JP2009531511A - Cmp後洗浄プロセスのための改善されたアルカリ性の溶液 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 title description 5
- -1 organic acid compound Chemical class 0.000 claims abstract description 43
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 42
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 16
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims abstract description 12
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims abstract description 9
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 101
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 claims description 12
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 12
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229940102253 isopropanolamine Drugs 0.000 claims description 11
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 10
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 3-mercaptopropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCS DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- IRTOOLQOINXNHY-UHFFFAOYSA-N 1-(2-aminoethylamino)ethanol Chemical compound CC(O)NCCN IRTOOLQOINXNHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 claims description 6
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 claims description 6
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 claims description 6
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical class [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 5
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims description 5
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 claims description 5
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HDFRDWFLWVCOGP-UHFFFAOYSA-N carbonothioic O,S-acid Chemical compound OC(S)=O HDFRDWFLWVCOGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 3
- 235000006708 antioxidants Nutrition 0.000 claims description 3
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims description 3
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims description 3
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N Methanethiol Chemical compound SC LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- QAIPRVGONGVQAS-DUXPYHPUSA-N trans-caffeic acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C1=CC=C(O)C(O)=C1 QAIPRVGONGVQAS-DUXPYHPUSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 3
- ACEAELOMUCBPJP-UHFFFAOYSA-N (E)-3,4,5-trihydroxycinnamic acid Natural products OC(=O)C=CC1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 ACEAELOMUCBPJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M .beta-Phenylacrylic acid Natural products [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 2
