JP2010083852A - 金属錯体の製造方法、金属錯体および有機電界発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】従来の方法に比べて容易にかつ収率よく金属錯体を製造する。
【解決手段】適当な溶剤に式（１）で表される部分構造を有する化合物と所望の配位子化合物とを溶解させて反応させるのみで、当該所望の配位子を有する金属錯体を得ることができる。

（式（１）中、Ｍは、周期表の第４〜７周期の金属から選ばれる金属元素である。Ｘ^１１〜Ｘ^２６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表すが、Ｘ^１１〜Ｘ^２６のうち少なくとも１つはハロゲン原子である。）
【選択図】図２

Description

本発明は有機電界発光素子等に有用な金属錯体の製造方法に関する。本発明はまた、この方法により製造された金属錯体と、この金属錯体を用いた有機電界発光素子に関する。

従来、有機電界発光素子には蛍光発光材料が数多く用いられてきたが、フラットパネルディスプレイ等の表示、蛍光灯や標識灯等の照明として応用するためには、素子の発光効率を更に改善する必要があり、新たな発光材料の開発が求められている。

近年、素子の発光効率を上げる試みの一つとして、３重項励起状態からの発光すなわち燐光を利用した燐光発光材料の利用が注目を集めている。燐光を用いた場合には、従来の１重項励起状態からの発光（蛍光）に比べて、非常に高い光取り出し効率を得ることができ、素子の高発光効率化が期待されるからである。

例えば、非特許文献１では、フェニルピリジン系有機イリジウム錯体を４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（ＣＢＰ）にドープさせることにより、発光波長５１０ｎｍの緑色発光を示し、その外部量子効率は１３％と従来の１重項発光素子の量子効率限界値（５％）を大きく上回ることが報告されている。

しかしながら、特にこれら金属錯体などの燐光発光材料においては、製造方法の開発が未だ十分でなく、設計の自由度が少ないこともあり、実用化にいたっていない。例えば、特許文献１では白金錯体の合成方法が記載されているが、いまだ満足いくものではなかった。

また、非特許文献２には、白金のビスフェニルピリジル錯体の方法として以下のような合成方法が記載されている。

この方法は、出発物質である２−フェニルピリジンのオルト位のブロモ化、次いでリチオ化を行った後、Ｐｔ（ＳＥｔ_２）Ｃｌ_２と反応させることにより、収率３０％でビスフェニルピリジル錯体を得るというものである。しかしながら、この製造方法では、金属錯体の合成方法として煩雑である上、収率が低いという問題点があった。
国際公開第２０００／５７６７６号パンフレット Appl.Phys.Lett.,７５巻、４頁、１９９９年 Inorg.Chem.,３５巻、４８３３頁、１９９６年

本発明は、従来の方法に比べて容易にかつ収率よく金属錯体を製造することができる金属錯体の製造方法を提供することを課題とする。

本発明者らが鋭意検討した結果、下記式（１）で表される部分構造を有する化合物を用いることにより、金属錯体、特に白金錯体を効率よく製造することができることが分かり本発明に到達した。

すなわち、本発明の要旨は、下記式（１）で表される部分構造を有する化合物を用いて製造することを特徴とする金属錯体の製造方法、
該製造方法により製造された金属錯体、
並びに、
陽極、陰極、および該陽極と該陰極との間に設けられた有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層が該金属錯体を含有することを特徴とする、有機電界発光素子、
に存する。

（式（１）中、Ｍは、周期表の第４〜７周期の金属から選ばれる金属元素である。Ｘ^１１〜Ｘ^２６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表すが、Ｘ^１１〜Ｘ^２６のうち少なくとも１つはハロゲン原子である。）

なお、本明細書において特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。

前記式（１）で表される部分構造を有する化合物を用いる本発明の金属錯体の製造方法であれば、適当な溶剤に式（１）で表される部分構造を有する化合物と所望の配位子化合物とを溶解させて反応させるのみで、当該所望の配位子を有する金属錯体を得ることができ、従来の方法に比べ、反応のステップ数が少なく、容易に金属錯体を製造することができ、また、従来の方法に比べ、収率も向上する。

本発明によれば、反応させる配位子を選択することにより、発光特性に優れた金属錯体を製造することができ、このようにして製造された金属錯体を用いて、発光効率の高い有機電界発光素子を工業的に有利に製造することが可能となる。

以下に本発明の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例（代表例）であり、本発明はこれらの内容に特定されるものではない。

［金属錯体の製造方法］
本発明の金属錯体の製造方法は、下記式（１）で表される部分構造を有する化合物（以下「式（１）の化合物」と称す場合がある。）を用いて金属錯体を製造することを特徴とする。

（式（１）中、Ｍは、周期表の第４〜７周期の金属から選ばれる金属元素である。Ｘ^１１〜Ｘ^２６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表すが、Ｘ^１１〜Ｘ^２６のうち少なくとも１つはハロゲン原子である。）

具体的には、式（１）の化合物に所望の配位子を反応させて、式（１）の化合物の金属元素Ｍに配位する配位子と置換してこれを導入することにより、金属元素Ｍに所望の配位子が配位した金属錯体を得る。この反応は、通常、適当な溶剤に式（１）の化合物と導入すべき所望の配位子化合物とを混合溶解させて、加熱することにより、円滑に進行させることができる。

＜式（１）の化合物＞
式（１）において、Ｍは、周期表の第４〜７周期の金属から選ばれる金属元素であるが、発光性を得ることから、Ｍとしては、周期表の第４〜７周期の第７〜１３族の元素であることが好ましく、その中でも、Ｃｕ，Ｚｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕが好ましく、さらに好ましくは、Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕが好ましく、特に好ましくはＰｔである。

Ｘ^１１〜Ｘ^２６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表すが、Ｘ^１１〜Ｘ^２６のうち少なくとも１つはハロゲン原子である。Ｘ^１１〜Ｘ^２６は同一であっても異なっていてもよい。
Ｘ^１１〜Ｘ^２６が置換基である場合、その置換基としては、以下のようなものが挙げられる。

置換基を有していてもよいアルキル基（好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアルケニル基（好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数２〜９のアルケニル基であり、例えばビニル基、アリル基、１−ブテニル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアルキニル基（好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数２〜９のアルキニル基であり、例えばエチニル基、プロパルギル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアラルキル基（好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数７〜１５のアラルキル基であり、例えばベンジル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアシル基（好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数１〜１０のアシル基であり、例えばホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基（好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）
置換基を有していてもよいアルキルカルボニルオキシ基（好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数２〜１０のアルキルカルボニルオキシ基であり、例えばアセトキシ基などが挙げられる。）
ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。）
カルボキシ基
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基（例えば、置換基を有していてもよい、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などの、５または６員環の単環または２〜５縮合環由来の基が挙げられる。）
置換基を有していてもよい芳香族複素環基（例えば、置換基を有していてもよい、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環などの、５または６員環の単環または２〜４縮合環由来の基が挙げられる。）

