JP2009526370A - 半導体ナノ結晶およびドープされた有機材料を含む層を含むデバイスおよび方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(Y−)k−n−(X)−(L)n
(式中、kは、2、3、または5であり、nは、1、2、3、4または5であり、k−nは、ゼロ以上であり;Xは、O、S、S=O、SO2、Se、Se=O、N、N=O、P、P=O、As、As=Oであり、YおよびLのそれぞれは、独立してアリール、ヘテロアリール、あるいは少なくとも1つの二重結合、少なくとも1つの三重結合、または少なくとも1つの二重結合と少なくとも1つの三重結合とを場合により含む直鎖または分岐鎖のC2−12の炭化水素鎖である。炭化水素鎖は、1つないし複数のC1−4アルキル、C2−4アルケニル、C2−4アルキニル、C1−4アルコキシ、ヒドロキシル、ハロ、アミノ、ニトロ、シアノ、C3−5シクロアルキル、3−5員環のヘテロシクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、C1−4アルキルカルボニルオキシ、C1−4アルキルオキシカルボニル、C1−4アルキルカルボニルまたはホルミルで場合により置換され得る。また、炭化水素鎖も、−O−、−S−、−N(Ra)−、−N(Ra)−C(O)−O−、−O−C(O)−N(Ra)、−N(Ra)−C(O)−N(Rb)−、−O−C(O)−O、−P(Ra)−、または−P(O)(Ra)−によって場合により中断され得る。RaおよびRbのそれぞれは、独立して水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、ヒドロキシアルキル、ヒドロキシルまたはハロアルキルである。アリール基は、置換または非置換の環状芳香族基である。この例は、フェニル、ベンジル、ナフチル、トリル、アントラシル、ニトロフェニルまたはハロフェニルを含む。ヘテロアリール基は、環中に1つないし複数のヘテロ原子を有するアリール基、例えばフリル、ピリジル、ピロリル、フェナントリルなどである。)を有することができる。
Claims (111)
- 半導体ナノ結晶およびドープされた有機材料を含む層を含むデバイス。
- ドープされた有機材料が、電子を輸送できる材料を含む、請求項1に記載のデバイス。
- ドープされた有機材料がn−ドープされている、請求項2に記載のデバイス。
- ドープされた有機材料が、Liでドープされたバルトフェナントロリン(BPhen)を含む、請求項4に記載のデバイス。
- ドープされた有機材料が、ホールを輸送できる材料を含む、請求項1に記載のデバイス。
- ドープされた有機材料が、p−ドープされたフタロシアニンを含む、請求項5に記載のデバイス。
- ドープされた有機材料が、テトラフルオロ−テトラシアノ−キノジメタン(F4−TCNQ)でドープされた4,4’,4”−トリス(ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(TDATA)を含む、請求項5に記載のデバイス。
- ドープされた有機材料がp−ドープされている、請求項5に記載のデバイス。
- ドープされた有機材料が、ホールを注入できる材料を含む、請求項1に記載のデバイス。
- ドープされた有機材料がp−ドープされている、請求項9に記載のデバイス。
- ドープされた有機材料が、アクセプター型有機材料でp−ドープされている、請求項5または10に記載のデバイス。
- ドープされた有機材料が、電子を注入できる材料を含む、請求項1に記載のデバイス。
- ドープされた有機材料がn−ドープされている、請求項12に記載のデバイス。
- ドープされた有機材料が、ドナー型有機材料でn−ドープされている、請求項2または13に記載のデバイス。
- ドープされた有機材料が、ホールをブロックできる材料を含む、請求項1に記載のデバイス。
- ドープされた有機材料が、電子をブロックする材料を含む、請求項1に記載のデバイス。
- デバイス中に含まれるドープされた有機材料を含む層を1つより多く含む、請求項1に記載のデバイス。
- 少なくとも1つの半導体ナノ結晶と電気的に接続している、ドープされた有機材料を含む層を組み入れることを含む、半導体ナノ結晶を含むデバイスの製造方法。
- ドープされた有機材料が、電子を輸送できる材料を含む、請求項18に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、ホールを輸送できる材料を含む、請求項18に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、ホールを注入できる材料を含む、請求項18に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、電子を注入できる材料を含む、請求項18に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、ホールをブロックできる材料を含む、請求項18に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、電子をブロックする材料を含む、請求項18に記載の方法。
- デバイス中に含まれるドープされた有機材料を含む1つ以上の追加の層を用意することをさらに含む、請求項18に記載の方法。
- 少なくとも1つの半導体ナノ結晶と電気的に接続している、ドープされた有機材料を含む層を組み入れることを含む、半導体ナノ結晶を含むデバイスの効率を改良する方法。
- ドープされた有機材料が、電子を輸送できる材料を含む、請求項26に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、ホールを輸送できる材料を含む、請求項26に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、ホールを注入できる材料を含む、請求項26に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、電子を注入できる材料を含む、請求項26に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、ホールをブロックできる材料を含む、請求項26に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、電子をブロックする材料を含む、請求項26に記載の方法。
- デバイス中に含まれるドープされた有機材料を含む1つ以上の追加の層を用意することをさらに含む、請求項26に記載の方法。
- 電極を含む基体を用意すること、前記基体の上に少なくとも1つの半導体ナノ結晶と電気的に接続している、第1のドープされた有機材料を含む第1層を被着させることを含むデバイスの効率を改良する方法。
- 半導体ナノ結晶が第1層中に含まれる、請求項34に記載の方法。
- 半導体ナノ結晶が基体と第1層との間に別個の層として配置される、請求項34に記載の方法。
- 第2のドープされた有機材料を含む第2層をさらに含む、請求項34に記載の方法。
- 第1のドープされた有機材料が、ホールを輸送できる材料を含み、ならびに第2のドープされた有機材料が、電子を輸送できる材料を含む、請求項34に記載の方法。
- 半導体ナノ結晶が、第2層中に含まれる、請求項34に記載の方法。
- 半導体ナノ結晶が、第1層と第2層との間に別個の層として配置される、請求項37に記載の方法。
- 2つ以上の異なる半導体ナノ結晶組成物を含む、請求項1に記載のデバイス。
- 2つ以上の異なる半導体ナノ結晶組成物のそれぞれが、他のものと区別できる放射波長を有する、請求項41に記載のデバイス。
- 半導体ナノ結晶が、コア/シェル構造を含む、請求項1に記載のデバイス。
- コアが、第II−VI族化合物、第II−V族化合物、第III−VI族化合物、第III−V族化合物、第IV−VI族化合物、第I−III−VI族化合物、第II−IV−VI族化合物、第II−IV−V族化合物およびこれらの混合物を含む、請求項44に記載のデバイス。
- シェルが、第II−VI族化合物、第II−V族化合物、第III−VI族化合物、第III−V族化合物、第IV−VI族化合物、第I−III−VI族化合物、第II−IV−VI族化合物、第II−IV−V族化合物およびこれらの混合物を含む、請求項45に記載のデバイス。
- 半導体ナノ結晶が、表面に付着した少なくとも1つの配位子を含む、請求項1に記載のデバイス。
- 半導体ナノ結晶が、表面に付着した少なくとも1つの配位子を含む、請求項44に記載のデバイス。
