JP2010045168A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】光の取り出し効率を改善するとともに車載用途に適した高信頼性を有する半導体発光装置を提供する。
【解決手段】
一対のリード端子の各々は、素子搭載面上の発光素子を挟む両側に延在し且つ発光素子とボンディングワイヤーを介して接続された結線部を有し、結線部は光反射面を構成している。ベース部は発光素子を挟む両側に素子搭載面から実装面に達する一対の貫通孔を有し、一対のリード端子の各々は貫通孔の内部に充填された硬質ガラスに埋設されてベース部に固定され、一対のリード端子の結線部は、貫通孔の開口面に延在している硬質ガラスの表面を覆っている。また、ベース部は、発光素子の搭載部が素子搭載面から***している上面が平坦な***部を有し、***部上面の高さは、結線部表面の高さよりも高くなっている。また、少なくともベース部の素子搭載面と一対のリード端子の結線部には、めっき処理が施されている。
【選択図】図2
【解決手段】
一対のリード端子の各々は、素子搭載面上の発光素子を挟む両側に延在し且つ発光素子とボンディングワイヤーを介して接続された結線部を有し、結線部は光反射面を構成している。ベース部は発光素子を挟む両側に素子搭載面から実装面に達する一対の貫通孔を有し、一対のリード端子の各々は貫通孔の内部に充填された硬質ガラスに埋設されてベース部に固定され、一対のリード端子の結線部は、貫通孔の開口面に延在している硬質ガラスの表面を覆っている。また、ベース部は、発光素子の搭載部が素子搭載面から***している上面が平坦な***部を有し、***部上面の高さは、結線部表面の高さよりも高くなっている。また、少なくともベース部の素子搭載面と一対のリード端子の結線部には、めっき処理が施されている。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体発光装置に関し、特に表面実装型の半導体発光装置に関する。
高輝度、高出力の発光ダイオード(LED)を搭載した半導体発光装置は、従来の白熱電球と比較して小型であり長寿命且つ低消費電力であるといった特徴を有することから、各種照明装置や表示装置等の分野において広く利用されている。一方、半導体発光装置のパッケージとしては、機器の小型化、薄型化の要求から表面実装タイプの需要が拡大しつつある。
表面実装タイプの半導体発光装置の構成として例えば特許文献1には、発光素子と、発光素子を載置する金属ブロックと、発光素子にボンディングワイヤーを介して電気的に接続されたリード端子と、発光素子の上面を覆う透光性樹脂と、リード端子を固定する遮光性樹脂と、を有する半導体発光装置が示されている。かかる構成の半導体発光装置において、金属ブロックの頂部に形成された切り欠きによって傾斜面を形成し、この傾斜面の底部にLEDを搭載することによって上記傾斜面を反射面として使用している。また、リード端子を固定する遮光性樹脂部にも傾斜面を形成し、この傾斜面に反射材を塗布してこの部分を反射面として使用している。
特開2001−185763号公報
半導体発光装置は、上記した如き利点を有することから、自動車のヘッドライトやブレーキランプ、車内の表示パネル等車載用途にも採用されつつある。しかしながら、自動車車内での使用環境は、外気温の変動等によって例えば−20℃〜80℃まで変動する場合もあり、また、走行時においては常に振動が加わることとなる。このように、半導体発光装置が車載用途に使用される場合は、使用環境が一般品と比較して厳しいため、複数回且つ長時間に亘る熱衝撃や機械的振動等にも耐え得る高信頼性が要求される。
しかしながら、上記特許文献1に記載の如き構造の半導体発光装置を実装基板にリフロー方式で半田付けする場合、半導体発光装置は高温に曝されるため、リード端子や、金属ブロック近傍において封止樹脂にクラックが生じるおそれがある。封止樹脂にクラックが入ると、そこから水分等が浸入し、封止樹脂内部の発光素子やボンディングワイヤー等の腐食が進行するといった懸念がある。
また、半導体発光装置の用途が拡大されてきたことに伴って更なる発光輝度の向上が要求されている。発光輝度の改善は、発光素子の構造によるところが大きいが、発光素子を搭載するパッケージ構造によっても光の取り出し効率を向上させることが可能であり、未だ改善の余地がある。
本発明は、上記した点に鑑みてなされたものであり、光の取り出し効率を改善するとともに車載用途に適した高信頼性を有する半導体発光装置を提供することを目的とする。
