JP2009528781A - Rfトランシーバスイッチングシステム - Google Patents
Rfトランシーバスイッチングシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009528781A JP2009528781A JP2008557352A JP2008557352A JP2009528781A JP 2009528781 A JP2009528781 A JP 2009528781A JP 2008557352 A JP2008557352 A JP 2008557352A JP 2008557352 A JP2008557352 A JP 2008557352A JP 2009528781 A JP2009528781 A JP 2009528781A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- switch
- impedance
- transceiver
- path
- mode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/44—Transmit/receive switching
- H04B1/48—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/44—Transmit/receive switching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transceivers (AREA)
- Transmitters (AREA)
Abstract
本発明は、送信動作モードおよび受信動作モード中に短絡スイッチ(50、56)を使用するトランシーバシステムおよび方法に関する。短絡スイッチ(50、56)は、所定の経路に沿って電力を反射し、あるいは送信するため、様々な反応ネットワーク(48、52、54、58、60)と共に、電力増幅器(42)または低雑音増幅器(46)において高インピーダンス状態または低インピーダンス状態を得るように構成されてもよい。短絡スイッチ(50、56)は、さもなければトランシーバスイッチング回路(40)内の部品を損傷させる過度な電圧振れを防ぐように設計される。スイッチング回路(50、56)はシングルチップアーキテクチャにおいて実施されてもよく、それにより、製造効率が高い、低コストな、信頼性の高い回路が得られる。シングルバンドデバイス(40)またはマルチバンドデバイス(401)が使用されてもよい。
Description
[関連出願の相互参照]
本出願は、その開示内容全体が参照により本明細書に組み込まれる2006年2月28日に出願され、かつ「BiCMOS Transmit/Receive Switching Method and System for Use in Rzadio Frequency Transceivers」と題された米国仮特許出願第60/777,473号の出願日の恩典を主張する。
本出願は、その開示内容全体が参照により本明細書に組み込まれる2006年2月28日に出願され、かつ「BiCMOS Transmit/Receive Switching Method and System for Use in Rzadio Frequency Transceivers」と題された米国仮特許出願第60/777,473号の出願日の恩典を主張する。
[発明の分野]
本発明は、無線周波数(「RF」)トランシーバである電子回路に関する。特に異なる時間に、回路は、RF電力をアンテナポートへ送信し、あるいはアンテナポートからRF電力を受信するとともに、1つ以上の別個の周波数帯域で低雑音増幅器(「LNA」)において信号を増幅することが求められる。
本発明は、無線周波数(「RF」)トランシーバである電子回路に関する。特に異なる時間に、回路は、RF電力をアンテナポートへ送信し、あるいはアンテナポートからRF電力を受信するとともに、1つ以上の別個の周波数帯域で低雑音増幅器(「LNA」)において信号を増幅することが求められる。
近年、無線通信システムの使用が著しく増大してきた。携帯電話システムおよびコードレス電話システムは至る所に存在する。ポータブル無線データデバイスは、多くのビジネスマンにとって不可欠であり、電子メールを送受信し、インターネットを見て、位置情報サービスを実行するために使用できる。また、固定された無線リーカルエリアネットワーク(「LAN」)が益々一般的になってきている。これは、現況の開発がシステムのスループット率を増大させるからである。そのような無線通信システムは、様々な用途および顧客のニーズを満たすために異なる技術を使用する場合があるが、それらの全ては、RFトランシーバを使用して情報を送受信する。従って、トランシーバは、無線市場が広がるにつれて、益々発展している。
図7は、従来のトランシーバ(「Tx」)のRFフロントエンド10のための高レベルシステムアーキテクチャのブロック図を示している。特に、RFフロントエンド10は、送信部14および受信部16の両方に対して結合されるアンテナ12を含む。送信部14は、電力増幅器(「PA」)18と、アンテナ12を介して情報を送信するときに使用されるPA出力マッチング回路20とを含む。同様に、受信部16は、低雑音増幅器(「LNA」)22と、アンテナ12から受信信号を取得し、かつ信号の増幅バージョンをユーザデバイス(図示せず)に対して供給するLNAマッチング回路24とを含む。
多くの電力増幅器18において、アンテナ12で送信された信号は、アンテナ12のインピーダンスを表わす50オームインピーダンスレベルにマッチングされなければならない。携帯電話および無線LANデバイスなどの一般的なデバイスにおける通常の送信電力は、100mW〜1ワット以上である。このことは、これらのデバイスのアンテナで大きな電圧振れ(voltage swing)が存在することを意味している。
信号の低いRF減衰を伴う高電圧を切り換えるため、GaAs高電子移動度トランジスタ(「HEMT」)スイッチ(「DPHEMPT」スイッチを含む)またはシリコン・オン・サファイア(「SOS」)スイッチなどの特定のデバイスが典型的に使用される。この用途のためにPINダイオードも使用されてきたが、これらのダイオードは、それらがかなりの電流を引き出すという欠点を有する。これに対し、前述したSOSおよびHEMT技術は、著しい電流を引き出さない。なお、図7に示される送信/受信スイッチを実施するために幅広く使用される前記技術はいずれも、高度なCMOSまたはBiCMOS ICプロセスと容易に統合されない。その一方で、そのようなアーキテクチャは、マルチチップソリューションを必要とする場合があり、あるいは必要な回路を設けるために多層積層セラミックボードを必要とする場合がある。そのようなマルチチップ積層体または多層積層体は、高い製造コストおよび信頼性問題をもたらす可能性があり、それにより、多くの用途においてそれらの積層体が望ましくないものになる。
従来、研究者は、送信/受信スイッチ機能を標準的なCMOSプロセスまたはBiCMOS ICプロセスに組み込むための方法を求めてきた。低い電力レベルでは、低電圧MOSスイッチがこの機能を果たすことができる。また、幾人かの研究者は、CMOSウェルでMOSデバイスを使用し、かつその後に送信信号の周波数で基板キャパシタンスに対してウェルを共振させることにより基板に対するスイッチの絶縁破壊が回避されるフローティングMOSスイッチの使用を実証してきた。これについては、例えばFeng−Jung Huang and Kenneth K.O,「Single−Pole Double−Throw CMOS Switches for 900−MHz and 2.4−GHz Applications on p−Silicon Substrate」(IEEE Journal of Solid−State Circuits, Vol.39,No. 1, January 2004)およびNiranjan A. Talwalkar, C. Patrick Yue, Haitao Gan, and S. Simon Wong,「Integrated CMOS Transmit−Receive Switch Using LC−Tuned Substrate Bias for 2.4−GHz and 5.2−GHz Applications」(IEEE Journal of Solid−State Circuits, Vol. 39, No. 6, June 2004)を参照されたい。しかしながら、これらの手法の全ては、基板とウェルの間、または、ウェルとソース−ドレイン接合部の間に、大きな電圧ストレスを形成する。これによりスイッチが損傷し、あるいは破壊される可能性があり、それにより、トランシーバが動作不可能になる。従って、これらの手法の長期信頼性は疑わしい。
従って、これらの問題および他の問題を扱うトランシーバスイッチング解決策を提供する必要がある。
本出願は、シングルチップアーキテクチャを可能にするBiCMOSまたはCMOS ICプロセスを使用する送信/受信スイッチ機能を形成するシステムおよび方法を提供する。これは、好ましくはCMOSまたはBiCMOS技術を使用して形成されるシリコン系MOSおよびBJTトランジスタ短絡スイッチおよびシリコンダイオード系短絡スイッチを含む。そのような短絡スイッチデバイスは、図1のデバイスのアンテナで見出される電圧振れに耐えることが要求されない。この解決策の重要な利点は、RFトランシーバフロントエンドのための高レベルの集積を伴う、低コストで、より頑強な解決策をもたらすという点である。
本発明の1つの実施形態によれば、トランシーバモジュールが提供される。このモジュールは、アンテナノードと、送信経路と、受信経路と、少なくとも1つの切換可能インピーダンスとを備えている。送信経路は、アンテナノードに対して電気的に接続され、電力増幅器を備える。受信経路は、アンテナノードに対して電気的に接続され、低雑音増幅器を備える。切換可能インピーダンスは、送信経路および受信経路に対して電気的に結合されるスイッチを備える。切換可能インピーダンスは、送信経路における電力をアンテナノードから実質的に反射する第1の状態と、受信経路における電力をアンテナノードから実質的に反射する第2の状態の間を切り換えるように構成される。スイッチは、グランドに結合されるシリコン系短絡スイッチであるとともに、シリコン系MOSスイッチ、シリコン系バイポーラスイッチ、およびシリコン系ダイオードからなるグループから選択される。また、トランシーバモジュールは、単一の単位基板上に形成される。
本発明の他の実施形態によれば、トランシーバモジュールは、アンテナノードと、送信経路と、受信経路と、少なくとも1つの切換可能インピーダンス手段とを備える。送信経路は、アンテナノードに対して電気的に接続され、電力増幅器を備える。受信経路は、アンテナノードに対して電気的に接続され、低雑音増幅器を備える。切換可能インピーダンス手段は、送信経路および受信経路に対して電気的に結合されるスイッチ手段を備える。切換可能インピーダンス手段は、送信経路における電力をアンテナノードから実質的に反射する第1の状態と、受信経路における電力をアンテナノードから実質的に反射する第2の状態の間を切り換えるように構成される。トランシーバモジュールは、単一の単位基板上に形成される。
本発明のさらに他の実施形態によれば、アンテナノードと、周波数マルチプレクサと、複数のトランシーバとを備えるトランシーバモジュールが提供される。周波数マルチプレクサはアンテナノードに結合され、複数のトランシーバは、それぞれが周波数マルチプレクサを介してアンテナノードに結合される。各トランシーバは別個の周波数で動作するように構成され、各トランシーバは、送信経路と受信経路とを備える。送信経路はアンテナノードに対して電気的に接続される。送信経路は、電力増幅器と、少なくとも1つの切換可能インピーダンスとを備える。受信経路はアンテナノードに対して電気的に接続される。受信経路は、低雑音増幅器と、少なくとも1つの切換可能インピーダンスとを備える。各切換可能インピーダンスは、電力を元のアンテナノードへ向けて実質的に反射する第1の状態と、信号電力がそのそれぞれの経路に沿って送信される第2の状態の間を切り換えるように構成され、スイッチを備える。スイッチは、結合されるシリコン系短絡スイッチであるとともに、シリコン系MOSスイッチ、シリコン系バイポーラスイッチ、およびシリコン系ダイオードからなるグループから選択される。また、トランシーバモジュールは、単一の単位基板上に形成される。
