JP2009302497A - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.
従来、半導体チップと半導体チップ搭載用の支持部材との接合には、銀ペーストが主に使用されていた。ところが、近年の半導体チップの小型化、高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化、細密化が要求されるようになってきた。さらに、携帯機器等の小型化、高密度化の要求に伴って、内部に複数の半導体チップを積層した半導体装置が開発、量産されている。このような状況において、銀ペーストでは、はみ出しや半導体チップの傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、接着剤層の膜厚の制御困難性、および接着剤層のボイド発生などにより上記要求に対処しきれなくなってきている。そのため、近年、フィルム状のダイボンディング材(以下「ダイボンディングフィルム」という。)が使用されるようになってきた。 Conventionally, silver paste has been mainly used for joining a semiconductor chip and a support member for mounting the semiconductor chip. However, with the recent miniaturization and high performance of semiconductor chips, the support members used are also required to be small and fine. Furthermore, along with demands for miniaturization and higher density of portable devices and the like, semiconductor devices in which a plurality of semiconductor chips are stacked are being developed and mass-produced. Under such circumstances, silver paste meets the above requirements due to the occurrence of defects during wire bonding due to protrusion or inclination of the semiconductor chip, difficulty in controlling the thickness of the adhesive layer, and generation of voids in the adhesive layer. It has become impossible to deal with. Therefore, in recent years, a film-like die bonding material (hereinafter referred to as “die bonding film”) has been used.
ダイボンディングフィルムは下記のいずれかの方法により用いられる。(1)ダイボンディングフィルムを任意のサイズに切り出して配線付基材又は半導体チップ上に貼り付け、熱圧着する。(2)ダイボンディングフィルムを半導体ウェハ裏面全体に貼り付けた後に回転刃にて個片化し、ダイボンディングフィルム付きの半導体チップを得る。それを配線付基材又は半導体チップに熱圧着する。 The die bonding film is used by any of the following methods. (1) A die bonding film is cut into an arbitrary size, attached onto a substrate with wiring or a semiconductor chip, and thermocompression bonded. (2) Affixing the die bonding film on the entire back surface of the semiconductor wafer and then separating it with a rotary blade to obtain a semiconductor chip with a die bonding film. It is thermocompression bonded to a substrate with wiring or a semiconductor chip.
特に、近年は半導体装置の作製工程の簡略化を目的とし、上記(2)の工程が主に用いられている(例えば特許文献1参照)。
直径8インチの半導体ウェハの場合、まず700μm程度の厚みを有するウェハをインゴットから切り出した後、ウェハ裏面を研削することで所望の厚みの半導体ウェハを得る。通常は半導体ウェハを薄く研削(バックグラインド)する際にウェハ回路面を保護するテープ(以下「バックグラインドテープ」という。)を貼付け、研削後にそのバックグラインドテープを剥離し、その後ダイボンディングフィルムやダイシング基材へ貼り付け(ラミネート)を行っている。しかし、半導体ウェハが薄くなるにしたがって、搬送時に半導体ウェハが割れるリスクが高まっている。そのため、バックグラインドテープを剥離せずにダイボンディングフィルムやダイシング基材に貼り付け、貼り付け後にバックグラインドテープを剥離する工程が一般的となっている。しかし、バックグラインドテープの耐熱性が上限80℃程度のため、特にダイボンディングフィルムを半導体ウェハ裏面に貼り付ける際は、80℃以下の貼り付け温度で十分な密着性を確保することが好ましい。 In the case of a semiconductor wafer having a diameter of 8 inches, first a wafer having a thickness of about 700 μm is cut out from the ingot, and then the back surface of the wafer is ground to obtain a semiconductor wafer having a desired thickness. Usually, when grinding a semiconductor wafer thinly (back grind), a tape that protects the wafer circuit surface (hereinafter referred to as “back grind tape”) is applied, and after grinding, the back grind tape is peeled off, and then die bonding film or dicing Pasting (laminating) on the substrate. However, as the semiconductor wafer becomes thinner, the risk of the semiconductor wafer breaking during transportation increases. For this reason, a process is generally employed in which the back grind tape is attached to a die bonding film or a dicing substrate without peeling off, and the back grind tape is peeled off after being attached. However, since the heat resistance of the back grind tape is about 80 ° C., it is preferable to ensure sufficient adhesion at a bonding temperature of 80 ° C. or lower, particularly when the die bonding film is bonded to the back surface of the semiconductor wafer.
また、ダイボンディングフィルムを半導体ウェハ全体に貼付け、回転刃で切断する工程において、回転刃にて半導体ウェハおよびダイボンディングフィルムを完全に切断する工程が一般的となっている。しかし、半導体ウェハが薄くなるにしたがって、切断時に発生する半導体チップ側面の割れ(チップクラック)やバリを低減することが困難であるとともに、個片化した半導体チップを割れなくはがす(ピックアップ)ことが、チップクラックやバリが原因で困難となっている。 Moreover, in the process of sticking the die bonding film to the entire semiconductor wafer and cutting with a rotary blade, a process of completely cutting the semiconductor wafer and the die bonding film with the rotary blade is common. However, as the semiconductor wafer becomes thinner, it is difficult to reduce cracks and burrs on the side surfaces of the semiconductor chip that occur during cutting, and it is possible to remove (pick up) individual semiconductor chips without breaking them. It is difficult due to chip cracks and burrs.
本発明は、上記事情に鑑みて為されたものであり、半導体ウェハの切断条件を調整できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device that can adjust the cutting conditions of a semiconductor wafer.
上述の課題を解決するため、本発明の半導体装置の製造方法は、第1接着剤樹脂組成物を含む第1ワニスと前記第1接着剤樹脂組成物とは異なる第2接着剤樹脂組成物を含む第2ワニスとを基材上に重ねて塗布する塗布工程と、前記塗布工程の後、前記第1ワニス及び前記第2ワニスを乾燥することによって前記基材上に接着フィルムを形成する乾燥工程と、前記接着フィルムに半導体ウェハを貼り付ける貼付工程と、前記接着フィルムの一部を残すように、前記半導体ウェハを切断すると共に前記接着フィルムに切り込みを入れる切断工程と、を含む。 In order to solve the above-described problems, a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention includes a first varnish containing a first adhesive resin composition and a second adhesive resin composition different from the first adhesive resin composition. A coating step of applying the second varnish on the base material, and a drying step of forming an adhesive film on the base material by drying the first varnish and the second varnish after the coating step. And an attaching step of attaching the semiconductor wafer to the adhesive film, and a cutting step of cutting the semiconductor wafer and cutting the adhesive film so as to leave a part of the adhesive film.
本発明の半導体装置の製造方法によれば、第1接着剤樹脂組成物と第2接着剤樹脂組成物の組み合わせを適宜選択することによって、半導体ウェハの切断条件を調整できる。例えば、接着フィルムの一方の面(第1接着剤樹脂組成物を含む)を高タック面、接着フィルムの他方の面(第2接着剤樹脂組成物を含む)を低タック面とした場合、接着フィルムの低タック面側の部分を残すように接着フィルムに切り込みを入れることによって、少ないエキスパンド量で接着フィルムを効率よく且つ確実に分断することができる。 According to the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, the cutting conditions of the semiconductor wafer can be adjusted by appropriately selecting a combination of the first adhesive resin composition and the second adhesive resin composition. For example, when one surface of the adhesive film (including the first adhesive resin composition) is a high tack surface and the other surface of the adhesive film (including the second adhesive resin composition) is a low tack surface, By cutting the adhesive film so as to leave a portion on the low tack side of the film, the adhesive film can be efficiently and reliably divided with a small amount of expansion.
また、前記第2接着剤樹脂組成物からなるフィルムが、5%未満の引張破断伸度を有し該引張破断伸度が最大荷重時の伸度の110%未満であることが好ましい。この場合、第1接着剤樹脂組成物を含む面から接着フィルムに切り込みを入れた後、少ないエキスパンド量で接着フィルムを効率よく且つ確実に分断することができる。 The film made of the second adhesive resin composition preferably has a tensile breaking elongation of less than 5% and the tensile breaking elongation is less than 110% of the elongation at the maximum load. In this case, after cutting into the adhesive film from the surface containing the first adhesive resin composition, the adhesive film can be efficiently and reliably divided with a small amount of expansion.
また、前記接着フィルムが熱硬化性樹脂を含有することが好ましい。この場合、高温でのせん断接着力が高くなる。 Moreover, it is preferable that the said adhesive film contains a thermosetting resin. In this case, the shear adhesive strength at high temperature is increased.
本発明によれば、半導体ウェハの切断条件を調整できる半導体装置の製造方法が提供される。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the semiconductor device which can adjust the cutting conditions of a semiconductor wafer is provided.
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。
<接着フィルム>
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the drawings, the same reference numerals are used for the same or equivalent elements, and duplicate descriptions are omitted.
