JP2010033931A - 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、発光装置および表示装置 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、発光装置および表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010033931A JP2010033931A JP2008195965A JP2008195965A JP2010033931A JP 2010033931 A JP2010033931 A JP 2010033931A JP 2008195965 A JP2008195965 A JP 2008195965A JP 2008195965 A JP2008195965 A JP 2008195965A JP 2010033931 A JP2010033931 A JP 2010033931A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- organic
- substrate
- light emitting
- derivatives
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 102
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 13
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 213
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 74
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 63
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 63
- 239000010408 film Substances 0.000 description 56
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 42
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 28
- -1 Polysiloxane Polymers 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 6
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 6
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 6
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 6
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 5
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 5
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 3
- 229920000292 Polyquinoline Polymers 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 3
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 3
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 2
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 239000011365 complex material Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 2
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AHLATJUETSFVIM-UHFFFAOYSA-M rubidium fluoride Chemical compound [F-].[Rb+] AHLATJUETSFVIM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole;zinc Chemical class [Zn].C1=CC=C2SC=NC2=C1 SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylbut-2-enedinitrile Chemical group C=1C=CC=CC=1C(C#N)=C(C#N)C1=CC=CC=C1 VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJWRRBADQOOFSF-UHFFFAOYSA-N C1=CC=C2OC([Zn])=NC2=C1 Chemical class C1=CC=C2OC([Zn])=NC2=C1 AJWRRBADQOOFSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 Chemical class C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical class C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000611 Zinc aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Ca] Chemical compound [AlH3].[Ca] ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N alumane;zinc Chemical compound [AlH3].[Zn] HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000002635 aromatic organic solvent Substances 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N caesium oxide Chemical compound [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- HFXKQSZZZPGLKQ-UHFFFAOYSA-N cyclopentamine Chemical class CNC(C)CC1CCCC1 HFXKQSZZZPGLKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N decacyclene Chemical compound C12=C([C]34)C=CC=C4C=CC=C3C2=C2C(=C34)C=C[CH]C4=CC=CC3=C2C2=C1C1=CC=CC3=CC=CC2=C31 CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N indium lithium Chemical compound [Li].[In] LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 1
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N lithium magnesium Chemical compound [Li].[Mg] GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-1-one Chemical compound C1=CC=C2N=C3C(=O)C=CC=C3OC2=C1 FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N phenoxazone Natural products C1=CC=C2OC3=CC(=O)C=CC3=NC2=C1 UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical class C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M1/00—Inking and printing with a printer's forme
- B41M1/02—Letterpress printing, e.g. book printing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M3/00—Printing processes to produce particular kinds of printed work, e.g. patterns
- B41M3/003—Printing processes to produce particular kinds of printed work, e.g. patterns on optical devices, e.g. lens elements; for the production of optical devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M1/00—Inking and printing with a printer's forme
- B41M1/26—Printing on other surfaces than ordinary paper
