JP2009295447A

JP2009295447A - Organic light-emitting device and electronic apparatus

Info

Publication number: JP2009295447A
Application number: JP2008148535A
Authority: JP
Inventors: Takatomo Yamamoto; 隆智山本
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2008-06-05
Filing date: 2008-06-05
Publication date: 2009-12-17

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic light-emitting device that efficiently dissipates heat generated in an organic semiconductor layer, and has a high jointing strength and dimension accuracy when jointing the device body and a color filter substrate, and to provide an electronic apparatus. <P>SOLUTION: The organic light-emitting device has a device body 11 having a plurality of organic light-emitting elements that has a first electrode, a second electrode, and an organic semiconductor layer 4, and a color filter substrate 9 which is jointed to the device body 11 through a jointing film 32. The jointing film 32 includes a Si skeleton that includes a siloxane (Si-O) bond and has a random atomic structure and a desorption group to be bonded to the Si skeleton. The jointing film 32, when applied an energy on at least part of region, desorbs the desorption group existing in the vicinity of the surface of the jointing film 32 from the Si skeleton, and adhesiveness is demonstrated in the region on the surface of the jointing film 32, thereby by that adhesion, the device body 11 and the color filter substrate 9 are jointed. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機発光装置および電子機器に関するものである。 The present invention relates to an organic light emitting device and an electronic apparatus.

有機半導体材料を使用したエレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示装置が備える発光素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている（例えば、特許文献１参照）。
一般に、有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に発光層（有機半導体層）を有する構成であり、陰極と陽極との間に電界を印加すると、発光層に陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。 An electroluminescence element (organic EL element) using an organic semiconductor material is expected to be used as a light-emitting element included in an inexpensive large-area full-color display device of solid-state light emission type, and many developments are performed (for example, Patent Document 1).
In general, an organic EL element is configured to have a light emitting layer (organic semiconductor layer) between a cathode and an anode, and when an electric field is applied between the cathode and the anode, electrons are injected into the light emitting layer from the cathode side, Holes are injected from the anode side.

そして、注入された電子と正孔とが発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際の励起エネルギーを光エネルギーとして放出することにより、発光層が発光する。
例えば、特許文献２には、図１６に示すように、基板９００上に画素電極９０１、発光層９０２および透明な対向電極９０３がこの順で設けられ、基板９００と反対側（対向電極９０３側）から、発光層９０２の発光光ｌ_１〜ｌ_８を取り出すトップエミッション構造の有機ＥＬ素子（有機発光素子）９１０が提案されている。 Then, the injected electrons and holes are recombined in the light emitting layer, and the light emitting layer emits light by releasing the excitation energy when the energy level returns from the conduction band to the valence band as light energy.
For example, in Patent Document 2, as shown in FIG. 16, a pixel electrode 901, a light emitting layer 902, and a transparent counter electrode 903 are provided in this order on a substrate 900. Thus, an organic EL element (organic light emitting element) 910 having a top emission structure for taking out the emitted lights l _{1 to} l ₈ of the light emitting layer 902 has been proposed.

このトップエミッション構造の有機ＥＬ素子９１０は、電極間の通電のＯＮ／ＯＦＦを制御するスイッチング素子や配線を基板９００側に設けることができることから、発光層９０２の開口率を高めて、消費電力の低電力化等を図ることができることから、着目され、実用化に向けて種々の研究がなされている。
ここで、このような有機ＥＬ素子９１０を複数備える表示装置（有機発光装置）９２０では、カラーフィルター９１２を備えるカラーフィルター基板９１１を対向電極９０３側に設け、発光光ｌ_１〜ｌ_８がカラーフィルター９１２を透過することにより、色調が変化（色変調）し、これにより、フルカラー画像表示を実現している。
また、カラーフィルター基板９１１と、対向電極９０３とは、端部に配置された図示しないスペーサを介して接合されている。この接合方法としては、例えば、接着剤での接着による方法を用いることができる。 Since the organic EL element 910 having a top emission structure can be provided with a switching element and wiring for controlling ON / OFF of energization between the electrodes on the substrate 900 side, the aperture ratio of the light emitting layer 902 is increased and the power consumption is reduced. Since it is possible to reduce the power consumption, etc., attention has been paid and various researches have been made for practical use.
Here, in a display device (organic light emitting device) 920 including a plurality of such organic EL elements 910, a color filter substrate 911 including a color filter 912 is provided on the counter electrode 903 side, and the emitted lights l _{1 to} l ₈ are emitted from the color filter. By passing through 912, the color tone changes (color modulation), thereby realizing a full-color image display.
Further, the color filter substrate 911 and the counter electrode 903 are joined via a spacer (not shown) arranged at the end. As this joining method, for example, a method using adhesion with an adhesive can be used.

しかしながら、スペーサを介し、接着剤により、カラーフィルター基板９１１と、対向電極９０３とを接合する場合、スペーサと対向電極９０３の間や、スペーサとカラーフィルター基板９１１の間に接着剤を供給する際の当該接着剤の供給量を厳密に制御することは極めて困難である。このため、供給する接着剤の量を均一にすることができず、接着剤層の厚さが不均一になる、すなわち、寸法精度が悪くなると言う問題が生じる。また、表示装置９２０が設置される（使用される）環境によっては、接着剤に変質・劣化が生じる。このため、接合強度が低下するという問題もある。
また、有機ＥＬ素子９１０で発生した熱を効率良く放熱することができないという欠点もある。 However, when the color filter substrate 911 and the counter electrode 903 are bonded to each other with an adhesive via a spacer, the adhesive is supplied between the spacer and the counter electrode 903 or between the spacer and the color filter substrate 911. It is extremely difficult to strictly control the supply amount of the adhesive. For this reason, the quantity of the adhesive agent to supply cannot be made uniform, but the problem that the thickness of an adhesive bond layer becomes non-uniform | heterogenous, ie, a dimensional accuracy worsens arises. Further, depending on the environment in which the display device 920 is installed (used), the adhesive may be altered or deteriorated. For this reason, there also exists a problem that joint strength falls.
In addition, there is a disadvantage that heat generated in the organic EL element 910 cannot be efficiently radiated.

特開平１０−１５３９６７号公報JP-A-10-153967 特開２００５−６２４８０号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2005-62480

本発明の目的は、有機半導体層で発生した熱を効率良く放熱することができ、装置本体とカラーフィルター基板とを接合した際の接合強度および寸法精度が高い有機発光装置、および、かかる有機発光装置を有する電子機器を提供することにある。 An object of the present invention is to efficiently dissipate heat generated in an organic semiconductor layer, and to provide an organic light emitting device having high bonding strength and dimensional accuracy when the device main body and a color filter substrate are bonded, and the organic light emitting device. An object is to provide an electronic device having the apparatus.

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の有機発光装置では、互いに対向するように配置された第１の電極および第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられ、発光層を含む有機半導体層とを備える複数の有機発光素子を有する装置本体と、
前記各有機発光素子に対応するように設けられたカラーフィルターを備え、前記装置本体に接合膜を介して接合されたカラーフィルター基板とを有し、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に接着性が発現し、その接着性によって、前記装置本体と前記カラーフィルター基板とを接合していることを特徴とする。 Such an object is achieved by the present invention described below.
In the organic light emitting device of the present invention, the first electrode and the second electrode arranged so as to face each other, and the organic light emitting layer provided between the first electrode and the second electrode. An apparatus body having a plurality of organic light emitting elements comprising a semiconductor layer;
A color filter provided to correspond to each of the organic light emitting elements, and a color filter substrate bonded to the apparatus body via a bonding film;
The bonding film includes a Si skeleton including a siloxane (Si-O) bond and a random atomic structure, and a leaving group bonded to the Si skeleton,
Since the bonding film is energized to at least a part of the bonding film, the leaving group existing near the surface of the bonding film is detached from the Si skeleton and adheres to the region on the surface of the bonding film. It is characterized in that the device main body and the color filter substrate are joined by their adhesiveness.

これにより、装置本体とカラーフィルター基板とを接合した際の接合強度および寸法精度が高い有機発光装置が得られる。
また、接合膜は優れた伝熱性（熱伝導性）を有しているので、有機半導体層で発生した熱を、接合膜を介して効率良く放熱することができる。
また、カラーフィルター基板を有しているので、各有機発光素子が同色に発光するものである場合でも、フルカラー表示が可能となる。 As a result, an organic light emitting device having a high bonding strength and dimensional accuracy when the device main body and the color filter substrate are bonded can be obtained.
In addition, since the bonding film has excellent heat conductivity (thermal conductivity), heat generated in the organic semiconductor layer can be efficiently radiated through the bonding film.
In addition, since the color filter substrate is provided, full color display is possible even when each organic light emitting element emits light of the same color.

本発明の有機発光装置では、前記接合膜を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％であることが好ましい。
これにより、接合膜は、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜自体がより強固なものとなる。このため、接合膜は、装置本体およびカラーフィルター基板に対して、特に高い接合強度を示すとともに、伝熱性に優れたものとなる。 In the organic light-emitting device of the present invention, among the atoms obtained by removing H atoms from all atoms constituting the bonding film, the sum of the content ratio of Si atoms and the content ratio of O atoms is 10 to 90 atomic%. preferable.
Thus, in the bonding film, Si atoms and O atoms form a strong network, and the bonding film itself becomes stronger. For this reason, the bonding film exhibits particularly high bonding strength with respect to the apparatus main body and the color filter substrate, and has excellent heat conductivity.

本発明の有機発光装置では、前記接合膜中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、接合膜の安定性が高くなり、装置本体とカラーフィルター基板とをより強固に接合することができる。
本発明の有機発光装置では、前記Ｓｉ骨格の結晶化度は、４５％以下であることが好ましい。
これにより、Ｓｉ骨格は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、化学的安定性、耐熱性等のＳｉ骨格の特性が顕在化し、接合膜の寸法精度および接着性がより優れたものとなる。 In the organic light-emitting device of the present invention, the abundance ratio of Si atoms and O atoms in the bonding film is preferably 3: 7 to 7: 3.
Thereby, the stability of the bonding film is increased, and the apparatus main body and the color filter substrate can be bonded more firmly.
In the organic light-emitting device of the present invention, the crystallinity of the Si skeleton is preferably 45% or less.
As a result, the Si skeleton includes a sufficiently random atomic structure. For this reason, the characteristics of the Si skeleton such as chemical stability and heat resistance become obvious, and the dimensional accuracy and adhesiveness of the bonding film become more excellent.

