JP2010013715A - Film-forming method and film-forming apparatus - Google Patents

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Yukio Yamauchi
幸夫 山内
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film-forming apparatus which can form a film in a state that moisture is sufficiently removed. <P>SOLUTION: The film-forming apparatus 100 has a first exhaust unit 60 including a cryopump 63, a second exhaust unit 70 including a MBP or a TMP, and a valve-switching part 82 for switching a valve between the first exhaust unit 60 and the second exhaust unit 70. The film-forming apparatus satisfies both of the sufficient removal of moisture and the discharge of gas in a film-forming operation, by switching the first exhaust unit 60 to the second exhaust unit 70 with the valve-switching part 82, after having finished removing the moisture with the first exhaust unit 60. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、化学気相成長法を用いた成膜方法、および成膜装置に関する。   The present invention relates to a film forming method using a chemical vapor deposition method and a film forming apparatus.

有機ＥＬ（Electroluminescence）装置において、発光層を含む有機機能層や、陰極電極などは、水分によって劣化し易いため、水分の浸入を防止するために、当該部位全体を封止層で覆う構成が提案されている。
例えば、特許文献１（図１）には、有機機能層、および陰極電極を含む積層体全体を封止層（保護膜）で覆った構成の有機ＥＬ素子が示されている。また、当該文献によれば、封止層をＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置（特許文献１の図２参照）を用いて形成することにより、ステップガバレッジが良い封止層が形成できる、としている。 In an organic EL (Electroluminescence) device, the organic functional layer including the light emitting layer, the cathode electrode, and the like are easily deteriorated by moisture. Therefore, in order to prevent moisture from entering, a configuration in which the entire part is covered with a sealing layer is proposed. Has been.
For example, Patent Document 1 (FIG. 1) shows an organic EL element having a configuration in which an entire laminate including an organic functional layer and a cathode electrode is covered with a sealing layer (protective film). Further, according to this document, the sealing layer is formed by using an ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus (see FIG. 2 of Patent Document 1), so that the sealing layer has good step coverage. Can be formed.

図６は、従来の成膜装置の概略構成図である。
成膜装置２００は、成膜室１１０内の支持台１２０にセットされた被着体としての基板１３０にプラズマＣＶＤ法によって封止層を成膜するための装置である。また、成膜室１１０の底部には、その室内を減圧環境とするための排気手段１７０が備えられていた。
排気手段１７０は、排気管１６０を介して、メカニカルブースターポンプ（ＭＢＰ）、またはターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）からなる第１ポンプ１６５と、ドライポンプからなる第２ポンプ１６６などから構成されていた。 FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a conventional film forming apparatus.
The film formation apparatus 200 is an apparatus for forming a sealing layer on the substrate 130 as an adherend set on the support stand 120 in the film formation chamber 110 by a plasma CVD method. In addition, an exhaust unit 170 is provided at the bottom of the film formation chamber 110 to create a reduced pressure environment in the chamber.
The exhaust unit 170 is configured by a first pump 165 composed of a mechanical booster pump (MBP) or a turbo molecular pump (TMP), a second pump 166 composed of a dry pump, and the like via an exhaust pipe 160.

例えば、封止層としてシリコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）を形成する場合、まず、排気手段１７０によって成膜室１１０内を所定の減圧環境にする。続いて、ガス供給管１５０から窒素ガスがプラズマ室１４０に供給され、プラズマ照射された窒素ガスがラジカル反応によってイオン化し、基板１３０に当たる。また、並行してガス供給管１５５からシランガス（ＳｉＨ4）を供給する。これにより、活性化した窒素プラズマに衝突したシランガスが分解するなどの化学反応が生じ、基板１３０の表面に、窒化膜を形成していた。
また、成膜中も排気手段１７０は駆動しており、成膜に使用されたガスを排気していた。 For example, when a silicon nitride film (Si 3 N 4 ) is formed as the sealing layer, first, the inside of the film formation chamber 110 is brought into a predetermined reduced pressure environment by the exhaust means 170. Subsequently, nitrogen gas is supplied from the gas supply pipe 150 to the plasma chamber 140, and the nitrogen gas irradiated with plasma is ionized by a radical reaction and strikes the substrate 130. In parallel, silane gas (SiH 4 ) is supplied from the gas supply pipe 155. As a result, a chemical reaction such as decomposition of the silane gas that collided with the activated nitrogen plasma occurred, and a nitride film was formed on the surface of the substrate 130.
Further, the exhaust means 170 was driven during film formation, and the gas used for film formation was exhausted.

特開平８−１１１２８６号公報JP-A-8-111286

しかしながら、このような従来の成膜装置では、その構成上、成膜室１１０内に水分が残留し易く、水分を十分に除去した状態で成膜を行うことが難しいという課題があった。このため、当該環境下で封止層を成膜した有機ＥＬ装置の劣化を招く恐れがあった。
具体的には、第１ポンプとしてＭＢＰを用いた場合、１×１０0Ｐａ程度までしか到達真空度を下げることができず、成膜室１１０内に水分を含むガスが残留していた。また、ＴＭＰを用いた場合、最終的には、１×１０-4Ｐａ台程度までの到達真空度を確保することができるが、時間を要するばかりでなく、水分が十分に排気されているとはいい難かった。
これは、ＭＢＰや、ＴＭＰなどの回転運動による機械的な排気では、水や水素などの質量の軽い分子を完全に排出することが困難であることに起因していた。 However, such a conventional film forming apparatus has a problem that due to its configuration, moisture tends to remain in the film forming chamber 110 and it is difficult to form a film in a state where the moisture is sufficiently removed. For this reason, there was a possibility of causing deterioration of the organic EL device in which the sealing layer was formed in the environment.
Specifically, when MBP is used as the first pump, the ultimate vacuum can be lowered only to about 1 × 10 0 Pa, and a gas containing moisture remains in the film forming chamber 110. In addition, when TMP is used, the ultimate degree of vacuum can be secured up to about 1 × 10 −4 Pa, but it takes time, and moisture is sufficiently exhausted. It was difficult.
This is due to the fact that it is difficult to completely discharge light-weight molecules such as water and hydrogen by mechanical exhaust by rotational movement such as MBP and TMP.

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例又は形態として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following application examples or forms.