本発明のさらなる実施形態によれば、アンテナノードと、送信経路と、受信経路とを備えるトランシーバモジュールが提供される。送信経路はアンテナノードに対して電気的に接続される。送信経路は、電力増幅器と、電力増幅器に対して結合される変圧器と、変圧器に対して結合される切換インピーダンスとを備える。切換インピーダンスは、受信モードである第1の動作モードにおいて高インピーダンス状態にあるとともに、送信モードである第2のモードにおいて低インピーダンス状態にある。受信経路はアンテナノードに対して電気的に接続される。受信経路は、低雑音増幅器と、受信モードで高インピーダンス状態にあり、かつ送信モードで低インピーダンス状態にある切換インピーダンスとを備える。各切換可能インピーダンスは、グランドに結合されるシリコン系短絡スイッチを備え、スイッチが、シリコン系MOSスイッチ、シリコン系バイポーラスイッチ、およびシリコン系ダイオードからなるグループから選択される。また、トランシーバモジュールは、単一の単位基板上に形成される。
本添付図面に示される本発明の好ましい実施形態を説明するにあたっては、明確にするため、特定の用語が使用される。しかしながら、本発明は、使用される特定の用語に限定されることを意図するものではなく、それぞれの特定の用語が同様の目的を達成するために同様の様式で動作する全ての技術的等価物を含むことは理解されている。
本発明は、全体的なトランシーバシステムアーキテクチャ設計を伴わないが、異なるトランシーバアーキテクチャで使用されてもよいトランシーバスイッチング回路を扱う。トランシーバアーキテクチャ設計の一般的な説明は、その開示内容全体が参照により本明細書に明確に組み込まれるScott R.Bullockによる「Transceiver System Design for Digital Communications」(1995、ISBN 1−884932−40−0)において見出されてもよい。
本発明によって扱われる重大な課題のうちの1つは、RFトランシーバの動作中に起こり得る高い電圧振れを回避することを伴う。前述したように、過度の電圧は、トランシーバ部品に悪影響を与える可能性があり、それにより、性能の低下が引き起こされ、あるいはシステム全体が故障することさえある。
本発明の実施形態は、トランシーバにおいて、MOSスイッチ、BJTスイッチまたはダイオードスイッチを使用するが、それらを高い電圧ストレスに晒さないようにすることが非常に重要である。本発明の1つの態様によれば、これは、必要に応じてトランシーバの送信部または受信部にわたって電力を反射する、あるいは伝えるために短絡スイッチを使用することにより行なうことができる。すなわち、スイッチは、低RF振れノードに対して接続されるとともに、送信動作中においてはそれらの低いインピーダンス状態にある。
図1(a)は、トランシーバスイッチング回路40における一般的なアーキテクチャを示している。回路40は、それに結合されたユーザデバイス(図示せず)から信号を受けるようになっている電力増幅部42を含む。電力増幅部42は、アンテナ44に結合されるとともに、アンテナ44を使用してユーザデバイスから受信された信号を送信するようになっている。また、回路40は、アンテナ44およびユーザデバイスの両方に対して同様に結合される低雑音増幅部46も含む。LNA部46は、アンテナ44から入力信号を受けるとともに、それらの信号を増幅して、増幅された信号をユーザデバイスに対して送る。
PA部42とアンテナ44の間には、第1の反応(reactive)デバイス48、短絡スイッチ50、および第2の反応デバイス52が電気的に結合されることが好ましく、またLNA部46とアンテナ44の間には、第3の反応デバイス54、短絡スイッチ56、および第4の反応デバイス58が電気的に結合されることが好ましい。また、例えば、アンテナ44とのインピーダンスマッチングを与えるのに役立つように、または入力ピンあるいは出力ピンでの静電放電を防ぐために、図示のように、アンテナ44とPA部42およびLNA部46の間に別の反応デバイス60が電気的に結合されてもよい。反応デバイス48、52、54、58、および60が示されているが、特定の統計では、これらのデバイスのいずれか、あるいは全てが省かれてもよい。
反応デバイス48、52、54、58、および60は、キャパシタ、インダクタ、および送信ラインの様々な組み合わせを含む得る反応ネットワークとして形成されることが最も好ましい。そのような反応ネットワークは、1つ以上の周波数で所定のインピーダンスを得るように構造されてもよい。好ましくは、反応ネットワークは、受信モードではアンテナから受信器への経路に沿って、また送信モードでは送信器からアンテナへの経路に沿って、電力伝送を最大にするように選択され、あるいは調整される。特定の形態の反応ネットワークは、本発明にとって重大ではなく、工学設計パラメータに基づいて選択されてもよい。それにも関わらず、いくつかの特定の反応ネットワーク形態が単なる一例として図1(c)〜1(m)に示されている。例えば、図1(c)、1(d)および1(e)は、インダクタ、キャパシタ、および並列のインダクタ/キャパシタ形態を示している。図1(f)は高域「pi」インピーダンスマッチングネットワークを示し、図1(g)は帯域通過piインピーダンスマッチングネットワークを示し、図1(h)は低域piインピーダンスマッチングネットワークを示している。図1(i)は高域「L」マッチングネットワークを示し、図1(j)は低域Lマッチングネットワークを示している。図1(k)は低域「T」マッチングネットワークを示し、図1(l)は高域Tマッチングネットワークを示している。図1(m)は1/4波長送信ライン反応デバイスを示している。他の反応ネットワーク形態は、その開示内容全体が参照することにより本明細書に明確に組み込まれるChris Bowickによるテキスト「RF Circuit Design」(1982、ISBN 0−7506−9946−9)において見出されてもよい。
図1(a)に戻ると、高い電圧振れに起因してスイッチ50および56に対して起こる場合がある最大の危険は、典型的に、送信モード中である。短絡スイッチ50および56は、一端がポイント51および57に対してそれぞれ接続するように示されているが、スイッチの他端はグランドに接続して示されている。本明細書で使用されるように、そのようなスイッチのための「グランド」は、RFグランドであってもよく、あるいはそれに関連付けられる小さなRF信号振れを有してもよい。本発明による短絡スイッチは、スイッチの一端がRF信号に結合されてもよく、かつスイッチの他端がグランド、すなわち、RF信号触れをほとんど有さない、あるいは全く有さないポイントに結合される、RFスイッチであることが最も好ましい。従って、短絡スイッチが低抵抗状態(典型的には、低いインピーダンスまたは「閉じられた」状態)にあると、スイッチの両端はRF信号振れをほとんど有さず、あるいは全く有さない。動作時、スイッチの作動降伏電圧限度よりも小さい信号振れ、好ましくはスイッチの作動降伏電圧限度(operating breakdown voltage limit)よりもかなり小さい信号振れが許容されてもよい。
ここで、受信モードおよび送信モード中における短絡スイッチ50および56の動作について説明する。受信モード中、アンテナ44は、受信信号からの電力を回路40へ入力する。効率的なトランシーバ動作のためには、回路40の送信側41(例えば、PA部42、反応デバイス48および52、および短絡スイッチ50)ができる限り多くの電力をアンテナ44の方へ反射して戻すことが最も望ましい。逆に、回路40の受信側43(例えば、LNA部42、反応デバイス54および58、および短絡スイッチ56)がアンテナ44から可能な限り多くの電力を通過させることが最も望ましい。従って、受信モード中に短絡スイッチ56が高インピーダンス状態に設定される間、送信側41の短絡スイッチ50が低インピーダンス状態に設定されることが最も好ましい。単なる一例として、短絡スイッチ50は、低インピーダンス状態を得るために論理的に「閉じられて」もよく(例えば、小さいレジスタを用いてモデル化することができる)、また短絡スイッチ56は、高インピーダンス状態を得るために論理的に「開かれて(opened)」もよい(例えば、多くのスイッチが高インピーダンス状態で容量性を有するように見えるため、小さいキャパシタによってモデル化することができる)。
送信モード中、受信側43が可能な限り多くの電力をアンテナ44へ反射することが最も望ましく、一方、送信側41が可能な限り多くの電力をPA部42からアンテナ44へと通過させることが最も望ましい。従って、この場合、短絡スイッチ56は、低インピーダンス状態を得るために論理的に閉じられてもよく、一方、短絡スイッチ50は、高インピーダンス状態を得るために論理的に開かれてもよい。ここで、送信中、短絡スイッチ50は、論理的開放状態にある間、ノード51に接続されるその端子での全RF+DC電圧振れに耐えることができなければならず、一方、短絡スイッチ56は、その端子の両方をグランドまたはその近傍の電圧にすることによって、大きな電圧振れから保護される。例えば、スイッチ56は、非常に低い降伏電圧のMOSデバイスを使用して実施することができ、一方、スイッチ50は、高い降伏電圧のBJTスイッチの使用を必要としてもよい。
短絡スイッチ50または短絡スイッチ56のいずれかにおいては、低インピーダンス状態に入ると、できる限り多くの電力を反射することが望ましい。従って、電力の75−80%の反射が許容されるが、電力の少なくとも90%以上が低インピーダンス状態中に反射されることが最も好ましい。電力が反射される正確な度合いは、低インピーダンス状態にあるスイッチおよびアンテナノードに対してスイッチを接続する特定の反応ネットワークのインピーダンスの関数である。逆に、短絡スイッチ50または短絡スイッチ56のいずれかが高インピーダンスモードにあるときには、スイッチにおける電力をできる限り消費しないことが望ましい。これは、開状態における目的が、可能な限り多くの電力をアンテナから選択されたモジュール(42または46)へと送ることだからである。所望のRF信号周波数においてスイッチによりそのオフ状態で与えられるインピーダンスを増大させることによって、電力伝送を増大させることができる。従って、図8(b)に示されるように、インダクタは、高抵抗状態のスイッチの出力キャパシタンスと共振するためにトランジスタの両端間に配置される。これは、特定の作動周波数範囲内でスイッチのインピーダンスを増大させるために使用されてもよい。同様に、図8(e)は、高抵抗状態の出力インピーダンスを増大させ、従って、電力伝送を増大させるために、高抵抗状態のBJTスイッチの出力キャパシタンスをインダクタと共振させることもできることを示している。
図1(b)は、マルチバンド(二重周波数)システムで用いるトランシーバスイッチング回路40’のための一般的なアーキテクチャを示している。回路40’は、前述した回路40に類似するトランシーバ回路401および402の対を含む。例えば、回路401は、反応デバイス481および521および短絡スイッチ501を介してアンテナ44に電気的に結合される電力増幅部421を有する送信側411を含む。また、回路401は、アンテナ44およびユーザデバイスの両方に対して同様に結合される低雑音増幅部461を有する受信側431も含む。LNA部461は、反応デバイス541および581および短絡スイッチ561を介してアンテナ44に電気的に結合する。また、反応デバイス601は、送信側および受信側とアンテナ44の間に電気的に結合されることが好ましい。
同様に、回路402は、反応デバイス482および522および短絡スイッチ502を介してアンテナ44に電気的に結合される電力増幅部422を有する送信側412を含む。また、回路402は、アンテナ44およびユーザデバイスの両方に対して同様に結合される低雑音増幅部462を有する受信側432も含む。LNA部462は、反応デバイス542および582および短絡スイッチ562を介してアンテナ44に電気的に結合する。また、反応デバイス602は、送信側および受信側とアンテナ44の間に電気的に結合されることが好ましい。ここで、反応デバイス601および602は、2つの異なる周波数または周波数帯域で回路401および402の動作を最適化するために周波数ダイプレクサとして構成されてもよい。