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 1-O-galloyl-3,6-(R)-HHDP-beta-D-glucose Natural products OC1C(O2)COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC1C(O)C2OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N Cinnamic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001263 FEMA 3042 Substances 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N Penta-digallate-beta-D-glucose Natural products OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000004883 caffeic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229940074360 caffeic acid Drugs 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 235000013985 cinnamic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229930016911 cinnamic acid Natural products 0.000 description 2
- QAIPRVGONGVQAS-UHFFFAOYSA-N cis-caffeic acid Natural products OC(=O)C=CC1=CC=C(O)C(O)=C1 QAIPRVGONGVQAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRBQNJMCXXYXIU-QWKBTXIPSA-N gallotannic acid Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-QWKBTXIPSA-N 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N methyl p-hydroxycinnamate Natural products OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YQUVCSBJEUQKSH-UHFFFAOYSA-N protochatechuic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1 YQUVCSBJEUQKSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 235000015523 tannic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229940033123 tannic acid Drugs 0.000 description 2
- 229920002258 tannic acid Polymers 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKOLLVMJNQIZCI-UHFFFAOYSA-N vanillic acid Chemical compound COC1=CC(C(O)=O)=CC=C1O WKOLLVMJNQIZCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TUUBOHWZSQXCSW-UHFFFAOYSA-N vanillic acid Natural products COC1=CC(O)=CC(C(O)=O)=C1 TUUBOHWZSQXCSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- FVRSWMRVYMPTBU-UHFFFAOYSA-M 1-hydroxypropyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC(O)[N+](C)(C)C FVRSWMRVYMPTBU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FQXRXTUXSODUFZ-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazol-2-ylmethanethiol Chemical compound SCC1=NC=CN1 FQXRXTUXSODUFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADVGKWPZRIDURE-UHFFFAOYSA-N 2'-Hydroxyacetanilide Chemical compound CC(=O)NC1=CC=CC=C1O ADVGKWPZRIDURE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXTMDXOMEHJXQO-UHFFFAOYSA-N 2,5-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=CC=C1O WXTMDXOMEHJXQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CCO KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- 229940123973 Oxygen scavenger Drugs 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N Triisopropanolamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CC(C)O SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 125000003354 benzotriazolyl group Chemical group N1N=NC2=C1C=CC=C2* 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N diisopropanolamine Chemical compound CC(O)CNCC(C)O LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043276 diisopropanolamine Drugs 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- DNJIEGIFACGWOD-UHFFFAOYSA-N ethyl mercaptane Natural products CCS DNJIEGIFACGWOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KVFVBPYVNUCWJX-UHFFFAOYSA-M ethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](C)(C)C KVFVBPYVNUCWJX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 1
