JP2010080614A - 基板トレイ及びその基板トレイを備えた気相成長装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この基板ホルダ100は、窒化物系半導体基板10が載置される座ぐり部110内に形成された凹部120と、座ぐり部110内に設けられ、凹部120の外周部側に配された外周面130とを備えている。そして、外周面130は、凹部120の底面部からA1方向の線L1上に位置する部分(a点およびa点近傍部分、c点およびc点近傍部分)までの高さh1が、凹部120の底面部からB1方向の線L2上に位置する部分(b点およびb点近傍部分、d点およびd点近傍部分)までの高さh2よりも高くなるように形成されている。
【選択図】図6
Description
図1は、本発明の第1実施形態による気相成長装置の概略断面図である。図2は、本発明の第1実施形態による基板ホルダの断面図である。図3および図4は、基板ホルダに保持される窒化物系半導体基板の平面図である。図5および図6は、本発明の第1実施形態による基板ホルダの構造を説明するための図である。なお、図6(a)は、図5のA−A線に沿った断面を示しており、図6(b)は、図5のB−B線に沿った断面を示している。まず、図1〜図6を参照して、本発明の第1実施形態による気相成長装置および基板ホルダ100について説明する。
図7は、本発明の第2実施形態による基板ホルダの断面図である。図8は、本発明の第2実施形態による基板ホルダの一部を示した平面図である。図9は、本発明の第2実施形態による基板ホルダの断面の一部を示した図である。なお、図9(a)は、図8のA−A線に沿った断面を示しており、図9(b)は、図8のB−B線に沿った断面を示している。次に、図7〜図9を参照して、本発明の第2実施形態による基板ホルダ200について説明する。なお、第2実施形態による気相成長装置は、上記第1実施形態の気相成長装置と基板ホルダのみが異なるものであるため、その説明は省略する。
図10は、本発明の第3実施形態による基板ホルダの断面図である。図11は、本発明の第3実施形態による基板ホルダの一部を示した平面図である。図12〜図14は、本発明の第3実施形態による基板ホルダの構造を説明するための図である。なお、図12(a)は、図11のA−A線に沿った断面を示しており、図12(b)は、図11のB−B線に沿った断面を示している。次に、図10〜図14を参照して、本発明の第3実施形態による基板ホルダ300について説明する。なお、第3実施形態による気相成長装置は、上記第1および第2実施形態の気相成長装置と基板ホルダのみが異なるものであるため、その説明は省略する。
10a 高転位密度領域
10b 低転位密度領域
20 フローチャネル
21 開口部
30 サセプタ
40 RFコイル(加熱部)
100、200、300 基板ホルダ
110、210、310 座ぐり部
120、220、320 凹部
130、230、330 外周面
340 突起部
Claims (13)
- 窒化物系半導体基板を保持する基板ホルダであって、
窒化物系半導体基板が載置される載置領域に形成された凹部と、
前記載置領域に設けられ、前記凹部の外周部側に配された外周面とを備え、
前記外周面は、前記凹部の中心を通るとともに面内方向における第1方向の線上に位置する部分が、前記凹部の中心を通り前記第1方向と直交する第2方向の線上に位置する部分よりも上方に位置していることを特徴とする、基板ホルダ。 - 前記外周面は、曲面からなり、
前記第1方向の線上に位置する部分から前記第2方向の線上に位置する部分にかけて徐々に変化するように構成されていることを特徴とする、請求項1に記載の基板ホルダ。 - 前記凹部は、底面部と側壁部とを含み、
窒化物系半導体基板と前記底面部とが接触することなく、前記側壁部と前記外周面との角部で窒化物系半導体基板と線接触するように構成されていることを特徴とする、請求項1または2に記載の基板ホルダ。 - 載置された窒化物系半導体基板に反りが生じた際に、前記側壁部と前記外周面との角部の少なくとも一部が前記窒化物系半導体基板と線接触するように構成されていることを特徴とする、請求項3に記載の基板ホルダ。
- 前記凹部は、すり鉢状に湾曲した形状に形成された底面部を含むことを特徴とする、請求項1または2に記載の基板ホルダ。
- 前記すり鉢状に湾曲した底面部は、窒化物系半導体基板の反りに合わせた形状に形成されていることを特徴とする、請求項5に記載の基板ホルダ。
- 前記凹部の底面部は、載置された窒化物系半導体基板に反りが生じた際に、前記窒化物系半導体基板と面接触するように形成されていることを特徴とする、請求項5または6に記載の基板ホルダ。
- 窒化物系半導体基板を保持する基板ホルダであって、
窒化物系半導体基板が載置される載置領域に形成され、窒化物系半導体基板を支持する複数の突起部を備えることを特徴とする、基板ホルダ。 - 前記載置領域には、4つの前記突起部が形成されており、
平面的に見た場合に、前記突起部を結ぶ線によって正方形が形成されるように前記突起部が配置されていることを特徴とする、請求項8に記載の基板ホルダ。 - 前記載置領域に形成された凹部と、前記載置領域に設けられ、前記凹部の外周部側に配された外周面とをさらに備え、
前記突起部は、前記外周面の領域に、上方に突出するように設けられていることを特徴とする、請求項8または9に記載の基板ホルダ。 - 前記凹部は、すり鉢状に湾曲した形状に形成された底面部を含み、
窒化物系半導体基板と前記底面部とが接触することなく、窒化物系半導体基板が、前記突起部により点接触で支持されることを特徴とする、請求項8〜10のいずれか1項に記載の基板ホルダ。 - 前記突起部は、取り外し可能に構成されていることを特徴とする、請求項8〜11のいずれか1項に記載の基板ホルダ。
- 請求項1〜12のいずれか1項に記載の基板ホルダと、
前記基板ホルダを露出させるための開口部を含み、原料ガスを前記基板ホルダに載置されている窒化物系半導体基板と平行に流すフローチャネルと、
前記基板ホルダの下部側に設けられ、窒化物系半導体基板を加熱する加熱部とを備えることを特徴とする、気相成長装置。
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