上記置換基のうち、置換基を有していてもよいアルキル基およびハロゲン原子が好ましく、ハロゲン原子がより好ましく、中でもフッ素原子が好ましい。

また、上述した各置換基が有しうる置換基としては、例えば、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数６〜１０のアリールオキシ基、炭素数１〜６のアルキルアミノ基、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基、炭素数１〜６のアルキルチオ基、炭素数６〜１０のアリールチオ基、炭素数２〜２０のアシル基などが挙げられる。

尚、Ｘ^１１〜Ｘ^２６は、同一であっても異なっていてもよいが、Ｘ^１１〜Ｘ^２６のうち少なくとも１つはハロゲン原子である。特に、Ｘ^１１〜Ｘ^２６の全てがハロゲン原子であることが好ましく、特にＸ^１１〜Ｘ^２６の全てがフッ素原子であることが好ましい。

特に、式（１）の化合物は、下記式（１−１）で表される化合物であることが好ましい。

式（１−１）中、Ｍは、前記式（１）におけると同義である。
ｎは、Ｍの価数を表し、２または３である。
Ｘ^１〜Ｘ^６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の具体例としては、上記式（１）におけるＸ^１１〜Ｘ^２６の置換基の具体例と同様であり、好ましいものも同様である。

また、分子内に存在するｎ個のＸ^１〜Ｘ^６は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。尚、分子内に存在するｎ個のＸ^１〜Ｘ^６のうち少なくとも１つはハロゲン原子である。

式（１）の化合物の分子量は、その置換基も含めて、好ましくは３５０以上、より好ましくは４００以上、通常３５００以下、好ましくは２０００以下、より好ましくは１２００以下、特に好ましくは８００以下である。分子量が小さい方が、製造工程における使用効率の面で好ましい。

尚、式（１）の化合物は、例えば、Bull．Chem．Soc．Jpn.，54巻，1978頁，1981年に記載の方法などにより合成することができる。

以下に、式（１）の化合物の具体例を挙げるが、式（１）の化合物はこれらに限定されるものではない。

これらの中でも、配位子にトリフルオロメチル基をもつもの、特に、式（１）におけるＸ^１１〜Ｘ^１３、Ｘ^１４〜Ｘ^１６、Ｘ^２１〜Ｘ^２３またはＸ^２４〜Ｘ^２６がそれぞれフッ素原子であることにより、トリフルオロメチル基となっているものが好ましい。トリフルオロメチル基をもつことで、配位子が中心金属Ｍから外れやすくなり、他の配位子に置換されやすい化合物となると考えられる。特に下記式で表される化合物は、配位子にトリフルオロメチル基をもつことで、配位子が中心金属のＰｔから外れやすく、他の配位子に置換されやすい化合物であると考えられる。

＜溶剤＞
反応に用いる溶剤としては、種々の溶剤が適用可能であり、特に限定されない。例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル；シクロヘキサノン、シクロオクタノン等の脂環を有するケトン；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン；シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環を有するアルコール；ブタノール、ヘキサノール、グリセリン、エチレングリコール、プロピレングリコール等の脂肪族アルコール；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）、メトキシエタノール、エトキシエタノール、メトキシプロパノール等の脂肪族エーテル；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル等の脂肪族エステル等の有機溶剤や、水が挙げられる。

反応基質の溶解性、金属イオンの安定化等の意味合いで、反応溶剤は極性を有する溶剤を含むことが好ましく、特に、アルコール性ＯＨ基を有する溶剤を含むことが好ましく、好ましくは、メトキシエタノール、エトキシエタノール、メトキシプロパノール等の脂肪族エーテルが反応溶剤として好適に用いられる。

これらの溶剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。

＜配位子＞
式（１）の化合物に反応させる配位子としては、所望の配位子が用いられるが、有機電界発光素子に供することが可能な発光性金属錯体を製造するには、例えば、MRS Bulletin 32巻，694頁，2007年の本文および引用文献等に記載の配位子が用いられる。好ましくは１種以上の芳香族炭化水素環または芳香族複素環を含む配位子と、必要に応じて、補助配位子として１価の配位子を用いることができる。

芳香族炭化水素環または芳香族複素環を含む配位子を以下に例示するが、本発明で用いる配位子は以下のものに限定されない。

また、１価の配位子としては、特開２００５−３４４１２４号公報に記載のモノアニオン性二座配位子などを用いることができる。具体的には、アセチルアセトネート基、トリフルオロアセチルトリフルオロアセトネート基、ピコリン酸基、スルホニルピリジル基、リン酸誘導体などが挙げられる。

＜反応比率及び濃度＞
反応に供する上述の式（１）の化合物と配位子との比率は、式（１）の化合物に対して、配位子を１部置換させる反応であれば、式（１）の化合物１部に対して通常配位子０．１〜２部であり、好ましくは０．８〜１．５部、さらに好ましくは０．９〜１．１部である。
また、式（１）の化合物に対して、配位子を２部置換させる場合は、通常配位子１〜４部であり、好ましくは１．６〜３部、さらに好ましくは１．８〜２．２部である。
また、式（１）の化合物に対して、配位子をｍ部置換させる場合は、通常配位子ｍ×０．５〜ｍ×２部であり、好ましくはｍ×０．８〜ｍ×１．５部、さらに好ましくはｍ×０．９〜ｍ×１．１部である。
ただし、２部以上置換させる場合、２部一度に置換しても構わないし、１部ずつ２段階以上で置換してもよい。
なお、上記反応比率の「部」とは「モル部」をさす。

前記溶剤に式（１）の化合物及び配位子を溶解させて得られる反応液中の式（１）の化合物及び配位子の濃度は、高過ぎると副反応を生じる場合があり、低過ぎると反応効率や収率が低くなったり、反応時間が長くなったりする場合があることから、式（１）の化合物及び配位子の合計の濃度で、５〜１０００ｍｇ／ｍｌ−溶剤、特に１０〜５００ｍｇ／ｍｌ−溶剤とすることが好ましい。

＜反応条件等＞
反応温度は、通常５０〜２５０℃、好ましくは７０〜２００℃である。反応温度が低すぎると反応の進行が遅く、反応温度が高すぎると熱分解により、生成物が分解する恐れがある。