- デバイスが、2つ以上の異なる半導体ナノ結晶組成物を含む、請求項18に記載の方法。
- 2つ以上の異なる半導体ナノ結晶組成物のそれぞれが、他のものと区別できる放射波長を有する、請求項49に記載の方法。
- 半導体ナノ結晶が、コア/シェル構造を含む、請求項18に記載の方法。
- コアが、第II−VI族化合物、第II−V族化合物、第III−VI族化合物、第III−V族化合物、第IV−VI族化合物、第I−III−VI族化合物、第II−IV−VI族化合物、第II−IV−V族化合物およびこれらの混合物を含む、請求項51に記載の方法。
- シェルが、第II−VI族化合物、第II−V族化合物、第III−VI族化合物、第III−V族化合物、第IV−VI族化合物、第I−III−VI族化合物、第II−IV−VI族化合物、第II−IV−V族化合物およびこれらの混合物を含む、請求項52に記載の方法。
- 半導体ナノ結晶が、表面に付着した少なくとも1つの配位子を含む、請求項18に記載の方法。
- 半導体ナノ結晶が、表面に付着した少なくとも1つの配位子を含む、請求項51に記載の方法。
- デバイスが、2つ以上の異なる半導体ナノ結晶組成物を含む、請求項26に記載の方法。
- 2つ以上の異なる半導体ナノ結晶組成物のそれぞれが、他のものと区別できる放射波長を有する、請求項56に記載の方法。
- 半導体ナノ結晶が、コア/シェル構造を含む、請求項26に記載の方法。
- コアが、第II−VI族化合物、第II−V族化合物、第III−VI族化合物、第III−V族化合物、第IV−VI族化合物、第I−III−VI族化合物、第II−IV−VI族化合物、第II−IV−V族化合物およびこれらの混合物を含む、請求項58に記載の方法。
- シェルが、第II−VI族化合物、第II−V族化合物、第III−VI族化合物、第III−V族化合物、第IV−VI族化合物、第I−III−VI族化合物、第II−IV−VI族化合物、第II−IV−V族化合物およびこれらの混合物を含む、請求項59に記載の方法。
- 半導体ナノ結晶が、表面に付着した少なくとも1つの配位子を含む、請求項26に記載の方法。
- 半導体ナノ結晶が、表面に付着した少なくとも1つの配位子を含む、請求項58に記載のデバイス。
- デバイスが、2つ以上の異なる半導体ナノ結晶組成物を含む、請求項34に記載の方法。
- 2つ以上の異なる半導体ナノ結晶組成物のそれぞれが、他のものと区別できる放射波長を有する、請求項63に記載の方法。
- 半導体ナノ結晶がコア/シェル構造を含む、請求項34に記載の方法。
- コアが、第II−VI族化合物、第II−V族化合物、第III−VI族化合物、第III−V族化合物、第IV−VI族化合物、第I−III−VI族化合物、第II−IV−VI族化合物、第II−IV−V族化合物およびこれらの混合物を含む、請求項65に記載の方法。
- シェルが、第II−VI族化合物、第II−V族化合物、第III−VI族化合物、第III−V族化合物、第IV−VI族化合物、第I−III−VI族化合物、第II−IV−VI族化合物、第II−IV−V族化合物およびこれらの混合物を含む、請求項66に記載の方法。
- 半導体ナノ結晶が、表面に付着した少なくとも1つの配位子を含む、請求項34に記載の方法。
- 半導体ナノ結晶が、表面に付着した少なくとも1つの配位子を含む、請求項65に記載のデバイス。
- ドープされた有機材料がn−ドープされている、請求項19に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、Liでドープされたバルトフェナントロリン(BPhen)を含む、請求項70に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、p−ドープされたフタロシアニンを含む、請求項20に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、テトラフルオロ−テトラシアノ−キノジメタン(F4−TCNQ)でドープされている4,4’,4”−トリス(ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(TDATA)を含む、請求項20に記載の方法。
- ドープされた有機材料がp−ドープされている、請求項20に記載の方法。
- ドープされた有機材料がp−ドープされている、請求項21に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、アクセプター型有機材料でp−ドープされている、請求項74または75に記載の方法。
- ドープされた有機材料がn−ドープされている、請求項22に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、ドナー型有機材料でn−ドープされている、請求項70または77に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、ホールをブロックできる材料を含む、請求項18に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、電子をブロックする材料を含む、請求項18に記載の方法。
- デバイスが、デバイス中に含まれるドープされた有機材料を含む層を1つより多く含む、請求項18に記載の方法。
- ドープされた有機材料がn−ドープされている、請求項27に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、Liでドープされたバルトフェナントロリン(BPhen)を含む、請求項82に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、p−ドープされたフタロシアニンを含む、請求項28に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、テトラフルオロ−テトラシアノ−キノジメタン(F4−TCNQ)でドープされている4,4’,4”−トリス(ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(TDATA)を含む、請求項28に記載の方法。
- ドープされた有機材料がp−ドープされている、請求項28に記載の方法。
- ドープされた有機材料がp−ドープされている、請求項29に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、アクセプター型有機材料でp−ドープされている、請求項86または87に記載の方法。
- ドープされた有機材料がn−ドープされている、請求項29に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、ドナー型有機材料でn−ドープされている、請求項82または89に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、ホールをブロックできる材料を含む、請求項26に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、電子をブロックする材料を含む、請求項26に記載の方法。
- デバイスが、デバイス中に含まれるドープされた有機材料を含む層を1つより多く含む、請求項26に記載の方法。
- 第1のドープされた有機材料が、ホールを輸送できる材料を含む、請求項34に記載の方法。
- 第2のドープされた有機材料が、電子を輸送できる材料を含む、請求項37に記載の方法。
- 第1のドープされた有機材料が、ホールを輸送できる材料を含む、請求項95に記載の方法。
- 第2のドープされた有機材料が、Liでドープされたバルトフェナントロリン(BPhen)を含む、請求項38に記載の方法。
- 第1のドープされた有機材料が、p−ドープされたフタロシアニンを含む、請求項38に記載の方法。
- 第1のドープされた有機材料が、テトラフルオロ−テトラシアノ−キノジメタン(F4−TCNQ)でドープされている4,4’,4”−トリス(ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(TDATA)を含む、請求項38に記載の方法。
- 第1のドープされた有機材料がp−ドープされている、請求項38に記載の方法。
- ドープされた有機材料が、アクセプター型有機材料でp−ドープされている、請求項100に記載の方法。
- 第2のドープされた有機材料がn−ドープされている、請求項38に記載の方法。