本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子が搭載されている側の搭載面と、前記搭載面と対向し実装基板に接合するための実装面とを有するベース部と、前記半導体発光素子と電気的に接続された一対のリード端子と、を有する半導体発光装置であって、前記一対のリード端子の各々は、前記搭載面上の前記半導体発光素子を挟む両側に延在し且つ前記半導体発光素子とボンディングワイヤーを介して接続された結線部を有し、前記ベース部は、前記搭載面上に上面が平坦な***部を有し、前記***部の上面の高さは、前記結線部表面の高さよりも高いことを特徴としている。
前記ベース部は前記発光素子を挟む両側に前記搭載面から前記実装面に達する一対の貫通孔を有し、前記一対のリード端子の各々は前記貫通孔の内部に充填された硬質ガラスに埋設されて前記ベース部に固定され、前記一対のリード端子の前記結線部は、前記貫通孔の開口面に延在している前記硬質ガラスの表面を覆っている。
また、前記一対のリード端子は、平板状のリード材から構成され、少なくとも前記ベース部の前記搭載面と前記一対のリード端子の前記結線部には、めっき処理が施されている。
以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ説明する。図1(a)は、本発明の実施例である半導体発光装置1を上面(素子搭載面)側から眺めた平面図、図1(b)は、半導体装置1を下面(実装面)側から眺めた平面図である。図2(a)は図1(a)における2a―2a線に沿った断面図、図2(b)は図1(a)における2b−2b線に沿った断面図である。
半導体発光装置1は、主に発光素子としてのLEDチップ10が搭載される側の素子搭載面200と、素子搭載面200の裏面側の実装面201とを有する基台としてのベース部20と、ベース部20の素子搭載面200の中央に搭載されるLEDチップ10と、図示しない実装基板との接合部を構成し、実装基板から供給される電力をLEDチップ10に中継する1対のリード端子20と、ベース部20の素子搭載面200においてその外縁に沿って設けられたリング状の光反射面を有する光反射枠40と、光反射枠40の内側においてLEDチップ10を埋設するように充填された光透過性樹脂50と、により構成される。
ベース部20は、発光素子としてのLEDチップ10を搭載する基台であり、放熱性を確保する観点から高熱伝導率且つ低熱抵抗を有する材料が好ましく、例えば無酸素銅(OFC:Oxygen-Free Copper)やCu合金を含むCu材が使用される。また、ベース部20の表面全体には例えばバレルめっき法によるAg合金のめっき処理が施されている。ベース部20に光沢を持つ金属めっき処理が施されることにより、ベース部20の素子搭載面200は光反射面として機能する。尚、ベース部20の構成材料としては、Cu材以外にもAlやFe等も使用することが可能である。また、めっき材としては、Ag合金以外にもAg、Au等を使用することが可能である。ベース部20は、半導体発光装置1の外形形状を画定するため実装基板へ実装する際の取り扱いの便宜を考慮して多角形形状をなしていることが好ましい。ベース部20の外形は、図1(a)および(b)に示すように、例えばLEDチップ10のチップサイズが1mm角程度である場合には、4mm×4mmの矩形状とすることができる。
ベース部20は、約1mm程度の板厚を有し、図2(a)および(b)に示すように、素子搭載面200の中央部において、上面の高さ位置が周縁部表面200bよりも突出している断面が台形形状の***部20aを有している。***部20aの上面200aは平坦面となっており、この***部20aの上面200aに半田や導電性接着剤等の接合材を介してLEDチップ10が搭載される。***部20aは、上面200aの高さ位置が後述するリード端子22の結線部22a上面よりも高くなっており、これによって結線部22aの上面が光反射面として機能するように構成している。