反応時間は、通常１時間〜１週間、好ましくは１時間〜３日である。反応時間が長すぎると非効率な上、副生成物を生じる場合があり、短すぎると反応が完了しない場合がある。

通常は、特に、触媒や酸、塩基を添加しなくても反応は進行するが、反応の効率化を目的に種々の添加剤を添加してもよい。例えば、酸として、酢酸、塩酸、硫酸などを添加してもよい。また、塩基として、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、酢酸ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、カリウム−ｔ−ブトキシド、ナトリウム−ｔ−ブトキシドなどを添加してもよい。酸や塩基は、基質により副反応を増長させる場合がある。

また、本反応においては、反応途中にアセチルアセトン誘導体が生成する。このアセチルアセトン誘導体を効果的に系外に排出することにより反応の進行を速めることができる。
その方法としては、反応中に連続的にアセチルアセトン誘導体を留去する方法や、上述の酸や塩基で塩として沈殿させる方法などがある。

＜精製＞
反応終了後の精製方法としては、沈殿が生成した場合、濾過、再結晶により精製することができる。その他の場合についても、再結晶、カラムクロマトグラフィー、蒸留、昇華精製などの方法により精製することができる。

［金属錯体］
本発明の金属錯体の製造方法よれば、式（１）の化合物において、金属元素Ｍに配位している配位子の少なくとも一部が、反応に用いた配位子で置換された金属錯体を製造することができる。
本発明によれば、式（１）の化合物に反応させる配位子を選択することにより、励起状態から強い発光挙動を示す金属錯体を得ることもでき、このような金属錯体は、例えば有機電界発光素子に供することが可能な発光性金属錯体として用いられる。

このような発光性金属錯体としての用途において、特に、本発明の方法により製造される金属錯体は、下記式（２）で表される化合物またはその誘導体やビスフェニルピリジル誘導体であることが好ましい。

（式（２）中、Ｘ^３０〜Ｘ^３５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。）

式（２）において、Ｘ^３０〜Ｘ^３５の置換基の具体例としては、上記式（１）におけるＸ^１１〜Ｘ^２６の置換基の具体例と同様であり、好ましいものも同様である。Ｘ^３０〜Ｘ^３５の置換基としては、特に置換基を有していてもよいアルキル基やハロゲン原子が好ましい。

なお、本発明により得られる金属錯体は、通常、分子量４００以上、好ましくは６００以上、通常２０００以下であり、好ましくは１５００以下である。

［有機電界発光素子］
本発明の有機電界発光素子は、陽極、陰極、および該陽極と該陰極との間に設けられた有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層が上述の本発明の方法により製造された金属錯体を含有することを特徴とするものである。有機層としては、陽極と陰極の間に有する層であれば、いずれでもよい。

以下に、本発明の方法により製造された金属錯体を用いる本発明の有機電界発光素子の層構成およびその一般的形成方法等について、図１を参照して説明する。

図１は本発明の方法により製造された金属錯体を用いる本発明の有機電界発光素子１０の構造例を示す断面の模式図であり、図１において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は正孔阻止層、７は電子輸送層、８は電子注入層、９は陰極を各々表す。

このような有機電界発光素子において、本発明の製造方法により製造された金属錯体は、発光層に用いられることが好ましいが、他の層に用いられてもよい。本発明の金属錯体が発光層に用いられる場合、本発明の金属錯体は発光層中に含まれる発光材料として使用されることが好ましく、特に他の材料をホスト材料として、本発明の金属錯体がドーパント材料として使用されることが好ましい。

なお、このような有機電界発光素子１０において、陽極２と陰極９との間の有機層を湿式成膜法で形成する場合は、以下に記載の各層の材料を溶剤に分散または溶解させて塗布用組成物を作製し、この塗布用組成物を用いて成膜すればよい。

ここで、湿式成膜法とは、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷等の溶剤を含有するインクを用いて成膜する方法をいう。これらの湿式成膜法のうち、パターニングのし易さという点で、ダイコート法、ロールコート法、スプレーコート法、インクジェット法、フレキソ印刷法が好ましい。

以下、図１の有機電界発光素子の基板、電極（陽極、陰極）、電極間に形成される各層について説明する。

｛基板｝
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。

｛陽極｝
陽極２は発光層側の層への正孔注入の役割を果たすものである。
この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび／またはスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。

陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極２を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。

陽極２は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。

陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが好ましい。この場合、陽極２の厚みは通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陽極２の厚みは任意であり、陽極２は基板１と同一でもよい。また、さらには、上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。

陽極２に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極２表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。

｛正孔注入層｝
正孔注入層３は、陽極２から発光層５へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極２上に形成される。
以下、まず正孔注入層３に含有される成分を説明し、次に正孔注入層３の形成方法について説明する。

＜正孔注入層の材料＞
正孔注入層３の材料は、正孔注入層３に含有されるものである。この、正孔注入層３を湿式成膜法で形成する場合は、正孔注入層形成用の塗布用組成物（以下、適宜「正孔注入層用組成物」ということがある）に、正孔注入層の材料が含有される。この正孔注入層３の材料は、正孔注入層３を形成しうるものであれば特に制限は無い。ただし、通常は、正孔注入層３の材料として、ポリマーおよび電子受容性化合物を用いる。さらに、正孔注入層３の材料として、それ以外の成分を用いてもよい。以下、これらの正孔注入層の材料について説明する。

（ポリマー）
正孔注入層３の材料として用いられるポリマーの種類は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意である。ただし、その中でも、正孔輸送性を有するポリマー（高分子量の正孔輸送性化合物。以下適宜、「正孔輸送性ポリマー」という）が好ましく、この観点から、４．５ｅＶ〜５．５ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物であることが好ましい。なお、イオン化ポテンシャルは物質のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、光電子分光法で直接測定されるか、電気化学的に測定した酸化電位を基準電極に対して補正しても求められる。後者の方法の場合は、例えば、飽和甘コウ電極（ＳＣＥ）を基準電極として用いたとき、下記式で表される（“Molecular Semiconductors”，Springer-Verlag，98頁，1985年）。
イオン化ポテンシャル ＝ 酸化電位（ｖｓ．ＳＣＥ）＋４．３ｅＶ

正孔注入層の材料として用いられる正孔輸送性ポリマーの重量平均分子量は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１０００以上、好ましくは２０００以上、より好ましくは３０００以上、また、通常５０万以下、好ましくは２０万以下、より好ましくは１０万以下である。

正孔輸送性ポリマーの例としては、芳香族アミン化合物、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体等が挙げられる。中でも、非晶質性、溶剤への溶解度、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましい。

芳香族アミン化合物の中でも、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。なお、ここでいう芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００万以下の高分子化合物が更に好ましい。

正孔輸送性ポリマーは１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。

正孔注入層３中の正孔輸送性ポリマーの割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、正孔注入層３全体に対する重量百分率の値で、通常１０重量％以上、好ましくは３０重量％以上、また、通常９９．９重量％以下、好ましくは９９重量％以下である。なお、２種以上のポリマーを併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにすることが好ましい。