従って、2つのトランシーバは、2つの異なる周波数帯域で動作することができる。各回路401および402は、図1(a)の回路40と同じ様式で動作することが好ましい。例えば、回路40’が第1の周波数または周波数帯域の信号を受信している場合には、回路401が受信モードで動作してもよい。ここで、受信モード中、アンテナ44は、好ましくは回路402から離れるようにアンテナ44へ向けて電力を反射する反応デバイス602を用いて、受信信号からの電力を回路401へ入力する。効率的なトランシーバ動作のため、回路401の送信側411が可能な限り多くの電力を元のアンテナ44へ向けて反射することが最も望ましい。逆に、回路401の受信側431が可能な限り多くの電力をアンテナ44からLNA461へ向けて通過させることが最も望ましい。従って、受信モード中に短絡スイッチ561が高インピーダンス状態に設定される間、送信側411の短絡スイッチ501が低インピーダンス状態に設定されることが最も好ましい。また、両方の短絡スイッチ562および502は、602を通過するどんな電力でも元のアンテナ44へ向けて反射されるように、低インピーダンス状態になければならない。
第1の周波数または周波数帯域での送信モード中、受信側431が可能な限り多くの電力をアンテナ44へ反射することが最も望ましく、一方、送信側411が可能な限り多くの電力をPA部421からアンテナ44へと通過させることが最も望ましい。従って、この場合、短絡スイッチ561は、低インピーダンス状態を得るために論理的に閉じられてもよく、一方、短絡スイッチ501は、高インピーダンス状態を得るために論理的に開かれてもよい。ここで、送信中、短絡スイッチ501は、ノード511で全送信電圧振れを扱うように選択されなければならず、一方、短絡スイッチ561は、ノード571をグランドに短絡することにより大きな電圧振れから保護される。第2の周波数または周波数帯域での回路402の動作が第1の周波数/帯域での回路401の動作に類似する様式で起こることは理解されている。この場合、反応デバイス601が電力を回路401から離れるようにアンテナ44へ向けて反射し、一方、反応デバイス602が回路402へのおよび回路402からの電力を許容することが好ましい。つまり、選択されない(不活性)モジュールの全てにつながる経路上の短絡スイッチが低抵抗状態に置かれることが好ましく、一方、選択された(活性)モジュールにつながる経路上のスイッチが高インピーダンス状態に置かれることが好ましい。それぞれの反応デバイスは、アンテナと活性状態および不活性状態における特定のモジュールの間の電力伝送を最大にするように選択されるべきである。
図2は、本発明の別の好ましい実施形態によるトランシーバスイッチング回路100を示している。この場合、図1(a)におけるノード51で見られる送信電圧振れに耐えることができる短絡スイッチを有する必要性は、送信側短絡スイッチを電力増幅最終トランジスタの出力側から最終電力増幅トランジスタの入力側へ移動することによって回避される。これは、短絡スイッチの電圧破壊要件を劇的に減少させる。ここで、第1のノード102は、ユーザデバイス(図示せず)をアンテナノード104に対して結合し、アンテナノード104は、アンテナまたはダイプレクサ(図示せず)などの周波数マルチプレクサのいずれかに結合する。アンテナノード104は、アンテナまたは周波数マルチプレクサに対して直接的にあるいは間接的に結合してもよい。第1のノード102は、アンテナを介して送信されるべきユーザデバイスからの信号を受ける。送信前に、信号は、第1のノード102から電力増幅器106へ通される。電力増幅器106は、アンテナによって出力される信号の強度を増大させるように作用する。
図示のように、電力増幅器106は、電流源110に結合される基準トランジスタ108、MOSトランジスタ112、および演算増幅器114を含むベースバイアス発生器を含んでもよい。ベースバイアス発生器は、電力増幅器の主要な出力デバイスであるBJTトランジスタ122にバイアスをかけるために使用される。例示的な形態の電力増幅器が設けられているが、本発明は、任意の特定の電力増幅器形態に限定されない。この場合、図1(b)の場合のようにノード51にスイッチを有するのではなく、NMOSスイッチ120が電力トランジスタ122のベースに配置されることが好ましい。送信モード中、スイッチ120はその高インピーダンス状態にある。スイッチ122のドレインは、そのノードでのDC+RF信号振れに耐えなければならないが、BJT122が高い電圧利得を有するため、RF振れは非常に小さい。受信モード中、スイッチ120は、その低抵抗状態に置かれる。これは、トランジスタ122のベースをグランドに対して効果的に短絡する。一次まで、これは、受信モード中にBJT122のコレクタで高いRFインピーダンスを形成する。BJT122のコレクタ側での高いインピーダンスにより、RFエネルギのほとんどが、元の受信回路、例えばインダクタ138、LNA118、キャパシタ144、およびスイッチ142へ向けて反射される。正確な電力増幅器形態に関係なく、電力増幅器は、BiCMOSまたはCMOS IC製造プロセスを使用して実施されることが望ましい。単なる一例として、BJTおよびMOSトランジスタが特定の形態で示されているが、例えば、これらのデバイスは置き換えられてもよく、全てBJTが使用されてもよく、全てMOSトランジスタが使用されてもよい。
アンテナノード104には第2のノード116も結合される。第2のノード116は、アンテナによって受けられた信号を取得し、かつそれらの信号をユーザデバイスへ与えられるようになっている。ユーザデバイスにおいて、前記信号は、その後に処理されてもよく、あるいはユーザデバイスの動作で使用されてもよい。アンテナノード104と第2のノード116の間には、アンテナ104によって受けられる信号を第2のノード116に通過させる前に増幅させるLNA118がある。
トランシーバスイッチング回路100は、電力増幅器とアンテナノード104の間、またはLNA118とアンテナノード104の間に電気的に結合されるさらなる部品を含む。これらの部品は短絡スイッチを含む。
例えば、電力増幅器とアンテナノード104の間の送信経路は、電力増幅最終段トランジスタ122の入力ノード107に対して結合される第1の短絡スイッチ120を含むことが好ましい。スイッチ120は例えばMOS型スイッチであってもよく、その場合、ドレインが電力増幅器出力ノードに結合され、ゲートが送信可能(「TX EN」)信号ラインに結合され、ソースがRFグランドに結合される。あるいは、スイッチ120は、該スイッチ120が前述したようにグランドに短絡する限り、BJT型または他のMOS系デバイスであってもよい。好ましい短絡スイッチの例が図8(a)〜8(f)に与えられている。
特に、図8(a)〜8(f)は、本発明の実施形態において短絡スイッチを実施するための異なる方法を示している。図2〜6などの短絡スイッチの例はNMOSトランジスタを示しているが、本発明において使用されてもよい多くの可能な変形がある。例えば、図8(a)は、短絡スイッチとして使用するためのNMOSトランジスタを示している。ここで、スイッチは、ゲート電圧がトランジスタの閾値電圧を十分に上回るときに、グランドに対して低い抵抗を有する。PMOSトランジスタ(図示せず)をスイッチのために同様に使用できる。また、スイッチ機能を生成するためにスイッチの任意の並列な組み合わせも使用できる。
前述したように、図8(b)は、高抵抗状態にあるスイッチの出力キャパシタンスと共振するためのインダクタの使用を示している。本技術は、特定の作動周波数範囲内でスイッチのオフインピーダンスを増大させるために使用することができる。図8(c)は、そのベースが電流源によって駆動されて低抵抗状態にされ、かつそのベースが開回路されて高抵抗状態にされるNPN BJTを示している。ここで、低抵抗スイッチとして動作するため、電流は、低抵抗状態において、BJTが飽和作動形態に入るようにするに足るものでなければならない。図8(d)は、スイッチの高インピーダンス状態出力キャパシタンスを減少させるためにスイッチを図8(c)に示される順方向飽和ではなく逆方向飽和で動作させることができることを示している。
図8(e)は、高抵抗状態出力インピーダンスを増大させるために高抵抗状態におけるBJTの出力キャパシタンスをインダクタと共振させることもできることを示している。また、図8(f)は、低抵抗状態から高抵抗状態へと非常に高速に切り換えるためにBJTスイッチのベースに短絡NMOSスイッチを付加したのを示している。これらの短絡スイッチ形態のいずれか、あるいは全てが本発明の任意の実施形態と共に使用されてもよい。
図2に戻ると、BJTなどのトランジスタ122はノード107に結合されるのが好ましく、またキャパシタ123は、示されるように、第1のノード102と電力増幅器出力ノードの間に電気的に結合されてもよい。
「チョーク」として使用されてもよいインダクタ124は、トランジスタ122のコレクタを電源に対して結合することが好ましく、またインダクタ126は、トランジスタ122のエミッタをグランドに結合することが好ましい。トランジスタ122のコレクタ(または、MOSFETトランジスタが使用される場合には、ドレイン)はインダクタ128の一端に結合されることが望ましく、一方、インダクタ128の他端はノード130に結合される。DCブロックとして使用されてもよいキャパシタ132は、ノード130とアンテナノード104の間に配置されることが好ましい。また、キャパシタ134は、ノード130とグランドの間に結合されてもよく、一方、50Ω抵抗などの抵抗136は、アンテナノード104とグランドの間に結合されてもよく、またはノード104でアンテナの負荷を単に表わしてもよい。
前述したように、アンテナノード104とLNA118の間にさらなる回路が電気的に配置されてもよい。本実施形態では、そのような回路は、ノード130とノード140の間に結合されるインダクタ138を含んでもよい。ノード140には第2の短絡スイッチ142も結合される。スイッチ142は例えばMOSスイッチであってもよく、その場合、ドレインがノード140に結合され、ゲートが受信可能(「RX EN」)信号ラインに結合され、ソースがRFグランドに結合される。あるいは、スイッチ142は、スイッチ120がグランドに短絡する限り、BJTまたは他のMOS系トランジスタデバイスであってもよい。キャパシタ144は、ノード140およびLNA118に対して接続される第1の端部も有することが好ましく、一方、その他端はグランドに結合される。
本実施形態において、回路100がアンテナから信号を受けるべき場合、短絡スイッチ120は、ノード107をグランドに結合する低インピーダンス状態または論理的「オン」状態となるように始動されることが好ましい。従って、MOSトランジスタが代わりに使用される場合には、ゲートとなるトランジスタ122のベースもグランドに対して短絡され、またトランジスタ122がオフ状態にあるときに高インピーダンスであるため、トランシーバ回路100の送信側が電力を元のノード130へ向けて反射する。
この場合、インダクタ128を通じて流れるアンテナから受信された信号の一部は、アンテナインピーダンスとマッチングキャパシタ134に直列なトランジスタ122のベースコレクタ(または、ドレインゲート)キャパシタンスのインピーダンスの間の大きなインピーダンス不一致によって反射される。アンテナノード104からインダクタ128へ向かう入力インピーダンスは、トランジスタ122のコレクタキャパシタンスが十分に小さい限り、かなり高い。従って、非常に僅かな電流、従って、僅かな電力が、アンテナからインダクタ128を通じて流れる。
受信モード中、スイッチ142は、開回路として作用して高インピーダンスを与える論理的オフ状態に置かれることが好ましい。従って、アンテナによって受けられた信号は、インダクタ138およびキャパシタ144を含むインピーダンスマッチングネットワークを介して、LNA118に結合され、このLNA118において、信号が増幅されてノード116へ通される。キャパシタ144は、最適な雑音指数を有するように、かつアンテナからの入力インピーダンスをLNA118と一致させるように選択されることが望ましい。
回路100が送信モードにあるとき、スイッチ120は、論理的オン状態にある間に開回路として作用する高インピーダンス状態に置かれることが好ましい。スイッチ142は、論理的オフ状態にある間に短絡回路として作用する低インピーダンス状態に置かれることが好ましい。スイッチ142が高インピーダンスモードにある状態では、電流は、キャパシタ123を通じて電力増幅トランジスタ122の入力へと流れ、トランジスタ122によって増幅されるとともに、インダクタ128およびキャパシタ134および132を介してアンテナノード104に結合されることが望ましい。スイッチ142が低インピーダンスモードにある状態では、インダクタ138は、インダクタ128およびキャパシタ134を含む電力増幅器106のためのインピーダンスマッチングネットワークの一部となる。送信モード中に過度の不利な電圧がスイッチ120またはスイッチ142の両端間にそれらの短絡形態に起因して現れることは全く無く、またスイッチ120が高利得トランジスタ122の前にあるため、それにより、非常に信頼できる回路が確保される。
