JP2009530218A - 太陽電池及びその他の用途のシリコンの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2006年3月15日に出願された米国特許仮出願第60/782,361号に基づき、35 U.S.C. §119の下で優先権を主張する。参照出願の教示は、その全体が参照により本明細書に組み入れられる。
上昇するエネルギーコスト及び拡大した電力網並びにエネルギー自給に対する要望は、電気を起こすためにソーラーパネル(光起電性)の使用の最近の急増を誘発した。現在、市場における太陽電池の90%超がシリコンを使用する。しかしながら、中間グレードのシリコンの不足は、シリコン太陽産業の成長を妨げている。近年まで、太陽電池のためのシリコンの全需要は、エレクトロニクス産業と半導体産業からの使い残しのスクラップシリコンで十分に持ちこたえるほどに少なかった。しかしながら、新たな需要は、こうしたシリコン源を完全に超えている。
本発明は、好ましくは炭素質の作用物質である還元剤の存在下で、水溶液中で予備精製されたシリカの還元を用い、光電池に適する高純度シリコンを調製する方法に関し、前記の予備精製されたシリカは、好ましくは、約5ppm以下、より好ましくは、約3ppm以下、さらにより好ましくは、約1ppm以下又は1ppm未満、さらに一層好ましくは0.5ppm未満の、光電池に適する僅かな量のホウ素を有する。好ましくは、予備精製されたシリカは、水溶性型シリカ、好ましくは、アルカリシリケート、より好ましくは、ケイ酸ナトリウム又はケイ酸カリウムのシリカ水溶液を、ホウ素除去剤、好ましくは、ホウ素特異的キレート樹脂、さらにより好ましくは、N-メチルグルカミンの官能基を有するイオン交換樹脂に接触させることによって得られる。また、水溶液は、好ましくは、遷移金属、カルシウム、もしくはマグネシウムであるリン除去剤、又はモリブデン酸塩、もしくはモリブデン酸塩で処理したアニオン樹脂で処理してもよい。炭素質の作用物質は、活性炭又はカーボンブラックであり、好ましくは、ホウ素及びリンを実質的に含まず、より好ましくは、約1ppm以下のホウ素含有量を有する。
今までに見過ごされてきたことは、化学的精製が、水相中で、はるかにより容易にかつ経済的に遂行されることである。今までに、シリコンの製造において使用される成分の予備精製を提案した方法はない。より高純度の化合物(例えば、砂の代わりにケイ石)を使用する提案はあったが、これらの物質の処理はなく、結局、天然資源は、潜在的にはより純粋であるものの、多くの鉱物の混入が頻繁にあり得ることから長期的には十分に純粋ではなく、BとPの純度の要件の限度を十分に超えてしまう結果になっている。
SiO2 + 2C → Si + 2CO (1)
SiO2 + 2C → Si + 2CO (2)
SiO2 + 3C → SiC + 2CO (3)
SiO2 + C → SiO + CO (4)
SiO + C → Si + CO (5)
SiO + SiC → Si + CO (6)
3SiO2 + 4Al → 3Si +2Al2O3 (7)
Na2CO3 + SiO2 → Na2SiO3 + CO2 (8)
2NaOH + SiO2 → Na2SiO3 +H2O (9)
10.0グラムのケイ酸ナトリウムを200ミリリットルの脱イオン水に溶かした。その溶液のpHは11.2であった。誘導結合プラズマ(ICP)のみならずBoro Trace(商標)3試薬を用いるHACH湿式ホウ素測定法の双方を用い、サンプルをホウ素について分析した。出発のホウ素含有量は、重量で4ppmであった。最初の溶液を、Rohm & Haas, Amberlite(登録商標)IRA-743-Aキレート樹脂を入れた50ミリリットルの樹脂カラムに通過させた。その樹脂は、ホウ素を特に引き付ける成分を使用する。他の企業も、同様に本出願において使用され得る同様な適切な樹脂を製造している。そのカラムは、シリケートもナトリウムイオンも吸収しない。75ミリリットルの分画を収集し、ホウ素について分析した。ホウ素は0.1ppmまで低下した。
