JP2010008677A

JP2010008677A - Image display apparatus

Info

Publication number: JP2010008677A
Application number: JP2008167445A
Authority: JP
Inventors: Shinya Kadowaki; 真也門脇
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2008-06-26
Filing date: 2008-06-26
Publication date: 2010-01-14

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an image display apparatus whose frame area can be made smaller. <P>SOLUTION: The image display apparatus 100 includes a first substrate 10, a second substrate 20, and a display medium layer 22. The image display apparatus 100 is so constituted that: a terminal electrode 11 electrically connected to a terminal 42 of a wiring board 40 is formed on the first substrate 10; the terminal electrode 11 is arranged in a peripheral region 60 of the image display apparatus 100; an opening 15 exposing the rear side 11b of the terminal electrode 11 is formed on the rear side 10b of the first electrode 10; an insulation film 14 is formed on the surface 11a of the terminal electrode 11; and an active driving element 30 is formed on the insulation film 14 above the area where the terminal electrode 11 exists. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、画像表示装置（例えば、液晶表示装置）及びその製造方法に関する。 The present invention relates to an image display device (for example, a liquid crystal display device) and a manufacturing method thereof.

近年、薄型で軽量、かつ低消費電力である利点を有するディスプレイとして、液晶表示装置が注目されている。液晶表示装置は、２枚の透光性基板と、その間に封入された液晶層とから構成されている。液晶表示装置の中でも、特に、マトリクス状に配置された各画素電極毎に薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ］と称する）等の半導体素子を設け、各画素電極を制御するようにしたアクティブマトリクス型液晶表示装置が、解像度に優れ、鮮明な画像を得ることができる等の理由で注目されている。 In recent years, a liquid crystal display device has attracted attention as a display having an advantage of being thin, light, and having low power consumption. The liquid crystal display device is composed of two translucent substrates and a liquid crystal layer sealed therebetween. Among liquid crystal display devices, in particular, an active matrix type liquid crystal display in which a semiconductor element such as a thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT”) is provided for each pixel electrode arranged in a matrix and each pixel electrode is controlled. The apparatus has been attracting attention because it has excellent resolution and can obtain a clear image.

従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置に用いられる半導体素子としては、非晶質シリコン薄膜からなるＴＦＴが知られており、現在このＴＦＴを搭載したアクティブマトリクス型液晶表示装置が数多く商品化されている。さらに、この非晶質シリコン薄膜を用いたＴＦＴに代わる半導体素子として、画素電極を駆動させるための画素用ＴＦＴと、その画素用ＴＦＴを駆動させるためのＴＦＴ等からなる駆動回路部を一つの基板上に一体形成することができる可能性を持った多結晶シリコン薄膜を用いたＴＦＴを作製する技術に大きな注目が集まっている（例えば、特許文献１〜３等参照）。 As a semiconductor element used in a conventional active matrix liquid crystal display device, a TFT made of an amorphous silicon thin film is known, and many active matrix liquid crystal display devices on which this TFT is mounted are commercialized. Further, as a semiconductor element that replaces the TFT using the amorphous silicon thin film, a driving circuit unit including a pixel TFT for driving the pixel electrode and a TFT for driving the pixel TFT is provided on one substrate. A great deal of attention has been focused on a technique for manufacturing a TFT using a polycrystalline silicon thin film that can be integrally formed thereon (see, for example, Patent Documents 1 to 3).

多結晶シリコン薄膜は、従来のＴＦＴに用いられている非晶質シリコン薄膜に比べて高移動度を有しているので、高性能なＴＦＴを形成することが可能である。また、画素用ＴＦＴを駆動させるための駆動回路部を一つの安価なガラス基板等の上に一体形成することができるので、ＩＣやＬＳＩから構成される駆動回路基板を取り付ける必要がなくなる。このような駆動回路基板は、システム・オン・グラス（ＳＯＧ）と呼ばれることがあり、そのような駆動回路基板を備えた液晶表示装置は、駆動回路一体型液晶表示装置と呼ばれる場合がある。
特開２０００−２６７５９０号公報特開２００６−１５４８５３号公報国際公開公報ＷＯ０１／００８１２８号 Since the polycrystalline silicon thin film has a higher mobility than the amorphous silicon thin film used in the conventional TFT, a high performance TFT can be formed. In addition, since a driving circuit unit for driving the pixel TFT can be integrally formed on one inexpensive glass substrate or the like, there is no need to attach a driving circuit substrate made of IC or LSI. Such a drive circuit board is sometimes called system-on-glass (SOG), and a liquid crystal display device including such a drive circuit board is sometimes called a drive circuit integrated liquid crystal display device.
JP 2000-267590 A JP 2006-154853 A International Publication No. WO01 / 008128

図１２は、従来の液晶表示装置１０００を示している。図１２（ａ）は、液晶表示装置１０００の上面図であり、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）中のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。 FIG. 12 shows a conventional liquid crystal display device 1000. FIG. 12A is a top view of the liquid crystal display device 1000, and FIG. 12B is a cross-sectional view taken along the line B-B 'in FIG.

図１２に示した液晶表示装置１０００は、ＴＦＴが形成されたガラス基板（ＴＦＴ基板）１１０と、対向基板１２０と、両基板（１１０，１２０）に挟まれた液晶層（不図示）とから構成されている。ＴＦＴ基板１１０には、画像表示領域１５０と、画像表示領域１５０の周辺に位置する額縁領域１６０とがある。ＴＦＴ基板１１０の画像表示領域１５０には画素用ＴＦＴが形成されており、そして、額縁領域１６０には、ＴＦＴから引き出された配線を含む配線パターン領域（引き回し配線を含む）１６２が形成されている。この配線パターン領域１６２の一部に、駆動用ＴＦＴが形成されている。
ＴＦＴ基板１１０は、対向基板１２０よりも張り出した張出部１１５が存在しており、その張出部１１５には、配線パターン領域１６２から延びた配線（不図示）に電気的に接続された端子電極１１１が配列されている。そして、張出部１１５上の端子電極１１１には、配線基板（例えば、フレキシブルプリント配線板）１４０の端子が接続される。 A liquid crystal display device 1000 shown in FIG. 12 includes a glass substrate (TFT substrate) 110 on which TFTs are formed, a counter substrate 120, and a liquid crystal layer (not shown) sandwiched between both substrates (110, 120). Has been. The TFT substrate 110 has an image display area 150 and a frame area 160 located around the image display area 150. A pixel TFT is formed in the image display area 150 of the TFT substrate 110, and a wiring pattern area (including a lead-out wiring) 162 including wiring drawn from the TFT is formed in the frame area 160. . A driving TFT is formed in a part of the wiring pattern region 162.
The TFT substrate 110 has a protruding portion 115 protruding from the counter substrate 120, and the protruding portion 115 is a terminal electrically connected to a wiring (not shown) extending from the wiring pattern region 162. Electrodes 111 are arranged. A terminal of a wiring board (for example, a flexible printed wiring board) 140 is connected to the terminal electrode 111 on the overhang portion 115.

額縁領域１６０は、表示には直接寄与しない部分であるので、小型（特に、狭額縁）の液晶表示装置を実現する上では小さいほど望ましい。特許文献２には、配線パターン領域（１６２）のレイアウトを工夫することによってその領域の面積を小さくし、その結果、額縁領域１６０を小さくする方法が開示されている。
しかしながら、図１２に示すように、端子電極１１１は、張出部１１５上に形成されているので、配線パターン領域１６２の面積を小さくしたとしても、端子電極１１１を含めた額縁領域１６０を小さくするには限界がある。すなわち、液晶表示装置１０００と配線基板１４０との両者を電気的に接続するためには、張出部１１５上に形成された端子電極１１１が必要であり、その分、額縁領域１６０は大きくなってしまう。 Since the frame region 160 is a portion that does not directly contribute to display, it is preferable that the frame region 160 is smaller in order to realize a small-sized (particularly, narrow frame) liquid crystal display device. Patent Document 2 discloses a method of reducing the area of the wiring pattern region (162) by devising the layout, thereby reducing the frame region 160.
However, as shown in FIG. 12, since the terminal electrode 111 is formed on the overhanging portion 115, even if the area of the wiring pattern region 162 is reduced, the frame region 160 including the terminal electrode 111 is reduced. Has its limits. That is, in order to electrically connect both the liquid crystal display device 1000 and the wiring board 140, the terminal electrode 111 formed on the overhanging portion 115 is necessary, and the frame region 160 becomes larger accordingly. End up.

特許文献３には、ＴＦＴ基板１１０の端子電極１１１の下に貫通孔を設けてその貫通孔に導電部材を充填した上で、その導電部材を介して、ＴＦＴ基板１１０の端子電極１１１と、ＴＦＴ基板１１０の裏面全面を覆うように配置された配線基板１４０の端子とを電気的に接続する技術が開示されている（特許文献３の図１３参照）。同文献には、ＴＦＴ基板１１０の張出部１１５上に、集積回路チップ（ＩＣチップ）を実装する構成が開示されており、加えて、同文献は、そのＩＣチップに代えて、駆動用ＴＦＴなどの集積回路をＴＦＴ基板１１０の表面上に直接に作り込んでよいことも開示している。 In Patent Document 3, a through-hole is provided under the terminal electrode 111 of the TFT substrate 110 and the through-hole is filled with a conductive member, and then the terminal electrode 111 of the TFT substrate 110 and the TFT are interposed through the conductive member. A technique for electrically connecting terminals of a wiring board 140 disposed so as to cover the entire back surface of the substrate 110 is disclosed (see FIG. 13 of Patent Document 3). This document discloses a configuration in which an integrated circuit chip (IC chip) is mounted on the overhanging portion 115 of the TFT substrate 110. In addition, the document discloses a driving TFT instead of the IC chip. It is also disclosed that an integrated circuit such as the above may be formed directly on the surface of the TFT substrate 110.