- B41M1/30—Printing on other surfaces than ordinary paper on organic plastics, horn or similar materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Printing Methods (AREA)
Abstract
【課題】インキを供給する際に生じる混色を防ぐことができる凸版印刷法を用いる有機EL素子の製造方法、および混色を防ぐことのできる発光装置、並びに前記発光装置を備える表示装置を提供することである。
【解決手段】一対の電極と、該電極間に位置する有機層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記有機エレクトロルミネッセンス素子が形成される基板には、複数の隔壁が略平行に相対して配置され、該隔壁の基板側の面に対向する面には、該隔壁の長手方向に沿って溝部が穿設されており、前記隔壁と前記基板とによって形成される凹部に対応するように、複数の凸部が略平行に相対して配設されてなる凸版印刷版を用いて、前記有機層の材料を含むインキを前記凹部に供給することによって前記有機層を形成する工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【選択図】図1
【解決手段】一対の電極と、該電極間に位置する有機層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記有機エレクトロルミネッセンス素子が形成される基板には、複数の隔壁が略平行に相対して配置され、該隔壁の基板側の面に対向する面には、該隔壁の長手方向に沿って溝部が穿設されており、前記隔壁と前記基板とによって形成される凹部に対応するように、複数の凸部が略平行に相対して配設されてなる凸版印刷版を用いて、前記有機層の材料を含むインキを前記凹部に供給することによって前記有機層を形成する工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【選択図】図1
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、発光装置および表示装置に関する。
有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子という場合がある)は、一対の電極と、該電極間に配置される発光層(有機層)とを含んで構成され、一対の電極からそれぞれ注入されるホールと電子とが発光層において結合することによって発光する。
表示装置に用いられる表示パネルは、基板上において多数の有機EL素子がマトリクス状に配置されている。各有機EL素子は、それぞれが画素の一部として機能する。このような表示パネルには、隔壁が格子状に配置されているのが通常であり、各有機EL素子の有機層は、隔壁によって規定される各画素領域にそれぞれ形成されている。
有機層は、有機層の材料と溶媒とを含むインキを用いる塗布法によって成膜することができ、具体的には、まず各画素領域に前記インキを選択的に供給し、さらにインキの溶媒を乾燥除去することによって成膜される。例えば各画素領域の配置に対応してパターニングされた凸部を備える凸版印刷版を用いる凸版印刷法によって前記インキを各画素領域に選択的に供給し、さらに乾燥させることによって有機層を形成する方法が知られている(例えば特許文献1参照)。
有機層の材料は溶解性が悪いので、インキにおける有機層の材料の割合は通常1重量%程度であり、インキの大部分が溶媒によって構成されている。溶媒はインキを供給した後の乾燥時に除去される成分なので、このようなインキを用いて有機層を成膜する場合、所定の膜厚の有機層を形成するために、有機層の体積に比して多量のインキを隔壁内に供給する必要があり、隔壁内の容量よりも多量のインキを供給しているのが通常である。そうすると、所定の隔壁内に供給したインキが隔壁内から溢れ出て、隣接する隔壁内に流出することがある。たとえばカラー表示用の表示パネルでは、RGBの各色を発光する材料をそれぞれ含む3種類のインキを所定の隔壁内に選択的に供給して、各色の発光層を形成している。このように異なる種類のインキをそれぞれ所定の隔壁内に供給する際に、供給されたインキが隣接する隔壁内に流出すると、異なる種類のインキが混ざり合う混色の問題が生じる。
したがって本発明の目的は、インキを供給する際に生じる混色を防ぐことができる凸版印刷法を用いる有機EL素子の製造方法、および混色を防ぐことのできる発光装置、並びに前記発光装置を備える表示装置を提供することである。
本発明は、一対の電極と、該電極間に位置する有機層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子が形成される基板には、複数の隔壁が略平行に相対して配置され、該隔壁の基板側の面に対向する面には、該隔壁の長手方向に沿って溝部が穿設されており、
前記隔壁と前記基板とによって形成される凹部に対応するように、複数の凸部が略平行に相対して配設されてなる凸版印刷版を用いて、前記有機層の材料を含むインキを前記凹部に供給することによって前記有機層を形成する工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
前記有機エレクトロルミネッセンス素子が形成される基板には、複数の隔壁が略平行に相対して配置され、該隔壁の基板側の面に対向する面には、該隔壁の長手方向に沿って溝部が穿設されており、
前記隔壁と前記基板とによって形成される凹部に対応するように、複数の凸部が略平行に相対して配設されてなる凸版印刷版を用いて、前記有機層の材料を含むインキを前記凹部に供給することによって前記有機層を形成する工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
また本発明は、前記溝部が、隔壁を貫通して穿設されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
また本発明は、基板の厚み方向および前記長手方向に垂直な方向の前記溝部の幅が、5μm〜30μmであることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置である。
また本発明は、前記隔壁の高さが0.1μm以上であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
また本発明は、基板と、
該基板上に、略平行に相対して載置される複数の隔壁と、
前記基板上に設けられる一対の電極、および該電極間に位置する有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子とを含み、
前記有機層が、前記隔壁間に形成されて成り、
前記隔壁の基板側の面に対向する面には、該隔壁の長手方向に沿って溝部が穿設されていることを特徴とする発光装置である。
該基板上に、略平行に相対して載置される複数の隔壁と、
前記基板上に設けられる一対の電極、および該電極間に位置する有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子とを含み、
前記有機層が、前記隔壁間に形成されて成り、
前記隔壁の基板側の面に対向する面には、該隔壁の長手方向に沿って溝部が穿設されていることを特徴とする発光装置である。
また本発明は、前記発光装置を備える表示装置である。
本発明によれば、隔壁の基板側の面に対向する面には、隔壁の長手方向に沿って溝部が穿設されている。隔壁間に供給されたインキが隔壁間から溢れ出ることがあったとしても、溢れ出たインキは隔壁に穿設された溝部に流れ込むので、隣接する隔壁間にインキが流出することを防ぐことができ、これによって混色を防ぐことができる。
さらに、溝部を設けることによって混色を避けることができるので、凸版印刷版と基板との位置合わせを従来のように高精度に行う必要がなくなり、効率的にインキを供給することができる。
また本発明によれば、隔壁の基板側の面に対向する面には、該隔壁の長手方向に沿って溝部が穿設されているので、混色を防いで、効率的に凸版印刷法で作製することのできる発光装置を実現することができる。
図1は、本発明の実施の一形態の発光装置に用いられる基板を示す平面図である。図2は、図1の切断面線II−IIから見た基板の断面図である。発光装置は、基板2と、該基板2上に、略平行に相対して配置される複数の隔壁3と、基板2上に設けられる一対の電極、および該電極間に位置する有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子とを含んで構成される。有機層は、前記隔壁間4に形成されて成り、隔壁3の基板2側の面に対向する面には、隔壁3の長手方向に沿って溝部9が穿設されている。
以下、パッシブマトリクス型の発光装置について説明する。本実施の形態では、略並行に相対して配列される複数の一方の電極(一対の電極のうちの一方)5が基板2に設けられる。以下、一方の電極5の長手方向を行方向Xといい、基板2の厚み方向を厚み方向Zといい、行方向Xおよび厚み方向Zに垂直な方向を配列方向Yという場合がある。本実施の形態における一方の電極5は、それぞれ配列方向Yに等間隔をあけて配列される。
本実施の形態の発光装置には、厚み方向Zの一方側から基板2および一方の電極5を覆う絶縁膜6がさらに設けられる。この絶縁膜6には、各一方の電極5上において、厚み方向Zに貫通する複数の貫通孔7が形成される。各貫通孔7は、各一方の電極5上において行方向Xに所定の間隔をあけて形成されている。
複数の隔壁3は、長手方向を一方の電極5の長手方向(本実施の形態では行方向Y)に一致させて、配列方向Yに所定の間隔をあけて配列され、前記絶縁膜6の表面上に設けられる。具体的には、各隔壁3は、厚み方向Zの一方から見て、隣接する一方の電極5の間隙上に設けられる。なお厚み方向Zの一方から見て、隔壁3は、隣接する一方の電極5の間隙内に収まるように形成されてもよく、また前記間隙からはみだす領域にまで形成されていてもよい。
各隔壁3の基板2側の面に対向する面には、隔壁3の長手方向(本実施の形態では行方向Y)に沿って溝部8が穿設されている。この溝部8は、隔壁3を貫通して穿設されていることが好ましい。本実施の形態では隔壁3を厚み方向Zに貫通する溝部8が、隔壁3の長手方向に沿って形成されている。