<Adhesive film>
図1は、接着フィルムを模式的に示す断面図である。図1に示される接着フィルム1は、幅1〜20mm程度又は幅10〜50cm程度の帯状とし、巻き芯に巻いた形態で搬送することが好ましい。接着フィルム1は、半導体素子と被着体とを接着するダイボンディングフィルムである。被着体としては、支持部材、半導体素子等が挙げられる。
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an adhesive film. The
接着フィルム1は、高タック面A(一方の面)と低タック面B(他方の面)とを有する。高タック面Aは第1接着剤樹脂組成物を含んでおり、低タック面Bは第1接着剤樹脂組成物とは異なる第2接着剤樹脂組成物を含んでいる。すなわち、接着フィルム1は2種類の接着剤樹脂組成物を含有する。
The
接着フィルム1は、高タック面Aの40℃におけるタック強度をFA、低タック面Bの40℃におけるタック強度をFBとした場合、以下の関係を満たすことが好ましい。
FA>FB
FA≧10gf
When the tack strength at 40 ° C. of the high tack surface A is FA and the tack strength at 40 ° C. of the low tack surface B is FB, the
FA> FB
FA ≧ 10 gf
ここで、タック強度(FA及びFB)は、直径5.1mmのSUS304からなる面に対するタック強度である。タック強度は、タッキング試験器(株式会社レスカ社製 タッキング試験器)を用い、圧力1atm、温度40℃、押し込み速度:2mm/sec、引き上げ速度:10mm/sec、停止加重:100gf/cm2、停止時間:1秒の条件にて測定される。なお、SUS304とは、18%のCrと8%のNiを含むオーステナイト系ステンレス鋼であり、通常「ジュウハチハチ」と呼ばれている。
Here, tack strength (FA and FB) is tack strength with respect to a surface made of SUS304 having a diameter of 5.1 mm. The tack strength is determined by using a tacking tester (tacking tester manufactured by Reska Co., Ltd.),
さらに、FA≧20gfであることが好ましく、FA≧30gfであることがより好ましく、FA≧50gfであることが特に好ましい。上限は特に設けないが、取り扱い性の観点から、FA≦200gfであることが望ましい。FA<10gfであると、接着フィルム1を半導体ウェハへ貼り付ける際の温度が高温(100℃を超える温度)となる可能性が高くなる傾向にある。半導体ウェハへの貼り付け温度は、半導体ウェハの保護テープ及びダイシングシートの軟化温度以下であることが好ましい。また、熱応力に起因する半導体ウェハの反りを抑えるという観点から、上記の貼り付け温度は、20〜100℃が好ましく、20〜80℃がより好ましく、20〜60℃が特に好ましい。接着フィルム1を用いると、低温(100℃以下)で接着フィルム1を半導体ウェハに貼り付けられる。そのため、反りの影響を受け易い極薄半導体ウェハの反りを十分に抑えつつ接着フィルム1を半導体ウェハに貼り付けることができる。
Furthermore, FA ≧ 20 gf is preferable, FA ≧ 30 gf is more preferable, and FA ≧ 50 gf is particularly preferable. Although there is no particular upper limit, it is desirable that FA ≦ 200 gf from the viewpoint of handleability. When FA <10 gf, the temperature when the
また、FB≦10gfであることが好ましく、FB≦5gfであることがより好ましい。FB>10gfの場合、接着フィルム1とダイシングシートとの界面の密着力が例えばラミネート工程で加熱された際に上昇し、ピックアップ性が低下する傾向にある。下限値は特に設けないが、ダイシングシートに接着フィルム1を貼り合わせてなる接着シートの巻き取り安定性を考慮すると、FB≧0.1gfが望ましい。
Further, FB ≦ 10 gf is preferable, and FB ≦ 5 gf is more preferable. In the case of FB> 10 gf, the adhesive force at the interface between the
また、FA/FB≧5の関係を満たすことが好ましい。この場合、プロセス条件の設定が容易になり、接着フィルム1を、例えば半導体ウェハ等の部材に低温で貼り付けることができると共に、ダイシングシート等の部材から容易に剥離することができる。
Moreover, it is preferable that the relationship of FA / FB ≧ 5 is satisfied. In this case, the process conditions can be easily set, and the
また、接着フィルム1の厚みは200μm以下であることが好ましい。厚みが200μmを超えると、接着フィルムの内部にボイドが形成される傾向にある。このボイドは、加熱による接着フィルムの発泡に起因している。厚みが200μmを超えると、接着フィルム1を製造する際に用いる溶剤の残存量が増大するので、溶剤を蒸発させるためにより加熱が必要になる。その結果、接着フィルムが発泡し易くなり、ボイドが形成され易くなる。接着フィルム1の厚みの下限値は特に設けないが、取り扱い性の観点から0.5μm以上が望ましい。
Moreover, it is preferable that the thickness of the
また、接着フィルム1の破断伸びは200%以下であることが好ましく、150%以下であることがより好ましく、100%以下であることが特に好ましい。破断伸びが200%を超えると、例えば接着フィルム1に貼り付けられる半導体ウェハ等の部材を切断し難くなると共に、切断後に接着フィルム1をエキスパンドし難くなるのでピックアップ性が低下する傾向にある。
The breaking elongation of the
なお、接着フィルム1の破断伸びは、Bステージ状態の接着フィルム1から切り出された短冊状の試験片(幅5mm、長さ50mm)を用いて引張試験を行い、得られた応力−ひずみ曲線から求められる。引張試験は、引張試験機(SIMADZU製100Nオートグラフ、AGS−100NH)を用い、25℃の雰囲気中で、試験開始時のチャック間距離30mm、引張速度5mm/minの条件で行った。接着フィルム1の破断伸びは、下記式を用いて算出される。
The elongation at break of the
破断伸び(%)=[(破断時のチャック間長さ(mm)−30)/30]×100 Elongation at break (%) = [(length between chucks at break (mm) -30) / 30] × 100
接着フィルム1は、熱硬化性樹脂及び/又は熱可塑性樹脂を含有しており、ポリイミド及びエポキシ樹脂を含有することが好ましい。例えば、第1接着剤樹脂組成物及び第2接着剤樹脂組成物は、ポリイミド及びエポキシ樹脂を含有する。接着フィルム1が熱硬化性樹脂を含有する場合、高温でのせん断接着力が高くなる。
The
ポリイミドは、例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを公知の方法で縮合反応させて得ることができる。すなわち、有機溶媒中で、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを等モル混合し、反応温度80℃以下、好ましくは0〜60℃で付加反応させる。なお、必要に応じて、テトラカルボン酸二無水物とジアミンの組成比を、テトラカルボン酸二無水物の合計1.0molに対して、ジアミンの合計が0.5〜2.0mol、好ましくは0.8〜1.0molの範囲となるように調整して付加反応させてもよい。また、テトラカルボン酸二無水物とジアミンの添加順序は任意に決定できる。反応が進行するにつれて反応液の粘度が徐々に上昇し、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が生成する。なお、接着フィルム1を構成する接着剤樹脂組成物の諸特性の低下を抑えるため、上記テトラカルボン酸二無水物は無水酢酸で再結晶精製処理されることが好ましい。
The polyimide can be obtained, for example, by subjecting tetracarboxylic dianhydride and diamine to a condensation reaction by a known method. That is, tetracarboxylic dianhydride and diamine are mixed in an equimolar amount in an organic solvent and subjected to an addition reaction at a reaction temperature of 80 ° C. or lower, preferably 0 to 60 ° C. If necessary, the composition ratio between the tetracarboxylic dianhydride and the diamine is 0.5 to 2.0 mol, preferably 0 with respect to the total 1.0 mol of the tetracarboxylic dianhydride. The addition reaction may be carried out by adjusting it to be in the range of .8 to 1.0 mol. Moreover, the addition order of tetracarboxylic dianhydride and diamine can be determined arbitrarily. As the reaction proceeds, the viscosity of the reaction solution gradually increases, and polyamic acid, which is a polyimide precursor, is generated. In addition, in order to suppress the fall of the various characteristics of the adhesive resin composition which comprises the
なお、テトラカルボン酸二無水物とジアミンの組成比については、テトラカルボン酸二無水物の合計1.0molに対して、ジアミンの合計が2.0molを超えると、得られるポリイミド中に、アミン末端のポリイミドオリゴマーの量が多くなる。一方、ジアミンの合計が0.5mol未満であると、酸末端のポリイミドオリゴマーの量が多くなり、ポリイミドの重量平均分子量が過度に低くなり、接着フィルム1の耐熱性などの特性が低下傾向にある。テトラカルボン酸二無水物とジアミンの組成比を上記の範囲内で調整することによって、ポリイミドの重量平均分子量を調整することができる。ポリイミドの重量平均分子量は、100000〜200000であることが好ましい。
In addition, about the composition ratio of tetracarboxylic dianhydride and diamine, when the total of diamine exceeds 2.0 mol with respect to the total 1.0 mol of tetracarboxylic dianhydride, in the polyimide obtained, an amine terminal The amount of the polyimide oligomer increases. On the other hand, if the total amount of diamines is less than 0.5 mol, the amount of acid-terminated polyimide oligomer increases, the weight-average molecular weight of the polyimide becomes excessively low, and the properties such as heat resistance of the
使用するテトラカルボン酸二無水物は、使用前に、モノマーの融点よりも10〜20℃低い温度で12時間以上、加熱乾燥するか、又は無水酢酸で再結晶精製処理されることが好ましい。原料の純度の指標として、示差走査熱量測計(DSC)による吸熱開始温度と吸熱ピーク温度の差が10℃以内であることが好ましい。なお、上記の吸熱開始温度および吸熱ピーク温度とは、DSC(パーキンエルマー社製DSC−7型)を用いて、サンプル量5mg、昇温速度5℃/min、測定雰囲気:窒素、の条件で測定したときの値を用いる。 The tetracarboxylic dianhydride to be used is preferably heat-dried at a temperature lower than the melting point of the monomer by 10 to 20 ° C. for 12 hours or more or recrystallized and purified with acetic anhydride before use. As an index of the purity of the raw material, the difference between the endothermic start temperature and the endothermic peak temperature by a differential scanning calorimeter (DSC) is preferably within 10 ° C. The endothermic start temperature and the endothermic peak temperature are measured using DSC (DSC-7 model, manufactured by Perkin Elmer) under the conditions of a sample amount of 5 mg, a heating rate of 5 ° C./min, and a measurement atmosphere: nitrogen. Use the value when
なお、上記ポリアミド酸は、50〜80℃の温度で加熱して解重合させることによって、その重量平均分子量を調整することもできる。ポリイミドは、上記反応物(ポリアミド酸)を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環は、加熱処理する熱閉環法と、脱水剤を使用する化学閉環法で行うことができる。 In addition, the said polyamic acid can also adjust the weight average molecular weight by heating and depolymerizing at the temperature of 50-80 degreeC. Polyimide can be obtained by dehydrating and ring-closing the reactant (polyamic acid). The dehydration ring closure can be performed by a thermal ring closure method in which heat treatment is performed and a chemical ring closure method using a dehydrating agent.
ポリイミドの原料として用いられるテトラカルボン酸二無水物としては特に制限は無く、例えば、ピロメリット酸二無水物、3,3’、4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’、3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ベンゼン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、3,4,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,2’,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,6−ジクロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、2,7−ジクロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−テトラクロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−1,8,9,10−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、チオフェン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,4,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,2’,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ジメチルシラン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メチルフェニルシラン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ジフェニルシラン二無水物、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシフェニルジメチルシリル)ベンゼン二無水物、1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,1,3,3−テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、p−フェニレンビス(トリメリテート無水物)、エチレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、4,8−ジメチル−1,2,3,5,6,7−ヘキサヒドロナフタレン−1,2,5,6−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス(エキソ−ビシクロ〔2,2,1〕ヘプタン−2,3−ジカルボン酸二無水物、ビシクロ−〔2,2,2〕−オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2、−ビス〔4−(3,4−ジカルボキシフェニル)フェニル〕プロパン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2、−ビス〔4−(3,4−ジカルボキシフェニル)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン二無水物、4,4’−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルスルフィド二無水物、1,4−ビス(2−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル)ベンゼンビス(トリメリット酸無水物)、1,3−ビス(2−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル)ベンゼンビス(トリメリット酸無水物)、5−(2,5−ジオキソテトラヒドロフリル)−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物、4,4’,−オキシジフタル酸二無水物、下記一般式(VII)で表されるテトラカルボン酸二無水物、下記構造式(VIII)で表されるテトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。 There is no restriction | limiting in particular as tetracarboxylic dianhydride used as a raw material of a polyimide, For example, pyromellitic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2' 3,3′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane dianhydride 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1,1-bis (3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) Methane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic Dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, benzene-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, 3,4,3 ′, 4′-benzophenonetetracarboxylic acid Dianhydride, 2,3,2 ′, 3′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3,3 ′, 4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetra Carboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalene tetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalene tetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-naphthalene tetracarboxylic acid Dianhydride, 2,6-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 2, 3,6,7-teto Chloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,8,9,10-tetracarboxylic dianhydride, pyrazine-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride Thiophene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,4,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic acid Acid dianhydride, 2,3,2 ′, 3′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) dimethylsilane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) methyl Phenylsilane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) diphenylsilane dianhydride, 1,4-bis (3,4-dicarboxyphenyldimethylsilyl) benzene dianhydride, 1,3- Bis (3,4-dicarboxyphenyl) -1,1,3,3-tetramethyldicyclohexane dianhydride, p-phenylenebis (trimellitic anhydride), ethylenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3 , 4-butanetetracarboxylic dianhydride, decahydronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 4,8-dimethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydro Naphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, bis (exo-bicyclo [2,2,1] heptane-2,3-dicarboxylic dianhydride, bicyclo- [2,2,2 -Octo- -Ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2, -bis [4- (3,4 -Dicarboxyphenyl) phenyl] propane dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride, 2,2, -bis [4- (3,4-dicarboxyphenyl) ) Phenyl] hexafluoropropane dianhydride, 4,4′-bis (3,4-dicarboxyphenoxy) diphenyl sulfide dianhydride, 1,4-bis (2-hydroxyhexafluoroisopropyl) benzenebis (trimellitic acid) Anhydride), 1,3-bis (2-hydroxyhexafluoroisopropyl) benzenebis (trimellitic anhydride), 5- (2,5-dioxotetrahydrofuran) ) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic dianhydride, tetrahydrofuran-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, 4,4 ′,-oxydiphthalic dianhydride, Examples thereof include tetracarboxylic dianhydrides represented by the following general formula (VII), tetracarboxylic dianhydrides represented by the following structural formula (VIII), and the like.