10.0グラムのケイ酸ナトリウムを200ミリリットルの脱イオン水に溶かした。その溶液のpHは11.2であった。サンプルのpHを硫酸で10.0に調節した。誘導結合プラズマ(ICP)のみならずBoro Trace(商標)3試薬を用いるHACH湿式ホウ素測定法の双方を用い、サンプルをホウ素について分析した。出発のホウ素含有量は、重量で4ppmであった。最初の溶液を、Rohm & Haas, Amberlite(登録商標)IRA-743-Aキレート樹脂を入れた50ミリリットルの樹脂カラムに通過させた。その樹脂は、ホウ素を特に引き付ける成分を使用する。他の企業も、同様に本出願において使用され得る同様な適切な樹脂を製造している。そのカラムは、シリケートもナトリウムイオンも吸収しない。75ミリリットルの分画を収集し、ホウ素について分析した。ホウ素は0.09ppmまで低下した。
10.0グラムのケイ酸ナトリウムを200ミリリットルの脱イオン水に溶かした。その溶液のpHは11.2であった。サンプルのpHを硫酸で10.0に調節した。誘導結合プラズマ(ICP)のみならずBoro Trace(商標)3試薬を用いるHACH湿式ホウ素測定法の双方を用い、サンプルをホウ素について分析した。サンプルを意図的に12.0ミリグラムのホウ酸でスパイクした。出発のホウ素含有量は、重量で15ppmであった。最初の溶液を、Rohm & Haas, Amberlite(登録商標)IRA-743-Aキレート樹脂を入れた50ミリリットルの樹脂カラムに通過させた。その樹脂は、ホウ素を特に引き付ける成分を使用する。他の企業も、同様に本出願において使用され得る同様な適切な樹脂を製造している。そのカラムは、シリケートもナトリウムイオンも吸収しない。75ミリリットルの分画を収集し、ホウ素について分析した。ホウ素は0.1ppmまで低下した。
10.0グラムのケイ酸ナトリウムを200ミリリットルの脱イオン水に溶かした。その溶液のpHは11.2であった。サンプルのpHを硫酸で10.5に調節した。誘導結合プラズマ(ICP)のみならずBoro Trace(商標)3試薬を用いるHACH湿式ホウ素測定法の双方を用い、サンプルをホウ素について分析した。出発のホウ素含有量は、重量で4ppmであった。最初の溶液を、Rohm & Haas, Amberlite(登録商標)IRA-743-Aキレート樹脂を入れた50ミリリットルの樹脂カラムに通過させた。その樹脂は、ホウ素を特に引き付ける成分を使用する。他の企業も、同様に本出願において使用され得る同様な適切な樹脂を製造している。そのカラムは、シリケートもナトリウムイオンも吸収しない。75ミリリットルの分画を収集し、ホウ素について分析した。ホウ素は、ICP法の検出限界の0.04ppm未満まで低下した。
実施例1からのサンプルを硫酸でpH7.0まで酸性化した。溶液を10分間にわたって放置し、その間にシリカゲルが生成した。ゲルをDI水で洗浄し、ろ過し、乾燥した。ゲルをホウ素について分析した結果、これは0.15ppmのBを含んでいた。
実施例4からのサンプルを硫酸でpH7.0まで酸性化した。溶液を10分間にわたって放置し、その間にシリカゲルが生成した。ゲルをDI水で洗浄し、ろ過し、乾燥した。ゲルをホウ素について分析した結果、これは0.05ppmのBを含んでいた。
1,000キログラムのケイ酸ナトリウムを20,000リットルの脱イオン水に溶かす。その溶液のpHは11.2である。サンプルのpHを硫酸で10.5に調節する。誘導結合プラズマ(ICP)のみならずBoro Trace(商標)3試薬を用いるHACH湿式ホウ素測定法の双方を用い、サンプルをホウ素について分析する。最初の溶液を、Rohm & Haas, Amberlite(登録商標)IRA-743-Aキレート樹脂を入れた500リットルの樹脂カラムに通過させる。その樹脂は、ホウ素を特に引き付ける成分を使用する。他の企業も、同様に本出願において使用され得る同様な適切な樹脂を製造している。そのカラムは、シリケートもナトリウムイオンも吸収しない。全体の分画を収集し、ホウ素について分析する。カラムからの溶液を、今度は、pHが7.0になるまで硫酸で処理する。放置の後、ゲルが生成し、これをろ過し、1400℃以下で乾燥する。乾燥した材料を、エッジにて約2〜6インチのいくつかのサイズのブリケットにブリケット加工する。