有機層は隔壁間4に形成される。なお後述するように基板2に形成される有機EL素子は、一対の電極間に1または複数層の有機層を備えており、該有機層として少なくとも一層の発光層を有している。また、一対の電極間に発光層とは異なる有機層を備える場合もあり、また無機層を備える場合もある。
発光装置は、長手方向を配列方向Yに一致させて形成される複数の他方の電極を有する。すなわち他方の電極は、厚み方向Zの一方からみて一方の電極5に直交して設けられる。この他方の電極は、厚み方向Zの一方から見て貫通孔7と重なるように、行方向Xに所定の間隔をあけて配置される。
以上説明した発光装置において、厚み方向Zの一方から見て一方の電極5と他方の電極とが交差する部分がそれぞれ1つの有機EL素子として機能する。
[有機EL素子の構成]
以下、発光装置に設けられる各有機EL素子の構成について説明する。
以下、発光装置に設けられる各有機EL素子の構成について説明する。
有機EL素子は、一対の電極(陽極および陰極)と、該電極間に設けられる発光層とを含んで構成される。また、陽極と陰極との間には、発光層とは異なる複数の有機層または無機層が設けられていてもよく、複数層の発光層が設けられてもよい。
陰極と発光層との間に設けられる層としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層などを挙げることができる。陰極と発光層との間に電子注入層と電子輸送層との両方の層が設けられる場合、陰極に近い層を電子注入層といい、発光層に近い層を電子輸送層という。
電子注入層は、陰極からの電子注入効率を改善する機能を有する層である。電子輸送層は、陰極、電子注入層または陰極により近い電子輸送層からの電子注入を改善する機能を有する層である。正孔ブロック層は、正孔の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお電子注入層、及び/又は電子輸送層が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が正孔ブロック層を兼ねることがある。
陽極と発光層との間に設けられる層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層などを挙げることができる。正孔注入層と正孔輸送層との両方の層が設けられる場合、陽極に近い層を正孔注入層といい、発光層に近い層を正孔輸送層という。
正孔注入層は、陽極からの正孔注入効率を改善する機能を有する層である。正孔輸送層は、陽極、正孔注入層または陽極により近い正孔輸送層からの正孔注入を改善する機能を有する層である。電子ブロック層は、電子の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお正孔注入層、及び/又は正孔輸送層が電子の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が電子ブロック層を兼ねることがある。
なお、電子注入層および正孔注入層を総称して電荷注入層と言う場合があり、電子輸送層および正孔輸送層を総称して電荷輸送層と言う場合がある。
以下のa)〜p)に、有機EL素子の具体的な構成を例示する。
a)陽極/発光層/陰極
b)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
c)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
e)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/陰極
f)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
d)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
e)陽極/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
f)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
g)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
h)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
i)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
j)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
k)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
l)陽極/発光層/電子注入層/陰極
m)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
n)陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(ここで、記号「/」は、記号「/」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。)
(基板)
基板は、有機EL素子を形成する工程において変形しないものが好ましく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板、およびこれらを積層した積層体などが用いられる。また低透水化処理を施したプラスチック、高分子フィルムを基板に用いてもよい。
a)陽極/発光層/陰極
b)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
c)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
e)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/陰極
f)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
d)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
e)陽極/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
f)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
g)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
h)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
i)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
j)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
k)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
l)陽極/発光層/電子注入層/陰極
m)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
n)陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(ここで、記号「/」は、記号「/」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。)
(基板)
基板は、有機EL素子を形成する工程において変形しないものが好ましく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板、およびこれらを積層した積層体などが用いられる。また低透水化処理を施したプラスチック、高分子フィルムを基板に用いてもよい。
各有機EL素子は、基板を基準として基板側に陽極を配置し、基板とは離間する側に陰極を配置した構成であってもよく、また基板側に陰極を配置し、基板とは離間する側に陽極を配置した構成であってもよい。すなわち本実施の形態において、一方の電極を陽極とし、他方の電極を陰極とする有機EL素子を構成してもよく、また一方の電極を陰極とし、他方の電極を陽極とする有機EL素子を構成してもよい。
また各有機EL素子は、基板側から光を取り出すボトムエミッション型の素子構成、または基板とは反対側から光を取り出すトップエミッション型の素子構成をとりうる。ボトムエミッション型の有機EL素子では、発光層から一方の電極までの各層が透明の層によって構成され、トップエミッション型の有機EL素子では、発光層から他方の電極までの各層が透明の層によって構成される。
(陽極)
陽極には、透明電極を用いる場合、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物や金属の薄膜を用いることができ、透過率が高いものが好適に用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:略称IZO)、金、白金、銀、および銅等の薄膜が用いられ、電極間に設けられる層の種類により適宜選択して用いられる。これらのなかでも、陽極としてはITO、IZO、酸化スズが好ましい。
陽極には、透明電極を用いる場合、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物や金属の薄膜を用いることができ、透過率が高いものが好適に用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:略称IZO)、金、白金、銀、および銅等の薄膜が用いられ、電極間に設けられる層の種類により適宜選択して用いられる。これらのなかでも、陽極としてはITO、IZO、酸化スズが好ましい。