（適用例）
減圧環境下において被着体に膜を形成するための成膜装置であって、被着体が収納される成膜室と、成膜室内に膜の原料となる原料ガスを供給するガス供給手段と、少なくとも成膜室内の水分を除去するための第１排気手段と、成膜室内のガスを排気するための第２排気手段と、第１排気手段と、第２排気手段とを切換える切換手段と、を備えることを特徴とする成膜装置。 (Application example)
A film forming apparatus for forming a film on an adherend in a reduced pressure environment, a film forming chamber in which the adherend is stored, and a gas supply means for supplying a raw material gas as a film raw material into the film forming chamber And a switching means for switching between at least a first exhaust means for removing moisture in the film forming chamber, a second exhaust means for exhausting a gas in the film forming chamber, a first exhaust means, and a second exhaust means. And a film forming apparatus comprising:

この成膜装置によれば、成膜装置は、成膜室内の水分を除去するための、例えば、クライオポンプからなる第１排気手段を備えている。このため、機械的な排気ポンプのみを備えていた従来の成膜装置と比べて、成膜室内の水分を確実に除去することができる。
また、原料ガスを供給して被着体に成膜する気相成長法による成膜装置の場合、原料ガスの供給と並行してガスの排気が必要となるが、本願に係る成膜装置によれば、切換手段を備えたことによって、第１排気手段による水分除去が終わった後で、第１排気手段から第２排気手段に切換えることができる。
従って、水分を十分に除去した状態で成膜を行うことが可能な成膜装置を提供することができる。 According to this film forming apparatus, the film forming apparatus is provided with the first evacuation means composed of, for example, a cryopump for removing moisture in the film forming chamber. For this reason, compared with the conventional film-forming apparatus provided only with the mechanical exhaust pump, the water | moisture content in the film-forming chamber can be removed reliably.
Further, in the case of a film formation apparatus based on a vapor deposition method in which a source gas is supplied to form a film on an adherend, the gas needs to be exhausted in parallel with the supply of the source gas. According to this aspect, the switching means is provided, so that after the moisture removal by the first exhaust means is completed, the first exhaust means can be switched to the second exhaust means.
Therefore, it is possible to provide a film formation apparatus that can perform film formation with moisture sufficiently removed.

また、第１排気手段は、クライオポンプを含んで構成され、第２排気手段は、メカニカルブースターポンプ、またはターボ分子ポンプを含んで構成されていることが好ましい。
また、第２排気手段において、メカニカルブースターポンプ、またはターボ分子ポンプの後段には、バックポンプとしてドライポンプまたはロータリーポンプがさらに備えられ、ドライポンプまたはロータリーポンプには、メカニカルブースターポンプ、またはターボ分子ポンプを介さずに、成膜室内の排気をするための排気ルートが選択可能に接続されていることが好ましい。
また、被着体は、発光層を含む有機機能層が形成された基板であり、膜は、有機機能層を覆う封止膜であり、成膜室には、原料ガスを活性化させるための活性化ガスにプラズマを照射するプラズマ室がさらに備えられていることが好ましい。 Further, it is preferable that the first exhaust means includes a cryopump, and the second exhaust means includes a mechanical booster pump or a turbo molecular pump.
In the second exhaust means, a dry pump or a rotary pump is further provided as a back pump behind the mechanical booster pump or the turbo molecular pump, and the dry pump or the rotary pump includes a mechanical booster pump or a turbo molecular pump. It is preferable that an exhaust route for exhausting the film formation chamber is connected without being interposed.
Further, the adherend is a substrate on which an organic functional layer including a light emitting layer is formed, the film is a sealing film that covers the organic functional layer, and the film formation chamber is provided for activating the source gas. It is preferable that a plasma chamber for irradiating the activation gas with plasma is further provided.

第１排気手段、および第２排気手段を備えた成膜室において被着体に膜を成膜するための成膜方法であって、第２排気手段によって成膜室内を所定の減圧環境とする工程と、第２排気手段から第１排気手段に切換える工程と、第１排気手段によって成膜室内の水分を除去する工程と、第１排気手段から第２排気手段に切換える工程と、成膜室内に原料ガスを供給するとともに、原料ガスの一部を含む成膜室内のガスを第２排気手段によって排気する成膜工程と、を含むことを特徴とする。   A film forming method for forming a film on an adherend in a film forming chamber provided with a first exhaust means and a second exhaust means, wherein the film forming chamber is made a predetermined reduced pressure environment by the second exhaust means. A step of switching from the second exhaust means to the first exhaust means, a step of removing moisture in the film forming chamber by the first exhaust means, a step of switching from the first exhaust means to the second exhaust means, and a film forming chamber And a film forming step of supplying a source gas to the substrate and exhausting a gas in the film forming chamber including a part of the source gas by a second exhaust means.

この成膜方法によれば、例えば、クライオポンプを含む第１排気手段によって成膜室内の水分を除去する工程を含んでいるため、機械的な排気ポンプのみを備えていた従来の成膜装置と比べて、成膜室内の水分を確実に除去することができる。
さらに、第１排気手段から第２排気手段に切換える工程と、成膜室内に原料ガスを供給するとともに、原料ガスの一部を含む成膜室内のガスを第２排気手段によって排気する成膜工程とを含んでいるため、第１排気手段による水分除去が終わった後で、第２排気手段による成膜時の排気を行うことができる。
従って、水分を十分に除去した状態で成膜を行うことが可能な成膜方法を提供することができる。 According to this film forming method, for example, since it includes a step of removing moisture in the film forming chamber by the first exhaust means including a cryopump, the conventional film forming apparatus having only a mechanical exhaust pump and In comparison, moisture in the film formation chamber can be reliably removed.
Further, a step of switching from the first exhaust means to the second exhaust means, and a film forming process for supplying the source gas into the film forming chamber and exhausting the gas in the film forming chamber including a part of the source gas by the second exhaust means. Therefore, after the moisture removal by the first exhaust means is completed, the exhaust during the film formation by the second exhaust means can be performed.
Therefore, it is possible to provide a film forming method capable of forming a film in a state where moisture is sufficiently removed.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the scales are different for each layer and each member so that each layer and each member can be recognized on the drawing.

＜実施形態１＞
（成膜装置の構成）
図１は、本実施形態に係る成膜装置の全体構成を示す図である。
以下、本発明の実施形態１に係る成膜装置１００の概要について図１を用いて説明する。成膜装置１００は、成膜室１０、プラズマ室４０、ガス供給管５５、第１排気手段６０、第２排気手段７０、制御手段８０などから構成されている。
成膜装置１００は、成膜室１０内にセットされた被着体としての基板３０にＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって封止層などの膜（薄膜）を形成するためのＥＣＲプラズマＣＶＤ装置である。 <Embodiment 1>
(Structure of deposition system)
FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of a film forming apparatus according to the present embodiment.
Hereinafter, an outline of the film forming apparatus 100 according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIG. The film forming apparatus 100 includes a film forming chamber 10, a plasma chamber 40, a gas supply pipe 55, a first exhaust means 60, a second exhaust means 70, a control means 80, and the like.
The film forming apparatus 100 is an ECR plasma CVD apparatus for forming a film (thin film) such as a sealing layer on the substrate 30 as an adherend set in the film forming chamber 10 by an ECR plasma CVD method.