（電子受容性化合物）
正孔注入層３の材料として用いられる電子受容性化合物の種類は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意である。その例としては、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩；塩化鉄(III)（特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン（特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体；ヨウ素等が挙げられる。

上記の化合物のうち、強い酸化力を有する点で、有機基の置換したオニウム塩、高原子価の無機化合物が好ましく、種々の溶剤に可溶である点で、有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物が好ましい。さらに、強い酸化力と高い溶解性とを両立する点から、有機基の置換したオニウム塩が最も好ましい。

正孔注入層３の材料としては、電子受容性化合物は、何れか１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で用いてもよい。

正孔注入層３および正孔注入層用組成物中における電子受容性化合物の含有量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、正孔輸送性ポリマーおよび後述の正孔輸送性化合物に対する値で、通常０．１重量％以上、好ましくは１重量％以上、また、通常１００重量％以下、好ましくは６０重量％以下、更に好ましくは５０重量％以下である。電子受容性化合物の量は多い方が不溶化しやすいため好ましく、加熱時間が短時間で不溶化することができるが、過度に多いと成膜性が低下したり、電荷注入・輸送性が低下したりする恐れがある。なお、２種以上の電子受容性化合物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。

（低分子量の正孔輸送性化合物）
正孔注入層３の材料としては、必要に応じて低分子量の正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。低分子量の正孔輸送性化合物は、従来、有機電界発光素子における正孔注入・輸送性の薄膜形成材料として利用されてきた各種の化合物の中から、適宜選択することが可能である。中でも、溶剤溶解性の高いものが好ましい。

低分子量の正孔輸送性化合物の好ましい例としては、芳香族アミン化合物が挙げられる。中でも、芳香族三級アミン化合物が特に好ましい。

なお、低分子量の正孔輸送性化合物の分子量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常２００以上、好ましくは４００以上、より好ましくは６００以上であり、また、通常５０００以下、好ましくは３０００以下、より好ましくは２０００以下、更に好ましくは１７００以下、特に好ましくは１４００以下の範囲である。分子量が小さ過ぎると耐熱性が低くなる傾向がある一方で、低分子量の正孔輸送性化合物の分子量が大き過ぎると合成および精製が困難となる傾向がある。

なお、低分子量の正孔輸送性化合物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。

（その他の成分）
正孔注入層３の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述した正孔輸送性ポリマー、電子受容性化合物および低分子量の正孔輸送性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させても良い。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダ、樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。

＜正孔注入層の形成＞
湿式成膜法により正孔注入層３を形成する場合は、上述の材料を適切な溶剤に溶解させて塗布用組成物を調製し、これを塗布、成膜して形成する。正孔注入層３の形成に蒸着法、またはその他の方法を用いてもよいが、正孔注入層３は、中でも湿式成膜法で形成することが好ましい。

正孔注入層３を湿式成膜法で形成する場合、正孔注入層用組成物に含有させる正孔注入層用溶剤としては、正孔注入層３の形成が可能である限り任意のものを用いることができる。ただし、前述の正孔輸送性ポリマー、電子受容性化合物および必要に応じて用いられる低分子量の正孔輸送性化合物といった正孔注入層３の材料のうち、少なくとも１種、中でも２種以上、特には全ての材料を、溶解することが可能なものが好ましい。具体的な溶解性としては、常温・常圧下で、正孔輸送性ポリマーを通常０．００５重量％以上、中でも０．５重量％以上、特には１重量％以上溶解することが好ましく、電子受容性化合物を通常０．００１重量％以上、中でも０．１重量％以上、特には０．２重量％以上溶解することが好ましい。

正孔注入層用溶剤としては、疎水性の溶剤を用いることが好ましく、好ましい溶剤としては、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤が挙げられる。具体的には、エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル等の脂肪族エステル；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶剤；ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これらは何れか１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で用いてもよい。

ただし、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤は、電子受容性化合物とポリマーを溶解する能力が低いため、エーテル系溶剤およびエステル系溶剤と混合して用いることが好ましい。

正孔注入層用組成物に対する正孔注入層用溶剤の比率は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１０重量％以上、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０％重量以上、また、通常９９．９９９重量％以下、好ましくは９９．９９重量％以下、更に好ましくは９９．９重量％以下の範囲である。なお、正孔注入層用溶剤として２種以上の溶剤を混合して用いる場合には、これらの溶剤の合計がこの範囲を満たすようにする。

正孔注入層用組成物の塗布・成膜後、得られた塗膜を乾燥し、正孔注入層用溶剤を除去することにより、正孔注入層が形成される。湿式成膜法の方式は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されず、前述のいかなる方式も用いることができる。

なお、正孔注入層３の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。

｛正孔輸送層｝
図１において、正孔注入層３の上には正孔輸送層４が形成される。

正孔輸送層４を形成する材料としては、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで代表される２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４’，４’’−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．，７２−７４巻、９８５頁、１９９７年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２１７５頁、１９９６年）、２，２’，７，７’−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ，９１巻、２０９頁、１９９７年）、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル等のカルバゾール誘導体等が挙げられる。これらの化合物は、１種を単独で用いてもよいし、必要に応じて複数種混合して用いてもよい。

上記の化合物以外に、正孔輸送層４の材料として、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン（特開平７−５３９５３号公報）、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン（Ｐｏｌｙｍ．Ａｄｖ．Ｔｅｃｈ．，７巻、３３頁、１９９６年）等の高分子材料が挙げられる。

また、正孔輸送層４は、重合性基を有する化合物を、熱および／または活性エネルギー線（紫外線、電子線、赤外線、マイクロ波等）の照射等により重合（架橋）して得られる層であることが好ましい。
ここで「重合性基」とは、熱および／または活性エネルギー線の照射により、近傍に位置する他の分子の同一または異なる基と反応して、新規な化学結合を生成する基をいう。重合性基としては、特に限定されるものではないが、例えば、不飽和二重結合、環状エーテル、ベンゾシクロブテン等を含む基が好ましい。
重合性化合物の例としては、これらの重合性基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマーが挙げられるが、中でもモノマーが好ましい。

重合性化合物の具体例としては、例えば、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体、２，４，６−トリフェニルピリジン誘導体、Ｃ_６０誘導体、オリゴチオフェン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体誘導体等が挙げられる。中でも、電気化学的安定性および電荷輸送性が高いという理由から、トリフェニルアミンの部分構造と重合性基とを有する化合物が特に好ましい。

