JP2010009998A - 発光装置、発光装置の検査装置及び検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リペア装置100は、顕微鏡102と、レンズ駆動装置103と、測距計104と、レーザ光照射部106と、制御部110と、を備える。欠陥のリペアが施される発光装置内にはレーザ光を反射する反射膜が形成されている。レーザ光照射部106から反射膜にレーザ光を照射し、測距計104によって戻り時間を計測し、反射膜の位置を算出する。反射膜の位置にリペアに用いるレーザ光の焦点位置が合うように、制御部110はレンズ駆動装置103を制御する。これにより、容易にレーザ光の焦点位置を合わせることが可能である。
【選択図】図1
Description
画素電極と、前記画素電極上に形成された有機層と、反射膜とが形成された基板を載置する載置台と、
光を照射する光照射部と、
前記光のうちの第一の光が前記光照射部から出て測距計に入るまでの時間と、前記光のうちの第二の光が前記光照射部から出て前記反射膜によって反射され再び前記測距計に戻ってくるまでの時間の差分から戻り時間を計測する計測回路と、
前記戻り時間と前記光の波長から、前記反射膜までの距離を算出する距離算出回路と、
前記距離算出回路に基づいて、駆動装置によって移動し、前記光の焦点位置を定めるレンズと、
前記反射膜の位置に前記光の焦点位置が合うように、前記レンズの前記駆動装置を制御する制御回路と、を備えることを特徴とする。
前記撮像部で撮像された画像を表示する表示部と、を更に備えてもよい。
基板上に反射膜を形成する反射膜形成工程と、
前記基板を載置台に載置する工程と、
前記反射膜に光を照射する工程と、
前記光のうちの第一の光が前記光照射部から出て測距計に入るまでの時間と、前記光のうちの第二の光が前記光照射部から出て前記反射膜によって反射され再び前記測距計に戻ってくるまでの時間の差分から戻り時間を計測する計測工程と、
前記光の前記戻り時間と前記光の波長から、前記反射膜までの距離を算出する距離算出工程と、
前記反射膜の位置に前記光の焦点位置が合うように、前記光の焦点位置を定めるレンズを、前記レンズを移動させる駆動装置の制御部によって制御し、移動させる焦点調節工程と、を備えることを特徴とする。
前記反射膜形成工程では、前記反射膜を前記有機層内に形成してもよい。
前記撮像部で撮像された画像を表示する表示工程と、を更に備えてもよい。
基板と、
前記基板上に形成された画素電極と、
前記画素電極上に形成された有機層と、
前記基板上に形成された反射膜と、
前記有機層上に形成された対向電極と、を備え、
前記反射膜は前記基板の予め定められた位置に形成され、光を反射する材料から形成されることを特徴とする。
走査ラインLsは、各画素30におけるトランジスタTr11のゲート電極11gの形成領域において断線しており、その端部は、絶縁膜32に設けられた開口部であるコンタクトホール62、63を介して下方のゲート電極11gに接続されている。
トランジスタTr11のソース電極11sは、絶縁膜32に設けられた開口部であるコンタクトホール64を介して下方のトランジスタTr12のゲート電極12gに接続されている。
以上の工程から、反射部39を有する発光装置10が製造される。
上述した実施形態では、反射部39が透明膜39aと反射膜39bとの2層構造である場合を例に挙げて説明したが、これに限られない。例えば図10に示すように、反射部は反射膜39bのみであってもよい。この場合、発光層37の中心領域は、上述した実施形態と同様に反射膜39bまでの距離を算出した上で、例えば正孔注入層36,発光層37の厚みから補正を行うことで、レーザ光の焦点の位置合わせを行う。
Claims (14)
- 画素電極と、前記画素電極上に形成された有機層と、反射膜とが形成された基板を載置する載置台と、
光を照射する光照射部と、
前記光のうちの第一の光が前記光照射部から出て測距計に入るまでの時間と、前記光のうちの第二の光が前記光照射部から出て前記反射膜によって反射され再び前記測距計に戻ってくるまでの時間の差分から戻り時間を計測する計測回路と、
前記戻り時間と前記光の波長から、前記反射膜までの距離を算出する距離算出回路と、
前記距離算出回路に基づいて、駆動装置によって移動し、前記光の焦点位置を定めるレンズと、
前記反射膜の位置に前記光の焦点位置が合うように、前記レンズの前記駆動装置を制御する制御回路と、を備えることを特徴とする発光装置の検査装置。 - 前記反射膜は前記画素電極上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置の検査装置。
- 前記反射膜は、前記画素電極上に透光性を有する透光性膜を介して形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置の検査装置。
- 前記反射膜は前記有機層内に形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光装置の検査装置。
- 前記基板を撮像する撮像部と、
前記撮像部で撮像された画像を表示する表示部と、を更に備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の発光装置の検査装置。 - 基板上に反射膜を形成する反射膜形成工程と、
前記基板を載置台に載置する工程と、
前記反射膜に光を照射する工程と、
前記光のうちの第一の光が前記光照射部から出て測距計に入るまでの時間と、前記光のうちの第二の光が前記光照射部から出て前記反射膜によって反射され再び前記測距計に戻ってくるまでの時間の差分から戻り時間を計測する計測工程と、
前記光の前記戻り時間と前記光の波長から、前記反射膜までの距離を算出する距離算出工程と、
前記反射膜の位置に前記光の焦点位置が合うように、前記光の焦点位置を定めるレンズを、前記レンズを移動させる駆動装置の制御部によって制御し、移動させる焦点調節工程と、を備えることを特徴とする発光装置の検査方法。 - 前記反射膜形成工程では、前記反射膜を前記基板上に形成された画素電極上に形成することを特徴とする請求項6に記載の発光装置の検査方法。
- 前記反射膜形成工程では、前記基板上に形成された透光性を有する透光性膜上に前記反射膜を形成することを特徴とする請求項6又は7に記載の発光装置の検査方法。
- 前記画素電極上には、有機層が形成され、
前記反射膜形成工程では、前記反射膜を前記有機層内に形成することを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載の発光装置の発光装置の検査方法。 - 前記基板を撮像する撮像工程と、