別に、1,000キログラムの砂糖を2,000リットルのDI水に溶かし、その溶液を、Rohm & Haas, Amberlite(登録商標)IRA-743-Aキレート樹脂を入れた500リットルの樹脂カラムに通過させる。その樹脂は、ホウ素を特に引き付ける成分を使用する。他の企業も、同様に本出願において使用され得る同様な適切な樹脂を製造している。水を蒸発させて砂糖を回収し、次いで、これを黒鉛化率が約45%となるまで不活性雰囲気中において1200℃で熱分解し、400キログラムの炭素を得る。この材料を、エッジにて約2〜6インチのいくつかのサイズのブリケットにブリケット加工する。炭素のブリケットとシリカのブリケットをサブマージドアーク炉に供給する。炉は、1700℃を上回る温度に加熱し、5時間後に、シリコン金属が底に集まり始める。シリコン金属は、必要に応じ、炉の底から周期的に抜き出す。シリコンを抜き出しながら、追加のシリカと炭素のブリケット(上記のように製造)を添加して、一回に数箇月にわたって連続的に炉を運転してもよい。溶融シリコン用のボトムタップと導管は、ボトムタップと、導管と、シリコンを冷却させるための型とを覆うボックス内に維持されたアルゴンの不活性雰囲気によって覆われる。シリコンが凝固した後、型を不活性雰囲気から取り出してもよい。次いで、シリコンを分割又は破砕し、搬送用の適切な容器に詰める。
1,000キログラムのケイ酸ナトリウムを20,000リットルの脱イオン水に溶かす。その溶液のpHは11.2である。サンプルのpHを硫酸で10.5に調節する。誘導結合プラズマ(ICP)のみならずBoro Trace(商標)3試薬を用いるHACH湿式ホウ素測定法の双方を用い、サンプルをホウ素について分析する。最初の溶液を、Rohm & Haas, Amberlite(登録商標)IRA-743-Aキレート樹脂を入れた500リットルの樹脂カラムに通過させる。その樹脂は、ホウ素を特に引き付ける成分を使用する。他の企業も、同様に本出願において使用され得る同様な適切な樹脂を製造している。全体の分画を収集し、ホウ素について分析する。カラムからの溶液を、今度は、pHが7.0になるまで硫酸で処理する。放置の後、ゲルが生成し、これをろ過し、1400℃以下で乾燥する。乾燥した材料を、エッジにて約2〜6インチのいくつかのサイズのブリケットにブリケット加工する。天然ガスから製造した400キログラムのカーボンブラックを2,000リットルのDI水に溶かし、その溶液を、Rohm & Haas, Amberlite(登録商標)IRA-743-Aキレート樹脂を入れた500リットルの樹脂カラムに通過させる。その樹脂は、ホウ素を特に引き付ける成分を使用する。他の企業も、同様に本出願において使用され得る同様な適切な樹脂を製造している。水を蒸発させて砂糖を回収し、次いで、これを黒鉛化率が約45%となるまで不活性雰囲気中において1200℃で熱分解し、400キログラムの炭素を得る。この材料を、エッジにて約2〜6インチのいくつかのサイズのブリケットにブリケット加工する。炭素のブリケットとシリカのブリケットをサブマージドアーク炉に供給する。炉は、1700℃を上回る温度に加熱し、5時間後に、シリコン金属が底に集まり始める。シリコン金属は、必要に応じ、炉の底から周期的に抜き出す。シリコンを抜き出しながら、追加のシリカと炭素のブリケット(上記のように製造)を添加して、一回に数箇月にわたって連続的に炉を運転してもよい。溶融シリコン用のボトムタップと導管は、ボトムタップと、導管と、シリコンを冷却させるための型とを覆うボックス内に維持されたアルゴンの不活性雰囲気によって覆われる。シリコンが凝固した後、型を不活性雰囲気から取り出してもよい。次いで、シリコンを分割又は破砕し、搬送用の適切な容器に詰める。
