JP2010016181A - ウェーハの分割方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】いわゆる先ダイシングによってウェーハを個々のデバイスに分割する場合において、裏面に研削痕が形成されることに起因して各デバイスの抗折強度が低下するのを防止する。
【解決手段】デバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分離溝をウェーハの表面の分割予定ラインに形成する分離溝形成工程と、分離溝が形成されたウェーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、ウェーハの裏面を研削砥石で研削して表面に形成された分離溝を裏面に表出させてウェーハを個々のデバイスに分離する研削工程とから少なくとも構成され、研削工程において、研削装置のチャックテーブル5に保持されたウェーハWと研削砥石63aとを相対的に水平方向に移動させ、デバイスの割りやすい方向に対してクロスする方向に研削痕が形成されるようにクリープフィードによってウェーハWの裏面W2を研削する仕上げ研削を行うことにより、デバイスの抗折強度を向上させる。
【選択図】図6
【解決手段】デバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分離溝をウェーハの表面の分割予定ラインに形成する分離溝形成工程と、分離溝が形成されたウェーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、ウェーハの裏面を研削砥石で研削して表面に形成された分離溝を裏面に表出させてウェーハを個々のデバイスに分離する研削工程とから少なくとも構成され、研削工程において、研削装置のチャックテーブル5に保持されたウェーハWと研削砥石63aとを相対的に水平方向に移動させ、デバイスの割りやすい方向に対してクロスする方向に研削痕が形成されるようにクリープフィードによってウェーハWの裏面W2を研削する仕上げ研削を行うことにより、デバイスの抗折強度を向上させる。
【選択図】図6
Description
本発明は、ウェーハの表面に形成された分割予定ラインに分離溝を形成し、ウェーハの裏面を研削して裏面から分離溝を表出させることにより個々のデバイスに分割するウェーハの分割方法に関するものである。
IC、LSI等のデバイスが分割予定ラインによって区画されて表面に形成されたウェーハは、ダイシング装置等によって個々のデバイスに分割され、各種電子機器に利用されている。近年は、電子機器の小型化、薄型化等の要求に応えるために、ウェーハから切り出されるデバイスを薄く形成することが求められており、デバイスを薄型化するために、先ダイシングと称される技術が用いられている。
先ダイシングでは、デバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分離溝をウェーハの分割予定ラインに形成した後に、ウェーハの表面に保護部材を貼着した状態で裏面を研削して分離溝を裏面から表出させることによって分離溝を厚さ方向に貫通させ、個々のデバイスに分割している(例えば特許文献1参照)。
しかし、ウェーハの裏面の研削は、ウェーハを回転させると共に、ウェーハの回転中心に常に研削砥石が接触するように回転する研削砥石をあてがい、いわゆるインフィード研削によって分離溝が裏面から表出するまで研削を行うため、ウェーハの裏面全面に中心から外周方向に向けて放射状の研削痕が形成される。そして、その研削痕がデバイスの割れやすい方向に形成されると、そのデバイスの抗折強度が低下し、品質が低下するという問題がある。
そこで、本発明が解決しようとする課題は、いわゆる先ダイシングの技術によってウェーハを個々のデバイスに分割する場合において、裏面に研削痕が形成されることに起因して各デバイスの抗折強度が低下するのを防止することにある。
本発明は、分割予定ラインによって複数のデバイスが区画された表面を有するウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの分割方法に関するもので、デバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分離溝をウェーハの表面の分割予定ラインに形成する分離溝形成工程と、分離溝が形成されたウェーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、ウェーハの裏面を研削砥石で研削して表面に形成された分離溝を裏面に表出させてウェーハを個々のデバイスに分離する研削工程とから少なくとも構成され、研削工程には、研削装置のチャックテーブルに保持されたウェーハと研削砥石とを相対的に水平方向に移動させ、デバイスの割りやすい方向に対してクロスする方向に研削痕が形成されるようにクリープフィードによってウェーハの裏面を研削する仕上げ研削ステップが含まれる。
研削工程においては、仕上げ研削ステップの前に、ウェーハを保持したチャックテーブルが回転し、ウェーハの回転中心に研削砥石が常時接触するように研削砥石を回転させ、インフィード研削によってウェーハの裏面を研削する粗研削ステップが遂行される。