***部20aの上面の形状および寸法は、LEDチップ10の形状および寸法と略同一となっており、これにより、LEDチップ10の側面および表面への接合材の這い上がりを防止している。
また、ベース部20は、実装面側中央部において、その下面が周縁部よりも突出した位置にある突出部20bを有している。突出部20bの下面はベース部20の実装面および素子搭載面200と平行な平坦面となっており、かかる突出部20bの下面は、実装基板と当接し得る実装基板との接合面を構成している。ベース部20は、半田付けによってこの突出部20bを介して実装基板に直接接合されるので、素子搭載面200に搭載されているLEDチップ10が発する熱は、実装基板に効率よく放熱される。突出部20bは、図1(b)に示すように、ベース部20の実装面中央部を一端から他端に亘って横断するように伸張している。このように、突出部20bの形成領域を伸張させることにより実装基板との接合面積が確保されるので、放熱効率が向上し、更に実装安定性も向上させることが可能となる。
また、突出部20bは、LEDチップ10の搭載部である***部20aの直下部を含んで延在していることが好ましい。すなわち、半導体発光装置1を水平面上に延在する実装基板に実装した場合にLEDチップ10の鉛直方向下方に突出部20bが延在していることが好ましい。これにより、半導体発光装置1が実装基板に実装された場合に、発熱源であるLEDチップ10から実装基板までの放熱経路が短くなり、その結果、熱抵抗が小さくなるため放熱効率を向上させることが可能となる。
ベース部20には、***部20aを挟む両側位置に素子搭載面200から実装面に達する一対の貫通孔23が設けられている。1対のリード端子22はそれぞれ、貫通孔23内部において例えば硬質ガラスからなる絶縁材21に埋設されてベース部20に固着される。より具体的には、ベース部20には、リード端子22の先端部分に形成されている結線部22aの上端面の面積よりも大きい開口面積を有する貫通孔23が設けられている。リード端子22は、後述する所定の曲げ加工がなされた後、貫通孔23に挿入された状態で支持される。続いて、貫通孔23の開口面の一方を塞いだ状態で貫通孔23内へ略直方体の硼珪酸ガラスを入れる。その後、これを加熱して硼珪酸ガラスを溶融させ、硬化させることによりリード端子22を貫通孔23内部に固定する。このように、絶縁材21は、ベース部20とは別体として設けられるリード端子22を貫通孔23内部において絶縁性および気密性を確保しつつ固定する。絶縁材21には、硬質ガラスが用いられるため経年劣化が少なく、熱衝撃にも強いので高信頼性を有する半導体発光装置を構成することができる。
リード端子22は、実装基板との接合部を構成するとともに素子搭載面200に搭載されたLEDチップ10に実装基板からの発光駆動電力を供給する。リード端子22は、板厚約0.1mm程度、リード幅1.2mm程度の平板状のリード材が使用される。リード端子22の構成材料としては、例えばFeにNiおよびCoを配合してなるコバールが好適である。コバールは、常温付近での線膨張係数が約5.0×10−6/Kと他の金属と比較して低く、絶縁材21を構成する硼珪酸ガラスと同等である。従って、半導体発光装置1を実装基板へ実装する際に行われるリフロー処理や周囲温度が変動する環境に長期間曝された場合であっても、リード端子22と絶縁材21の体積膨張収縮率が同程度となり、絶縁材21に加わる応力を低減することができるので、絶縁材21にクラックが発生するのを防止することができる。
また、リード端子22は、表面全体に例えばAg合金のめっき処理が施されている。リード端子22にめっき処理が施されることにより、後述するリード端子22の結線部22aが光反射面としての機能を発揮する。尚、リード端子22のめっき材としてはAg合金以外にもAgやAuを使用することも可能であり、また、これらのめっき材を複合的に使用することとしてもよい。
リード端子22は、平板状のリード材に曲げ加工が施され、図2(a)に示す如きクランク状のフォーミング形状を有する。かかる、曲げ加工がなされたリード端子22の各辺によって、結線部22a、貫通部22b、実装部22c、およびフィレット形成部22dが構成される。このようにリード端子22は、平板状のリード材にクランク状の曲げ加工がなされて構成され、絶縁材21に強固に固定されるので、例えば円柱状のリード材と比較してリード抜けが生じにくい構造となっている。
貫通部22bは、ベース部20の貫通孔23を充たす絶縁材21内部を貫通し、絶縁材21の上端面から突出部20bの下面に亘って伸張している。つまり、貫通部22bの伸張方向はベース部20の厚み方向である。貫通部22bは、実装面側から供給される発光駆動電力をLEDチップ10が搭載されている素子搭載面側に導出する。貫通部22bが絶縁材21内部を貫通している位置は、貫通孔23のLEDチップ10からの近接離間方向における中心位置よりも離間距離がより大となる方に変位している。つまり、貫通部21bは、貫通孔23の上記中心位置よりも外側位置において絶縁材21を貫通している。このように構成することで、後述するリード端子22の結線部22aの面積を確保することが可能となる。