本発明の有機発光装置では、前記脱離基は、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Ｓｉ骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものであることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基は、接合膜の接着性をより高度なものとすることができる。 In the organic light-emitting device of the present invention, the leaving group includes an H atom, a B atom, a C atom, an N atom, an O atom, a P atom, an S atom, and a halogen atom, or each of these atoms bonded to the Si skeleton. It is preferably composed of at least one selected from the group consisting of atomic groups arranged in such a manner.
These leaving groups are relatively excellent in binding / leaving selectivity by applying energy. For this reason, such a leaving group can make the adhesiveness of the bonding film higher.

本発明の有機発光装置では、前記脱離基は、アルキル基であることが好ましい。
アルキル基は化学的な安定性が高いため、脱離基としてアルキル基を含む接合膜は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
本発明の有機発光装置では、前記接合膜は、プラズマ重合法により形成されたものであることが好ましい。
これにより、接合膜は緻密で均質なものとなる。そして、装置本体とカラーフィルター基板との間を特に強固に接合するとともに、これらの間の熱抵抗をより低減することができる。また、プラズマ重合法で作製された接合膜は、エネルギーが付与されて活性化された状態を比較的長時間にわたって維持することができる。このため、有機発光装置の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。 In the organic light emitting device of the present invention, the leaving group is preferably an alkyl group.
Since the alkyl group has high chemical stability, the bonding film containing the alkyl group as a leaving group is excellent in weather resistance and chemical resistance.
In the organic light-emitting device of the present invention, it is preferable that the bonding film is formed by a plasma polymerization method.
Thereby, the bonding film becomes dense and homogeneous. In addition, the apparatus main body and the color filter substrate can be particularly strongly bonded, and the thermal resistance between them can be further reduced. In addition, the bonding film manufactured by the plasma polymerization method can maintain a state in which energy is applied and activated for a relatively long time. For this reason, simplification and efficiency improvement of the manufacturing process of the organic light emitting device can be achieved.

本発明の有機発光装置では、前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、接合膜自体が優れた機械的特性を有するものとなる。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示す接合膜が得られる。したがって、この接合膜により、装置本体とカラーフィルター基板とをより強固に接合することができる。また、非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行える接合膜となる。 In the organic light emitting device of the present invention, the bonding film is preferably composed of polyorganosiloxane as a main material.
As a result, the bonding film itself has excellent mechanical properties. In addition, a bonding film exhibiting particularly excellent adhesion to many materials can be obtained. Therefore, the apparatus main body and the color filter substrate can be more firmly bonded by the bonding film. Further, the bonding film can easily and reliably control the non-adhesiveness and the adhesiveness.

本発明の有機発光装置では、前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものであることが好ましい。
これにより、接着性に特に優れる接合膜が得られる。
本発明の有機発光装置では、前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、装置本体とカラーフィルター基板との間の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。また、接合膜の表面に生じる凹凸の高さを緩和することができ、被着体に対する密着性をより高めることができる。 In the organic light-emitting device of the present invention, it is preferable that the polyorganosiloxane is mainly composed of a polymer of octamethyltrisiloxane.
Thereby, a bonding film having particularly excellent adhesiveness can be obtained.
In the organic light-emitting device of the present invention, the average thickness of the bonding film is preferably 1 to 1000 nm.
Thereby, these can be joined more firmly, preventing the dimensional accuracy between an apparatus main body and a color filter substrate falling remarkably. Moreover, the height of the unevenness generated on the surface of the bonding film can be reduced, and the adhesion to the adherend can be further increased.

本発明の有機発光装置は、互いに対向するように配置された第１の電極および第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられ、発光層を含む有機半導体層とを備える複数の有機発光素子を有する装置本体と、
前記各有機発光素子に対応するように設けられたカラーフィルターを備え、前記装置本体に接合膜を介して接合されたカラーフィルター基板とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に接着性が発現し、その接着性によって、前記装置本体と前記カラーフィルター基板とを接合していることを特徴とする。 An organic light-emitting device according to the present invention is provided between a first electrode and a second electrode arranged to face each other, and between the first electrode and the second electrode, and includes an organic light-emitting layer An apparatus body having a plurality of organic light emitting elements comprising a semiconductor layer;
A color filter provided to correspond to each of the organic light emitting elements, and a color filter substrate bonded to the apparatus body via a bonding film;
The bonding film includes a metal atom, an oxygen atom bonded to the metal atom, and a leaving group bonded to at least one of the metal atom and the oxygen atom,
In the bonding film, energy is applied to at least a part of the bonding film, so that the leaving group existing near the surface of the bonding film is released from at least one of the metal atom and the oxygen atom, and the bonding film Adhesiveness is developed in the region of the surface of the substrate, and the apparatus main body and the color filter substrate are joined by the adhesiveness.

本発明の有機発光装置は、互いに対向するように配置された第１の電極および第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられ、発光層を含む有機半導体層とを備える複数の有機発光素子を有する装置本体と、
前記各有機発光素子に対応するように設けられたカラーフィルターを備え、前記装置本体に接合膜を介して接合されたカラーフィルター基板とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に接着性が発現し、その接着性によって、前記装置本体と前記カラーフィルター基板とを接合していることを特徴とする。 An organic light-emitting device according to the present invention is provided between a first electrode and a second electrode arranged to face each other, and between the first electrode and the second electrode, and includes an organic light-emitting layer An apparatus body having a plurality of organic light emitting elements comprising a semiconductor layer;
A color filter provided to correspond to each of the organic light emitting elements, and a color filter substrate bonded to the apparatus body via a bonding film;
The bonding film includes a metal atom and a leaving group composed of an organic component,
The bonding film is energized to at least a part of the bonding film, so that the leaving group existing near the surface of the bonding film is detached from the bonding film and adheres to the region on the surface of the bonding film. It is characterized in that the device main body and the color filter substrate are joined by their adhesiveness.

本発明の有機発光装置では、前記接合膜は、流動性を有しない固体状のものであることが好ましい。
これにより、従来に比べて寸法精度が格段に高い有機発光装置が得られる。また、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
本発明の有機発光装置では、前記装置本体は、前記各有機発光素子を区画するように設けられたバンクを有することが好ましい。
これにより、隣接する有機発光素子同士の発光光が互いに混ざり合うのを防止することができる。 In the organic light-emitting device of the present invention, it is preferable that the bonding film is a solid having no fluidity.
As a result, an organic light-emitting device with significantly higher dimensional accuracy than the conventional one can be obtained. Further, since the time required for curing the adhesive is not required, strong bonding can be achieved in a short time.
In the organic light emitting device of the present invention, it is preferable that the device main body has a bank provided so as to partition the organic light emitting elements.
Thereby, it can prevent that the emitted light of adjacent organic light emitting elements mutually mixes.

本発明の有機発光装置では、前記接合膜を介して前記バンクと前記カラーフィルター基板とが接合されていることが好ましい。
これにより、有機半導体層で発生した熱を、バンクおよび接合膜を介してカラーフィルター基板から、確実かつ効率良く放熱することができる。
また、バンクは各有機発光素子を区画するように設けられているので、各有機発光素子とカラーフィルター基板との間の距離を均一にすることができ、また、バンクとカラーフィルター基板との接合箇所や接合面積を比較的多く確保することができ、装置本体とカラーフィルター基板との接合強度をさらに高くすることができる。 In the organic light-emitting device of the present invention, it is preferable that the bank and the color filter substrate are bonded via the bonding film.
Thereby, the heat generated in the organic semiconductor layer can be reliably and efficiently radiated from the color filter substrate via the bank and the bonding film.
Further, since the bank is provided so as to partition each organic light emitting element, the distance between each organic light emitting element and the color filter substrate can be made uniform, and the bonding between the bank and the color filter substrate can be performed. A relatively large number of locations and bonding areas can be secured, and the bonding strength between the apparatus main body and the color filter substrate can be further increased.

本発明の有機発光装置では、前記接合膜を介して、前記バンクと、前記カラーフィルター基板の隣接する前記カラーフィルター間の領域とが接合されていることが好ましい。
これにより、有機半導体層で発生した熱を、バンクおよび接合膜を介してカラーフィルター基板から、確実かつ効率良く放熱することができる。
また、バンクは各有機発光素子を区画するように設けられているので、各有機発光素子とカラーフィルター基板との間の距離を均一にすることができ、また、バンクとカラーフィルター基板との接合箇所や接合面積を比較的多く確保することができ、装置本体とカラーフィルター基板との接合強度をさらに高くすることができる。
また、バンクとカラーフィルター基板とが接合することによってカラーフィルターの有効領域が減少してしまうのを防止することができる。 In the organic light-emitting device of the present invention, it is preferable that the bank and a region between the color filters adjacent to the color filter substrate are bonded via the bonding film.
Thereby, the heat generated in the organic semiconductor layer can be reliably and efficiently radiated from the color filter substrate via the bank and the bonding film.
Further, since the bank is provided so as to partition each organic light emitting element, the distance between each organic light emitting element and the color filter substrate can be made uniform, and the bonding between the bank and the color filter substrate can be performed. A relatively large number of locations and bonding areas can be secured, and the bonding strength between the apparatus main body and the color filter substrate can be further increased.
Further, it is possible to prevent the effective area of the color filter from being reduced by bonding the bank and the color filter substrate.

本発明の有機発光装置では、前記バンクは、一端側が前記接合膜を介して前記カラーフィルター基板に接合され、他端側が前記第２の電極に接合されていることが好ましい。
これにより、有機半導体層で発生した熱を、第２の電極、バンクおよび接合膜を介してカラーフィルター基板から、確実かつ効率良く放熱することができる。
また、バンクは各有機発光素子を区画するように設けられているので、各有機発光素子とカラーフィルター基板との間の距離を均一にすることができ、また、バンクとカラーフィルター基板との接合箇所や接合面積を比較的多く確保することができ、装置本体とカラーフィルター基板との接合強度をさらに高くすることができる。 In the organic light emitting device of the present invention, it is preferable that one end side of the bank is bonded to the color filter substrate through the bonding film, and the other end side is bonded to the second electrode.
Thereby, the heat generated in the organic semiconductor layer can be reliably and efficiently radiated from the color filter substrate via the second electrode, the bank, and the bonding film.
Further, since the bank is provided so as to partition each organic light emitting element, the distance between each organic light emitting element and the color filter substrate can be made uniform, and the bonding between the bank and the color filter substrate can be performed. A relatively large number of locations and bonding areas can be secured, and the bonding strength between the apparatus main body and the color filter substrate can be further increased.