また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。また、前記有機の透明導電膜に用いられる材料、金属酸化物、金属硫化物、金属、およびカーボンナノチューブなどの炭素材料からなる群から選ばれる少なくとも一種類以上を含む混合物からなる薄膜を陽極に用いてもよい。
さらに、例えば陰極側から光を取り出す構造の有機EL素子では、光を反射させる材料を用いて陽極を形成してもよく、かかる材料としては、仕事関数が3.0eV以上の金属、金属酸化物、金属硫化物が好ましい。
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して適宜選択することができ、例えば5nm〜10μmであり、好ましくは10nm〜1μmであり、さらに好ましくは20nm〜500nmである。
(正孔注入層)
正孔注入層を構成する材料としては、公知の材料を適宜用いることができ、特に制限はない。該材料として例えば、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、酸化バナジウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。
正孔注入層を構成する材料としては、公知の材料を適宜用いることができ、特に制限はない。該材料として例えば、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、酸化バナジウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。
正孔注入層の厚は、目的とする有機EL素子の設計に応じて適宜設定され、5〜300nm程度であることが好ましい。この厚みが5nm未満では、製造が困難になる傾向があり、他方、300nmを超えると、駆動電圧、および正孔注入層に印加される電圧が大きくなる傾向となる。
(正孔輸送層)
正孔輸送層を構成する材料としては、特に制限はないが、例えば、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)4,4’−ジアミノビフェニル(TPD)、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(NPB)等の芳香族アミン誘導体、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリアリールアミンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、またはポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体などが挙げられる。
正孔輸送層を構成する材料としては、特に制限はないが、例えば、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)4,4’−ジアミノビフェニル(TPD)、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(NPB)等の芳香族アミン誘導体、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリアリールアミンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、またはポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体などが挙げられる。
これらの中でも、正孔輸送層の形成に用いる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリアリールアミンもしくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、またはポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体がさらに好ましい。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
正孔輸送層の厚みは、特に制限されないが、目的とする有機EL素子の設計に応じて適宜設定され、1〜1000nm程度であることが好ましい。この厚みが前記下限値未満となると、製造が困難になる、または正孔輸送の効果が十分に得られないなどの傾向があり、他方、前記上限値を超えると、駆動電圧および正孔輸送層に印加される電圧が大きくなる傾向がある。したがって正孔輸送層の厚みは、上述のように、1〜1000nm程度であり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。
(発光層)
発光層は、通常、主として蛍光、及び/又は燐光を発光する有機物(低分子化合物および高分子化合物)を含み、さらにドーパント材料を含んでいてもよい。発光層を構成する発光材料としては、例えば、以下の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、およびドーパント材料などが挙げられる。
発光層は、通常、主として蛍光、及び/又は燐光を発光する有機物(低分子化合物および高分子化合物)を含み、さらにドーパント材料を含んでいてもよい。発光層を構成する発光材料としては、例えば、以下の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、およびドーパント材料などが挙げられる。
上記色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマーなどが挙げられる。
上記金属錯体系材料としては、例えば、イリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体など、中心金属に、Al、Zn、BeなどまたはTb、Eu、Dyなどの希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを有する金属錯体などを挙げることができる。
上記高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素体や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどが挙げられる。
上記発光層形成材料のうち青色に発光する材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、およびそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体やポリフルオレン誘導体などが好ましい。
また、上記発光層形成材料のうち緑色に発光する材料としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。
また、上記発光層形成材料のうち赤色に発光する材料としては、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。
上記発光層中に発光効率の向上や発光波長を変化させるなどの目的で、ドーパントを添加することができる。このようなドーパントとしては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。
発光層の厚さは、通常、2nm〜200nmである。
(電子輸送層)
電子輸送層を構成する材料としては、公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が挙げられる。
電子輸送層を構成する材料としては、公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が挙げられる。
これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
(電子注入層)
電子注入層を構成する材料としては、アルカリ金属やアルカリ土類金属、あるいは前記金属を一種類以上含む合金、あるいは前記金属の酸化物、ハロゲン化物および炭酸化物、あるいは前記物質の混合物などが挙げられ、発光層の種類に応じて適宜選択される。
電子注入層を構成する材料としては、アルカリ金属やアルカリ土類金属、あるいは前記金属を一種類以上含む合金、あるいは前記金属の酸化物、ハロゲン化物および炭酸化物、あるいは前記物質の混合物などが挙げられ、発光層の種類に応じて適宜選択される。
前記アルカリ金属またはその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウム等が挙げられる。
前記アルカリ土類金属またはその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどが挙げられる。
また金属、金属酸化物、金属塩をドーピングした有機金属化合物、および有機金属錯体化合物、またはこれらの混合物を電子注入層の材料として用いることもできる。
電子注入層は、2層以上を積層した積層構造を有していてもよく、具体的には、Li/Caなどの層構成が挙げられる。電子注入層の膜厚としては、1nm〜1μm程度が好ましい。
(陰極)
陰極の材料としては、仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易であり、電気伝導度が高い材料が好ましい。また陽極側から光を取り出す構造の有機EL素子の場合には、可視光反射率の高い材料を陰極に用いることが好ましい。かかる陰極材料としては、具体的には、金属、金属酸化物、合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物、酸化亜鉛(ZnO)等の無機半導体などを挙げることができる。
陰極の材料としては、仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易であり、電気伝導度が高い材料が好ましい。また陽極側から光を取り出す構造の有機EL素子の場合には、可視光反射率の高い材料を陰極に用いることが好ましい。かかる陰極材料としては、具体的には、金属、金属酸化物、合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物、酸化亜鉛(ZnO)等の無機半導体などを挙げることができる。