一対のリード端子22の結線部22aの各々は、貫通部22bの伸張方向から互いに近接する方向に向けて、その上端面が素子搭載面200と略平行となるように約90度の曲げ加工がなされることにより形成される。すなわち、結線部22aの各々は、貫通部22bの素子搭載面側の端部から素子搭載面中央部に搭載されているLEDチップ10に向けて伸張している。このように、結線部22aは、素子搭載面200上のLEDチップ10を挟む両側位置においてその主面がベース部20の素子搭載面200上を延在する平坦面を構成する。図1(a)に示すように、ベース部20の貫通孔を充たし、ベース部20の素子搭載面200上に延在している絶縁材21の上端面は、結線部22aによって覆われる。結線部22aの上面とLEDチップ10表面の電極パッド(図示せず)とをボンディングワイヤー30で結線することにより、各リード端子22はLEDチップ10と電気的に接続される。結線部22aの上面はボンディングワイヤー径に対して十分に広い面積を有しているため、ボンディングワイヤーの打ち損じを防止することが可能となる。更に、結線部22aの上端面の高さ位置は、LEDチップ10搭載面である***部20aの上面の高さ位置よりも低くなるように構成されている。
このようなリード端子の構成によって、ベース部20の素子搭載面200上に延在している結線部22aの各々は、ベース部20の素子搭載面同様、光反射面としての機能を発揮してLEDチップ10が発する光の取り出し効率を向上させている。すなわち、リード端子にめっき処理が施されることにより、結線部22aは高い光反射率を備えることができる。また、ベース部20の素子搭載面200上に延在している絶縁材21は、上記の如く硬質ガラスが用いられるため光反射面としての機能を発揮することができず、ベース部20の素子搭載面200において絶縁材21を露出させたままにしておくと光の取り出し効率は低くなってしまう。そこで、本実施例では反射率の高い金属でめっきが施された平板状のリード端子22の結線部22aで絶縁材21の表面を覆うことにより、素子搭載面200上における光反射面の面積を拡大させ、LEDチップ10から出射され光反射枠40で反射された光や光透過性樹脂内部で散乱された光を投光方向に向けて反射させることにより光の取り出し効率を改善することとしているのである。本実施例では、平板状のリード材を曲げ加工して結線部22aを形成することにより、ベース部20の素子搭載面200上に延在している絶縁材21の面積の60%程度を結線部22aで覆うようにしている。
また、結線部22aの上面がLEDチップ10に対して投光方向における後方に位置することにより、例えばLEDチップ10の側面から出射された光をも投光方向に向けて反射させることが可能となり、光の取り出し効率を更に向上させることができる。すなわち、光源に対して光反射面を投光方向における後方に配置することにより実質的な発光輝度を向上させているのである。本実施例では、ベース部20の素子搭載面200上に周縁部よりも表面高さ位置が高くなっている***部20aを形成し、ここにLEDチップ10を搭載することで、光反射面を構成するベース部20の素子搭載面200および一対のリード端子22の各結線部22aに対してLEDチップ10を投光方向前方に配置することとしている。
一対のリード端子22の実装部22cの各々は、実装面側において、貫通部22bの伸張方向からベース部20の実装面に沿って互いに離間する方向に曲げ加工がなされることにより形成される。すなわち、実装部22cの各々は、ベース部20の互いに対向する外縁部に向けて伸張し、上記外縁部を超える位置で終端している。また、実装部22cの下面とベース部20の素子搭載面200および実装面201とが平行となるように曲げ加工がなされる。実装部22cの下面は、実装基板との接合面を構成する。実装部22bの伸張方向における長さをある程度確保することにより、実装部22cと実装基板との接合面積が増加するため実装安定性が向上する。