本発明の有機発光装置では、前記バンクの少なくとも一部を導電性材料で構成し、
前記バンクの前記導電性材料で構成された部位を前記第２の電極に接触させることにより、前記第２の電極の電気伝導度を向上させるよう構成したことが好ましい。
これにより、有機発光装置をより低電圧で駆動することが可能となる。
本発明の有機発光装置では、前記導電性材料は、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇおよびこれらを含む合金のうちの少なくとも１種を主成分とするものであることが好ましい。
バンクをかかる材料を主材料として構成することにより、バンクに優れた導電性を付与することができる。 In the organic light emitting device of the present invention, at least a part of the bank is made of a conductive material,
It is preferable that the electric conductivity of the second electrode is improved by bringing a portion of the bank made of the conductive material into contact with the second electrode.
Thereby, the organic light emitting device can be driven at a lower voltage.
In the organic light emitting device of the present invention, it is preferable that the conductive material is mainly composed of at least one of Al, Ni, Co, Ag, and an alloy containing these.
By configuring the bank with such a material as a main material, excellent conductivity can be imparted to the bank.

本発明の有機発光装置では、前記カラーフィルター基板は、前記バンクの前記各有機発光素子と反対側に設けられ、光の透過を阻止するブラックマトリクスを有することが好ましい。
これにより、ブラックマトリクスが設けられている領域から、有機発光素子からの光を、ブラックマトリクスの有機発光素子と反対側に取り出されるのを確実に防止することができる。これにより、有機発光装置により表示される画像または映像のコントラストの増大を図ることができる。 In the organic light-emitting device of the present invention, it is preferable that the color filter substrate has a black matrix that is provided on the opposite side of the bank from the organic light-emitting elements and blocks light transmission.
Thereby, it is possible to reliably prevent light from the organic light emitting element from being taken out from the region where the black matrix is provided to the side opposite to the organic light emitting element of the black matrix. Thereby, the contrast of the image or video displayed by the organic light emitting device can be increased.

本発明の有機発光装置では、前記第１の電極は、前記各有機発光素子毎に設けられ、
前記第２の電極は、平面視で前記各第１の電極を包含するように設けられた共通電極であることが好ましい。
これにより、個別に第２の電極を設けるのが省略され、有機発光装置の構造を簡単なものとすることができる。 In the organic light-emitting device of the present invention, the first electrode is provided for each organic light-emitting element,
The second electrode is preferably a common electrode provided so as to include the first electrodes in a plan view.
Thereby, the provision of the second electrode individually is omitted, and the structure of the organic light emitting device can be simplified.

本発明の有機発光装置では、前記各有機発光素子は、同色に発光するものであることが好ましい。
これにより、構成を簡素化することができる。
本発明の有機発光装置では、当該有機発光装置は、前記第１の電極を陽極、前記第２の電極を陰極とし、前記第２の電極側から光を取り出すトップエミッション構造の装置であることが好ましい。
これにより、装置本体とカラーフィルター基板とを接合した際の接合強度および寸法精度が高いトップエミッション構造の有機発光装置が得られる。 In the organic light-emitting device of the present invention, it is preferable that each organic light-emitting element emits light of the same color.
Thereby, a structure can be simplified.
In the organic light-emitting device of the present invention, the organic light-emitting device may be a device having a top emission structure in which the first electrode is an anode, the second electrode is a cathode, and light is extracted from the second electrode side. preferable.
As a result, an organic light emitting device having a top emission structure with high bonding strength and dimensional accuracy when the device main body and the color filter substrate are bonded to each other can be obtained.

本発明の電子機器は、本発明の有機発光装置を備えることを特徴とする。
これにより、装置本体とカラーフィルター基板とを接合した際の接合強度および寸法精度が高く、有機半導体層で発生した熱を、接合膜を介して効率良く放熱することができ、また、各有機発光素子が同色に発光するものである場合でもフルカラー表示が可能となる有機発光装置を有する電子機器が得られる。 An electronic apparatus according to the present invention includes the organic light-emitting device according to the present invention.
As a result, the bonding strength and dimensional accuracy when the device main body and the color filter substrate are bonded are high, the heat generated in the organic semiconductor layer can be efficiently radiated through the bonding film, and each organic light emission Even when the element emits light of the same color, an electronic device having an organic light emitting device capable of full color display can be obtained.

以下、本発明の有機発光装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。
＜有機発光装置＞
まず、本発明の有機発光装置の好適な実施形態について説明する。
＜＜第１実施形態＞＞
まず、本発明の有機発光装置の第１実施形態について説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the organic light-emitting device and the electronic apparatus of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
<Organic light emitting device>
First, a preferred embodiment of the organic light emitting device of the present invention will be described.
<< First Embodiment >>
First, a first embodiment of the organic light emitting device of the present invention will be described.

図１は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態を示す縦断面図、図２は、第１実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置の主要部を示す分解斜視図、図３は、第１実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図４は、第１実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図５は、第１実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜の作製に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す縦断面図、図６および図７は、それぞれ、第１実施形態にかかる示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
なお、以下の説明では、図１、図３〜図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a first embodiment of an active matrix display device to which the organic light emitting device of the present invention is applied, and FIG. 2 is an exploded view showing a main part of the active matrix display device according to the first embodiment. FIG. 3 is a partially enlarged view showing a state before the energy is applied to the bonding film included in the active matrix display device according to the first embodiment, and FIG. 4 is a diagram showing the active matrix display device according to the first embodiment. FIG. 5 is a longitudinal sectional view schematically showing a plasma polymerization apparatus used for producing a bonding film included in the active matrix display device according to the first embodiment. 6 and 7 are views (longitudinal sectional views) for explaining the method of manufacturing the active matrix display device according to the first embodiment. .
In the following description, the upper side in FIGS. 1 and 3 to 5 is referred to as “upper”, and the lower side is referred to as “lower”.

図１に示すアクティブマトリクス型表示装置（有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置）（以下、単に「表示装置」と言う。）１０は、ＴＦＴ回路基板（対向基板）２０と、このＴＦＴ回路基板２０上に設けられた複数の有機ＥＬ素子（有機発光素子）１と、ＴＦＴ回路基板２０に対向して設けられたカラーフィルター基板９と、ＴＦＴ回路基板２０とカラーフィルター基板９との間に設けられたバンク３１とを有している。ＴＦＴ回路基板２０、各有機ＥＬ素子１およびバンク３１により、装置本体１１の主要部が構成され、カラーフィルター基板９（本実施形態では、ブラックマトリクス７）は、接合膜３２を介してその装置本体１１（本実施形態では、バンク３１）に接合されている。すなわち、装置本体１１とカラーフィルター基板９とは、これらの間に介在する接合膜３２を介して互いに接合されている。 An active matrix display device (organic electroluminescence (EL) display device) (hereinafter simply referred to as a “display device”) 10 shown in FIG. 1 includes a TFT circuit substrate (counter substrate) 20 and a TFT circuit substrate 20. A plurality of organic EL elements (organic light-emitting elements) 1 provided on the substrate, a color filter substrate 9 provided to face the TFT circuit substrate 20, and the TFT circuit substrate 20 and the color filter substrate 9. And a bank 31. The TFT circuit substrate 20, each organic EL element 1, and the bank 31 constitute the main part of the device main body 11, and the color filter substrate 9 (in this embodiment, the black matrix 7) is connected to the device main body via the bonding film 32. 11 (in this embodiment, the bank 31). That is, the apparatus main body 11 and the color filter substrate 9 are bonded to each other via the bonding film 32 interposed therebetween.

ＴＦＴ回路基板２０は、基板２１と、この基板２１上に形成された回路部２２とを有している。
以下、このＴＦＴ回路基板２０について説明する。
基板２１は、表示装置１０を構成する各部の支持体となるものである。
また、本実施形態の表示装置１０は、カラーフィルター基板９（後述する陰極５）側から光を取り出す構成（トップエミッション型）であるため、基板２１は、特に、透明性は要求されない。
このような基板２１には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板が用いられ、これらの中でも比較的硬度の高いものが好適に用いられる。 The TFT circuit substrate 20 includes a substrate 21 and a circuit unit 22 formed on the substrate 21.
Hereinafter, the TFT circuit substrate 20 will be described.
The substrate 21 serves as a support for each part of the display device 10.
In addition, since the display device 10 of the present embodiment is configured to extract light from the color filter substrate 9 (cathode 5 described later) side (top emission type), the substrate 21 is not particularly required to be transparent.
As such a substrate 21, various glass material substrates and various resin substrates are used, and those having relatively high hardness are preferably used.

基板２１の平均厚さは、特に限定されないが、１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、５〜２０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
回路部２２は、各有機ＥＬ素子１が備える陽極３と陰極５における通電のＯＮ／ＯＦＦを切り替える機能を有するものであり、基板２１上に形成された下地保護層２３と、下地保護層２３上に形成された駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）２４と、第１層間絶縁層２５と、第２層間絶縁層２６とを有している。 Although the average thickness of the board | substrate 21 is not specifically limited, It is preferable that it is about 1-30 mm, and it is more preferable that it is about 5-20 mm.
The circuit unit 22 has a function of switching ON / OFF of energization in the anode 3 and the cathode 5 included in each organic EL element 1, and includes a base protective layer 23 formed on the substrate 21 and a base protective layer 23. A driving TFT (switching element) 24, a first interlayer insulating layer 25, and a second interlayer insulating layer 26.

駆動用ＴＦＴ２４は、半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
このような回路部２２上に、互いに対向するように配置された一対の電極（陽極３および陰極５）と、これらの電極間に設けられ、発光層を含む有機半導体層４とを備える有機ＥＬ素子（有機発光素子）１が、それぞれ、各駆動用ＴＦＴ２４に対応して複数設けられている。 The driving TFT 24 includes a semiconductor layer 241, a gate insulating layer 242 formed on the semiconductor layer 241, a gate electrode 243 formed on the gate insulating layer 242, a source electrode 244, and a drain electrode 245. ing.
An organic EL comprising a pair of electrodes (anode 3 and cathode 5) disposed so as to face each other on such a circuit portion 22, and an organic semiconductor layer 4 including a light emitting layer provided between these electrodes. A plurality of elements (organic light emitting elements) 1 are provided corresponding to the respective driving TFTs 24.

本実施形態では、各有機ＥＬ素子１の陽極３は、個別電極（画素電極）を構成し、各駆動用ＴＦＴ２４のドレイン電極２４５に配線（導電部）２７により電気的に接続されている。
また、各有機ＥＬ素子１の有機半導体層４は、一体的に形成されており、陰極５は、共通電極とされている。 In this embodiment, the anode 3 of each organic EL element 1 constitutes an individual electrode (pixel electrode) and is electrically connected to the drain electrode 245 of each driving TFT 24 by a wiring (conductive portion) 27.
Further, the organic semiconductor layer 4 of each organic EL element 1 is integrally formed, and the cathode 5 is a common electrode.

