JP2009295893A - 近接効果補正方法及びその方法を用いた電子線描画装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】描画パターン全体を所定の大きさの単位区画に分割し、各単位区画におけるパターン面積密度を求め、求めたパターン面積密度を隣接する単位区画間で平滑化して平滑化パターン面積密度とし、隣接する単位区画間において平滑化パターン面積密度の変化が大きい領域から、平滑化パターン面積密度の変化がほとんどない領域までの複数の領域に、描画パターン全体を分割し、前記複数の領域のそれぞれに異なる近接効果補正を適用することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
ーンを描画する電子線リソグラフィ技術において、該描画すべきパターンを所定の単位区画に分割し、電子の後方散乱に起因した蓄積エネルギーを考慮して、各単位区画に照射すべき電子線露光量を補正する近接効果補正法であって、(A)各単位区画をビットマップ展開し、各単位区画におけるパターン面積密度を算出する工程と、(B)各単位区画におけるパターン面積密度に平均化処理を施し、平均化処理後のパターン面積密度を算出する工程と、(C)平均化処理後のパターン面積密度の勾配ベクトルを算出する工程と、(D)算出された勾配ベクトルの大きさが所定の値以上である単位区画を抽出し、以て、近接効果補正の補正誤差が大きな単位区画を確定し、単位区画のサイズを調整する工程、を含むことを特徴とする近接効果補正法が開示されている。
学関連素子、バイオチップなどのパターンには周期性がある。本発明は、このような周期性がある描画パターンの近接効果補正を簡略化するものである。
、前記平滑化パターン面積密度の変化が大きい領域と変化がほとんどない領域とに対して、面積密度マップのメッシュサイズをそれぞれ別々に設定することを特徴とする。
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。
図1は、本発明の実施の形態の一例に係る近接効果補正方法の概要を説明する図である。図1(A)は描画対象とするパターンを示しており、図1(A)の一部拡大図に示すように、この描画パターンは、所定のパターンサイズの矩形状パターンが所定のパターンピッチで配置されており、同じ形状の図形が周期的に配置された描画パターンである。図1に示すように、本発明においては、個々の図形を「パターン」とし、それらが集合した描画すべき全体の図形を「描画パターン」として表す。
以下、それぞれの方法について概略を説明する。
逐次計算法の概略について説明する。逐次計算法とは、描画パターン部分に着目し、描画パターン部分の蓄積エネルギー密度(蓄積エネルギー量/パターン面積)が全てのパターンに対して一定となるように、描画パターン毎の露光量を決定するものである。図4は、近接効果補正計算における逐次計算法の概念を説明する図である。図4(A)は、一般的な電子デバイス用の描画パターンを示す図であり、周期性がなく、本発明の対象とする描画パターンではない。図4(B)は、本発明が対象とする周期性を描画パターン領域全面に有する描画パターンを示す図である。尚、ここでは蓄積エネルギー計算の取り込み領
域を矩形領域にて指定しているが、円形領域を指定する場合もある。
次に、面積密度法について図6を参照しつつ説明する。図6は、近接効果補正における面積密度法の概念を説明する図である。図6(A)は、一般的な電子デバイス用の描画パターンを示す図であり、本発明の対象とする描画パターンではない。図6(B)は、本発明が対象とする周期性をパターン全面に有する描画パターンを示す図である。面積密度法においては、描画パターンを図6(A)あるいは図6(B)に示したような後方散乱径より十分小さい単位区画(メッシュ)に分割する。各メッシュ内におけるパターンの占める割合を面積密度(パターン面積/メッシュ面積)として算出し、そのマップ(面積密度マップと言う)を用いて各メッシュ内における蓄積エネルギーを算出し、補正露光量を決定していく。
においては、中心部付近の単位区画では、近接する単位区画の影響が一様であるので、後方散乱の影響がサチレーションし近接効果補正計算による補正が一様である。これに対して、描画パターン外縁部付近の単位区画は、描画パターン外領域が近傍に存在するために、このようにはならない。ただし、全面に周期性を有する描画パターンの場合、描画パターンの外縁部から中心部に向かうに従って、隣接する単位区画間の近接効果補正による補正の変化が小さくなりサチレーションし、いずれは補正値が一定、または、図形周期性のみが残る。本発明における近接効果補正計算方法では、このような点に着目している。