本発明は、研削工程において、チャックテーブルに保持されたウェーハと研削砥石とを相対的に水平方向に移動させ、デバイスの割れやすい方向に対してクロスする方向に研削痕が形成されるようにクリープフィードによってウェーハの裏面を仕上げ研削するため、各デバイスの抗折強度を高め、品質を向上させることができる。したがって、例えばLCDドライバのように細長い形状のデバイスについては、長手方向に研削痕を形成することにより、抗折強度を向上させることができる。
図1に示すウェーハWの表面W1には、分割予定ラインSによって区画されて複数のデバイスDが形成されている。また、ウェーハWの外周には、ウェーハWの結晶方位を識別するための結晶方位識別マークであるオリエンテーションノッチNが形成されている。なお、オリエンテーションノッチNの代わりに直線状のオリエンテーションフラットが結晶方位識別マークとして形成されている場合もある。
図1に示すように、例えばウェーハWを水平方向に移動させると共に高速回転する切削ブレード1をウェーハWの表面W1の分割予定ラインSに切り込ませることにより、分割予定ラインSに、デバイスDの仕上がり厚さに相当する深さの分離溝Gが形成される。分離溝Gは、すべての分割予定ラインSに形成される。分離溝Gは、デバイスDの仕上がり厚さに等しい深さとするか、またはその仕上がり厚さより数μm程度深い深さとする。なお、分離溝Gは、レーザー光の照射によって形成することもできる(分離溝形成工程)。
分割予定ラインSに分離溝Gが形成されたウェーハWの表面W1には、図2に示すように、デバイスDを保護するために、テープ等の保護部材3が貼着される(保護部材貼着工程)。そして、そのウェーハWは、例えば図3に示す研削装置4によって裏面W2が研削される(研削工程)。
図3に示す研削装置4は、研削対象のウェーハを保持するチャックテーブル5と、チャックテーブル5に保持されたウェーハを研削する研削手段6と、研削手段6を研削送りする研削送り手段7とを備えている。
チャックテーブル5は、基台50に回転可能に支持されている。また、ジャバラ51の伸縮を伴って基台50が水平方向に移動することにより、チャックテーブル5も水平移動するように構成されている。
研削手段6は、垂直方向の軸心を有する回転軸60と、回転軸60を回転駆動するモータ61と、回転軸60の下端に形成されたホイールマウント62と、ホイールマウント62に装着された研削ホイール63とから構成される。研削ホイール63は、リング状の基台の下面に研削砥石63aが円弧上に固着された構成となっており、モータ61によって駆動されて回転軸60が回転すると、研削砥石63aも円軌道を描いて回転する。
研削送り手段7は、垂直方向に配設されたボールネジ70と、ボールネジ70に連結されたパルスモータ71と、ボールネジ70と平行に配設された一対のガイドレール72と、図示しない内部のナットがボールネジ70に螺合すると共に側部がガイドレール72に摺接し研削手段6を支持する昇降部73とから構成されており、パルスモータ71に駆動されてボールネジ70が正逆両方向に回動することにより昇降部73がガイドレール72にガイドされて昇降し、研削手段6も昇降する構成となっている。
次に、図2に示したウェーハWの裏面を研削して個々のデバイスDに分割する方法について説明する。図2に示したように、分割予定ラインSに分離溝Gが形成され表面に保護部材3が貼着されたウェーハWは、表裏を反転し、保護部材3側がチャックテーブル5に保持され、ウェーハWの裏面W2が露出した状態となる。
次に、ウェーハWを保持したチャックテーブル5が水平方向に移動することによりウェーハWが研削手段6の下方に位置決めされる。そして、図4に示すように、チャックテーブル5を例えば300[RPM]の回転速度で回転させると共に、研削手段6の回転軸60を例えば6000[RPM]の回転速度で回転させながら、研削送り手段7による制御によって研削手段6を1[μm/s]の送り速度で下降させ、回転する研削砥石63aをウェーハWの裏面W2に接触させて、インフィード研削によって粗研削を行う。このとき、研削砥石63aが常にウェーハWの回転中心に接触しながら回転するようにする。そうすると、裏面W2の全面が研削され、図5に示すように、ウェーハWの裏面W2には、回転中心から外周に向けて放射状に研削痕8が形成される。この粗研削は、図1及び図2に示した分離溝Gが裏面W2から表出するまで行ってもよいし、分離溝Gが表出してはいないがあと0.05[μm]程度研削すれば表出する程度まで行うようにしてもよい(粗研削ステップ)。
次に、図3に示した研削送り手段7が研削砥石63aを仕上げ研削に適した高さに位置付けする。具体的には、チャックテーブル5の表面の高さを基準位置とした場合、保護部材の厚さの値とウェーハWの仕上がり厚さの値とを足した値を求め、基準位置からその求めた値だけ上の位置に研削砥石63aの下面が位置するように、研削送り手段7が研削手段6の高さ方向の位置決めを行う。