(式中、nは2〜20の整数を示す)
(In the formula, n represents an integer of 2 to 20)
上記構造式(VII)で表されるテトラカルボン酸二無水物は、例えば、無水トリメリット酸モノクロライド及び対応するジオールから合成することができる。具体的には、1,2−(エチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,3−(トリメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,4−(テトラメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,5−(ペンタメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,6−(ヘキサメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,7−(ヘプタメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,8−(オクタメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,9−(ノナメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,10−(デカメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,12−(ドデカメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,16−(ヘキサデカメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,18−(オクタデカメチレン)ビス(トリメリテート無水物)等が挙げられる。中でも、優れた耐湿信頼性を付与できる点で、4,4’,−オキシジフタル酸二無水物、又は上記構造(VIII)で示されるテトラカルボン酸二無水物が好ましい。これらテトラカルボン酸二無水物は単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。 The tetracarboxylic dianhydride represented by the structural formula (VII) can be synthesized from, for example, trimellitic anhydride monochloride and the corresponding diol. Specifically, 1,2- (ethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,3- (trimethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,4- (tetramethylene) bis (trimellitic anhydride), 1, 5- (pentamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,6- (hexamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,7- (heptamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,8- (octamethylene) ) Bis (trimellitic anhydride), 1,9- (nonamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,10- (decamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,12- (dodecamethylene) bis (trimellitic anhydride) 1,16- (hexadecamethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,18- (octadecamethylene) bis (to Mellitate anhydride) and the like. Among these, 4,4 ′,-oxydiphthalic dianhydride or tetracarboxylic dianhydride represented by the above structure (VIII) is preferable in that excellent moisture resistance reliability can be imparted. These tetracarboxylic dianhydrides can be used alone or in combination of two or more.
ポリイミドの原料として用いられるジアミンとしては特に制限はなく、例えば、o−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテメタン、ビス(4−アミノ−3,5−ジメチルフェニル)メタン、ビス(4−アミノ−3,5−ジイソプロピルフェニル)メタン、3,3’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、3,4’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、4,4’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、3,3’−ジアミノジフェニルスルフォン、3,4’−ジアミノジフェニルスルフォン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフォン、3,3’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’−ジアミノジフェニルケトン、3,4’−ジアミノジフェニルケトン、4,4’−ジアミノジフェニルケトン、2,2−ビス(3−アミノフェニル)プロパン、2,2’−(3,4’−ジアミノジフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−(3,4’−ジアミノジフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、3,3’−(1,4−フェニレンビス(1−メチルエチリデン))ビスアニリン、3,4’−(1,4−フェニレンビス(1−メチルエチリデン))ビスアニリン、4,4’−(1,4−フェニレンビス(1−メチルエチリデン))ビスアニリン、2,2−ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−(3−アミノエノキシ)フェニル)スルフィド、ビス(4−(4−アミノエノキシ)フェニル)スルフィド、ビス(4−(3−アミノエノキシ)フェニル)スルフォン、ビス(4−(4−アミノエノキシ)フェニル)スルフォン、3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、3,5−ジアミノ安息香酸等の芳香族ジアミン、1,3−ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、2,2−ビス(4−アミノフェノキシフェニル)プロパン、下記一般式(IX)で表される脂肪族エーテルジアミン等が挙げられる。 There is no restriction | limiting in particular as diamine used as a raw material of a polyimide, For example, o-phenylenediamine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4 '-Diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylethermethane, bis (4-amino-3,5-dimethylphenyl) methane, bis (4-amino -3,5-diisopropylphenyl) methane, 3,3'-diaminodiphenyldifluoromethane, 3,4'-diaminodiphenyldifluoromethane, 4,4'-diaminodiphenyldifluoromethane, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 3, , 4 -Diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl ketone, 3,4′-diaminodiphenyl ketone, 4,4′-diaminodiphenyl ketone, 2,2-bis (3-aminophenyl) propane, 2,2 ′-(3,4′-diaminodiphenyl) propane, 2,2 -Bis (4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (3-aminophenyl) hexafluoropropane, 2,2- (3,4'-diaminodiphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4- Aminophenyl) hexafluoropropane, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 3,3 ′-(1,4-phenylenebis (1-methylethylidene)) bisaniline, 3,4 '-(1,4-phenylenebis (1-methylethylidene)) bisaniline, 4,4'-(1,4-phenylenebis (1-methylethylidene)) bisaniline, 2,2-bis (4- (3- Aminophenoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4- (3-aminophenoxy) phenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) hexafluoropropane, bis (4 -(3-aminoenoxy) phenyl) sulfide, bis (4- (4-aminoenoxy) phenyl) sulfide, bis (4- (3-aminoenoxy) ) Phenyl) sulfone, bis (4- (4-aminoenoxy) phenyl) sulfone, 3,3′-dihydroxy-4,4′-diaminobiphenyl, aromatic diamines such as 3,5-diaminobenzoic acid, 1,3- Examples include bis (aminomethyl) cyclohexane, 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) propane, and aliphatic ether diamines represented by the following general formula (IX).
(式中、Q1、Q2、及びQ3は、各々独立に炭素数1〜10のアルキレン基を示し、mは2〜80の整数を示す)
(In the formula, Q 1 , Q 2 , and Q 3 each independently represent an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and m represents an integer of 2 to 80)
具体的には下記構造の脂肪族ジアミンが挙げられる。 Specific examples include aliphatic diamines having the following structure.
また、下記一般式(VI)で表される脂肪族エーテルジアミンが挙げられる。 Moreover, the aliphatic ether diamine represented by the following general formula (VI) is mentioned.
(式中、pは0〜80の整数を示す)
(Wherein p represents an integer of 0 to 80)
さらに、下記一般式(X)で表される脂肪族ジアミンが挙げられる。 Furthermore, the aliphatic diamine represented by the following general formula (X) is mentioned.
(式中、nは5〜20の整数を示す)
(In the formula, n represents an integer of 5 to 20)
具体的には1,2−ジアミノエタン、1,3−ジアミノプロパン、1,4−ジアミノブタン、1,5−ジアミノペンタン、1,6−ジアミノヘキサン、1,7−ジアミノヘプタン、1,8−ジアミノオクタン、1,9−ジアミノノナン、1,10−ジアミノデカン、1,11−ジアミノウンデカン、1,12−ジアミノドデカン、1,2−ジアミノシクロヘキサンなどの脂肪族ジアミン、さらに下記一般式(III)で表されるシロキサンジアミンが挙げられる。 Specifically, 1,2-diaminoethane, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane, 1,5-diaminopentane, 1,6-diaminohexane, 1,7-diaminoheptane, 1,8- Aliphatic diamines such as diaminooctane, 1,9-diaminononane, 1,10-diaminodecane, 1,11-diaminoundecane, 1,12-diaminododecane, 1,2-diaminocyclohexane, and the following general formula (III) The siloxane diamine represented is mentioned.
(式中、Q4及びQ9は各々独立に炭素数1〜5のアルキレン基又は置換基を有してもよいフェニレン基を示し、Q5、Q6、Q7、及びQ8は各々独立に炭素数1〜5のアルキル基、フェニル基又はフェノキシ基を示し、pは1〜5の整数を示す)
(Wherein Q 4 and Q 9 each independently represent an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or a phenylene group which may have a substituent, and Q 5 , Q 6 , Q 7 and Q 8 are each independently Represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group or a phenoxy group, and p represents an integer of 1 to 5)
また、一般式(III)中、pが1のときとしては、1,1,3,3−テトラメチル−1,3−ビス(4−アミノフェニル)ジシロキサン、1,1,3,3−テトラフェノキシ−1,3−ビス(4−アミノエチル)ジシロキサン、1,1,3,3−テトラフェニル−1,3−ビス(2−アミノエチル)ジシロキサン、1,1,3,3−テトラフェニル−1,3−ビス(3−アミノプロピル)ジシロキサン、1,1,3,3−テトラメチル−1,3−ビス(2−アミノエチル)ジシロキサン、1,1,3,3−テトラメチル−1,3−ビス(3−アミノプロピル)ジシロキサン、1,1,3,3−テトラメチル−1,3−ビス(3−アミノブチル)ジシロキサン、1,3−ジメチル−1,3−ジメトキシ−1,3−ビス(4−アミノブチル)ジシロキサン等が挙げられる。また、pが2のときとしては、1,1,3,3,5,5−ヘキサメチル−1,5−ビス(4−アミノフェニル)トリシロキサン、1,1,5,5−テトラフェニル−3,3−ジメチル−1,5−ビス(3−アミノプロピル)トリシロキサン、1,1,5,5−テトラフェニル−3,3−ジメトキシ−1,5−ビス(4−アミノブチル)トリシロキサン、1,1,5,5−テトラフェニル−3,3−ジメトキシ−1,5−ビス(5−アミノペンチル)トリシロキサン、1,1,5,5−テトラメチル−3,3−ジメトキシ−1,5−ビス(2−アミノエチル)トリシロキサン、1,1,5,5−テトラメチル−3,3−ジメトキシ−1,5−ビス(4−アミノブチル)トリシロキサン、1,1,5,5−テトラメチル−3,3−ジメトキシ−1,5−ビス(5−アミノペンチル)トリシロキサン、1,1,3,3,5,5−ヘキサメチル−1,5−ビス(3−アミノプロピル)トリシロキサン、1,1,3,3,5,5−ヘキサエチル−1,5−ビス(3−アミノプロピル)トリシロキサン、1,1,3,3,5,5−ヘキサプロピル−1,5−ビス(3−アミノプロピル)トリシロキサンなどのシロキサンジアミンが挙げられる。これらのジアミンは単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。 In general formula (III), when p is 1, 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-bis (4-aminophenyl) disiloxane, 1,1,3,3- Tetraphenoxy-1,3-bis (4-aminoethyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetraphenyl-1,3-bis (2-aminoethyl) disiloxane, 1,1,3,3- Tetraphenyl-1,3-bis (3-aminopropyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-bis (2-aminoethyl) disiloxane, 1,1,3,3- Tetramethyl-1,3-bis (3-aminopropyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-bis (3-aminobutyl) disiloxane, 1,3-dimethyl-1, 3-Dimethoxy-1,3-bis (4-aminobutyl) di Rokisan, and the like. When p is 2, 1,1,3,3,5,5-hexamethyl-1,5-bis (4-aminophenyl) trisiloxane, 1,1,5,5-tetraphenyl-3 , 3-dimethyl-1,5-bis (3-aminopropyl) trisiloxane, 1,1,5,5-tetraphenyl-3,3-dimethoxy-1,5-bis (4-aminobutyl) trisiloxane, 1,1,5,5-tetraphenyl-3,3-dimethoxy-1,5-bis (5-aminopentyl) trisiloxane, 1,1,5,5-tetramethyl-3,3-dimethoxy-1, 5-bis (2-aminoethyl) trisiloxane, 1,1,5,5-tetramethyl-3,3-dimethoxy-1,5-bis (4-aminobutyl) trisiloxane, 1,1,5,5 -Tetramethyl-3,3-dimethoxy-1 5-bis (5-aminopentyl) trisiloxane, 1,1,3,3,5,5-hexamethyl-1,5-bis (3-aminopropyl) trisiloxane, 1,1,3,3,5 Siloxane diamines such as 5-hexaethyl-1,5-bis (3-aminopropyl) trisiloxane and 1,1,3,3,5,5-hexapropyl-1,5-bis (3-aminopropyl) trisiloxane Is mentioned. These diamines can be used alone or in combination of two or more.