- 第2のドープされた有機材料が、ドナー型有機材料でn−ドープされている、請求項102に記載の方法。
- 発光デバイスを含む、請求項1に記載のデバイス。
- 太陽電池を含む、請求項1に記載のデバイス。
- 光検出器を含む、請求項1に記載のデバイス。
- 光起電デバイスを含む、請求項1に記載のデバイス。
- 複数の請求項106に記載の光検出器を含む像形成デバイス。
- 複数の請求項104に記載の発光デバイスを含むディスプレイ。
- 層が、少なくとも1つの半導体モノ結晶と電気的に接続している、請求項1に記載のデバイス。
- 本明細書に示され、記載されている、方法、装置、製造および組成物質に関する新規で、有用で、自明でない改良。
- 本明細書に示され、記載されている、新規で、有用で、自明でない方法、装置、製造および組成物質。
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Cited By (2)
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Families Citing this family (61)
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WO2008133660A2 (en) | 2006-11-21 | 2008-11-06 | Qd Vision, Inc. | Nanocrystals including a group iiia element and a group va element, method, composition, device and other prodcucts |
WO2008063653A1 (en) | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Qd Vision, Inc. | Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same |
WO2008063658A2 (en) | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Qd Vision, Inc. | Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same |
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US9346998B2 (en) | 2009-04-23 | 2016-05-24 | The University Of Chicago | Materials and methods for the preparation of nanocomposites |
WO2011060180A1 (en) | 2009-11-11 | 2011-05-19 | Qd Vision, Inc. | Device including quantum dots |
WO2011077704A1 (ja) | 2009-12-25 | 2011-06-30 | パナソニック株式会社 | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
WO2012071107A1 (en) * | 2010-11-23 | 2012-05-31 | Qd Vision, Inc. | Device including semiconductor nanocrystals & method |
US9520573B2 (en) | 2011-05-16 | 2016-12-13 | Qd Vision, Inc. | Device including quantum dots and method for making same |
WO2012158832A2 (en) | 2011-05-16 | 2012-11-22 | Qd Vision, Inc. | Method for preparing semiconductor nanocrystals |
WO2013028253A1 (en) | 2011-08-19 | 2013-02-28 | Qd Vision, Inc. | Semiconductor nanocrystals and methods |
US20130240026A1 (en) * | 2011-09-02 | 2013-09-19 | The California Institute Of Technology | Photovoltaic semiconductive materials |
WO2013103440A1 (en) | 2012-01-06 | 2013-07-11 | Qd Vision, Inc. | Light emitting device including blue emitting quantum dots and method |
US9431621B2 (en) * | 2012-03-13 | 2016-08-30 | The Regents Of The University Of Michigan | Metal oxide charge transport material doped with organic molecules |
CN104969029B (zh) | 2012-12-19 | 2018-11-02 | 巴斯夫欧洲公司 | 用于光学检测至少一种物体的检测器 |
US9989623B2 (en) | 2013-06-13 | 2018-06-05 | Basf Se | Detector for determining a longitudinal coordinate of an object via an intensity distribution of illuminated pixels |
AU2014280335B2 (en) | 2013-06-13 | 2018-03-22 | Basf Se | Detector for optically detecting an orientation of at least one object |
CN105637320B (zh) | 2013-08-19 | 2018-12-14 | 巴斯夫欧洲公司 | 光学检测器 |
KR101525525B1 (ko) * | 2014-02-05 | 2015-06-03 | 삼성전자주식회사 | 나노 결정 입자 및 그의 제조 방법 |
KR102397527B1 (ko) | 2014-07-08 | 2022-05-13 | 바스프 에스이 | 하나 이상의 물체의 위치를 결정하기 위한 검출기 |
KR102296735B1 (ko) * | 2014-08-13 | 2021-08-31 | 삼성전자주식회사 | 포토컨덕터 및 이를 이용한 이미지 센서 |
DE102014112618B4 (de) * | 2014-09-02 | 2023-09-07 | Pictiva Displays International Limited | Organisches Licht emittierendes Bauelement |
KR102452393B1 (ko) | 2014-09-29 | 2022-10-11 | 바스프 에스이 | 적어도 하나의 물체의 포지션을 광학적으로 결정하기 위한 방법 및 검출기 및 이를 이용한 휴먼 머신 인터페이스, 엔터테인먼트 장치, 추적 시스템, 스캐닝 시스템, 입체 시스템 및 카메라 |
KR102290310B1 (ko) * | 2014-11-14 | 2021-08-13 | 삼성전자주식회사 | 전도성 박막 |
JP6637980B2 (ja) | 2014-12-09 | 2020-01-29 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | 光学検出器 |
JP6841769B2 (ja) | 2015-01-30 | 2021-03-10 | トリナミクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 少なくとも1個の物体を光学的に検出する検出器 |
KR102644439B1 (ko) | 2015-07-17 | 2024-03-07 | 트리나미엑스 게엠베하 | 하나 이상의 물체를 광학적으로 검출하기 위한 검출기 |
CN108141579B (zh) | 2015-09-14 | 2020-06-12 | 特里纳米克斯股份有限公司 | 3d相机 |
