JP2009500928A - 改善された隣接チャネル抑圧を有するhfフィルタ - Google Patents
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Abstract
Description
図2は2層ベースプレートの3つの金属被覆平面を示し、
図3は1層及び2層ベースプレートを有するハウジングの様々な概略的な断面図を示し、
図4はフィルタエレメントの可能な結線の等価回路図を示し、
図5は第1及び第2の部分フィルタのための第2の電極構造を示し、
図6は並列キャパシタンスの実現のための様々な可能性を示し、
図7は従来技術と比較した本発明のフィルタの伝達曲線を示し、
図8及び9は内部アースがハウジング内で互いに接続されているテスト構造と本発明のフィルタの伝達曲線を比較し、
図10は非対称的な接続と比較したハウジング蓋の対称的な接続の効果を示し、
図11は2つの部分共振器に1つの共振器を分割する2つの可能性を示す。
図1は第1及び第2の部分フィルタのための圧電基板上の金属被覆構造を示し、第1の部分フィルタに対しては6つの共振器S、Pが使用され、これら6つの共振器S、Pは順序PSPSPSに接続されており、5つの基本素子を形成する。第1の並列共振器P1は第1の並列分岐路に配置されており、この第1の並列分岐路は直接入力側INに接続されている。
同様に直接入力側INに第1の直列共振器S1が接続されている。それぞれ2つの直列共振器の間には並列共振器を有する並列分岐路が設けられている。第1の部分フィルタにおける末端の第3の直列共振器S3は第2の部分フィルタの入力側に接続されている。
例えば、ベース金属被覆はパターニングされて塗布され、ガルバニックに強化されうる。
等価回路図には高オーミックな接続は図示されていないが、基板の焦電特性によって生じる電荷を構成素子に対して無害に逃すために、この高オーミックな接続によってハウジング接点G1、G2、G7及びG3乃至はこれらに接続された基板上の端子が互いに接続される。これらの電荷はとりわけ温度変化においてあらわれ、フラッシュオーバの際に金属被覆構造又は基板を損ない又はまったく破壊してしまう。
TF1 第1の部分フィルタ
S1、S2、S3 直列共振器
P1、P2、P3 並列共振器
TF2 第2の部分フィルタ
GKi 内部ハウジング接点
GKa 外部ハウジング接点
GP ベースプレート
DL1、DL2 誘電体層
TR1、TR2 部分共振器
D 蓋
G1〜G5 アースのための内部ハウジング接点
L1、L2、L3 蓋接点端子面
I 入力側のための内部ハウジング接点
O 出力側のための内部ハウジング接点
C1〜C5 内部金属被覆面
MM 中間金属被覆平面
CA キャパシタンス
MA アース端子
E1〜E4 外部ハウジング接点
VI スルーホール
BU バンプ
IN 入力側
OUT 出力側
Claims (25)
- HFフィルタにおいて、
少なくとも1つの基板(SU)を有し、
該基板(SU)上に配置された第1の部分フィルタ(TF1)を有し、該第1の部分フィルタ(TF1)は直列共振器(S)及びそれぞれ並列分岐路に配置された2つの並列共振器(P)を含み、
DMSフィルタとして形成された第2の部分フィルタ(TF2)を有し、
ハウジングを有し、該ハウジングは、少なくとも1つの誘電体又は非導電層(DL)を有するベースプレート(GP)を含み、該ベースプレート(GP)上にいくつかの内部ハウジング接点(I、G、O)を含み、該内部ハウジング接点(I、G、O)は基板上の接点面に接続されており、さらにこれら内部ハウジング接点に比べて少数の外部ハウジング接点(GKa)をベースプレートの下面に有し、前記外部ハウジング接点(GKa)はハウジング内部に導かれた線路を介して前記内部ハウジング接点と接続されており、
第1の並列共振器及び第2の部分フィルタのアース端子のための前記ベースプレートの中に又は前記ベースプレートの上に互いに別個に導かれた少なくとも2つの線路を有し、該線路は少なくとも2つの異なる外部ハウジング接点に接続されている、HFフィルタ。 - ベースプレート(GP)が少なくとも2つの誘電体層(DL1、DL2)及びこれらの誘電体層の間に配置された結線のためにパターニングされた金属被覆平面を有し、該金属被覆平面はスルーホール(VI)を介して内部ハウジング接点(GKi)及び外部ハウジング接点(GKa)に接続されている、請求項1記載のフィルタ。
- 第1の並列共振器(P1)のアース端子はスルーホールを介して直接的に更に別の結線なしで第1の外部ハウジング接点(E4)に接続されている、請求項1又は2記載のフィルタ。