以下、この有機ＥＬ素子１について説明する。
図１に示すように、有機ＥＬ素子１は、各有機ＥＬ素子１毎に設けられた個別の陽極（第１の電極）３と、これらの陽極３を平面視で包含するように設けられた共通の陰極（第２の電極）５と、陽極３と陰極５との間に設けられた共通の有機半導体層４とを有している。 Hereinafter, the organic EL element 1 will be described.
As shown in FIG. 1, the organic EL element 1 is provided so as to include individual anodes (first electrodes) 3 provided for each organic EL element 1 and these anodes 3 in a plan view. It has a common cathode (second electrode) 5 and a common organic semiconductor layer 4 provided between the anode 3 and the cathode 5.

陽極３は、有機半導体層（後述する発光層）４に正孔を注入する電極である。
この陽極３の構成材料（陽極材料）としては、導電性を有するものであればよく、特に限定されないが、仕事関数が大きく、導電性に優れた材料を用いるのが好ましい。
このような陽極材料としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムと酸化亜鉛との複合物）、ＳｎＯ_２、Ｓｂ含有ＳｎＯ_２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。 The anode 3 is an electrode that injects holes into the organic semiconductor layer (a light emitting layer described later) 4.
The constituent material (anode material) of the anode 3 is not particularly limited as long as it has conductivity, but a material having a large work function and excellent conductivity is preferably used.
Examples of such an anode material include ITO (composite of indium oxide and zinc oxide), oxides such as SnO ₂ , Sb-containing SnO ₂ , and Al-containing ZnO, Al, Ni, Co, Au, Pt, and Ag. Cu, alloys containing these, and the like can be used, and at least one of them can be used.

陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。陽極３の厚さが薄すぎると、陽極３としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陽極３が厚過ぎると、後述する正孔と電子との再結合を有機半導体層４において行うことができず、有機ＥＬ素子１の発光効率等の特性が低下するおそれがある。
なお、陽極材料には、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂材料を用いることもできる。 The average thickness of the anode 3 is not particularly limited, but is preferably about 10 to 200 nm, and more preferably about 50 to 150 nm. If the thickness of the anode 3 is too thin, the function as the anode 3 may not be sufficiently exhibited. On the other hand, if the anode 3 is too thick, recombination of holes and electrons, which will be described later, occurs in the organic semiconductor layer 4. This cannot be performed, and characteristics such as light emission efficiency of the organic EL element 1 may be deteriorated.
As the anode material, for example, a conductive resin material such as polythiophene or polypyrrole can be used.

このような陽極３は、光反射性を有するのが好ましい。これにより、後述する有機半導体層４で発光した光が陽極３（有機ＥＬ素子１の後述するブラックマトリクス７と反対側の電極）側で吸収（吸光）されることなく、陰極５（後述するバンク３１）側に反射されて、カラーフィルター６を通過する光の量を増大させることができる。その結果、有機ＥＬ素子１の発光効率や光の取り出し効率等の特性が向上をすることとなる。
かかる構成の陽極３は、前述したような陽極材料のうち、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇまたはこれらを含む合金で、少なくとも陽極３の表面を構成することにより形成することができる。 Such an anode 3 preferably has light reflectivity. Thus, the light emitted from the organic semiconductor layer 4 described later is not absorbed (absorbed) on the anode 3 (electrode opposite to the black matrix 7 described later of the organic EL element 1) side, and the cathode 5 (bank described later). It is possible to increase the amount of light reflected by the 31) side and passing through the color filter 6. As a result, characteristics such as the light emission efficiency and light extraction efficiency of the organic EL element 1 are improved.
The anode 3 having such a configuration can be formed by forming at least the surface of the anode 3 with Al, Ni, Co, Ag, or an alloy containing these among the anode materials as described above.

一方、陰極５は、有機半導体層４に電子を注入する電極である。
この陰極５の構成材料（陰極材料）としては、表示装置１０が陰極５側から光を取り出すトップエミッション構造であるため透光性（光透過性）を有する導電性材料が選択される。
このような陰極材料としては、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、等の透明導電性材料が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。 On the other hand, the cathode 5 is an electrode for injecting electrons into the organic semiconductor layer 4.
As the constituent material (cathode material) of the cathode 5, a conductive material having translucency (light transmittance) is selected because the display device 10 has a top emission structure in which light is extracted from the cathode 5 side.
Examples of such cathode materials include indium tin oxide (ITO), fluorine-containing indium tin oxide (FITO), antimony tin oxide (ATO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), and tin oxide (SnO ₂ ). ), Zinc oxide (ZnO), fluorine-containing tin oxide (FTO), fluorine-containing indium oxide (FIO), indium oxide (IO), and the like, and at least one of these is used. Can do.

陰極５の平均厚さは、特に限定されないが、１００〜３０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５００〜２０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陰極５の厚さが薄すぎると、陰極５としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陰極５が厚過ぎると、陰極材料の種類等によっては、光の透過率が低下して、トップエミッション型の構造を有する有機ＥＬ素子１として、実用に適さなくなるおそれがある。 The average thickness of the cathode 5 is not particularly limited, but is preferably about 100 to 3000 nm, and more preferably about 500 to 2000 nm. If the thickness of the cathode 5 is too thin, the function as the cathode 5 may not be sufficiently exhibited. On the other hand, if the cathode 5 is too thick, the light transmittance may be reduced depending on the type of the cathode material. The organic EL element 1 having a top emission type structure may not be suitable for practical use.

このような陰極５は、その光（可視光領域）の透過率が好ましくは６０％以上、より好ましくは８０％以上となっている。これにより、光を効率よく陰極５側から取り出すことができる。
前記陽極３と陰極５との間には、有機半導体層４が設けられている。本実施形態では、この有機半導体層４は、発光層で構成される単層体となっている。 Such a cathode 5 has a light transmittance (visible light region) of preferably 60% or more, more preferably 80% or more. Thereby, light can be efficiently extracted from the cathode 5 side.
An organic semiconductor layer 4 is provided between the anode 3 and the cathode 5. In the present embodiment, the organic semiconductor layer 4 is a single layer composed of a light emitting layer.

ここで、個別の陽極３と共通の陰極５との間に通電（電圧を印加）すると、陽極３から発光層（有機半導体層４）に正孔が注入され、また、陰極５から電子が発光層に注入され、この発光層の個別に設けられた陽極３に対応する領域において正孔と電子とが再結合する。そして、発光層の前記領域ではエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。すなわち、各有機ＥＬ素子１（陽極３）の形状に対応して、有機半導体層（発光層）４が光を発光する。 Here, when energization (voltage is applied) between the individual anode 3 and the common cathode 5, holes are injected from the anode 3 into the light emitting layer (organic semiconductor layer 4), and electrons are emitted from the cathode 5. Holes and electrons are recombined in the regions corresponding to the individually provided anodes 3 of the light emitting layer. Then, excitons (excitons) are generated in the region of the light emitting layer, and energy (fluorescence or phosphorescence) is emitted (emitted) when the excitons return to the ground state. That is, the organic semiconductor layer (light emitting layer) 4 emits light corresponding to the shape of each organic EL element 1 (anode 3).

発光層の構成材料（発光材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ_３）、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）のような低分子系のものや、オキサジアゾール系高分子、トリアゾール系高分子、カルバゾール系高分子のような高分子系のものが挙げられ、これらの１種または２種以上を組み合わせて、目的とする発光色を得ることができる。
なお、発光層は、このような発光材料のうちの１種または２種以上で構成される単層体であってもよいし、複層体であってもよい。 As a constituent material (luminescent material) of the light emitting layer, for example, 1,3,5-tris [(3-phenyl-6-tri-fluoromethyl) quinoxalin-2-yl] benzene (TPQ1), 1,3,5 Benzene compounds such as tris [{3- (4-t-butylphenyl) -6-trisfluoromethyl} quinoxalin-2-yl] benzene (TPQ2), phthalocyanine, copper phthalocyanine (CuPc), iron phthalocyanine Low molecular weight compounds such as non-metallic or metal-free phthalocyanine compounds, tris (8-hydroxyquinolinolate) aluminum (Alq ₃ ), factory (2-phenylpyridine) iridium (Ir (ppy) ₃ ) Polymers such as oxadiazole polymers, triazole polymers, carbazole polymers The desired luminescent color can be obtained by combining one or more of these.
In addition, the light emitting layer may be a single layer composed of one or more of such light emitting materials, or may be a multilayer.

本実施形態では、各有機ＥＬ素子１がいずれも白色光を発光するように構成され（同色に発光するように構成され）、この白色光を後述するカラーフィルター（色素層）６Ｒ、６Ｇ、６Ｂにそれぞれ透過させて、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の光に色調を変換させ、表示装置１０のフルカラー表示が可能となっている。
ここで、白色光を発光する有機半導体層４としては、例えば、青色発光する１、１、４、４−テトラフェニル−１、３−ブタジエン（ＴＰＢ）と、赤色発光する（４−ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（パラジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）およびナイルレッドと、緑色発光するクマリン６とを組み合わせて構成したもの等が挙げられる。 In this embodiment, each organic EL element 1 is configured to emit white light (configured to emit light of the same color), and color filters (pigment layers) 6R, 6G, and 6B described later. And the color tone is converted into red (R), green (G), and blue (B) light, respectively, so that the display device 10 can display in full color.
Here, as the organic semiconductor layer 4 that emits white light, for example, 1,1,4,4-tetraphenyl-1,3-butadiene (TPB) that emits blue light and red light (4-dicyanomethylene). Examples thereof include a combination of 2-methyl-6- (paradimethylaminostyryl) -4H-pyran (DCM) and Nile red and coumarin 6 that emits green light.

発光層の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、有機半導体層４は、本実施形態で示したような単層体の他、発光層を含む複数の層が積層された積層体であってもよい。
有機半導体層４をかかる構成とする場合、陽極３と発光層との間には、例えば、陽極３から注入された正孔を発光層まで輸送する機能を有する正孔輸送層を設けるようにすればよい。さらには、この正孔輸送層と陽極３との間に、陽極３から正孔輸送層への正孔の注入効率を向上させる正孔注入層を設けるようにしてもよい。 Although the average thickness of a light emitting layer is not specifically limited, It is preferable that it is about 10-150 nm, and it is more preferable that it is about 50-100 nm.
The organic semiconductor layer 4 may be a stacked body in which a plurality of layers including a light emitting layer are stacked in addition to a single layer body as shown in the present embodiment.
When the organic semiconductor layer 4 has such a configuration, for example, a hole transport layer having a function of transporting holes injected from the anode 3 to the light emitting layer is provided between the anode 3 and the light emitting layer. That's fine. Furthermore, a hole injection layer that improves the efficiency of hole injection from the anode 3 to the hole transport layer may be provided between the hole transport layer and the anode 3.