上記金属としては、アルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属やIIIb属金属等を用いることができる。これら金属の具体的例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等を挙げることができる。
また、合金としては、上記金属の少なくとも一種を含む合金を挙げることができ、具体的には、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等を挙げることができる。
陰極側から光を取り出す構成の有機EL素子の場合、透明電極が陰極に用いられ、透明な陰極の材料としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、IZOなどの導電性酸化物、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの導電性有機物などを挙げることができる。
なお、陰極を2層以上の積層構造としてもよい。また電子注入層が陰極として用いられる場合もある。
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができ、例えば、10nm〜10μmであり、好ましくは、20nm〜1μmであり、さらに好ましくは、50nm〜500nmである。
(上部封止膜)
発光層などの発光材料は酸化しやすく、水と接触することにより劣化しやすいので、発光装置は、有機EL素子を保護する上部封止膜をさらに備えることが好ましい。この上部封止膜は、各有機EL素子を基板2の厚み方向の一方から覆って形成される。上部封止膜は、ガスおよび液体に対するバリア性の高い材料によって構成され、通常、無機層と有機層とが交互に積層されて構成される。
発光層などの発光材料は酸化しやすく、水と接触することにより劣化しやすいので、発光装置は、有機EL素子を保護する上部封止膜をさらに備えることが好ましい。この上部封止膜は、各有機EL素子を基板2の厚み方向の一方から覆って形成される。上部封止膜は、ガスおよび液体に対するバリア性の高い材料によって構成され、通常、無機層と有機層とが交互に積層されて構成される。
なお、基板および上部封止膜により有機EL素子が封止されていても、プラスチック基板はガラス基板に比べるとガスおよび液体の透過性が高いので、基板としてプラスチック基板を用いる場合には、有機EL素子の封止性を高めるために、ガスおよび液体に対するバリア性の高い下部封止膜をプラスチック基板上に積層し、その後、この下部封止膜上に有機EL素子を積層してもよい。この下部封止膜は、通常、上部封止膜と同様の構成、同様の材料にて形成される。
[有機EL素子の製造方法]
以下、有機EL素子の製造方法について詳しく説明する。
以下、有機EL素子の製造方法について詳しく説明する。
(陽極形成工程)
前述のいずれかの基板材料からなる基板を準備する。ガスおよび液体の透過性が高いプラスチック基板を用いる場合は、必要に応じて、基板上に下部封止膜を形成しておく。
前述のいずれかの基板材料からなる基板を準備する。ガスおよび液体の透過性が高いプラスチック基板を用いる場合は、必要に応じて、基板上に下部封止膜を形成しておく。
次に、準備した基板上に前述のいずれかの陽極材料を用いて、陽極をパターン形成する。透明な陽極を形成する場合には、前述のようにITO、IZO、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、亜鉛アルミニウム複合酸化物等の透明電極材料を使用する。例えばスパッタリング法により均一な膜厚のITO薄膜を基板上に堆積し、さらにフォトリソグラフィーによりITO薄膜をストライプ状にパターニングすることによって、一方の電極5に相当する陽極を形成する。
(絶縁膜形成工程)
絶縁膜6は必要に応じて設けられる。絶縁膜6は例えば感光性樹脂などの有機物によって構成される。まず陽極が形成された基板上にフォトレジストを塗布することによってフォトレジスト層を成膜し、さらにマスクを介して所定の領域を露光し、次に現像することにより複数の貫通孔7が形成される。これによって絶縁膜6が形成される。
絶縁膜6は必要に応じて設けられる。絶縁膜6は例えば感光性樹脂などの有機物によって構成される。まず陽極が形成された基板上にフォトレジストを塗布することによってフォトレジスト層を成膜し、さらにマスクを介して所定の領域を露光し、次に現像することにより複数の貫通孔7が形成される。これによって絶縁膜6が形成される。
フォトレジストとしては、具体的にはポリイミド系、アクリル樹脂系、ノボラック樹脂系の各感光性樹脂を適宜用いることができる。これらのなかでも耐久性の高いポリイミド系の樹脂が好適に用いられる。フォトレジストの塗布は、スピンコーター、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、グラビアコーター、スリットコーター等を用いたコーティング法によって行うことができる。
なお絶縁膜6はSiO2、SiN等の無機物によって構成されてもよい。例えばまずプラズマCVD法やスパッタ法等の公知の方法によって0.1〜0.2μm厚の無機絶縁材料から成る薄膜を基板上に形成し、さらにフォトグラフィーによって所定の位置に貫通孔7を形成する。これによって無機物から成る絶縁膜6が形成される。
(隔壁形成工程)
隔壁3は、有機物、または無機物によって構成され、フォトリソグラフィーによって容易に形成できることから、感光性樹脂によって構成されることが好ましい。まず絶縁膜6が形成された基板上に、フォトレジストを塗布することによってフォトレジスト層を成膜する。さらにマスクを介して所定の領域を露光し、さらに現像することによって、複数の隔壁3を形成する。この際、溝部8が形成される領域を同時に除去することによって、溝部8も同一の工程にて形成することができる。なお絶縁膜6を設けない場合には、隔壁間4において陽極4が露出することになる。
隔壁3は、有機物、または無機物によって構成され、フォトリソグラフィーによって容易に形成できることから、感光性樹脂によって構成されることが好ましい。まず絶縁膜6が形成された基板上に、フォトレジストを塗布することによってフォトレジスト層を成膜する。さらにマスクを介して所定の領域を露光し、さらに現像することによって、複数の隔壁3を形成する。この際、溝部8が形成される領域を同時に除去することによって、溝部8も同一の工程にて形成することができる。なお絶縁膜6を設けない場合には、隔壁間4において陽極4が露出することになる。
フォトレジストとしては、具体的にはポリイミド系、アクリル樹脂系、ノボラック樹脂系の各感光性樹脂を適宜用いることができる。これらのなかでも耐久性の高いポリイミド系の樹脂が好適に用いられる。フォトレジストの塗布は、スピンコーター、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、グラビアコーター、スリットコーター等を用いたコーティング法によって行うことができる。なお有機EL素子の表示品位を上げるために、光遮光性を示す材料をフォトレジストに含有させてもよい。
隔壁3の主たる役割は、隔壁3で仕切られた隣接する画素間の絶縁を図るとともに、隔壁3で仕切られた隣接する画素間の混色を防止する点にある。他方、絶縁膜6の主たる役割は、隔壁3の長手方向(行方向X)に沿って配置される画素間の絶縁を図る点にあり、絶縁膜6には、隔壁3で仕切られた隣接する画素間の混色を防止する機能を有さない。したがって絶縁膜6の厚み方向Zの高さは、隔壁3の厚み方向Zの高さほど高くする必要がなく、電気絶縁を確保できる程度に設定される。また隔壁3の厚み方向Zの高さは、後述するインキを塗布する際に、塗布されたインキが隔壁を越えて溢れ出ない程度に設定される。かかる基準から隔壁3の厚み方向Zの高さは0.1μm以上に設定することが好ましく、2〜3μmに設定することがさらに好ましい。また、絶縁膜6の厚み方向Zの高さは0.1〜0.2μmに設定することが好ましい。
また隔壁3の行方向Xの幅L1は、通常5μm〜50μmであり、好ましくは10μm〜30μmである。また溝部8の行方向Xの幅L2は、後述するインキを供給する過程において、溝部8に流入するインキを収容可能な値に設定され、通常1μm〜30μmであり、好ましくは5μm〜30μmであり、さらに好ましくは5μm〜20μmである。
隔壁3の表面は、供給されるインキに対して撥液性を示す方が好ましく、一方の電極(陽極)よりも撥液性を示す方が好ましい。なお、以下の説明では、陽極5を基準にして、インキに対して陽極5と同程度の親液性を示す場合には親液性を示すと記載し、陽極5よりも撥液性を示す場合には撥液性を示すと記載する。例えば隔壁3の表面が親液性を示す場合、隔壁間4に供給されたインキが隔壁3の基板側の面に対向する面(以下、上面という場合がある)に塗れ広がり、隣接する隔壁間4に流れ込みやすくなるが、隔壁3の表面が撥液性を示す場合には、隔壁3の上面でインキがはじかれるので、隔壁間4に供給されるインキが隣接する隔壁間4に流れ込むことを防ぐことができる。
隔壁3の表面に撥液性を付与する方法の1つにプラズマ処理などの表面処理が挙げられ、例えば隔壁表面の有機材料の官能基をフッ素で置換することにより表面を改質する方法を挙げることができる。具体的には、真空プラズマ装置を用いてCF4ガスをプラズマ化し、隔壁表面をプラズマ処理することによって、隔壁表面に撥液性を付与することができる。なおCF4ガスを用いたプラズマ処理では、有機物を含む部材に撥液性が付与されるので、無機物から成る陽極5は、プラズマ処理をしても撥液性を示さない。したがって、電極上には容易にインキが塗布される。このように隔壁3に撥液性を付与する処理を行うことによって、隔壁3内に供給されたインキが溢れ出して隣接する隔壁間に流入することを防ぐことができる。
CF4ガスを用いたプラズマ処理を行うと、有機物からなる部材に撥液性が付与され、無機物からなる部材には撥液性が付与されないので、絶縁膜6が無機物から成る場合、絶縁膜6は親液性を示し、絶縁膜6が有機物から成る場合、撥液性を示す。このようにCF4ガスを用いたプラズマ処理は、有機物からなる部材のみに選択的に撥液性を付与することができるので好ましい。