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 1
- LHGVFZTZFXWLCP-UHFFFAOYSA-N guaiacol Chemical compound COC1=CC=CC=C1O LHGVFZTZFXWLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093915 gynecological organic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- PJUIMOJAAPLTRJ-UHFFFAOYSA-N monothioglycerol Chemical compound OCC(O)CS PJUIMOJAAPLTRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 150000005619 secondary aliphatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 229960001367 tartaric acid Drugs 0.000 description 1
- 150000003510 tertiary aliphatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CBDKQYKMCICBOF-UHFFFAOYSA-N thiazoline Chemical compound C1CN=CS1 CBDKQYKMCICBOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229940035024 thioglycerol Drugs 0.000 description 1
- NBOMNTLFRHMDEZ-UHFFFAOYSA-N thiosalicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1S NBOMNTLFRHMDEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940103494 thiosalicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- GRNRCQKEBXQLAA-UHFFFAOYSA-M triethyl(2-hydroxyethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CCO GRNRCQKEBXQLAA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZASZWSTYEJKHIN-UHFFFAOYSA-N tripropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[NH+](CCC)CCC ZASZWSTYEJKHIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004418 trolamine Drugs 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- MWOOGOJBHIARFG-UHFFFAOYSA-N vanillin Chemical compound COC1=CC(C=O)=CC=C1O MWOOGOJBHIARFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012141 vanillin Nutrition 0.000 description 1
- FGQOOHJZONJGDT-UHFFFAOYSA-N vanillin Natural products COC1=CC(O)=CC(C=O)=C1 FGQOOHJZONJGDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000002888 zwitterionic surfactant Substances 0.000 description 1
- DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N β‐Mercaptoethanol Chemical compound OCCS DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
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- C11D7/06—Hydroxides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
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- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
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- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
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- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
