JP5841738B2 - ウェーハの研削方法 - Google Patents
ウェーハの研削方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5841738B2 JP5841738B2 JP2011083532A JP2011083532A JP5841738B2 JP 5841738 B2 JP5841738 B2 JP 5841738B2 JP 2011083532 A JP2011083532 A JP 2011083532A JP 2011083532 A JP2011083532 A JP 2011083532A JP 5841738 B2 JP5841738 B2 JP 5841738B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- grinding
- back surface
- resin
- hard substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 24
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 24
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 8
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Description
本発明は、サファイア基板の表面に発光層が積層され少なくとも表面側の外周に面取り部が形成されたウェーハの裏面を研削する方法に関する。
サファイア基板の表面にｎ型半導体層、ｐ型半導体層がエピタキシャル成長により積層され、分割予定ラインによって区画された領域に複数の発光デバイスが形成されて構成されるウェーハは、レーザー加工装置によって分割予定ラインにレーザー光が照射されることにより個々の光デバイスに分割され、照明機器、液晶のバックライト、各種電子機器等に利用されている（例えば特許文献１参照）。
このように構成されるウェーハについては、光デバイスの輝度の向上を図るために、ウェーハの裏面が研削され、当初７００μｍほどの厚みが１００μｍほどになるまで薄化される。
ウェーハの裏面研削時は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等で形成された硬質基板にアクリル系等の粘着剤を介してウェーハの表面を貼着することにより、ウェーハの表面が保護される（例えば特許文献２参照）。
しかし、サファイア基板は硬度が高いうえにウェーハの表面側の外周には面取り加工が施されているため、ウェーハの裏面を研削していき、その厚みが例えば１５０μｍほどになると、ウェーハの外周の面取り部がばたつくため、ウェーハ内部に割れが生じるという問題がある。
本発明は、このような問題にかんがみなされたもので、サファイア基板の表面に半導体層が形成され外周が面取りされたウェーハの裏面を研削する場合において、内部に割れを生じさせないようにすることを目的とする。
本発明は、サファイア基板の表面に発光層が積層され少なくとも表面側の外周に面取り部が形成されたウェーハの裏面を研削するウェーハの研削方法に関するもので、ウェーハを支持する硬質基板の表面にウェーハの表面を対面させ、少なくとも硬質基板とウェーハの面取り部との間の隙間に樹脂を充填する樹脂充填工程と、樹脂が固化した後、回転可能なチャックテーブルに硬質基板側を保持してウェーハの裏面を露出させ、環状に研削砥石を備えた研削ホイールを回転させウェーハの回転中心を研削砥石が通るように裏面に接触させて裏面を研削する裏面研削工程とから少なくとも構成され、樹脂には砥粒が混入しており、裏面研削工程において研削砥石の目詰まりを防止する。
裏面研削工程においては、面取り部に至るまでウェーハの裏面を研削する。
本発明では、硬質基板とウェーハの面取り部との間の隙間に樹脂を充填し、その状態でウェーハの裏面を研削するため、面取り部がばたつくことがなくなり、ウェーハ内部に割れが生じるのを防止することができる。
また、硬質基板とウェーハの面取り部との間の隙間に充填する樹脂に砥粒を混入させることにより、研削砥石に樹脂が入り込むのを砥粒が阻止するため、研削砥石に目詰まりが生じるのを防止することができる。
図１に示すウェーハ１は、サファイア基板１０の表面に発光層１１が積層されて形成されており、少なくとも表面１ａ側の外周には、欠けが生じるのを防ぐために面取り部１２が形成されている。なお、図１の例では、裏面１ｂの外周にも面取り部１３が形成されている。ウェーハ１は、例えば全体として７００μｍの厚みを有し、面取り部１２、１３は、例えば厚み１００μｍ分だけ面取りされている。
図２に示すように、ウェーハ１の表面１ａには、縦横に分割予定ラインＬが形成されており、分割予定ラインＬによって区画された領域には光デバイスＤが形成されている。以下では、このように構成される１の裏面１ｂを研削して所望の厚さに形成する手順を説明する。
（１）樹脂充填工程
図３に示すように、硬質基板２の表面２ａとウェーハ１の表面１ａとを対面させ、図４に示すように、硬質基板２の上にウェーハ１を貼着する。硬質基板２は、ウェーハ１の裏面１ｂの研削時にウェーハ１を支持できる程度の硬度を有し、かつ、屈曲性があって研削後の剥離が容易である材料、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を使用する。
