビットがずれている場合(つまり、1UIのずれがある場合)も、エッジの検出が完了しているので、そのエッジを基準に補正を行うことが可能になっている。その判断の結果、その領域が検出された場合には、処理は終了する。その判断の結果、その領域が検出されなかった場合には、処理はステップS306に進む。
ステップS306において、期待値に一致する領域を検出中に、書き込まれたデータの読み出しが適切に出来ない場合、位相を1UIずらして再度領域の検出を始める。
本実施形態のメモリインターフェース11は、クロックの分周比やモードを、通常モード動作中On The Flyで安全に切り替えができる機能と、テスト回路が必要はない。メモリインターフェース11は、正常なWriteが出来ない状態でも、Low Frequencyのデータの書き込みを行えば、データの取りこぼしがあっても何かしらのデータが書き込めている。このLow Frequencyのデータを用いたエッジ検出のシーケンス中においては、データの読み出しを実行する際は、そのデータのエッジ検出のみを行う。そのシーケンスではデータの期待値照合に依存せずにSkewの検出を行うので、Read側のEye開口の左側を検出できる。そして、Writeに失敗していても、期待値照合(ReadのCalibration)シーケンスにおけるエッジ検出によって、Eye開口が確認できる。これによって、テスト回数を2回(「ReadのCalibration」と「WriteのCalibration」)に短縮することが可能となる。
また、本実施形態のコンピュータシステム1は、Eye開口の右と左のみを検出できれば良いので、パターン長は短くてよい。つまり、Read Calibrationに必要なPRBSパターン(パターン数=127)を書き込むメモリ空間が必要ない。そのため、初期化におけるキャリブレーションのテストデータ格納用メモリ空間を削減することができる。
以上、本願発明の実施の形態を具体的に説明した。DDRインターフェースはGbps帯の高速通信でありながら、伝送モードはCMOS(電圧)である。よって、反射やISIによるデータ品質の劣化は大きく、その劣化量はデータの1ビット長の半分以上を占める。また、プロセスの微細化に伴い、インターフェース内のトランジスタの相対精度などのバラツキによるデータビット間の遅延差も無視できない。さらには、基盤上の配線長/形状は汎用を考える上で任意にできる必要があり、その応答時間(Flight Time)は1ビット長を超えて広くカバーできる必要がある。
本発明は、データ品質の劣化が起こってもデータを確実にRead/Writeできる回路をインターフェース側に組み込んだものである。本実施形態のメモリインターフェース11は、Write/Read時のデータストローブ信号DQS、データDQの遅延量に差(Skew)がある場合に対して、テストフローを、インターフェース側から制御・実行する事により、短時間でRead/Write共に最適値を見つけることができる。
なお、本願発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
1…コンピュータシステム
2…CPU
3…メモリブリッジ
4…I/Oブリッジ
5…メモリ
6…グラフィックスカード
7…HDD
8…スイッチ
9…周辺機器
10…ローカルI/O
11…メモリインターフェース
12…CPUインターフェース
13…グラフィックインターフェース
20…制御回路
21…入出力バッファ
21−1…第1入出力バッファ
21−2…第2入出力バッファ
21−n…第n入出力バッファ
22…データストローブ入出力バッファ
22a…データストローブ読み出しバッファ
22b…データストローブ書込みバッファ
23…書込み側遅延回路
23−1…第1書込み側遅延回路
23−2…第2書込み側遅延回路
23−n…第n書込み側遅延回路
23−s…書込み側データストローブ遅延回路
24…読み出し側遅延回路
24−1…第1読み出し側遅延回路
24−2…読第2み出し側遅延回路
24−n…第n読み出し側遅延回路
24−s…読み出し側データストローブ遅延回路
25…データ書込み回路
25−1…第1データ書込み回路
25−2…第2データ書込み回路
25−n…第nデータ書込み回路
26…データ読み出し回路
26−1…第1データ読み出し回路
26−2…第2データ読み出し回路
26−n…第nデータ読み出し回路
27…選択回路
27−1…第1選択回路
27−2…第2選択回路
27−n…第n選択回路
28…エッジ検出回路
28−1…第1エッジ検出回路
28−2…第2エッジ検出回路
28−n…第nエッジ検出回路
29…Elastic Buffer
29−1…Elastic Buffer
29−2…Elastic Buffer
29−n…Elastic Buffer
30…DLL(Delay Lock Loop)
31…スキューコントローラ
32…パターンジェネレータ
33…パターンコンパレータ
DQ…データ
DQ0…第1データ
DQ1…第2データ
DQn…第nデータ
DQS…データストローブ信号
DQSb…反転データストローブ信号
s90…第1データストローブ信号
s45…第2データストローブ信号
2…CPU
3…メモリブリッジ
4…I/Oブリッジ
5…メモリ
6…グラフィックスカード
7…HDD
8…スイッチ
9…周辺機器
10…ローカルI/O
11…メモリインターフェース
12…CPUインターフェース
13…グラフィックインターフェース
20…制御回路
21…入出力バッファ
21−1…第1入出力バッファ
21−2…第2入出力バッファ
21−n…第n入出力バッファ
22…データストローブ入出力バッファ
22a…データストローブ読み出しバッファ
22b…データストローブ書込みバッファ
23…書込み側遅延回路
23−1…第1書込み側遅延回路
23−2…第2書込み側遅延回路
23−n…第n書込み側遅延回路
23−s…書込み側データストローブ遅延回路
24…読み出し側遅延回路
24−1…第1読み出し側遅延回路
24−2…読第2み出し側遅延回路
24−n…第n読み出し側遅延回路
24−s…読み出し側データストローブ遅延回路
25…データ書込み回路
25−1…第1データ書込み回路
25−2…第2データ書込み回路
25−n…第nデータ書込み回路
26…データ読み出し回路
26−1…第1データ読み出し回路
26−2…第2データ読み出し回路
26−n…第nデータ読み出し回路
27…選択回路
27−1…第1選択回路
27−2…第2選択回路
27−n…第n選択回路
28…エッジ検出回路
28−1…第1エッジ検出回路
28−2…第2エッジ検出回路
28−n…第nエッジ検出回路
29…Elastic Buffer
29−1…Elastic Buffer
29−2…Elastic Buffer
29−n…Elastic Buffer
30…DLL(Delay Lock Loop)
31…スキューコントローラ
32…パターンジェネレータ
33…パターンコンパレータ
DQ…データ
DQ0…第1データ
DQ1…第2データ
DQn…第nデータ
DQS…データストローブ信号