1,000キログラムのケイ酸ナトリウムを20,000リットルの脱イオン水に溶かす。その溶液のpHは11.2である。サンプルのpHを硫酸で10.5に調節する。誘導結合プラズマ(ICP)のみならずBoro Trace(商標)3試薬を用いるHACH湿式ホウ素測定法の双方を用い、サンプルをホウ素について分析する。最初の溶液を、Rohm & Haas, Amberlite(登録商標)IRA-743-Aキレート樹脂を入れた500リットルの樹脂カラムに通過させる。その樹脂は、ホウ素を特に引き付ける成分を使用する。他の企業も、同様に本出願において使用され得る同様な適切な樹脂を製造している。全体の分画を収集し、ホウ素について分析する。ホウ素は、ICP法の検出限界である0.04ppm未満まで減少する。カラムからの溶液を、今度は、pHが7.0になるまで硫酸で処理する。放置の後、ゲルが生成し、これをろ過し、1400℃以下で乾燥する。乾燥した材料を、エッジにて約2〜6インチのいくつかのサイズのブリケットにブリケット加工する。別に、1,000キログラムの砂糖を2,000リットルのDI水に溶かし、その溶液を、Rohm & Haas, Amberlite(登録商標)IRA-743-Aキレート樹脂を入れた500リットルの樹脂カラムに通過させる。その樹脂は、ホウ素を特に引き付ける成分を使用する。他の企業も、同様に本出願において使用され得る同様な適切な樹脂を製造している。その溶液は0.01ppmのホウ素を有する。水を蒸発させて砂糖を回収し、次いで、これを黒鉛化率が約45%となるまで不活性雰囲気中において1200℃で熱分解し、400キログラムの炭素を得る。この材料を、エッジにて約2〜6インチのいくつかのサイズのブリケットにブリケット加工する。炭素のブリケットとシリカのブリケットをサブマージドアーク炉に供給する。炉は、1700℃を上回る温度に加熱し、5時間後に、シリコン金属が底に集まり始める。シリコン金属は、必要に応じ、炉の底から周期的に抜き出す。シリコンを抜き出しながら、追加のシリカと炭素のブリケット(上記のように製造)を添加して、一回に数箇月にわたって連続的に炉を運転してもよい。溶融シリコン用のボトムタップと導管は、ボトムタップと、導管と、シリコンを冷却させるための型とを覆うボックス内に維持されたアルゴンの不活性雰囲気によって覆われる。シリコンが凝固した後、型を不活性雰囲気から取り出してもよい。シリコンが未だ溶融しているとき、約10ppm(15グラム)のミッシュメタルを添加し、シリコンの中に混ぜながら入れる。シリコンが方向的に凝固するとき、希土類金属は、ホウ素、酸素、窒素、及び酸素などの不純物とともにDS生成物の低温端部(通常は上部)に移動し、より一層高純度のシリコンをもたらす。次いで、シリコンを分割又は破砕し、搬送用の適切な容器に詰める。あるいは、溶融シリコンを、方向性凝固炉の中に直接入れるのに適切な予熱坩堝の中に注ぎ入れ、次いで、炉の冷却プロフィルにしたがって凝固させることもできる。この工程は、時間とエネルギーが凝固及び同じシリコンのその後の再溶融に消費されないため、DS炉における多大なエネルギーと時間の使用を節約する。また、この方法は、CZ引き上げによる単結晶シリコンの形成のためにも同様に有用であろう。
Claims (36)
- 水溶液中で予備精製したシリカを炭素質の作用物質で還元する工程を含む、光電池に適する高い純度を有するシリコンの製造方法であって、該予備精製したシリカが、光電池に適する少量のホウ素を有する、シリコンの製造方法。
- 前記シリカが、水溶性型シリカの水溶液を用いる精製方法を経て得られ、該水溶液が、固体不純物を除去するためにろ過され、かつホウ素特異的キレート樹脂で処理される、請求項1記載の方法。
- 前記ホウ素特異的キレート樹脂が、N-メチルグルカミンの官能基を有するイオン交換樹脂である、請求項2記載の方法。
- 前記ろ過の前に、前記水溶性型シリカの水溶液に遷移金属、カルシウム、又はマグネシウムが添加される、請求項2記載の方法。
- 前記水溶性型シリカの水溶液が、モリブデン酸塩、又はモリブデン酸塩で処理したアニオン樹脂で処理される、請求項2記載の方法。
- 前記水溶性型シリカがアルカリシリケートである、請求項1記載の方法。
- 前記炭素質の作用物質がホウ素及びリンを実質的に含まない、請求項1記載の方法。
- 前記炭素質の作用物質が可燃性ガスから調製される、請求項7記載の方法。
- 前記可燃性ガスが、天然ガス、メタン、エタン、アセチレン、エチレン、プロパン、プロペン、アレン、ブタン、LPG、又はホウ素及びリンを実質的に含まない一般に任意のC1〜C4ガスである、請求項8記載の方法。