- 第1及び第2の並列共振器(P1、P2)のアース端子は互いに別個に導かれており、これら両方のアース端子は第1の外部ハウジング接点(E4)に接続されている、請求項1〜3のうちの1項記載のフィルタ。
- 第2の直列共振器(S2)及び第3の並列分岐路における第3の並列共振器(P3)が設けられており、該第3の並列共振器のアース端子は第2の外部ハウジング接点に接続されている、請求項1〜4のうちの1項記載のフィルタ。
- 付加的に第3の直列共振器(S3)が第2の直列共振器(S2)とDMSフィルタ(DMS)との間に設けられている、請求項4記載のフィルタ。
- DMSフィルタ(DMS)は5つの変換器を有するトラック又はそれぞれ3つの変換器を有する2つの並列に接続されたトラックを含む、請求項1〜6のうちの1項記載のフィルタ。
- 少なくとも第1の直列共振器(S)又は第1及び第2の直列共振器(S)はカスケード接続されており、その結果、少なくとも第1の直列共振器(S)又は第1及び第2の直列共振器(S)は直列に接続された2つの部分共振器(TR1、TR2)に分割されている、請求項1〜7のうちの1項記載のフィルタ。
- 少なくとも第1の並列共振器(P)又は第1及び第2の並列共振器(P)はカスケード接続されており、その結果、少なくとも第1の並列共振器(P)又は第1及び第2の並列共振器(P)は直列に接続された2つの部分共振器(TR1、TR2)に分割されている、請求項1〜8のうちの1項記載のフィルタ。
- 第1の部分フィルタ(TF1)は非対称入力側を有し、第2部分フィルタ(TF2)は非対称出力側を有し、
ハウジングは4つ又は5つの外部ハウジング接点(GKa)を有する、請求項1〜9のうちの1項記載のフィルタ。 - 第1の部分フィルタ(TF1)は非対称入力側を有し、第2部分フィルタ(TF2)は対称出力側を有し、
ハウジングは5つ又は6つの外部ハウジング接点(GKa)を有する、請求項1〜9のうちの1項記載のフィルタ。 - アース端子は基板(SU)上で高オーミックに互いに接続されている、請求項1〜11のうちの1項記載のフィルタ。
- アース端子はメアンダ構造を介して互いに接続されており、前記メアンダ構造は1kΩより大きい抵抗を有する、請求項12記載のフィルタ。
- 第2の部分フィルタ(TF2)においてそれぞれ2つの互いに隣り合った異なる変換器の末端の電極指に対して、これら両方が信号線路に又はこれら両方がアース端子に接続されていることが当てはまる、請求項1〜10のうちの1項記載のフィルタ。
- 基板(SU)はハウジングの中でベースプレート(GP)と蓋(D)との間に設けられており、該蓋(D)は少なくとも1つの導電層を含み、
前記蓋はベースプレートの中の結線と導電的に接続されており、この場合フィルタのアース端子は互いに接続されている、請求項1〜11のうちの1項記載のフィルタ。 - 蓋(D)は非対称的に結線に接続されている、請求項15記載のフィルタ。
- 蓋(D)は外部ハウジング接点(GKa)にスルーホール(VI)を介して接続されており、入力側のアース端子への接続は出力側のアース端子への接続よりも多くの並列接続されたスルーホールを含む、請求項16記載のフィルタ。
- ベースプレート(GP)の中には2つの別個の内部アース面(C2、C4)が設けられており、これらの内部アース面(C2、C4)は第1の及び第2の部分フィルタ(TF1、TF2)の複数のアース端子に接続されている、請求項1〜17のうちの1項記載のフィルタ。
- 前記内部アース面(C2、C4)のうちの1つは複数の並列なスルーホール(VI)を介して外部ハウジング接点(GKa)に接続されている、請求項18記載のフィルタ。
- 第2の部分フィルタ(TF2)と出力側(OUT)との間に第3の部分フィルタが接続されており、該第3の部分フィルタは少なくとも1つの並列共振器及び少なくとも1つの直列共振器から成る、請求項1〜19のうちの1項記載のフィルタ。
- 並列共振器(P)に対して並列にキャパシタンス(CA)が接続されている、請求項1〜20のうちの1項記載のフィルタ。
- キャパシタンス(CA)は金属被覆の形式で基板(SU)の上に実現される、請求項21記載のフィルタ。
- キャパシタンス(CA)は櫛形電極構造として形成されている、請求項16又は17のうちの1項記載のフィルタ。
- キャパシタンス(CA)の櫛形電極構造は並列共振器(P)の櫛形電極構造に対して回転されている、請求項18記載のフィルタ。
- 入力側(IN)と出力側(OUT)は交換される、請求項1〜24のうちの1項記載のフィルタ。
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