DQSb…反転データストローブ信号
s90…第1データストローブ信号
s45…第2データストローブ信号
Claims (7)
- 入力バッファに供給する書込みデータを遅延させる第1遅延回路と、
出力バッファから読み出した読み出しデータを遅延させる第2遅延回路と、
前記第1遅延回路を介して前記書込みデータをメモリに供給するデータ書込み回路と、
前記メモリに書き込まれた前記書込みデータを、前記第2遅延回路を介して読み出して前記読み出しデータとするデータ読み出し回路と、
前記書込みデータまたは前記読み出しデータの揺らぎに応じて形成されるeye開口の開始端部の位置と終了端部の位置とを検出し、前記開始端部と前記終了端部との中間位置を特定し、前記開始端部または前記終了端部の少なくとも一方と前記中間位置との差に基づいて、前記データストローブ信号の位相を決定する制御回路と
を具備する
メモリインターフェース。 - 請求項1に記載のメモリインターフェースにおいて、
前記読み出しデータのエッジを検出するエッジ検出回路をさらに具備し、
前記データ書込み回路は、
連続するビットを含む第1テストデータを、通常モードで前記メモリに書き込み、
前記データ読み出し回路は、
書き込まれた前記第1テストデータを、前記メモリから読み出し、
前記エッジ検出回路は、
読み出された前記第1テストデータのレベルが遷移する遷移タイミングを検出し、前記遷移タイミングを前記制御回路に通知し、
前記制御回路は、
前記遷移タイミングに基づいて、前記eye開口の前記開始端部のタイミングを特定する
メモリインターフェース。 - 請求項2に記載のメモリインターフェースにおいて、
前記制御回路は、
前記第1遅延回路と前記第2遅延回路の遅延値を最小値に設定し、
前記データ書込み回路に、前記第1テストデータの書込みを指示し、
前記データ読み出し回路は、
第1データストローブ信号と、
前記第1データストローブ信号と位相が異なる第2データストローブ信号に応答して読み出し、
前記エッジ検出回路は、
前記2つのデータストローブ信号の各々に対応してラッチされた二つの第1テストデータのレベルに基づいて前記遷移タイミングを検出する
メモリインターフェース。 - 請求項1から3の何れか1項に記載のメモリインターフェースにおいて、
前記データ書込み回路は、
1ビットのパルスを含む第2テストデータを、通常モードで前記メモリに書き込み、
前記データ読み出し回路は、
書き込まれた前記第2テストデータを、前記メモリから読み出し、
前記制御回路は、
読み出された前記第2テストデータが、前記eye開口の前記開始端部の位置に基づいて構成される読み出しデータの期待値に一致するか否かを検出し、前記期待値に基づいて、前記終了端部の位置を検出する
メモリインターフェース。 - (a)データの揺らぎに応じて形成されるeye開口を特定し、前記eye開口の端部の位置を検出するステップと、
(b)前記端部に対向する他の端部の位置を検出するステップと、
(c)前記端部と前記他の端部との中間を、データストローブ信号の立ち上がり/立下りの位置とするステップと
を具備する
メモリインターフェースの動作方法。 - 請求項5に記載のメモリインターフェースの動作方法において、
前記(a)ステップは、
連続するビットを含む第1テストデータを、通常モードでメモリに書き込むステップと、
書き込まれた前記第1テストデータを、前記メモリから読み出すステップと、
読み出された前記第1テストデータのレベルが遷移する遷移タイミングを検出するステップと、
前記遷移タイミングに基づいて、前記eye開口の前記端部のタイミングを特定するステップを含む
メモリインターフェースの動作方法。 - 請求項5または6に記載のメモリインターフェースの動作方法において、
前記(b)ステップは、
1ビットのパルスを含む第2テストデータを、通常モードでメモリに書き込むステップと、
書き込まれた前記第2テストデータを、前記メモリから読み出すステップと、
読み出された前記第2テストデータが、前記eye開口の前記端部のタイミングに基づいて期待されるデータ読み書きの期待領域に一致するかを検出するステップと、
前記期待領域に基づいて、前記他の端部の位置を検出するステップを含む
メモリインターフェースの動作方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008253989A JP2010086246A (ja) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | メモリインターフェース及びメモリインターフェースの動作方法 |
US12/569,383 US8111565B2 (en) | 2008-09-30 | 2009-09-29 | Memory interface and operation method of it |
CN200910204040A CN101714399A (zh) | 2008-09-30 | 2009-09-30 | 存储器接口及其操作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008253989A JP2010086246A (ja) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | メモリインターフェース及びメモリインターフェースの動作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010086246A true JP2010086246A (ja) | 2010-04-15 |
Family
ID=42250152
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008253989A Pending JP2010086246A (ja) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | メモリインターフェース及びメモリインターフェースの動作方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8111565B2 (ja) |
JP (1) | JP2010086246A (ja) |
CN (1) | CN101714399A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010272026A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Fujitsu Semiconductor Ltd | タイミング調整回路及びタイミング調整方法 |
JP2014241003A (ja) * | 2013-06-11 | 2014-12-25 | 株式会社リコー | メモリ制御装置 |