図３に示すように、硬質基板２の表面２ａとウェーハ１の表面１ａとを対面させ、図４に示すように、硬質基板２の上にウェーハ１を貼着する。硬質基板２は、ウェーハ１の裏面１ｂの研削時にウェーハ１を支持できる程度の硬度を有し、かつ、屈曲性があって研削後の剥離が容易である材料、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を使用する。
硬質基板２の表面２ａには例えば５μｍ厚のアクリル系粘着剤が塗布されており、この粘着剤を介して硬質基板２にウェーハ１を固定する。硬質基板２は、ウェーハ１より大径に形成されており、硬質基板２の表面２ａの周縁部が露出した状態となる。
硬質基板２にウェーハ１を固定した状態で、図５に示すように、硬質基板２とウェーハ１の表面１ａの面取り部１２との間の隙間に樹脂３を充填する。樹脂３としては、例えばエポキシ樹脂またはポリブタジエンを使用する。樹脂３は、後のウェーハ１からの剥離を容易とするために、熱軟化性を有することが望ましい。また、研削砥石の目詰まりを防止するため、樹脂３に対して粒径１μｍのアルミナ砥粒を体積比で３０〜４０％含ませる。アルミナに代えてグリーンカーボランダムを使用してもよい。
（２）裏面研削工程
樹脂３が固化した後、硬質基板２に固定されたウェーハ１の裏面１ｂを研削する。裏面１ｂの研削には、例えば図６に示す研削装置４を使用することができる。この研削装置４は、被加工物を保持して回転可能なチャックテーブル５と、チャックテーブル５に保持された被加工物を研削加工する研削手段６と、研削手段６を鉛直方向に研削送りする研削送り手段７とを備えている。
樹脂３が固化した後、硬質基板２に固定されたウェーハ１の裏面１ｂを研削する。裏面１ｂの研削には、例えば図６に示す研削装置４を使用することができる。この研削装置４は、被加工物を保持して回転可能なチャックテーブル５と、チャックテーブル５に保持された被加工物を研削加工する研削手段６と、研削手段６を鉛直方向に研削送りする研削送り手段７とを備えている。
チャックテーブル５の周囲はカバー５０によって覆われており、カバー５０の前後方向の側部には、伸縮自在な蛇腹５１が連結されている。チャックテーブル５は、蛇腹５１の伸縮を伴って、前後方向に移動する構成となっている。
研削手段６は、チャックテーブル５に保持されたウェーハ１に作用して研削加工を行う研削ホイール６０と、研削ホイール６０を支持するマウント６１と、マウント６１を先端部において支持し鉛直方向に延びる回転軸６２と、回転軸６２を回転可能に支持するハウジング６３と、回転軸６２を回転駆動する駆動部６４とを備えている。
研削ホイール６０は、基台６００の下面に環状に研削砥石６０１が固着されて構成されている。そして、基台６００がマウント６１に対してネジ止めによって固定されている。研削砥石６０１は、粒径２０〜３０μｍのダイヤモンド砥粒をビトリファイドボンドで固めて構成される。
研削送り手段７は、鉛直方向の軸心を有するボールスクリュー７０と、ボールスクリュー７０と平行に配設された一対のガイドレール７１と、ボールスクリュー７０を回動させるパルスモータ７２と、ボールスクリュー７０に螺合するナット（図示せず）を内部に有するとともに側部がガイドレール７１に摺接する昇降部７３とを備えており、パルスモータ７２によって駆動されてボールスクリュー７１が回動するのにともない昇降部７３がガイドレール７１に案内されて昇降する構成となっている。昇降部７３に固定された支持部７４は、研削手段６を支持しているため、昇降部７３の昇降により研削手段６も昇降する構成となっている。
このように構成される研削装置４においては、図７に示すように、チャックテーブル５において、硬質基板２側を保持し、ウェーハ１の裏面１ｂが露出した状態とする。そして、チャックテーブル５が装置後方側に移動し、ウェーハ１が研削手段６の下方に位置付けされる。
次に、チャックテーブル５を例えば６００ＲＰＭで回転させるとともに、研削ホイール６０を例えば１０００ＲＰＭでチャックテーブル５と同方向に回転させながら、研削送り手段７による制御によって研削手段６を例えば１．０μｍ／秒の送り速度で下降させ、回転する研削砥石６０１をウェーハ１の裏面１ｂに接触させることにより、裏面１ｂを研削する。このとき、図８に示すように、研削砥石６０１がウェーハ１の回転中心を通るように制御する。研削中は、研削砥石６０１とウェーハ１の裏面１ｂとの接触部分に４リットル／分の研削水が供給される。
図９に示すように、裏面１ｂから６００μｍ研削されて研削面１ｂ’が形成され、研削砥石６０１が表面１ａの面取り部１２に至り、ウェーハ１の厚さが１００μｍとなると、研削送り手段７が研削手段６を上昇させることにより研削を終了する。
面取り部１２と硬質基板２との間の隙間に樹脂３が充填されているため、研削中も、面取り部１２がばたつくことがない。したがって、面取り部１２のばたつきに起因してウェーハ内部に割れが生じるのを防止することができる。
また、面取り部１２に至るまで研削を行うため、研削砥石６０１は樹脂３も研削する。通常は、樹脂を研削すると研削砥石６０１に目詰まりが生じやすいが、樹脂３に砥粒を混入させているため、その砥粒が研削砥石６０１に樹脂が入っていくのを抑制する。したがって、研削砥石６０１に目詰まりが生じにくい。
１：ウェーハ
１ａ：表面 １ｂ：裏面
Ｌ：分割予定ライン Ｄ：光デバイス
１０：サファイア基板 １１：発光層 １２，１３：面取り部
２：硬質基板
２ａ：表面
３：樹脂
４：研削装置
５：チャックテーブル ５０：カバー ５１：蛇腹
６：研削手段
６０：研削ホイール ６００：基台 ６０１：研削砥石
６１：マウント ６２：回転軸 ６３：ハウジング ６４：駆動部
７：研削送り手段
７０：ボールスクリュー ７１：ガイドレール ７２：パルスモータ ７３：昇降部
