JP2010073838A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 一方の面を形成する絶縁層上に設けられた第１接続パッドと、他方の面を形成する絶縁層に埋設され、前記絶縁層から表面が露出する第２接続パッドと、前記一方の面を形成する絶縁層上に形成され、前記第１接続パッドを露出させるソルダレジストとを備えた配線基板と、
   前記ソルダレジストの上に設けられ、前記第１接続パッドに対応する部分に開口部を備えた絶縁体からなる支持板とを有することを特徴とする半導体パッケージ。
2. 前記配線基板の前記支持板が設けられた面の前記第１接続パッドにはんだ層によって固着されたリードピンをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
3. 前記支持板は、繊維補強材含有樹脂層、セラミックス板及び熱硬化型樹脂層のいずれかであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体パッケージ。
4. 請求項１乃至３のいずれかの半導体パッケージと、
   前記半導体パッケージの前記支持板が設けられた面と反対側の前記第２接続パッドに実装された半導体チップとを有することを特徴とする半導体装置。
5. 一方の面を形成する絶縁層上に設けられた第１接続パッドと、他方の面を形成する絶縁層に埋設され、前記絶縁層から表面が露出する第２接続パッドと、前記一方の面を形成する絶縁層上に形成され、前記第１接続パッドを露出させるソルダレジストとを備えた配線基板を用意する工程と、
   前記配線基板の前記ソルダレジストの上に、前記第１接続パッドに対応する部分に開口部を備えた絶縁体からなる支持板を形成する工程とを有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
6. 前記支持板を形成する工程の後に、
   前記配線基板の前記支持板が形成された面側の前記第１接続パッドの上にはんだ材を形成する工程と、
   前記はんだ材にリードピンを配置し、リフロー加熱することにより、はんだ層によって前記リードピンを前記第１接続パッドに電気的に接続する工程とをさらに有することを特徴とする請求項５に記載の半導体パッケージの製造方法。
7. 前記支持板はシート状の樹脂層であって、
   前記支持板を形成する工程は、
   前記配線基板に前記樹脂層を積層する工程と、
   前記樹脂層を加工することにより、前記開口部を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体パッケージの製造方法。
8. 前記支持板はシート状の樹脂層又はセラミックス板であって、
   前記支持板を形成する工程は、
   前記第１接続パッドに対応する前記開口部が設けられた前記樹脂層又は前記セラミックス板を用意する工程と、
   前記配線基板に前記樹脂層又は前記セラミックス板を積層する工程とを含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体パッケージの製造方法。
9. 前記樹脂層は、繊維補強材含有樹脂層又は熱硬化型樹脂層であることを特徴とする請求項７又は８に記載の半導体パッケージの製造方法。
10. 前記積層する工程では、接着層を介して前記樹脂層又は前記セラミックスを積層し、
    前記接着層として、半硬化状態の樹脂が使用され、
    熱処理によって前記半硬化状態の樹脂を硬化させることにより、前記樹脂層又は前記セラミックス板を接着することを特徴とする請求項７又は８に記載の半導体パッケージの製造方法。