US10253559B2 (en) | 2015-09-29 | 2019-04-09 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Energy-harvesting chromogenic devices |
US11211513B2 (en) | 2016-07-29 | 2021-12-28 | Trinamix Gmbh | Optical sensor and detector for an optical detection |
JP2019532517A (ja) | 2016-10-25 | 2019-11-07 | トリナミクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 光学的に検出するための光検出器 |
KR102431355B1 (ko) | 2016-10-25 | 2022-08-10 | 트리나미엑스 게엠베하 | 적어도 하나의 대상체의 광학적 검출을 위한 검출기 |
US11860292B2 (en) | 2016-11-17 | 2024-01-02 | Trinamix Gmbh | Detector and methods for authenticating at least one object |
EP3542179B1 (en) | 2016-11-17 | 2021-03-24 | trinamiX GmbH | Detector for optically detecting at least one object |
WO2018157139A1 (en) | 2017-02-27 | 2018-08-30 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Energy-harvesting chromogenic devices |
JP7204667B2 (ja) | 2017-04-20 | 2023-01-16 | トリナミクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 光検出器 |
WO2018209104A1 (en) * | 2017-05-10 | 2018-11-15 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Multilayer carbon nanotube film-containing devices |
JP7237024B2 (ja) | 2017-06-26 | 2023-03-10 | トリナミクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 少なくとも1つの物体の位置を決定するための検出器 |
CN108346750B (zh) * | 2017-08-08 | 2019-07-19 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 电致发光器件及其发光层和应用 |
KR20190085884A (ko) | 2018-01-11 | 2019-07-19 | 삼성전자주식회사 | 양자점과 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 전자 소자 |
US11411053B2 (en) | 2019-12-25 | 2022-08-09 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Color filter structure doped with nanoparticle and OLED display panel |
US20230180607A1 (en) * | 2020-06-09 | 2023-06-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting element and display device |
KR20220162925A (ko) * | 2021-06-01 | 2022-12-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 광검출기 및 이를 포함한 전자 장치 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04297076A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-10-21 | Toshiba Corp | 有機el素子 |
JPH11504754A (ja) * | 1995-11-28 | 1999-04-27 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 有機エレクトロルミネセント・デバイスを改良するために使用される有機/無機合金 |
JP2000196140A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法 |
JP2005502176A (ja) * | 2001-09-04 | 2005-01-20 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 量子ドットを有するエレクトロルミネセント装置 |
JP2005038634A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電流注入型発光素子 |
WO2005013337A2 (en) * | 2003-03-06 | 2005-02-10 | Rensselaer Polytechnic Institute | Rapid generation of nanoparticles from bulk solids at room temperature |
JP2005340195A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Samsung Electronics Co Ltd | ナノ結晶の多層薄膜製造方法およびこれを用いた有機・無機ハイブリッドエレクトロルミネッセンス素子 |
JP2005353595A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Samsung Electronics Co Ltd | ナノ結晶エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2006066395A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体ナノ結晶を含有する白色発光有機/無機ハイブリッド電界発光素子 |
JP2007227355A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-09-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 3次元構造の発光素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (99)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR950000111B1 (ko) * | 1988-11-21 | 1995-01-09 | 미쓰이도오아쓰가가꾸 가부시끼가이샤 | 발광소자(Luminescence element) |
AUPM512194A0 (en) * | 1994-04-15 | 1994-05-12 | Chulalongkorn University | Amorphous semiconductor photocoupler |
US5537000A (en) * | 1994-04-29 | 1996-07-16 | The Regents, University Of California | Electroluminescent devices formed using semiconductor nanocrystals as an electron transport media and method of making such electroluminescent devices |