正孔輸送層４の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。

正孔輸送層４は、真空蒸着法で形成されても、湿式成膜法で形成されてもよい。湿式成膜法で形成する場合には、上記正孔輸送層に用いる化合物と溶剤とを含有する塗布用組成物を調製し、該組成物を成膜する。成膜後、重合性化合物を熱および／または活性エネルギー線（紫外線、電子線、赤外線、マイクロ波等）の照射等により重合（架橋）させてもよい。

｛発光層｝
正孔注入層３の上、または正孔輸送層４を設けた場合には正孔輸送層４の上には発光層５が設けられる。発光層５は、電界を与えられた電極間において、陽極２から注入された正孔と、陰極９から注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。

＜発光層の材料＞
発光層５は、その構成材料として、少なくとも、発光の性質を有する材料（発光材料）を含有するとともに、好ましくは、正孔輸送の性質を有する化合物（正孔輸送性化合物）、あるいは、電子輸送の性質を有する化合物（電子輸送性化合物）を含有する。発光材料については特に限定はなく、所望の発光波長で発光し、発光効率が良好である物質を用いればよい。通常発光材料をドーパント材料とし、正孔輸送性化合物または電子輸送性化合物をホスト材料として用いられる。

本発明の製造方法により製造された金属錯体は、前述の如く、発光層に用いられることが好ましく、特に発光材料として用いられることが好ましいことから、この発光材料としては、本発明の金属錯体を含むことが好ましい。
また、発光層５は、電荷輸送性化合物を２成分以上含有していることが好ましい。更に、発光層５は、本発明の効果を著しく損なわない範囲で、その他の成分を含有していてもよい。なお、湿式成膜法で発光層５を形成する場合は、何れも低分子量の材料を使用することが好ましい。

（発光材料）
上述の如く、発光材料としては、本発明の金属錯体を用いることが好ましいが、以下、本発明の金属錯体を、発光層以外に用いる場合に、発光層の材料として使用される発光材料について説明する。これらの発光材料は本発明の金属錯体と共に発光層に用いられてもよい。

発光材料としては、任意の公知の材料を適用可能である。例えば、蛍光発光材料であってもよく、燐光発光材料であってもよいが、内部量子効率の観点から、好ましくは燐光発光材料である。
なお、溶剤への溶解性を向上させる目的で、発光材料の分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることが好ましい。

以下、発光材料のうち蛍光発光材料の例を挙げるが、蛍光発光材料は以下の例示物に限定されるものではない。
青色発光を与える蛍光発光材料（青色蛍光色素）としては、例えば、ナフタレン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。
緑色発光を与える蛍光発光材料（緑色蛍光色素）としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、Ａｌ（Ｃ_９Ｈ_６ＮＯ）_３などのアルミニウム錯体等が挙げられる。
黄色発光を与える蛍光発光材料（黄色蛍光色素）としては、例えば、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。
赤色発光を与える蛍光発光材料（赤色蛍光色素）としては、例えば、ＤＣＭ（４−（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６−（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ）系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。

燐光発光材料としては、例えば、周期表第７〜１１族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。

周期表第７〜１１族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。

錯体の配位子としては、（ヘテロ）アリールピリジン配位子、（ヘテロ）アリールピラゾール配位子などの（ヘテロ）アリール基とピリジン、ピラゾール、フェナントロリンなどが連結した配位子が好ましく、特にフェニルピリジン配位子、フェニルピラゾール配位子が好ましい。ここで、（ヘテロ）アリールとは、アリール基またはヘテロアリール基を表す。

燐光発光材料として、具体的には、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）オスミウム、トリス（２−フェニルピリジン）レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が挙げられる。

発光材料として用いる化合物の分子量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１００００以下、好ましくは５０００以下、より好ましくは４０００以下、更に好ましくは３０００以下、また、通常１００以上、好ましくは２００以上、より好ましくは３００以上、更に好ましくは４００以上の範囲である。発光材料の分子量が小さ過ぎると、耐熱性が著しく低下したり、ガス発生の原因となったり、膜を形成した際の膜質の低下を招いたり、或いはマイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化を来したりする場合がある。一方、発光材料の分子量が大き過ぎると、有機化合物の精製が困難となってしまったり、溶剤に溶解させる際に時間を要したりする傾向がある。

なお、上述した発光材料は、いずれか１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。

発光層５における発光材料の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．０５重量％以上、好ましくは０．３重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上、また、通常３５重量％以下、好ましくは２５重量％以下、更に好ましくは２０重量％以下である。発光材料が少なすぎると発光ムラを生じる可能性があり、多すぎると発光効率が低下する可能性がある。なお、２種以上の発光材料を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。

（正孔輸送性化合物）
発光層５には、その構成材料として、正孔輸送性化合物を含有させてもよい。ここで、正孔輸送性化合物のうち、低分子量の正孔輸送性化合物の例としては、前述の正孔注入層３における（低分子量の正孔輸送性化合物）として例示した各種の化合物のほか、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルに代表される、２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４’，４”−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ，１９９７年，７４巻，９８５頁，１９９７年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，１９９６年，ｐｐ．２１７５）、２，２’，７，７’−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｍｅｔａｌｓ，１９９７年，Ｖｏｌ．９１，ｐｐ．２０９）等が挙げられる。

なお、発光層５において、正孔輸送性化合物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。

発光層５における正孔輸送性化合物の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．１重量％以上、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１重量％以上、また、通常６５重量％以下、好ましくは５０重量％以下、更に好ましくは４０重量％以下である。正孔輸送性化合物が少なすぎると短絡の影響を受けやすくなる可能性があり、多すぎると膜厚ムラを生じる可能性がある。なお、２種以上の正孔輸送性化合物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。

（電子輸送性化合物）
発光層５には、その構成材料として、電子輸送性化合物を含有させてもよい。ここで、電子輸送性化合物のうち、低分子量の電子輸送性化合物の例としては、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）や、２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）や、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）や、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ、バソクプロイン）、２−（４−ビフェニリル）−５−（ｐ−ターシャルブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）や、４，４’−ビス（９−カルバゾール）−ビフェニル（ＣＢＰ）等が挙げられる。なお、発光層５において、電子輸送性化合物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。

発光層５における電子輸送性化合物の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．１重量％以上、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１重量％以上、また、通常６５重量％以下、好ましくは５０重量％以下、更に好ましくは４０重量％以下である。電子輸送性化合物が少なすぎると短絡の影響を受けやすくなる可能性があり、多すぎると膜厚ムラを生じる可能性がある。なお、２種以上の電子輸送性化合物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。

＜発光層の形成＞
本発明に係る湿式成膜法により発光層５を形成する場合は、上述の材料を適切な溶剤に溶解させて塗布用組成物を調製し、それを用いて成膜する。なお、発光層５の形成に蒸着法、またはその他の方法を用いてもよい。