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- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
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- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
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- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
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Abstract
有機アミン及び/又は4級アンモニウム水酸化物を含む少なくとも2つの塩基性化合物、少なくとも1つの有機酸化合物、及び材料の腐食を防止する腐食剤化合物を含むアルカリ性のCMP後洗浄溶液が提供される。防止剤化合物は、好ましくは、メルカプタン化合物である。1つの具体例では、洗浄溶液は、少なくとも2つの有機アミンを含むが、4級アンモニウム水酸化物は含まない。洗浄溶液は、好ましくは、約7〜約12の範囲のpHを有する。
Description
背景分野
本開示は、化学的機械的研磨と平坦化後の銅と低k表面を洗浄するためのアルカリ性の化学物質に関する。
本開示は、化学的機械的研磨と平坦化後の銅と低k表面を洗浄するためのアルカリ性の化学物質に関する。
関連技術
化学的機械的研磨或いは平坦化(CMP)は、半導体素子或いは基板の最上層表面が平坦化される半導体製造プロセスで使用される技術である。半導体素子は、典型的には、ウエハー中或いは上に形成された活性領域と活性領域に接続するためにウエハーに沿うエッチングされたラインに堆積される金属(典型的には銅或いはタングステン)から形成される配線とを有するシリコン系ウエハーである。CMPプロセスは、表面を平坦化するために半導体素子上に堆積された過剰な銅を除去するために使用される。CMPプロセスは、典型的には、制御された条件下で湿潤した研磨表面に対して、半導体基板を回転させることを含む。化学的研磨剤は、研磨材料(例えば、アルミナ或いはシリカ)のスラリーとCMPプロセス中に基板表面と相互作用する他の化学的化合物を含む。
化学的機械的研磨或いは平坦化(CMP)は、半導体素子或いは基板の最上層表面が平坦化される半導体製造プロセスで使用される技術である。半導体素子は、典型的には、ウエハー中或いは上に形成された活性領域と活性領域に接続するためにウエハーに沿うエッチングされたラインに堆積される金属(典型的には銅或いはタングステン)から形成される配線とを有するシリコン系ウエハーである。CMPプロセスは、表面を平坦化するために半導体素子上に堆積された過剰な銅を除去するために使用される。CMPプロセスは、典型的には、制御された条件下で湿潤した研磨表面に対して、半導体基板を回転させることを含む。化学的研磨剤は、研磨材料(例えば、アルミナ或いはシリカ)のスラリーとCMPプロセス中に基板表面と相互作用する他の化学的化合物を含む。
CMPは基板表面を平坦化することに有効であるが、このプロセスは、表面に汚染物を残し、このような汚染残留物を除去するためのCMP後洗浄溶液の適用を必要とする。例えば、低k膜上の銅残留物はこのような膜の誘電特性を劣化する可能性があり、一方、CMPプロセスからの他の粒子は、接触抵抗を増加し、配線材料の導電性を制限し、上に覆いかぶさる層の貧弱な接着を招く可能性がある。したがって、このような粒子或いは残留物は、CMP後洗浄プロセスにおいて基板表面から除去されねばならない。
多くの化学物質が半導体素子のCMP後洗浄のために知られている。特に、ある種の洗浄化学物質或いは溶液は、アルカリ性であり、洗浄中に素子から除去される粒子の再接着を防止若しくは妨害する4級アンモニウム水酸化物のような強塩基性化合物を含む。他の洗浄溶液は、酸性であり、素子表面からの金属不純物の十分な溶解と除去を保証するための1以上の適切な酸を含む。
既知のCMP後洗浄溶液の幾つかは、残留酸化物及び/又は他の粒子と銅残留物を半導体素子表面から効果的に除去するが、このような洗浄溶液は、銅のような金属に対して腐食性であり得る。加えて、これら洗浄溶液の幾つかは、特に、テトラメチルアンモニウム水酸化物(TMAH)のような腐食性化合物が使用されるときには、洗浄プロセスの間に金属腐食に抗して保護するための表面膜を提供することができず、他方、他の洗浄溶液は、腐食防止剤化合物を全く含まない。
基板表面に露出した配線の腐食を効果的に防止しながら、金属と他の残留物を除去するために半導体素子表面を効率的に処理するCMP後洗浄溶液を提供することが望ましい。
概要
銅のような金属及び/又は他の残留物をCMPプロセス後の金属或いは低k表面から除去するために、半導体素子を効果的に洗浄する一方、素子中の金属配線の腐食を効果的に最小化または防止する、アルカリ性のCMP後溶液が、ここに記載されている。
銅のような金属及び/又は他の残留物をCMPプロセス後の金属或いは低k表面から除去するために、半導体素子を効果的に洗浄する一方、素子中の金属配線の腐食を効果的に最小化または防止する、アルカリ性のCMP後溶液が、ここに記載されている。
洗浄溶液の例は、有機アミン及び4級アンモニウム水酸化物から成る群より選択される少なくとも2つの有機塩基化合物、少なくとも1つのカルボン酸及びメルカプタン化合物を含む。メルカプタン化合物は、メルカプトプロピオン酸若しくはシステインのようなメルカプトカルボン酸であり得る。洗浄溶液は、好ましくは、約7〜約12の範囲のpHを有する。
別の具体例では、洗浄溶液は、少なくとも2つの有機アミン化合物、少なくとも1つの有機カルボン酸及び金属腐食を妨害する防止剤化合物を含む。洗浄溶液は、更に実質的にアンモニウム水酸化物化合物を含まない。防止剤化合物は、メルカプタン化合物であり得る。好ましくは、洗浄溶液は、約7〜約11の範囲の、より好ましくは、約9〜約10.5の範囲のpHを有する。
ここに記載された洗浄溶液は、表面の金属部分の腐食を防止しつつ、素子表面を効果的に洗浄するために半導体素子の表面と接触することができる。
上記及びいっそう更なる特徴と利点は、その特定の具体例の以下の詳細な説明を考慮すると明らかになろう。
詳細な説明