次に、代表図形法について説明する。上記のように、逐次計算法は蓄積エネルギー量を計算する際に、2回面積積分が必要なことや行列式を解くことが必要なことから、膨大な計算を要することが知られている。そこで、逐次計算法を簡略化したものが提案されており、このような簡略化された逐次計算法の一つとして代表図形法がある。図7は、代表図形法の計算手法の概念を示す図である。図7に示すように、代表図形法は、所定の単位区画(メッシュ)毎の図形パターンを、同じ面積と重心とをもつ代表図形に近似して計算する手法である。
影響することになる。代表図形法を用いた近接効果補正の計算時間は描画領域内に含まれるパターン数には依存しないことから、描画パターンのより微細化が進んだとしても、近接効果補正時間が大幅に増大することはない。
積密度の変化が小さくなるに従って、面積密度マップのメッシュを大きくしたり、近接効果補正演算回数を少なくして近接効果補正を実施することにより、描画精度を保ったまま、近接効果補正計算を大幅に短縮することが可能となる。
次に、本発明の近接効果補正方法における領域について説明する。図1(B)は、図1(A)の描画パターンの近接効果補正の計算をする領域のイメージを示している。図1(B)に示す例では、描画パターンの外縁から中心に向かうに従って、第1領域、第2領域と2つの領域に規定している。
ネルギーの影響する領域(半径:後方散乱径×3〜4程度)までを計算領域とする。従って、近接効果補正計算においては、第1領域の蓄積エネルギー計算領域としては、後方散乱による蓄積エネルギーの影響する領域を加えた図9(B)に示した斜線部の領域が必要となり、第2領域の蓄積エネルギー計算領域としては、後方散乱による蓄積エネルギーの影響する領域を加えた図9(C)に示した斜線部の領域が必要となる(以下、それぞれの領域に加えた領域を計算しろという)。
ここで、計算しろのメッシュサイズは計算領域のメッシュサイズと同じとする。
ここで、領域と領域との境界は、近接効果補正を行うユーザーが指定してもよいし、近接効果補正計算による判定によって決定してもよい。
次に、描画パターンに線対称性、または回転対称性が存在する場合の近接効果補正の計算方法について説明する。図10(A)は、描画パターンに対称軸が1本存在する場合の近接効果補正計算方法の概要を説明する図であり、図10(B)、は対称の様子を模式的に表したものである。図11(A)は、描画パターンに対称軸が2本存在する場合の近接効果補正計算方法の概要を説明する図であり、図11(B)は、対称の様子を模式的に表したものである。図12(A)は、描画パターンに回転対称性が存在し2回対称をもつ場合の近接効果補正計算方法の概要を説明する図であり、図12(B)は、対称の様子を模式的に表したものである。図13(A)は、描画パターンに回転対称性が存在し4回対称をもつ場合の近接効果補正計算方法の概要を説明する図であり、図13(B)は、対称の様子を模式的に表したものである。
分割する。なお、ここでいう「領域」と、これまで近接効果補正における面積密度を基として説明してきた「領域」とは異なる概念であることを留意されたい。図10、図11、図12、図13の説明における「領域」とはあくまで描画パターンの対称性に関連する領域である。図10において、軸A−A’に対して線対称が存在するときには、まず領域(I)で先のような計算を行い、この計算結果を領域(II)に適用することで計算時間をより短縮するものである。
計算をおこない、この計算結果を領域(II)、領域(III)、領域(IV)に適用し計算結
果を利用することで計算時間を短縮するものである。
算結果を領域(II)に適用することで計算時間をより短縮するものである。
次に、本発明における近接効果補正計算の処理フローの概略について説明する。図14は本発明の実施の形態に係る近接効果補正計算における処理の流れの一例を示す図である。
実行する。ここで、描画パターン中心部領域の蓄積エネルギー計算取り込み領域に隣り合うメッシュの面積密度の変化が無視できる程度のものであれば、近接効果補正を実施せずに、ステップS103にて求めた近接効果補正値のサチレーション値(描画パターンの外縁部領域のうち、中心部領域に隣接するメッシュの補正値)を割り当てる。