CA2306384A1 (en) * | 1997-10-14 | 1999-04-22 | Patterning Technologies Limited | Method of forming an electronic device |
JP2000252077A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US6797412B1 (en) * | 2000-04-11 | 2004-09-28 | University Of Connecticut | Full color display structures using pseudomorphic cladded quantum dot nanophosphor thin films |
DE10058578C2 (de) * | 2000-11-20 | 2002-11-28 | Univ Dresden Tech | Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
US6576291B2 (en) * | 2000-12-08 | 2003-06-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Preparation of nanocrystallites |
JP2002344047A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Sony Corp | レーザー構造体、発光装置、表示装置、光増幅器及びレーザー構造体の製造方法 |
US6565996B2 (en) * | 2001-06-06 | 2003-05-20 | Eastman Kodak Company | Organic light-emitting device having a color-neutral dopant in a hole-transport layer and/or in an electron-transport layer |
US20030020397A1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-30 | Lite Array Inc. | Enhancement of luminance and life in electroluminescent devices |
KR20030010508A (ko) * | 2001-07-25 | 2003-02-05 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 모노-, 올리고- 및 폴리-4-플루오로티오펜 및 전하 이동물질로서의 이들의 용도 |
ATE409714T1 (de) * | 2001-07-25 | 2008-10-15 | Merck Patent Gmbh | Mono-, oligo and poly-3-(1,1- difluoroalkyl)thiophene und ihre verwendung als ladungstransportmaterial |
US6773949B2 (en) * | 2001-07-31 | 2004-08-10 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Semiconductor devices and methods |
US6710366B1 (en) * | 2001-08-02 | 2004-03-23 | Ultradots, Inc. | Nanocomposite materials with engineered properties |
KR100917347B1 (ko) * | 2001-08-29 | 2009-09-16 | 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 | 금속 착물들을 포함하는 캐리어 블로킹층들을 갖는 유기발광 디바이스들 |
DE60204205T2 (de) * | 2001-12-10 | 2006-02-02 | Merck Patent Gmbh | Oligomere und Polymere enthaltend eine 2,6-azulene Gruppe und ihre Verwendung als Ladungstransport Materialien |
DE10215210B4 (de) * | 2002-03-28 | 2006-07-13 | Novaled Gmbh | Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
US6951694B2 (en) * | 2002-03-29 | 2005-10-04 | The University Of Southern California | Organic light emitting devices with electron blocking layers |
CA2480518C (en) * | 2002-03-29 | 2016-07-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Light emitting device including semiconductor nanocrystals |
EP1537263B1 (en) * | 2002-08-13 | 2010-11-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Semiconductor nanocrystal heterostructures |
US7160613B2 (en) * | 2002-08-15 | 2007-01-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Stabilized semiconductor nanocrystals |
KR20050052473A (ko) * | 2002-08-16 | 2005-06-02 | 더 유니버시티 오브 써던 캘리포니아 | 유기 발광 물질 및 장치 |
US20050126628A1 (en) * | 2002-09-05 | 2005-06-16 | Nanosys, Inc. | Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices |
AU2003279708A1 (en) * | 2002-09-05 | 2004-03-29 | Nanosys, Inc. | Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices |
JP2004172102A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-06-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電界発光素子 |
US7332211B1 (en) * | 2002-11-07 | 2008-02-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Layered materials including nanoparticles |
US6858327B2 (en) * | 2002-11-08 | 2005-02-22 | Universal Display Corporation | Organic light emitting materials and devices |
US6982179B2 (en) * | 2002-11-15 | 2006-01-03 | University Display Corporation | Structure and method of fabricating organic devices |
US6872475B2 (en) * | 2002-12-03 | 2005-03-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Binaphthalene derivatives for organic electro-luminescent devices |
JP2004253175A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-09 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電界発光素子 |