金属屑と他の汚染物を含む基板表面を洗浄するために有効であるアルカリ性の化学物質若しくは溶液は、少なくとも2つの有機塩基化合物、少なくとも1つの有機酸化合物及び金属腐食を妨害する防止剤化合物を含む。
金属屑と他の汚染物を含む基板表面を洗浄するために有効であるアルカリ性の化学物質若しくは溶液は、少なくとも2つの有機塩基化合物、少なくとも1つの有機酸化合物及び金属腐食を妨害する防止剤化合物を含む。
アルカリ性の溶液は、銅のような金属、酸化物、有機残留物及び/又は他の汚染残留物の素子表面からの除去が必要とされる半導体素子表面の化学的機械的研磨或いは平坦化(CMP)プロセス後に、特に、効果的である。アルカリ性の溶液中の塩基と酸性化合物との組み合わせは、アルカリ性の溶液の防止剤化合物が、基板表面での銅及び/又は他の金属の腐食を最小化或いは妨害しつつ、そのような金属の除去を容易にするために金属を溶解することにより及び/又は金属を錯化することにより、また、有機及び/又は他の残留物を除去することにより、そのような汚染残留物の効果的な除去を可能にする。
洗浄溶液に供給される塩基性化合物は、好ましくは有機アミン化合物、4級アンモニウム水酸化物化合物若しくはそれらの混合物である。洗浄溶液での使用のために適する有機アミン化合物の例は、限定するものではないが、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン及びアルカノールアミン(例、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、アミノエタノールアミン、トリエタノールアミン、イソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、(アミノエチルアミノ)エタノール等)のような1級、2級、若しくは3級脂肪族アミン、芳香族アミン、ヘテロ環状アミン及びそれらの混合物を含む。
洗浄溶液での使用のために適する4級アンモニウム水酸化物化合物の例は、限定するものではないが、アンモニウム水酸化物、テトラメチルアンモニウム水酸化物(TMAH)、テトラエチルアンモニウム水酸化物、テトラプロピルアンモニウム水酸化物のようなテトラアルキルアンモニウム水酸化物、トリメチルエチルアンモニウム水酸化物、(2-ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウム水酸化物、(2-ヒドロキシエチル)トリエチルアンモニウム水酸化物、(2-ヒドロキシエチル)トリプロピルアンモニウム水酸化物、(1-ヒドロキシプロピル)トリメチルアンモニウム水酸化物及びそれらの混合物を含む。
1つの具体例では、アルカリ性の洗浄溶液は、適切な有機酸と適切な防止剤化合物に加えて、TMAHとイソプロパノールアミンとの混合物を含む。しかしながら、TMAHのような4級アンモニウム水酸化物は、洗浄されるべき一定の表面に高度に腐食的であり得、そのような際には、洗浄溶液でのそのような化合物の使用を回避することがある種の洗浄方法には望ましいかもしれない。加えて、TMAHの使用に関連する多くの安全面及び環境面での危険要因があり、TMAHを使用する洗浄溶液の取り扱いと廃棄に関連する出費が増大する可能性がある。
したがって、基板表面から残留物を洗浄することに有効である洗浄溶液の他の具体例は、実質的に4級アンモニウム水酸化物化合物を含まない。洗浄溶液のこの群は、好ましくは、少なくとも2つの有機アミンを含む。具体例では、洗浄溶液は、適切な有機酸と適切な防止剤化合物に加えて、イソプロパノールアミンと(アミノエチルアミノ)エタノールとの組み合わせを含む。
洗浄溶液中での使用に適する有機酸化合物は、銅に対する強力な錯化剤であり、限定するものではないが、酢酸、プロピオン酸、酪酸、安息香酸、グルコン酸、グルタミン酸、乳酸、アスパラギン酸、酒石酸、アスコルビン酸、没食子酸、カフェー酸、桂皮酸、タンニン酸、バニリン酸、シュウ酸、クエン酸、サリチル酸、マロン酸、マリック酸、フマール酸、マレイン酸及びそれらの混合物を含む。
上記したように、洗浄剤溶液は、銅及び/又は他の金属の腐食若しくは酸化を防止或いは妨害する少なくとも1つの防止剤化合物を含む。適切な腐食防止剤化合物は、還元性化合物、膜形成性化合物、抗酸化剤及び/又は酸素掃去剤化合物の型から成り得る。上記有機酸の幾つかは、基板表面を保護するための腐食防止剤として適している。特に適切な防止剤は、銅の酸化を防止或いは妨害する化合物である。1以上のこれら防止剤の型に入る適切な防止剤化合物の例は、限定するものではないが、アセトアミドフェノール、アミノフェノール、アスコルビン酸、カフェー酸、桂皮酸、ジヒドロオキシ安息香酸、グルコース、イミダゾール、メルカプトチアゾリン、メルカプトエタノール、メルカプトプロピオン酸、システイン、メルカプトベンゾチアゾール、メルカプトメチルイミダゾールのようなメルカプタン化合物、メトキシフェノール、タンニン酸、チオグリセロール、サリチル酸、チオサリチル酸、トリアゾール、バニリン、バニリン酸及びそれらの混合物を含む。
洗浄化学物質が銅に対して高度に腐食性である用途のようなある種の洗浄剤の用途では、洗浄剤中の防止剤化合物として膜形成性化合物を使用することが好ましい。しかしながら、ある種の膜形成性防止剤化合物(例えば、ベンゾトリアゾールのようなトリアゾール化合物)は、洗浄される基板表面上に厚い膜層を形成し、基板表面からの一定の残留物の除去を妨害し、洗浄をより効果的としない作用を有する可能性がある。1以上のメルカプタン化合物(例えば、ベンゾトリアゾールを含まないメルカプタン化合物)の使用は、表面からの残留物の洗浄を効果的にしつつ、基板表面上の銅のような金属の腐食を効果的に防止或いは妨害する薄い膜厚を提供する。特に、メルカプトプロピオン酸、或いはシステインのようなメルカプトカルボン酸は、基板表面の腐食を防止することに非常に有効である。
洗浄溶液は、洗浄溶液の性能と作用を向上する任意の通常及び/又は他の型の適切な添加剤(例えば、ポリエチレングリコール或いはポリプロピレングリコール等のような界面活性剤、粘着剤)を含む。例えば、非イオン性、陰イオン性、陽イオン性、双性イオン性及び/又は両性界面活性剤のような、任意の1以上の適切な型の界面活性剤が、洗浄適用中の基板の親水性表面の湿潤性を向上するために洗浄溶液に供給することができる。
洗浄溶液は、脱イオン水のような適切な溶媒に、約3〜約12重量%の塩基化合物、約0.25〜約5重量%の1以上の有機酸化合物及び約0.1〜約5重量%の1以上の防止剤化合物を含む。
