JP2009298664A - 希土類添加光ファイバの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光ファイバ母材に10〜100wtppmのOH基を含有させ、前記光ファイバ母材を線引きして光ファイバとする際に、0.5≦αf/αp≦0.95(ただし、αpは線引き前の光ファイバ母材のOH濃度分布と電界強度分布に基づいて算出されるOH吸収損失を表し、αfは線引き後の光ファイバのOH吸収損失を表す。)を充足する線引き条件により線引きを行う。光ファイバ母材中のOH基は、希土類が添加されたコア部に分布することが好ましい。
【選択図】図1
Description
・光ファイバ素線を水素含有雰囲気下で処理して、ガラスに生じている欠陥を消滅させる(例えば、特許文献2参照)。
・光ファイバ母材にフッ素(F)や水酸基(OH基)を所定の濃度で含有させる(例えば、特許文献3参照)。
・光ファイバ素線に電磁波を照射して欠陥を生成させた後、その欠陥を水素含有雰囲気下の処理で消滅させる(例えば、特許文献4参照)。
・光ファイバ母材にガンマ線を照射して欠陥を生成させた後、水素含有雰囲気下で処理を行い、その後、線引きして光ファイバ素線とする(例えば、特許文献5参照)。
・線引き中に電磁波を照射して欠陥を生成させ、その欠陥を熱により消滅させる(例えば、特許文献6参照)。
・線引き炉内での熱履歴を調整し、生成した欠陥を再結合させる(例えば、特許文献7参照)。
・所定の条件を充足する線引き炉を用いて、生成した欠陥を再結合させる(例えば、特許文献8参照)。
(1)非特許文献1に記載されているようにアルミニウムを高濃度で添加する場合、アルミニウムは屈折率を上昇させる元素であるため、比屈折率差Δの低いコアへの適用が難しい。
(2)特許文献1に記載されているようにDND法で光ファイバ母材を製造する場合は、火炎に液相の霧状の液滴をナノメートルオーダのサイズで噴霧するために高度の製造技術が必要であり、製造安定性を維持することが難しい。また、製造コストの観点からも好ましくない。
前記光ファイバ母材中のOH基は、希土類が添加されたコア部に分布することが好ましい。
(1)光ファイバ母材の焼結時に、露点が−60℃以上のヘリウムガスおよび/または酸素ガスを用いること、
(2)光ファイバ母材の焼結時に、60℃以上の純水を挿入したガス流入経路を通じて供給されたヘリウムガスおよび/または酸素ガスを用いること、
(3)光ファイバ母材の焼結時に、水を霧化させたヘリウムガスおよび/または酸素ガスを用いること、
のうちの少なくとも1つを充足する条件下で、焼結温度を低温から高温へ変化させながら焼結したものであることが好ましい。
前記光ファイバ母材の線引きの際に、線引き張力が10〜50gfであることが好ましい。
本発明者らが鋭意検討した結果、次のことを満たせばフォトダークニングを抑制できる(ここでいう抑制の度合いは、非特許文献1に記載された方法で評価し、フォトダークニングによる損失が0.5dB以下となった場合にフォトダークニングを抑制できたと判断する。)ことを見出した。それは、光ファイバ母材に所定量の水酸基(OH基)を含有させるとともに、さらに線引き条件を最適化することである。
これにより、光ファイバ母材に含まれたOH基を線引き時に熱乖離(熱解離)させることで水素を発生させ、発生した水素をガラス中に拡散させ、ガラス中の欠陥と再結合させ、ガラス構造と水素との結合を増加させることができる。
後述する方法で測定されるOH濃度分布と電界強度分布に基づいて算出することができ、この損失値にはレーリ散乱ベース分を含まない。
一方、光ファイバ母材に含有されるOH基が所定の範囲より大きい場合、線引き後の光ファイバに含有されるOH基による光ファイバ損失のベース損失の増加がファイバレーザの励起効率や発振効率に影響を及ぼし、好ましくない。