しかしながら、実装部22cの長さをある程度確保しても半導体発光装置1の外形寸法に対してリード幅1.2mm程度では、リード幅方向における実装安定性は十分なものとはいえない。そこで、本実施例ではベース部20の実装面に形成された突出部20bがこれを補完する。すなわち、実装部22c同様、実装基板との接合面を構成する突出部20bは、互いに離間している一対の実装部22cの中央部において実装部20cの伸張方向と直交する方向に伸張しており、その長手方向における長さは、例えば3mm程度とリード幅に対して十分に長い。従って、リード端子22のリード幅方向における実装安定性が突出部20bによって補完されることとなる。このように、本実施例の半導体発光装置1は、実装部22cおよび突出部20bの双方からなる下面構造によって実装安定性が確保されている。
実装部22cと突出部20bは、ともに実装基板との接合面を構成するため、実装部22cの下面と突出部20の下面とは同一平面上に位置していることが好ましい。しかしながら、リード端子22の曲げ加工の加工精度等を考慮すると、実際にはこれらを完全に同一平面上に形成するのは困難である。かかる製造ばらつきを考慮して、本実施例の半導体発光装置1では、所定範囲内において突出部20bの下面が実装部22cの下面がなす面よりも突出していても、すなわち、実装時において実装部22cの下面が突出部20bの下面よりも上方に位置していても問題なく実装基板に実装できる構造となっている。つまり、実装部22cの下面が突出部20bの下面よりも上方に位置している場合には実装部22cの下面が実装基板に当接し得ない状態となるが、かかる位置ずれが許容範囲内であれば、リフロー処理において溶融した半田が固化するときに実装部22cが実装基板に吸着され、これによって実装部22cが下方すなわち基板側にたわむので、実装部22cは、実装基板に問題なく接合されることとなる。このように、本実施例の半導体発光装置においては実装部22cが変形し得る構造となっているため、実装部22cの下面と突出部20bの下面の位置ずれが生じてもかかる位置ずれがリード端子22の変形によって吸収されるようになっている。
また、図2(a)に示すように、リード端子22の貫通部22bと実装部22cとの連結部である屈曲部および実装部22cの上面の一部は、絶縁材21で覆われる。すなわち、実装部22cの上面とベース部20の下面との間の空隙には、硬質ガラスからなる絶縁材21が充填され、リード端子22の貫通部22bのみならず、実装部22cもベース部20に対して部分的に固定されている。これにより、外力が加わってリード端子22のフォーミング形状が変形してしまうのを防止することができる。例えば、実装部22cの先端部に外力が加わって、リード端子22の曲げ角度が変化すると、実装部22bの水平性が確保できなくなり、実装安定性が害されるだけでなく、投光方向にもずれが生じるおそれがある。そこで、本実施例のように、リード端子22の貫通部22bと実装部22cの連結部である屈曲部および実装部22cの上面の一部を絶縁材21で覆い、実装部22cベース部20に対して固定することにより、リード端子22に外力が加わった場合でも、容易に変形しない構造としている。尚、実装部22cの上面を覆う絶縁材21は、実装部22cの伸張方向における両端部の間で終端していることが好ましい。これは、上記したように、実装部22cのたわみを利用して実装基板との接合を確保する場合があるからである。
一対のリード端子22のフィレット形成部22dの各々は、実装部22cの端部において実装部22c伸張方向から上方に向けて曲げ加工することにより形成される。すなわち、フィレット形成部22dは、実装基板に対して略垂直方向上方に向けて伸張している。リード端子22の板厚のみでフィレットを形成する場合に比べ実装部22cの端部に良好なフィレット形状を形成することができる。このため、実装部22cの端部においてフィレット形成部22dを設けることにより、半田がこのフィレット形成部22dに沿って這い上がり、良好なフィレット形状が形成され、実装基板との接合強度および実装安定性を確保することが可能となる。尚、フィレット形成部22dの高さ寸法を約0.4mm程度とすることにより、良好なフィレット形状を形成することができる。