また、陰極５と発光層との間には、例えば、陰極５から注入された電子を発光層まで輸送する機能を有する電子輸送層を設けるようにすればよい。さらには、この電子輸送層と陰極５との間に、陰極５から電子輸送層への電子の注入効率を向上させる電子注入層を設けるようにしてもよい。
この正孔輸送層の構成材料（正孔輸送材料）としては、例えば、ポリアリールアミン、フルオレン−アリールアミン共重合体、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。 Further, an electron transport layer having a function of transporting electrons injected from the cathode 5 to the light emitting layer may be provided between the cathode 5 and the light emitting layer, for example. Furthermore, an electron injection layer that improves the injection efficiency of electrons from the cathode 5 to the electron transport layer may be provided between the electron transport layer and the cathode 5.
As a constituent material (hole transport material) of this hole transport layer, for example, polyarylamine, fluorene-arylamine copolymer, fluorene-bithiophene copolymer, poly (N-vinylcarbazole), polyvinylpyrene, polyvinyl Anthracene, polythiophene, polyalkylthiophene, polyhexylthiophene, poly (p-phenylene vinylene), polytinylene vinylene, pyrene formaldehyde resin, ethylcarbazole formaldehyde resin or derivatives thereof, and the like, one or two of these A combination of the above can be used.

また、前記化合物は、他の化合物との混合物として用いることもできる。一例として、ポリチオフェンを含有する混合物としては、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等が挙げられる。
このような正孔輸送層の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。 Moreover, the said compound can also be used as a mixture with another compound. As an example, the polythiophene-containing mixture includes poly (3,4-ethylenedioxythiophene / styrene sulfonic acid) (PEDOT / PSS) and the like.
The average thickness of such a hole transport layer is not particularly limited, but is preferably about 10 to 150 nm, and more preferably about 50 to 100 nm.

正孔注入層の構成材料（正孔注入材料）としては、例えば、銅フタロシアニンや、４，４‘，４‘‘−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
電子輸送層の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン系化合物、フェナントレン系化合物、クリセン系化合物、ペリレン系化合物、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、アクリジン系化合物、スチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ブタジエン系化合物、クマリン系化合物、キノリン系化合物、ビスチリル系化合物、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリン系化合物、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）のようなオキサジアゾール系化合物、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロン系化合物、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレン系化合物、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ_３）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。 As a constituent material (hole injection material) of the hole injection layer, for example, copper phthalocyanine, 4,4 ′, 4 ″ -tris (N, N-phenyl-3-methylphenylamino) triphenylamine (m -MTDATA) and the like.
As a constituent material (electron transport material) of the electron transport layer, for example, 1,3,5-tris [(3-phenyl-6-tri-fluoromethyl) quinoxalin-2-yl] benzene (TPQ1), 1,3 , 5-tris [{3- (4-t-butylphenyl) -6-trisfluoromethyl} quinoxalin-2-yl] benzene (TPQ2), naphthalene compound, phenanthrene compound, chrysene Compounds, perylene compounds, anthracene compounds, pyrene compounds, acridine compounds, stilbene compounds, thiophene compounds such as BBOT, butadiene compounds, coumarin compounds, quinoline compounds, bistyryl compounds, distyryl pyrazines Pyrazine compounds, quinoxaline compounds, 2,5-diphenyl Benzoquinone compounds such as para-benzoquinone, naphthoquinone compounds, anthraquinone compounds, 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (PBD) Oxadiazole compounds, triazole compounds such as 3,4,5-triphenyl-1,2,4-triazole, oxazole compounds, anthrone compounds, 1,3,8-trinitro-fluorenone (TNF) ) Fluorenone compound, MBDQ diphenoquinone compound, MBSQ stilbenequinone compound, anthraquinodimethane compound, thiopyran dioxide compound, fluorenylidene methane compound, diphenyldicyanoethylene compound Compounds, fluorene compounds, 8-hydroxy Quinoline aluminum (Alq _3), benzoxazole or benzothiazole include various metal complexes such as complexes having a ligand, can be used singly or in combination of two or more of them.

電子輸送層の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、電子注入層の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、８−ヒドロキシキノリン、オキサジアゾール、または、これらの誘導体（例えば、８−ヒドロキシキノリンを含む金属キレートオキシノイド化合物）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上組み合わせて用いることができる。 Although the average thickness of an electron carrying layer is not specifically limited, It is preferable that it is about 1-100 nm, and it is more preferable that it is about 20-50 nm.
Examples of the constituent material (electron injection material) of the electron injection layer include 8-hydroxyquinoline, oxadiazole, or derivatives thereof (for example, metal chelate oxinoid compounds containing 8-hydroxyquinoline). These can be used alone or in combination of two or more.

さて、カラーフィルター基板９は、上基板８と、この上基板８上に設けられたカラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂと、各カラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ同士を区画するブラックマトリクス７とで構成されている。
上基板８は、例えば、有機ＥＬ素子１を保護する保護層等として機能するものである。
このような上基板８を設けることにより、有機ＥＬ素子１が酸素や水分に接触するのをより好適に防止または低減できることから、有機ＥＬ素子１の信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果をより確実に得ることができる。 The color filter substrate 9 includes an upper substrate 8, color filters 6R, 6G, and 6B provided on the upper substrate 8, and a black matrix 7 that partitions the color filters 6R, 6G, and 6B. ing.
The upper substrate 8 functions as, for example, a protective layer that protects the organic EL element 1.
By providing the upper substrate 8 as described above, it is possible to more suitably prevent or reduce the contact of the organic EL element 1 with oxygen or moisture. Therefore, the reliability of the organic EL element 1 is improved, and the deterioration / deterioration is prevented. The effect of can be obtained more reliably.

また、本実施形態の表示装置１０は、カラーフィルター基板９すなわち上基板８側から光を取り出す構成（トップエミッション型）であるため、上基板８は、実質的に透明（無色透明、着色透明、半透明）とされる。
このような上基板８には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板のうち透明なものが選択され、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料等を主材料として構成される基板を用いることができる。 In addition, since the display device 10 of the present embodiment is configured to extract light from the color filter substrate 9, that is, the upper substrate 8 side (top emission type), the upper substrate 8 is substantially transparent (colorless transparent, colored transparent, Translucent).
As such an upper substrate 8, a transparent one of various glass material substrates and various resin substrates is selected. For example, glass materials such as quartz glass and soda glass, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polypropylene, cyclohexane are selected. A substrate composed mainly of a resin material such as olefin polymer, polyamide, polyether sulfone, polymethyl methacrylate, polycarbonate, polyarylate, or the like can be used.

上基板８の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
この上基板８の下には、各有機ＥＬ素子１に対応するように、それぞれ、カラーフィルター（色素層）６Ｒ、６Ｇ、６Ｂが設けられている。
複数のカラーフィルター（色素層）６Ｒ、６Ｇ、６Ｂは、赤色のカラーフィルター６Ｒと、緑色のカラーフィルター６Ｇと、青色のカラーフィルター６Ｂとで構成され、図２に示すように、マトリクス状に配設された３つのカラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ（三原色）が１組となって１画素（ピクセル）を構成する。 The average thickness of the upper substrate 8 is not particularly limited, but is preferably about 0.1 to 30 mm, and more preferably about 0.1 to 10 mm.
Under the upper substrate 8, color filters (dye layers) 6R, 6G, and 6B are provided so as to correspond to the respective organic EL elements 1.
The plurality of color filters (pigment layers) 6R, 6G, 6B are composed of a red color filter 6R, a green color filter 6G, and a blue color filter 6B, and are arranged in a matrix as shown in FIG. The three color filters 6R, 6G, and 6B (three primary colors) provided constitute one set and constitute one pixel (pixel).

ここで、有機ＥＬ素子１から発光された光（白色光）は、カラーフィルター（色素層）６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを透過して、上基板８の有機ＥＬ素子１と反対側に取り出されるが、この際、各白色光は、各カラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂに対応した色に色調が変換されることとなる。
なお、以下では、カラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを総称してカラーフィルター６ということもある。 Here, the light (white light) emitted from the organic EL element 1 passes through the color filters (dye layers) 6R, 6G, and 6B and is extracted to the opposite side of the upper substrate 8 from the organic EL element 1. At this time, the color tone of each white light is converted to a color corresponding to each color filter 6R, 6G, 6B.
Hereinafter, the color filters 6R, 6G, and 6B may be collectively referred to as the color filter 6.

このようなカラーフィルター６には、例えば、前述したような透明な樹脂材料やレジスト材料を主材料として構成され、この主材料を着色する着色剤を含む（添加した）ものを用いることができる。
レジスト材料としては、ロジン−重クロム酸塩、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）−重クロム酸塩、セラック−重クロム酸塩、カゼイン−重クロム酸塩、ＰＶＡ−ジアゾ、アクリル系フォトレジスト等のような水溶性フォトレジスト、ポリケイ皮酸ビニル、環化ゴム−アジド、ポリビニルシンナミリデンアセタート、ポリケイ皮酸β−ビニロキシエチルエステル等のような油溶性フォトレジスト等のネガ型フォトレジストや、ｏ−ナフトキノンジアジド等のような油溶性フォトレジスト等のポジ型フォトレジストが挙げられる。
また、着色剤としては、例えば、染料または顔料を用いることができるが、耐光性および耐候性の観点から、微粒子状の顔料を用いることが好ましい。 As such a color filter 6, for example, a transparent resin material or a resist material as described above can be used as a main material, and a colorant containing (added to) a coloring agent for coloring the main material can be used.
The resist material is water-soluble such as rosin-bichromate, polyvinyl alcohol (PVA) -bichromate, shellac-bichromate, casein-bichromate, PVA-diazo, acrylic photoresist, etc. Negative photoresists such as oil-soluble photoresists such as water-soluble photoresists, polyvinyl cinnamate, cyclized rubber-azide, polyvinylcinnamylidene acetate, polycinnamic acid β-vinyloxyethyl ester, and o-naphtho And positive photoresists such as oil-soluble photoresists such as quinonediazide.
As the colorant, for example, a dye or a pigment can be used. From the viewpoint of light resistance and weather resistance, it is preferable to use a fine pigment.