前述したように絶縁膜6をポリイミドなどによって形成した場合、隔壁3と絶縁膜6との両方が撥液性を示す。例えばアクティブマトリクス型の発光装置の場合、絶縁膜6上に配線などの構造物が形成される。この構造物は、厚み方向Zの高さが通常0.1μm〜2μmである。絶縁膜6上に構造物が設けられ、かつ絶縁膜6が親液性を示す場合、隔壁間4にインキを供給すると、構造物にインキが引っ張られた状態で乾燥するので、貫通孔7の周縁部の膜厚が中央部に比べて厚い有機層が形成される傾向にあるが、撥液性を示す絶縁膜6を形成することによって、絶縁膜6上に構造物が設けられたとしても絶縁膜6にインキがはじかれるので、構造物に関係なく均一な膜厚の有機層を形成することができる。
なお、隔壁3の表面に撥液性を付与するために、隔壁を形成する際に用いる感光性材料に撥液性物質を加えてもよく、隔壁3を形成した後に、その表面に撥液性成分を含む塗布液を塗布してもよく、また撥液性成分を気化させて隔壁表面に堆積させてもよい。隔壁3の表面は、有機EL素子の各層を形成する際に用いられる全てのインキに対して撥液性を示すことが好ましい。
前記感光性材料に添加する撥液性物質には、例えばシリコーン系化合物またはフッ素含有化合物が用いられる。これらの撥液性物質は、後述の発光層、および正孔輸送層などの材料を含むインキに対して撥液性を示すので、好適に用いることができる。
(正孔注入層および正孔輸送層の形成工程)
隔壁形成後、必要に応じて、前述の正孔注入層および正孔輸送層などを形成する。正孔注入層および正孔輸送層の成膜方法としては、特に制限はないが、低分子材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜方法が例示され、高分子材料では、溶液からの成膜方法が例示される。すなわち正孔注入層または正孔輸送層の材料を含むインキを塗布法で塗布し、さらに乾燥させることによって正孔注入層または正孔輸送層が形成される。
隔壁形成後、必要に応じて、前述の正孔注入層および正孔輸送層などを形成する。正孔注入層および正孔輸送層の成膜方法としては、特に制限はないが、低分子材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜方法が例示され、高分子材料では、溶液からの成膜方法が例示される。すなわち正孔注入層または正孔輸送層の材料を含むインキを塗布法で塗布し、さらに乾燥させることによって正孔注入層または正孔輸送層が形成される。
上記混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。かかる高分子バインダーとしては、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。
溶液からの成膜に用いるインキの溶媒としては、前述の正孔注入層または正孔輸送層の材料を溶解または分散可能なものであれば特に制限はない。かかる溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、水などが例示される。
溶液からの成膜方法としては、凸版印刷法を用いることが好ましく、中でもフレキソ印刷法が好適である。図3は、溶液から正孔注入層または正孔輸送層を成膜する工程を模式的に示す図である。凸版印刷版20は、隔壁3と基板2とにより形成される凹部9の配置に対応するように配置された複数の凸部21を有する。したがって複数の凸部21は、略平行に相対して配設されている。凸版印印刷版20は、版胴と、該版胴の表面に巻き付けて固定される印刷版とを含んで構成され、軸芯が水平方向に一致するように配置される。印刷版12は、例えばフレキソ版であり、感光性材料(例えば、紫外線硬化樹脂)等の柔軟な材料で構成される。また凸版印刷版20は、複数の凸部21がそれぞれ周方向に延びて設けられる。
まず隔壁3の長手方向が塗布方向に一致するように基板2を配置し、さらに正孔注入層または正孔輸送層の材料を含むインキを凸版印刷版20の凸部21に付着させる。次に、凸版印刷版20を回転させつつ、凸版印刷版20を基板2に押し当てながら、基板2を印刷方向とは逆向きに搬送することによって、凸部21に付着したインキを凹部9に供給する。凹部9に供給されたインキを乾燥させ、溶媒を除去することにより正孔注入層または正孔輸送層を形成することができる。なお正孔注入層または正孔輸送層が有機層である場合、凸版印刷版20を用いた以上の工程が有機層形成工程に対応する。
インキにおける正孔注入層または正孔輸送層の材料の割合は、通常0.1重量%〜10重量%であり、好ましくは1重量%〜5重量%である。
なお、複数本の凸部21が、それぞれ凸版印刷版の軸線方向に延びて形成され、周方向に互いに所定の間隔をあけて設けられた凸版印刷版を用いて、正孔注入層および正孔輸送層を形成してもよい。
(発光層形成工程)
次に発光層を形成する。なお正孔注入層および正孔輸送層が設けられない場合には、発光層が陽極に接して形成される。発光層は、前述と同様の凸版印刷版を用いて、発光層の材料を含むインキを凹部9に供給することによって形成される。溶液からの成膜に用いる溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等の単独またはこれらの混合溶剤が挙げられる。これらの中でも、発光材料を良好に溶解することができるので、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族有機溶剤が好ましい。インキの供給は、図3に示す前述と同様の方法によって行うことができる。インキにおける発光層の材料の割合は、通常0.1重量%〜10重量%であり、好ましくは1重量%〜5重量%である。発光層は、有機物を含む有機層であり、この発光層を形成する工程が有機層形成工程に相当する。
次に発光層を形成する。なお正孔注入層および正孔輸送層が設けられない場合には、発光層が陽極に接して形成される。発光層は、前述と同様の凸版印刷版を用いて、発光層の材料を含むインキを凹部9に供給することによって形成される。溶液からの成膜に用いる溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等の単独またはこれらの混合溶剤が挙げられる。これらの中でも、発光材料を良好に溶解することができるので、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族有機溶剤が好ましい。インキの供給は、図3に示す前述と同様の方法によって行うことができる。インキにおける発光層の材料の割合は、通常0.1重量%〜10重量%であり、好ましくは1重量%〜5重量%である。発光層は、有機物を含む有機層であり、この発光層を形成する工程が有機層形成工程に相当する。
カラー表示用の発光装置では、赤色、緑色、青色の光をそれぞれ発光する発光層(R発光層、G発光層、B発光層)をそれぞれ行方向Xに順に設ける必要がある。具体的は行方向XにR発光層、G発光層、B発光層の順で配列される3列の発光層を繰り返し単位として、該繰り返し単位が行方向Xに順次繰り返されて配列される。例えば赤色、緑色、青色の光をそれぞれ発光する発光材料を含む3種類のインキ(以下、Rインキ、Gインキ、Bインキという場合がある)を塗り分けて塗布する場合には、例えばまずRインキを2列の間隔をあけて塗布し、次にGインキを2列の間隔をあけて塗布し、さらにBインキを2列の間隔をあけて塗布する。すなわち隣接する凹部9には、異なる種類のインキが供給される。
なお、有機発光インキには、必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等を添加してもよい。
(電子注入層および電子輸送層形成工程)
上記発光層の形成後、必要に応じて、電子輸送層および電子注入層などを形成する。電子輸送層の場合、特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜方法が例示され、高分子電子輸送材料では、溶液または溶融状態からの成膜方法が例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。溶液から電子輸送層を成膜する方法としては、前述の溶液から正孔輸送層を成膜する方法と同様の成膜法を用いることができる。溶液から成膜する場合には、前述した発光層を形成する方法と同様に、凸版印刷法を用いることが好ましい。
上記発光層の形成後、必要に応じて、電子輸送層および電子注入層などを形成する。電子輸送層の場合、特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜方法が例示され、高分子電子輸送材料では、溶液または溶融状態からの成膜方法が例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。溶液から電子輸送層を成膜する方法としては、前述の溶液から正孔輸送層を成膜する方法と同様の成膜法を用いることができる。溶液から成膜する場合には、前述した発光層を形成する方法と同様に、凸版印刷法を用いることが好ましい。
また、電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法等を用いて形成される。
(陰極形成工程)
陰極は、前述した陰極のいずれかの材料を用い、真空蒸着法、スパッタリング法、CVD法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法、および金属薄膜を圧着するラミネート法などにより形成する。
(陰極形成工程)
陰極は、前述した陰極のいずれかの材料を用い、真空蒸着法、スパッタリング法、CVD法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法、および金属薄膜を圧着するラミネート法などにより形成する。
