JP2009533882A - 貼り合わせウェハアバランシェフォトダイオードおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、参照により本明細書に組み込まれる、2006年4月19日に出願された「Bonded Wafer Avalanche Photodiode and Method for Manufacturing Same」という名称の米国特許仮出願第60/793084号の利益を主張する。
10b APD
10c APD
10d APD
11 ウェハ
11a 貼り合わせウェハ
11c ウェハ
12 ハンドル基板
12b ハンドル基板
14 高品質光活性基板
14b 活性基板
16 活性エリア
16a 活性エリア
18a 高電界領域
18b 高利得領域
20 高濃度ドープされたシリコンの層
20a 高濃度ドープされた層
20b 高濃度ドープされた層
22 利得領域
22a 利得領域
24 チャネルストップ
26 接合
26a 接合
28 不動態化層
30 反射防止コーティング
32 メタライゼーション層
34 メタライゼーション層
40 酸化物層
44 分割線
46 ウェル
48 高濃度ドープされた層
50 裏メタライゼーション層
52 裏メタライゼーション層
54 表メタライゼーション層
56 反射防止コーティング
60 メタライゼーション層
62 メタライゼーション層
64 反射性のメタライゼーション層
66 反射防止コーティング
Claims (30)
- 高品質電気光学的活性基板と、
前記活性基板に接着されたハンドル基板と、
アバランシェ電流利得を生成するための高電界領域を含む、前記高品質光活性基板内に形成されたアバランシェフォトダイオード活性エリアと
を備えるアバランシェフォトダイオード。 - 前記高品質電気光学的活性基板が、低濃度ドープされたシリコンを含む、請求項1に記載のアバランシェフォトダイオード。
- 前記ハンドル基板が、高濃度ドープされたシリコンを含む、請求項2に記載のアバランシェフォトダイオード。
- 前記低濃度ドープされたシリコンの層と前記高濃度ドープされたシリコンの層との間に、高濃度ドープされた層をさらに含む、請求項3に記載のアバランシェフォトダイオード。
- 前記低濃度ドープされたシリコンの層と前記高濃度ドープされたシリコンの層との間に、酸化物層をさらに含む、請求項3に記載のアバランシェフォトダイオード。
- 前記高品質電気光学的活性基板がp-型シリコンを含む、請求項2に記載のアバランシェフォトダイオード。
- 前記ハンドル基板がp+型シリコンを含む、請求項6に記載のアバランシェフォトダイオード。
- 前記p-型シリコンの層と前記p+型シリコンの層の間にp+型層をさらに含む、請求項7に記載のアバランシェフォトダイオード。
- 前記p-型シリコンの層と前記p+型シリコンの層の間に酸化物層をさらに含む、請求項7に記載のアバランシェフォトダイオード。
- 前記高品質電気光学的活性基板がn-型シリコンを含む、請求項2に記載のアバランシェフォトダイオード。
- 前記ハンドル基板がn+型シリコンを含む、請求項10に記載のアバランシェフォトダイオード。
- 前記n-型シリコンの層と前記n+型シリコンの層の間にn+型層をさらに含む、請求項11に記載のアバランシェフォトダイオード。
- 前記n-型シリコンの層と前記n+型シリコンの層の間に酸化物層をさらに含む、請求項11に記載のアバランシェフォトダイオード。
- 前記アバランシェフォトダイオード活性エリアが、前記高品質光活性基板内に形成された利得領域およびチャネルストップを含む、請求項1に記載のアバランシェフォトダイオード。
- アバランシェフォトダイオードの表面を保護するために、アバランシェフォトダイオードの表面上に形成された不動態化層をさらに含む、請求項14に記載のアバランシェフォトダイオード。
- アバランシェ電流利得を生成する前記高電界領域を設けるために、前記利得領域に隣接して形成された接合をさらに含む、請求項14に記載のアバランシェフォトダイオード。
- アバランシェフォトダイオードからの放射の反射を低減するために、前記拡散された接合に隣接して形成された反射防止コーティングをさらに含む、請求項16に記載のアバランシェフォトダイオード。
- 前記ハンドル基板内にウェルをさらに含む、請求項1に記載のアバランシェフォトダイオード。
- 前記ウェル内に形成された、高濃度ドープされたコンタクト層をさらに含む、請求項18に記載のアバランシェフォトダイオード。
- 前記高濃度ドープされたコンタクト層がp+型シリコンを含む、請求項19に記載のアバランシェフォトダイオード。
- 前記高濃度ドープされた層に隣接して、かつ前記ハンドル基板に隣接して形成された裏メタライゼーション層をさらに含む、請求項19に記載のアバランシェフォトダイオード。
- アバランシェフォトダイオードを製造する方法であって、
高品質電気光学的活性基板と、前記活性基板に接着されたハンドル基板とを有するウェハを用意するステップと、
前記電気光学的活性基板内で利得領域を拡散するステップと、
アバランシェ電流利得を生成するための高電界領域を設けるために、前記利得領域に隣接して接合を拡散するステップと
を含む方法。 - 電流リークを低減するために、前記電気光学的活性基板内でチャネルストップを拡散するステップをさらに含む、請求項22に記載の方法。
- 表面を保護するために、前記アバランシェフォトダイオードの表面を不動態化するステップをさらに含む、請求項22に記載の方法。
- 放射の反射を低減するために、前記拡散された接合上に反射防止コーティングを設けるステップをさらに含む、請求項24に記載の方法。
- 前記ハンドル基板内でウェルをエッチングするステップをさらに含む、請求項22に記載の方法。
- 前記ウェル内に、高濃度ドープされた層を設けるステップをさらに含む、請求項26に記載の方法。
- 高品質活性基板と、
前記活性基板に接着されたハンドル基板と、
前記ハンドル基板内に形成されたウェルと、
前記高品質活性基板内に形成されたアバランシェフォトダイオード活性エリアとを含み、前記活性エリアが、
前記活性基板内で拡散された利得領域と、
アバランシェ電流利得を生成するための高電界領域を設けるために、前記利得領域に隣接して拡散された接合と
を含む、アバランシェフォトダイオード。 - アバランシェフォトダイオードの表面を保護するために、アバランシェフォトダイオードの表面に隣接して形成された不動態化層をさらに含む、請求項28に記載のアバランシェフォトダイオード。
- 前記ハンドル基板が活性基板である、請求項28に記載のアバランシェフォトダイオード。
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