一方、ベース部20の素子搭載面200上には、ベース部20の外縁に沿ったリング状の光反射枠40が設けられている。このリング状の光反射枠40の内壁面は光反射面を構成しており、ベース部20の素子搭載面200上に搭載されたLEDチップ10およびリード端子22の結線部22aは、光反射枠40の内部に収容される。光反射枠40は、例えば、アルミナ(Al2O3)等のファインセラミックスからなり、シリコン樹脂系接着剤によってベース部20の素子搭載面200に接着される。アルミナ自体は、白色であり光反射性を有するため、光反射枠40内で照射され、拡散、散乱した光は光反射枠40の内壁面で反射される。これにより、LEDチップ10から出射された光が外部に向けて広範囲に発散するのを防止して投光方向前方に向かう光の光量を増大させるようにしている。また、アルミナは耐熱性、化学的安定性に優れるため、金属と比較して経年劣化の少ない材料であり、長期間に亘って使用してもその反射率は殆ど変化しない。従って、反射枠40の構成材料としてアルミナを使用することにより実質的な発光輝度の経年劣化を抑制することが可能となり、高信頼性を有する半導体発光装置を構成することができる。尚、高信頼性が要求されない用途に使用される場合には、反射枠40をめっき処理が施された金属によって構成することとしてもよい。
リング状の光反射枠40内部には、シリコン樹脂等からなる光透過性樹脂50が充填される。これにより、光反射枠40内のLEDチップ10、ボンディングワイヤー等は、機密性が保たれた状態で光透過性樹脂50内部に埋め込まれ、これらの構成部分は、塵埃、水分および振動等から保護される。光透過性樹脂50の上面は、平面となっておりレンズ形状を有していないため、素子搭載面全体から光を取り出せるようなっている。これにより、素子搭載面全域に亘って均一な発光を得ることができるので、照明や表示装置等に好適である。尚、光透過性樹脂50には、その用途や発光色に応じて適宜蛍光体を添加することとしてもよい。
以上の説明から明らかなように、本実施例の半導体発光装置によれば、LEDチップ10をベース部20の中央に設けられた***部20a上に搭載することにより、LEDチップ10を光反射面を構成するベース部20表面および結線部22a上面よりも投光方向前方に配置しているので、光の取り出し効率を向上させることができる。また、LEDチップ10を搭載するベース部20の表面にめっき処理を行ってこれを光反射面として利用するだけでなく、めっき処理がなされたリード端子の結線部22aの面積を拡張して、これを光反射面として利用しているので、素子搭載面における光反射面の占有面積が拡大され、LEDチップ10から出射される光を効率よく取り出すことが可能となり実質的な発光輝度を向上させることができる。また、ベース部20上面の外縁に沿ってLEDチップ10および結線部22aを囲むようにリング状の光反射面を有する光反射枠40を設けたことにより、光の外部への発散が抑制され、投光方向に向かう光の光量を増大させることが可能となる。光反射枠40を変質しにくいアルミナ等のセラミックスで構成することにより長期間の使用によって発光輝度が低下してしまうといった問題も生じにくい。また、リード端子22は、ベース部20に設けられた貫通孔の内部においてリード材と線膨張係数がほぼ等しい絶縁材としての硬質ガラスによって固定されるので、実装時におけるリフロー処理等によって絶縁材にクラックが生じるのを防止することができ、高い信頼性を有する半導体発光装置を構成することができる。
尚、上記実施例では、単一のLEDチップを搭載した半導体発光装置の構成を示したが、搭載されるLEDチップは2つ又は3つ以上であってもよい。図3(a)には、LEDチップ10を2つ搭載した半導体発光装置の構成が示されている。LEDチップを2つ搭載する場合には、同図に示すように、LEDチップ10aおよび10bはベース部20の素子搭載面中央部に並置された2つの***部20aの上面にそれぞれ搭載される。各LEDチップと一対のリード端子の結線部22aの各々はボンディングワイヤー30によって結線される。各リード端子に接続されるワイヤー本数が増加しても、結線部22aは十分広い面積を有しているので問題はない。
図3(b)に実装面側から眺めた平面図を示す。同図に示すように実装面側の構造は、単一のLEDチップを搭載する場合と同一である。ベース部20の実装面側表面中央に形成されている突出部20bは上記の如く長手形状を有しており、2つのLEDチップ10aおよび10bの直下には、突出部20bが延在する構造となっているので、LEDチップを2つ有する構成であっても各LEDチップが発する熱を実装基板に効率よく放熱することが可能である。
10 LEDチップ
20 ベース部
20a ***部
20b 突出部
21 絶縁材
22 リード端子
22a 結線部
22b 貫通部
22c 実装部
22d フィレット形成部
30 ボンディングワイヤー
20 ベース部
20a ***部
20b 突出部
21 絶縁材
22 リード端子
22a 結線部
22b 貫通部
22c 実装部
22d フィレット形成部