７４：支持部
１ａ：表面 １ｂ：裏面
Ｌ：分割予定ライン Ｄ：光デバイス
１０：サファイア基板 １１：発光層 １２，１３：面取り部
２：硬質基板
２ａ：表面
３：樹脂
４：研削装置
５：チャックテーブル ５０：カバー ５１：蛇腹
６：研削手段
６０：研削ホイール ６００：基台 ６０１：研削砥石
６１：マウント ６２：回転軸 ６３：ハウジング ６４：駆動部
７：研削送り手段
７０：ボールスクリュー ７１：ガイドレール ７２：パルスモータ ７３：昇降部
７４：支持部
Claims (2)
- サファイア基板の表面に発光層が積層され少なくとも表面側の外周に面取り部が形成されたウェーハの裏面を研削するウェーハの研削方法であって、
ウェーハを支持する硬質基板の表面にウェーハの表面を対面させ、少なくとも該硬質基板と該ウェーハの面取り部との間の隙間に樹脂を充填する樹脂充填工程と、
該樹脂が固化した後、回転可能なチャックテーブルに該硬質基板側を保持して該ウェーハの裏面を露出させ、環状に研削砥石を備えた研削ホイールを回転させ該ウェーハの回転中心を該研削砥石が通るように該裏面に接触させて該裏面を研削する裏面研削工程と
から少なくとも構成され、
該樹脂には砥粒が混入しており、該裏面研削工程において該研削砥石の目詰まりを防止するウェーハの研削方法。 - 前記裏面研削工程において、前記面取り部に至るまでウェーハの裏面を研削する
請求項１に記載のウェーハの研削方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011083532A JP5841738B2 (ja) | 2011-04-05 | 2011-04-05 | ウェーハの研削方法 |
| TW101107866A TWI523093B (zh) | 2011-04-05 | 2012-03-08 | Wafer grinding method |
| CN201210091157.0A CN102737980B (zh) | 2011-04-05 | 2012-03-30 | 晶片的磨削方法 |
| KR1020120033016A KR101762456B1 (ko) | 2011-04-05 | 2012-03-30 | 웨이퍼의 연삭 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011083532A JP5841738B2 (ja) | 2011-04-05 | 2011-04-05 | ウェーハの研削方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012222026A JP2012222026A (ja) | 2012-11-12 |
| JP5841738B2 true JP5841738B2 (ja) | 2016-01-13 |
Family
ID=46993245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011083532A Active JP5841738B2 (ja) | 2011-04-05 | 2011-04-05 | ウェーハの研削方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5841738B2 (ja) |
| KR (1) | KR101762456B1 (ja) |
| CN (1) | CN102737980B (ja) |
| TW (1) | TWI523093B (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018120916A (ja) * | 2017-01-24 | 2018-08-02 | 株式会社ディスコ | ウェーハの研削方法 |
| TW202129734A (zh) * | 2019-10-28 | 2021-08-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理方法及基板處理系統 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10172925A (ja) * | 1996-12-16 | 1998-06-26 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体ウェハの切断方法 |
| JP3216583B2 (ja) * | 1997-08-22 | 2001-10-09 | 住友金属工業株式会社 | 貼り合わせｓｏｉ基板の製造方法 |
| JPH11240008A (ja) * | 1998-02-24 | 1999-09-07 | Sumitomo Metal Ind Ltd | ウェーハのスライス方法 |
| JP2004349649A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | ウエハーの薄加工方法 |
| JP2005317634A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法およびそれに用いる粘着シート |
| US8124455B2 (en) * | 2005-04-02 | 2012-02-28 | Stats Chippac Ltd. | Wafer strength reinforcement system for ultra thin wafer thinning |