図3は本発明の別の実施形態を示している。ここで、トランシーバスイッチング回路200は図2の回路100の変形である。回路200は、使用される電力トランジスタの特定のタイプに対する設計の依存度を減少させるため、特定の部品を選択するときにシステム設計者にさらなる自由度を与えることができる。以下、回路100との主な違いについて説明する。
図3に示されるように、回路200は、さらなる短絡スイッチ、すなわち、好ましくはドレインがキャパシタ204に結合され、ソースがグランドに結合され、ゲートが受信可能信号ラインに結合されるスイッチ202を含む。図3における回路の主な目的は、図2における回路に関して全てのスイッチに高い電圧ストレスを回避させ続けるが、RF信号を潜在的に損失の多い電力トランジスタ122から離したままに保つことである。これは、反応短絡ネットワークを使用して、RF信号がトランジスタ122のコレクタへ流れ込むことができる前にRF信号をショートさせることによって、図3の実施形態で達成される。キャパシタ204は、キャパシタ206を介してノード208に結合される。インダクタ210もキャパシタ206を介してノード208に結合される。別の形態において、キャパシタ206は、スイッチ202のソースとグランドの間に配置されてもよい。
どの形態が使用されるかに関わらず、図3の構造は以下のように動作する。受信モードでは、スイッチ202が高インピーダンス状態に置かれ、インダクタ210およびキャパシタ206が所望の受信周波数で直列共振するように選択されることが好ましい。インダクタ210およびキャパシタ206の直列共振は、送信器のRF分岐に低いインピーダンスを作り出す。ここで、インダクタ128およびキャパシタ134は、受信周波数で一緒に共振するように設計されることが好ましい。従って、アンテナポート104から受信される信号エネルギの全ては、インダクタ138およびキャパシタ144を含むLNA118のためのマッチングネットワークへ流れ込む。
送信モードへ切り換わると、電力増幅器のデバイス出力で想定し得る回路の短絡が起こる可能性があり、それにより、回路200の適切な動作が妨げられる。これを回避するため、スイッチ202は、インダクタ210の両端間にキャパシタ204との並列共振回路を作り出す低インピーダンス状態に置かれ、それにより、ノード208からグランドまでの全体のインピーダンスが共振周波数で高くなる。所望の送信周波数でインダクタ210と並列共振するようにキャパシタ204を選択することにより、キャパシタ204、インダクタ210およびキャパシタ206の分岐へ向かうインピーダンスは、高いインピーダンスを有するとともに、電力出力デバイスをロードダウンするとは言えない。この回路は、送信モード中に両方のスイッチ202および142がそれらの低抵抗状態にあるため、依然として送信モード中に短絡スイッチの全てが非常に小さい電圧を受けるようにしつつ、受信モード中のLNAへのアンテナ電力の方向付けを改善するという目的を達成する。本実施形態において、回路200は、限られた周波数範囲にわたって、特にキャパシタ206およびインダクタ210が直列共振する帯域およびキャパシタ204およびインダクタ210が並列共振する帯域にわたって動作するように構成される。
いくつかの状況では、送信モードおよび受信モードの両方で全ての部品にとって最適な値を選択するために、さらなる自由度が望ましい。これは、インダクタ138を送信マッチングネットワークの一部から外すことにより達成できる。そのような形態を使用する本発明の別の実施形態が、トランシーバスイッチング回路300を例示する図4に示されている。
図示のように、回路300は、回路200に類似しているとともに、別の短絡スイッチ、すなわち、キャパシタ304と直列なスイッチ302も含む。スイッチ302は、電力が流れてはならない分岐部への入力インピーダンスの変更を可能にする。キャパシタ304は、スイッチ302のドレインをノード130に対して結合することが好ましい。スイッチ302のソースは、グランドに結合されてもよく、あるいは破線で示されるように、スイッチ142のドレインおよびノード140に対して結合されてもよい。スイッチ302のゲートは受信可能信号ラインに対して結合される。スイッチ202および142と同様、スイッチ302は、送信モード中に低抵抗状態にあり、短絡スイッチである。従って、これらの3つのスイッチはいずれも、送信動作中であっても高い電圧ストレスを受けない。
キャパシタ304は、所望の送信周波数でインダクタ138と並列共振するように選択されることが望ましい。これは、インダクタ138によって与えられる負荷を送信マッチングネットワークから除去し、それにより、その最適な設計が容易になる。受信モード中、スイッチ302は高インピーダンス状態に置かれる。送信モード中、スイッチ302は低インピーダンス状態に置かれる。スイッチ142も、またスイッチ302または202も、送信モード中に大きな電圧を受けない。これは、これらのスイッチがいずれも低インピーダンス状態にあるからである。
本発明の別の態様によれば、電力増幅器出力マッチングにおいて他の反応デバイスが使用されてもよい。例えば、piマッチ、Tマッチなどが使用されてもよい。同様に、LNA118への入力で、さらなるマッチングネットワークを使用することができる。例えば、ここでは、piマッチ、Tマッチなどが同様に使用されてもよい。例えば図1(c)〜1(m)に示される反応ネットワークが使用されてもよい。なお、LNAマッチングネットワークをインダクタまたはキャパシタを用いてアンテナノード104に接続することができ、また並列共振回路を依然として形成できるように、図4の実施形態におけるスイッチ302による並列共振器可能を交換することができる。
本発明の別の態様によれば、共振回路(直列または並列)が形成される場所の全てにおいては、さらなる反応素子をさらなるスイッチと共に加えて共振の中心周波数を電子的に動かすことにより、その共振回路の中心周波数を調整することができる。技術の帯域幅は、共振動作に起因して、ある程度まで制約される場合があるが、中心周波数を電子的に切り換えることにより、さらに広い帯域幅を網羅するように帯域幅を広げることができる。また、これは、異なる送信周波数および受信周波数を伴う用途または送信周波数および/または受信周波数の複数の帯域を使用する用途において特に興味深い。
アンテナポートまたはノードは、実際には、さらに大きい回路の一部となり得る。例えば、図1(b)の実施形態と同様、図2〜4における回路のアンテナノード104を周波数ダイプレクサに対して接続することができ、周波数ダイプレクサは、その後、アンテナに対して接続されるとともに、異なる周波数で動作するトランシーバに対して接続される。
図5に示されるように、変圧器結合RFブロックでは、さらなるオプションが利用可能になる。この図は、本発明の別の実施形態、すなわち、トランシーバスイッチング回路400を示している。図5は、送信モード中にその低抵抗状態にある短絡スイッチを使用しつつ、送信経路において良好な電力反射を達成するための方法を示している。図2〜4の場合と同様に、第1のノード402がユーザデバイス(図示せず)をアンテナノード404に対して結合し、アンテナノード404がアンテナまたはダイプレクサ(図示せず)などの周波数マルチプレクサに対して結合する。アンテナノード404は、アンテナまたは周波数マルチプレクサに対して直接的に、あるいは間接的に結合してもよい。第1のノード402は、アンテナを介して送信されるべきユーザデバイスからの信号を受ける。送信前に、信号は、第1のノード402から、電力増幅器106と同じ形態をなしてもよい電力増幅器406へと通される。
前述した実施形態と同様、回路400は、アンテナノード404に結合された第2のノード408も含む。第2のノード408は、アンテナによって受けられた信号を取得し、かつそれらの信号をユーザデバイスへ与えるようになっている。ユーザデバイスにおいて、前記信号は、その後に処理されてもよく、あるいはユーザデバイスの動作で使用されてもよい。アンテナノード404と第2のノード408の間には、アンテナ404によって受けられる信号を第2のノード408に通過させる前に増幅させるLNA410がある。
また、図5には、キャパシタ416を介してアンテナノード404に結合されるノード412も示されている。キャパシタ416はDCブロックとして使用されてもよい。キャパシタ414は、インダクタ428および420を有するインピーダンス変換ネットワークの一部として、ノード412とグランドの間に結合されてもよい。
図2−4の実施形態の場合と同様、アンテナノード404とLNA418の間にさらなる回路が電気的に配置されてもよい。本実施形態では、そのような回路は、ノード412とノード422の間に結合されるインダクタ420を含む。ノード422には短絡スイッチ424も結合される。スイッチ422は例えばMOSスイッチであってもよく、その場合、ドレインがノード422に結合され、ゲートが受信可能信号ラインに結合され、ソースがRFグランドに結合される。あるいは、前述した実施形態の場合と同様、スイッチ424は、スイッチ120がグランドに短絡する限り、BJTまたは他のMOS系トランジスタデバイスであってもよい。スイッチ424は、前述したスイッチ142と同様に動作する。キャパシタ426は、ノード422およびLNA410に対して接続される第1の端部も有することが好ましく、一方、その他端はグランドに結合される。
また、図5の回路400は、前述したインダクタ128と同様に機能するインダクタ428も含むことが好ましい。インダクタ428の一端はノード412に接続され、一方、インダクタ428の他端は変圧器430に接続される。示されるように、変圧器430の一方側は短絡スイッチ432ならびにインダクタ428に対して結合されることが好ましく、一方、変圧器430の他方側は電力増幅器406に対して結合されることが好ましい。この形態では、スイッチ432のドレインが変圧器430に結合されることが望ましく、ソースがRFグランドに対して結合されることが望ましく、またゲートが送信可能信号ラインに対して結合されることが望ましい。図示しないが、受信経路において短絡スイッチに結合される変圧器を使用することもできる。
切り換えられるべきRFブロックがその出力に、変圧器を有する回路では、図5に示されるように、直列スイッチの代わりに、RFグランドに対する変圧器の接続が破壊される場合がある。受信モード中、短絡スイッチ432を高抵抗状態に置くことによって、電力が電力増幅器406から離れるようにノード412へ向けて反射される。スイッチ432が高インピーダンスにあるとき、電流は変圧器430の右側を通じて流れることができない。従って、アンテナノード404から変圧器430の左側に対する信号の結合はあり得ない。従って、信号電力は、この有効な「開回路」に起因して元のアンテナノード404へ向けて反射される。なお、図3に記載される技術とは異なり、図5に記載される手法は本質的にブロードバンドである。しかしながら、短絡スイッチ432が高抵抗状態にあるときに、かなり多くのキャパシタンスが短絡スイッチ432の変圧器側に存在する場合には、一部の電力がLNAから失われて変圧器を介してPA206に対して結合される場合がある。この損失は、図8(b)および図8(e)に示されるようにそのノードでさらに高いインピーダンスを作り出すために高抵抗状態にあるスイッチキャパシタンスと共振するスイッチと並列のインダクタを加えることにより、特定の周波数範囲内で減少させることができる。逆に、送信モード中、短絡スイッチ432は低抵抗状態で駆動されなければならない。その結果、RF電流は、アンテナノード404へ向けて変圧器430を通じて効率的に流れることができる。RFブロックが変圧器430の出力で非常に大きな電圧振れを生成する電力増幅器である場合、この配置は、高電圧信号が電力増幅器406からアンテナノード404へ流れているときにスイッチ432がその低抵抗状態にあるが、デバイスの破壊を引き起こし得る大きな電圧がスイッチ432の両端間に現れないという利点を有する。
図6は、図1(b)で与えられた例に類似する本発明のさらなる別の実施形態を示している。トランシーバスイッチング回路500は、特に複数の送信帯域および受信帯域を伴って使用するようになっている。
特に、図6は、オンチップ短絡スイッチの使用を、2つの可能な送信ステージのうちの1つ、あるいは2つの可能な受信ステージのうちの1つが単一のアンテナまたはポートに接続される例示的な場合にまで広げた状態を示している。好ましい例では、回路は、約2.4GHz(802.11bまたは802.11gに関して)または4.9GHzと5.85GHzの間、例えば5.5GHz程度(802.11aに関して)である802.11信号をサポートするように構成される。この場合、各送信帯域毎に別個の電力増幅器を有するとともに、各受信帯域毎に別個のLNAを有することが最も好ましい。