前記撮像部で撮像された画像を表示する表示工程と、を更に備えることを特徴とする請求項6乃至9のいずれか1項に記載の発光装置の検査方法。 - 基板と、
前記基板上に形成された画素電極と、
前記画素電極上に形成された有機層と、
前記画素基板上に形成された反射膜と、
前記有機層上に形成された対向電極と、を備え、
前記反射膜は前記基板の予め定められた位置に形成され、光を反射する材料から形成されることを特徴とする発光装置。 - 前記反射膜は前記画素電極上に形成されていることを特徴とする請求項11に記載の発光装置。
- 前記反射膜は、前記画素電極上に透光性を有する透光性膜を介して形成されていることを特徴とする請求項11又は12に記載の発光装置。
- 前記反射膜は前記有機層内に形成されていることを特徴とする請求項11乃至13のいずれか1項に記載の発光装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102738415A (zh) * | 2011-04-15 | 2012-10-17 | 松下电器产业株式会社 | 有机电致发光显示器的制造方法 |
CN102845132A (zh) * | 2011-04-12 | 2012-12-26 | 松下电器产业株式会社 | 有机el元件的制造方法和激光焦点位置设定方法 |
KR101829889B1 (ko) * | 2011-05-31 | 2018-02-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 자동초점조절장치 및 이를 이용한 자동초점조절방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003115393A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-04-18 | Sony Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法、画像表示装置 |
JP2003178871A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-06-27 | Sony Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法及びその装置 |
JP2006010693A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Polytec Gmbh | 物体の光学的測定を行うための装置及びその装置を用いた測定方法 |
JP2006237014A (ja) * | 2006-04-11 | 2006-09-07 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機el発光素子およびその製造方法 |
JP2007042498A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Aitesu:Kk | 有機elレーザリペア方法及びレーザリペア装置 |
JP2008034264A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | El表示装置のレーザリペア方法、el表示装置のレーザリペア装置、プログラム、および記録媒体 |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003115393A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-04-18 | Sony Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法、画像表示装置 |
JP2003178871A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-06-27 | Sony Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法及びその装置 |
JP2006010693A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Polytec Gmbh | 物体の光学的測定を行うための装置及びその装置を用いた測定方法 |
JP2007042498A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Aitesu:Kk | 有機elレーザリペア方法及びレーザリペア装置 |
JP2006237014A (ja) * | 2006-04-11 | 2006-09-07 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機el発光素子およびその製造方法 |
JP2008034264A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | El表示装置のレーザリペア方法、el表示装置のレーザリペア装置、プログラム、および記録媒体 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102845132A (zh) * | 2011-04-12 | 2012-12-26 | 松下电器产业株式会社 | 有机el元件的制造方法和激光焦点位置设定方法 |
JP5653944B2 (ja) * | 2011-04-12 | 2015-01-14 | パナソニック株式会社 | 有機el素子の製造方法及びレーザー焦点位置設定方法 |
CN102738415A (zh) * | 2011-04-15 | 2012-10-17 | 松下电器产业株式会社 | 有机电致发光显示器的制造方法 |
US8647163B2 (en) | 2011-04-15 | 2014-02-11 | Panasonic Corporation | Method of manufacturing organic EL display |
KR101829889B1 (ko) * | 2011-05-31 | 2018-02-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 자동초점조절장치 및 이를 이용한 자동초점조절방법 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP5045581B2 (ja) | 2012-10-10 |
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