これら重量パーセント範囲は、非希釈洗浄液を基準とし、そのような洗浄溶液は、好ましくは、洗浄用途に使用される前に適切な濃度に希釈されることが留意される。例えば、上記のような重量パーセント範囲内の化学物資を有する洗浄溶液は、脱イオン水で約50〜約100倍に希釈することができ、そのような希釈された濃度水準で基板表面の効果的な洗浄を保証する。
好ましくは、希釈された洗浄溶液は、脱イオン水中に、約0.05〜約0.2重量%の塩基化合物、約0.002〜約0.1重量%の1以上の有機酸化合物及び約0.004〜約0.1重量%の1以上の防止剤化合物を含む。
1つの具体例では、洗浄溶液は、脱イオン水中に、約3重量%のTMAHと約6重量%のイソプロパノールアミン、約2重量%のサリチル酸及び1重量%のメルカプトプロピオン酸を含む。この溶液は、約60倍に希釈して、脱イオン水中に、約0.05重量%のTMAHと約0.10重量%のイソプロパノールアミン、約0.033重量%のサリチル酸及び0.0167重量%のメルカプトプロピオン酸という最終濃度にすることができる。
別の具体例では、洗浄溶液は、脱イオン水中に、約6重量%のイソプロパノールアミン、約5重量%の(アミノエチルアミノ)エタノール、約4重量%のアスコルビン酸及び1.5重量%のサリチル酸を含む。この溶液は、約60倍に希釈して、脱イオン水中に、約0.1重量%のイソプロパノールアミン、約0.0833重量%の(アミノエチルアミノ)エタノール、約0.067重量%のアスコルビン酸及び0.025重量%のサリチル酸という最終濃度にすることができる。
上記洗浄溶液は、洗浄溶液中で、化合物の大体均一な混合物を形成するために、任意の適切な方法で、脱イオン水中で、塩基性化合物、1以上の有機酸化合物及び1以上の防止剤化合物を混合し或いは結合することにより調製することができる。洗浄溶液化学物質は、洗浄溶液のpHが、好ましくは、約7〜約12の範囲内になるように更に調製される。例えば、TMAHを含まない洗浄溶液に対しては、適切な洗浄化学物質は、洗浄溶液のpHが、好ましくは、約7〜約11、より好ましく、約9〜約10.5の範囲内であるように調製され得る。TMAHが洗浄溶液中で塩基性化合物として供給されるときは、洗浄化学物質は、洗浄溶液のpHが約11〜約12の範囲内であるように調製され得る。
洗浄溶液のための所望の濃度が得られるやいなや(例えば、初期濃度から所望の洗浄濃度への脱イオン水による適切な希釈による)、洗浄溶液は、任意の通常或いは他の適切な方法で、基板表面に適用される。具体例では、半導体ウエハーは、ウエハー中に形成される活性領域とウエハーに沿うエッチングされたラインに堆積され、活性領域に接続する銅配線とを備える。ウエハー表面は、CMPプロセスを使用して平坦化されてきた。その後、上記のような適切な化学物質を有する洗浄溶液は、CMP後洗浄プロセスでウエハー表面に接触するために適用される。ウエハー表面との洗浄溶液の接触は、例えば、洗浄溶液でウエハー表面をブラッシング或いはスクラビングすることにより、洗浄溶液をウエハー表面に噴霧することにより、ウエハーの1部分を洗浄溶液タンクに、浸漬或いは浸透することにより、またはそれらの組み合わせにより、なされることができる。
上記洗浄溶液は、表面腐食から基板表面を保護しつつ、CMP後洗浄プロセス中に基板表面から金属、有機及び/又は他の残留物を除去するのに非常に有効である。加えて、TMAHの使用を回避する上記洗浄溶液は、より安全でより環境的に受容可能な化学物質を提供する。
CMP後洗浄プロセスのための新規なアルカリ性の溶液と対応するそのような溶液による半導体素子表面の洗浄方法を説明したが、ここに提示した教示に基づいて他の改変、変形及び変更が当業者に示唆されるであろうと考えられる。したがって、そのような全ての改変、変形及び変更が本願特許請求の範囲により定義される範囲に入ると考えられることが理解される。
Claims (31)
- 有機アミン及び4級アンモニウム水酸化物から成る群より選択される少なくとも2つの塩基性化合物;
少なくとも1つの有機酸化合物;及び
メルカプタン化合物
を含む洗浄溶液。 - 溶液のpHが、約7〜約12の範囲である、請求項1記載の溶液。
- 少なくとも2つの塩基化合物が、有機アミンとテトラメチルアンモニウム水酸化物を含む、請求項1記載の溶液。
- メルカプタン化合物が、メルカプトカルボン酸を含む、請求項1記載の溶液。
- メルカプタン化合物が、メルカプトプロピオン酸とシステインの少なくとも1つを含む、請求項4記載の溶液。
- 脱イオン水で約50倍〜約100倍の希釈により、希釈溶液が、希釈溶液中に約0.05〜約0.2重量%の少なくとも2つの塩基化合物、希釈溶液中に約0.002〜約0.1重量%の少なくとも1つの有機酸化合物及び希釈溶液中に約0.004〜約0.1重量%の少なくとも1つのメルカプタン化合物を含む組成を有するような適切な組成を溶液が有する、請求項1記載の溶液。
- 溶液が、テトラメチルアンモニウム水酸化物、イソプロパノールアミン、サリチル酸及びメルカプトプロピオン酸を含む、請求項1記載の溶液。
- 溶液が、実質的に4級アンモニウム水酸化物化合物を含まない、請求項1記載の溶液。
- 少なくとも1つの有機酸化合物が、銅に対する錯化剤である、請求項1記載の溶液。
- 少なくとも2つの有機アミン化合物;
少なくとも1つの有機酸化合物;及び
金属腐食を防止する防止剤化合物
を含む洗浄溶液であって、
溶液が、実質的に4級アンモニウム水酸化物化合物を含まない、溶液。 - 防止剤化合物が、銅の酸化を防止する又は妨害する抗酸化剤を含む、請求項10記載の溶液。
- 防止剤化合物が、メルカプタン化合物を含む、請求項10記載の溶液。
- 溶液が、イソプロパノールアミン、(アミノエチルアミノ)エタノール、アスコルビン酸及びサリチル酸を含む、請求項10記載の溶液。
- 溶液のpHが、約7〜約11の範囲である、請求項10記載の溶液。
- 溶液のpHが、約9〜約10.5の範囲である、請求項10記載の溶液。
- 少なくとも1つの有機酸化合物が、銅に対する錯化剤である、請求項10記載の溶液。
- 有機アミン及び4級アンモニウム水酸化物から成る群より選択される少なくとも2つの塩基化合物、少なくとも1つの有機酸化合物及びメルカプタン化合物を含む洗浄溶液を準備すること及び
半導体素子の表面を洗浄溶液に接触させること
を含む、半導体素子の洗浄方法。 - 洗浄溶液のpHが、約7〜約12の範囲である、請求項17記載の方法。
- 少なくとも2つの有機塩基化合物が、有機アミンとテトラメチルアンモニウム水酸化物を含む、請求項17記載の方法。