成膜室１０は、真空チャンバであり、その室内環境を真空に近い減圧状態で維持可能な構成を備えている。成膜室１０の底部には、支持台２０が設けられている。支持台２０は、成膜室１０の底部から鉛直方向に立ち上がる支柱と、当該支柱の上部に設けられた平板状のステージとから構成されており、当該ステージ上には、基板３０が被成膜面を上方に向けて載せられている。なお、本明細書中で「上」とは天地における天上側を指し、「下」とは地面側を指すものとする。
成膜室１０の上方には、プラズマ室４０が設けられている。プラズマ室４０の上方には、例えば、マグネトロンなどのマイクロ波発生装置（図示せず）が発生するマイクロ波を導くための導波管４２が設置されている。また、導波管４２とプラズマ室４０との境界には、例えば、石英から構成された窓（図示せず）が設けられており、マイクロ波のみがプラズマ室４０に入射する構成となっている。 The film forming chamber 10 is a vacuum chamber and has a configuration capable of maintaining the indoor environment in a reduced pressure state close to a vacuum. A support table 20 is provided at the bottom of the film forming chamber 10. The support table 20 is composed of a column that rises in the vertical direction from the bottom of the film formation chamber 10 and a flat plate-like stage provided on the column, and the substrate 30 is formed on the stage. It is placed with the surface facing upward. In this specification, “upper” refers to the upper side of the earth and “lower” refers to the ground side.
A plasma chamber 40 is provided above the film forming chamber 10. Above the plasma chamber 40, for example, a waveguide 42 for guiding a microwave generated by a microwave generator (not shown) such as a magnetron is installed. Further, a window (not shown) made of, for example, quartz is provided at the boundary between the waveguide 42 and the plasma chamber 40, and only microwaves are incident on the plasma chamber 40. .

また、プラズマ室４０は、空洞共振器になっており、その周囲には、磁気コイル４１が配置されている。プラズマ室４０の上面には、さらにガス供給手段としてのガス供給管５０が設けられている。ガス供給管５０には、例えば、窒素（Ｎ2）、酸素（Ｏ2）、アルゴン（Ａｒ）などの原料ガスに応じて選択された活性化ガスが、成膜時に供給される。
成膜室１０の一方の側面には、ガス供給手段としてのガス供給管５５が設けられている。ガス供給管５５からは、例えば、シランガスなどの原料ガスが成膜時に供給される。
第１排気手段６０は、排気管６１、バルブ６２、クライオポンプ６３などから構成されている。
クライオポンプ６３は、気体分子を極低温面（例えば、１０〜８０Ｋ）で凝縮、および吸着させることによって成膜室１０内の気体分子をポンプ内に溜め込む溜め込み式のポンプである。なお、図１において、クライオポンプ６３は、成膜室１０から排気管６１、およびバルブ６２を介して離れて図示されているが、実際は、排気管６１の開口は、排気管７１，７４よりも大きく形成され、クライオポンプ６３の極低温の吸着面が成膜室１０内において十分に露出するように設置されている。 The plasma chamber 40 is a cavity resonator, and a magnetic coil 41 is disposed around the plasma chamber 40. A gas supply pipe 50 as a gas supply means is further provided on the upper surface of the plasma chamber 40. The gas supply pipe 50 is supplied with an activation gas selected according to a source gas such as nitrogen (N 2 ), oxygen (O 2 ), argon (Ar), etc., during film formation.
A gas supply pipe 55 as a gas supply unit is provided on one side surface of the film forming chamber 10. From the gas supply pipe 55, for example, a source gas such as silane gas is supplied during film formation.
The first exhaust means 60 includes an exhaust pipe 61, a valve 62, a cryopump 63, and the like.
The cryopump 63 is a reservoir-type pump that accumulates gas molecules in the film forming chamber 10 in the pump by condensing and adsorbing gas molecules on a cryogenic surface (for example, 10 to 80 K). In FIG. 1, the cryopump 63 is illustrated as being separated from the film forming chamber 10 via the exhaust pipe 61 and the valve 62, but actually, the opening of the exhaust pipe 61 is more than the exhaust pipes 71 and 74. The cryogenic pump 63 is formed so as to be sufficiently exposed in the film forming chamber 10.

第２排気手段７０は、排気管７１、バルブ７２、第１ポンプ７３、第２ポンプ７６、スクラバ７７などから構成されている。また、第２ポンプ７６と成膜室１０との間には、排気管７４とバルブ７５とが設けられている。これは、第１ポンプ７３を介することなく、直接第２ポンプ７６によって、成膜室１０内の排気を行うためのものである。換言すると、第２ポンプ７６によって、成膜室１０内の排気を直接行うためのバイパス経路が形成されている。
第１ポンプ７３は、メカニカルブースターポンプ、またはターボ分子ポンプである。
第２ポンプ７６は、例えば、ルーツポンプなどのドライポンプまたはロータリーポンプであり、粗引きポンプ、および第１ポンプ７３のバックポンプとして機能する。
スクラバ７７は、シランガスなどの有害ガスを除去し、無害な排気とするための除外装置である。 The second exhaust means 70 includes an exhaust pipe 71, a valve 72, a first pump 73, a second pump 76, a scrubber 77, and the like. An exhaust pipe 74 and a valve 75 are provided between the second pump 76 and the film forming chamber 10. This is for exhausting the film forming chamber 10 directly by the second pump 76 without passing through the first pump 73. In other words, the second pump 76 forms a bypass path for directly exhausting the film forming chamber 10.
The first pump 73 is a mechanical booster pump or a turbo molecular pump.
The second pump 76 is, for example, a dry pump such as a Roots pump or a rotary pump, and functions as a roughing pump and a back pump of the first pump 73.
The scrubber 77 is an exclusion device for removing harmful gases such as silane gas and making them harmless.