また、上記ポリイミドは単独又は必要に応じて2種以上を混合(ブレンド)してもよい。 Moreover, the said polyimide may be mixed (blended) individually or as needed.
高タック面A側の第1接着剤樹脂組成物に含まれるポリイミドのガラス転移温度(Tg)は50℃未満であることが好ましい。これにより、高タック面Aの40℃におけるタック強度FAを20gf以上にすることができる。一方、低タック面B側の第2接着剤樹脂組成物に含まれるポリイミドのTgは50℃以上であることが好ましい。これにより、低タック面Bの40℃におけるタック強度FBを10gf以下にすることができる。 The glass transition temperature (Tg) of the polyimide contained in the first adhesive resin composition on the high tack surface A side is preferably less than 50 ° C. Thereby, the tack strength FA at 40 ° C. of the high tack surface A can be 20 gf or more. On the other hand, the Tg of the polyimide contained in the second adhesive resin composition on the low tack surface B side is preferably 50 ° C. or higher. Thereby, the tack strength FB at 40 ° C. of the low tack surface B can be made 10 gf or less.
ポリイミドのTg及び重量平均分子量を上記の範囲内とすることにより、半導体ウェハへの貼り付け温度を低く抑えることができるだけでなく、低温でのダイボンドも確保することができ、半導体ウェハの反りの増大を抑制できる。また、ダイシング時の良好な切断性を確保できる。さらに、ダイボンディング時の接着フィルムに流動性を有効に付与できる。また、上記半導体素子の搭載用支持部材が有機基板の場合、ダイボンディング時の加熱温度による有機基板の吸湿水分の気化を抑制でき、気化による接着フィルムの発泡を抑制できる。 By setting the Tg and the weight average molecular weight of the polyimide within the above ranges, not only can the bonding temperature to the semiconductor wafer be kept low, but also die bonding at a low temperature can be secured, and the warpage of the semiconductor wafer is increased. Can be suppressed. Moreover, the favorable cut property at the time of dicing is securable. Furthermore, fluidity can be effectively imparted to the adhesive film during die bonding. Moreover, when the support member for mounting the semiconductor element is an organic substrate, the moisture absorption of the organic substrate due to the heating temperature during die bonding can be suppressed, and the foaming of the adhesive film due to the evaporation can be suppressed.
なお、ポリイミドのTgは、ポリイミドをフィルム化したときの主分散ピーク温度である。レオメトリックス製粘弾性アナライザーRSA−2を用いて、フィルムサイズ35mm×10mm×40μm厚、昇温速度5℃/min、周波数1Hz、測定温度−150〜300℃の条件で測定し、Tg付近のtanδピーク温度を測定し、これを主分散ピーク温度とした。また、ポリイミドの重量平均分子量は、高速液体クロマトグラフィー(島津製作所製C−R4A)を用いて、ポリスチレン換算で測定したときの重量平均分子量である。 In addition, Tg of polyimide is a main dispersion peak temperature when polyimide is formed into a film. Using a rheometric viscoelasticity analyzer RSA-2, the film size is 35 mm × 10 mm × 40 μm thickness, the heating rate is 5 ° C./min, the frequency is 1 Hz, and the measurement temperature is −150 to 300 ° C. The peak temperature was measured and used as the main dispersion peak temperature. Moreover, the weight average molecular weight of polyimide is a weight average molecular weight when measured in terms of polystyrene using high performance liquid chromatography (C-R4A manufactured by Shimadzu Corporation).
また、エポキシ樹脂としては、分子内に少なくとも2個のエポキシ基を含むものがより好ましく、硬化性や硬化物特性の点からフェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂が極めて好ましい。このような樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型(又はAD型、S型、F型)のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールAノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ナフタレン樹脂のグリシジルエーテル、3官能型(又は4官能型)のグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂のグリシジルエーテル、ダイマー酸のグリシジルエステル、3官能型(又は4官能型)のグリシジルアミン、ナフタレン樹脂のグリシジルアミン等が挙げられる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。また、これらのエポキシ樹脂には不純物イオンである、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイオン、特に塩素イオンや加水分解性塩素等を300ppm以下に低減した高純度品を用いることがエレクトロマイグレーション防止や金属導体回路の腐食防止のために好ましい。 Moreover, as an epoxy resin, what contains at least 2 epoxy group in a molecule | numerator is more preferable, and the glycidyl ether type epoxy resin of phenol is very preferable from the point of sclerosis | hardenability and hardened | cured material property. Examples of such resins include bisphenol A type (or AD type, S type, and F type) glycidyl ether, water-added bisphenol A type glycidyl ether, ethylene oxide adduct bisphenol A type glycidyl ether, and propylene oxide adduct. Bisphenol A glycidyl ether, phenol novolac resin glycidyl ether, cresol novolac resin glycidyl ether, bisphenol A novolak resin glycidyl ether, naphthalene resin glycidyl ether, trifunctional (or tetrafunctional) glycidyl ether, dicyclo Examples include glycidyl ether of pentadienephenol resin, glycidyl ester of dimer acid, trifunctional (or tetrafunctional) glycidylamine, glycidylamine of naphthalene resin, etc. It is. These can be used alone or in combination of two or more. In addition, it is preferable to use a high-purity product in which the impurity ions, alkali metal ions, alkaline earth metal ions, halogen ions, particularly chlorine ions and hydrolyzable chlorine are reduced to 300 ppm or less for these epoxy resins. This is preferable for prevention of corrosion and corrosion of metal conductor circuits.
エポキシ樹脂の配合量は、低アウトガス性、フィルム形成性(靭性)、熱時流動性、さらには熱硬化による高温時の高い接着力を有効に付与できる点で、ポリイミド100質量部に対して、1〜200質量部が好ましく、10〜100質量部がより好ましい。 The compounding amount of the epoxy resin is low outgassing property, film formability (toughness), fluidity during heat, and furthermore, it can effectively impart high adhesive force at high temperature by thermosetting, with respect to 100 parts by mass of polyimide, 1-200 mass parts is preferable, and 10-100 mass parts is more preferable.
エポキシ樹脂を使用する場合は、必要に応じて硬化剤を使用することもできる。硬化剤としては、例えば、フェノール系化合物、脂肪族アミン、脂環族アミン、芳香族ポリアミン、ポリアミド、脂肪族酸無水物、脂環族酸無水物、芳香族酸無水物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド、三フッ化ホウ素アミン錯体、イミダゾール類、第3級アミン等が挙げられる。中でもフェノール系化合物が好ましく、分子中に少なくとも2個のフェノール性水酸基を有するフェノール系化合物がより好ましい。このような化合物としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、t−ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジェンクレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジェンフェノールノボラック樹脂、キシリレン変性フェノールノボラック樹脂、ナフトール系化合物、トリスフェノール系化合物、テトラキスフェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂、ポリ−p−ビニルフェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。これらの中で、数平均分子量が400〜1500の範囲内のものが好ましい。これにより、半導体装置組立加熱時に、半導体素子又は装置等の汚染の原因となるアウトガスを有効に低減できる。なお、硬化物の耐熱性を確保するためにも、これらのフェノール系化合物の配合量は、(エポキシ樹脂のエポキシ当量):(フェノール系化合物のOH当量)が、0.95:1.05〜1.05:0.95となることが好ましい。 When using an epoxy resin, a curing agent may be used as necessary. Examples of the curing agent include phenolic compounds, aliphatic amines, alicyclic amines, aromatic polyamines, polyamides, aliphatic acid anhydrides, alicyclic acid anhydrides, aromatic acid anhydrides, dicyandiamide, and organic acid dihydrazides. , Boron trifluoride amine complexes, imidazoles, tertiary amines and the like. Of these, phenol compounds are preferable, and phenol compounds having at least two phenolic hydroxyl groups in the molecule are more preferable. Examples of such compounds include phenol novolak resins, cresol novolak resins, t-butylphenol novolak resins, dicyclopentagen cresol novolak resins, dicyclopentagen phenol novolak resins, xylylene-modified phenol novolak resins, naphthol compounds, trisphenols. Examples thereof include tetrakisphenol novolac resin, bisphenol A novolac resin, poly-p-vinylphenol resin, and phenol aralkyl resin. Among these, those having a number average molecular weight in the range of 400 to 1500 are preferable. Thereby, at the time of assembling and heating the semiconductor device, it is possible to effectively reduce outgas which causes contamination of the semiconductor element or the device. In order to secure the heat resistance of the cured product, the blending amount of these phenolic compounds is (epoxy equivalent of epoxy resin) :( OH equivalent of phenolic compound) is 0.95: 1.05. It is preferably 1.05: 0.95.
また、第1接着剤樹脂組成物及び第2接着剤樹脂組成物には、必要に応じて、硬化促進剤を使用することもできる。硬化促進剤としては、熱硬化性樹脂を硬化させるものであれば特に制限はなく、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、2−エチル−4−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7−テトラフェニルボレート等が挙げられる。 Moreover, a hardening accelerator can also be used for the 1st adhesive resin composition and the 2nd adhesive resin composition as needed. The curing accelerator is not particularly limited as long as it cures a thermosetting resin. For example, imidazoles, dicyandiamide derivatives, dicarboxylic acid dihydrazide, triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, 2-ethyl-4 -Methylimidazole-tetraphenylborate, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undecene-7-tetraphenylborate and the like.