このため、光ファイバ母材に含有されるOH基は上記所定の範囲内とされる。ここで、wtppmは、質量百万分率を表す。また、光ファイバ母材に含有されるOH基の濃度範囲は、半径方向での分布におけるピーク値(最大値)で規定される。
一方、αf/αpが所定の範囲より大きい場合、線引き中に発生して拡散する水素や、ガラスと水素との結合が少ないため、フォトダークニングを抑制することができない。
このため、線引き条件におけるαf/αpは上記所定の範囲内とされる。
希土類元素としては、従来ファイバレーザ用やファイバアンプ用などの希土類添加光ファイバに用いられている元素であれば良く、例えば、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イットリウム(Y)、イッテルビウム(Yb)、ホルミウム(Ho)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)などが挙げられる。コアに希土類元素が添加された希土類添加光ファイバが、より好ましい。
(a)酸水素火炎中でガラス微粒子(スート)を生成し(VAD法、OVD法、DND法など)、ガラス化時に脱水を行わずに焼結する方法、
(b)CVD法においてスートを生成し、液浸法で希土類を添加する時にその溶液が含有する水を利用して、ガラス化時に脱水を行わずに焼結する方法、
(c)あらかじめOH基を含有させた石英管を使用する方法、
(d)焼結時に、水分を含有する雰囲気下でガラス化する方法、
(e)焼結時に、水を霧化させた雰囲気下でガラス化する方法、
(f)露点の高いガスを使用してスートを作製し、焼結時に、露点の高いガスを使用して焼結しガラス化する方法等が挙げられ、特に限定されない。
(1)露点が−60℃以上、
(2)60℃以上の純水を挿入したガス流入経路を通じて供給されたもの、
(3)水を霧化させたもの、
のうちの少なくとも1つを充足するヘリウムガスおよび/または酸素ガスを用いる条件下で、焼結温度を低温から高温へ変化させながら焼結する方法が挙げられる。この方法によれば、焼結時にOH基を含有させることができるので、ガラス微粒子(スート)の製法を問わないという利点がある。
(1)光ファイバ母材の状態でFT−IR(フーリエ変換赤外分光光度計)で、OH基の伸縮振動による吸収ピークから、光ファイバ母材中の含有OH基濃度D(r)を測定する。母材中に含有するOH基の濃度(wtppm)は、D(r)におけるピーク値(最大値)で規定される。FT−IRとしては、例えば顕微FT−IRが挙げられる。
(4)αfとαpの比として、αf/αpを評価する。
本発明に基づいて光ファイバ母材を試作し、線引きにより光ファイバ化し、得られた希土類添加光ファイバを評価した。フォトダークニングの評価は、非特許文献1を参考にしている。
MCVD法でデポジションしたスートに、液浸法にてアルミニウム(Al)およびイッテルビウム(Yb)を添加した。その後、ガス露点が−30℃のガスを使用した雰囲気で、温度を1300℃から1700℃まで50℃ずつ増加させ、9回トラバースさせて焼結した。焼結したスートをコラプスし、コア材を作製した。次いで、倍率調整のため、ジャケット法にてクラッドを無水の石英管でジャケットし、光ファイバ母材を試作した。
OH濃度分布と電界強度分布から算出した波長1383nmでの吸収ピーク(ベース損失からの増分であり、OH吸収損失分に相当する。)αpは、446dB/kmであった。
VAD法でデポジションしたスートに、液浸法にてアルミニウム(Al)およびイッテルビウム(Yb)を添加した。その後、加湿器で水を噴霧した雰囲気で焼結し、コア材を作製した。次いで、倍率調整のため、外付法でクラッド部となるスートを堆積させ、コア材と同様に加湿器で水を噴霧した雰囲気で焼結し、光ファイバ母材を試作した。
OH濃度分布と電界強度分布から算出した波長1383nmでの吸収ピーク(ベース損失からの増分であり、OH吸収損失分に相当する。)αpは、636dB/kmであった。