制御手段８０は、制御部８１、バルブ切換部８２、検知部８３などから構成されている。制御部８１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）と、フラッシュメモリ、ＦｅＲＡＭなどの不揮発性のメモリからなる記憶部と、操作部（いずれも図示せず）とを含んで構成され、成膜装置１００の各手段、および各部位の動作を制御する。
記憶部には、成膜環境を構築するための粗引きから本引きまでの順序と内容を規定したプログラムと、成膜時における原料ガスの供給割合や、排気割合などを成膜材料ごとに規定したプログラムとを含む成膜プログラムなどの複数の制御プログラムなどが記憶されている。
操作部は、成膜装置１００を起動するための起動スイッチを含む複数の操作スイッチや、入力キーを備えており、封止層の材質や、膜厚などの成膜情報などを入力するための入力部である。 The control means 80 includes a control unit 81, a valve switching unit 82, a detection unit 83, and the like. The control unit 81 includes a CPU (Central Processing Unit), a storage unit including a non-volatile memory such as a flash memory and FeRAM, and an operation unit (none of which is shown). The operation of each means and each part is controlled.
The storage unit defines the program for specifying the sequence and contents from roughing to main pulling to build the film forming environment, the supply rate of the source gas at the time of film formation, the exhaust rate, etc. for each film forming material. A plurality of control programs such as a film forming program including the programmed programs are stored.
The operation unit includes a plurality of operation switches including an activation switch for activating the film forming apparatus 100 and an input key, and is used for inputting film formation information such as a sealing layer material and a film thickness. It is an input part.

切換手段としてのバルブ切換部８２は、その出力部が各排気手段のバルブ６２，７２，７５に接続され、制御部８１からの制御信号に応じて各バルブの開閉を制御する。
検知部８３は、成膜室１０内の真空度を検知する部位であり、成膜室１０内に設置された圧力センサ８４が付属している。成膜室１０内の環境圧は、圧力センサ８４によって電気量として検知され、検知部８３に検知信号として送信される。
検知部８３は、例えば、検知信号をＡＤ（Analog to Digital）変換した圧力データを制御部８１に送信する。 The valve switching unit 82 as a switching unit has an output unit connected to the valves 62, 72, and 75 of each exhaust unit, and controls opening and closing of each valve in accordance with a control signal from the control unit 81.
The detection unit 83 is a part that detects the degree of vacuum in the film formation chamber 10, and is attached with a pressure sensor 84 installed in the film formation chamber 10. The environmental pressure in the film forming chamber 10 is detected as an electric quantity by the pressure sensor 84 and transmitted to the detection unit 83 as a detection signal.
For example, the detection unit 83 transmits pressure data obtained by AD (Analog to Digital) conversion of the detection signal to the control unit 81.

（被着体の概要）
図２は、被着体としての基板の概要を示す断面図である。
ここでは、被着体としての基板３０の概要について、図２を用いて説明する。
基板３０は、素子基板３１上に、反射層３３、画素電極３５、有機機能層３７、共通電極３８、第１封止層３９、第２封止層４６などが複数の絶縁層を介して積層された構成となっている。
基板３０は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置における素子基板であり、有機機能層３７が発する光を、矢印Ｌ側（第２封止層４６側）から出射する。 (Outline of adherend)
FIG. 2 is a cross-sectional view showing an outline of a substrate as an adherend.
Here, an outline of the substrate 30 as an adherend will be described with reference to FIG.
The substrate 30 is formed by laminating a reflective layer 33, a pixel electrode 35, an organic functional layer 37, a common electrode 38, a first sealing layer 39, a second sealing layer 46, and the like on a device substrate 31 via a plurality of insulating layers. It has been configured.
The substrate 30 is an element substrate in a top emission type organic EL device, and emits light emitted from the organic functional layer 37 from the arrow L side (second sealing layer 46 side).

素子基板３１は、ガラス基板や、石英基板などから構成され、その表示領域における上層には、各画素電極３５を駆動するためのスイッチング素子や、走査線、データ線などの配線を含む素子層（図示せず）が形成されている。
素子基板３１の素子層上には、感光性樹脂からなる絶縁層３２が積層されている。
絶縁層３２上には、各画素電極３５と重なるように複数の反射層３３が形成されている。また、反射層３３を含む絶縁層３２の上層には、絶縁層３４が形成されている。
絶縁層３４上には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極からなる複数の画素電極３５がマトリックス状に形成されている。また、隣り合う画素電極３５間の間隙には、断面が台形状の隔壁３６が平面視において格子状に形成されている。隔壁３６は、ブラックマトリックスである。 The element substrate 31 is composed of a glass substrate, a quartz substrate, or the like, and an upper layer in the display region is an element layer (including a switching element for driving each pixel electrode 35 and wirings such as scanning lines and data lines). (Not shown) is formed.
On the element layer of the element substrate 31, an insulating layer 32 made of a photosensitive resin is laminated.
A plurality of reflective layers 33 are formed on the insulating layer 32 so as to overlap the pixel electrodes 35. An insulating layer 34 is formed on the insulating layer 32 including the reflective layer 33.
On the insulating layer 34, a plurality of pixel electrodes 35 made of transparent electrodes such as ITO (Indium Tin Oxide) are formed in a matrix. In addition, partition walls 36 having a trapezoidal cross section are formed in a lattice shape in a plan view in the gap between adjacent pixel electrodes 35. The partition wall 36 is a black matrix.

画素電極３５、および隔壁３６上には、有機機能層３７が積層されている。図２においては、簡略化のため有機機能層３７を１層で示しているが、複数層から形成されている。具体的には、例えば、トリアリールアミン（ＡＴＰ）多量体からなる正孔注入層と、ＴＰＤ（トリフェニルジアミン）系材料からなる正孔輸送層と、アントラセン系ドーパントやルブレン系ドーパントを含むスチリルアミン系材料（ホスト）からなる発光層と、アルミニウムキノリノール（Ａｌｑ３）からなる電子注入層とを、この順に積層した積層体となっている。また、電子注入層上に、ＬｉＦからなる電子注入バッファ層がさらに形成されることもある。
有機機能層３７上には、ＭｇＡｇなどの略透明な金属薄膜層からなる共通電極３８が形成されている。 An organic functional layer 37 is laminated on the pixel electrode 35 and the partition wall 36. In FIG. 2, the organic functional layer 37 is shown as a single layer for simplification, but is formed of a plurality of layers. Specifically, for example, a hole injection layer made of a triarylamine (ATP) multimer, a hole transport layer made of a TPD (triphenyldiamine) material, and a styrylamine containing an anthracene dopant or a rubrene dopant. A light emitting layer made of a system material (host) and an electron injection layer made of aluminum quinolinol (Alq3) are laminated in this order. In addition, an electron injection buffer layer made of LiF may be further formed on the electron injection layer.
On the organic functional layer 37, a common electrode 38 made of a substantially transparent metal thin film layer such as MgAg is formed.