しかしながら、特許文献３に開示された技術を用いて、ＴＦＴ基板１１０の張出部１１５の表面に、駆動用ＴＦＴなどの駆動回路を直接に形成したとすれば、次のような問題が生じ得る。すなわち、ＴＦＴ基板の張出部１１５に駆動回路を形成した後に、端子電極１１１の裏面が露出するように正確に貫通孔を形成する必要があり、もし、正確な位置に貫通孔を形成できなければ、駆動回路の損傷を招き、その結果、液晶表示装置１０００が不良になるという問題が生じる。また、端子電極１１１の裏面を露出させる貫通孔に導電部材を充填した後に、その導電部材を有するガラス基板を用いて、その基板の表面に駆動回路を直接形成する場合、貫通孔および導電部材の存在により、駆動回路を形成するプロセスに新たな制約条件が加わってしまうという問題も生じ得る。 However, if a driving circuit such as a driving TFT is directly formed on the surface of the overhanging portion 115 of the TFT substrate 110 using the technique disclosed in Patent Document 3, the following problems may occur. . That is, after forming the drive circuit on the overhanging portion 115 of the TFT substrate, it is necessary to accurately form the through hole so that the back surface of the terminal electrode 111 is exposed. If the through hole cannot be formed at an accurate position. As a result, the drive circuit is damaged, and as a result, the liquid crystal display device 1000 becomes defective. In addition, when a through hole that exposes the back surface of the terminal electrode 111 is filled with a conductive member, and a drive circuit is directly formed on the surface of the substrate using a glass substrate having the conductive member, the through hole and the conductive member Due to the existence, there may be a problem that a new constraint condition is added to the process of forming the drive circuit.

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、額縁領域を小さくすることができる画像表示装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of such a point, and a main object thereof is to provide an image display device capable of reducing a frame area.

本発明に係る画像表示装置は、第１基板と、前記第１基板に対向して配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた表示媒体層とを備えた画像表示装置であり、前記第１基板は、前記第２基板側に面する表面と、前記表面と反対の面となる裏面とを有しており、前記第１基板の前記表面には、配線基板の端子と電気的に接続される端子電極が形成されており、前記端子電極は、前記画像表示装置の画像表示領域よりも周囲に位置する周辺領域に配置されており、前記端子電極は、前記第２基板側に面する表面と、前記表面と反対の面となる裏面とを有しており、前記第１基板の前記裏面には、前記端子電極の裏面を露出する開口部が形成されており、前記端子電極の前記表面の上には、絶縁膜が形成されており、前記端子電極が存在する領域の上方における前記絶縁膜の上には、前記表示媒体層を駆動するアクティブ駆動素子が形成されている。
ある好適な実施形態において、前記開口部には、導電材料が充填されており、前記端子電極は、前記導電材料を介して、前記配線基板の端子に電気的に接続されている。
ある好適な実施形態において、前記第１基板と前記第２基板とは互いに、当該基板の法線方向から見て、同様の寸法を有している。
前記端子電極は、Ａｕ（金）、Ｔｉ（チタン）およびＷ（タングステン）からなる群から選択される少なくとも一つの材料から構成されていることが好ましい。
前記第１基板の表面には、前記端子電極が形成された面と同じ面において、アライメントマークが形成されていることが好ましい。
ある好適な実施形態において、前記端子電極の裏面を露出する開口部は、前記アライメントマークを基準に形成されている。
ある好適な実施形態において、前記第１基板および前記第２基板は、ガラス基板であり、
前記表示媒体層は、液晶層であり、前記アクティブ駆動素子は、薄膜トランジスタである。
ある好適な実施形態において、前記表示媒体層は、液晶層であり、前記第１基板を基準として、前記第２基板側と反対の側には、導光板が配設され、前記配線基板のうち、前記端子電極が形成されている第１面には、前記画像表示装置へ信号を入出力する信号配線が形成されており、前記配線基板のうち、前記第１面と反対側の第２面には、前記導光板へ光を出射する発光ダイオードが実装されている。
本発明に係る画像表示装置の製造方法は、第１基板と、前記第１基板に対向して配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた表示媒体層とを備えた画像表示装置の製造方法であり、前記第１基板の表面に、金属層からなる端子電極を形成する工程（ａ）と、前記端子電極を覆うように、前記第１基板の表面に絶縁膜を形成する工程（ｂ）と、前記絶縁膜の上に、前記表示媒体層を駆動するアクティブ駆動素子を形成する工程（ｃ）と、前記第１基板に、前記端子電極の裏面を露出する開口部を形成する工程（ｄ）とを含む。
ある好適な実施形態では、前記工程（ａ）において、前記端子電極とともに、前記金属層からなるアライメントマークを形成する工程を実行する。
前記工程（ｄ）において、前記開口部は、前記アライメントマークを基準に形成されることが好ましい。
ある好適な実施形態において、前記第１基板は、ガラス基板であり、前記金属層は、Ａｕ（金）、Ｔｉ（チタン）およびＷ（タングステン）からなる群から選択される少なくとも一つの材料から構成され、前記工程（ｄ）において、前記開口部を形成するためのエッチャントとしてフッ酸が用いられる。 An image display device according to the present invention includes a first substrate, a second substrate disposed to face the first substrate, a display medium layer provided between the first substrate and the second substrate, The first substrate has a front surface facing the second substrate side and a back surface opposite to the front surface, and the first substrate has a surface on the front surface. Is formed with a terminal electrode electrically connected to a terminal of the wiring board, and the terminal electrode is disposed in a peripheral region located more peripheral than the image display region of the image display device, and the terminal The electrode has a surface facing the second substrate side and a back surface opposite to the surface, and an opening that exposes the back surface of the terminal electrode on the back surface of the first substrate. And an insulating film is formed on the surface of the terminal electrode. On the insulating film above the region where the terminal electrodes present, active drive element for driving the display medium layer is formed.
In a preferred embodiment, the opening is filled with a conductive material, and the terminal electrode is electrically connected to a terminal of the wiring board via the conductive material.
In a preferred embodiment, the first substrate and the second substrate have the same dimensions when viewed from the normal direction of the substrate.
The terminal electrode is preferably made of at least one material selected from the group consisting of Au (gold), Ti (titanium) and W (tungsten).
An alignment mark is preferably formed on the surface of the first substrate on the same surface as the surface on which the terminal electrodes are formed.
In a preferred embodiment, the opening exposing the back surface of the terminal electrode is formed with reference to the alignment mark.
In a preferred embodiment, the first substrate and the second substrate are glass substrates,
The display medium layer is a liquid crystal layer, and the active driving element is a thin film transistor.
In a preferred embodiment, the display medium layer is a liquid crystal layer, and a light guide plate is disposed on a side opposite to the second substrate side with respect to the first substrate, A signal wiring for inputting / outputting signals to / from the image display device is formed on the first surface on which the terminal electrode is formed, and a second surface of the wiring board opposite to the first surface is formed. Is mounted with a light emitting diode that emits light to the light guide plate.
An image display device manufacturing method according to the present invention includes a first substrate, a second substrate disposed opposite to the first substrate, and a display provided between the first substrate and the second substrate. A method of manufacturing an image display device comprising a medium layer, the step (a) of forming a terminal electrode made of a metal layer on the surface of the first substrate, and the first substrate so as to cover the terminal electrode A step (b) of forming an insulating film on the surface of the substrate, a step (c) of forming an active driving element for driving the display medium layer on the insulating film, and a step of forming the terminal electrode on the first substrate. Forming an opening exposing the back surface (d).
In a preferred embodiment, in the step (a), a step of forming an alignment mark made of the metal layer together with the terminal electrode is performed.
In the step (d), the opening is preferably formed with reference to the alignment mark.
In a preferred embodiment, the first substrate is a glass substrate, and the metal layer is made of at least one material selected from the group consisting of Au (gold), Ti (titanium), and W (tungsten). In the step (d), hydrofluoric acid is used as an etchant for forming the opening.

本発明の画像表示装置では、第１基板のうち画像表示装置の周辺領域に端子電極が形成され、第１基板の裏面に端子電極の裏面を露出する開口部が形成され、端子電極が存在する領域の上方における絶縁膜の上に、表示媒体層を駆動するアクティブ駆動素子が形成されている。したがって、端子電極の裏面を用いて、端子電極と配線基板の端子との導通を行うことができ、その結果、端子電極が張出部の上に形成された構成と比較して、額縁領域を小さくすることができる。また、本発明によれば、端子電極が存在する領域の上方における絶縁膜の上にアクティブ駆動素子が形成された構成を有しているので、端子電極の上方に位置するアクティブ駆動素子を損傷することなく、端子電極の裏面を露出する開口部を容易に形成することができる。 In the image display device of the present invention, a terminal electrode is formed in the peripheral region of the image display device in the first substrate, an opening exposing the back surface of the terminal electrode is formed on the back surface of the first substrate, and the terminal electrode exists. An active driving element for driving the display medium layer is formed on the insulating film above the region. Therefore, the back surface of the terminal electrode can be used to conduct the terminal electrode and the terminal of the wiring board. As a result, the frame region can be reduced as compared with the configuration in which the terminal electrode is formed on the overhanging portion. Can be small. In addition, according to the present invention, since the active drive element is formed on the insulating film above the region where the terminal electrode exists, the active drive element located above the terminal electrode is damaged. Therefore, the opening that exposes the back surface of the terminal electrode can be easily formed.

端子電極の裏面を露出する開口部に導電材料が充填されている場合、その導電材料を介して、端子電極と配線基板の端子との電気的な接続を実行することができる。また、第１基板の裏面に端子電極の裏面を露出する開口部が形成されていることから、第１基板と第２基板とを互いに、当該基板の法線方向から見て、同様の寸法を有するようにすることができ、その結果、張出部を無くすること（又は、実質的に無くすること）ができ、そして、第１基板と第２基板とを同様の寸法にできることから、張出部が存在する場合と比べて、画像表示装置の強度を向上させることができる。 When the opening that exposes the back surface of the terminal electrode is filled with a conductive material, electrical connection between the terminal electrode and the terminal of the wiring board can be performed via the conductive material. In addition, since the opening that exposes the back surface of the terminal electrode is formed on the back surface of the first substrate, the first substrate and the second substrate are viewed from the normal direction of the substrate, and have similar dimensions. As a result, the overhanging portion can be eliminated (or substantially eliminated), and the first substrate and the second substrate can have the same dimensions. The strength of the image display device can be improved as compared with the case where the protruding portion exists.

端子電極がＡｕ（金）、Ｔｉ（チタン）およびＷ（タングステン）からなる群から選択される少なくとも一つの材料から構成されている場合、フッ酸を用いて第１基板にエッチングを行って開口部を形成する際に端子電極をエッチングストッパとして機能させることができ、開口部の形成を容易にすることができる。 When the terminal electrode is made of at least one material selected from the group consisting of Au (gold), Ti (titanium), and W (tungsten), the opening is formed by etching the first substrate using hydrofluoric acid. The terminal electrode can function as an etching stopper when forming the opening, and the opening can be easily formed.

端子電極が形成された面と同じ面において、アライメントマークが形成されていることにより、絶縁膜の下に位置する層をパターン形成する場合の位置合わせ精度を向上させることができる。加えて、アライメントマークを基準に開口部を形成した場合、第１基板のエッジを基準に開口部を形成したときと比べて、位置合わせ精度を向上させることができる。 Since the alignment mark is formed on the same surface as the surface on which the terminal electrode is formed, it is possible to improve the alignment accuracy when patterning a layer positioned under the insulating film. In addition, when the opening is formed with the alignment mark as a reference, the alignment accuracy can be improved as compared to when the opening is formed with the edge of the first substrate as a reference.

画像表示装置が液晶表示装置である場合、例えば、第１基板および第２基板をガラス基板とし、表示媒体層を液晶層とし、アクティブ駆動素子を薄膜トランジスタとすることができる。また、第１基板を基準として、第２基板側と反対の側に導光板を配設した場合において、配線基板のうち、端子電極が形成されている第１面に信号配線を形成し、一方、第１面と反対側の第２面に発光ダイオードを実装することにより、信号配線用と発光ダイオード実装用との兼用の配線基板にすることができる。 When the image display device is a liquid crystal display device, for example, the first substrate and the second substrate can be glass substrates, the display medium layer can be a liquid crystal layer, and the active drive element can be a thin film transistor. When the light guide plate is disposed on the side opposite to the second substrate with respect to the first substrate, the signal wiring is formed on the first surface of the wiring substrate on which the terminal electrode is formed, By mounting the light emitting diode on the second surface opposite to the first surface, it is possible to provide a wiring substrate for both signal wiring and light emitting diode mounting.

以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面においては、説明の簡潔化のため、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照符号で示す。なお、本発明は以下の実施形態に限定されない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, components having substantially the same function are denoted by the same reference numerals for the sake of brevity. In addition, this invention is not limited to the following embodiment.

図１から図３を参照しながら、本発明の実施形態に係る画像表示装置１００について説明する。
図１（ａ）は、本実施形態の画像表示装置１００の構成を模式的に示す上面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）中のＢ−Ｂ’線に沿った断面模式図である。なお、図２は、図１（ｂ）に示した第１基板１０の断面構成の一部を拡大して示したものであり、図３は、図１（ｂ）に示した画像表示装置１００の断面構成の一部を拡大した示したものである。 An image display apparatus 100 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.
FIG. 1A is a top view schematically showing the configuration of the image display apparatus 100 of the present embodiment, and FIG. 1B is a cross section taken along the line BB ′ in FIG. It is a schematic diagram. 2 is an enlarged view of a part of the cross-sectional configuration of the first substrate 10 shown in FIG. 1B, and FIG. 3 shows the image display device 100 shown in FIG. This is an enlarged view of a part of the cross-sectional structure.

本実施形態の画像表示装置１００は、第１基板１０と、第１基板１０に対向して配置された第２基板２０と、第１基板１０と第２基板２０との間に設けられた表示媒体層（図１では不図示）とから構成されている。本実施形態における第１基板１０と第２基板２０は、透光性基板からなる。また、図示した例の画像表示装置１００は液晶表示装置であり、第１基板１０と第２基板２０との間に液晶層（図３中の符号「２２」）が配置されている。 The image display apparatus 100 according to the present embodiment includes a first substrate 10, a second substrate 20 disposed to face the first substrate 10, and a display provided between the first substrate 10 and the second substrate 20. It consists of a medium layer (not shown in FIG. 1). The first substrate 10 and the second substrate 20 in the present embodiment are made of a translucent substrate. The illustrated image display device 100 is a liquid crystal display device, and a liquid crystal layer (reference numeral “22” in FIG. 3) is disposed between the first substrate 10 and the second substrate 20.

本実施形態の液晶表示装置１００は、図１（ａ）に示すように、画像表示領域５０と、その周囲に位置する周辺領域６０を有している。周辺領域６０は、画像表示に寄与しない領域であり、額縁領域とも称される。本実施形態の第１基板１０における画像表示領域５０には、例えば、画素用薄膜トランジスタ（画素用ＴＦＴ）が形成されている。また、本実施形態の第１基板１０における周辺領域６０には、画素用ＴＦＴから引き出された配線を含む配線パターン領域（引き回し配線を含む）６２が形成されている。この配線パターン領域６２の一部に、駆動用ＴＦＴが形成されている。 As shown in FIG. 1A, the liquid crystal display device 100 of the present embodiment has an image display region 50 and a peripheral region 60 located around the image display region 50. The peripheral area 60 is an area that does not contribute to image display and is also referred to as a frame area. For example, a pixel thin film transistor (pixel TFT) is formed in the image display region 50 of the first substrate 10 of the present embodiment. Further, in the peripheral region 60 of the first substrate 10 of the present embodiment, a wiring pattern region (including a lead wiring) 62 including a wiring drawn from the pixel TFT is formed. A driving TFT is formed in a part of the wiring pattern region 62.

本実施形態の第１基板１０はＴＦＴ基板と称され、一方、第２基板２０は対向基板と称される。ＴＦＴ基板１０は、図１（ｂ）に示すように、対向基板２０側に面する表面１０ａと、表面１０ａと反対の面となる裏面１０ｂとを有している。そして、ＴＦＴ基板１０には、配線基板４０の端子４２と電気的に接続される端子電極１１が形成されている。端子電極１１は、例えば、Ａｕ（金）、Ｔｉ（チタン）、または、Ｗ（タングステン）から構成されている。本実施形態では、端子電極１１はＡｕ（金）から構成されている。また、本実施形態の配線基板４０は、例えば、フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）である。
なお、配線基板４０は、フレキシブル配線板に限らず、他の配線板（例えば、リジッド配線板）を用いることも可能である。 The first substrate 10 of this embodiment is referred to as a TFT substrate, while the second substrate 20 is referred to as a counter substrate. As shown in FIG. 1B, the TFT substrate 10 has a front surface 10a facing the counter substrate 20 and a back surface 10b opposite to the front surface 10a. A terminal electrode 11 that is electrically connected to the terminal 42 of the wiring substrate 40 is formed on the TFT substrate 10. The terminal electrode 11 is made of, for example, Au (gold), Ti (titanium), or W (tungsten). In the present embodiment, the terminal electrode 11 is made of Au (gold). Moreover, the wiring board 40 of this embodiment is a flexible printed wiring board (FPC), for example.
The wiring board 40 is not limited to a flexible wiring board, and other wiring boards (for example, a rigid wiring board) can be used.

図２に示すように、本実施形態の端子電極１１は、対向基板２０側に面する表面１１ａと、表面１１ａと反対の面となる裏面１１ｂとを有している。そして、本実施形態のＴＦＴ基板１０の裏面１０ｂには、端子電極１１の裏面１１ｂを露出する開口部１５が形成されている。本実施形態の端子電極１１は、ガラス基板１２の上に形成されており、ガラス基板１２に形成された開口部１５から、端子電極１１の裏面１１ｂは露出している。 As shown in FIG. 2, the terminal electrode 11 of the present embodiment has a front surface 11a facing the counter substrate 20 and a back surface 11b which is the surface opposite to the front surface 11a. An opening 15 exposing the back surface 11b of the terminal electrode 11 is formed on the back surface 10b of the TFT substrate 10 of this embodiment. The terminal electrode 11 of this embodiment is formed on the glass substrate 12, and the back surface 11 b of the terminal electrode 11 is exposed from the opening 15 formed in the glass substrate 12.

端子電極１１の表面１１ａの上には、絶縁膜１４が形成されており、図示した例では、ガラス基板１２を覆うように端子電極１１の表面１１ａの上に絶縁膜１４が形成されている。絶縁膜１４は、下地膜とも称され、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）等からなる。 An insulating film 14 is formed on the surface 11 a of the terminal electrode 11. In the illustrated example, the insulating film 14 is formed on the surface 11 a of the terminal electrode 11 so as to cover the glass substrate 12. The insulating film 14 is also referred to as a base film and is made of, for example, silicon oxide (SiO ₂ ), silicon nitride (SiN _x ), or the like.

本実施形態の構成では、端子電極１１が存在する領域の上方における絶縁膜１４の上に、アクティブ駆動素子３０が形成されており、本実施形態のアクティブ駆動素子３０は、ＴＦＴである。図示した例のＴＦＴ３０は、駆動回路を構成する駆動用ＴＦＴである。より具体的に述べると、ＴＦＴ３０は、ソース・ドレイン領域（３１，３２）とチャネル領域３３とを含む半導体層と、ゲート絶縁膜３４と、ゲート電極３５とから構成されている。ソース・ドレイン領域（３１，３２）とチャネル領域３３とを含む半導体層は、例えば、ポリシリコンから構成されている。本実施形態では、ＴＦＴ３０が絶縁膜１４の表面に接触している構成を示したが、これに限らず、ＴＦＴ３０と絶縁膜１４との間に他の層が介在していてもよい。 In the configuration of the present embodiment, the active drive element 30 is formed on the insulating film 14 above the region where the terminal electrode 11 exists, and the active drive element 30 of the present embodiment is a TFT. The TFT 30 in the illustrated example is a driving TFT constituting a driving circuit. More specifically, the TFT 30 includes a semiconductor layer including source / drain regions (31, 32) and a channel region 33, a gate insulating film 34, and a gate electrode 35. The semiconductor layer including the source / drain regions (31, 32) and the channel region 33 is made of, for example, polysilicon. In the present embodiment, the configuration in which the TFT 30 is in contact with the surface of the insulating film 14 is shown. However, the present invention is not limited to this, and another layer may be interposed between the TFT 30 and the insulating film 14.

図２に示した例では、ＴＦＴ基板１０は、ガラス基板１２の上に、端子電極１１、絶縁膜（下地膜）１４、ゲート絶縁膜３４およびそのゲート絶縁膜３４と同一材料の絶縁膜１６が順次積層された構造を有している。絶縁膜１６の上には、第１層間絶縁膜１８Ａ、ソース・ドレイン電極および配線を構成する金属層１７、第２層間絶縁膜１８Ｂが順次積層されている。金属層１７のうちソース・ドレイン電極の部分は、ソース・ドレイン領域（３１，３２）に接触している。また、金属層１７の一部は、コンタクトホール１９において端子電極１１に電気的に接続されている。 In the example shown in FIG. 2, the TFT substrate 10 includes a terminal electrode 11, an insulating film (base film) 14, a gate insulating film 34, and an insulating film 16 made of the same material as the gate insulating film 34 on a glass substrate 12. It has a stacked structure. On the insulating film 16, a first interlayer insulating film 18A, a metal layer 17 constituting source / drain electrodes and wiring, and a second interlayer insulating film 18B are sequentially stacked. The source / drain electrode portions of the metal layer 17 are in contact with the source / drain regions (31, 32). A part of the metal layer 17 is electrically connected to the terminal electrode 11 in the contact hole 19.

図３に示すように、開口部１５には、例えば、導電材料１３が充填されている。本実施形態の端子電極１１は、導電材料１３を介して、配線基板４０の端子４２に電気的に接続されている。導電材料１３は、例えば、導電性樹脂ペーストである。なお、配線基板４０には、端子４２から延びた配線４１が形成されている。 As shown in FIG. 3, the opening 15 is filled with, for example, a conductive material 13. The terminal electrode 11 of this embodiment is electrically connected to the terminal 42 of the wiring board 40 through the conductive material 13. The conductive material 13 is, for example, a conductive resin paste. A wiring 41 extending from the terminal 42 is formed on the wiring board 40.

ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール部材２４を介して張り合わされており、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層２２が設けられている。本実施形態の構成において、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは互いに、基板の法線方向から見て、同様の寸法を有している。なお、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とはわずかに大きさが異なっていてもよい。また、図３に示した例では、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との端面が同じ位置になるように、両基板（１０，２０）は構成されている。 The TFT substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded to each other via a seal member 24, and a liquid crystal layer 22 is provided between the TFT substrate 10 and the counter substrate 20. In the configuration of the present embodiment, the TFT substrate 10 and the counter substrate 20 have the same dimensions when viewed from the normal direction of the substrate. As shown in FIGS. 1A and 1B, the TFT substrate 10 and the counter substrate 20 may be slightly different in size. In the example shown in FIG. 3, both substrates (10, 20) are configured so that the end surfaces of the TFT substrate 10 and the counter substrate 20 are in the same position.

本実施形態の液晶表示装置１００では、ＴＦＴ基板１０のうち周辺領域６０に端子電極１１が形成され、ＴＦＴ基板１０の裏面１０ｂに端子電極１１の裏面１１ｂを露出する開口部１５が形成され、そして、端子電極１１が存在する領域の上方における絶縁膜１４の上に、ＴＦＴ３０が形成されている。したがって、端子電極１１の裏面１１ｂを用いて、端子電極１１と配線基板４０の端子４２との導通を行うことができる。その結果、本実施形態の構成１００によれば、図１２に示したように端子電極１１１が張出部１１５の上に配置された構成１０００と比較して、周辺領域６０または額縁領域（図１２中の領域１６０）を小さくすることができる。 In the liquid crystal display device 100 of the present embodiment, the terminal electrode 11 is formed in the peripheral region 60 of the TFT substrate 10, the opening 15 exposing the back surface 11 b of the terminal electrode 11 is formed in the back surface 10 b of the TFT substrate 10, and A TFT 30 is formed on the insulating film 14 above the region where the terminal electrode 11 is present. Therefore, the terminal electrode 11 and the terminal 42 of the wiring board 40 can be electrically connected using the back surface 11 b of the terminal electrode 11. As a result, according to the configuration 100 of the present embodiment, the peripheral region 60 or the frame region (FIG. 12) is compared with the configuration 1000 in which the terminal electrode 111 is disposed on the overhanging portion 115 as shown in FIG. The inner region 160) can be reduced.

また、本実施形態の液晶表示装置１００では、端子電極１１が存在する領域の上方における絶縁膜（下地膜）１４の上にＴＦＴ３０が形成されているので、端子電極１１の上方に位置するＴＦＴ３０を損傷することなく、端子電極１１の裏面１１ｂを露出する開口部１５を容易に形成することができる。その結果、端子電極１１の上方の領域に、ＴＦＴ３０を配置する構成を実現することが可能となる。 In the liquid crystal display device 100 of this embodiment, since the TFT 30 is formed on the insulating film (base film) 14 above the region where the terminal electrode 11 exists, the TFT 30 positioned above the terminal electrode 11 is formed. The opening 15 that exposes the back surface 11b of the terminal electrode 11 can be easily formed without being damaged. As a result, it is possible to realize a configuration in which the TFT 30 is disposed in the region above the terminal electrode 11.

さらに、本実施形態の構成では、端子電極１１の裏面１１ｂを露出する開口部１５に導電材料（例えば、導電性樹脂ペースト）１３を充填することにより、その導電材料１３を介して、端子電極１１と配線基板４０の端子４２との電気的な接続を実行することができる。加えて、ＴＦＴ基板１０の裏面１０ｂに端子電極１１の裏面を露出させた構成にしているので、端子電極１１を配置するための張出部（図１２中の符号「１１５」）を設ける必要がなく、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とを互いに、基板の法線方向から見て、同様の寸法を有するようにすることができる。その結果、張出部（図１２中の符号「１１５」）が存在する場合と比べて、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との両方によって液晶表示装置１００に加わる力を支えることができ、液晶表示装置１００（特に、ＴＦＴ基板１０）の強度を向上させることができる。 Furthermore, in the configuration of the present embodiment, the opening 15 that exposes the back surface 11 b of the terminal electrode 11 is filled with a conductive material (for example, conductive resin paste) 13, so that the terminal electrode 11 is interposed via the conductive material 13. And the terminal 42 of the wiring board 40 can be electrically connected. In addition, since the back surface of the terminal electrode 11 is exposed on the back surface 10b of the TFT substrate 10, it is necessary to provide an overhanging portion (symbol “115” in FIG. 12) for disposing the terminal electrode 11. Instead, the TFT substrate 10 and the counter substrate 20 can have the same dimensions when viewed from the normal direction of the substrate. As a result, the force applied to the liquid crystal display device 100 can be supported by both the TFT substrate 10 and the counter substrate 20 as compared with the case where the overhanging portion (symbol “115” in FIG. 12) exists, and the liquid crystal display The strength of the device 100 (in particular, the TFT substrate 10) can be improved.

図１に示した構成例では、液晶表示装置１００（特に、ＴＦＴ基板１０のガラス基板１２）の四辺のうちの一辺に端子電極１１を配列させたが、それに限らず、他の構成を採用することも可能である。例えば、図４に示すように、１辺に限らず他の辺にも端子電極１１を設けることが可能である。図４に示した例では、左辺（例えば、ゲートドライバ領域）と上辺（例えば、ソースドライバ領域）の２辺に端子電極１１を設けている。また、配線基板４０は１つに限らず、図４に示した構成例のように、複数（４０ａ〜４０ｃ）設けることも可能である。各端子電極１１は、開口部１５に充填された導電材料１３を介して、配線基板４０の端子４２に電気的に接続されている。 In the configuration example shown in FIG. 1, the terminal electrode 11 is arranged on one side of the four sides of the liquid crystal display device 100 (particularly, the glass substrate 12 of the TFT substrate 10). It is also possible. For example, as shown in FIG. 4, the terminal electrode 11 can be provided not only on one side but also on the other side. In the example shown in FIG. 4, the terminal electrodes 11 are provided on the two sides of the left side (for example, the gate driver region) and the upper side (for example, the source driver region). Further, the number of wiring boards 40 is not limited to one, and a plurality (40a to 40c) may be provided as in the configuration example shown in FIG. Each terminal electrode 11 is electrically connected to the terminal 42 of the wiring board 40 through the conductive material 13 filled in the opening 15.

また、ＴＦＴ基板１０には、端子電極１１が形成された面と同じ面において、アライメントマークを形成することも可能である。図５は、本実施形態の一例のＴＦＴ基板１０の裏面を表している。図示した例では、端子電極１１の裏面１１ｂとともに、アライメントマーク１１ｍがＴＦＴ基板１０に形成されている。アライメントマーク１１ｍは、端子電極１１と同じ金属薄膜から構成されている。 Further, an alignment mark can be formed on the TFT substrate 10 on the same surface as the surface on which the terminal electrode 11 is formed. FIG. 5 shows the back surface of the TFT substrate 10 as an example of this embodiment. In the illustrated example, an alignment mark 11 m is formed on the TFT substrate 10 together with the back surface 11 b of the terminal electrode 11. The alignment mark 11m is made of the same metal thin film as the terminal electrode 11.

ＴＦＴ基板１０に端子電極１１とともにアライメントマーク１１ｍを形成することにより、図２に示した構成にて、絶縁膜（下地膜）１４以降のＴＦＴ３０のパターン形成において、アライメントマーク１１ｍを基準として位置合わせをすることができる。それにより、例えば、金属配線１７のコンタクトホール１９と端子電極１１との重ね合わせ精度を向上させることができる。 By forming the alignment mark 11m together with the terminal electrode 11 on the TFT substrate 10, in the pattern formation of the TFT 30 after the insulating film (underlying film) 14 in the configuration shown in FIG. 2, the alignment is performed with reference to the alignment mark 11m. can do. Thereby, for example, the overlay accuracy between the contact hole 19 of the metal wiring 17 and the terminal electrode 11 can be improved.

加えて、アライメントマーク１１ｍを基準に開口部１５を形成することにより、端子電極１１と開口部１５との重ね合わせ精度を向上させることができる。図６は、ＴＦＴ基板１０の裏面から見たときの端子電極１１と開口部１５の位置関係を示している。
アライメントマーク１１ｍがない場合、開口部１５は、ガラス基板１２のエッジを基準（ピンアライメント）として形成される。すると、ピンアライメントの精度（例えば、５００μｍ〜１５００μｍ）に、エッチングによるシフト量（例えば、５０μｍ〜２００μｍ）を加えた合計量（例えば、５５０〜１７００μｍ）の分、間隔Ａが必要となる。
一方、アライメントマーク１１ｍがある場合、開口部１５を形成するためのレジストを露光する露光機の精度（例えば、０．５μｍ）に、エッチングによるシフト量（例えば、５０μｍ〜２００μｍ）を加えた合計量（例えば、５１〜２０１μｍ）の分しか間隔Ａは必要でない。このように間隔Ａを小さくすることができると、端子電極１１の端子幅を小さくすることができるので、一定の面積に高密度で端子電極１１を配列することができるという利点がある。 In addition, by forming the opening 15 with reference to the alignment mark 11m, the overlay accuracy of the terminal electrode 11 and the opening 15 can be improved. FIG. 6 shows the positional relationship between the terminal electrode 11 and the opening 15 when viewed from the back surface of the TFT substrate 10.
When there is no alignment mark 11m, the opening 15 is formed using the edge of the glass substrate 12 as a reference (pin alignment). Then, the space | interval A is needed for the total amount (for example, 550-1700 micrometers) which added the shift amount (for example, 50 micrometers-200 micrometers) by etching to the precision (for example, 500 micrometers-1500 micrometers) of pin alignment.
On the other hand, when there is the alignment mark 11m, the total amount obtained by adding the shift amount by etching (for example, 50 μm to 200 μm) to the accuracy (for example, 0.5 μm) of the exposure machine that exposes the resist for forming the opening 15. The interval A is only required (for example, 51 to 201 μm). Thus, if the space | interval A can be made small, since the terminal width | variety of the terminal electrode 11 can be made small, there exists an advantage that the terminal electrode 11 can be arranged with a high density in a fixed area.

図７（ａ）は、本実施形態の液晶表示装置１００にバックライトを取り付けた場合の構造を示している。すなわち、図７（ａ）は、本実施形態の液晶表示装置１００に、光源としてのＬＥＤ（発光ダイオード）７３と導光板７５を取り付けた例を示している。一方、図７（ｂ）は、図１２に示した構成１０００において、光源としてのＬＥＤ１７３と導光板１７５を取り付けた例を示している。 FIG. 7A shows a structure when a backlight is attached to the liquid crystal display device 100 of the present embodiment. That is, FIG. 7A shows an example in which an LED (light emitting diode) 73 and a light guide plate 75 as light sources are attached to the liquid crystal display device 100 of the present embodiment. On the other hand, FIG. 7B shows an example in which the LED 173 and the light guide plate 175 as light sources are attached in the configuration 1000 shown in FIG.

図７（ａ）に示すように、本実施形態の構成１００によれば、配線基板４０に、ＬＥＤ７３を搭載することができ、１枚の配線基板４０を、信号用とＬＥＤ実装用との両方に用いることができる。特に、両面配線基板（両面のＦＰＣ）４０の場合、表面は専ら信号用配線とし、裏面は専らＬＥＤ実装用（及び／又は、ＬＥＤ配線用）として利用することができる。一方、図７（ｂ）に示した液晶表示装置１０００の構成の場合には、ＴＦＴ基板１１０の張出部１１５に設けられた端子電極１１１の表面に、信号用の配線基板１４０を接続するとともに、別途、ＬＥＤ用配線基板１４２を用いて、そのＬＥＤ用配線基板１４２にＬＥＤ１７３を取り付ける必要がある。したがって、図７（ａ）に示した本実施形態の構成によれば、信号とＬＥＤとの兼用の配線基板４０を使用することができ、液晶表示装置１００の構成を簡便なものにすることができる。 As shown in FIG. 7A, according to the configuration 100 of the present embodiment, the LEDs 73 can be mounted on the wiring board 40, and one wiring board 40 can be used for both signals and LEDs. Can be used. Particularly, in the case of a double-sided wiring board (double-sided FPC) 40, the front surface can be used exclusively for signal wiring and the back surface can be used exclusively for LED mounting (and / or LED wiring). On the other hand, in the case of the configuration of the liquid crystal display device 1000 shown in FIG. 7B, the signal wiring board 140 is connected to the surface of the terminal electrode 111 provided on the overhanging portion 115 of the TFT substrate 110. Separately, it is necessary to attach the LED 173 to the LED wiring board 142 using the LED wiring board 142. Therefore, according to the configuration of the present embodiment shown in FIG. 7A, the wiring substrate 40 that is used for both signals and LEDs can be used, and the configuration of the liquid crystal display device 100 can be simplified. it can.

次に、図８（ａ）から図１１（ｂ）を参照しながら、本実施形態の液晶表示装置１００の製造方法について説明する。図８（ａ）から図１１（ｂ）は、本実施形態の液晶表示装置１００の製造方法を説明するための工程断面図である。 Next, a manufacturing method of the liquid crystal display device 100 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 8 (a) to 11 (b). FIG. 8A to FIG. 11B are process cross-sectional views for explaining the manufacturing method of the liquid crystal display device 100 of the present embodiment.

まず、図８（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板用のガラス基板１２を用意する。ガラス基板１２は、例えば、無アルカリガラスからなる。ガラス基板１２の厚さは、例えば、０．５ｍｍ〜０．７ｍｍである。 First, as shown in FIG. 8A, a glass substrate 12 for a TFT substrate is prepared. The glass substrate 12 is made of non-alkali glass, for example. The thickness of the glass substrate 12 is, for example, 0.5 mm to 0.7 mm.

次に、図８（ｂ）に示すように、ガラス基板１２の上にフォトレジスト７０を塗布した後、露光と現像とによって端子電極（１１）の部分のフォトレジスト７０を選択的に除去して開口部７２を形成する。フォトレジスト７０の厚さは、例えば、１〜３μｍである。なお、図５に示したアライメントマーク１１ｍを形成する場合には、当該アライメントマーク１１ｍに対応した開口部７２も形成しておくことが好ましい。 Next, as shown in FIG. 8B, after applying a photoresist 70 on the glass substrate 12, the photoresist 70 in the portion of the terminal electrode (11) is selectively removed by exposure and development. Opening 72 is formed. The thickness of the photoresist 70 is, for example, 1 to 3 μm. In addition, when forming the alignment mark 11m shown in FIG. 5, it is preferable to also form the opening part 72 corresponding to the said alignment mark 11m.

次に、図８（ｃ）に示すように、開口部７２を有するフォトレジスト７０が形成されたガラス基板１２の上に、金（Ａｕ）層１１Ａをスパッタ等によって成膜する。Ａｕ層１１Ａの厚さは、例えば、５０〜３００ｎｍである。このＡｕ層１１Ａは、ガラス基板１２をエッチングするときのエッチャント（例えば、フッ酸）に対して耐食性を有する。なお、例えばフッ酸に対して耐食性を有する材料としては、Ａｕ（金）の他、Ｔｉ（チタン）またはＷ（タングステン）を挙げることができ、これらの材料からなる層も使用することができる。 Next, as shown in FIG. 8C, a gold (Au) layer 11A is formed by sputtering or the like on the glass substrate 12 on which the photoresist 70 having the opening 72 is formed. The thickness of the Au layer 11A is, for example, 50 to 300 nm. The Au layer 11A has corrosion resistance against an etchant (for example, hydrofluoric acid) when the glass substrate 12 is etched. Note that examples of the material having corrosion resistance to hydrofluoric acid include Ti (titanium) and W (tungsten) in addition to Au (gold), and a layer made of these materials can also be used.

次に、図９（ａ）に示すように、リフトオフ法によってフォトレジスト７０を剥離すると、フォトレジスト７０上のＡｕ層１１Ａが除去され、端子電極１１の端子パターンが形成される。
次に、図９（ｂ）に示すように、絶縁膜（下地膜）１４をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって形成する。下地膜１４は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）等からなり、下地膜１４の厚さは、例えば５０〜２００ｎｍである。 Next, as shown in FIG. 9A, when the photoresist 70 is peeled off by the lift-off method, the Au layer 11A on the photoresist 70 is removed, and the terminal pattern of the terminal electrode 11 is formed.
Next, as shown in FIG. 9B, an insulating film (underlying film) 14 is formed by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. The base film 14 is made of silicon oxide (SiO ₂ ), silicon nitride (SiN _x ), or the like, and the thickness of the base film 14 is, for example, 50 to 200 nm.

次に、図１０（ａ）に示すように、下地膜１４の上に、ＴＦＴ３０を形成する。ＴＦＴ３０の形成は、次のようにして実行すればよい。
まず、Ｓｉ等からなる半導体膜をＣＶＤ法によって形成した後、それをパターニングして、半導体層（図１０（ａ）中の符号「３１、３２、３３」の層に対応）を得る。半導体層の厚さは、例えば、１５〜７０ｎｍである。
次いで、その半導体層を覆うように下地膜１４の上に絶縁膜１６を堆積し、その絶縁膜１６をパターニングして、ゲート絶縁膜３４を得る。ゲート絶縁膜３４および下地膜１４は、ＳｉＯ_２等からなり、その厚さは例えば５０〜１００ｎｍである。
次に、タングステン（Ｗ）等からなる金属層をスパッタによってゲート絶縁膜３４の上に形成した後、パターニングして、ゲート電極３５を形成する。ゲート電極３５を構成する金属層の厚さは、例えば、３００〜４００ｎｍである。なお、ゲート電極３５とともに、ゲート配線を一体的に形成することもできる。
その後、ゲート電極３５をマスクとして、リンイオン、ホウ素イオン等の不純物を半導体層にドーピングした後、加熱処理を行うと、当該半導体層に、ソース領域・ドレイン領域（３１，３２）と、チャネル領域３３が形成される。このようにして、ＴＦＴ３０の形成を行うことができる。 Next, as shown in FIG. 10A, the TFT 30 is formed on the base film 14. The formation of the TFT 30 may be performed as follows.
First, after a semiconductor film made of Si or the like is formed by a CVD method, it is patterned to obtain a semiconductor layer (corresponding to layers “31, 32, 33” in FIG. 10A). The thickness of the semiconductor layer is, for example, 15 to 70 nm.
Next, an insulating film 16 is deposited on the base film 14 so as to cover the semiconductor layer, and the insulating film 16 is patterned to obtain a gate insulating film 34. The gate insulating film 34 and the base film 14 are made of SiO ₂ or the like and have a thickness of, for example, 50 to 100 nm.
Next, a metal layer made of tungsten (W) or the like is formed on the gate insulating film 34 by sputtering and then patterned to form the gate electrode 35. The thickness of the metal layer that constitutes the gate electrode 35 is, for example, 300 to 400 nm. Note that the gate wiring can be formed integrally with the gate electrode 35.
Thereafter, the gate electrode 35 is used as a mask and impurities such as phosphorus ions and boron ions are doped into the semiconductor layer, and then heat treatment is performed. Is formed. In this way, the TFT 30 can be formed.

次に、図１０（ｂ）に示すように、ＴＦＴ３０を覆うように絶縁膜１６の上に層間絶縁膜（第１層間絶縁膜）１８ＡをＣＶＤ法にて形成する。層間絶縁膜１８Ａは、ＳｉＯ_２等からなり、その厚さは例えば１００〜１０００ｎｍである。
次いで、アルミニウム（Ａｌ）等からなる金属層を層間絶縁膜１８Ａ上にスパッタによって成膜した後、パターニングしてソース配線・ドレイン配線（１７）を形成する。この金属層の厚さは、例えば、５００〜１０００ｎｍである。
なお、この金属層の形成の前に、端子電極１１の表面を露出するコンタクトホール１９を、層間絶縁膜１８Ａ、絶縁膜１６及び下地膜１４に形成し、次いで、金属層を形成すると、端子電極１１の表面に接続する配線１７を形成することができる。金属膜をパターニングして配線１７を形成する場合、図５に示したアライメントマーク１１ｍを基準にして、パターニングをすることが位置合わせ精度を向上させる上で好ましい。
その後、配線１７を覆うように、層間絶縁膜１８Ａの上に層間絶縁膜（第２層間絶縁膜）１８ＢをＣＶＤ法にて形成する。層間絶縁膜１８Ｂは、例えば、ＳｉＯ_２等からなり、層間絶縁膜１８Ｂの厚さは、例えば、５００〜１０００ｎｍである。層間絶縁膜１８Ｂは、その下層に位置する層間絶縁膜１８Ａと同一の材料から構成してもよいし、異なる材料から構成してもよい。 Next, as illustrated in FIG. 10B, an interlayer insulating film (first interlayer insulating film) 18 </ b> A is formed on the insulating film 16 by a CVD method so as to cover the TFT 30. The interlayer insulating film 18A is made of SiO ₂ or the like and has a thickness of 100 to 1000 nm, for example.
Next, after a metal layer made of aluminum (Al) or the like is formed on the interlayer insulating film 18A by sputtering, patterning is performed to form a source wiring / drain wiring (17). The thickness of this metal layer is, for example, 500 to 1000 nm.
Prior to the formation of the metal layer, a contact hole 19 exposing the surface of the terminal electrode 11 is formed in the interlayer insulating film 18A, the insulating film 16, and the base film 14, and then the metal layer is formed. The wiring 17 connected to the surface of 11 can be formed. When the wiring 17 is formed by patterning the metal film, it is preferable to perform the patterning with reference to the alignment mark 11m shown in FIG. 5 in order to improve the alignment accuracy.
Thereafter, an interlayer insulating film (second interlayer insulating film) 18B is formed on the interlayer insulating film 18A so as to cover the wiring 17 by a CVD method. The interlayer insulating film 18B is made of, for example, SiO ₂ or the like, and the thickness of the interlayer insulating film 18B is, for example, 500 to 1000 nm. The interlayer insulating film 18B may be made of the same material as the interlayer insulating film 18A located therebelow or may be made of a different material.

次に、図１１（ａ）に示すように、ガラス基板１２の厚さを薄くする。ガラス基板１２の厚さを薄くするには、例えば、ガラス基板１２の裏面以外の箇所に保護フィルムを貼った後、それをフッ酸に浸漬させて、ガラス基板１２をエッチングすることによって実行することができる。このエッチングによって、ガラス基板１２の厚さは、例えば、０．０５〜０．１０μｍにすることができる。
なお、ガラス基板１２の厚さを薄くする手法は、フッ酸などの薬品を用いてガラス厚を薄くする化学処理プロセスだけでなく、研磨機を用いてガラス基板１２の厚さを薄くする機械研磨プロセスを用いることも可能である。また、図８（ａ）に示した工程の段階で、厚さの薄いガラス基板１２を用いて、図８（ｂ）に示した工程以降を実行することもできる。 Next, as shown in FIG. 11A, the thickness of the glass substrate 12 is reduced. In order to reduce the thickness of the glass substrate 12, for example, a protective film is applied to a portion other than the back surface of the glass substrate 12, and then the glass substrate 12 is etched by immersing it in hydrofluoric acid. Can do. By this etching, the thickness of the glass substrate 12 can be set to, for example, 0.05 to 0.10 μm.
The method for reducing the thickness of the glass substrate 12 is not only a chemical treatment process for reducing the glass thickness using a chemical such as hydrofluoric acid, but also mechanical polishing for reducing the thickness of the glass substrate 12 using a polishing machine. It is also possible to use a process. Further, at the stage of the process shown in FIG. 8A, the glass substrate 12 having a small thickness can be used to execute the process shown in FIG. 8B and subsequent steps.

次に、図１１（ｂ）に示すように、ガラス基板１２の裏面に、端子電極１１の裏面を露出する開口部１５を形成する。開口部１５の形状・寸法などは、特に限定されないが、図示した例における開口部１５の形状は長方形であり、その寸法は、例えば０．８ｍｍ×０．１ｍｍである。
開口部１５の形成は、例えば、開口部１５の位置及び形状を規定するフォトレジストを形成した後、そのフォトレジストをマスクとして、ガラス基板１２の裏面をエッチングすることによって実行することができる。このフォトレジストは、図５に示したアライメントマーク１１ｍを基準にして形成することができ、そして、アライメントマーク１１ｍを利用することにより、マスクの位置合わせ精度を向上させることができる。
ガラス基板１２のエッチングは、例えば、フッ酸を用いることができる。本実施形態の一例においては、端子電極１１を構成する材料としてＡｕ（金）を用いており、Ａｕ（金）はフッ酸に対して耐食性を有する材料であるので、開口部１５の形成時においてエッチングストッパとして機能する。
なお、開口部１５の形成は、他の手法を使うことも可能である。例えば、フッ酸と硝酸の混合液などによるウエットエッチングを用いることも可能である。また、条件によって開口部１５の形成やその形状の調整を行ってもよい。 Next, as illustrated in FIG. 11B, an opening 15 that exposes the back surface of the terminal electrode 11 is formed on the back surface of the glass substrate 12. The shape and dimensions of the opening 15 are not particularly limited, but the shape of the opening 15 in the illustrated example is a rectangle, and the dimension is, for example, 0.8 mm × 0.1 mm.
The opening 15 can be formed, for example, by forming a photoresist that defines the position and shape of the opening 15 and then etching the back surface of the glass substrate 12 using the photoresist as a mask. This photoresist can be formed with reference to the alignment mark 11m shown in FIG. 5, and the alignment accuracy of the mask can be improved by using the alignment mark 11m.
For the etching of the glass substrate 12, for example, hydrofluoric acid can be used. In an example of the present embodiment, Au (gold) is used as a material constituting the terminal electrode 11, and Au (gold) is a material having corrosion resistance against hydrofluoric acid. Functions as an etching stopper.
It should be noted that other methods can be used to form the opening 15. For example, wet etching using a mixed solution of hydrofluoric acid and nitric acid may be used. Further, the opening 15 may be formed and the shape thereof may be adjusted depending on conditions.