発光層５を湿式成膜法で形成するための塗布用組成物に含有させる発光層用溶剤としては、発光層の形成が可能である限り任意のものを用いることができる。ただし、前述の発光材料、正孔輸送性化合物、および電子輸送性化合物を溶解することが可能なものが好ましい。具体的な溶解性としては、常温・常圧下で、発光材料、正孔輸送性化合物あるいは電子輸送性化合物を、通常０．０１重量％以上、中でも０．０５重量％以上、特には０．１重量％以上溶解することが好ましい。

発光層用溶剤としては、正孔注入層用溶剤として例示したものと同様のものを用いることができる。これらの有機溶剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。

発光層５を形成するための塗布用組成物に対する発光層用溶剤の比率は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．０１重量％以上、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上、また、通常７０重量％以下、好ましくは６０重量％以下、更に好ましくは５０重量％以下の範囲である。なお、発光層用溶剤として２種以上の溶剤を混合して用いる場合には、これらの溶剤の合計がこの範囲を満たすようにする。

発光層５を形成するための塗布用組成物を、正孔輸送層４、或いは正孔輸送層４がない場合には正孔注入層３の上に湿式成膜法により塗布、成膜後、得られた塗膜を乾燥し、発光層用溶剤を除去することにより、発光層５が形成される。湿式成膜法の方式は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されず、前述のいかなる方式も採用することができる。
また、発光層５は従来使用されてきた真空蒸着法で形成されるものであってもよい。

発光層５の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。発光層５の膜厚が、薄すぎると膜に欠陥が生じる可能性があり、厚すぎると駆動電圧が上昇する可能性がある。

｛正孔阻止層｝
発光層５と後述の電子注入層８との間に、正孔阻止層６を設けてもよい。正孔阻止層６は、発光層５の上に、発光層５の陰極９側の界面に接するように積層される層である。

この正孔阻止層６は、陽極２から移動してくる正孔を陰極９に到達するのを阻止する役割と、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とを有する。

正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５−０２２９６２号公報に記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層６の材料として好ましい。

なお、正孔阻止層６の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。

正孔阻止層６の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。

正孔阻止層６の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。

｛電子輸送層｝
発光層５と後述の電子注入層８の間に、電子輸送層７を設けてもよい。
電子輸送層７は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成される。

電子輸送層７に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極９または電子注入層８からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。

なお、電子輸送層７の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。

電子輸送層７の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。

電子輸送層７の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。

｛電子注入層｝
電子注入層８は、陰極９から注入された電子を効率良く発光層５へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行なうには、電子注入層８を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられ、その膜厚は通常０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下が好ましい。

更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は、通常、５ｎｍ以上、中でも１０ｎｍ以上が好ましく、また、通常２００ｎｍ以下、中でも１００ｎｍ以下が好ましい。

なお、電子注入層８の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。

電子注入層８の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。

｛陰極｝
陰極９は、発光層５側の層（電子注入層８または発光層５など）に電子を注入する役割を果たすものである。

陰極９の材料としては、前記の陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。

なお、陰極９の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。

陰極９の膜厚は、通常、陽極２と同様である。

さらに、低仕事関数金属から成る陰極９を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、１種のみで用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。

｛その他の層｝
本発明に係る有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極２と陰極９との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。

有していてもよい層としては、例えば、電子阻止層が挙げられる。
電子阻止層は、正孔注入層３または正孔輸送層４と発光層５との間に設けられ、発光層５から移動してくる電子が正孔注入層３に到達するのを阻止することで、発光層５内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層５内に閉じこめる役割と、正孔注入層３から注入された正孔を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とがある。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は電子阻止層を設けることが効果的である。

電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いこと等が挙げられる。更に、本発明においては、発光層５を湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。このような電子阻止層に用いられる材料としては、Ｆ８−ＴＦＢに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体（国際公開第２００４／０８４２６０号公報記載）等が挙げられる。

なお、電子阻止層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。

電子阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。

さらに陰極９と発光層５または電子輸送層７との界面に、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）、酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）、炭酸セシウム（ＩＩ）（ＣｓＣＯ_３）等で形成された極薄絶縁膜（膜厚０．１〜５ｎｍ）を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，７０巻，１５２頁，１９９７年；特開平１０−７４５８６号公報；ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，４４巻，１２４５頁，１９９７頁；ＳＩＤ ０４ Ｄｉｇｅｓｔ，１５４頁等参照）。

また、以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば、図１の層構成であれば、基板１上に他の構成要素を陰極９、電子注入層８、電子輸送層７、正孔阻止層６、発光層５、正孔輸送層４、正孔注入層３、陽極２の順に設けてもよい。

更には、少なくとも一方が透明性を有する２枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明に係る有機電界発光素子を構成することも可能である。

また、基板以外の構成要素（発光ユニット）を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その場合には、各段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合は、それら２層）の代わりに、例えば五酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）等からなる電荷発生層（Ｃａｒｒｉｅｒ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＣＧＬ）を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。

更には、本発明に係る有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。

また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。

｛用途｝
本発明の有機電界発光素子は、有機ＥＬディスプレイに使用することができる。この場合、本発明により得られる有機電界発光素子を用いて、例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社，平成１６年８月２０日発行，時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で有機ＥＬディスプレイを形成することができる。

本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。

［実施例１］
プラチナ(II)-(2-フェニルピリジナト-N,C2)-ヘキサフルオロアセチルアセトネート（化合物１）の合成

プラチナ(II)−ヘキサフルオロアセチルアセトネート(100mg,0.16mmol)の３０ｍｌエトキシエタノール溶液に2-フェニルピリジン(30mg,0.06mmol)を添加し、反応液を９０℃で２時間反応させた。反応液を冷却後、冷水を加え、沈殿を生成させた。

沈殿を濾過し、64mgのオレンジ色の固体（化合物１）を得た（収率９９％）。この化合物（１）の分解温度は236℃であった。

¹H NMR(CDCl₃)δ：6.23(s,1H),7.11-7.21(m,3H),7.35(d,J6.8Hz,1H),
7.43(d,J7.8Hz,1H),7.65(d,J7.8Hz,1H),7.85(t,J6.8Hz,1H),
8.66(d,J5.5Hz,1H)
¹³C NMR(CDCl₃)δ：94.59,118.70,121.69,123.08,124.84,129.48,130.50,133.83,
139.17,144.33,147.63,167.95,170.92
IR(KBr)：3058,1614,1586,1553,1200
MS(LDI-TOF)Calcd.for C₁₆H₉F₆NO₂Pt:556.02
Found:555.71
m/z(%)(100,M⁺)Anal.Calcd.for C₁₈H₉F₈NO₂Pt:C=34.54,H=1.63,N=2.52
Found:C=34.41,H=1.79,N=2.60