第１封止層３９は、共通電極３８、および表示領域の外側における素子基板３１を覆って形成されている。
第１封止層３９の表示領域上には、樹脂からなる絶縁層４５が形成されている。
第２封止層４６は、絶縁層４５、および表示領域の外側における第１封止層３９を覆って形成されている。
ここで、第１封止層３９、および第２封止層４６は、シリコン窒化膜、またはシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる封止層である。これらの封止層を形成する際には、図１に示すように、第１封止層３９、または第２封止層４６を形成する前の基板３０を、素子基板３１側を下にして支持台２０にセットする。
本実施形態の成膜装置１００によれば、後述する通り、有機機能層３７の水分を十分に除去した上で、これらの封止層を形成することができる。 The first sealing layer 39 is formed so as to cover the common electrode 38 and the element substrate 31 outside the display region.
On the display area of the first sealing layer 39, an insulating layer 45 made of resin is formed.
The second sealing layer 46 is formed to cover the insulating layer 45 and the first sealing layer 39 outside the display area.
Here, the first sealing layer 39 and the second sealing layer 46 are sealing layers made of a silicon nitride film or a silicon oxide film (SiO 2 ). When forming these sealing layers, as shown in FIG. 1, the substrate 30 before forming the first sealing layer 39 or the second sealing layer 46 is placed with the element substrate 31 side down. Set on the support base 20.
According to the film forming apparatus 100 of the present embodiment, as described later, these sealing layers can be formed after sufficiently removing moisture from the organic functional layer 37.

（成膜工程）
図３は、成膜工程の流れを示したフローチャートである。
図４は、経時変化に伴う成膜室内の気圧変化を示すグラフである。
続いて、成膜室の減圧環境の構築を行う準備工程から、成膜工程までの成膜方法について、図３および図１を中心に、適宜図４を交えながら説明する。
なお、以下説明する各工程は、制御部８１（図１）の記憶部に記憶されている成膜プログラムが実行されることによって行われ、既に、操作者によって制御部８１の操作部に封止層の材質や、膜厚などの成膜情報が入力されているものとする。また、封止層としてシリコン窒化膜を形成する場合について、説明する。 (Film formation process)
FIG. 3 is a flowchart showing the flow of the film forming process.
FIG. 4 is a graph showing changes in atmospheric pressure in the film forming chamber with time.
Subsequently, a film forming method from a preparation process for constructing a reduced pressure environment of the film forming chamber to a film forming process will be described with reference to FIGS. 3 and 1 and FIG. 4 as appropriate.
In addition, each process demonstrated below is performed by running the film-forming program memorize | stored in the memory | storage part of the control part 81 (FIG. 1), and it has already sealed the operation part of the control part 81 by the operator. It is assumed that film formation information such as layer material and film thickness is input. A case where a silicon nitride film is formed as the sealing layer will be described.

ステップＳ１では、バルブ切換部８２により、バルブ６２，７２が閉じられるとともに、バルブ７５が開かれ、成膜室１０内を第２ポンプ７６によって粗引きするための準備が行われる。
ステップＳ２では、第２ポンプ７６により、成膜室１０内の粗引きが行われる。
第２ポンプによる粗引きは、図４のグラフａに示すように、成膜室１０内の気圧が略５×１０1Ｐａになるまで行われる。なお、気圧の検知は、検知部８３からの圧力データにより行われている。
ステップＳ３では、第２排気手段７０から第１排気手段６０への排気系の切換えが行われる。具体的には、バルブ切換部８２により、バルブ７５が閉じられるとともに、バルブ６２が開かれ、クライオポンプ６３による本引きの準備が行われる。 In step S <b> 1, the valves 62 and 72 are closed and the valve 75 is opened by the valve switching unit 82, and preparation for roughing the film forming chamber 10 by the second pump 76 is performed.
In step S <b> 2, roughing in the film forming chamber 10 is performed by the second pump 76.
Roughing by the second pump is performed until the atmospheric pressure in the film forming chamber 10 becomes approximately 5 × 10 1 Pa, as shown by graph a in FIG. The atmospheric pressure is detected based on pressure data from the detection unit 83.
In step S3, switching of the exhaust system from the second exhaust means 70 to the first exhaust means 60 is performed. Specifically, the valve switching unit 82 closes the valve 75 and opens the valve 62 to prepare for the main pulling by the cryopump 63.

ステップＳ４では、クライオポンプ６３により、成膜室１０内の本引きが行われる。クライオポンプは、気体の分子、特に水や水素などの質量の軽い分子を効率的に凝縮、および吸着することができるため、成膜室１０内の水分を十分に除去することができる。
クライオポンプ６３による本引きは、図４のグラフｂに示すように、成膜室１０内の気圧が略５×１０-3Ｐａになるまで行われる。なお、５×１０-3Ｐａは、放電許容気圧であり、この気圧以下になれば、プラズマ放電が行えるという目安である。また、実際の成膜は、封止膜の材質や、膜厚などの成膜条件に応じて、放電許容気圧よりも低い気圧、換言すれば、より真空度の高い状態で行われる場合もある。 In step S <b> 4, the main pulling in the film forming chamber 10 is performed by the cryopump 63. Since the cryopump can efficiently condense and adsorb gas molecules, particularly light-mass molecules such as water and hydrogen, the moisture in the film formation chamber 10 can be sufficiently removed.
The main pulling by the cryopump 63 is performed until the atmospheric pressure in the film forming chamber 10 becomes approximately 5 × 10 −3 Pa as shown in the graph b of FIG. Note that 5 × 10 −3 Pa is a discharge allowable atmospheric pressure, and is a standard that plasma discharge can be performed if the atmospheric pressure becomes lower than this atmospheric pressure. In addition, actual film formation may be performed at a pressure lower than the discharge allowable atmospheric pressure, in other words, at a higher degree of vacuum, depending on the material of the sealing film and the film formation conditions such as the film thickness. .

ステップＳ５では、第１排気手段６０から第２排気手段７０への排気系の切換えが行われる。具体的には、バルブ切換部８２により、バルブ６２が閉じられるとともに、バルブ７２が開かれ、第１ポンプ７３および第２ポンプ７６による成膜時における排気の準備が行われる。
ステップＳ６では、ガス供給管５０から窒素ガスをプラズマ室４０に供給するとともに、ガス供給管５５からシランガス（ＳｉＨ4）を成膜室１０内に供給する。また、並行して原料ガスを含む成膜室１０内のガスを第１ポンプ７３および第２ポンプ７６によって排気する。
これにより、プラズマ照射された窒素ガスがラジカル反応によってイオン化し、基板３０に当たり、また、並行して活性化した窒素プラズマに衝突したシランガスが分解するなどの化学反応が生じ、基板３０の表面に、窒化膜が形成される。つまり、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって、窒化膜が形成される。 In step S5, switching of the exhaust system from the first exhaust means 60 to the second exhaust means 70 is performed. Specifically, the valve switching unit 82 closes the valve 62 and opens the valve 72 to prepare for exhaust during film formation by the first pump 73 and the second pump 76.
In step S 6, nitrogen gas is supplied from the gas supply pipe 50 to the plasma chamber 40, and silane gas (SiH 4 ) is supplied from the gas supply pipe 55 into the film forming chamber 10. In parallel, the gas in the film forming chamber 10 containing the source gas is exhausted by the first pump 73 and the second pump 76.
Thereby, the nitrogen gas irradiated with the plasma is ionized by a radical reaction and hits the substrate 30, and a chemical reaction such as decomposition of the silane gas colliding with the nitrogen plasma activated in parallel occurs, and on the surface of the substrate 30, A nitride film is formed. That is, a nitride film is formed by ECR plasma CVD.