カラーフィルター６Ｒに用いられる赤色の顔料としては、例えば、ペリレン系顔料、レーキ顔料、アゾ系顔料、キナクリドン系顔料、アントラキノン系顔料、アントラセン系顔料およびイソインドリン系顔料等が、カラーフィルター６Ｇに用いられる緑色の顔料としては、例えば、ハロゲン多置換フタロシアニン系顔料、ハロゲン多置換銅フタロシアニン系顔料、トリフェニルメタン系塩基性染料、イソインドリン系顔料およびイソインドリノン系の顔料等が、カラーフィルター６Ｂに用いられる青色の顔料としては、例えば、銅フタロシアニン系顔料、インダンスレン系顔料、インドフェノール系顔料、シアニン系顔料およびジオキサジン系顔料等がそれぞれ挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
カラーフィルター６の平均厚さは、特に限定されないが、０．５〜１０μｍ程度であるのが好ましく、０．５〜３μｍ程度であるのがより好ましい。 Examples of red pigments used in the color filter 6R include perylene pigments, lake pigments, azo pigments, quinacridone pigments, anthraquinone pigments, anthracene pigments, and isoindoline pigments. As the green pigment, for example, a halogen polysubstituted phthalocyanine pigment, a halogen polysubstituted copper phthalocyanine pigment, a triphenylmethane basic dye, an isoindoline pigment, and an isoindolinone pigment are used for the color filter 6B. Examples of blue pigments include copper phthalocyanine pigments, indanthrene pigments, indophenol pigments, cyanine pigments and dioxazine pigments, and one or more of these are combined. Can be used .
The average thickness of the color filter 6 is not particularly limited, but is preferably about 0.5 to 10 μm, and more preferably about 0.5 to 3 μm.

また、隣接するカラーフィルター６同士の間（バンク３１の各有機ＥＬ素子１と反対側）には、ブラックマトリクス７が設けられている。ブラックマトリクス７の平面視での形状は、格子状をなしており、隣接するカラーフィルター６同士は、このブラックマトリクス７により区画されている。
ブラックマトリクス７は、光の透過を阻止する（遮光）機能を有している。そのため、カラーフィルター基板９を、ブラックマトリクス７を備える構成とすることより、ブラックマトリクス７が設けられている領域から、有機ＥＬ素子１からの光を、上基板８（ブラックマトリクス７）の有機ＥＬ素子１と反対側に取り出される（出射する）のを確実に防止することができる。これにより、表示装置１０により表示される画像または映像のコントラストの増大を図ることができる。 A black matrix 7 is provided between the adjacent color filters 6 (on the side opposite to each organic EL element 1 in the bank 31). The shape of the black matrix 7 in plan view is a lattice shape, and the adjacent color filters 6 are partitioned by the black matrix 7.
The black matrix 7 has a function of blocking light transmission (light shielding). For this reason, the color filter substrate 9 is configured to include the black matrix 7 so that light from the organic EL element 1 is transmitted from the region where the black matrix 7 is provided to the organic EL of the upper substrate 8 (black matrix 7). It can be reliably prevented from being taken out (emitted) to the side opposite to the element 1. Thereby, the contrast of the image or video displayed by the display device 10 can be increased.

このようなブラックマトリクス７は、例えば、カーボンやチタン等を分散させた透明な樹脂またはレジスト層の他、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、ＺｎおよびＴｉ等で構成されている。
ブラックマトリクス７は、カラーフィルター６と連続した平滑面で構成されているのが好ましく、その平均厚さは、カラーフィルター６と同様に、０．５〜１０μｍ程度であるのが好ましく、０．５〜２μｍ程度であるのがより好ましい。
また、カラーフィルター基板９（ブラックマトリクス７）とＴＦＴ回路基板２０（有機ＥＬ素子１）との間には、バンク３１が設けられている。 Such a black matrix 7 is made of, for example, Cr, Al, Ni, Zn, Ti and the like in addition to a transparent resin or resist layer in which carbon, titanium, or the like is dispersed.
The black matrix 7 is preferably composed of a smooth surface continuous with the color filter 6, and the average thickness thereof is preferably about 0.5 to 10 μm, similar to the color filter 6. More preferably, it is about ˜2 μm.
A bank 31 is provided between the color filter substrate 9 (black matrix 7) and the TFT circuit substrate 20 (organic EL element 1).

図１に示すように、本実施形態では、バンク３１は、ブラックマトリクス７のパターンとほぼ等しいパターンをなし（バンク３１の平面視での形状は、格子状をなし）、陰極５上に形成されており、バンク３１上に形成された接合膜３２を介してブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）に接合されている。換言すれば、バンク３１は、その一端側、すなわち基部３１１が、接合膜３２を介してブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）に接合され、その他端側、すなわち頂部３１２が陰極５に接合されている。これにより、有機ＥＬ素子１とカラーフィルター６との間には、バンク３１により区画される空間３６が形成されている。 As shown in FIG. 1, in the present embodiment, the bank 31 has a pattern substantially equal to the pattern of the black matrix 7 (the shape of the bank 31 in a plan view is a lattice shape) and is formed on the cathode 5. And bonded to the black matrix 7 (color filter substrate 9) through a bonding film 32 formed on the bank 31. In other words, one end side of the bank 31, that is, the base portion 311 is bonded to the black matrix 7 (color filter substrate 9) via the bonding film 32, and the other end side, that is, the top portion 312 is bonded to the cathode 5. Yes. Thereby, a space 36 partitioned by the bank 31 is formed between the organic EL element 1 and the color filter 6.

接合膜３２は、エネルギー付与前において、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合３０２を含むランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１と、このＳｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３とを含むものである。そして、この接合膜３２は、エネルギーを付与したことにより、脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離し、これにより接合膜３２の表面に接着性が発現し、その接着性によって、バンク３１（装置本体１１）とブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）とを接合している。 The bonding film 32 includes a Si skeleton 301 having a random atomic structure including a siloxane (Si—O) bond 302 and a leaving group 303 bonded to the Si skeleton 301 before energy is applied. Then, the bonding film 32 is provided with energy, whereby the leaving group 303 is detached from the Si skeleton 301, whereby adhesiveness is developed on the surface of the bonding film 32, and the bank 31 (device) is formed by the adhesiveness. The main body 11) and the black matrix 7 (color filter substrate 9) are joined.

このような接合膜３２は、シロキサン結合３０２を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１の影響によって、変形し難い強固な膜となる。このような構造の接合膜３２は、その厚さを薄くしても十分な接合強度が得られる。このため、接合膜３２は、十分に薄いにもかかわらず、バンク３１とカラーフィルター基板９とを強固に接合することができる。また、接合膜３２は、優れた伝熱性（熱伝導性）を有しており、さらに、前記のように、その厚さを十分に薄くすることができるので、バンク３１とカラーフィルター基板９との間の熱抵抗を小さくすることができる。 Such a bonding film 32 becomes a strong film that is difficult to be deformed due to the influence of the Si skeleton 301 including the siloxane bond 302 and having a random atomic structure. Even if the thickness of the bonding film 32 having such a structure is reduced, sufficient bonding strength can be obtained. Therefore, although the bonding film 32 is sufficiently thin, the bank 31 and the color filter substrate 9 can be bonded firmly. In addition, the bonding film 32 has excellent heat conductivity (thermal conductivity) and, as described above, since the thickness can be sufficiently reduced, the bank 31 and the color filter substrate 9 The thermal resistance between the two can be reduced.

ここで、仮にバンク３１を設けない場合、他の条件によっては、隣接する有機ＥＬ素子からの光が混ざり合うクロストーク現象が生じ、これに起因して、表示装置により表示される画像に色ムラが生じてしまう場合がある。
これに対して、表示装置１０では、バンク３１を設けたので、このバンク３１が各有機ＥＬ素子１を区画する遮光板として機能して、特定の空間３６から隣接する空間３６への光の漏れ出しを確実に防止することができる。その結果、表示装置１０では、クロストーク現象の発生を防止して、画像にムラが生じるのを防止することができる。 Here, if the bank 31 is not provided, depending on other conditions, a crosstalk phenomenon occurs in which light from adjacent organic EL elements is mixed, resulting in color unevenness in an image displayed by the display device. May occur.
On the other hand, since the bank 31 is provided in the display device 10, the bank 31 functions as a light shielding plate that partitions each organic EL element 1, and light leaks from the specific space 36 to the adjacent space 36. It is possible to reliably prevent the ejection. As a result, in the display device 10, it is possible to prevent the occurrence of the crosstalk phenomenon and the occurrence of unevenness in the image.

また、バンク３１を設けることにより、カラーフィルター６を有機ＥＬ素子１に対して近づけることや、ブラックマトリクス７の形成領域を大きくする必要がなくなるので、カラーフィルター６の開口率を大きく設定することが可能となる。 Further, by providing the bank 31, it is not necessary to bring the color filter 6 closer to the organic EL element 1 or to increase the formation area of the black matrix 7, so that the aperture ratio of the color filter 6 can be set large. It becomes possible.

また、本実施形態では、バンク３１の内側の面を、有機ＥＬ素子１からの光を反射し得る反射面で構成した。そのため、図１に示すように、有機ＥＬ素子１からの光のうち、対応するカラーフィルター（開口部）６から外れた方向に向かう光Ｌ_１を、バンク３１の内面（反射面）で反射して、カラーフィルター６内に誘導する（導く）ことができる。その結果、光Ｌ_２とともにカラーフィルター６を透過させて、上基板８の有機ＥＬ素子１と反対側に取り出すことができるようになる。これにより、有機ＥＬ素子１の発光輝度、光の取り出し効率の向上を図ることとができるとともに、表示装置１０の低消費電力化および長寿命化を実現することができる。 In the present embodiment, the inner surface of the bank 31 is configured as a reflective surface that can reflect the light from the organic EL element 1. Therefore, as shown in FIG. 1, among the light from the organic EL element 1, the light L ₁ that goes in the direction away from the corresponding color filter (opening) 6 is reflected by the inner surface (reflection surface) of the bank 31. Thus, it can be guided (guided) into the color filter 6. As a result, the light L ₂ can be transmitted through the color filter 6 and extracted from the upper substrate 8 on the side opposite to the organic EL element 1. Thereby, the light emission luminance and light extraction efficiency of the organic EL element 1 can be improved, and the power consumption and the life of the display device 10 can be reduced.

本実施形態では、バンク３１は、図２に示すように、それぞれ、枠状（四角形の環状）をなしており、隣り合うバンク３１同士と一体的に設けられている。
なお、バンク３１は、有機ＥＬ素子１を取り囲むように設けられていればよく、その枠の形状は、本実施形態のような四角形の環状の他、例えば、円形、楕円形、五角形、六角形等の多角形等の環状ように、いかなるものであってもよい。 In the present embodiment, as shown in FIG. 2, the banks 31 each have a frame shape (rectangular ring shape), and are provided integrally with adjacent banks 31.
The bank 31 only needs to be provided so as to surround the organic EL element 1, and the shape of the frame is, for example, a circle, an ellipse, a pentagon, a hexagon other than a quadrangular ring as in the present embodiment. Any shape such as a polygon such as a polygon may be used.