第1接着剤樹脂組成物及び第2接着剤樹脂組成物には、必要に応じてフィラーを使用することもできる。絶縁性の無機フィラーが好ましく、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等からなるフィラーが挙げられる。これらの無機フィラーを二種類以上併用することもできる。中でもシリカは、高い接着力が得られ、かつ金属腐食を起こす原因となる不純物を少なくできるため、半導体装置の信頼性を向上できるので好ましい。また、フィルム厚方向の熱流動性と高い接着力が得られることから、使用する無機フィラーの形状は球状であることが好ましい。球状には、真球状、円粒状、楕円状などの形状が含まれる。 A filler can also be used for the 1st adhesive resin composition and the 2nd adhesive resin composition as needed. Insulating inorganic fillers are preferred, such as alumina, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, crystalline silica, Examples thereof include fillers made of amorphous silica, boron nitride, titania, glass, iron oxide, ceramic and the like. Two or more of these inorganic fillers can be used in combination. Among these, silica is preferable because it can provide high adhesive force and can reduce impurities that cause metal corrosion, thereby improving the reliability of the semiconductor device. Moreover, since the heat fluidity of a film thickness direction and high adhesive force are obtained, it is preferable that the shape of the inorganic filler to be used is spherical. The spherical shape includes shapes such as a true spherical shape, a circular granular shape, and an elliptical shape.
フィラーの使用量は、付与する特性、又は機能に応じて決められるが、樹脂成分とフィラーの合計に対して好ましくは10〜40体積%、より好ましくは10〜30体積%、特に好ましくは10〜20体積%である。フィラーを適度に増量させることにより、フィルム表面の低粘着化(低タック化)、及び高弾性率化が図れる。その結果、ダイシング性(ダイサー刃による切断性)、ピックアップ性(ダイシングシートとの易はく離性)、ワイヤボンディング性(超音波効率)、熱時の接着強度を有効に向上できる。フィラーの使用量が40体積%を超えると、低温貼付性、被着体との界面接着性、及び熱時流動性が損なわれ、耐リフロー性を含む信頼性の低下を招く傾向にある。求められる特性のバランスをとるべく、最適な使用量を決定する。フィラーを用いた場合の混合・混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。 Although the usage-amount of a filler is decided according to the characteristic or function to provide, Preferably it is 10-40 volume% with respect to the sum total of a resin component and a filler, More preferably, it is 10-30 volume%, Most preferably, it is 10- 20% by volume. By increasing the amount of the filler appropriately, the film surface can be reduced in tack (lower tack) and increased in elastic modulus. As a result, it is possible to effectively improve dicing properties (cutability with a dicer blade), pick-up properties (easy peeling from the dicing sheet), wire bonding properties (ultrasonic efficiency), and adhesive strength during heating. When the amount of the filler used exceeds 40% by volume, the low-temperature sticking property, the interfacial adhesiveness with the adherend, and the fluidity during heat tend to be impaired, leading to a decrease in reliability including reflow resistance. In order to balance the required characteristics, determine the optimal usage. Mixing and kneading in the case of using a filler can be performed by appropriately combining dispersers such as a normal stirrer, a raking machine, a three-roller, and a ball mill.
第1接着剤樹脂組成物及び第2接着剤樹脂組成物には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等のカップリング剤が挙げられる。中でも効果が高い点で、シラン系カップリング剤が好ましい。カップリング剤の配合量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、ポリイミド100質量部に対して、0.01〜20質量部とするのが好ましい。 Various coupling agents can be added to the first adhesive resin composition and the second adhesive resin composition in order to improve interfacial bonding between different materials. Examples of the coupling agent include silane-based, titanium-based, and aluminum-based coupling agents. Of these, silane coupling agents are preferred because of their high effects. It is preferable that the compounding quantity of a coupling agent shall be 0.01-20 mass parts with respect to 100 mass parts of polyimide from the surface of the effect, heat resistance, and cost.
第1接着剤樹脂組成物及び第2接着剤樹脂組成物には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を良くするために、さらにイオン捕捉剤を添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限はなく、例えば、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物(トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等)、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系のマグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。イオン捕捉剤の配合量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、ポリイミド100質量部に対して、0.01〜10質量部が好ましい。 An ion scavenger may be further added to the first adhesive resin composition and the second adhesive resin composition in order to adsorb ionic impurities and improve insulation reliability during moisture absorption. Such an ion scavenger is not particularly limited. For example, a compound known as a copper damage inhibitor (a triazine thiol compound, a bisphenol-based reducing agent, etc.), a zirconium-based agent to prevent copper from being ionized and dissolved. And inorganic ion adsorbents such as antimony bismuth-based magnesium aluminum compounds. The compounding amount of the ion scavenger is preferably 0.01 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of polyimide from the viewpoints of the effect of addition, heat resistance, cost, and the like.
第1接着剤樹脂組成物及び第2接着剤樹脂組成物には、適宜、軟化剤、老化防止剤、着色剤、難燃剤、テルペン系樹脂等の粘着付与剤、熱可塑性の高分子成分を添加しても良い。接着性向上、硬化時の応力緩和性を付与するために用いられる熱可塑性の高分子成分としては、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド、キシレン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、尿素樹脂、アクリルゴム等が挙げられる。これら熱可塑性の高分子成分の重量平均分子量は、5,000〜500,000であることが好ましい。 To the first adhesive resin composition and the second adhesive resin composition, a softener, an anti-aging agent, a colorant, a flame retardant, a tackifier such as a terpene resin, and a thermoplastic polymer component are appropriately added. You may do it. Thermoplastic polymer components used to improve adhesion and provide stress relaxation during curing include polyvinyl butyral resin, polyvinyl formal resin, polyester resin, polyamide resin, polyimide, xylene resin, phenoxy resin, polyurethane resin , Urea resin, acrylic rubber and the like. The weight average molecular weight of these thermoplastic polymer components is preferably 5,000 to 500,000.
接着剤樹脂組成物のタック強度を高くするには、ガラス転移温度(Tg)の低い高分子量成分を用いる、液状エポキシ樹脂を添加する、フィラーの含有量を低減する、といった方法を用いることができる。接着剤樹脂組成物のタック強度を低くするには、ガラス転移温度(Tg)の高い高分子量成分を用いる、固形エポキシ樹脂を添加する、フィラーの含有量を増量する、といった方法を用いることができる。例えば、第1接着剤樹脂組成物に含まれる高分子量成分のTgを、第2接着剤樹脂組成物に含まれる高分子量成分のTgよりも小さくすることにより、接着フィルム1を作製することができる。
In order to increase the tack strength of the adhesive resin composition, a method of using a high molecular weight component having a low glass transition temperature (Tg), adding a liquid epoxy resin, or reducing the filler content can be used. . In order to reduce the tack strength of the adhesive resin composition, a method of using a high molecular weight component having a high glass transition temperature (Tg), adding a solid epoxy resin, or increasing the filler content can be used. . For example, the
また、第2接着剤樹脂組成物からなるフィルムが、5%未満の引張破断伸度を有し該引張破断伸度が最大荷重時の伸度の110%未満であることが好ましい。この場合、接着フィルム1に高タック面Aから切り込み(ハーフカット)を入れた後、少ないエキスパンド量で接着フィルム1を効率よく且つ確実に分断することができる。引張破断伸度は、より好ましくは4%未満、さらに好ましくは3.5%未満である。引張破断伸度は、最大荷重時の伸度の108%未満であることがより好ましく、105%未満であることが特に好ましい。
The film made of the second adhesive resin composition preferably has a tensile breaking elongation of less than 5%, and the tensile breaking elongation is less than 110% of the elongation at the maximum load. In this case, after making a cut (half cut) from the high tack surface A into the
ここで、第2接着剤樹脂組成物からなるフィルムの最大応力、最大荷重伸度、及び引張破断伸度は、Bステージ状態の第2接着剤樹脂組成物からなるフィルムから切り出された短冊状の試験片(幅5mm、長さ50mm)を用いて引張試験を行った。得られた応力−ひずみ曲線から、下記計算式に基づいて最大応力、最大荷重伸度、及び引張破断伸度を求めた。引張試験は、引張試験機(SIMADZU製100Nオートグラフ、AGS−100NH)を用い、25℃の雰囲気中で、試験開始時のチャック間距離30mm、引張速度5mm/minの条件で行った。
最大応力(Pa)=最大荷重(N)/試料の断面積(m2)
最大荷重伸度(%)=[(最大荷重におけるチャック間長さ(mm)−30)/30]×100
引張破断伸度(%)=[(破断時のチャック間長さ(mm)−30)/30]×100
Here, the maximum stress, the maximum load elongation, and the tensile elongation at break of the film made of the second adhesive resin composition are strip-shaped cut out from the film made of the second adhesive resin composition in the B stage state. A tensile test was performed using a test piece (
Maximum stress (Pa) = Maximum load (N) / Cross sectional area (m 2 )
Maximum load elongation (%) = [(length between chucks at maximum load (mm) -30) / 30] × 100
Tensile elongation at break (%) = [(length between chucks at break (mm) -30) / 30] × 100
接着フィルム1では、接着フィルム1の一方の面のタック強度を他方の面のタック強度よりも大きくできる。よって、接着フィルム1の一方の面(高タック面)を例えば半導体ウェハ等の部材に低温で貼り付けることができる。また、接着フィルム1の他方の面(低タック面)を例えばダイシングシート等の部材に貼り付ければ接着フィルムをダイシングシートから容易に剥離することができる。その結果、例えば半導体ウェハをダイシングした後に、得られる半導体チップをダイシングシートから容易にピックアップすることができる。さらに、接着フィルム1は、耐リフロー性を含めた耐熱性及び耐湿性を備えている。
In the
接着フィルム1は、例えばIC、LSI等の半導体素子と被着体とを貼り合せるためのダイボンディング用接着フィルムとして用いられる。被着体としては、42アロイリードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム、ポリイミド、エポキシ樹脂等のプラスチックフィルム、ガラス不織布等基材にポリイミド、エポキシ樹脂等のプラスチックを含浸、硬化させたもの、アルミナ等のセラミックスからなる半導体搭載用の支持部材等が挙げられる。接着フィルム1は、表面に凹凸を有する有機基板と半導体素子とを接着するためのダイボンディング用接着フィルムとして好適に用いられる。表面に凹凸を有する有機基板としては、例えば、表面に有機レジスト層を有する有機基板、表面に配線を有する有機基板等が挙げられる。
The
また、接着フィルム1は、複数の半導体素子を積み重ねた構造を有するStacked−PKGにおいて、半導体素子と半導体素子とを接着するための接着フィルムとしても好適に用いられる。
The
図2は、上記接着フィルムの製造方法を模式的に示す工程断面図である。
(塗布工程)
FIG. 2 is a process cross-sectional view schematically showing the method for producing the adhesive film.