上述した通り、本実施形態に係る成膜装置１００、および成膜方法によれば、以下の効果を得ることができる。
第２ポンプ７６による粗引きの後に、排気手段を切換えてクライオポンプ６３による本引きを行うことにより、成膜室１０内の水分を十分に除去することができる。
これにより、当該環境下にセットされている有機機能層３７（図２）を含む基板３０の水分も十分に除去されるため、有機機能層３７や、共通電極３８の劣化を防止することができる。さらに、水分が除去された状態で、無機材料からなる封止層が形成されるため、基板３０を備えた有機ＥＬ装置の信頼性を高めることができる。
特に、１系統の機械的な排気系（排気手段１７０）しか備えていなかったため十分な水分除去が困難であった従来の成膜装置（図６）と異なり、成膜装置１００によれば、従来の排気系と同様な第２排気手段７０に加えて、クライオポンプ６３を含む凝縮、および吸着作用によるもう一つの排気系（第１排気手段６０）を設けたことにより、成膜室１０内の十分な水分除去を可能とした。 As described above, according to the film forming apparatus 100 and the film forming method according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
After the roughing by the second pump 76, by switching the exhaust means and performing the main drawing by the cryopump 63, the water in the film forming chamber 10 can be sufficiently removed.
Thereby, the moisture of the substrate 30 including the organic functional layer 37 (FIG. 2) set in the environment is also sufficiently removed, so that deterioration of the organic functional layer 37 and the common electrode 38 can be prevented. . Furthermore, since the sealing layer made of an inorganic material is formed in a state where moisture is removed, the reliability of the organic EL device including the substrate 30 can be improved.
In particular, unlike the conventional film forming apparatus (FIG. 6) in which only one mechanical exhaust system (exhaust means 170) is provided, and thus it is difficult to sufficiently remove moisture, the film forming apparatus 100 has a conventional structure. In addition to the second exhaust means 70 similar to the exhaust system of FIG. 1, another exhaust system (first exhaust means 60) by condensation and adsorption action including a cryopump 63 is provided. Sufficient water removal was possible.

また、一般的にＣＶＤ装置では、原料ガスの供給と並行して排気も行う必要があるため、溜め込み式のクライオポンプが用いられることはなかったが、成膜装置１００によれば、クライオポンプ６３を含む第１排気手段６０と、第２排気手段７０とを、バルブ切換部８２によって、切換え可能に構成したことにより、これを実現することができる。
具体的には、第１排気手段６０による水分除去が終わった後で、バルブ切換部８２によって第１排気手段６０から第２排気手段７０に切換えることにより、十分な水分除去と、成膜時におけるガスの排気とを両立させている。
従って、水分を十分に除去した状態でＣＶＤなどの気相成長法による成膜を行うことが可能な成膜装置１００を提供することができる。 In general, a CVD apparatus needs to perform evacuation in parallel with the supply of the raw material gas, so that a reservoir type cryopump has not been used. However, according to the film forming apparatus 100, the cryopump 63 is used. This can be realized by configuring the first exhaust means 60 including the second exhaust means 70 and the second exhaust means 70 to be switchable by the valve switching portion 82.
Specifically, after the moisture removal by the first exhaust means 60 is completed, the valve switching unit 82 switches from the first exhaust means 60 to the second exhaust means 70, thereby sufficiently removing moisture and at the time of film formation. It is compatible with gas exhaust.
Therefore, it is possible to provide the film formation apparatus 100 that can perform film formation by a vapor deposition method such as CVD in a state where moisture is sufficiently removed.

さらに、成膜装置１００によれば、ＴＭＰによって本引きを行っていた従来の成膜装置（図６）よりも早く、成膜室１０内を放電許容気圧とすることができる。
図４のグラフｃ（破線）は、従来の成膜装置２００による本引きの一態様を示しており、成膜装置１００による本引きの様子を示したグラフｂ（粗引き開始から放電許容気圧まで約３時間）よりも、放電許容気圧（５×１０-3Ｐａ）に達するまでの時間（同約５時間）が長くなっている。なお、粗引きまでの時間は略同一である。また、これらの時間は、成膜室１０の大きさや、各ポンプの性能によって変化するが、成膜装置１００の方が、早く放電許容気圧となることは共通している。
これは、粗引き後の環境から、到達真空度をさらに高めるためには、水や水素などの質量の軽い分子を効率的に除去することが重要であり、クライオポンプ６３を用いた成膜装置１００の優位性を示す一つの指標である。
従って、成膜装置１００によれば、従来の成膜装置２００よりも製造効率良く、成膜を行うことができる。 Furthermore, according to the film forming apparatus 100, the inside of the film forming chamber 10 can be set to the discharge allowable pressure earlier than the conventional film forming apparatus (FIG. 6) in which the main pulling is performed by TMP.
A graph c (broken line) in FIG. 4 shows one mode of main pulling by the conventional film forming apparatus 200, and a graph b (from roughing start to discharge allowable pressure) showing a state of main pulling by the film forming apparatus 100. The time until the discharge allowable pressure (5 × 10 −3 Pa) is reached (about 5 hours) is longer than about 3 hours). In addition, the time until roughing is substantially the same. In addition, these times vary depending on the size of the film forming chamber 10 and the performance of each pump, but it is common that the film forming apparatus 100 quickly reaches the discharge allowable pressure.
In order to further increase the ultimate vacuum from the environment after roughing, it is important to efficiently remove light molecules such as water and hydrogen, and the film forming apparatus using the cryopump 63 It is one index showing the superiority of 100.
Therefore, according to the film forming apparatus 100, film formation can be performed with higher manufacturing efficiency than the conventional film forming apparatus 200.