また、図示の構成では、バンク３１の幅（図１に示す長さＷ）は、バンク３１の厚さ方向（上下方向）に沿って一定であるが、バンク３１は、有機ＥＬ素子１側に向かって（基部３１１から頂部３１２に向かって）、その幅が小さくなる部分を有しているのが好ましい。すなわち、バンク３１の厚さ方向に垂直な方向の断面積が小さくなる部分を有しているのが好ましい。これにより、後述する表示装置１０の製造方法において、アライメントの精度が低い場合等においても、比較的容易に、有機ＥＬ素子１と接触することなく、有機ＥＬ素子１を取り囲むようにバンク３１により区画することができる。 In the illustrated configuration, the width of the bank 31 (length W shown in FIG. 1) is constant along the thickness direction (vertical direction) of the bank 31, but the bank 31 is located on the organic EL element 1 side. It is preferable to have a portion whose width decreases toward the top (from the base 311 toward the top 312). That is, it is preferable to have a portion where the cross-sectional area in the direction perpendicular to the thickness direction of the bank 31 is small. Thereby, in the manufacturing method of the display device 10 to be described later, even when the alignment accuracy is low, the banks are partitioned by the banks 31 so as to surround the organic EL element 1 relatively easily without contacting the organic EL element 1. can do.

具体的には、バンク３１の有機ＥＬ素子１と反対側の面と、バンク３１の内面とのなす角度（図１に示す角度θ）は、図示の構成では９０°であるが、６０°以上、９０°未満であるのが好ましく、７０°以上、９０°未満であるのがより好ましい。かかる関係を満足することにより、前述したような効果を確実に発揮させることができる。
なお、前記角度θは、９０°を超えていてもよく、また、６０°未満であってもよいことは、言うまでもない。 Specifically, the angle formed between the surface of the bank 31 opposite to the organic EL element 1 and the inner surface of the bank 31 (angle θ shown in FIG. 1) is 90 ° in the illustrated configuration, but is 60 ° or more. The angle is preferably less than 90 °, more preferably 70 ° or more and less than 90 °. By satisfying such a relationship, the effects as described above can be surely exhibited.
Needless to say, the angle θ may exceed 90 ° or may be less than 60 °.

また、バンク３１は、その内面の反射率が、好ましくは６０〜９９．８％程度、より好ましくは９０〜９９．８％程度となっている。これにより、バンク３１に入射（到達）した光Ｌ_１がその内面で吸収されるのを好適に防止または抑制することができる。その結果、光Ｌ_１がバンク３１の内面で反射して、カラーフィルター６を確実に透過することとなる。 Moreover, the reflectance of the inner surface of the bank 31 is preferably about 60 to 99.8%, more preferably about 90 to 99.8%. Thus, the light L ₁ incident (reach) the bank 31 can be suitably prevented or suppressed from being absorbed by the inner surface thereof. As a result, the light L ₁ is reflected by the inner surface of the bank 31 and is reliably transmitted through the color filter 6.

かかる関係を満足するバンク３１とするには、その内面の表面粗さＲａをできるだけ小さく設定するのが好ましい。
具体的には、バンク３１は、その構成材料の種類によっても若干異なるが、内面の表面粗さＲａ（ＪＩＳＢ０６０１に規定）が１００ｎｍ以下であるのが好ましく、８０〜３０ｎｍ程度であるのがより好ましい。これにより、バンク３１の内面は、特に高い反射率を有するものとなる。 In order to obtain the bank 31 that satisfies such a relationship, it is preferable to set the surface roughness Ra of the inner surface as small as possible.
Specifically, the bank 31 has a slightly different surface roughness Ra (as defined in JIS B 0601) of 100 nm or less, preferably about 80 to 30 nm, although it varies slightly depending on the type of constituent material. More preferred. Thereby, the inner surface of the bank 31 has a particularly high reflectance.

また、本実施形態では、カラーフィルター（開口部）６の面積（開口面積）は、陽極３および陰極５（有機ＥＬ素子１が備える一対の電極）のうち、その面積が小さい陽極３よりも大きくなっている。これにより、有機ＥＬ素子１からの光を、空間３６内で反射させることなく確実に上基板８の上側（バンク３１と反対側）に取り出すことができる。
具体的には、陽極３の平面積（平面積が小さい方の平面積）をＡ［μｍ^２］とし、カラーフィルター６の面積（開口面積）をＢ［μｍ^２］としたとき、Ｂ／Ａが１．０〜１．５なる関係を満足するのが好ましく、１．０〜１．２なる関係を満足するのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。 In the present embodiment, the area (opening area) of the color filter (opening) 6 is larger than the anode 3 having a smaller area among the anode 3 and the cathode 5 (a pair of electrodes included in the organic EL element 1). It has become. Thereby, the light from the organic EL element 1 can be reliably extracted to the upper side of the upper substrate 8 (the side opposite to the bank 31) without being reflected in the space 36.
Specifically, when the plane area of the anode 3 (the plane area of the smaller plane area) is A [μm ² ] and the area (opening area) of the color filter 6 is B [μm ² ], B / A Preferably satisfies the relationship of 1.0 to 1.5, and more preferably satisfies the relationship of 1.0 to 1.2. Thereby, the effects as described above can be more remarkably exhibited.

バンク３１の平均高さは、特に限定されないが、１〜３５μｍ程度とするのが好ましく、５〜１５μｍ程度とするのがより好ましい。これにより、表示装置１０の大型化を防止しつつ、有機ＥＬ素子１からの光を、確実に上基板８の上側に取り出すことができる。
また、本実施形態のように、カラーフィルター６が平面視で四角形状をなす場合には、このバンク３１の平均高さをＣ［μｍ］とし、カラーフィルター（開口部）６の平均幅をＤ［μｍ］としたとき、Ｄ／Ｃが０．２〜５なる関係を満足するのが好ましく、０．３３〜３なる関係を満足するのがより好ましい。かかる関係を満足することにより、表示装置１０の大型化を防止しつつ、上基板８の上側に出射される光の方向を、有機ＥＬ素子１の厚さ方向に対して平行に近づけることができる。 The average height of the bank 31 is not particularly limited, but is preferably about 1 to 35 μm, and more preferably about 5 to 15 μm. Thereby, it is possible to reliably extract the light from the organic EL element 1 to the upper side of the upper substrate 8 while preventing an increase in the size of the display device 10.
When the color filter 6 has a quadrangular shape in plan view as in the present embodiment, the average height of the bank 31 is C [μm], and the average width of the color filter (opening) 6 is D. When it is [μm], it is preferable to satisfy the relationship of D / C of 0.2 to 5, and it is more preferable to satisfy the relationship of 0.33 to 3. By satisfying such a relationship, the direction of light emitted to the upper side of the upper substrate 8 can be made parallel to the thickness direction of the organic EL element 1 while preventing an increase in the size of the display device 10. .

さらに、有機ＥＬ素子１とブラックマトリクス７との間の空間３６が封止されており、この空間３６には、窒素、ヘリウムおよびアルゴン等の不活性ガスが充填されているのが好ましい。これにより、例えば、有機ＥＬ素子１が備える有機半導体層４等が変質・劣化するのを好適に防止または抑制することができる。
ここで、バンク３１は、導電性材料、半導体材料および絶縁材料のうちのいずれで構成してもよいが、特に、導電性材料で構成されるのが好ましい。 Furthermore, a space 36 between the organic EL element 1 and the black matrix 7 is sealed, and this space 36 is preferably filled with an inert gas such as nitrogen, helium and argon. Thereby, for example, it is possible to suitably prevent or suppress deterioration or deterioration of the organic semiconductor layer 4 or the like included in the organic EL element 1.
Here, the bank 31 may be made of any one of a conductive material, a semiconductor material, and an insulating material, but is particularly preferably made of a conductive material.

前述したように、本実施形態では、一対の電極のうちカラーフィルター基板９（ブラックマトリクス７）側の陰極５を共通電極で構成し、この陰極（共通電極）５にバンク３１を接触するように設けている。これにより、陰極５全体として抵抗値の低減（電気伝導度の向上）を図ることができ、発光装置１０をより低電圧で駆動することが可能となる。
かかる構成は、陰極５を前述したＩＴＯのような比較的抵抗値の大きい導電性材料で構成した場合に、特に有効である。 As described above, in the present embodiment, the cathode 5 on the color filter substrate 9 (black matrix 7) side of the pair of electrodes is configured as a common electrode, and the bank 31 is in contact with the cathode (common electrode) 5. Provided. As a result, the resistance value of the cathode 5 as a whole can be reduced (improvement of electrical conductivity), and the light emitting device 10 can be driven at a lower voltage.
Such a configuration is particularly effective when the cathode 5 is made of a conductive material having a relatively large resistance value, such as ITO described above.

このような導電性材料としては、各種の金属材料や導電性樹脂材料等が挙げられるが、これらの中でも、特に、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇおよびこれらを含む合金のうちの少なくとも１種を主成分とするものが好ましい。バンク３１をかかる材料を主材料として構成することにより、バンク３１に優れた導電性および伝熱性を付与することができるとともに、その内面の光反射性をも優れたものとすることができる。
なお、バンク３１の一部、例えば、内面付近を選択的に導電性材料、特に、前記金属材料で構成し、その導電性材料（金属材料）で構成された部位を陰極５に接触させるようにしてもよい。かかる構成によっても、前記と同様の効果が得られる。 Examples of such a conductive material include various metal materials and conductive resin materials. Among these, at least one of Al, Ni, Co, Ag, and alloys containing them is mainly used. What is made into a component is preferable. By configuring the bank 31 as a main material, the bank 31 can be provided with excellent conductivity and heat transfer properties, and the inner surface can have excellent light reflectivity.
A part of the bank 31, for example, the vicinity of the inner surface is selectively made of a conductive material, particularly the metal material, and a portion made of the conductive material (metal material) is brought into contact with the cathode 5. May be. With this configuration, the same effect as described above can be obtained.

以上のように、バンク３１に陰極５全体としての抵抗値を低減させる機能を付与することにより、このような機能を有する補助陰極を、陽極３の間で露出する第２層間絶縁層２６上に形成する必要がないことから、後述する表示装置１０の製造方法（工程［２−Ｂ］）で示すように、マスクを用いることなく１回の工程で、有機半導体層４を一体的に形成することができる。その結果、有機半導体層４を形成するための工程数の削減を図ることができる。 As described above, by providing the bank 31 with a function of reducing the resistance value of the cathode 5 as a whole, the auxiliary cathode having such a function is formed on the second interlayer insulating layer 26 exposed between the anodes 3. Since it does not need to be formed, the organic semiconductor layer 4 is integrally formed in one step without using a mask, as shown in a method for manufacturing the display device 10 (step [2-B]) described later. be able to. As a result, the number of steps for forming the organic semiconductor layer 4 can be reduced.