US10643570B2 (en) | 2016-09-12 | 2020-05-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Display control apparatus and display control method that prevent excessive determinations of an abnormal control condition |
JP2020155841A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | キオクシア株式会社 | 半導体集積回路及び送信装置 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5130400B2 (ja) * | 2008-05-23 | 2013-01-30 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 先端部ブラケット |
US9128632B2 (en) | 2009-07-16 | 2015-09-08 | Netlist, Inc. | Memory module with distributed data buffers and method of operation |
US20120110400A1 (en) * | 2010-11-01 | 2012-05-03 | Altera Corporation | Method and Apparatus for Performing Memory Interface Calibration |
KR102006243B1 (ko) * | 2012-12-24 | 2019-08-01 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치의 데이터 라이트 회로 |
CN104317361B (zh) * | 2014-10-27 | 2017-08-04 | 杭州中天微***有限公司 | 一种基于指针延迟更新的循环缓冲器 |
WO2017130983A1 (ja) * | 2016-01-25 | 2017-08-03 | アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 | メモリコントローラ |
US10026462B1 (en) * | 2017-05-16 | 2018-07-17 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for providing constant DQS-DQ delay in a memory device |
US10115480B1 (en) * | 2017-07-03 | 2018-10-30 | Qualcomm Incorporated | Double data rate synchronous dynamic random access memory (“DDR SDRAM”) data strobe signal calibration |
US10082823B1 (en) * | 2017-10-11 | 2018-09-25 | Integrated Device Technology, Inc. | Open loop solution in data buffer and RCD |
KR102563185B1 (ko) * | 2018-04-26 | 2023-08-04 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 컨트롤러 및 그의 동작 방법 |
CN108646984B (zh) * | 2018-05-16 | 2020-01-03 | 华为技术有限公司 | 一种dqs位置调整方法和装置 |
US10628065B1 (en) * | 2018-06-11 | 2020-04-21 | Xilinx, Inc. | Edge detection for memory controller |
CN117524272A (zh) * | 2018-08-14 | 2024-02-06 | 联发科技股份有限公司 | 延迟追踪方法以及存储器*** |
US11079946B2 (en) * | 2018-10-26 | 2021-08-03 | Micron Technology, Inc. | Write training in memory devices |
US11756605B2 (en) * | 2020-11-20 | 2023-09-12 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002082830A (ja) * | 2000-02-14 | 2002-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | インターフェイス回路 |
JP2005056334A (ja) * | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Ricoh Co Ltd | 同期式メモリからのデータ取込み回路 |
JP2005525623A (ja) * | 2002-02-11 | 2005-08-25 | マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド | メモリへのアクセスを制御するためのメモリおよび適応タイミングシステム |
JP2007305112A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-22 | Nvidia Corp | データインタフェースキャリブレーション |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100640594B1 (ko) * | 2004-10-27 | 2006-11-01 | 삼성전자주식회사 | 데이터 스트로브 신호를 모니터링하여 적응적으로 데이터입출력 신호를 래치하는 인터페이스 회로 및 이를구비하는 메모리 시스템 |
JP4785465B2 (ja) | 2005-08-24 | 2011-10-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | インタフェース回路及び半導体装置 |
JP4921888B2 (ja) | 2006-08-22 | 2012-04-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | インターフェース回路 |
-
2008
- 2008-09-30 JP JP2008253989A patent/JP2010086246A/ja active Pending
-
2009
- 2009-09-29 US US12/569,383 patent/US8111565B2/en active Active