| JP5134928B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物研削方法 |
| JP5231136B2 (ja) * | 2008-08-22 | 2013-07-10 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの加工方法 |
| JP2010062269A (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Three M Innovative Properties Co | ウェーハ積層体の製造方法、ウェーハ積層体製造装置、ウェーハ積層体、支持層剥離方法、及びウェーハの製造方法 |
-
2011
- 2011-04-05 JP JP2011083532A patent/JP5841738B2/ja active Active
-
2012
- 2012-03-08 TW TW101107866A patent/TWI523093B/zh active
- 2012-03-30 CN CN201210091157.0A patent/CN102737980B/zh active Active
- 2012-03-30 KR KR1020120033016A patent/KR101762456B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20120113662A (ko) | 2012-10-15 |
| CN102737980B (zh) | 2016-08-03 |
| TWI523093B (zh) | 2016-02-21 |
| CN102737980A (zh) | 2012-10-17 |
| KR101762456B1 (ko) | 2017-07-27 |
| TW201248710A (en) | 2012-12-01 |
| JP2012222026A (ja) | 2012-11-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI645501B (zh) | Support plate, support plate forming method and wafer processing method | |
| TWI710427B (zh) | 磨削輪及被加工物的磨削方法 | |
| KR20180119481A (ko) | SiC 웨이퍼의 생성 방법 | |
| JP2010225987A (ja) | ウェーハの研磨方法及び研磨パッド | |
| JP2012056013A (ja) | 研削ホイール | |
| JP2010161117A (ja) | 板状物の研削方法 | |
| KR102243872B1 (ko) | 피가공물의 연삭 방법 | |
| JP5841738B2 (ja) | ウェーハの研削方法 | |
| JP2018120916A (ja) | ウェーハの研削方法 | |
| JP2011140100A (ja) | 板状物の研削方法 | |
| JP7362207B2 (ja) | 基板の研削方法 | |
| JP5127270B2 (ja) | ドレッシング方法およびドレッサボード | |
| JP5357672B2 (ja) | 研削方法 | |
| JP5389433B2 (ja) | 研削ホイール | |
| JP2019062147A (ja) | 保護部材の加工方法 | |
| JP2009214278A (ja) | 研削用砥石 | |
| JP2019062148A (ja) | 保護部材の加工方法 | |
| JP5653234B2 (ja) | 硬質基板の研削方法 | |
| JP2012222311A (ja) | 板状物の研磨方法 | |
| JP5777383B2 (ja) | 研磨パッド及び該研磨パッドを使用した板状物の研磨方法 | |
| JP5939792B2 (ja) | サファイア基板 | |
| JP2024007123A (ja) | ウェーハの研削方法 | |
| JP2019059007A (ja) | 保護部材の加工方法 | |
| JP2013042060A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP2010149199A (ja) | 研削ホイール |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140325 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150316 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150324 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150331 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20150427 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151020 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151116 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5841738 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |