JP2010006657A - シリコン単結晶の製造装置およびシリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
シリコン単結晶の製造装置およびシリコン単結晶の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010006657A JP2010006657A JP2008169109A JP2008169109A JP2010006657A JP 2010006657 A JP2010006657 A JP 2010006657A JP 2008169109 A JP2008169109 A JP 2008169109A JP 2008169109 A JP2008169109 A JP 2008169109A JP 2010006657 A JP2010006657 A JP 2010006657A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- silicon
- crucible
- single crystal
- silicon single
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【課題】シリコンの固形原料による坩堝への衝突を低減し、さらに原料充填容器へのシリコン融液の付着を抑制するシリコン単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンの固形原料を溶融させる坩堝4と、固形原料を供給する供給装置であって、固形原料を坩堝4に供給する原料供給部19を含む原料充填容器18と、原料供給部19を覆い、坩堝4側に設けられた開口部に向かって先細りとなる原料供給部カバーと、を有する供給装置と、を具備する。
【選択図】図1
【解決手段】シリコンの固形原料を溶融させる坩堝4と、固形原料を供給する供給装置であって、固形原料を坩堝4に供給する原料供給部19を含む原料充填容器18と、原料供給部19を覆い、坩堝4側に設けられた開口部に向かって先細りとなる原料供給部カバーと、を有する供給装置と、を具備する。
【選択図】図1
Description
本発明は、チョクラルスキー法のうちマルチプーリング法において使用されるシリコン単結晶の製造装置およびシリコン単結晶の製造方法に関する。
一般にシリコン単結晶の育成は、チョクラルスキー法(CZ法)で行われている。
従来、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造コストを低減する方法として、マルチプーリング法が知られている(非特許文献1参照)。これは、目標長を持った単結晶を坩堝から1本引き上げた後、引き上げ重量分のシリコンの固形原料を追加供給し、再度同様の単結晶引き上げを繰り返す方法である。この方法により、1度しか使用できない石英ルツボから複数本の単結晶を製造でき、製造歩留まりを向上させるとともに坩堝コストを低減させることが可能である。
このような方法としては、例えば、シリコンの固形原料を含む原料充填容器の先端に円錐状の底蓋を有するシリコンの固形原料の供給装置が知られている(特許文献1参照)。
また、多結晶シリコンを作製するために、シリコンの固形原料を含む原料充填容器と距離を設け、漏斗を配置するシリコンの固形原料の供給装置が知られている(特許文献2参照)。
特開2006−89294号公報
特開平10−139586号公報
Semiconductor Silicon Crystal Technology, Fumio Shimura 1989年
しかしながら、特許文献1の発明では、シリコンの固形原料が坩堝の内壁面に衝突して、坩堝からシリコンの固形原料に不純物が混入するため好ましくない傾向があった。
また、特許文献2の発明でも、シリコンの固形原料充填時の融液面にて原料充填容器への液跳ねが生じ、シリコン融液が原料充填容器に付着して原料充填容器が劣化する傾向があった。
従って、本発明は上記従来の技術における問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、シリコンの固形原料による坩堝への衝突を低減し、さらに原料充填容器へのシリコン融液の付着を抑制するシリコン単結晶の製造装置およびシリコン単結晶の製造方法を提供することである。
本発明のシリコン単結晶の製造装置は、シリコン単結晶の製造装置であって、シリコンの固形原料を溶融させる坩堝と、前記固形原料を供給する供給装置であって、前記固形原料を前記坩堝に供給する原料供給部を含む原料充填容器と、前記原料供給部を覆い、前記坩堝側に設けられた開口部に向かって先細りとなる原料供給部カバーと、を有する供給装置と、を具備する。
また、前記原料供給部カバーは、モリブデン、タングステンまたは炭化珪素から成ることが望ましい。
また、前記供給装置は、上面視したときに、前記開口部の中心が前記坩堝の中心と一致するように配設されていることが望ましい。
本発明のシリコン単結晶の製造方法は、坩堝にシリコンの固形原料を供給する供給工程を含むシリコン単結晶の製造方法であって、前記供給工程は、原料充填容器に充填したシリコンの固形原料を原料供給部から排出する工程と、前記原料供給部を覆い、前記坩堝に向かって先細りとなった開口部を有する原料供給部カバーを経由して前記坩堝内に前記固形原料を落下させる工程と、を含む。
本発明のシリコン単結晶の製造装置は、上述の構成を有しているので、シリコンの固形原料充填時の融液面にて原料充填容器への液跳ねが生じても、原料充填容器の坩堝側に配置された原料供給部が原料供給部カバーにより覆われているため、シリコン融液の付着により生じる原料充填容器の劣化を抑制することができる。また、原料供給部カバーが開口部に向かって先細りとなっていることにより、放出するシリコンの固形原料の拡散を低減して、坩堝内壁面へのシリコンの固形原料の衝突を抑制することができる。
また、原料供給部カバーが、耐熱性を有するモリブデン、タングステンまたは炭化珪素から成ることにより、長期間の使用が可能となり、それにより原料充填容器をシリコン融液から十分に保護することができる。
また、前記供給装置は、上面視したときに、坩堝の中心と開口部の中心とが一致するように配設されていることにより、シリコンの固形原料は、坩堝の中心付近に落下するため、坩堝内壁面または熱遮蔽シールドへのシリコンの固形原料の衝突を抑制することができる。
本発明のシリコン単結晶の製造方法によれば、上述の工程を経るので、シリコンの固体原料への不純物の混入を抑えることができ、純度の高いシリコン単結晶を製造することが可能となる。
以下、本発明について実施形態の一例を以下に詳細に説明するが、とくに記載をしていない事項については、通常のCZ法によって使用されるシリコン単結晶の製造装置における固形原料の供給装置と同様である。
図1は、本発明のシリコン単結晶の製造装置の実施形態の一例を示す断面模式図である。また、図2は、図1のシリコン単結晶の製造装置の箇所の断面模式図である。
図1および2において、1はメインチャンバー、2はプルチャンバー、3はシリコン融液、4は石英坩堝、5は黒鉛坩堝、6はヒーター、7は保温用断熱材、8は熱遮蔽シールド、9はワイヤー、10は原料充填容器の本体部、11は原料供給部カバー、12は装置底部台座、13は坩堝の支持軸、14は排気口、15は錘台部、16は開口部、17は係止部、18は原料充填容器、19は原料供給部、ならびに20Aおよび20Bは接続部を示す。
図1におけるシリコン単結晶の製造装置は、いわゆるCZ炉であり、炉体としてメインチャンバー1およびプルチャンバー2を備えている。プルチャンバー2は、メインチャンバー1より小径で、メインチャンバー1の中心部上に重ねられる。メインチャンバー1内の中心部には坩堝が配置されている。
図1において、坩堝は内側に設けられた石英坩堝4と、その外側に設けられた黒鉛坩堝5と、を組み合わせた二重構造である。これらの坩堝は支持軸13により支持されている。支持軸13は坩堝を昇降させる、あるいは周方向に回転させるように駆動させることができる。
石英坩堝4は、シリコンの固形原料を融解させるために用いられる。シリコンの固形原料の融解は、排気口14から空気を排出して石英坩堝4の周囲を真空にしたのち、Arガスなどの不活性ガスを石英坩堝4上に流して行う。
黒鉛坩堝5の外側には、ヒーター6が配置されている。ヒーター6のさらに外側には保温断熱材7が、メインチャンバー1の内面に沿って装置底部台座12上に配置されている。さらに、保温用断熱材の上に開口部を設け、上部は外側に、下部は内側に水平に延びた円周部を有する熱遮蔽シールド8が設けられている。
プルチャンバー2内には、引き上げ軸としてのワイヤー9が垂下されている。ワイヤー9は、プルチャンバー2の最上部に設けられた図示されない駆動機構により回転駆動され、且つ昇降駆動される。
図1においてワイヤー9の下部に、原料充填容器18および原料供給部カバー11を有する固形原料の供給装置が設けられている。
原料充填容器18は、石英坩堝4内のシリコンの固形原料の融液に対してシリコンを供給するためのシリコンの固形原料が充填されるものである。原料充填容器18は、本体部10と原料供給部19とを含む。
本体部10はステンレス鋼等により形成されており、その形状は、例えば、円柱状を示す。本体部10は、原料充填容器18に充填されたシリコンの固形原料を保持する役割を果たす。
原料供給部19は、本体部10にて保持したシリコンの固形原料を、石英坩堝4へ供給する部位をいう。原料供給部19は、シリコンの固形原料の保持および放出の両方を可能とするために、先端に開閉可能な構造を有している。
原料充填容器18の動作は以下のとおりである。まず、図1の原料充填容器18を下降させると、係止部17がメインチャンバー内に設けられた小径部に当接し、原料充填容器18の下降が停止する。さらにワイヤー9を下げると原料供給部19が自重により下降して原料供給部19の先端が開く。これにより、原料充填容器18内に充填されていたシリコンの固形原料が原料供給部19から外部に排出される。その後、シリコンの固形原料は原料供給部カバー11を介して石英坩堝4に落下し、シリコン融液に供給される。
原料供給部カバー11は、原料供給部19の下部側に原料供給部19を覆うように設けられている。原料供給部カバー11は、接続部20Aおよび20Bによって原料充填容器18に接続されている。
原料充填容器18は、一般的にステンレス鋼から構成されており、1410℃を超えるシリコン融液に接近させると劣化する恐れがあるが、本発明では、原料充填容器18のうち、シリコン融液に近い原料供給部19を原料供給部カバー11により覆うことにより、液跳ねなどによるシリコン融液の付着を起こりにくくし、原料供給部19の劣化を抑制することができる。
とくに、原料供給部カバー11を、耐熱性に優れた部材により形成するようにすれば、原料供給部カバーの長期間の使用が可能となり、それにより原料充填容器18をシリコン融液から十分に保護することができる。このような耐熱性に優れた部材としては、モリブデン、タングステンまたはカーボンを用いることができる。なお、1000℃を超える高温条件下では、熱は光となり伝達される。そのため、原料供給部カバー11の材質としては、光を反射する、つまり輻射率が低いものが好ましい。輻射率は0.4以下が好ましく、このような材質としては、モリブデン、タングステンなどが挙げられる。
原料供給部カバー11の先端側(石英坩堝4側)には開口部16が設けられる。原料供給部19から放出されたシリコンの固形原料は、原料供給部カバー11の内部を経由して開口部16から石英坩堝4へ落下する。
原料供給部カバー11の先端は、開口部16に向かって先細りとなっている。この形状としては、例えば、錐台部15とすることが望ましい。このような錐台部15は、縦断面形状が台形のものをいい、具体的には円錐台、角錐台などが挙げられる。このような錐台部15を含むことにより、放出するシリコンの固形原料が石英坩堝4の内壁面または熱遮蔽シールド8への拡散を低減し、それらへのシリコンの固形原料の衝突を抑制することができる。
さらに、上面視したときに、開口部16の中心と坩堝の中心とが一致していることが好ましい。これにより、シリコンの固形原料は坩堝の中心付近に落下するため、石英坩堝4の内壁面、または熱遮蔽シールド8に対してシリコンの固形原料が衝突することが少なくなり、それらへの悪影響を低減することができる。
以上説明したシリコン単結晶の製造装置を用いることにより、本発明のシリコン単結晶の製造方法を行うことができる。具体的な方法は、すでに製造装置の説明において詳述したとおりである。
この本発明のシリコン単結晶の製造方法を用いることにより、シリコンの固体原料への不純物の混入を抑えることができ、純度の高いシリコン単結晶を製造することが可能となる。
なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。
1:メインチャンバー
2:プルチャンバー
3:シリコン融液
4:石英坩堝
5:黒鉛坩堝
6:ヒーター
7:保温用断熱材
8:熱遮蔽シールド
9:ワイヤー
10:本体部
11:原料供給部カバー
12:装置底部台座
13:坩堝支持軸
14:排気口
15:錘台部
16:開口部
17:係止部
18:原料充填容器
19:原料供給部
20A、20B:接続部
2:プルチャンバー
3:シリコン融液
4:石英坩堝
5:黒鉛坩堝
6:ヒーター
7:保温用断熱材
8:熱遮蔽シールド
9:ワイヤー
10:本体部
11:原料供給部カバー
12:装置底部台座
13:坩堝支持軸
14:排気口
15:錘台部
16:開口部
17:係止部
18:原料充填容器
19:原料供給部
20A、20B:接続部
Claims (4)
- シリコンの固形原料を溶融させる坩堝と、
前記固形原料を供給する供給装置であって、
前記固形原料を前記坩堝に供給する原料供給部を含む原料充填容器と、
前記原料供給部を覆い、前記坩堝側に設けられた開口部に向かって先細りとなる原料供給部カバーと、を有する供給装置と、を具備するシリコン単結晶の製造装置。 - 前記原料供給部カバーは、
モリブデン、タングステンまたは炭化珪素から成る請求項1記載のシリコン単結晶の製造装置。 - 前記供給装置は、
上面視したときに、前記開口部の中心が前記坩堝の中心と一致するように配設されている請求項1または2記載のシリコン単結晶の製造装置。 - 坩堝にシリコンの固形原料を供給する供給工程を含むシリコン単結晶の製造方法であって、
前記供給工程は、
原料充填容器に充填したシリコンの固形原料を原料供給部から排出する工程と、
前記原料供給部を覆い、前記坩堝に向かって先細りとなった開口部を有する原料供給部カバーを経由して前記坩堝内に前記固形原料を落下させる工程と、を含むシリコン単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008169109A JP2010006657A (ja) | 2008-06-27 | 2008-06-27 | シリコン単結晶の製造装置およびシリコン単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008169109A JP2010006657A (ja) | 2008-06-27 | 2008-06-27 | シリコン単結晶の製造装置およびシリコン単結晶の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010006657A true JP2010006657A (ja) | 2010-01-14 |