- 前記炭素が、炭水化物、デンプン、又は他の炭素質物質から調製される、請求項7記載の方法。
- 前記炭素が、前記炭水化物を水の中に溶かす工程、得られた溶液を精製する工程、水を除去する工程、及び精製した炭水化物を熱分解して炭素を得る工程を含む方法によって調製される、請求項9記載の方法。
- 前記熱分解が、約40〜45%の黒鉛化度を得るために行われる、請求項11記載の方法。
- 所望の黒鉛化度が、種々の炭素形態を混合することによって得られる、請求項12記載の方法。
- 前記炭素が、B及びPを除去するために塩素で処理される、請求項7記載の方法。
- 前記予備精製したシリカがある結晶型にある、請求項7記載の方法。
- 前記予備精製したシリカ及び/又は前記炭素がブリケット型である、請求項7記載の方法。
- 前記予備精製したシリカ及び前記炭素が、シリカと炭素が均一に混合されるように共沈によって調製される、請求項7記載の方法。
- 前記予備精製したシリカが、約5ppm以下のホウ素含有量を有する、請求項1記載の方法。
- 前記予備精製したシリカが、約1ppm以下のホウ素含有量を有する、請求項1記載の方法。
- 前記精製方法が塩基性条件で行われる、請求項1記載の方法。
- 前記還元反応が、サブマージドアーク炉の中でライナーを用いて行われ、溶融高純度シリコンが生成する、請求項7記載の方法。
- 前記炉が、非常に低いホウ素含有量とリン含有量の耐熱材料から作られる、請求項21記載の方法。
- 前記炉が、電極用に高純度黒鉛ロッドを使用する、請求項21記載の方法。
- 前記炉が、底から溶融高純度シリコンを取り出すためのボトムタップを有する、請求項21記載の方法。
- 溶融シリコン排出箇所の前記炉の外側が、シリコンが雰囲気中の酸素と反応しないように、溶融シリコンを不活性ガス中で冷却させる不活性ガスチャンバーを有する、請求項21記載の方法。
- 前記溶融シリコンが、炭素、酸素、窒素、ホウ素、及び他の不純物をシリコンから除去するために、希土類金属でさらに処理される、請求項21記載の方法。
- (a)シリケート水溶液を得る工程、
(b)溶液をろ過する工程、
(c)ろ液を、ホウ素特異的イオン樹脂カラムを通過させる工程、
(d)該シリケートをシリカに変化させる工程、
(e)炉内において、低い含有量のホウ素及びリンを有する炭素で該シリカを還元する工程、及び
(f)得られた溶融高純度シリコンを冷却する工程
を含む、高純度シリコンの調製方法。 - 低純度のシリカ、砂、石英、又は他のシリカ含有物質、又はシリコンもしくは一酸化ケイ素をアルカリシリケートに変化させる工程をさらに含む、請求項27記載の方法。
- 前記炭素が、炭水化物を熱分解することによって調製される、請求項27記載の方法。
- (a)シリケート水溶液を得る工程、
(b)任意で、遷移金属、カルシウム、又はマグネシウムを添加する工程、
(c)溶液をろ過する工程、
(d)ろ液を、ホウ素特異的イオン樹脂カラムを通過させる工程、
(e)水を除去する工程、及び
(f)得られたケイ酸塩をシリカに変化させる工程
を含む、低いB含有量とP含有量を有する高純度シリカの調製方法。 - モリブデン酸アンモニウム又はタングステン酸アンモニウムで予備処理されたアニオン交換樹脂で前記シリケート水溶液を処理する工程をさらに含む、請求項30記載の方法。
- 生成物が高純度炭化ケイ素である、請求項1記載の方法。
- 生成物が高純度一酸化ケイ素である、請求項1記載の方法。
- 前記炭素質の作用物質が、約1ppm以下のホウ素含有量を有する、請求項1記載の方法。
- 前記還元剤が、炭素の代わりとしての、アルミニウム又はマグネシウムなどの活性のある精製された金属である、請求項1記載の方法。
- (a)低グレードのシリコンを、水溶性型に変化させる工程、
(b)水溶性型シリカを水溶液中で精製する工程、
(c)精製した水溶性型シリカをシリカに変化させる工程、及び
(d)得られたシリカを高純度シリコンに変化させる工程
を含む、低グレードのシリコンを、光電池に適する高純度シリコンに精製する方法。
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