JP2004303592A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電界発光素子及び電界発光素子の製造方法 |
US6841270B2 (en) * | 2003-04-17 | 2005-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light-emitting device having pyrylium salt as charge transport material |
US7018723B2 (en) * | 2003-07-25 | 2006-03-28 | The University Of Southern California | Materials and structures for enhancing the performance of organic light emitting devices |
DE10338406A1 (de) * | 2003-08-18 | 2005-03-24 | Novaled Gmbh | Dotierte organische Halbleitermaterialien sowie Verfahren zu deren Herstellung |
DE10339772B4 (de) * | 2003-08-27 | 2006-07-13 | Novaled Gmbh | Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP4637472B2 (ja) * | 2003-11-14 | 2011-02-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
FR2862955B1 (fr) * | 2003-12-02 | 2006-03-10 | Commissariat Energie Atomique | Nanocristaux inorganiques a couche de revetement organique, leur procede de preparation, et materiaux constitues par ceux-ci. |
US7605534B2 (en) * | 2003-12-02 | 2009-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element having metal oxide and light-emitting device using the same |
DE10357044A1 (de) * | 2003-12-04 | 2005-07-14 | Novaled Gmbh | Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinondiiminderivaten |
DE102004002587B4 (de) * | 2004-01-16 | 2006-06-01 | Novaled Gmbh | Bildelement für eine Aktiv-Matrix-Anzeige |
US7253452B2 (en) * | 2004-03-08 | 2007-08-07 | Massachusetts Institute Of Technology | Blue light emitting semiconductor nanocrystal materials |
US7193291B2 (en) * | 2004-03-25 | 2007-03-20 | 3M Innovative Properties Company | Organic Schottky diode |
WO2005094271A2 (en) * | 2004-03-25 | 2005-10-13 | The Regents Of The University Of California | Colloidal quantum dot light emitting diodes |
JP4393249B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-01-06 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機発光素子,画像表示装置、及びその製造方法 |
WO2005101530A1 (en) * | 2004-04-19 | 2005-10-27 | Edward Sargent | Optically-regulated optical emission using colloidal quantum dot nanocrystals |
JP2005322464A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Canon Inc | 有機el素子 |
US20050275056A1 (en) * | 2004-05-26 | 2005-12-15 | Stephen Forrest | Organic heterojunction bipolar transistor |
US7126267B2 (en) * | 2004-05-28 | 2006-10-24 | Eastman Kodak Company | Tandem OLED having stable intermediate connectors |
US7772484B2 (en) * | 2004-06-01 | 2010-08-10 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic module architecture |
US7540978B2 (en) * | 2004-08-05 | 2009-06-02 | Novaled Ag | Use of an organic matrix material for producing an organic semiconductor material, organic semiconductor material and electronic component |
US7316967B2 (en) * | 2004-09-24 | 2008-01-08 | Massachusetts Institute Of Technology | Flow method and reactor for manufacturing noncrystals |
EP1648042B1 (en) * | 2004-10-07 | 2007-05-02 | Novaled AG | A method for doping a semiconductor material with cesium |
US10225906B2 (en) * | 2004-10-22 | 2019-03-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Light emitting device including semiconductor nanocrystals |
US8134175B2 (en) * | 2005-01-11 | 2012-03-13 | Massachusetts Institute Of Technology | Nanocrystals including III-V semiconductors |
EP2546192B1 (en) * | 2005-02-16 | 2019-12-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Light emitting device including semiconductor nanocrystals |
US8718437B2 (en) * | 2006-03-07 | 2014-05-06 | Qd Vision, Inc. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
GB2428955A (en) * | 2005-06-08 | 2007-02-14 | Tekgenuity Ltd | Plant watering system |