また、本発明者等による別の実験でも、クライオポンプの優位性を示すデータが取得されている。
具体的には、成膜装置１００において、第２ポンプ７６で粗引きを行った後、バルブ７５を閉めるとともに、バルブ７２を開けて、第１ポンプ７３（ＴＭＰ）および第２ポンプ７６により能力の限界近くまで本引きを行った。この際、バルブ６２は閉じたままであり、クライオポンプ６３は使用しなかった。このときの、到達真空度は、５．８×１０-4Ｐａであった。
その後、バルブ７２を閉めるとともに、バルブ６２を開けて、クライオポンプ６３による吸着を行った。その結果、到達真空度は、３．５７×１０-4Ｐａまで下がった。
これは、ＴＭＰで限界近くまで本引きした状態であっても、成膜室１０内には水分を含む軽元素が残留していることを示すとともに、これらの残留元素をクライオポンプ６３によって除去できることを示している。 In another experiment by the present inventors, data indicating the superiority of the cryopump has been acquired.
Specifically, in the film forming apparatus 100, after roughing is performed by the second pump 76, the valve 75 is closed and the valve 72 is opened, so that the first pump 73 (TMP) and the second pump 76 can perform the capability. The main draw was done to the limit. At this time, the valve 62 remained closed, and the cryopump 63 was not used. At this time, the ultimate vacuum was 5.8 × 10 −4 Pa.
Thereafter, the valve 72 was closed and the valve 62 was opened to perform adsorption by the cryopump 63. As a result, the ultimate vacuum decreased to 3.57 × 10 −4 Pa.
This indicates that light elements including moisture remain in the film forming chamber 10 even in a state where the film is pulled to near the limit by TMP, and these residual elements can be removed by the cryopump 63. Is shown.

また、成膜装置１００は、空洞共振器として機能するプラズマ室４０などを備えており、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いているため、例えば、１００℃以下の低温環境下での成膜が可能であるため、高温による有機機能層３７などの劣化を防止することができる。
また、例えば、スパッタリング法などによる封止層の形成と異なり、表面および側面の膜厚差が小さくステップガバレッジの良い封止膜を形成することができる。 In addition, the film forming apparatus 100 includes a plasma chamber 40 that functions as a cavity resonator and uses the ECR plasma CVD method, and thus can form a film in a low temperature environment of, for example, 100 ° C. or less. Therefore, deterioration of the organic functional layer 37 and the like due to high temperature can be prevented.
In addition, for example, unlike the formation of a sealing layer by a sputtering method or the like, it is possible to form a sealing film with a small difference in film thickness between the surface and side surfaces and good step coverage.

なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications and improvements can be added to the above-described embodiment. A modification will be described below.

＜変形例１＞
前記実施形態においては、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いた成膜装置１００、および成膜方法に本願を適用した場合について説明したが、これに限定するものではない。成膜室１０内を減圧した後に、当該室内に原料ガスを供給するとともに、成膜後のガスを排気するプロセスを含む成膜方法、および成膜装置、換言すれば、気相成長法による成膜方法、および成膜装置であれば、本願を適用することができる。
例えば、成膜装置１００は、減圧ＣＶＤ法、または、ＲＦ（Radio Frequency）プラズマ法、ＩＣＰ（Inductively Coupled）プラズマ法に対応した構成であっても良い。これらの装置であっても、２つの排気手段、および切換手段などの本願の特徴ある構成を備え、図３の成膜方法を行う成膜装置であれば、前記実施形態と同様な作用および効果を得ることができる。 <Modification 1>
In the above embodiment, the case where the present application is applied to the film forming apparatus 100 using the ECR plasma CVD method and the film forming method has been described, but the present invention is not limited to this. After depressurizing the inside of the film forming chamber 10, a film forming method and a film forming apparatus including a process of supplying a source gas into the chamber and exhausting the gas after the film forming, in other words, by a vapor deposition method. The present application can be applied to any film method and film forming apparatus.
For example, the film forming apparatus 100 may have a configuration corresponding to a low pressure CVD method, an RF (Radio Frequency) plasma method, or an ICP (Inductively Coupled) plasma method. Even if these apparatuses are provided with the characteristic configuration of the present application such as two exhaust means and a switching means and perform the film forming method of FIG. Can be obtained.

＜変形例２＞
図５は、本変形例に係る薄膜形成システムの概略構成図である。
ここでは、本願の成膜装置１００を含み、図２の基板３０を形成するための複数の薄膜形成装置を備えたマルチチャンバー方式の薄膜形成システム３００について図５を中心に、適宜図１、および図２を交えて説明する。
薄膜形成システム３００は、正六角形状の搬送室２５０、複数の成膜装置９７〜１０２などから構成されている。
搬送室２５０は、その室内環境を減圧状態に維持可能な真空チャンバとして構成されており、搬送室の各辺に面して、６つの成膜装置９７〜１０２がそれぞれ配置されている。
成膜装置９７〜１０２は、それぞれが基板３０の各層を形成する成膜装置であり、また、それぞれが基板３０を出し入れするためのゲート面Ｇを搬送室２５０の各辺に面するように配置されている。
例えば、成膜装置９８は、有機機能層３７を真空蒸着法によって形成する成膜装置であり、その隣の成膜装置９９は共通電極３８を真空蒸着法によって形成する成膜装置、その隣が実施形態１で説明した成膜装置１００という配置になっている。 <Modification 2>
FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a thin film forming system according to this modification.
Here, a multi-chamber thin film forming system 300 including the film forming apparatus 100 of the present application and including a plurality of thin film forming apparatuses for forming the substrate 30 of FIG. This will be described with reference to FIG.
The thin film forming system 300 includes a regular hexagonal transfer chamber 250, a plurality of film forming apparatuses 97 to 102, and the like.
The transfer chamber 250 is configured as a vacuum chamber capable of maintaining the indoor environment in a reduced pressure state, and six film forming apparatuses 97 to 102 are arranged facing each side of the transfer chamber.
Each of the film forming apparatuses 97 to 102 is a film forming apparatus that forms each layer of the substrate 30, and is arranged so that each gate surface G for taking in and out the substrate 30 faces each side of the transfer chamber 250. Has been.
For example, the film forming apparatus 98 is a film forming apparatus that forms the organic functional layer 37 by a vacuum evaporation method, and the adjacent film forming apparatus 99 is a film forming apparatus that forms the common electrode 38 by a vacuum evaporation method. The film forming apparatus 100 described in Embodiment 1 is arranged.