また、ステップS101にて指定した領域が、近接効果補正精度を充分保つものであったかどうかは、描画パターン外縁部付近と描画パターン中央部付近の計算しろと重複した領域の各々の補正値、描画パターン外縁部付近の計算しろと描画パターン中央部付近と重複した領域の各々の補正値を比較することによって判定することが可能である。
なお、本発明の近接効果補正方法は、1つの図形の所定位置毎に近接効果補正値が異なる場合にも適用可能であり、図15は、1つの図形の所定位置毎に近接効果補正値が異なる場合を示す図である。図15の1つの図形の拡大図においては、「A」で示された領域は近接効果補正値Aとなり、「B」で示された領域は近接効果補正値「B」となり、「C」で示された領域は近接効果補正値Cとなる、ことを示している。本発明は、1つの図形で1つの近接効果補正値をとるものに限らず、図形内の位置によって異なる近接効果補正値をとる場合でも適用可能なものである。
また、以上の実施形態においては、同じ形状の図形からなる周期的パターンを有する描画パターンの近接効果補正において、蓄積エネルギー計算取り込み領域内に含まれる、隣接するメッシュの平滑化パターン面積密度の変化について説明したが、本発明の近接効果補正方法は、このような形態に限らず異なる複数のある図形群が、それを基本単位として周期的に配列している場合にも適用可能なものである。但し、この基本単位となる基本単位パターン群の領域は、後方散乱径より十分小さくなくてはならない。基本単位パターン群の領域は、面積密度や基本単位に含まれる形状の異なるパターン数等に依存するが、例えば、後方散乱径の1/10〜1/4程度とすることができる。図16の描画パターンは、2つの異なる図形が、描画パターン拡大図に示すように、基本パターン群を形成し、その基本パターン群が周期性を保って配列された場合である。図16の近接効果補正拡大図に示すように、基本パターン群を形成する異なる図形のうち、大きい方のパターンは近接効果補正値Aをとり、小さい方のパターンは近接効果補正値Bをとる、ことを示している。本発明は、1つの図形が周期的に配列した描画パターンに限らず、複数の図形群が基本
単位となった、基本パターン群が周期性を保って配列した描画パターンにも適用可能なものである。
次に本発明の実施の形態に係る近接効果補正方法の検証結果について示す。図17は、本発明の近接効果補正方法を検証するために用いた描画パターンを示す図である。電子線を照射しない非描画矩形サイズの2倍のピッチで非描画矩形が周期的に配置されている。
結果を得ることができる。
本発明の電子線描画装置によれば、電子線によるパターン描画時に、上記の本発明の近接効果補正方法を用いて微細パターン描画することにより、近接効果補正の処理時間を低減し、パターン描画の高精度を維持しながら、装置稼働率の向上を図ることができる。
Claims (16)
- 同じ形状の図形が周期的に配置された描画パターンを電子線で描画する際の近接効果補正方法であって、
描画パターン全体を所定の大きさの単位区画に分割し、各単位区画におけるパターン面積密度を求め、求めたパターン面積密度を隣接する単位区画間で平滑化して平滑化パターン面積密度とし、
隣接する単位区画間において平滑化パターン面積密度の変化が大きい領域から、平滑化パターン面積密度の変化がほとんどない領域までの複数の領域に、描画パターン全体を分割し、
前記複数の領域のそれぞれに異なる近接効果補正を適用することを特徴とする近接効果補正方法。 - 前記平滑化パターン面積密度の変化が大きい領域には、近接効果補正計算の収束条件を厳しくした近接効果補正を適用し、前記平滑化パターン面積密度の変化がほとんどない領域には、近接効果補正計算の収束条件を緩和した近接効果補正、もしくは一定の補正値を割り当てる近接効果補正を適用することを特徴とする請求項1に記載の近接効果補正方法。
- 前記平滑化パターン面積密度の変化が大きい領域が、少なくとも平滑化パターン面積密度の変化が大きい領域と変化が小さい領域とを含む複数の領域よりなり、それぞれに異なる近接効果補正を適用することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の近接効果補正方法。
- 前記平滑化パターン面積密度の変化が大きい領域が、描画パターンの外縁部から所定幅までの領域であり、前記平滑化パターン面積密度の変化がほとんどない領域が、前記描画パターンから描画パターンの外縁部から所定幅までの領域を除いた領域であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の近接効果補正方法。