(Coating process)
まず、図2(a)に示されるように、PET等からなる基材2上に第2接着剤樹脂組成物及び有機溶媒を含む第2ワニスを塗布する。これにより、基材2上に第2ワニス層1bが形成される。続いて、図2(b)に示されるように、第2ワニスに重ねて、第1接着剤樹脂組成物及び有機溶媒を含む第1ワニスを塗布する。これにより、第2ワニス層1b上に第1ワニス層1aが形成される。第2ワニス層1b及び第1ワニス層1aは、塗膜である。
First, as shown in FIG. 2A, a second varnish containing a second adhesive resin composition and an organic solvent is applied onto a
第1ワニス及び第2ワニスは、第1接着剤樹脂組成物及び第2接着剤樹脂組成物を有機溶媒中で混合及び混練することにより、調製される。混合及び混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。 The first varnish and the second varnish are prepared by mixing and kneading the first adhesive resin composition and the second adhesive resin composition in an organic solvent. Mixing and kneading can be carried out by appropriately combining dispersers such as a normal stirrer, a raking machine, a three-roller, and a ball mill.
有機溶媒は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N―メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ジオキサン、シクロヘキサノン、酢酸エチル等が挙げられる。 The organic solvent is not limited as long as it can uniformly dissolve, knead or disperse the material. For example, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, toluene, benzene, xylene, Examples thereof include methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, tetrahydrofuran, ethyl cellosolve, ethyl cellosolve acetate, butyl cellosolve, dioxane, cyclohexanone, and ethyl acetate.
基材2は、後述の加熱乾燥に耐えるものであれば特に限定するものではなく、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等が挙げられる。これらのフィルムを2種以上組み合わせて多層フィルムとしてもよく、表面がシリコーン系、シリカ系等の離型剤などで処理された基材2であってもよい。
The
第2ワニス層1b及び第1ワニス層1aの厚みに特に制約はないが、高タック面Aを形成するための第1ワニス層1aの厚みが、低タック面Bを形成するための第2ワニス層1bの厚みよりも薄くなることが好ましい。例えば、総厚20μmの接着フィルム1を得る場合、第1ワニス層1aの乾燥後の厚みが1〜8μm程度、第2ワニス層1bの乾燥後の厚みが12〜19μm程度となるように、第1ワニス及び第2ワニスの塗布量を調整することが好ましい。高タック面Aを形成するための第1ワニス層1aの厚みが厚くなると、ダイシングの際に発生するバリのタック強度が増大する。その結果、隣り合う半導体チップ同士が融着し、ピックアップミスが発生する傾向にある。
(乾燥工程)
Although there is no restriction | limiting in particular in the thickness of the
(Drying process)
続いて、第2ワニス層1b及び第1ワニス層1aを乾燥させることによって、図2(c)に示されるように、基材2上に接着フィルム1を形成する。加熱乾燥の条件は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常50〜200℃で、0.1〜90分間加熱して行う。その後、基材2を剥離除去する。
Subsequently, by drying the
これにより、主として第1接着剤樹脂組成物を含む第1層と、主として第2接着剤樹脂組成物を含む第2層とが一体化される。そのため、第1層と第2層との界面をなくすことができるので、第1層と第2層とが分離し難くなる。さらに、第1ワニスと第2ワニスとを同時に乾燥させるので、個別に作製した接着フィルム同士を貼り合わせる場合に比べて、接着フィルム1の製造コストを大幅に低減できると共に、接着フィルム1の更なる薄膜化を実現できる。
As a result, the first layer mainly including the first adhesive resin composition and the second layer mainly including the second adhesive resin composition are integrated. Therefore, since the interface between the first layer and the second layer can be eliminated, it becomes difficult to separate the first layer and the second layer. Furthermore, since the first varnish and the second varnish are dried at the same time, the manufacturing cost of the
なお、基材2上に第1ワニス層1aを形成した後に、第1ワニス層1a上に第2ワニス層1bを形成してもよい。
In addition, after forming the
図3は、接着フィルムを含む積層体を模式的に示す断面図である。図3に示される積層体では、基材2の両面にそれぞれ接着フィルム1が設けられている。基材2の一方の面には、接着フィルム1の高タック面Aが貼り付けられている。基材2の他方の面には、接着フィルム1の低タック面Bが貼り付けられている。なお、基材2の片面だけに接着フィルム1を設けてもよい。
FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a laminate including an adhesive film. In the laminate shown in FIG. 3, the
図4は、接着フィルムを含む積層体を模式的に示す断面図である。図4に示される積層体は、基材2と、基材2上に設けられた接着フィルム1と、接着フィルム1の高タック面Aを覆うカバーフィルム3とを備える。カバーフィルム3により、接着フィルム1の損傷・汚染を防ぐことができる。
<接着シート>
FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a laminate including an adhesive film. The laminate shown in FIG. 4 includes a
<Adhesive sheet>
図5は、接着シートを模式的に示す断面図である。図5に示される接着シート10は、ダイシングシート6と、ダイシングシート6に積層された接着フィルム1とを備える。ダイシングシート6は、基材フィルム4と、基材フィルム4上に設けられた粘着剤層5とを有する。接着フィルム1の低タック面Bは粘着剤層5に貼り合わされている。接着シート10は、ダイシングシートとダイボンディングフィルムとが一体になっており、両者に要求される特性を兼ね備えている。接着フィルム1上にカバーフィルムを貼り付けてもよい。
FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing an adhesive sheet. An
接着シート10は接着フィルム1を備えているので、接着フィルム1の高タック面Aを例えば半導体ウェハ等の部材に低温で貼り付けることができる。また、粘着剤層5を接着フィルム1の低タック面Bに貼り付けるので、接着フィルム1の低タック面Bをダイシングシート6から容易に剥離することができる。
Since the
なお、ダイシングシート6は、粘着剤層5を備えなくてもよい。この場合、接着フィルム1の平面形状を予め半導体ウェハに近い形状に加工しておくこと(プリカット)が好ましい。
The
粘着剤層5は、感圧型又は放射線硬化型のどちらでも良く、ダイシング時には半導体素子が飛散しない十分な粘着力を有し、その後の半導体素子のピックアップ工程においては半導体素子を傷つけない程度の低い粘着力を有するものであれば特に制限されることなく従来公知のものを使用することができる。
The pressure-
基材フィルム4は、引っ張りテンションを加えたときの伸び(通称、エキスパンド)を確保できることが好ましく、例えばポリオレフィンからなるフィルムが挙げられる。
<半導体装置>
It is preferable that the base film 4 can ensure elongation (common name, expanded) when a tensile tension is applied, and examples thereof include a film made of polyolefin.
<Semiconductor device>
図6〜図11は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を模式的に示す工程断面図である。図6〜図11に示される各工程を経ることによって、図11に示される半導体装置20が製造される。
6 to 11 are process cross-sectional views schematically showing the method for manufacturing a semiconductor device according to the embodiment. The
まず、上記塗布工程及び乾燥工程を経ることによって接着フィルム1を含む接着シート10を作製する。
(貼り合わせ工程)
First, the
(Lamination process)
次に、図6に示されるように、接着シート10に含まれる接着フィルム1の高タック面Aを半導体ウェハWに貼り合わせる。半導体ウェハWは、回路が形成される表面WAと、表面WAの反対側に位置する裏面WBとを有する。高タック面Aは、半導体ウェハWの裏面WBに貼り合わされる。貼り合わせ時の温度は100℃以下であることが好ましい。例えば、接着シート10の接着フィルム1上にカバーフィルムが貼り付けられている場合、カバーフィルムを剥離した後、接着フィルム1を半導体ウェハWに貼り合わせる。
Next, as shown in FIG. 6, the high tack surface A of the
なお、接着シート10に代えて接着フィルム1を用いてもよい。例えば、基材2上に接着フィルム1が形成されている場合、接着フィルム1の高タック面Aを半導体ウェハWに貼り合わせた後に基材2を剥離する。続いて、接着フィルム1の低タック面Bとダイシングシート6の粘着剤層5とを貼り合わせる。
(ダイシング工程)
Note that the
(Dicing process)
次に、図7に示されるように、例えばダイシングブレードBL等の切断装置を用いて、接着フィルム1の一部を残すように、半導体ウェハWを切断すると共に接着フィルム1に切り込みを入れる。例えば、半導体ウェハWはダイシングされる。ここで、接着フィルムを完全に切断せず、一部を残す工法をハーフカットという。切り込みの深さは、図2に示される第1ワニス層1aの厚さに対応していることが好ましい。半導体ウェハWを切断することによって、複数の半導体素子Cが得られる。半導体素子Cとしては、半導体チップ等が挙げられる。接着フィルム1に切り込みを入れる場合、次工程のピックアップ工程時にダイシングシート6を拡張(エキスパンド)する、ピックアップ工程時に突き上げ針などの治具で押し上げることで切り込み部を起点として分割することもできる。
Next, as shown in FIG. 7, the semiconductor wafer W is cut and cut into the
ハーフカットする際の切り込み深さは、好ましくは接着フィルム1の厚みの1/10〜9/10、より好ましくは1/5〜4/5、さらに好ましくは1/3〜2/3である。接着フィルム1を切断するとき、接着フィルム1の切り込みを浅くすることで切断時に発生するバリを少なくできる。その結果、半導体装置の製造歩留まりが向上する。この場合、エキスパンド時に接着フィルム1を分割するためにエキスパンド量を大きくしたり、ピックアップ時の突き上げ高さを高くすることによって接着フィルム1の未切断部を分割する。接着フィルム1の切り込みを深くすることでエキスパンド量を小さくしたり、ピックアップ時の突き上げ高さが低くてもダイボンディングフィルムを分割できる。
The depth of cut when half-cutting is preferably 1/10 to 9/10 of the thickness of the
切断装置としては、一般に上市されているダイサーやブレードを使用することができる。例えば、ダイサーとしては株式会社ディスコ社製フルオートマチックダイシングソー6000シリーズやセミオートマチックダイシングソー3000シリーズなどが使用できる。ブレードとしては株式会社ディスコ社製ダイシングブレードNBC−ZH05シリーズやNBC−ZHシリーズなどが使用できる。また、例えば株式会社ディスコ社製フルオートマチックレーザソー7000シリーズなどのレーザを用いて半導体ウェハWを切断してもよい。
(ピックアップ工程)
As a cutting device, a commercially available dicer or blade can be used. For example, a full automatic dicing saw 6000 series or a semi-automatic dicing saw 3000 series manufactured by DISCO Corporation can be used as the dicer. As the blade, a dicing blade NBC-ZH05 series, NBC-ZH series, etc. manufactured by DISCO Corporation can be used. Further, the semiconductor wafer W may be cut using a laser such as a full automatic laser saw 7000 series manufactured by DISCO Corporation.