US20070001581A1 (en) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | Stasiak James W | Nanostructure based light emitting devices and associated methods |
US7615800B2 (en) * | 2005-09-14 | 2009-11-10 | Eastman Kodak Company | Quantum dot light emitting layer |
DE502005009802D1 (de) * | 2005-11-10 | 2010-08-05 | Novaled Ag | Dotiertes organisches Halbleitermaterial |
US7394094B2 (en) * | 2005-12-29 | 2008-07-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Semiconductor nanocrystal heterostructures |
US8835941B2 (en) * | 2006-02-09 | 2014-09-16 | Qd Vision, Inc. | Displays including semiconductor nanocrystals and methods of making same |
KR20080103527A (ko) * | 2006-02-14 | 2008-11-27 | 메사츄세츠 인스티튜트 어브 테크놀로지 | 백색 발광 장치들 |
EP2041478B1 (en) * | 2006-03-07 | 2014-08-06 | QD Vision, Inc. | An article including semiconductor nanocrystals |
WO2008070028A2 (en) * | 2006-12-01 | 2008-06-12 | Qd Vision, Inc. | Improved composites and devices including nanoparticles |
WO2007112088A2 (en) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Qd Vision, Inc. | Hyperspectral imaging device |
US20080038558A1 (en) * | 2006-04-05 | 2008-02-14 | Evident Technologies, Inc. | I-iii-vi semiconductor nanocrystals, i-iii-vi water stable semiconductor nanocrystals, and methods of making same |
WO2007117668A2 (en) * | 2006-04-07 | 2007-10-18 | Qd Vision, Inc. | Methods and articles including nanomaterial |
WO2007120877A2 (en) * | 2006-04-14 | 2007-10-25 | Qd Vision, Inc. | Transfer surface for manufacturing a light emitting device |
US8941299B2 (en) * | 2006-05-21 | 2015-01-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Light emitting device including semiconductor nanocrystals |
CN102707367B (zh) * | 2006-05-21 | 2015-12-02 | 麻省理工学院 | 包括纳米晶体的光学结构 |
US20080001538A1 (en) * | 2006-06-29 | 2008-01-03 | Cok Ronald S | Led device having improved light output |
US8643058B2 (en) * | 2006-07-31 | 2014-02-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Electro-optical device including nanocrystals |
WO2008021962A2 (en) * | 2006-08-11 | 2008-02-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Blue light emitting semiconductor nanocrystals and devices |
WO2008063653A1 (en) * | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Qd Vision, Inc. | Semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same |
WO2008063657A2 (en) * | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Qd Vision, Inc. | Light emitting devices and displays with improved performance |
WO2008063652A1 (en) * | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Qd Vision, Inc. | Blue emitting semiconductor nanocrystals and compositions and devices including same |
WO2008133660A2 (en) * | 2006-11-21 | 2008-11-06 | Qd Vision, Inc. | Nanocrystals including a group iiia element and a group va element, method, composition, device and other prodcucts |
US20080172197A1 (en) * | 2007-01-11 | 2008-07-17 | Motorola, Inc. | Single laser multi-color projection display with quantum dot screen |
US8836212B2 (en) * | 2007-01-11 | 2014-09-16 | Qd Vision, Inc. | Light emissive printed article printed with quantum dot ink |
US7494903B2 (en) * | 2007-01-29 | 2009-02-24 | Eastman Kodak Company | Doped nanoparticle semiconductor charge transport layer |
US8409473B2 (en) * | 2007-01-30 | 2013-04-02 | Evident Technologies, Inc. | Group II alloyed I-III-VI semiconductor nanocrystal compositions and methods of making same |
US20080204366A1 (en) * | 2007-02-26 | 2008-08-28 | Kane Paul J | Broad color gamut display |
US7781957B2 (en) * | 2007-02-28 | 2010-08-24 | Eastman Kodak Company | Electro-luminescent device with improved efficiency |
US20080203899A1 (en) * | 2007-02-28 | 2008-08-28 | Miller Michael E | Electro-luminescent display with improved efficiency |
US7888700B2 (en) * | 2007-03-08 | 2011-02-15 | Eastman Kodak Company | Quantum dot light emitting device |