［比較例１］
プラチナ(II)-(2-フェニルピリジナト-N,C2)-ヘキサフルオロアセチルアセトネート（化合物１）の合成
K₂PtCl₄(560mg,1.35mmol)と2-フェニルピリジン(233,mg1.5mmol)を氷酢酸(250ml)に溶解し、８０℃で反応液の赤色が消えるまで３日間反応させた。この反応により生成した沈殿を濾過し、320mgのμ-Cl₂プラチナ(II)-(2-フェニルピリジナト-N,C2)の黄色い固体を得た（収率６４％）。得られた結晶（固体）は、さらなる精製は行わず次のステップに用いた。

得られたμ-Cl₂プラチナ(II)-(2-フェニルピリジナト-N,C2)(90mg,0.12mmol)をエトキシエタノール８ｍｌに溶解し、ヘキサフルオロアセチルアセトン(62mg,0.12mmol)とNa₂CO₃(85mg0.80mmol)を加え、室温にて２日間撹拌した。これにより生成した沈殿を濾過し、シリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝２／１）により、4mgのオレンジ色の固体を得た（収率６％）。
NMRにより実施例１で製造した化合物１と同一であることを確認した。

［実施例２］
プラチナ(II)(2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジナト-N,C2)-ヘキサフルオロアセチルアセトネート（化合物２）の合成

＜2-ブロモ-4-ジメチルアミノピリジンの合成＞
4-ジメチルアミノピリジン(2.5g,20mmol)の150mlのテトラヒドロフラン溶液に三フッ化ホウ素エーテル錯塩(3.1ml,22mmol)を0℃で添加した。反応液を３０分間撹拌した後、-78℃に冷却した。反応液にn-ブチルリチウム(32.0mmol，1.60Mヘキサン溶液)を加えて３０分間撹拌した後、臭素(32.0mmol,1.65ml)を添加した。反応液は室温までゆっくりと昇温し、一晩撹拌した。反応液に飽和炭酸ナトリウム水溶液と酢酸エチルを加えて、分液し、酢酸エチル層を脱水、濃縮し、カラムクロマトグラフィー(ヘキサン／酢酸エチル＝５／１)により、2-ブロモ-4-ジメチルアミノピリジン0.98g（収率５５％）を白色固体として得た。このものの融点は６０℃であった。

¹H NMR(CDCl₃) δ：3.00(s,6H),6.44(dd,J6.0,2.5Hz,1H),6.64(d,J2.5Hz,1H),
7.94(d,J6.0Hz,1H)
¹³C NMR(CDCl₃)：39.20,106.14,109.16,142.97,149.23,155.68
IR(KBr)：2927,2803,1918,1590,1519,1070
m/z(%)(100,M⁺)Anal.Calcd.for C₇H₉BrN₂:C=41.82,H=4.51,N=13.93
Found:C=42.01,H=4.33,N=14.15

＜2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジンの合成＞
2-ブロモ-4-ジメチルアミノピリジン(250mg,1.25mmol)とジフルオロフェニルボロン酸(0.60g,3.8mmol)を８ｍｌのトルエンに溶解し、Pd(CH₃COO)₂(10mg,0.04mmol,0.5mol%)および2M K₃PO₄(1,25ml,2.5mmol)水溶液を加え、混合液を３日間還流した。反応液を10%塩酸でクエンチし、クロロホルムで抽出した。飽和食塩水で洗浄後、脱水、濃縮し、カラムクロマトグラフィー(ヘキサン／酢酸エチル＝３／１)により、2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジン260mg（収率９２％）を白色結晶として得た。このものの融点は５４〜５５℃であった。

¹H NMR(CDCl₃)δ：3.04(s,6H),6.48(dd,J6.0,2.7Hz,1H),6.48-6.99(m,3H),
7.90(dd,J6.8Hz,1H),8.31(d,J6.0Hz,1H)
¹³C NMR(CDCl₃)：39.17,104.10,105.50,107.10,111.61,132.11,149.60,152.58,154.57
IR(KBr)：2926,1609,1549,1505,1268
m/z(%)(100,M⁺)Anal.Calcd.for C₁₃H₁₂F₂N₂:C=66.66,H=5.16,N=11.96
Found:C=66.59,H=4.98,N=11.88

＜プラチナ(II)(2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジナト-N,C2)-ヘキサフルオロアセチルアセトネート（化合物２）の合成＞
プラチナ(II)−ヘキサフルオロアセチルアセトネート(100mg,0.16mmol)の３０ｍｌエトキシエタノール溶液に2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジン(30mg,0.06mmol)を添加し、反応液を９０℃で２時間反応させた。反応液を冷却後、冷水を加え、沈殿を生成させた。沈殿を濾過し、ヘキサン／ジクロロメタン混合溶液より再結晶を行い、55mgの赤色の固体（化合物２）を得た（収率54％）。このものの分解温度は283℃であった。

¹H NMR(CDCl₃)δ：3.14(s,6H),6.19(s,1H),6.34(dd,J7.0,3.1Hz,1H),
6.55(ddd,J12.4,9.1,2.3Hz,1H),6.75(dd,J8.2,2.3Hz,1H),
7.14(t,J3.1Hz,1H),8.06(d,J7.0Hz,1H)
¹³C NMR(CDCl₃)：39.44,94.66,100.24,103.67,104.50,112.55,136.39,145.93,155.54,
162.75,170.50
IR(KBr)：2938,2815,1625,1515,1409,1269
MS(LDI-TOF)Calcd.for C₁₈H₁₂F₈N₂O₂Pt:635.04
Found:634.96
m/z(%)(100,M⁺)Anal.Calcd.for C₁₈H₁₂F₈N₂O₂Pt:C=34.03,H=1.90,N=4.41
Found:C=34.10,H=2.20,N=4.44

［比較例２］
プラチナ(II)(2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジナト-N,C2)-ヘキサフルオロアセチルアセトネート（化合物２）の合成
K₂PtCl₄(225mg,0.5mmol)と2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジン(200mg,0.8mmol)を氷酢酸(100ml)に溶解し、混合液を８０℃で反応液の赤色が消えるまで３日間反応させた。生成した沈殿を濾過し、水、アセトン、ジエチルエーテルにて洗浄し、150mgのμ-Cl₂プラチナ(II)-(2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジナト-N,C2)の灰色の固体を得た（収率６４％）。得られた結晶はさらなる精製は行わず次のステップに用いた。

得られたμ-Cl₂プラチナ(II)-(2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジナト-N,C2)(50mg,0.05mmol)をエトキシエタノール８ｍｌに溶解し、ヘキサフルオロアセチルアセトン(40mg,0.25mmol)とNa₂CO₃(85mg,0.80mmol)を加え、室温にて２日間撹拌した。生成した沈殿を濾過し、シリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝５／１）により、８mgの赤色の固体を得た（収率２５％）。
NMRにより実施例２で製造した化合物２と同一であることを確認した。