- 描画パターンを、前記平滑化パターン面積密度の変化が大きい領域と、前記平滑化パターン面積密度の変化がほとんどない領域とに分割する境界は、近接効果補正を行うユーザーの指定により行うことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の近接効果補正方法。
- 描画パターンを、前記平滑化パターン面積密度の変化が大きい領域と、前記平滑化パターン面積密度の変化がほとんどない領域とに分割する境界は、近接効果補正計算による判定によって決定することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の近接効果補正方法。
- 請求項2に記載の近接効果補正方法において、前記平滑化パターン面積密度の変化がほとんどない領域に割り当てる一定の補正値が、前記平滑化パターン面積密度の変化が大きい領域の近接効果補正計算結果のうちで変化がほとんどない領域に隣接する変化が大きい領域の補正値、もしくは、変化がほとんどない領域との境界においてサチレーションした変化が大きい領域の補正値であることを特徴とする近接効果補正方法。
- 前記平滑化パターン面積密度の変化がほとんどない領域の補正値は、近接効果補正を行うユーザーの指定により行うことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の近接効果補正方法。
- 前記近接効果補正にて、近接効果補正に面積密度マップを用いる場合、前記平滑化パタ
ーン面積密度の変化が大きい領域と変化がほとんどない領域とに対して、面積密度マップのメッシュサイズをそれぞれ別々に設定することを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の近接効果補正方法。 - 前記近接効果補正にて、前記平滑化パターン面積密度の変化が大きい領域と変化がほとんどない領域とに対して、近接効果補正の補正演算回数をそれぞれ別々に設定することを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載の近接効果補正方法。
- 前記近接効果補正にて、近接効果補正に逐次計算法を用いる場合、前記平滑化パターン面積密度の変化が大きい領域と変化がほとんどない領域とに対して、補正計算に用いる代表点をそれぞれ別々に設定することを特徴とする請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の近接効果補正方法。
- 描画パターンが線対称または回転対称を用いて表現できる場合は、対称軸または対称点で分割された1つの領域について近接効果補正値の計算を行い、前記計算の結果を対称軸または対称点を介して対応する他の領域の近接効果補正値として使用することを特徴とする請求項1乃至請求項11のいずれか1項に記載の近接効果補正計算方法。
- 前記対称軸または対称点の設定は、近接効果補正を行うユーザーの指定により行うことを特徴とする請求項12に記載の近接効果補正方法。
- 前記対称軸または対称点の設定は、近接効果補正計算による判定によって決定することを特徴とする請求項12に記載の近接効果補正方法。
- 前記同じ形状の図形が、複数の図形群よりなる一つの形状の図形であること特徴とする請求項1乃至請求項14のいずれか1項に記載の近接効果補正方法。
- 請求項1乃至請求項15のいずれか1項に記載の近接効果補正方法を用いたことを特徴とする電子線描画装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014007563A Division JP2014096604A (ja) | 2014-01-20 | 2014-01-20 | 近接効果補正方法及びその方法を用いた電子線描画装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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Family
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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JP (1) | JP2009295893A (ja) |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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