以上のようにして、端子電極１１の裏面を露出する開口部１５を備えたＴＦＴ基板１０を作製することができる。この後は、対向基板２０との貼り合わせ工程などを行うことにより、図３に示した液晶表示装置１００を得ることができる。また、開口部１５に導電材料１３を充填して、その導電材料１３を介して、液晶表示装置１００を配線基板４０の上に実装することができ、それにより、配線基板４０の端子４２と端子電極１１とを電気的に接続させることができる。 As described above, the TFT substrate 10 including the opening 15 that exposes the back surface of the terminal electrode 11 can be manufactured. Thereafter, by performing a bonding process with the counter substrate 20 or the like, the liquid crystal display device 100 shown in FIG. 3 can be obtained. In addition, the opening 15 can be filled with the conductive material 13, and the liquid crystal display device 100 can be mounted on the wiring substrate 40 via the conductive material 13, whereby the terminals 42 and the terminals of the wiring substrate 40 can be mounted. The electrode 11 can be electrically connected.

ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との貼り合わせ工程などは、例えば、次のようにして実行することができる。
一例として、図１１（ｂ）に示した基板（ＴＦＴ基板）１０を作製した後、その基板の表面（すなわち、層間絶縁膜１８Ｂの表面）に、感光性樹脂等からなる厚さ１〜２μｍの透明絶縁膜（不図示）をスピンコータにて形成する。これにより、基板表面を平坦化することができる。
なお、ここで、図１１（ｂ）に示した基板１０を用いるのでなく、図１０（ｂ）または図１１（ａ）に示した基板を用いることもできる。その場合には、所定の段階で、ガラス基板１２の厚さを薄くする工程、開口部１５を形成する工程を実行すればよい。また、ＴＦＴ基板１０の画像表示領域５０内の各素子（例えば、画素ＴＦＴ、配線など）の作製は、公知の製造手法を利用して実行することができ、ここでは説明を省略する。
その後、厚さ８０〜１２０ｎｍの透明導電膜をスパッタによって形成し、ＴＦＴ基板１０の画素電極とする。次いで、ＴＦＴ基板１０に、配向膜を形成する。配向膜の形成は、対向基板２０に対しても行っておく。配向膜は例えばポリイミド膜からなり、そして、配向膜にはラビング処理が施されている。
次に、ＴＦＴ基板１０の上に、シール部材２４を配置した後、対向基板２０を貼り合わせる。貼り合わせ工程においては、シール部材２４とともに、ＴＦＴ基板１０の上にスペーサ部材を配置することもできる。貼り合わせ工程の後、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に、液晶材料を注入することによって液晶層２２を形成する。液晶層２２の形成は、注入方式の他、滴下方式を用いることもできる。滴下方式を採用する場合には、真空層内にＴＦＴ基板１０と対向基板２０とを配置し、ＴＦＴ基板１０または対向基板２０に液晶を滴下した後、基板の貼り合わせを行えばよい。 The bonding process between the TFT substrate 10 and the counter substrate 20 can be performed, for example, as follows.
As an example, after the substrate (TFT substrate) 10 shown in FIG. 11B is manufactured, the surface of the substrate (that is, the surface of the interlayer insulating film 18B) has a thickness of 1 to 2 μm made of a photosensitive resin or the like. A transparent insulating film (not shown) is formed with a spin coater. Thereby, the substrate surface can be planarized.
Here, instead of using the substrate 10 shown in FIG. 11B, the substrate shown in FIG. 10B or FIG. 11A can also be used. In that case, what is necessary is just to perform the process of reducing the thickness of the glass substrate 12, and the process of forming the opening part 15 in a predetermined step. Further, each element (for example, pixel TFT, wiring, etc.) in the image display region 50 of the TFT substrate 10 can be manufactured using a known manufacturing method, and the description thereof is omitted here.
Thereafter, a transparent conductive film having a thickness of 80 to 120 nm is formed by sputtering to form a pixel electrode of the TFT substrate 10. Next, an alignment film is formed on the TFT substrate 10. The alignment film is also formed on the counter substrate 20. The alignment film is made of, for example, a polyimide film, and the alignment film is rubbed.
Next, after disposing the seal member 24 on the TFT substrate 10, the counter substrate 20 is bonded. In the bonding step, a spacer member can be disposed on the TFT substrate 10 together with the seal member 24. After the bonding step, a liquid crystal layer 22 is formed by injecting a liquid crystal material between the TFT substrate 10 and the counter substrate 20. The liquid crystal layer 22 can be formed by a dropping method in addition to an injection method. When the dropping method is adopted, the TFT substrate 10 and the counter substrate 20 are disposed in the vacuum layer, and after the liquid crystal is dropped onto the TFT substrate 10 or the counter substrate 20, the substrates are bonded together.

なお、図１０（ｂ）または図１１（ａ）に示した基板を用いて上記工程を実行した場合は、貼り合わせ工程が終わった構造体または液晶層２２が形成された構造体に対して、図１１（ａ）に示したガラス基板１２の厚さを薄くする工程、及び／又は、開口部１５を形成する工程を行うことができる。また、ＴＦＴ基板１０および対向基板２０の外側に偏光板を貼り付ける工程を所定の段階で適宜実行することも可能である。 Note that when the above process is performed using the substrate illustrated in FIG. 10B or FIG. 11A, the structure in which the bonding process is completed or the structure in which the liquid crystal layer 22 is formed is used. The step of reducing the thickness of the glass substrate 12 shown in FIG. 11A and / or the step of forming the opening 15 can be performed. In addition, it is possible to appropriately execute the process of attaching a polarizing plate to the outside of the TFT substrate 10 and the counter substrate 20 at a predetermined stage.

上述の実施形態では、画像表示装置１００として液晶表示装置を例として説明したが、それに限らない。例えば、端子電極１１が存在する領域の上方における絶縁膜１４の上にアクティブ駆動素子（例えば、ＴＦＴ３０）が形成された構成であれば、液晶表示装置に限らず、他の画像表示装置（例えば、有機ＥＬ装置）にも適用することができる。加えて、上述の実施形態では、駆動素子として、ＴＦＴ３０を一例として説明したが、他の駆動素子（例えば、ＴＦＴ以外のトランジスタ素子、ダイオード素子など）を用いることも可能である。また、透光性基板の一例として、ガラス基板を示したが、他の基板（例えば、透光性の樹脂基板）を用いることも可能である。
本実施形態の画像表示装置１００は、テレビ用の表示パネル、パソコン用の表示パネル、携帯移動機器（例えば、携帯電話、ＰＤＡなど）用の表示パネルに使用することができる。以上、本発明を好適な実施形態により説明してきたが、こうした記述は限定事項ではなく、勿論、種々の改変が可能である。 In the above-described embodiment, the liquid crystal display device has been described as an example of the image display device 100, but is not limited thereto. For example, as long as the active drive element (for example, TFT 30) is formed on the insulating film 14 above the region where the terminal electrode 11 is present, not only the liquid crystal display device but also other image display devices (for example, It can also be applied to an organic EL device. In addition, in the above-described embodiment, the TFT 30 is described as an example of the driving element. However, other driving elements (for example, transistor elements other than TFTs, diode elements, etc.) can be used. Although a glass substrate is shown as an example of a light-transmitting substrate, other substrates (for example, a light-transmitting resin substrate) can be used.
The image display apparatus 100 according to the present embodiment can be used for a display panel for a television, a display panel for a personal computer, and a display panel for a mobile mobile device (for example, a mobile phone, a PDA, etc.). As mentioned above, although this invention was demonstrated by suitable embodiment, such description is not a limitation matter and of course various modifications are possible.

本発明によれば、額縁領域を小さくできる画像表示装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the image display apparatus which can make a frame area | region small can be provided.

（ａ）は、本発明の実施形態に係る画像表示装置１００の構成を模式的に示す上面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＢ−Ｂ’の線に沿った断面図である。(A) is a top view which shows typically the structure of the image display apparatus 100 which concerns on embodiment of this invention, (b) is sectional drawing along the line of BB 'in (a). is there. 本発明の実施形態に係るＴＦＴ基板１０の要部拡大断面図である。It is a principal part expanded sectional view of the TFT substrate 10 which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る画像表示装置１００の要部拡大断面図である。It is a principal part expanded sectional view of the image display apparatus 100 which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る画像表示装置１００の改変例を模式的に示す上面図である。It is a top view which shows typically the modification of the image display apparatus 100 which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係るＴＦＴ基板１０の裏面を表す平面図である。It is a top view showing the back surface of TFT substrate 10 concerning the embodiment of the present invention. 端子電極１１と開口部１５との間の間隔Ａを説明するための平面図である。5 is a plan view for explaining a distance A between the terminal electrode 11 and the opening 15. FIG. （ａ）は本発明の実施形態に係る画像表示装置１００の改変例を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は画像表示装置の比較例１０００を示す断面図である。(A) is sectional drawing which shows typically the modification of the image display apparatus 100 which concerns on embodiment of this invention, (b) is sectional drawing which shows the comparative example 1000 of an image display apparatus. （ａ）から（ｃ）は、本実施形態に係る画像表示装置１００の製造方法を説明するための工程断面図である。(A) to (c) are process cross-sectional views for explaining a method for manufacturing the image display device 100 according to the present embodiment. （ａ）および（ｂ）は、本実施形態に係る画像表示装置１００の製造方法を説明するための工程断面図である。(A) And (b) is process sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the image display apparatus 100 which concerns on this embodiment. （ａ）および（ｂ）は、本実施形態に係る画像表示装置１００の製造方法を説明するための工程断面図である。(A) And (b) is process sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the image display apparatus 100 which concerns on this embodiment. （ａ）および（ｂ）は、本実施形態に係る画像表示装置１００の製造方法を説明するための工程断面図である。(A) And (b) is process sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the image display apparatus 100 which concerns on this embodiment. （ａ）は、従来の画像表示装置１０００の構成を模式的に示す上面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＢ−Ｂ’の線に沿った断面図である。(A) is a top view which shows typically the structure of the conventional image display apparatus 1000, (b) is sectional drawing along line B-B 'in (a).