一方、ウェーハWについては、チャックテーブル5を適宜回転させることにより、ウェーハWを構成するデバイスDの割れやすい方向(亀裂が入りやすい方向)が、デバイスDとの接触時における研削砥石63aの円弧軌道の接線方向と直交する方向になるように向きを調整する。デバイスDの割れやすい方向は、例えばオリエンテーションノッチNの位置に基づく結晶方位から判断することができる。また、ウェーハWが例えばLCDドライバのように細長い形状のデバイスによって形成されている場合におけるそのデバイスの割れやすい方向は、その細長い形状のデバイスの長手方向と直交する短手方向であるため、その長手方向と研削砥石63aの円弧軌道の接線方向とが一致するようにする。
そして、研削手段6がその高さを維持しながら回転軸60を回転させて研削砥石63aを回転させると共に、チャックテーブル5を回転させずに水平移動させ、回転する研削砥石63aを側方からウェーハWの裏面W2に接触させ、クリープフィードにより裏面W2を研削する。そうすると、図6に示した放射状の研削痕8は除去され、図7に示すように、一方向に平行な研削痕9が形成されると共に、裏面W2から分離溝Gが表出して表裏を貫通し、所望厚さの個々のデバイスDに分割される(仕上げ研削ステップ)。なお、この研削痕9の曲率半径は、研削砥石63aの円軌道の半径である。
以上のように、研削工程では、粗研削ステップの後に仕上げ研削ステップが遂行され、仕上げ研削ステップにおいては、粗研削ステップにおいて形成された研削痕8が除去される。一方、仕上げ研削ステップでは、ウェーハWは、デバイスDの割れやすい方向が、デバイスDとの接触時における研削砥石63aの円弧軌道の接線方向と直交する方向になるように予め向きが調整されているため、仕上げ研削ステップで形成される研削痕9は、デバイスDの割れやすい方向に対してクロスする方向、すなわち割れやすい方向に対してほぼ直角な方向に形成されている。したがって、各デバイスDは割れにくく、抗折強度が低下しないため、品質が低下することがない。特に、先ダイシングによってウェーハを分割する場合には、通常のダイシングによる場合のように各デバイスに裏面チッピングが生じないため、研削痕の形成方向による効果と裏面チッピングが生じない効果との相乗効果によって、より抗折強度が高く高品質なデバイスを製造することができる。
なお、上記の実施例では、粗研削ステップと仕上げ研削ステップとを同じ研削装置を用いて行う場合について説明したが、粗研削用の研削装置と仕上げ研削用の研削装置とを用いてそれぞれの研削ステップを行うようにしてもよい。また、研削ステップでは、粗研削ステップを行わずに、クリープフィードによる仕上げ研削のみを行うようにしてもよい。なお、上記実施例のように研削工程において粗研削ステップと仕上げ研削ステップとを遂行する場合には、粗研削ステップと仕上げ研削ステップとで同じ研削砥石を使用してもよいし、異なる研削砥石を使用してもよい。異なる研削砥石を使用する場合は、粗研削ステップでは、例えば粒径が30μm程の砥粒を有する研削砥石を使用することが好ましく、仕上げ研削ステップでは、例えば粒径が2〜3μm程の研削砥石を使用することが好ましい。
W:ウェーハ
W1:表面 S:分割予定ライン D:デバイス
W2:裏面
G:分離溝 N:オリエンテーションノッチ
1:切削ブレード
3:保護部材
4:研削装置
5:チャックテーブル 50:基台 51:ジャバラ
6:研削手段
60:回転軸 61:モータ 62:ホイールマウント
63:研削ホイール 63a:研削砥石
7:研削送り手段
70:ボールネジ 71:パルスモータ 72:ガイドレール 73:昇降部
8,9:研削痕
W1:表面 S:分割予定ライン D:デバイス
W2:裏面
G:分離溝 N:オリエンテーションノッチ
1:切削ブレード
3:保護部材
4:研削装置
5:チャックテーブル 50:基台 51:ジャバラ
6:研削手段
60:回転軸 61:モータ 62:ホイールマウント
63:研削ホイール 63a:研削砥石
7:研削送り手段
70:ボールネジ 71:パルスモータ 72:ガイドレール 73:昇降部
8,9:研削痕
Claims (2)
- 分割予定ラインによって複数のデバイスが区画された表面を有するウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの分割方法であって
デバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分離溝をウェーハの表面の分割予定ラインに形成する分離溝形成工程と、
該分離溝が形成されたウェーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該ウェーハの裏面を研削砥石で研削して該表面に形成された分離溝を該裏面に表出させて該ウェーハを個々のデバイスに分割する研削工程と
から少なくとも構成され、
該研削工程には、研削装置のチャックテーブルに保持された該ウェーハと該研削砥石とを相対的に水平方向に移動させ、該デバイスの割りやすい方向に対してクロスする方向に研削痕が形成されるようにクリープフィードによって該ウェーハの裏面を研削する仕上げ研削ステップが含まれる
ウェーハの分割方法。 - 前記研削工程において、前記仕上げ研削ステップの前に、前記ウェーハを保持したチャックテーブルが回転し、該ウェーハの回転中心に研削砥石が常時接触するように該研削砥石を回転させ、インフィード研削によって該ウェーハの裏面を研削する粗研削ステップが遂行される
請求項1に記載のウェーハの分割方法。
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---|---|---|---|
