JP2010056285A - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】TEAと酸素ガスとを原料としてCVD法等の気相成長法の適用により、炭化珪素基板の表面上に酸化アルミニュームの膜を堆積する。この酸化アルミニュームの膜を、炭化珪素を基板とするMOSFET等のゲート酸化膜として用いる。その際に、好ましくは、酸素分圧を例えば5Pa以上に設定すると共に、基板温度を例えば320℃以下と言う様により低温に設定する。本願発明者らは、酸素原料の内で、酸素ガスが、炭化珪素表面の酸化速度を最小化することを、実験を通じて知見した。
【選択図】図4
Description
本実施の形態の中核は、地上気圧(約1013ヘクトパスカル)よりも低い圧力環境の下で、酸素ガスを原料として、酸化アルミニュームを炭化珪素基板の表面上に堆積することで、MOS構造に於けるゲート絶縁膜を形成する点にある。以下、図面を参照して、本実施の形態を詳述する。
以上、本発明の実施の形態を詳細に開示し記述したが、以上の記述は本発明の適用可能な局面を例示したものであって、本発明はこれに限定されるものではない。即ち、記述した局面に対する様々な修正や変形例を、この発明の範囲から逸脱することの無い範囲内で考えることが可能である。
Claims (6)
- 炭化珪素基板上の酸化アルミニュームによるゲート絶縁膜の形成に際して、地上気圧よりも低い圧力環境下に於いて前記酸化アルミニュームを堆積することを特徴とする、
炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記地上気圧よりも低い圧力環境の下で、酸素ガスを原料として前記酸化アルミニュームを堆積することを特徴とする、
炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項2記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
トリエチルアルミニュームを原料として前記酸化アルミニュームを堆積することを特徴とする、
炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項2又は3に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
堆積雰囲気の酸素分圧を5Pa以上として製膜することを特徴とする、
炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項2乃至4の何れかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
製膜時の基板温度を320℃以下とすることを特徴とする、
炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 請求項2乃至5の何れかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記酸素雰囲気に代えて、一酸化二窒素の熱分解により生成する酸素を原料として前記酸化アルミニュームを形成することを特徴とする、
炭化珪素半導体装置の製造方法。
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