MCVD法でデポジションしたスートに、液浸法にてアルミニウム(Al)およびイッテルビウム(Yb)を添加した。その後、塩素ガスにて脱水した後焼結し、コア材を作製した。次いで、倍率調整のため、外付法でクラッド部となるスートを堆積させ、80℃の水を通過させたガス雰囲気で焼結し、光ファイバ母材を試作した。
OH濃度分布と電界強度分布から算出した波長1383nmでの吸収ピーク(ベース損失からの増分であり、OH吸収損失分に相当する。)αpは、1116dB/kmであった。
VAD法でデポジションしたスートに、液浸法にてアルミニウム(Al)およびイッテルビウム(Yb)を添加した。その後、塩素ガスにて脱水した後焼結し、コア材を作製した。コアとクラッドの界面にOH基を添加するため、コア材の表面を酸水素バーナーで炙り、コア材の表面にOH基を添加した。次いで、倍率調整のため、外付法でクラッド部となるスートを堆積させ、塩素雰囲気でスートを脱水し、その後焼結して、光ファイバ母材を試作した。
OH濃度分布と電界強度分布から算出した波長1383nmでの吸収ピーク(ベース損失からの増分であり、OH吸収損失分に相当する。)αpは、400dB/kmであった。
実施例1で試作した残母材(αp=446dB/km)を使用して、線引き炉にて線引きし、光ファイバ素線を製造した。線引き方法は、線引き炉の最高温度が1800℃未満となるように線引き張力を100gfとし、その後、冷却筒にて急冷した後、保護被覆を施している。
VAD法でデポジションしたスートに、液浸法にてアルミニウム(Al)およびイッテルビウム(Yb)を添加した。その後、チオニール雰囲気にて脱水した後焼結し、コア材を作製した。次いで、倍率調整のため、外付法でクラッド部となるスートを堆積させ、コア材と同様にチオニール雰囲気でスートを脱水し、その後焼結して、光ファイバ母材を試作した。
Claims (5)
- 光ファイバ母材に10〜100wtppmのOH基を含有させ、前記光ファイバ母材を線引きして光ファイバとする際に、0.5≦αf/αp≦0.95(ただし、αpは線引き前の光ファイバ母材のOH濃度分布と電界強度分布に基づいて算出されるOH吸収損失を表し、αfは線引き後の光ファイバのOH吸収損失を表す。)を充足する線引き条件により線引きを行うことを特徴とする希土類添加光ファイバの製造方法。
- 前記光ファイバ母材中のOH基は、希土類が添加されたコア部に分布することを特徴とする請求項1に記載の希土類添加光ファイバの製造方法。
- 前記光ファイバ母材は、
(1)光ファイバ母材の焼結時に、露点が−60℃以上のヘリウムガスおよび/または酸素ガスを用いること、
(2)光ファイバ母材の焼結時に、60℃以上の純水を挿入したガス流入経路を通じて供給されたヘリウムガスおよび/または酸素ガスを用いること、
(3)光ファイバ母材の焼結時に、水を霧化させたヘリウムガスおよび/または酸素ガスを用いること、
のうちの少なくとも1つを充足する条件下で、焼結温度を低温から高温へ変化させながら焼結したものであることを特徴とする請求項1または2に記載の希土類添加光ファイバの製造方法。 - 前記光ファイバ母材の線引きの際に、光ファイバ母材の溶融箇所の最高温度を1800℃以上とし、かつガラス変形後のガラス温度が900〜1200℃の温度領域にある時間を0.1〜4秒とすることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の希土類添加光ファイバの製造方法。
- 前記光ファイバ母材の線引きの際に、線引き張力が10〜50gfであることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の希土類添加光ファイバの製造方法。
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