- メルカプタン化合物が、メルカプトカルボン酸を含む、請求項17記載の方法。
- メルカプタン化合物が、メルカプトプロピオン酸とシステインの少なくとも1つを含む、請求項20記載の方法。
- 希釈溶液が、希釈溶液中に約0.05〜約0.2重量%の少なくとも2つの塩基化合物、希釈溶液中に約0.002〜約0.1重量%の少なくとも1つの有機酸化合物及び希釈溶液中に約0.004〜約0.1重量%の少なくとも1つのメルカプタン化合物を含む組成を有するように、洗浄溶液により半導体素子表面を接触する前に、脱イオン水で約50倍〜約100倍の希釈することを更に含む、請求項17記載の方法。
- 溶液が、テトラメチルアンモニウム水酸化物、イソプロパノールアミン、サリチル酸及びメルカプトプロピオン酸を含む、請求項17記載の方法。
- 溶液が、実質的にアンモニウム水酸化物化合物を含まない、請求項17記載の方法。
- 少なくとも1つの有機酸化合物が、銅に対する錯化剤である、請求項17記載の方法。
- 少なくとも2つの有機アミン化合物、少なくとも1つの有機酸化合物及び金属腐食を防止する防止剤化合物を含む洗浄溶液であって、洗浄溶液が、実質的にアンモニウム水酸化物化合物を含まない、洗浄溶液を準備すること及び
半導体素子の表面を洗浄溶液に接触させること
を含む、半導体素子の洗浄方法。 - 防止剤化合物が、メルカプタン化合物を含む、請求項26記載の方法。
- 防止剤化合物が、銅の酸化を防止する又は妨害する抗酸化剤を含む、請求項26記載の方法。
- 洗浄溶液が、イソプロパノールアミン、(アミノエチルアミノ)エタノール、アスコルビン酸及びサリチル酸を含む、請求項26記載の方法。
- 洗浄溶液のpHが、約7〜約11の範囲である、請求項26記載の方法。
- 少なくとも1つの有機酸化合物が、銅に対する錯化剤である、請求項26記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US78617706P | 2006-03-27 | 2006-03-27 | |
US79153806P | 2006-04-12 | 2006-04-12 | |
US11/478,317 US20070225186A1 (en) | 2006-03-27 | 2006-06-30 | Alkaline solutions for post CMP cleaning processes |
PCT/IB2007/000566 WO2007110719A2 (en) | 2006-03-27 | 2007-03-09 | Improved alkaline solutions for post cmp cleaning processes |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009531511A true JP2009531511A (ja) | 2009-09-03 |
Family
ID=38180133
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009502234A Pending JP2009531511A (ja) | 2006-03-27 | 2007-03-09 | Cmp後洗浄プロセスのための改善されたアルカリ性の溶液 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070225186A1 (ja) |
EP (1) | EP2001988A2 (ja) |
JP (1) | JP2009531511A (ja) |
KR (1) | KR20090008271A (ja) |
TW (1) | TW200745326A (ja) |
WO (1) | WO2007110719A2 (ja) |
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CR20230492A (es) | 2021-04-01 | 2023-11-23 | Sterilex LLC | Desinfectante/sanitizante en polvo sin quats |
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2006
- 2006-06-30 US US11/478,317 patent/US20070225186A1/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-03-09 EP EP07733935A patent/EP2001988A2/en not_active Withdrawn
- 2007-03-09 JP JP2009502234A patent/JP2009531511A/ja active Pending
- 2007-03-09 KR KR1020087026040A patent/KR20090008271A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-03-09 WO PCT/IB2007/000566 patent/WO2007110719A2/en active Application Filing
- 2007-03-13 TW TW096108515A patent/TW200745326A/zh unknown
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US10920141B2 (en) | 2013-06-06 | 2021-02-16 | Entegris, Inc. | Compositions and methods for selectively etching titanium nitride |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2001988A2 (en) | 2008-12-17 |
US20070225186A1 (en) | 2007-09-27 |
WO2007110719A2 (en) | 2007-10-04 |
WO2007110719A3 (en) | 2007-12-06 |
TW200745326A (en) | 2007-12-16 |
KR20090008271A (ko) | 2009-01-21 |
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