US8264777B2 (en) * | 2007-06-26 | 2012-09-11 | Qd Vision, Inc. | Portable electronic device having an electro wetting display illuminated by quantum dots |
WO2009002551A1 (en) * | 2007-06-26 | 2008-12-31 | Qd Vision, Inc. | Photovoltaic devices including quantum dot down-conversion materials useful for solar cells and materials including quantum dots |
US9136498B2 (en) * | 2007-06-27 | 2015-09-15 | Qd Vision, Inc. | Apparatus and method for modulating photon output of a quantum dot light emitting device |
US20090001403A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Motorola, Inc. | Inductively excited quantum dot light emitting device |
US7989153B2 (en) * | 2007-07-11 | 2011-08-02 | Qd Vision, Inc. | Method and apparatus for selectively patterning free standing quantum DOT (FSQDT) polymer composites |
US7838889B2 (en) * | 2007-08-10 | 2010-11-23 | Eastman Kodak Company | Solid-state area illumination system |
US8128249B2 (en) * | 2007-08-28 | 2012-03-06 | Qd Vision, Inc. | Apparatus for selectively backlighting a material |
JP2009087782A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
US8193018B2 (en) * | 2008-01-10 | 2012-06-05 | Global Oled Technology Llc | Patterning method for light-emitting devices |
WO2009099425A2 (en) * | 2008-02-07 | 2009-08-13 | Qd Vision, Inc. | Flexible devices including semiconductor nanocrystals, arrays, and methods |
WO2009145813A1 (en) * | 2008-03-04 | 2009-12-03 | Qd Vision, Inc. | Particles including nanoparticles, uses thereof, and methods |
CN105870345B (zh) * | 2008-04-03 | 2019-01-01 | 三星研究美国股份有限公司 | 包括量子点的发光器件 |
-
2007
- 2007-02-08 EP EP07750264A patent/EP1999797A4/en not_active Ceased
- 2007-02-08 US US11/704,145 patent/US20100132770A1/en not_active Abandoned
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-
2012
- 2012-06-19 JP JP2012137755A patent/JP2012231154A/ja active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04297076A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-10-21 | Toshiba Corp | 有機el素子 |
JPH11504754A (ja) * | 1995-11-28 | 1999-04-27 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 有機エレクトロルミネセント・デバイスを改良するために使用される有機/無機合金 |
JP2000196140A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法 |
JP2005502176A (ja) * | 2001-09-04 | 2005-01-20 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 量子ドットを有するエレクトロルミネセント装置 |
WO2005013337A2 (en) * | 2003-03-06 | 2005-02-10 | Rensselaer Polytechnic Institute | Rapid generation of nanoparticles from bulk solids at room temperature |
JP2005038634A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電流注入型発光素子 |
JP2005340195A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Samsung Electronics Co Ltd | ナノ結晶の多層薄膜製造方法およびこれを用いた有機・無機ハイブリッドエレクトロルミネッセンス素子 |
JP2005353595A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Samsung Electronics Co Ltd | ナノ結晶エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2006066395A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体ナノ結晶を含有する白色発光有機/無機ハイブリッド電界発光素子 |
JP2007227355A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-09-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 3次元構造の発光素子及びその製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012053398A1 (ja) * | 2010-10-22 | 2012-04-26 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JPWO2012053398A1 (ja) * | 2010-10-22 | 2014-02-24 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US8759826B2 (en) | 2010-10-22 | 2014-06-24 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescent element |
JP5761199B2 (ja) * | 2010-10-22 | 2015-08-12 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2017168420A (ja) * | 2015-09-01 | 2017-09-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置 |
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