図示のように、回路500は、802.11bおよびg規格の2.4GHz帯域に適合される第1のセクション502、および802.11a規格における4.9〜5.85GHz帯域に適合される第2のセクション504を含む。各セクション502および504は、LNA、すなわち、セクション502のためのLNA506およびセクション504のためのLNA508を含む。この場合、LNA506および508は、それぞれの周波数帯域で動作するように適合される。また、各セクション502および504は、電力増幅器、すなわち、セクション502のための電力増幅器510およびセクション504のための電力増幅器512も含むことが好ましい。LNA506および508と同様に、電力増幅器510および512は、それぞれの周波数帯域で動作するように適合されることが好ましい。
セクション502は、スイッチ518、520および522と共に要素514および516からなる反応ネットワークも含むことが好ましい。要素514および516は、単なる一例として、1/4波長送信ラインまたは擬似1/4波長ライン(有限数のインダクタおよびキャパシタによって近似されるライン)を備えていてもよい。1つの例において、要素514および516は、piまたはティLC集中ネットワークを備えている。使用されてもよい反応ネットワークの他の例が図1(c)〜1(m)に示されている。スイッチ518、520および522は短絡スイッチであることが最も好ましい。この場合、短絡スイッチ518はLNA506を作動させ/作動を停止させるためのものであり、短絡スイッチ520は電力増幅器510を作動させ/作動を停止させるためのものであり、短絡スイッチ522は一般に第1のセクション502を作動させ/作動を停止させるためのものである。そのような短絡スイッチの例が図8(a)〜8(f)に与えられている。
セクション504は、スイッチ528、530および532と共に要素524および526からなる反応ネットワークも含むことが好ましい。要素514および516と同様、要素524および526は、単なる一例として、擬似1/4波長ラインを備えていてもよい。1つの例において、要素524および526はpiまたはティLC集中ネットワークを備えているが、図1(c)〜1(m)におけるような他の反応ネットワークが使用されてもよい。スイッチ528、530および532は短絡スイッチであることが最も好ましい。この場合、短絡スイッチ528はLNA508を作動させ/作動を停止させるためのものであり、短絡スイッチ530は電力増幅器512を作動させ/作動を停止させるためのものであり、短絡スイッチ532は一般に第2のセクション504を作動させ/作動を停止させるためのものである。前述したように、そのような短絡スイッチの例が図8(a)〜8(f)に与えられている。
図6に示されるように、第1のセクション502は、互いに並列のインダクタ536およびキャパシタ538を介してアンテナノード534に結合する。同様に、第2のセクション504は、互いに並列のインダクタ540およびキャパシタ542を介してアンテナノード534に結合する。これらの2つのLCネットワークは、周波数ダイプレクサとして周波数選択フィルタリングにおいて使用されることが好ましい。インダクタ536および540およびキャパシタ538および542における特定値は、セクション502および504の周波数帯域に基づいて選択されてもよい。好ましくは、インダクタ540およびキャパシタ542は、セクション502の動作の周波数で共振するように選択され、一方、インダクタ536およびキャパシタ538は、セクション504の動作の周波数で共振するように選択される。ノード534の一端はアンテナ544に結合し、一方、他端はインダクタ546を介してグランドに結合する。必要とされないが、インダクタ546は、静電放電に対抗するのを助けるため、かつ低周波信号を反射するのを助けるために使用されてもよい。
動作中、回路500の1つの電力増幅器または1つのLNAが所定の時間にアクティブであることが好ましい。他の能動部品は、それらから離れるように電力を反射するための状態に置かれることが好ましい。これは、短絡スイッチを使用して行なわれる。単なる一例として、回路500が2.4GHz帯域の信号を受けるべき場合、スイッチ520、528、530および532は、電力のほとんどあるいは全てがPA510、PA530およびLNA508から離れて反射されるように低インピーダンス状態に置かれることが好ましい。ここで、短絡スイッチ518および522は、電力のほとんどあるいは全てがアンテナ544からLNA506へと通過するように高インピーダンス状態に置かれることが好ましい。
別の例において、回路500が5.5GHz帯域の信号を送信すべき場合、スイッチ518、520、522および528は、電力のほとんどあるいは全てがPA510、LNA506およびLNA508から離れて反射されるように低インピーダンス状態に置かれることが好ましい。ここで、短絡スイッチ530および532は、電力のほとんどあるいは全てがPA512からアンテナ544へと通過するように高インピーダンス状態に置かれることが好ましい。
従って、図6は、他のモジュールが取り外されている間に4つのRFモジュール(2つのLNAおよび2つの電力増幅器)のうちの任意のRFモジュールをアンテナ544またはノード534に接続できるようにする反応ネットワークおよび短絡スイッチの1つの好ましい組み合わせを示しているのが分かる。
特定の実施形態を参照して本発明について本明細書で説明してきたが、これらの実施形態が本発明の原理および用途の単なる例示であることは理解されている。従って、添付の特許請求の範囲によって規定される本発明の精神および範囲から逸脱することなく、例示的な実施形態に対して多くの変形をなすことができ、かつ他の構成を想起できることは理解されている。単なる一例として、特定の実施形態における図面にはMOSスイッチが示されているが、BJTまたはダイオードスイッチが代わりに使用されてもよい。また、前記に与えられた回路はシングルエンド形態で説明されたが、本発明は、そのように限定されず、差動形態にも同様に適用できる。さらに、本発明による任意の実施形態は、シングルチップアーキテクチャで実施されることが好ましい。前述したように、本明細書で記載される実施形態の特徴は、他の実施形態に組み込まれてもよい。例えば、任意の反応ネットワークが本明細書中の実施形態のいずれかで使用されてもよい。同様に、任意の短絡スイッチが本明細書中の任意の実施形態で使用されてもよい。
産業上の利用可能性
本発明は、携帯型および据付型の無線製品の全ての様式で使用され得るオンチップトランシーバシステムを使用する無線通信デバイスを含むが、これに限定されない幅広い産業上の利用可能性を享受する。
本発明は、携帯型および据付型の無線製品の全ての様式で使用され得るオンチップトランシーバシステムを使用する無線通信デバイスを含むが、これに限定されない幅広い産業上の利用可能性を享受する。
Claims (32)
- アンテナノードと、
前記アンテナノードに対して電気的に接続され、電力増幅器を備える送信経路と、
前記アンテナノードに対して電気的に結合され、低雑音増幅器を備える受信経路と、
前記送信経路および前記受信経路に対して電気的に結合されるスイッチを備える少なくとも1つの切換可能インピーダンスであって、前記送信経路における電力を前記アンテナノードから実質的に反射する第1の状態と、前記受信経路における電力をアンテナノードから実質的に反射する第2の状態の間を切り換えるように構成され、前記スイッチが、グランドに結合されるシリコン系短絡スイッチであるとともに、シリコン系MOSスイッチ、シリコン系バイポーラスイッチ、およびシリコン系ダイオードからなるグループから選択される、少なくとも1つの切換可能インピーダンスと、
を備え、
単一の単位基板上に形成される、トランシーバモジュール。 - 少なくとも1つの前記切換可能インピーダンスは、前記送信経路中の切換可能インピーダンス、および前記受信経路中の切換可能インピーダンスを備え、前記送信経路スイッチおよび前記受信経路スイッチがいずれもグランドに結合されるシリコン系短絡スイッチである、請求項1に記載のトランシーバ。
- 前記受信経路スイッチが前記受信経路上のノードとグランドの間に結合され、前記送信経路スイッチが前記送信経路上のノードとグランドの間に結合される、請求項2に記載のトランシーバ。
- 前記受信経路スイッチおよび前記送信経路スイッチは、前記低抵抗状態のときにスイッチ作動降伏電圧限度よりも小さいスイッチ信号振れが存在するように構成される、請求項3に記載のトランシーバ。
- 前記受信経路スイッチおよび前記送信経路スイッチは、前記低抵抗状態のときにほぼゼロのスイッチ信号振れが存在するように構成される、請求項3に記載のトランシーバ。
- 前記スイッチに対して電気的に結合される反応デバイスをさらに備える、請求項1に記載のトランシーバ。
- 前記トランシーバが送信モードおよび受信モードで動作するように構成され、前記送信経路における前記切換可能インピーダンスは、前記送信モードで高いインピーダンスを有するとともに、前記受信モードで低いインピーダンスを有し、前記受信経路における前記切換可能インピーダンスは、前記受信モードで高いインピーダンスを有するとともに、前記送信モードで低いインピーダンスを有する、請求項2に記載のトランシーバ。
- 前記送信経路における前記切換可能インピーダンスは、前記受信モードにおける電力を前記電力増幅器から離れるように実質的に反射する、請求項1に記載のトランシーバ。
- 前記受信経路における前記切換可能インピーダンスは、前記送信モードにおける電力を前記低雑音増幅器から離れるように実質的に反射する、請求項1に記載のトランシーバ。
- 前記送信経路は、それぞれが対応する電力増幅器を含む複数の送信経路を備え、前記受信経路は、それぞれが対応する低雑音増幅器を含む複数の受信経路を備える、請求項2に記載のトランシーバ。
- 前記スイッチがMOSトランジスタである、請求項2に記載のトランシーバ。
- 前記送信経路中の第1の切換可能インピーダンスと、前記受信経路中の第2の切換可能インピーダンスとをさらに備え、前記送信経路スイッチおよび前記受信経路スイッチがRFグランドに結合されるMOSトランジスタであり、前記第1の切換可能インピーダンスが第1の反応デバイスに対して電気的に結合され、前記第2の切換可能インピーダンスが第2の反応デバイスに対して電気的に結合される、請求項6に記載のトランシーバ。
- 前記MOSトランジスタのうちの少なくとも1つが前記トランジスタを横切って配置されるインダクタを有し、該インダクタは、前記高インピーダンス状態の前記MOSトランジスタの出力キャパシタンスと共振するように選択される、請求項12に記載のトランシーバ。
- 前記スイッチがバイポーラトランジスタである、請求項2に記載のトランシーバ。
- 前記バイポーラトランジスタのうちの少なくとも1つが前記トランジスタを横切って配置されるインダクタを有し、該インダクタは、前記高インピーダンス状態の前記バイポーラトランジスタの出力キャパシタンスと共振するように選択される、請求項14に記載のトランシーバ。
- 前記電力増幅器は、出力デバイスとしてバイポーラ接合トランジスタをさらに備え、前記送信経路における前記切換可能インピーダンスは、前記電力増幅器の入力と、前記バイポーラ接合トランジスタの入力およびベースとに結合されるMOSトランジスタである、請求項7に記載のトランシーバ。
- 前記送信経路は、グランドに電気的に結合され、かつ前記送信経路における前記切換インピーダンスが前記高インピーダンスモードにあるときに、前記RF信号を短絡するように構成されたMOSトランジスタを備える反応デバイスをさらに備えている、請求項16に記載のトランシーバ。
- 前記トランシーバが送信モードおよび受信モードで動作するように構成され、前記送信経路における前記切換可能インピーダンスは、前記送信モードで低いインピーダンスを有するとともに、前記受信モードで高いインピーダンスを有し、前記受信経路における切換可能インピーダンスは、前記受信モードで高いインピーダンスを有するとともに、前記送信モードで低いインピーダンスを有する請求項2に記載のトランシーバ。
- 前記送信経路が前記切換可能インピーダンスに結合される変圧器をさらに備え、前記切換可能インピーダンスは、前記受信モードで前記高いインピーダンス状態にあり、前記送信モードで前記低いインピーダンス状態にある、請求項18に記載のトランシーバ。