有機層形成工程では、インキにおける有機層の材料の割合が低く、したがって有機層の体積に比して多量のインキが凹部9に供給されるので、凹部9からインキが溢れ出すおそれがある。しかしながらたとえ凹部9からインキが溢れ出したとしても、溢れ出たインキは、隔壁3に穿設された溝部8に流れ込むので、隣接する凹部9にインキが流れ込むことを防ぐことができる。このように隣接する凹部9からインキの流入を防ぐことができるので、所期の膜厚の有機層を形成することができる。なお、有機層の材料とは、インキを塗布した後に有機層となるものを意味し、インキは、有機層の材料と、この有機層の材料を溶解する溶媒とを含んで構成される。
また隣接する凹部9に異なる種類のインキを供給する場合であっても、隣接する凹部9からのインキの流入を防ぐことができるので、混色の発生を防ぐことができる。溝部8を設けることによって混色を避けることができるので、凸版印刷版20と基板3との位置合わせを従来のように高精度に行う必要がなくなり、効率的にインキを供給することができる。
また隔壁間4の容量よりも多い量のインキが凹部9に供給されたとしても、隔壁3が撥液性を示すので、隔壁間4にインキが保持されるように隔壁3の上面で該インキがはじかれる。これによってインキが隣接する凹部9に流出することを防ぐことができる。
また隔壁3が親液性を示す場合には、凹部9に供給されたインキが隔壁3に引き付けられつつ乾燥するので、隔壁3付近の有機層の膜厚が中央部に比べて厚くなるが、本実施の形態では、凹部9に供給されたインキが、撥液性を示す隔壁3にはじかれつつ乾燥するので、膜厚が均一な有機層を成膜することができる。
また本実施の形態の発光装置は、隔壁3に溝部9が穿設されているので、前述した凸版印刷板20を用いて有機層を形成するのに適した構造を有している。
表示装置は、以上説明した発光装置を備え、この発光装置を駆動する駆動装置をさらに備える。例えば駆動装置が、一方の電極と他方の電極とにそれぞれ選択的に電圧を印加することによって、所定の有機EL素子を選択的に発光させることができ、これによって所定の画像情報を表示させることができる。
なお、以上ではパッシブマトリクス型の発光装置の説明をしたが、例えばTFT基板を用いてアクティブマトリクス型の発光装置を構成してもよく、このようなアクティブマトリクス型の発光装置を用いて表示装置を構成してもよい。
2 基板
3 隔壁
4 隔壁間
5 一方の電極
6 絶縁膜
7 貫通孔
8 溝部
9 凹部
20 凸版印刷版
21 凸部
3 隔壁
4 隔壁間
5 一方の電極
6 絶縁膜
7 貫通孔
8 溝部
9 凹部
20 凸版印刷版
21 凸部
Claims (6)
- 一対の電極と、該電極間に位置する有機層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子が形成される基板には、複数の隔壁が略平行に相対して配置され、該隔壁の基板側の面に対向する面には、該隔壁の長手方向に沿って溝部が穿設されており、
前記隔壁と前記基板とによって形成される凹部に対応するように、複数の凸部が略平行に相対して配設されてなる凸版印刷版を用いて、前記有機層の材料を含むインキを前記凹部に供給することによって前記有機層を形成する工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記溝部が、隔壁を貫通して穿設されていることを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 基板の厚み方向および前記長手方向に垂直な方向の前記溝部の幅が、5μm〜30μmであることを特徴とする請求項1または2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置。
- 前記隔壁の高さが0.1μm以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 基板と、
該基板上に、略平行に相対して載置される複数の隔壁と、
前記基板上に設けられる一対の電極、および該電極間に位置する有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子とを含み、
前記有機層が、前記隔壁間に形成されて成り、
前記隔壁の基板側の面に対向する面には、該隔壁の長手方向に沿って溝部が穿設されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項5に記載の発光装置を備える表示装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008195965A JP2010033931A (ja) | 2008-07-30 | 2008-07-30 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、発光装置および表示装置 |
EP09802884A EP2320712A1 (en) | 2008-07-30 | 2009-07-23 | Method for manufacturing an organic electroluminescence element, light emitting device, and display device |
US13/056,274 US20110121282A1 (en) | 2008-07-30 | 2009-07-23 | Manufacturing method of organic electroluminescence element, light-emitting device, and display device |
CN2009801299183A CN102113412A (zh) | 2008-07-30 | 2009-07-23 | 有机电致发光元件的制造方法、发光装置及显示装置 |
KR1020117002085A KR20110039295A (ko) | 2008-07-30 | 2009-07-23 | 유기 전계 발광 소자의 제조 방법, 발광 장치 및 표시 장치 |
PCT/JP2009/063214 WO2010013641A1 (ja) | 2008-07-30 | 2009-07-23 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、発光装置および表示装置 |
TW098125637A TW201014451A (en) | 2008-07-30 | 2009-07-30 | Method for making an organic electroluminsecent element, light emitting device, and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008195965A JP2010033931A (ja) | 2008-07-30 | 2008-07-30 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、発光装置および表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010033931A true JP2010033931A (ja) | 2010-02-12 |
Family
ID=41610340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008195965A Pending JP2010033931A (ja) | 2008-07-30 | 2008-07-30 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、発光装置および表示装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110121282A1 (ja) |
EP (1) | EP2320712A1 (ja) |
JP (1) | JP2010033931A (ja) |
KR (1) | KR20110039295A (ja) |
CN (1) | CN102113412A (ja) |
TW (1) | TW201014451A (ja) |
WO (1) | WO2010013641A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014020914A1 (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-06 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネルとその製造方法 |
KR20190005953A (ko) * | 2016-06-15 | 2019-01-16 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 표시 장치 및 전자 기기 |
JP2019110115A (ja) * | 2017-12-15 | 2019-07-04 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル、有機el表示装置、および、その製造方法 |
KR102059014B1 (ko) * | 2013-05-28 | 2019-12-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102555403B1 (ko) * | 2015-06-18 | 2023-07-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 다이오드 패널 및 이를 이용한 플렉서블 표시 장치 |
CN107623082B (zh) * | 2017-08-16 | 2019-10-22 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN113471352B (zh) * | 2021-06-30 | 2023-03-10 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN113488571B (zh) * | 2021-06-30 | 2023-07-04 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04336501A (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-24 | Fujitsu Ltd | カラーフィルタとその製造方法 |