符号の説明Explanation of symbols

１０第１基板（ＴＦＴ基板）
１１端子電極
１１ｍアライメントマーク
１２ガラス基板
１３導電材料
１４絶縁膜（下地膜）
１５開口部
１６絶縁膜
１７配線
１８Ａ層間絶縁膜
１８Ｂ層間絶縁膜
１９コンタクトホール
２０第２基板（対向基板）
２２表示媒体層（液晶層）
２４シール部材
３０アクティブ駆動素子（ＴＦＴ）
３１，３２ソース・ドレイン領域
３３チャネル領域
３４ゲート絶縁膜
３５ゲート電極
４０配線基板（ＦＰＣ）
４１配線基板の配線
４２配線基板の端子
５０画像表示領域
６０周辺領域（額縁領域）
７０フォトレジスト
７２開口部
７３発光ダイオード
７５導光板
１００画像表示装置（液晶表示装置）
１１０ガラス基板（ＴＦＴ基板）
１１１端子電極
１１５張出部
１２０対向基板
１４０配線基板
１５０画像表示領域
１６０額縁領域 10 First substrate (TFT substrate)
11 Terminal electrode 11m Alignment mark 12 Glass substrate 13 Conductive material 14 Insulating film (undercoat film)
15 Opening 16 Insulating Film 17 Wiring 18A Interlayer Insulating Film 18B Interlayer Insulating Film 19 Contact Hole 20 Second Substrate (Counter Substrate)
22 Display media layer (liquid crystal layer)
24 sealing member 30 active drive element (TFT)
31, 32 Source / drain region 33 Channel region 34 Gate insulating film 35 Gate electrode 40 Wiring substrate (FPC)
41 Wiring of wiring board 42 Terminal of wiring board 50 Image display area 60 Peripheral area (frame area)
70 Photoresist 72 Opening 73 Light Emitting Diode 75 Light Guide Plate 100 Image Display Device (Liquid Crystal Display Device)
110 Glass substrate (TFT substrate)
111 Terminal electrode 115 Overhang portion 120 Counter substrate 140 Wiring substrate 150 Image display region 160 Frame region

Claims

第１基板と、前記第１基板に対向して配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた表示媒体層とを備えた画像表示装置であって、
前記第１基板は、前記第２基板側に面する表面と、前記表面と反対の面となる裏面とを有しており、
前記第１基板には、配線基板の端子と電気的に接続される端子電極が形成されており、
前記端子電極は、前記画像表示装置の画像表示領域よりも周囲に位置する周辺領域に配置されており、
前記端子電極は、前記第２基板側に面する表面と、前記表面と反対の面となる裏面とを有しており、
前記第１基板の前記裏面には、前記端子電極の裏面を露出する開口部が形成されており、
前記端子電極の前記表面の上には、絶縁膜が形成されており、
前記端子電極が存在する領域の上方における前記絶縁膜の上には、前記表示媒体層を駆動するアクティブ駆動素子が形成されていることを特徴とする、画像表示装置。 An image display device comprising: a first substrate; a second substrate disposed opposite to the first substrate; and a display medium layer provided between the first substrate and the second substrate. ,
The first substrate has a surface facing the second substrate side and a back surface opposite to the surface.
The first substrate has a terminal electrode electrically connected to a terminal of the wiring substrate,
The terminal electrode is disposed in a peripheral region located around the image display region of the image display device,
The terminal electrode has a surface facing the second substrate side and a back surface opposite to the surface.
An opening that exposes the back surface of the terminal electrode is formed on the back surface of the first substrate.
An insulating film is formed on the surface of the terminal electrode,
An image display device, wherein an active drive element for driving the display medium layer is formed on the insulating film above the region where the terminal electrode exists.

前記開口部には、導電材料が充填されており、
前記端子電極は、前記導電材料を介して、前記配線基板の端子に電気的に接続されていることを特徴とする、請求項１に記載の画像表示装置。 The opening is filled with a conductive material,
The image display device according to claim 1, wherein the terminal electrode is electrically connected to a terminal of the wiring board through the conductive material.

前記第１基板と前記第２基板とは互いに、当該基板の法線方向から見て、同様の寸法を有していることを特徴とする、請求項１または２に記載の画像表示装置。 The image display device according to claim 1, wherein the first substrate and the second substrate have the same dimensions when viewed from the normal direction of the substrate.

前記端子電極は、Ａｕ（金）、Ｔｉ（チタン）およびＷ（タングステン）からなる群から選択される少なくとも一つの材料から構成されていることを特徴とする、請求項１から３の何れか一つに記載の画像表示装置。 4. The terminal electrode according to claim 1, wherein the terminal electrode is made of at least one material selected from the group consisting of Au (gold), Ti (titanium) and W (tungsten). The image display device described in one.

前記第１基板には、前記端子電極が形成された面と同じ面において、アライメントマークが形成されていることを特徴とする、請求項４に記載の画像表示装置。 The image display device according to claim 4, wherein an alignment mark is formed on the first substrate on the same surface as the surface on which the terminal electrodes are formed.

前記端子電極の裏面を露出する開口部は、前記アライメントマークを基準に形成されていることを特徴とする、請求項５に記載の画像表示装置。 The image display device according to claim 5, wherein the opening that exposes the back surface of the terminal electrode is formed with reference to the alignment mark.

前記第１基板および前記第２基板は、透光性基板であり、
前記表示媒体層は、液晶層であり、
前記アクティブ駆動素子は、薄膜トランジスタであることを特徴とする、請求項１から６の何れか一つに記載の画像表示装置。 The first substrate and the second substrate are translucent substrates,
The display medium layer is a liquid crystal layer;
The image display apparatus according to claim 1, wherein the active driving element is a thin film transistor.

前記表示媒体層は、液晶層であり、
前記第１基板を基準として、前記第２基板側と反対の側には、導光板が配設され、
前記配線基板のうち、前記端子電極が形成されている第１面には、前記画像表示装置へ信号を入出力する信号配線が形成されており、
前記配線基板のうち、前記第１面と反対側の第２面には、前記導光板へ光を出射する発光ダイオードが実装されている、請求項１から６の何れか一つに記載の画像表示装置。 The display medium layer is a liquid crystal layer;
A light guide plate is disposed on the side opposite to the second substrate side with respect to the first substrate,
A signal wiring for inputting / outputting a signal to / from the image display device is formed on the first surface of the wiring board on which the terminal electrode is formed,
The image according to any one of claims 1 to 6, wherein a light emitting diode that emits light to the light guide plate is mounted on a second surface of the wiring board opposite to the first surface. Display device.

第１基板と、前記第１基板に対向して配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた表示媒体層とを備えた画像表示装置の製造方法であって、
前記第１基板を構成する透光性基板に、金属層からなる端子電極を形成する工程（ａ）と、
前記端子電極を覆うように、前記透光性基板の表面に絶縁膜を形成する工程（ｂ）と、
前記絶縁膜の上に、前記表示媒体層を駆動するアクティブ駆動素子を形成する工程（ｃ）と、
前記透光性基板に、前記端子電極の裏面を露出する開口部を形成する工程（ｄ）と
を含む、画像表示装置の製造方法。 A method for manufacturing an image display device, comprising: a first substrate; a second substrate disposed opposite to the first substrate; and a display medium layer provided between the first substrate and the second substrate. Because
Forming a terminal electrode made of a metal layer on the translucent substrate constituting the first substrate;
A step (b) of forming an insulating film on the surface of the translucent substrate so as to cover the terminal electrodes;
Forming an active driving element for driving the display medium layer on the insulating film (c);
And (d) forming an opening that exposes the back surface of the terminal electrode in the translucent substrate.

前記工程（ａ）において、前記端子電極とともに、前記金属層からなるアライメントマークを形成する工程を実行することを特徴とする、請求項９に記載の画像表示装置の製造方法。 The method for manufacturing an image display device according to claim 9, wherein, in the step (a), a step of forming an alignment mark made of the metal layer together with the terminal electrode is executed.

前記工程（ｄ）において、前記開口部は、前記アライメントマークを基準に形成されることを特徴とする、請求項９または１０に記載の画像表示装置の製造方法。 The method for manufacturing an image display device according to claim 9, wherein, in the step (d), the opening is formed with reference to the alignment mark.

前記透光性基板は、ガラス基板であり、
前記金属層は、Ａｕ（金）、Ｔｉ（チタン）およびＷ（タングステン）からなる群から選択される少なくとも一つの材料から構成され、
前記工程（ｄ）において、前記開口部を形成するためのエッチャントとしてフッ酸が用いられることを特徴とする、請求項９から１１の何れか一つに記載の画像表示装置の製造方法。 The translucent substrate is a glass substrate,
The metal layer is made of at least one material selected from the group consisting of Au (gold), Ti (titanium), and W (tungsten).
12. The method for manufacturing an image display device according to claim 9, wherein hydrofluoric acid is used as an etchant for forming the opening in the step (d).