JP2010056129A - 窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板および窒化物系化合物半導体の結晶成長方法 - Google Patents
窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板および窒化物系化合物半導体の結晶成長方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板であって、Si(111)基板を例とする結晶形成用基板1の、結晶成長が起こる側とは反対側の面に、炭素膜を例とする赤外線吸収層2を有することを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板を構成する。
【選択図】図1
Description
窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板であって、結晶形成用基板の結晶成長が起こる側とは反対側の面に赤外線吸収層を有することを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板を構成する。
請求項1に記載の窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板において、該基板が、該基板の結晶成長が起こる側の面を上面として台座に載置され、該台座からの伝熱により加熱されて、前記上面で窒化物系化合物半導体の結晶成長が起こる際に、前記上面の温度が、前記赤外線吸収層が無い場合よりも高くなることを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板を構成する。
請求項1または2に記載の窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板において、前記赤外線吸収層が炭素膜であることを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板を構成する。
請求項3に記載の窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板において、前記炭素膜の厚さが100nm以上5μm以下であることを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板を構成する。
請求項1ないし4のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板において、前記結晶形成用基板がシリコン基板であり、その面方位が(111)またはそれと等価な面方位であることを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板を構成する。
窒化物系化合物半導体の結晶成長方法であって、請求項1ないし5のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板を、該基板の結晶成長が起こる側の面を上面として台座に載置し、該台座からの伝熱により加熱して、前記上面に窒化物系化合物半導体を結晶成長させることを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長方法を構成する。
本発明の実施の形態例として、図3に示すように、結晶形成用基板1としてSi(111)基板を用いているが、本発明はこれに限定されることなく適用可能である。
Claims (6)
- 窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板であって、結晶形成用基板の結晶成長が起こる側とは反対側の面に赤外線吸収層を有することを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板。
- 請求項1に記載の窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板において、
該基板が、該基板の結晶成長が起こる側の面を上面として台座に載置され、該台座からの伝熱により加熱されて、前記上面で窒化物系化合物半導体の結晶成長が起こる際に、前記上面の温度が、前記赤外線吸収層が無い場合よりも高くなることを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板。 - 請求項1または2に記載の窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板において、
前記赤外線吸収層が炭素膜であることを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板。 - 請求項3に記載の窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板において、
前記炭素膜の厚さが100nm以上5μm以下であることを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板において、
前記結晶形成用基板がシリコン基板であり、その面方位が(111)またはそれと等価な面方位であることを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板。 - 窒化物系化合物半導体の結晶成長方法であって、請求項1ないし5のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体の結晶成長に用いる基板を、該基板の結晶成長が起こる側の面を上面として台座に載置し、該台座からの伝熱により加熱して、前記上面に窒化物系化合物半導体を結晶成長させることを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長方法。
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