(Pickup process)
次に、図8に示されるように、半導体ウェハWを切断することによって得られる半導体チップCと、接着フィルム1を切断することによって得られる接着層7とを含む接着層付き半導体チップ8をダイシングシート6からピックアップする。これにより、切り込みを起点として接着フィルム1が切断され、半導体素子Cに付着した接着層7が得られる。このようにして、半導体素子Cと接着層7とを有する接着層付き半導体素子8が得られる。
Next, as shown in FIG. 8, the
ダイサーでハーフカットした接着フィルム1は、一般に上市されているピックアップダイボンダーを使用することで分割可能である。例えば、ルネサス東日本セミコンダクタ社製フレキシブルダイボンダーDB−730やDB−700、新川社製ダイボンダーSPA−300、SPA−400などを使用することで分割可能である。
The
ハーフカットした接着フィルム1は、ウェハリングに貼り付けた半導体ウェハW、接着フィルム1、及びダイシングシート6からなる積層物においてダイシングシート6をエキスパンドすることで分割可能である。エキスパンドはウェハリング上面又は下面側からエキスパンド用リングを挿入することでなされる。ダイシングシート6のエキスパンド量はウェハリングとエキスパンド用リングとの高さの違いで決定される。ウェハリングとエキスパンド用リングとの高さの違いをエキスパンド量、エキスパンド用リングの挿入速度をエキスパンド速度という。
The half-cut
ハーフカットした接着フィルム1をエキスパンドで分割する際のエキスパンド量は1〜30mmが望ましく、より好ましくは2〜20mmであり、さらに好ましくは3〜10mmである。エキスパンド量が30mmを超えると、エキスパンド時にダイシングシート6が極端に伸び、裂け易くなる傾向にある。また、エキスパンド量が1mm未満では、エキスパンド時に接着フィルム1のハーフカット部分に加わる応力が小さく、接着フィルム1を分割し難くなる傾向にある。
The expanded amount when the half-cut
ハーフカットした接着フィルム1をエキスパンドで分割する際のエキスパンド速度は1〜50mm/sが好ましく、より好ましくは3〜30mm/sであり、さらに好ましくは5〜15mm/sである。
The expanding speed when the half-cut
ハーフカットした接着フィルム1をエキスパンドで分割する際のサンプル温度は、−10〜30℃が好ましく、より好ましくは0〜30℃である。ただし、室温以下に設定するには、通常上市されているピックアップダイボンダーに冷却機構を追加した専用のエキスパンダーが必要となる。
(ダイボンディング工程)
The sample temperature when dividing the half-cut
(Die bonding process)
次に、図9に示されるように、接着層付き半導体素子8を配線基板である支持部材9にダイボンディング(マウント)する。具体的には、接着層7が配線基板の配線に接着するようにマウントされる。このとき、加熱加圧により、接着層付き半導体素子8の接着層7が支持部材9に貼り付けられる。加熱温度は、通常20〜250℃である。荷重は、通常0.01〜20kgfである。加熱時間は、通常0.1〜300秒間である。接着層7は、ダイボンディング工程後に170℃で2時間加熱した場合に、配線間に形成される凹部を埋め込み可能である。
(ワイヤボンディング工程)
Next, as shown in FIG. 9, the
(Wire bonding process)
次に、図10に示されるように、半導体素子Cの接続端子と支持部材9の接続端子とを電気的に接続するワイヤ11を形成する。
(封止工程)
Next, as shown in FIG. 10, a
(Sealing process)
次に、図11に示されるように、半導体素子Cを封止する封止材12を支持部材9上に形成する。なお、封止工程を実施しなくてもよい。
Next, as illustrated in FIG. 11, a sealing
ワイヤボンディング工程及び封止工程等を経ることによって、加熱により接着層7が硬化する。その結果、接着層7は、半導体素子Cと支持部材9とを接続する接続層7aとなる。このようにして、図11に示される半導体装置20が製造される。半導体装置20は、半導体素子Cと、半導体素子Cに接続される支持部材9(被着体)と、接着フィルム1の硬化物からなり、半導体素子Cと支持部材9との間に配置される接続層7aとを備える。半導体装置20は、例えば半導体パッケージである。
The
この半導体装置の製造方法によれば、第1接着剤樹脂組成物と第2接着剤樹脂組成物の組み合わせを適宜選択することによって、半導体ウェハWの切断条件を調整できる。例えば、接着フィルム1の一方の面(第1接着剤樹脂組成物を含む)を高タック面A、接着フィルム1の他方の面(第2接着剤樹脂組成物を含む)を低タック面Bとした場合、接着フィルム1の低タック面B側の部分を残すように接着フィルム1に切り込みを入れることによって、少ないエキスパンド量で接着フィルム1を効率よく且つ確実に分断することができる。
According to this method for manufacturing a semiconductor device, the cutting conditions of the semiconductor wafer W can be adjusted by appropriately selecting a combination of the first adhesive resin composition and the second adhesive resin composition. For example, one surface (including the first adhesive resin composition) of the
また、接着フィルム1の高タック面Aを半導体ウェハWに低温で貼り付けることができる。また、半導体ウェハWを切断した後に、接着フィルム1の低タック面Bをダイシングシート6から容易に剥離することができる。その結果、例えば半導体ウェハWをダイシングした後に、得られる半導体チップCをダイシングシート6から容易にピックアップすることができる。さらに、厚み100μm以下の極薄半導体ウェハWに対して接着フィルム1を用いると、半導体素子Cの製造歩留まり向上が可能である。
Further, the high tack surface A of the
図12は、別の実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図である。図12に示される半導体装置20Aは、半導体装置20の構成に加えて、半導体素子C、接続層7a、ワイヤ11、及びバンプ13を更に備える。更なる半導体素子Cは、更なる接続層7aを介して半導体素子C上に設けられている。更なるワイヤ11は、更なる半導体素子Cの接続端子と支持部材9の接続端子とを電気的に接続している。バンプ13は、支持部材9の裏面に形成されている。半導体装置20では、複数の半導体素子Cが重なっている。
FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing a semiconductor device according to another embodiment. A
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。例えば、3種類以上の接着剤樹脂組成物を重ねて塗布した後に乾燥させることによって接着フィルム1を形成してもよい。また、接着フィルム1は粘着剤を含有してもよい。さらに、接着フィルム1の低タック面B上に粘着層を形成してもよい。また、接着フィルム1の低タック面Bを半導体ウェハWに貼り合わせてもよい。また、接着フィルム1を半導体ウェハWの表面WAに貼り付けてもよい。その場合、IRカメラを実装したダイサーを用いることによって、半導体ウェハWの裏面WBから切断すべき位置が認識可能になる。
(実施例)
As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described in detail, this invention is not limited to the said embodiment. For example, you may form the
(Example)
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
(ワニス1)
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated more concretely based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to a following example.
(Varnish 1)
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた500mlの四つ口フラスコに、表1のワニス1に示されるジアミン及びN−メチル−2−ピロリドン(NMP)を、60℃にて撹拌、溶解した。
In a 500 ml four-necked flask equipped with a thermometer, a stirrer and a calcium chloride tube, the diamine and N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) shown in
ジアミンの溶解後、表1のワニス1に示される酸無水物を少量ずつ添加した。60℃で1時間反応させた後、N2ガスを吹き込みながら170℃で加熱し、水を溶剤の一部と共沸除去した。水を除去してポリイミドの溶液を得た。
After dissolution of the diamine, acid anhydrides shown in
得られたポリイミドの溶液に、ポリイミド100質量部に対して、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(東都化成製)4質量部、4,4’−[1−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール(本州化学製)2質量部、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート(東京化成製)0.5質量部を加えた。更に、窒化硼素フィラー(水島合金鉄製)を固形分の全質量に対して25質量%、アエロジルフィラーR972(日本アエロジル製)を固形分の全質量に対して3質量%となるように加え、良く混錬してワニス1を得た。
(ワニス2)
In the obtained polyimide solution, 4 parts by mass of a cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Tohto Kasei) and 4,4 ′-[1- [4- [1- (4-hydroxyphenyl)] with respect to 100 parts by mass of polyimide. 2 parts by mass of -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (Honshu Chemical) and 0.5 parts by mass of tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (Tokyo Kasei) were added. Furthermore, boron nitride filler (made by Mizushima alloy iron) is added to 25% by mass with respect to the total mass of solids, and Aerosil filler R972 (made by Nippon Aerosil) is added to 3% by mass with respect to the total mass of solids. The
(Varnish 2)
ポリイミドを合成する際の原料及びその配合比を表1のワニス2に示す各組成(質量部)に変更したこと以外はワニス1と同様にして、ポリイミドの溶液を得た。
A polyimide solution was obtained in the same manner as in the
得られたポリイミドの溶液に、ポリイミド100質量部に対して、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(東都化成製)4質量部、4,4’−[1−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール(本州化学製)2質量部、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート(東京化成製)0.5質量部を加えた。更に、窒化硼素フィラー(水島合金鉄製)を固形分の全質量に対して12質量%、アエロジルフィラーR972(日本アエロジル製)を固形分の全質量に対して3質量%となるように加え、良く混錬してワニス2を得た。
(ワニス3)
In the obtained polyimide solution, 4 parts by mass of a cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Tohto Kasei) and 4,4 ′-[1- [4- [1- (4-hydroxyphenyl)] with respect to 100 parts by mass of polyimide. 2 parts by mass of -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (Honshu Chemical) and 0.5 parts by mass of tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (Tokyo Kasei) were added. Further, boron nitride filler (made by Mizushima alloy iron) is added to 12% by mass with respect to the total mass of the solid content, and Aerosil filler R972 (made by Nippon Aerosil) is added to 3% by mass with respect to the total mass of the solid content. The
(Varnish 3)
ポリイミドを合成する際の原料及びその配合比を表1のワニス3に示す各組成(質量部)に変更したこと以外はワニス1と同様にして、ポリイミドの溶液を得た。
A polyimide solution was obtained in the same manner as in the
得られたポリイミドの溶液に、ポリイミド100質量部に対して、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(東都化成製)4質量部、4,4’−[1−[4−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール(本州化学製)2質量部、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート(東京化成製)0.5質量部を加えた。更に、窒化硼素フィラー(水島合金鉄製)を固形分の全質量に対して12質量%、アエロジルフィラーR972(日本アエロジル製)を固形分の全質量に対して3質量%となるように加え、良く混錬してワニス3を得た。 In the obtained polyimide solution, 4 parts by mass of a cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Tohto Kasei) and 4,4 ′-[1- [4- [1- (4-hydroxyphenyl)] with respect to 100 parts by mass of polyimide. 2 parts by mass of -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (Honshu Chemical) and 0.5 parts by mass of tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (Tokyo Kasei) were added. Further, boron nitride filler (made by Mizushima alloy iron) is added to 12% by mass with respect to the total mass of solids, and Aerosil filler R972 (made by Nippon Aerosil) is added to 3% by mass with respect to the total mass of solids. The varnish 3 was obtained by kneading.
表1中、原料の略号は以下の酸無水物又はジアミンを示す。配合比の単位は質量部である。
(酸無水物)
ODPA:4,4’−オキシジフタル酸二無水物(マナック社製)
DBTA:1,10−(デカメチレン)ビス(トリメリテート二無水物)(黒金化成製)
BPADA:2,2−ビス[4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物(黒金化成製)
(ジアミン)
LP7100:1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン(信越化学社製)
B12:4,9−ジオキサデカン−1,12−ジアミン(BASF社製)
D2000:ポリオキシプロピレンジアミン2000(BASF社製)
BAPP:2,2ビス−(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン(和歌山精化工業社製)
(実施例1)
In Table 1, the abbreviations for raw materials indicate the following acid anhydrides or diamines. The unit of the blending ratio is part by mass.