［実施例３］
Cis-プラチナ(II)(2-ジフェニルピリジナト-N,C2)（化合物３）の合成

化合物１(33mg,0.06mmol)の８ｍｌエトキシエタノール溶液に2-フェニルピリジン(18mg,0.12mmol)を添加し、反応液を９０℃で１日間反応させた。生成した沈殿をジクロロメタンで抽出し、脱水して濃縮後、カラムクロマトグラフィーにより赤色の固体（化合物３）を得た（収率５５％）。

¹H NMR(CDCl₃)δ:7.15(td,J7.4,0.9Hz,2H),7.29-7.30(m,4H),7.64(dd,J7.8,1.4Hz,2H),
7.88(dd,J5.3,1.4Hz,4H),8.18(d,J7.4Hz,2H),8.77(d,J5.3Hz,2H)

［実施例４］
プラチナ(II)(2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジナト-N,C2)-アセチルアセトネート（化合物４）の合成

実施例３において、化合物１に代えて化合物２を用い、２−フェニルピリジンに代えてアセチルアセトンを用いたこと以外は同様にして、プラチナ(II)(2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジナト-N,C2)- アセチルアセトネートを合成した。このものの分解温度は２８３℃であった。

¹H-NMR(CDCl₃)δ:1.97(s,6H),3.12(s,6H),5.45(s,1H),6.35(dd,J6.9,2.7Hz,1H),
6.52(ddd,J12.5,9.3,2.6Hz,1H),7.07(dd,J8.7,2.6Hz,1H),
7.18(t,J2.7Hz,1H),8.42(d,J6.9Hz,1H)
¹³C NMR(CDCl₃)δ：27.12,28.07,39.45,98.92,102.47,103.30,104.49,112.47,145.90,
155.31,163.51,184.09,185.37
IR(KBr)：2923,1625,1570,1519,1405,1248
MS(LDI-TOF)Calcd.for C₁₈H₁₈F₂N₂O₂Pt:527.10
Found:527.23
m/z(%)(100,M⁺).Anal.Calcd.for C₁₈H₁₈F₂N₂O₂Pt:C=40.99,H=3.44,N=5.31
Found:C=40.91,H=3.34,N=5.33

［実施例５］
プラチナ(II)(2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジナト-N,C2)-ジピバロイルメタン（化合物５）の合成

実施例３において、化合物１に代えて化合物２を用い、２−フェニルピリジンに代えてジピバロイルメタンを用いたこと以外は同様にして、プラチナ(II)(2-(2,4-ジフルオロフェニル)-4-ジメチルアミノピリジナト-N,C2)-ジピバロイルメタンを合成した。

¹H-NMR(CDCl₃)δ:1.26(d,J4.6Hz,18H),3.12(s,6H),5.78(s,1H),6.38(dd,J6.9,2.9Hz,1H),
6.52(ddd,J12.4,8.9,2.4Hz,1H),7.09(dd,J8.9,2.4Hz,1H),
7.19(t,J2.9Hz,1H),8.44(d,J6.9Hz,1H)

［実施例６］
プラチナ(II)-(2-フェニルピリジナト-N,C2)-アセチルアセトネート(化合物６)の合成

プラチナ(II)-(2-フェニルピリジナト-N,C2)-ヘキサフルオロアセチルアセトネート(20mg,0.036mmol)をエトキシエタノール5mlに溶解し、アセチルアセトン(4mg,0.040mmol)とNa₂CO₃(15mg,0.14mmol)を加え、反応液を90℃で2時間撹拌した。反応液を冷却後、水を加えてから、ジクロロメタンで抽出を行った。脱水、濃縮後にカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/酢酸エチル＝2/1)によって、プラチナ(II)-(2-フェニルピリジナト-N,C2)-アセチルアセトネート10mg(収率61%)を黄色固体として得た。

¹H NMR(CDCl₃)δ:2.00(s,6H),5.47(s,H),7.07-7.11(m,2H),
7.20(ddd,15.1,7.8,1.4Hz,1H),7.43(ddJ7.8,0.9Hz,1H),
7.59-7.62(m,2H),7.79(ddd,J15.6,7.8,1.8Hz,1H),
8.98(dd,J6.0,0.9Hz,1H).
MS(LDI-TOF)Calcd.for C₁₆H₁₅NO₂Pt:448.08
Found:447.91

［化合物４、化合物５および化合物６の溶液中での発光の測定］
化合物４、化合物５および化合物６をそれぞれクロロホルムに溶解し、１×１０^−５（mol/l）濃度の溶液を調製した。得られた溶液を分光発光測定器FP-6200（JASCO製）にて波長360nmの光で励起させて発光スペクトルを測定した。結果を図２に示す。
これらの化合物のうち、化合物４および化合物５はともに青色の発光を示し、有機電界発光素子などの表示材料に求められる青色発光材料として活用されうることが示された。

本発明の有機電界発光素子の一例を示す模式的断面図である。 化合物４、化合物５および化合物６のクロロホルム溶液の発光スペクトルを示すチャートである。

符号の説明

１ 基板
２ 陽極
３ 正孔注入層
４ 正孔輸送層
５ 発光層
６ 正孔阻止層
７ 電子輸送層
８ 電子注入層
９ 陰極
１０ 有機電界発光素子

Claims (6)

1. 下記式（１）で表される部分構造を有する化合物を用いて製造することを特徴とする、金属錯体の製造方法。
   

   

   （式（１）中、Ｍは、周期表の第４〜７周期の金属から選ばれる金属元素である。Ｘ^１１〜Ｘ^２６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表すが、Ｘ^１１〜Ｘ^２６のうち少なくとも１つはハロゲン原子である。）
2. 上記式（１）において、Ｍが白金であることを特徴とする、請求項１に記載の金属錯体の製造方法。
3. 上記式（１）におけるＸ^１１〜Ｘ^２６が、すべてハロゲン原子であることを特徴とする、請求項１または２に記載の金属錯体の製造方法。
4. 上記式（１）で表される部分構造を有する化合物を用いて製造される金属錯体が、下記式（２）で表される化合物またはその誘導体であることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の金属錯体の製造方法。
   

   

   （式（２）中、Ｘ^３０〜Ｘ^３５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。）
5. 請求項１ないし４のいずれか一項に記載の金属錯体の製造方法により製造された、金属錯体。
6. 陽極、陰極、および該陽極と該陰極との間に設けられた有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層が請求項５に記載の金属錯体を含有することを特徴とする、有機電界発光素子。

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