JP2008174732A JP2010016181A (ja) | 2008-07-03 | 2008-07-03 | ウェーハの分割方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008174732A JP2010016181A (ja) | 2008-07-03 | 2008-07-03 | ウェーハの分割方法 |
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013212561A (ja) * | 2012-04-03 | 2013-10-17 | Disco Corp | 研削装置 |
JP2015046537A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの分割方法 |
JP2019093518A (ja) * | 2017-11-27 | 2019-06-20 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
KR20200011355A (ko) | 2018-07-24 | 2020-02-03 | 가부시기가이샤 디스코 | 크리프 피드 연삭 방법 |
KR20200067752A (ko) | 2018-12-04 | 2020-06-12 | 가부시기가이샤 디스코 | 크리프 피드 연삭 방법 |
CN112548844A (zh) * | 2019-09-10 | 2021-03-26 | 株式会社迪思科 | 晶片的磨削方法 |
US20220266406A1 (en) * | 2021-02-22 | 2022-08-25 | Disco Corporation | Method of grinding plate-shaped workpiece |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0938852A (ja) * | 1995-07-31 | 1997-02-10 | Sony Corp | ウエハの裏面研削方法 |
JP2005033111A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 結晶方位を有するウエーハの研磨方法 |
JP2005028550A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 結晶方位を有するウエーハの研磨方法 |
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2008
- 2008-07-03 JP JP2008174732A patent/JP2010016181A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0938852A (ja) * | 1995-07-31 | 1997-02-10 | Sony Corp | ウエハの裏面研削方法 |
JP2005033111A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 結晶方位を有するウエーハの研磨方法 |
JP2005028550A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 結晶方位を有するウエーハの研磨方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013212561A (ja) * | 2012-04-03 | 2013-10-17 | Disco Corp | 研削装置 |
JP2015046537A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの分割方法 |
JP2019093518A (ja) * | 2017-11-27 | 2019-06-20 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
KR20200011355A (ko) | 2018-07-24 | 2020-02-03 | 가부시기가이샤 디스코 | 크리프 피드 연삭 방법 |
KR20200067752A (ko) | 2018-12-04 | 2020-06-12 | 가부시기가이샤 디스코 | 크리프 피드 연삭 방법 |
CN112548844A (zh) * | 2019-09-10 | 2021-03-26 | 株式会社迪思科 | 晶片的磨削方法 |
CN112548844B (zh) * | 2019-09-10 | 2024-06-04 | 株式会社迪思科 | 晶片的磨削方法 |
US20220266406A1 (en) * | 2021-02-22 | 2022-08-25 | Disco Corporation | Method of grinding plate-shaped workpiece |
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