JP2010016012A - 光電気変換デバイス、光電気変換モジュールおよび光電気変換デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光電気変換デバイス(100)は、光透過孔(10)が形成された第1凹部(23)を有する回路基板(20)と、回路基板において第1凹部の底面から第1凹部が形成された面(21)にかけて形成された第1金属配線(24)と、光透過孔を光軸が通るように第1凹部内に配置され第1凹部の底面において第1金属配線にフリップチップボンディングされた光素子(30)と、光素子の駆動用の駆動回路チップまたは前記光素子からの信号の増幅用の増幅回路チップであって第1凹部が形成された面上の第1金属配線にフリップチップボンディングされた回路チップ(40)と、を備える。
【選択図】 図2
Description
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施例について説明する。
20 回路基板
21 面
22,23 凹部
24,25,26 金属配線
30 光素子
31,41 半田バンプ
40 回路チップ
100 光電気変換デバイス
200 光電気変換モジュール
201 光コネクタ
202 電極コンタクトシート
203 電気コネクタ基板
206 ガイドピン
Claims (8)
- 光透過孔が形成された第1凹部を有する回路基板と、
前記回路基板において、前記第1凹部の底面から前記第1凹部が形成された面にかけて形成された第1金属配線と、
前記光透過孔を光軸が通るように前記第1凹部内に配置され、前記第1凹部の底面において前記第1金属配線にフリップチップボンディングされた光素子と、
前記光素子の駆動用の駆動回路チップまたは前記光素子からの信号の増幅用の増幅回路チップであって、前記第1凹部が形成された面上の前記第1金属配線にフリップチップボンディングされた回路チップと、を備えることを特徴とする光電気変換デバイス。 - 前記第1凹部が形成された面は、前記回路基板の一面に形成された第2凹部の底面であり、
前記回路チップは、前記第2凹部内に配置されていることを特徴とする請求項1記載の光電気変換デバイス。 - 前記第2凹部の底面から前記回路基板の一面にかけて形成され、前記第2凹部の底面において前記回路チップがフリップチップボンディングされた第2金属配線をさらに備えることを特徴とする請求項2記載の光電気変換デバイス。
- 前記第1凹部の底面から前記回路基板の一面にかけて形成され、前記第1凹部の底面において前記光素子がフリップチップボンディングされた第3金属配線をさらに備えることを特徴とする請求項2記載の光電気変換デバイス。
- 前記光素子は、垂直共振器面発光レーザであり、
前記光透過孔は、空間であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の光電気変換デバイス。 - ガイドピンを有する光コネクタと、
請求項1〜5のいずれかに記載の光電気変換デバイスであって前記ガイドピンと嵌合するための第1の孔を有する光電気変換デバイスと、
前記ガイドピンと嵌合するための第2の孔を有する電極コンタクトシートと、
前記ガイドピンと嵌合するための第3の孔を有する電気コネクタ基板と、を備え、
前記ガイドピンは、前記第1の孔〜前記第3の孔と順に嵌合していることを特徴とする光電気変換モジュール。 - 前記電極コンタクトシートと前記光電気変換デバイスとは、接触していることを特徴とする請求項6記載の光電気変換モジュール。
- 光透過孔が形成された凹部を有し、前記凹部の底面から前記凹部が形成された面にかけて金属配線が設けられた回路基板を準備する工程と、
光素子を、前記光素子の光軸が前記光透過孔を通るように前記凹部内に配置し、前記凹部の底面において前記金属配線にフリップチップボンディングする工程と、
前記光素子の駆動用の駆動回路チップまたは前記光素子からの信号の増幅用の増幅回路チップを、前記凹部が形成された面上の前記金属配線にフリップチップボンディングする工程と、を含むことを特徴とする光電気変換デバイスの製造方法。
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