- 前記送信経路は、該送信経路をグランドに接続し、かつ前記切換可能インピーダンスが低インピーダンス状態にあるときに所定の周波数で低いインピーダンスを有するとともに、前記切換可能インピーダンスが高インピーダンス状態にあるときに前記所定の周波数で高いインピーダンスを有する反応素子をさらに備える、請求項18に記載のトランシーバ。
- 前記切換可能インピーダンスは、MOSトランジスタ、バイポーラトランジスタ、およびMOSトランジスタおよびバイポーラトランジスタの組み合わせからなる前記グループから選択される、請求項18に記載のトランシーバ。
- アンテナノードと、
前記アンテナノードに対して電気的に接続され、電力増幅器を備える送信経路と、
アンテナノードに対して電気的に結合され、低雑音増幅器を備える受信経路と、
前記送信経路および前記受信経路に対して電気的に結合されるスイッチ手段を備え、前記送信経路における電力を前記アンテナノードから実質的に反射する第1の状態と、前記受信経路における電力を前記アンテナノードから実質的に反射する第2の状態との間を切り換えるように構成される少なくとも1つの切換可能インピーダンス手段と
を備え、
単一の単位基板上に形成される、トランシーバモジュール。 - 少なくとも1つの前記切換可能インピーダンス手段は、前記送信経路中に第1のスイッチ手段を有する切換可能インピーダンス手段と、前記受信経路中に第2のスイッチ手段を有する切換可能インピーダンス手段とを備える、請求項22に記載のトランシーバ。
- 前記スイッチ手段に対して電気的に結合される反応素子手段をさらに備える、請求項22に記載のトランシーバ。
- 前記トランシーバが送信モードおよび受信モードで動作するように構成され、前記送信経路における前記切換可能インピーダンス手段は、前記送信モードで高いインピーダンスを有するとともに、前記受信モードで低いインピーダンスを有し、前記受信経路における前記切換可能インピーダンス手段は、前記受信モードで高いインピーダンスを有するとともに、前記送信モードで低いインピーダンスを有する、請求項23に記載のトランシーバ。
- 前記送信経路は、それぞれが対応する電力増幅器を含む複数の送信経路を備え、前記受信経路は、それぞれが対応する低雑音増幅器を含む複数の受信経路を備える、請求項23に記載のトランシーバ。
- 前記送信経路中の第1の切換可能インピーダンス手段、および前記受信経路中の第2の切換可能インピーダンス手段をさらに備え、前記第1の切換可能インピーダンス手段が第1の反応素子手段に対して電気的に結合され、前記第2の切換可能インピーダンス手段が第2の反応素子手段に対して電気的に結合される、請求項26に記載のトランシーバ。
- 前記トランシーバが送信モードおよび受信モードで動作するように構成され、前記送信経路における前記切換可能インピーダンス手段は、前記送信モードで低いインピーダンスを有するとともに、前記受信モードで高いインピーダンスを有し、前記受信経路における切換可能インピーダンス手段は、前記受信モードで高いインピーダンスを有するとともに、前記送信モードで低いインピーダンスを有する、請求項23に記載のトランシーバ。
- 前記送信経路が前記切換可能インピーダンス手段に結合される変圧器をさらに備え、前記切換可能インピーダンス手段は、前記受信モードで前記高いインピーダンス状態にあり、前記送信モードで前記低いインピーダンス状態にある、請求項28に記載のトランシーバ。
- 前記送信経路は、前記送信経路をグランドに接続し、かつ前記切換可能インピーダンスが低インピーダンス状態にあるときに所定の周波数で低いインピーダンスを有するとともに、前記切換可能インピーダンス手段が高インピーダンス状態にあるときに前記所定の周波数で高いインピーダンスを有する反応素子手段をさらに備える、請求項28に記載のトランシーバ。
- アンテナノードと、
前記アンテナノードに結合される周波数マルチプレクサと、
それぞれが前記周波数マルチプレクサを介して前記アンテナノードに結合され、それぞれが別個の周波数で動作するように構成される、複数のトランシーバと、
を備え、前記各トランシーバは、
前記アンテナノードに対して電気的に接続され、電力増幅器と少なくとも1つの切換可能インピーダンスとを備える送信経路と、
前記アンテナノードに対して電気的に結合され、低雑音増幅器と少なくとも1つの切換可能インピーダンスとを備える受信経路と、
を備え、
前記各切換可能インピーダンスは、電力を前記元のアンテナノードへ向けて実質的に反射する第1の状態と、信号電力がそのそれぞれの経路に沿って送信される第2の状態の間を切り換えるように構成されるとともに、スイッチを備え、該スイッチが、グランドに結合されるシリコン系短絡スイッチであるとともに、シリコン系MOSスイッチ、シリコン系バイポーラスイッチ、およびシリコン系ダイオードからなるグループから選択され、
単一の単位基板上に形成される、トランシーバモジュール。 - アンテナノードと、
前記アンテナノードに対して電気的に接続されるとともに、電力増幅器、該電力増幅器に対して結合される変圧器、および該変圧器に対して結合される切換可能インピーダンスを備え、該切換可能インピーダンスが、受信モードである第1の動作モードにおいて高インピーダンス状態にあるとともに、送信モードである第2のモードにおいて低インピーダンス状態にある、送信経路と、
前記アンテナノードに対して電気的に接続されるとともに、低雑音増幅器、および前記受信モードで高インピーダンス状態にあり、かつ前記送信モードで低インピーダンス状態にある、切換可能インピーダンスを備える受信経路と
を備え、
各切換可能インピーダンスは、グランドに結合されるシリコン系短絡スイッチを備え、該スイッチが、シリコン系MOSスイッチ、シリコン系バイポーラスイッチ、およびシリコン系ダイオードからなるグループから選択され、
単一の単位基板上に形成される、トランシーバモジュール。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US77747306P | 2006-02-28 | 2006-02-28 | |
PCT/US2007/005184 WO2007100864A2 (en) | 2006-02-28 | 2007-02-28 | Rf transceiver switching system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009528781A true JP2009528781A (ja) | 2009-08-06 |
Family
ID=38459659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008557352A Withdrawn JP2009528781A (ja) | 2006-02-28 | 2007-02-28 | Rfトランシーバスイッチングシステム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070232241A1 (ja) |
EP (1) | EP1994648A2 (ja) |
JP (1) | JP2009528781A (ja) |
KR (1) | KR20080106942A (ja) |
CA (1) | CA2643027A1 (ja) |
WO (1) | WO2007100864A2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011199725A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体スイッチ、送受信器、送信器および受信器 |
JP2013506361A (ja) * | 2010-08-24 | 2013-02-21 | ゼットワイダブリュー マイクロエレクトロニクス アイエヌシー | Rfパワーアンプの電力合成回路 |
JP2021523644A (ja) * | 2018-05-15 | 2021-09-02 | スウィフトリンク テクノロジーズ インコーポレイテッド | ミリ波5g通信用ブロードバンドmimo受信機のための送信/受信(t/r)スイッチ及び受信機フロントエンドのワイドバンドマッチング共設計法 |
Families Citing this family (70)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070249294A1 (en) * | 2006-04-20 | 2007-10-25 | Chang-Ching Wu | Transmit-receive switch for ultrawideband and method for isolating transmitting and receiving signal thereof |
KR100811162B1 (ko) * | 2006-11-15 | 2008-03-07 | 삼성전자주식회사 | 통신장치 및 저잡음 증폭방법 |
US8868922B2 (en) * | 2006-12-27 | 2014-10-21 | Texas Instruments Incorporated | Wireless authorization mechanism for mobile devices and data thereon |
US7865149B2 (en) * | 2007-06-01 | 2011-01-04 | Broadcom Corporation | On chip MOS transmit / receive switch |
JP4393544B2 (ja) * | 2007-09-14 | 2010-01-06 | 株式会社東芝 | ミキサ回路及びこれを用いた無線通信装置 |
US8145142B2 (en) * | 2007-12-12 | 2012-03-27 | Broadcom Corporation | Method and system for increased resolution switching using MEMS and switched capacitors |
US8099062B1 (en) * | 2008-04-24 | 2012-01-17 | Qualcomm Atheros, Inc. | CMOS transceiver analog front end having a combined power amplifier and low noise amplifier |
EP2114015A1 (en) * | 2008-04-30 | 2009-11-04 | Laird Technologies AB | An integrated circuit device for fm reception and transmission, an antenna device, an fm transceiver device and a portable radio communication device comprising such an integrated circuit device |
KR100900762B1 (ko) * | 2008-12-30 | 2009-06-03 | 주식회사 파이칩스 | Rf 무선 송수신장치 |
US8175541B2 (en) * | 2009-02-06 | 2012-05-08 | Rfaxis, Inc. | Radio frequency transceiver front end circuit |
US8073401B2 (en) * | 2009-02-17 | 2011-12-06 | Rfaxis, Inc. | Multi mode radio frequency transceiver front end circuit with inter-stage matching circuit |
US9231680B2 (en) * | 2009-03-03 | 2016-01-05 | Rfaxis, Inc. | Multi-channel radio frequency front end circuit |
AU2010225399B9 (en) * | 2009-03-18 | 2014-11-06 | Netgear, Inc. | Multiple antenna system for wireless communication |
US20100244981A1 (en) * | 2009-03-30 | 2010-09-30 | Oleksandr Gorbachov | Radio frequency power divider and combiner circuit |