Family
ID=41587575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008169109A Pending JP2010006657A (ja) | 2008-06-27 | 2008-06-27 | シリコン単結晶の製造装置およびシリコン単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010006657A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013224402B4 (de) | 2013-06-11 | 2018-05-09 | Lg Siltron Incorporated | Auffüllanlage und Wachstumsanlage |
KR20200026247A (ko) | 2017-07-07 | 2020-03-10 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 리차지관 및 단결정의 제조방법 |
-
2008
- 2008-06-27 JP JP2008169109A patent/JP2010006657A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013224402B4 (de) | 2013-06-11 | 2018-05-09 | Lg Siltron Incorporated | Auffüllanlage und Wachstumsanlage |
KR20200026247A (ko) | 2017-07-07 | 2020-03-10 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 리차지관 및 단결정의 제조방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9217208B2 (en) | Apparatus for producing single crystal | |
JP5413354B2 (ja) | シリコン単結晶引き上げ装置及びシリコン単結晶の製造方法 | |
KR20070042971A (ko) | 용융기 어셈블리, 및 결정 형성 장치를 용융된 원재료로충전하는 방법 | |
JP2006089294A (ja) | チョクラルスキー法による原料供給装置および原料供給方法 | |
JP2008037745A (ja) | 単結晶成長装置に固体原料を供給する装置及び方法 | |
JP2008285351A (ja) | 原料供給装置及びこれを備えた単結晶引上げ装置、並びに原料供給方法 | |
JP2010083685A (ja) | 原料供給装置、単結晶製造装置および単結晶の製造方法 | |
US6805746B2 (en) | Method for supplying CZ material | |
EP2993259B1 (en) | Silicon single crystal fabrication method | |
JP2008297154A (ja) | シリコン単結晶引上用石英ガラスルツボおよびその製造方法 | |
JP4672579B2 (ja) | 固形状原料のリチャージ方法 | |
JP2010006657A (ja) | シリコン単結晶の製造装置およびシリコン単結晶の製造方法 | |
JP2005053722A (ja) | 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 | |
JP6708173B2 (ja) | リチャージ管及び単結晶の製造方法 | |
TW573084B (en) | Crystal puller and method for growing single crystal semiconductor material | |
JP4788445B2 (ja) | シリコン単結晶の引上げ方法 | |
JP2007254162A (ja) | 単結晶製造装置およびリチャージ方法 | |
JP4563951B2 (ja) | 固形状原料のリチャージ装置 | |
JP6627737B2 (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
JP2013006748A (ja) | 単結晶引上げ装置 | |
JPH0710682A (ja) | 単結晶の引上方法及びその製造装置 | |
JP2008063205A (ja) | 固形状原料のリチャージ装置およびこれを用いたリチャージ方法 | |
TW201300584A (zh) | 用於屏蔽拉晶裝置之一部分之進料工具 | |
JP4304608B2 (ja) | シリコン単結晶引上げ装置の熱遮蔽部材 | |
JP4762776B2 (ja) | 固体溶融装置 |