- 2009-09-30 CN CN200910204040A patent/CN101714399A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002082830A (ja) * | 2000-02-14 | 2002-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | インターフェイス回路 |
JP2005525623A (ja) * | 2002-02-11 | 2005-08-25 | マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド | メモリへのアクセスを制御するためのメモリおよび適応タイミングシステム |
JP2005056334A (ja) * | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Ricoh Co Ltd | 同期式メモリからのデータ取込み回路 |
JP2007305112A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-22 | Nvidia Corp | データインタフェースキャリブレーション |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010272026A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Fujitsu Semiconductor Ltd | タイミング調整回路及びタイミング調整方法 |
JP2014241003A (ja) * | 2013-06-11 | 2014-12-25 | 株式会社リコー | メモリ制御装置 |
US10643570B2 (en) | 2016-09-12 | 2020-05-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Display control apparatus and display control method that prevent excessive determinations of an abnormal control condition |
JP2020155841A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | キオクシア株式会社 | 半導体集積回路及び送信装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8111565B2 (en) | 2012-02-07 |
CN101714399A (zh) | 2010-05-26 |
US20100202223A1 (en) | 2010-08-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2010086246A (ja) | メモリインターフェース及びメモリインターフェースの動作方法 | |
JP4786262B2 (ja) | インターフェイス回路 | |
JP4878215B2 (ja) | インタフェース回路及びメモリ制御装置 | |
US6889336B2 (en) | Apparatus for improving output skew for synchronous integrate circuits has delay circuit for generating unique clock signal by applying programmable delay to delayed clock signal | |
JP4700636B2 (ja) | 半導体メモリ装置を装着したメモリモジュールを有するシステム | |
US8938578B2 (en) | Memory device with multi-mode deserializer | |
KR100942953B1 (ko) | 데이터 전달 회로 및 그를 포함하는 반도체 메모리 장치 | |
US20080130811A1 (en) | Circuit and method for removing skew in data transmitting/receiving system | |
US9798353B2 (en) | Command protocol for adjustment of write timing delay | |
US20080094918A1 (en) | Memory read control circuit and control method thereof | |
KR100910852B1 (ko) | 반도체 메모리 소자 | |
JP2010108217A (ja) | メモリインターフェース及びメモリインターフェースの動作方法 | |
JP2009211797A (ja) | 半導体素子 | |
KR100907016B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 데이터 입력 회로 및 그 제어 방법 | |
JP5733126B2 (ja) | メモリインタフェース回路及びタイミング調整方法 | |
KR100857450B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 출력 인에이블 신호 생성 회로 및방법 | |
WO2011077574A1 (ja) | 信号復元回路、レイテンシ調整回路、メモリコントローラ、プロセッサ、コンピュータ、信号復元方法及びレイテンシ調整方法 | |
KR20050041584A (ko) | 데이터 출력제어회로 | |
JP2013109637A (ja) | メモリインターフェース回路、および、そのメモリインターフェース回路の動作方法 | |
JP2007226308A (ja) | インタフェース回路及びそのインタフェース回路を備えた記憶制御装置 | |
JP5221609B2 (ja) | Dllを共用してサンプリング位相設定を行うホストコントローラ | |
JP2010079520A (ja) | メモリモジュールのコントローラ及びメモリモジュールのコントローラの制御方法 | |
JP4607041B2 (ja) | 半導体メモリ装置の内部クロック生成方法及びこれを利用した半導体メモリ装置 | |
KR20110121185A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
JP3861650B2 (ja) | インターフェース回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110419 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121220 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130411 |