US8232857B1 (en) * | 2009-04-15 | 2012-07-31 | Triquint Semiconductor, Inc. | Flux-coupled transformer for power amplifier output matching |
US8467738B2 (en) * | 2009-05-04 | 2013-06-18 | Rfaxis, Inc. | Multi-mode radio frequency front end module |
US8232925B2 (en) * | 2009-05-29 | 2012-07-31 | Intel Mobile Communications GmbH | Impedance tuning of transmitting and receiving antennas |
US8368481B2 (en) * | 2009-10-14 | 2013-02-05 | Microsemi Corporation | RF switchable balun |
US9397720B2 (en) * | 2009-12-10 | 2016-07-19 | Mediatek Inc. | Method and system for integrating transmit switch functionality in a WLAN radio transceiver |
US8649739B2 (en) * | 2010-01-06 | 2014-02-11 | Rfaxis, Inc. | Increased receive sensitivity radio frequency front end integrated circuits |
US8417286B2 (en) * | 2010-01-06 | 2013-04-09 | Rfaxis, Inc. | Transmit-receive radio frequency front end integrated circuits for laptop computer applications |
WO2011103327A1 (en) * | 2010-02-17 | 2011-08-25 | Rftelligent, Inc. | Field-confined printed circuit board-printed antenna for radio frequency front end integrated circuits |
JP5467979B2 (ja) * | 2010-09-14 | 2014-04-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 高周波モジュール |
WO2012054343A1 (en) | 2010-10-19 | 2012-04-26 | Rfaxis, Inc. | Radio frequency multi-port switches |
US8928428B2 (en) | 2010-12-22 | 2015-01-06 | Rfaxis, Inc. | On-die radio frequency directional coupler |
GB201102143D0 (en) * | 2011-02-08 | 2011-03-23 | Cambridge Silicon Radio Ltd | A receiver |
EP2710732A4 (en) | 2011-05-02 | 2015-07-22 | Rfaxis Inc | POWER AMPLIFIER WITH COEXISTENCE FILTER |
US8909171B2 (en) | 2011-07-19 | 2014-12-09 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | RF antenna switch circuit, high frequency antenna component, and mobile communication device |
KR20130126389A (ko) * | 2012-05-11 | 2013-11-20 | 한국전자통신연구원 | 고주파 송수신 장치 및 방법 |
US9130369B2 (en) * | 2012-08-29 | 2015-09-08 | Qualcomm Incorporated | Wireless power overvoltage protection circuit with reduced power dissipation |
JP5743983B2 (ja) * | 2012-08-31 | 2015-07-01 | 株式会社東芝 | 送受切替回路、無線装置および送受切替方法 |
US10461799B2 (en) * | 2012-11-08 | 2019-10-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrated transmitter and receiver front end module, transceiver, and related method |
CN102938657A (zh) * | 2012-11-13 | 2013-02-20 | 贵州中科汉天下电子有限公司 | 一种射频前端装置 |
US9368975B2 (en) * | 2012-11-30 | 2016-06-14 | Qualcomm Incorporated | High power RF field effect transistor switching using DC biases |
US20140179241A1 (en) * | 2012-12-20 | 2014-06-26 | Qualcomm Incorporated | Concurrent matching network using transmission lines for low loss |
KR101488773B1 (ko) * | 2013-01-17 | 2015-02-04 | 한국과학기술원 | 무선랜 및 블루투스 송수신 겸용 프런트 앤드 모듈 |
US20140273887A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Motorola Mobility Llc | Tunable ila and dila matching for simultaneous high and low band operation |
US9300286B2 (en) * | 2013-09-27 | 2016-03-29 | Peregrine Semiconductor Corporation | Antenna transmit receive switch |
US9860845B2 (en) * | 2013-10-03 | 2018-01-02 | Andrew Wireless Systems Gmbh | Interface device providing power management and load termination in distributed antenna system |
US20150105032A1 (en) * | 2013-10-15 | 2015-04-16 | Qualcomm Incorporated | Dynamic bias to improve switch linearity |
KR101630019B1 (ko) * | 2013-11-13 | 2016-06-13 | 삼성전기주식회사 | 엘디엠오에스 알에프 스위치 |
GB2520584A (en) * | 2013-11-19 | 2015-05-27 | Cambridge Silicon Radio Ltd | On chip transmit and receive filtering |
US20150140937A1 (en) * | 2013-11-19 | 2015-05-21 | Cambridge Silicon Radio Limited | On-chip transmit and receive filtering |
EP3084376B1 (en) * | 2013-12-17 | 2019-01-16 | Picometrix, LLC | System for transmitting and receiving electromagnetic radiation |
US9825553B2 (en) | 2014-04-17 | 2017-11-21 | Linear Technology Corporation | Voltage regulation in resonant power wireless receiver |
CN105099481B (zh) * | 2014-05-23 | 2019-03-12 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种射频收发方法及*** |
US9698740B2 (en) * | 2014-07-14 | 2017-07-04 | Skyworks Solutions, Inc. | Mode linearization switch circuit |
US9882601B1 (en) * | 2014-10-28 | 2018-01-30 | Google Inc. | Power amplifier with ground switch for transmit/receive functionality |
US10284235B2 (en) * | 2015-07-22 | 2019-05-07 | Skyworks Solutions, Inc. | Wireless transceiver with switch to reduce harmonic leakage |
US9559747B1 (en) | 2015-10-13 | 2017-01-31 | International Business Machines Corporation | Efficient transmit and receive switches |
US11063570B2 (en) | 2017-02-10 | 2021-07-13 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Integrated isolator circuit in a time division duplex transceiver |
CN107070492B (zh) * | 2017-03-28 | 2020-08-14 | 尚睿微电子(上海)有限公司 | 一种信号收发控制结构、方法及电子设备 |
FR3066058B1 (fr) * | 2017-05-05 | 2019-07-12 | Stmicroelectronics Sa | Appareil de communication avec une isolation renforcee de la chaine de reception |
US10277268B2 (en) * | 2017-06-02 | 2019-04-30 | Psemi Corporation | Method and apparatus for switching of shunt and through switches of a transceiver |
US10211825B2 (en) * | 2017-06-07 | 2019-02-19 | Globalfoundries Inc. | Circuits having a switch with back-gate bias |
KR101912288B1 (ko) * | 2017-06-12 | 2018-10-29 | 삼성전기 주식회사 | 파워 증폭 시스템의 밴드 선택 스위치 장치 |
US10910714B2 (en) | 2017-09-11 | 2021-02-02 | Qualcomm Incorporated | Configurable power combiner and splitter |
US10476533B1 (en) * | 2018-04-27 | 2019-11-12 | Speedlink Technology Inc. | Transmit and receive switch and broadband power amplifier matching network for multi-band millimeter-wave 5G communication |