JP2001351787A (ja) * | 2000-06-07 | 2001-12-21 | Sharp Corp | 有機led素子とその製造方法および有機ledディスプレイ |
JP2007188090A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Icf Technology Co Ltd | 基板構造及び該基板構造上にパターン層を形成する方法 |
JP2007206701A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Samsung Electronics Co Ltd | 印刷装置ならびにこれを用いたグラビア印刷法および表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100550472C (zh) * | 1998-03-17 | 2009-10-14 | 精工爱普生株式会社 | 薄膜构图的衬底及其表面处理 |
JP4826119B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-11-30 | 凸版印刷株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
-
2008
- 2008-07-30 JP JP2008195965A patent/JP2010033931A/ja active Pending
-
2009
- 2009-07-23 WO PCT/JP2009/063214 patent/WO2010013641A1/ja active Application Filing
- 2009-07-23 KR KR1020117002085A patent/KR20110039295A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-07-23 CN CN2009801299183A patent/CN102113412A/zh active Pending
- 2009-07-23 US US13/056,274 patent/US20110121282A1/en not_active Abandoned
- 2009-07-23 EP EP09802884A patent/EP2320712A1/en not_active Withdrawn
- 2009-07-30 TW TW098125637A patent/TW201014451A/zh unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04336501A (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-24 | Fujitsu Ltd | カラーフィルタとその製造方法 |
JP2001351787A (ja) * | 2000-06-07 | 2001-12-21 | Sharp Corp | 有機led素子とその製造方法および有機ledディスプレイ |
JP2007188090A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Icf Technology Co Ltd | 基板構造及び該基板構造上にパターン層を形成する方法 |
JP2007206701A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Samsung Electronics Co Ltd | 印刷装置ならびにこれを用いたグラビア印刷法および表示装置の製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014020914A1 (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-06 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネルとその製造方法 |
JPWO2014020914A1 (ja) * | 2012-08-02 | 2016-07-21 | 株式会社Joled | 有機el表示パネルとその製造方法 |
US9698347B2 (en) | 2012-08-02 | 2017-07-04 | Joled Inc. | Organic EL display panel and method for manufacturing same |
KR102059014B1 (ko) * | 2013-05-28 | 2019-12-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20190005953A (ko) * | 2016-06-15 | 2019-01-16 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 표시 장치 및 전자 기기 |
KR102248489B1 (ko) | 2016-06-15 | 2021-05-06 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 표시 장치 및 전자 기기 |
JP2019110115A (ja) * | 2017-12-15 | 2019-07-04 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル、有機el表示装置、および、その製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110039295A (ko) | 2011-04-15 |
CN102113412A (zh) | 2011-06-29 |
TW201014451A (en) | 2010-04-01 |
WO2010013641A1 (ja) | 2010-02-04 |
EP2320712A1 (en) | 2011-05-11 |
US20110121282A1 (en) | 2011-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5572942B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP5192828B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子及びその製造方法 | |
JP5314314B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子および照明装置 | |
WO2010013641A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、発光装置および表示装置 | |
JP2007242272A (ja) | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 | |
JP4849175B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
WO2010035643A1 (ja) | パターン塗布用基板および有機el素子 | |
JP4983940B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
US20120309255A1 (en) | Method for manufacturing a light-emitting device | |
WO2011122445A1 (ja) | 発光装置 | |
WO2009122870A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 | |
JP2011175910A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
US20110018433A1 (en) | Method of producing organic electroluminescence element, organic electroluminescence element, and display device | |
JP2010160946A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
JP2010160945A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
JP2009246127A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
JP5184938B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
WO2011065288A1 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
WO2009122973A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 | |
JP2013157171A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2010277879A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110413 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120828 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121218 |