(Acid anhydride)
ODPA: 4,4′-oxydiphthalic dianhydride (manac)
DBTA: 1,10- (decamemethylene) bis (trimellitate dianhydride) (manufactured by Kurokin Kasei)
BPADA: 2,2-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane dianhydride (manufactured by Kurokin Kasei)
(Diamine)
LP7100: 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
B12: 4,9-dioxadecane-1,12-diamine (manufactured by BASF)
D2000: Polyoxypropylenediamine 2000 (manufactured by BASF)
BAPP: 2,2bis- (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane (manufactured by Wakayama Seika Kogyo Co., Ltd.)
(Example 1)
調合したワニス1を厚さ50μmの剥離処理済みのポリエチレンテレフタレートフィルム(帝人デュポンフィルムA31)上に塗布した後にワニス2を塗布した。その後、80℃で30分、続いて120℃で30分加熱し、総厚25μmの実施例1の接着フィルムを作製した。なお、乾燥後の膜厚が8μmとなるようにワニス1の塗布量を調整し、乾燥後の膜厚が17μmとなるようにワニス2の塗布量を調整した。
(実施例2)
The
(Example 2)
調合したワニス1を厚さ50μmの剥離処理済みのポリエチレンテレフタレートフィルム(帝人デュポンフィルムA31)上に塗布した後にワニス3を塗布した。その後、80℃で30分、続いて120℃で30分加熱し、総厚25μmの実施例2の接着フィルムを作製した。なお、乾燥後の膜厚が8μmとなるようにワニス1の塗布量を調整し、乾燥後の膜厚が17μmとなるようにワニス3の塗布量を調整した。
(比較例1)
The
(Comparative Example 1)
調合したワニス1を厚さ50μmの剥離処理済みのポリエチレンテレフタレートフィルム(帝人デュポンフィルムA31)上に塗布し、80℃で30分、続いて120℃で30分加熱し、厚さ25μmの比較例1の接着フィルムを作製した。
(比較例2)
The
(Comparative Example 2)
調合したワニス2を厚さ50μmの剥離処理済みのポリエチレンテレフタレートフィルム(帝人デュポンフィルムA31)上に塗布し、80℃で30分、続いて120℃で30分加熱し、厚さ25μmの比較例2の接着フィルムを作製した。
(比較例3)
The
(Comparative Example 3)
調合したワニス3を厚さ50μmの剥離処理済みのポリエチレンテレフタレートフィルム(帝人デュポンフィルムA31)上に塗布し、80℃で30分、続いて120℃で30分加熱し、厚さ25μmの比較例3の接着フィルムを作製した。
(タック強度)
The prepared varnish 3 was coated on a polyethylene terephthalate film (Teijin DuPont Film A31) having a thickness of 50 μm, and heated at 80 ° C. for 30 minutes and then at 120 ° C. for 30 minutes, and Comparative Example 3 having a thickness of 25 μm. An adhesive film was prepared.
(Tack strength)
実施例1、2及び比較例1〜3の接着フィルムのタック強度はタッキング試験器(株式会社レスカ社製 タッキング試験器)を用い、押し込み速度:2mm/sec、引き上げ速度:10mm/sec、停止加重:100gf/cm2、停止時間:1秒の条件にて、5.1mmφのSUS304に対するタック強度を測定し求めた。高タック面(半導体ウェハへ貼り付ける面)のタック強度をFA、低タック面(ダイシングシートに貼り付ける面)のタック強度をFBとした。結果を表2に示した。
(ラミネート性)
The tack strength of the adhesive films of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3 was determined using a tacking tester (Tacking Tester manufactured by Reska Co., Ltd.), pushing speed: 2 mm / sec, pulling speed: 10 mm / sec, stop load. The tack strength for 5.1 mmφ SUS304 was measured and determined under the conditions of: 100 gf / cm 2 and stop time: 1 second. The tack strength of the high tack surface (surface attached to the semiconductor wafer) was FA, and the tack strength of the low tack surface (surface attached to the dicing sheet) was FB. The results are shown in Table 2.
(Laminate)
実施例1、2及び比較例1〜3の接着フィルムを直径210mmに切り抜き、電気化学工業社製T−80MW(80μm)上に株式会社JCM社製DM−300−Hを用いて室温(25℃)で貼り合わせた。なお、実施例1の接着フィルムに関しては、ワニス2から形成された面(低タック面)とダイシングシートを貼り合わせた。実施例2の接着フィルムに関しては、ワニス3から形成された面(低タック面)をダイシングシートと貼り合わせた。また、比較例1〜3の接着フィルムに関しては、塗工時の開放面(ポリエチレンテレフタレートフィルムの逆側)をダイシングシートと貼り合わせた。
The adhesive films of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3 were cut out to a diameter of 210 mm and room temperature (25 ° C.) using DM-300-H manufactured by JCM Corporation on T-80MW (80 μm) manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. ). In addition, about the adhesive film of Example 1, the surface (low tack surface) formed from the
接着フィルムとダイシングシートからなる積層品に200μm厚の半導体ウェハを40℃でラミネートし、ラミネート性を評価した。ラミネートは株式会社JCM社製DM−300−Hを用い、貼り付けが可能であった場合を良好、半導体ウェハ裏面に接着フィルムが貼付かなかった場合を不良とした。結果を表2に示した。
(ピックアップ性)
A 200 μm-thick semiconductor wafer was laminated at 40 ° C. to a laminate comprising an adhesive film and a dicing sheet, and the laminating property was evaluated. The laminate used DM-300-H manufactured by JCM Co., Ltd., and the case where the bonding was possible was good, and the case where the adhesive film was not attached to the back surface of the semiconductor wafer was regarded as defective. The results are shown in Table 2.
(Pickup property)
実施例1、2及び比較例1〜3の接着フィルムとダイシングシートからなる積層品に50μm厚の半導体ウェハを60℃又は80℃でラミネートし、半導体ウェハ、接着フィルム及びダイシングシートからなる積層品を得た。ラミネート時の熱板表面温度を、実施例1、2及び比較例1では60℃、比較例2、3では80℃に設定した。 A laminated product composed of the adhesive film of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3 and a dicing sheet was laminated with a semiconductor wafer having a thickness of 50 μm at 60 ° C. or 80 ° C., and the laminated product composed of the semiconductor wafer, the adhesive film, and the dicing sheet. Obtained. The hot plate surface temperature during lamination was set to 60 ° C. in Examples 1 and 2 and Comparative Example 1, and to 80 ° C. in Comparative Examples 2 and 3.
株式会社ディスコ社製フルオートダイサーDFD−6361を用いて、半導体ウェハ、接着フィルム及びダイシングシートからなる積層品を切断した。切断はブレード1枚で加工を完了するシングルカット方式で行った。ブレードとして株式会社ディスコ社製ダイシングブレードNBC−ZH104F−SE 27HDBBを用い、ブレード回転数45,000rpm、切断速度50mm/sの条件にて切断を行った。切断時のブレードハイトは接着フィルムを10μm残す設定(90μm)とした。半導体ウェハを切断するサイズは10×10mmとした。その後、エキスパンドにより接着フィルムを完全に切断した。 Using a full auto dicer DFD-6361 manufactured by DISCO Corporation, a laminated product composed of a semiconductor wafer, an adhesive film and a dicing sheet was cut. Cutting was performed by a single cut method in which processing was completed with one blade. A dicing blade NBC-ZH104F-SE 27HDBB manufactured by DISCO Corporation was used as a blade, and cutting was performed under conditions of a blade rotation speed of 45,000 rpm and a cutting speed of 50 mm / s. The blade height at the time of cutting was set to leave 10 μm of the adhesive film (90 μm). The size for cutting the semiconductor wafer was 10 × 10 mm. Thereafter, the adhesive film was completely cut by expanding.
続いて、ダイシングにより得られた半導体チップのピックアップ性について、ルネサス東日本セミコンダクタ社製フレキシブルダイボンダーDB−730を使用して評価した。使用したピックアップ用コレットとしてマイクロメカニクス社製RUBBER TIP 13−087E−33(サイズ:10×10mm)を用い、突上げピンとしてマイクロメカニクス社製EJECTOR NEEDLE SEN2−83−05(直径:0.7mm、先端形状:直径350μmの半円)を用いた。突上げピンは、ピン中心間隔を4.2mmとして9本配置した。ピックアップ時のピンの突上げ速度:10mm/s、突上げ高さ:1000μmの条件でピックアップ性を評価した。連続100チップをピックアップし、チップ割れ、ピックアップミス等が発生しない場合を良好、1チップでもチップ割れ、ピックアップミス等が発生した場合を不良とした。結果を表2に示した。 Subsequently, the pick-up property of the semiconductor chip obtained by dicing was evaluated using a flexible die bonder DB-730 manufactured by Renesas East Japan Semiconductor. Micromechanics RUBBER TIP 13-087E-33 (size: 10 × 10 mm) was used as the pick-up collet, and micromechanics EJECTOR NEEDLE SEN2-83-05 (diameter: 0.7 mm, tip) Shape: semicircle with a diameter of 350 μm) was used. Nine push-up pins were arranged with a pin center interval of 4.2 mm. The pick-up property was evaluated under the conditions of a pin push-up speed during pick-up: 10 mm / s and a push-up height: 1000 μm. 100 consecutive chips were picked up, and a case where chip cracks, pickup mistakes, etc. did not occur was good. The results are shown in Table 2.
比較例2では40℃でラミネートできなかったので、80℃でラミネートしてピックアップ性を評価した。比較例3ではラミネートできなかった。実施例1、2の接着フィルムでは、40℃でのウェハラミネート性及びピックアップ性の両方が良好であった。 In Comparative Example 2, lamination could not be performed at 40 ° C., and thus the pick-up property was evaluated by laminating at 80 ° C. In Comparative Example 3, lamination could not be performed. In the adhesive films of Examples 1 and 2, both the wafer laminating property and the pickup property at 40 ° C. were good.
1…接着フィルム、2…基材、4…基材フィルム、5…粘着剤層、6…ダイシングシート、7a…接続層、9…支持部材(被着体)、10…接着シート、20,20A…半導体装置、A…高タック面(一方の面)、B…低タック面(他方の面)、C…半導体素子、W…半導体ウェハ。
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記塗布工程の後、前記第1ワニス及び前記第2ワニスを乾燥することによって前記基材上に接着フィルムを形成する乾燥工程と、
前記接着フィルムに半導体ウェハを貼り付ける貼付工程と、
前記接着フィルムの一部を残すように、前記半導体ウェハを切断すると共に前記接着フィルムに切り込みを入れる切断工程と、
を含む、半導体装置の製造方法。 An application step of applying a first varnish containing a first adhesive resin composition and a second varnish containing a second adhesive resin composition different from the first adhesive resin composition on a substrate;
After the coating step, a drying step of forming an adhesive film on the substrate by drying the first varnish and the second varnish;
An attaching step of attaching a semiconductor wafer to the adhesive film;
A cutting step of cutting the semiconductor wafer and cutting the adhesive film so as to leave a part of the adhesive film;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
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