EP4293932A3 (en) | 2018-06-19 | 2024-03-13 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) | Radio unit for unsynchronized tdd multi-band operation |
WO2020035634A1 (en) * | 2018-08-17 | 2020-02-20 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy | Differential transmission line based switch for palna transceivers |
US10720956B2 (en) * | 2018-09-06 | 2020-07-21 | Intel Corporation | Low loss transmitter receiver switch with transformer matching network |
EP3893402A4 (en) * | 2018-12-28 | 2021-12-22 | Huawei Technologies Co., Ltd. | TRANSMISSION / RECEPTION SEPARATION CIRCUIT, TRANSCEIVER, AND RADIO COMMUNICATION DEVICE |
US10917132B1 (en) * | 2019-07-10 | 2021-02-09 | Rockwell Collins, Inc. | Switchless transceiver integrated programmable differential topology |
US11128327B2 (en) * | 2019-08-31 | 2021-09-21 | Integrated Device Technology, Inc. | Principle and techniques for integrated TRX switch |
US11700027B2 (en) | 2020-05-05 | 2023-07-11 | Mobix Labs, Inc. | Multi-mode WiFi bluetooth RF front-ends |
WO2021239226A1 (en) * | 2020-05-28 | 2021-12-02 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Fast antenna switch |
US11437992B2 (en) | 2020-07-30 | 2022-09-06 | Mobix Labs, Inc. | Low-loss mm-wave CMOS resonant switch |
US20230353187A1 (en) * | 2020-09-30 | 2023-11-02 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Transceiver switch circuitry |
US11309860B1 (en) * | 2020-10-09 | 2022-04-19 | Apple Inc. | Single ladder duplexer with impedance gradient |
EP3985881B1 (en) * | 2020-10-15 | 2023-06-07 | IMEC vzw | Wideband radio-frequency transceiver front-end and operation method thereof |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100418001B1 (ko) * | 1996-08-05 | 2004-02-11 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 고주파 전력누설의 영향이 억제된 고주파 무선 송수신기를 위한 고주파 집적회로 |
GB2341755A (en) * | 1998-09-18 | 2000-03-22 | Nokia Mobile Phones Ltd | Radio transceiver switching circuit |
WO2002069443A1 (en) * | 2001-02-28 | 2002-09-06 | Itt Manufacturing Enterprises, Inc. | Integrated beamformer/method architecture |
JP4034099B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2008-01-16 | 株式会社ルネサステクノロジ | 高周波用モノリシック集積回路装置およびその製造方法 |
US6919858B2 (en) * | 2003-10-10 | 2005-07-19 | Broadcom, Corp. | RF antenna coupling structure |
JP2005318093A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Toshiba Corp | 高周波スイッチ回路 |
US7248120B2 (en) * | 2004-06-23 | 2007-07-24 | Peregrine Semiconductor Corporation | Stacked transistor method and apparatus |
-
2007
- 2007-02-28 CA CA002643027A patent/CA2643027A1/en not_active Abandoned
- 2007-02-28 WO PCT/US2007/005184 patent/WO2007100864A2/en active Application Filing
- 2007-02-28 US US11/712,209 patent/US20070232241A1/en not_active Abandoned
- 2007-02-28 EP EP07751915A patent/EP1994648A2/en not_active Withdrawn
- 2007-02-28 JP JP2008557352A patent/JP2009528781A/ja not_active Withdrawn
- 2007-02-28 KR KR1020087023453A patent/KR20080106942A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011199725A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体スイッチ、送受信器、送信器および受信器 |
JP2013506361A (ja) * | 2010-08-24 | 2013-02-21 | ゼットワイダブリュー マイクロエレクトロニクス アイエヌシー | Rfパワーアンプの電力合成回路 |
JP2021523644A (ja) * | 2018-05-15 | 2021-09-02 | スウィフトリンク テクノロジーズ インコーポレイテッド | ミリ波5g通信用ブロードバンドmimo受信機のための送信/受信(t/r)スイッチ及び受信機フロントエンドのワイドバンドマッチング共設計法 |
JP7202398B2 (ja) | 2018-05-15 | 2023-01-11 | スウィフトリンク テクノロジーズ カンパニー リミテッド | ミリ波5g通信用ブロードバンドmimo受信機のための送信/受信(t/r)スイッチ及び受信機フロントエンドのワイドバンドマッチング共設計法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007100864A2 (en) | 2007-09-07 |
EP1994648A2 (en) | 2008-11-26 |
CA2643027A1 (en) | 2007-09-07 |
KR20080106942A (ko) | 2008-12-09 |
US20070232241A1 (en) | 2007-10-04 |
WO2007100864A3 (en) | 2008-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009528781A (ja) | Rfトランシーバスイッチングシステム | |
US10608590B2 (en) | High-gain low noise figure low noise complementary metal oxide semiconductor amplifier with low current consumption | |
US6798314B2 (en) | Transmit/receive combiner using shunt admittance elements for isolation | |
US8768270B2 (en) | High linearity TX/RX switch | |
JP2004015307A (ja) | 可変型アンテナ整合回路 | |
EP1625667A1 (en) | Antenna switches including field effect transistors | |
US20020177417A1 (en) | Transmit/receive switch for an RF transceiver | |
WO2014020297A1 (en) | Radio frequency transceivers | |
US8135357B1 (en) | Integrated transmitter/receiver switch with impedance matching network | |
KR20210003210A (ko) | 멀티-대역 밀리미터파 5g 통신을 위한 송신 및 수신 스위치 및 브로드밴드 전력 증폭기 매칭 네트워크 | |
US10511344B1 (en) | Transceiver resonant receive switch | |
US20100246454A1 (en) | Novel transmit/receive balun structure | |
KR102041655B1 (ko) | 고주파 스위치 | |
JP4841670B2 (ja) | 送受信回路 | |
KR101931682B1 (ko) | 단일안테나의 동작을 위한 TLT(Transmission Line Transformer)를 포함하는 SPDT 스위치 구조 | |
KR20110060735A (ko) | 고주파 변압기를 이용한 다중 대역 전력증폭기 | |
KR100900762B1 (ko) | Rf 무선 송수신장치 | |
US7548732B2 (en) | Power amplifier arrangement having two or more antenna coupling respective amplifiers to a supply potential | |
WO2015093936A1 (en) | Common gate multiple input low noise amplifier | |
JP2007081799A (ja) | フィルタ回路とそれを用いたアンテナモジュール | |
US10312961B1 (en) | Transceiver resonant receive switch | |
KR100679055B1 (ko) | 고출력 무선통신 시스템의 스위치 | |
Shaker et al. | Direct matching of a miniaturized antenna to an on-chip low noise amplifier | |
WO2023208320A1 (en) | Transceiver with antenna switch incorporating input impedance matching for receiver amplifier |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20100511 |