30 ボンディングワイヤー
Claims (8)
- 半導体発光素子が搭載されている側の搭載面と、前記搭載面と対向し実装基板に接合するための実装面とを有するベース部と、
前記半導体発光素子と電気的に接続された一対のリード端子と、を有する半導体発光装置であって、
前記一対のリード端子の各々は、前記搭載面上の前記半導体発光素子を挟む両側に延在し且つ前記半導体発光素子とボンディングワイヤーを介して接続された結線部を有し、
前記ベース部は、前記搭載面上に上面が平坦な***部を有し、
前記***部の上面の高さは、前記結線部表面の高さよりも高いことを特徴とする半導体発光装置。 - 前記ベース部は前記半導体発光素子を挟む両側に前記搭載面から前記実装面に達する一対の貫通孔を有し、
前記一対のリード端子の各々は前記貫通孔の内部に充填された硬質ガラスに埋設されて前記ベース部に固定され、
前記一対のリード端子の前記結線部は、前記貫通孔の開口面に延在している前記硬質ガラスの表面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。 - 前記一対のリード端子は、平板状のリード材から構成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光装置。
- 少なくとも前記ベース部の前記搭載面と前記一対のリード端子の前記結線部には、めっき処理が施されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記ベース部の前記搭載面において前記半導体発光素子および前記結線部を囲む内壁面が光反射面を構成するリング状の光反射枠を更に有し、
前記光反射枠の内側において前記半導体発光素子および前記結線部を埋設するように光透過性樹脂が充填されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 - 前記光反射枠の光反射面はセラミックスからなることを特徴とする請求項5に記載の半導体発光装置。
- 前記一対のリード端子の各々は、前記一対の貫通孔の各々の内部を貫通している貫通部と、前記貫通部の前記搭載面側の端部から互いに近接する方向に曲げられて形成された前記結線部と、前記貫通部の前記実装面側の端部から互いに離間する方向に曲げられて形成され、その下面が実装基板との接合面を構成する実装部とを有することを特徴とする請求項2に記載の半導体発光装置。
- 前記一対のリード端子の各々が前記一対の貫通孔の各々の内部を貫通する位置は、前記貫通孔の中心位置よりも前記半導体発光素子からの離間距離が大となる方に変位していることを特徴とする請求項7に記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008207883A JP2010045168A (ja) | 2008-08-12 | 2008-08-12 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008207883A JP2010045168A (ja) | 2008-08-12 | 2008-08-12 | 半導体発光装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2010045168A true JP2010045168A (ja) | 2010-02-25 |
Family
ID=42016323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008207883A Pending JP2010045168A (ja) | 2008-08-12 | 2008-08-12 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010045168A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8946749B2 (en) | 2011-11-21 | 2015-02-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device |
-
2008
- 2008-08-12 JP JP2008207883A patent/JP2010045168A/ja active Pending
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