この構成によれば、例えば、成膜装置９９により共通電極３８を成膜した後、搬送室２５０内に設置されている搬送ロボット２５１によって基板３０を取り出すとともに、その基板を成膜装置１００にセットする工程を効率良く行うことができる。
特に、基板搬送時に、基板３０を受け渡しする各成膜装置、および搬送室２５０の環境を、例えば、図４において粗引きが完了する程度の気圧（５×１０1Ｐａ）に揃えておくことにより、基板３０が成膜装置１００にセットされた後は、本引き以降の成膜工程を行えば良いので製造効率が良い。
さらに、基板３０が外気に触れることなく、減圧環境下で移動するため、基板３０への水分付着が低減され、劣化を抑制することができる。また、搬送室２５０の形状は、成膜工程数や、成膜装置数に応じて適宜変更すれば良く、例えば、三角形や、正方形、または、５角形などの多角形に設定しても良い。 According to this configuration, for example, after the common electrode 38 is formed by the film formation apparatus 99, the substrate 30 is taken out by the transfer robot 251 installed in the transfer chamber 250 and the substrate is set in the film formation apparatus 100. The process to perform can be performed efficiently.
In particular, by aligning the environment of each film forming apparatus that delivers the substrate 30 and the transfer chamber 250 during the transfer of the substrate, for example, to an atmospheric pressure (5 × 10 1 Pa) at which roughing is completed in FIG. After the substrate 30 is set in the film forming apparatus 100, the film forming process after the main pulling may be performed, so that the manufacturing efficiency is high.
Furthermore, since the substrate 30 moves in a reduced pressure environment without being exposed to the outside air, moisture adhesion to the substrate 30 is reduced, and deterioration can be suppressed. Further, the shape of the transfer chamber 250 may be appropriately changed according to the number of film forming steps and the number of film forming apparatuses, and may be set to a polygon such as a triangle, a square, or a pentagon.

実施形態１の成膜装置の全体構成図。1 is an overall configuration diagram of a film forming apparatus according to Embodiment 1. FIG. 被着体としての基板の概要断面図。1 is a schematic cross-sectional view of a substrate as an adherend. 成膜工程の流れを示すフローチャート。The flowchart which shows the flow of a film-forming process. 成膜室内の気圧変化を示すグラフ。The graph which shows the atmospheric | air pressure change in the film-forming chamber. 変形例２の薄膜形成システムの概略構成図。The schematic block diagram of the thin film formation system of the modification 2. FIG. 従来の成膜装置の概略構成図。1 is a schematic configuration diagram of a conventional film forming apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１０…成膜室、３０…被着体としての基板、３７…有機機能層、３８…共通電極、３９…封止層としての第１封止層、４６…封止層としての第２封止層、５０，５５…ガス供給手段としてのガス供給管、６０…第１排気手段、６２，７２，７５…バルブ、６３…クライオポンプ、７０…第２排気手段、７３…第１ポンプ、７６…第２ポンプ、８０…制御手段、８１…制御部、８２…切換手段としてのバルブ切換部、１００…成膜装置。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Film-forming chamber, 30 ... Substrate as adherend, 37 ... Organic functional layer, 38 ... Common electrode, 39 ... First sealing layer as sealing layer, 46 ... Second sealing as sealing layer Layers 50, 55 ... gas supply pipes as gas supply means, 60 ... first exhaust means, 62, 72, 75 ... valves, 63 ... cryopump, 70 ... second exhaust means, 73 ... first pump, 76 ... Second pump, 80 ... control means, 81 ... control section, 82 ... valve switching section as switching means, 100 ... film forming apparatus.

Claims (5)

減圧環境下において被着体に膜を形成するための成膜装置であって、
前記被着体が収納される成膜室と、
前記成膜室内に前記膜の原料となる原料ガスを供給するガス供給手段と、
少なくとも前記成膜室内の水分を除去するための第１排気手段と、
前記成膜室内のガスを排気するための第２排気手段と、
前記第１排気手段と、前記第２排気手段とを切換える切換手段と、を備えることを特徴とする成膜装置。 A film forming apparatus for forming a film on an adherend in a reduced pressure environment,
A film forming chamber in which the adherend is stored;
A gas supply means for supplying a raw material gas to be a raw material of the film into the film forming chamber;
A first exhaust means for removing moisture in at least the film forming chamber;
A second exhaust means for exhausting the gas in the film forming chamber;
A film forming apparatus comprising: a switching unit that switches between the first exhaust unit and the second exhaust unit. 前記第１排気手段は、クライオポンプを含んで構成され、
前記第２排気手段は、メカニカルブースターポンプ、またはターボ分子ポンプを含んで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。 The first exhaust means includes a cryopump,
The film forming apparatus according to claim 1, wherein the second exhaust unit includes a mechanical booster pump or a turbo molecular pump. 前記第２排気手段において、
前記メカニカルブースターポンプ、または前記ターボ分子ポンプの後段には、バックポンプとしてドライポンプまたはロータリーポンプがさらに備えられ、
前記ドライポンプまたはロータリーポンプには、前記メカニカルブースターポンプ、または前記ターボ分子ポンプを介さずに、前記成膜室内の排気をするための排気ルートが選択可能に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の成膜装置。 In the second exhaust means,
In the subsequent stage of the mechanical booster pump or the turbo molecular pump, a dry pump or a rotary pump is further provided as a back pump,
The exhaust pump for exhausting the film forming chamber is selectively connected to the dry pump or the rotary pump without using the mechanical booster pump or the turbo molecular pump. Item 3. The film forming apparatus according to Item 2. 前記被着体は、発光層を含む有機機能層が形成された基板であり、
前記膜は、前記有機機能層を覆う封止膜であり、
前記成膜室には、前記原料ガスを活性化させるための活性化ガスにプラズマを照射するプラズマ室がさらに備えられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の成膜装置。 The adherend is a substrate on which an organic functional layer including a light emitting layer is formed,
The film is a sealing film that covers the organic functional layer,
The said film-forming chamber is further provided with the plasma chamber which irradiates plasma to the activation gas for activating the said source gas, The Claim 1 characterized by the above-mentioned. Deposition device. 第１排気手段、および第２排気手段を備えた成膜室において被着体に膜を成膜するための成膜方法であって、
前記第２排気手段によって前記成膜室内を所定の減圧環境とする工程と、
前記第２排気手段から前記第１排気手段に切換える工程と、
前記第１排気手段によって前記成膜室内の水分を除去する工程と、
前記第１排気手段から前記第２排気手段に切換える工程と、
前記成膜室内に原料ガスを供給するとともに、前記原料ガスの一部を含む前記成膜室内のガスを前記第２排気手段によって排気する成膜工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。 A film forming method for forming a film on an adherend in a film forming chamber provided with a first exhaust means and a second exhaust means,
Bringing the film forming chamber into a predetermined reduced pressure environment by the second exhaust means;
Switching from the second exhaust means to the first exhaust means;
Removing moisture in the film forming chamber by the first exhaust means;
Switching from the first exhaust means to the second exhaust means;
And a film forming step of supplying a source gas into the film forming chamber and exhausting the gas in the film forming chamber containing a part of the source gas by the second exhaust means. .
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