ここで、バンク３１は、優れた伝熱性を有しており、特に、導電性材料で構成した場合は、優れた導電性および伝熱性を有している。また、仮に接着剤を介してバンク３１とカラーフィルター基板９とを接合した場合は、接着剤層により伝熱性が大幅に低下してしまうが、この表示装置１０では、優れた伝熱性を有する接合膜３２を介してバンク３１とカラーフィルター基板９とが接合されているので、バンク３１とカラーフィルター基板９との間において伝熱性が低下してしまうのを防止することができる。これにより、有機ＥＬ素子１（有機半導体層４）で発生した熱を、陰極５、バンク３１および接合膜３２を介してカラーフィルター基板９から、確実かつ効率良く放熱することができる。 Here, the bank 31 has excellent heat conductivity, and particularly, when it is made of a conductive material, the bank 31 has excellent conductivity and heat conductivity. In addition, if the bank 31 and the color filter substrate 9 are bonded to each other through an adhesive, the heat transfer performance is greatly reduced by the adhesive layer. However, in the display device 10, bonding having excellent heat transfer is performed. Since the bank 31 and the color filter substrate 9 are bonded via the film 32, it is possible to prevent the heat conductivity from being lowered between the bank 31 and the color filter substrate 9. Thereby, the heat generated in the organic EL element 1 (organic semiconductor layer 4) can be radiated reliably and efficiently from the color filter substrate 9 via the cathode 5, the bank 31, and the bonding film 32.

次に、接合膜３２について説明する。
接合膜３２のエネルギーを付与する前の状態は、図３に示すように、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合３０２を含み、ランダムな原子構造を有するＳｉ骨格３０１と、このＳｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３とを含むものである。
そして、この接合膜３２にエネルギーを付与すると、図４に示すように、一部の脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離し、代わりに活性手３０４が生じる。これにより、接合膜３２の表面に接着性が発現する。このようにして接着性が発現した接合膜３２により、バンク３１（装置本体１１）とブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）とが接合されている。 Next, the bonding film 32 will be described.
As shown in FIG. 3, the state before applying the energy of the bonding film 32 includes a Si skeleton 301 including a siloxane (Si—O) bond 302 and a random atomic structure, and a debonding bonded to the Si skeleton 301. And a leaving group 303.
When energy is applied to the bonding film 32, as shown in FIG. 4, some of the leaving groups 303 are detached from the Si skeleton 301, and active hands 304 are generated instead. Thereby, adhesiveness is developed on the surface of the bonding film 32. The bank 31 (device main body 11) and the black matrix 7 (color filter substrate 9) are bonded to each other by the bonding film 32 exhibiting adhesiveness in this manner.

このような接合膜３２は、前述したように、十分に薄くしても、バンク３１とカラーフィルター基板９とを強固に接合することができる。そして、前述したように、バンク３１は、その平面視での形状が格子状をなし、各有機ＥＬ素子１を区画するように設けられているので、バンク３１とカラーフィルター基板９との接合箇所や接合面積を比較的多く確保することができ、装置本体１１とカラーフィルター基板９との接合強度をさらに高くすることができる。 As described above, even if such a bonding film 32 is sufficiently thin, the bank 31 and the color filter substrate 9 can be firmly bonded to each other. As described above, the bank 31 has a lattice shape in plan view, and is provided so as to partition each organic EL element 1. Therefore, the joint portion between the bank 31 and the color filter substrate 9 is provided. In addition, a relatively large bonding area can be secured, and the bonding strength between the apparatus main body 11 and the color filter substrate 9 can be further increased.

また、接合膜３２は、優れた伝熱性（熱伝導性）を有しており、また、その厚さを十分に薄くすることができるので、バンク３１とカラーフィルター基板９との間の熱抵抗を小さくすることができ、これにより、有機ＥＬ素子１（有機半導体層４）で発生した熱を、陰極５、バンク３１および接合膜３２を介してカラーフィルター基板９から、確実かつ効率良く放熱することができる。 Further, the bonding film 32 has excellent heat conductivity (thermal conductivity), and since the thickness can be sufficiently reduced, the thermal resistance between the bank 31 and the color filter substrate 9 is reduced. As a result, the heat generated in the organic EL element 1 (organic semiconductor layer 4) is radiated from the color filter substrate 9 reliably and efficiently through the cathode 5, the bank 31 and the bonding film 32. be able to.

また、接合膜３２は、化学的に安定なＳｉ骨格３０１の作用により、耐熱性に優れている。このため、表示装置１０が高温下に曝されたとしても、接合膜３２の変質・劣化を確実に防止することができ、バンク３１からカラーフィルター基板９が剥がれてしまうのを確実に防止することができる。
また、このような接合膜３２は、流動性を有しない固体状のものである。このため、従来の流動性を有する液状または粘液状の接着剤に比べて、接着層（接合膜３２）の厚さや形状がほとんど変化しない。このため、接合膜３２を用いて製造された表示装置１０の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。特に、バンク３１は、その平面視での形状が格子状をなし、各有機ＥＬ素子１を区画するように設けられているので、各有機ＥＬ素子１とカラーフィルター基板９との間の距離を均一にすることができる。 Further, the bonding film 32 is excellent in heat resistance due to the action of the chemically stable Si skeleton 301. For this reason, even if the display device 10 is exposed to a high temperature, the bonding film 32 can be reliably prevented from being deteriorated and deteriorated, and the color filter substrate 9 can be reliably prevented from peeling off from the bank 31. Can do.
Further, such a bonding film 32 is a solid having no fluidity. For this reason, the thickness and shape of the adhesive layer (bonding film 32) hardly change compared to a conventional liquid or viscous liquid adhesive. For this reason, the dimensional accuracy of the display device 10 manufactured using the bonding film 32 is remarkably higher than the conventional one. In particular, the bank 31 has a lattice shape in plan view and is provided so as to partition each organic EL element 1. Therefore, the distance between each organic EL element 1 and the color filter substrate 9 is set to be different. It can be made uniform.

また、接合膜３２を用いることにより、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合を可能にする。また、このような接合により、接着剤がはみ出すといった問題が生じることが防止される。したがって、はみ出した接着剤を除去する手間も省略できるという利点もある。
このような接合膜３２としては、特に、接合膜３２を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％程度であるのが好ましく、２０〜８０原子％程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子とが、前記範囲の含有率で含まれていれば、接合膜３２は、Ｓｉ原子とＯ原子とが強固なネットワークを形成し、接合膜３２自体がより強固なものとなる。また、かかる接合膜３２は、接合される各部に対して特に高い接合強度を示すとともに、伝熱性に優れたものとなる。 Further, by using the bonding film 32, the time required for curing the adhesive is not required, so that strong bonding can be achieved in a short time. In addition, such bonding prevents a problem that the adhesive protrudes. Therefore, there is an advantage that the trouble of removing the protruding adhesive can be omitted.
As such a bonding film 32, among the atoms obtained by removing H atoms from all atoms constituting the bonding film 32, the total of the Si atom content and the O atom content is about 10 to 90 atomic%. It is preferable and it is more preferable that it is about 20-80 atomic%. If Si atoms and O atoms are contained in the above range, the bonding film 32 forms a strong network between the Si atoms and the O atoms, and the bonding film 32 itself becomes stronger. . In addition, the bonding film 32 exhibits particularly high bonding strength with respect to each portion to be bonded and has excellent heat transfer properties.

また、接合膜３２中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。Ｓｉ原子とＯ原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３２の安定性が高くなり、バンク３１とカラーフィルター基板９とをより強固に接合することができるようになる。
なお、接合膜３２中のＳｉ骨格３０１の結晶化度は、４５％以下であるのが好ましく、４０％以下であるのがより好ましい。これにより、Ｓｉ骨格３０１は十分にランダムな原子構造を含むものとなる。このため、前述した化学的安定性、耐熱性等のＳｉ骨格３０１の特性が顕在化し、接合膜３２の寸法精度および接着性がより優れたものとなる。 The abundance ratio of Si atoms to O atoms in the bonding film 32 is preferably about 3: 7 to 7: 3, and more preferably about 4: 6 to 6: 4. By setting the abundance ratio of Si atoms and O atoms to be within the above range, the stability of the bonding film 32 increases, and the bank 31 and the color filter substrate 9 can be bonded more firmly. .
The crystallinity of the Si skeleton 301 in the bonding film 32 is preferably 45% or less, and more preferably 40% or less. As a result, the Si skeleton 301 includes a sufficiently random atomic structure. For this reason, the characteristics of the Si skeleton 301 such as the above-described chemical stability and heat resistance become obvious, and the dimensional accuracy and adhesiveness of the bonding film 32 become more excellent.

また、Ｓｉ骨格３０１に結合する脱離基３０３は、前述したように、Ｓｉ骨格３０１から脱離することによって、接合膜３２に活性手３０４を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないようＳｉ骨格３０１に確実に結合しているものである必要がある。 Further, the leaving group 303 bonded to the Si skeleton 301 behaves so as to generate an active hand 304 in the bonding film 32 by detaching from the Si skeleton 301 as described above. Therefore, although the leaving group 303 is relatively easily and uniformly desorbed by being given energy, it is securely bonded to the Si skeleton 301 so as not to be desorbed when no energy is given. It needs to be a thing.

かかる観点から、脱離基３０３には、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子を含み、これらの各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものが好ましく用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３２の接着性をより高度なものとすることができる。 From this point of view, the leaving group 303 includes an H atom, a B atom, a C atom, an N atom, an O atom, a P atom, an S atom, and a halogen atom, or each of these atoms. What consists of at least 1 sort (s) selected from the group which consists of an atomic group arrange | positioned so that it may couple | bond with frame | skeleton 301 is used preferably. Such a leaving group 303 is relatively excellent in bond / elimination selectivity by energy application. Therefore, such a leaving group 303 can sufficiently satisfy the above-described necessity, and the adhesiveness of the bonding film 32 can be further enhanced.

なお、上記のような各原子がＳｉ骨格３０１に結合するよう配置された原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、ビニル基、アリル基のようなアルケニル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、ハロゲン化アルキル基、メルカプト基、スルホン酸基、シアノ基、イソシアネート基等が挙げられる。 Examples of the atomic group (group) arranged so that each atom as described above is bonded to the Si skeleton 301 include, for example, an alkyl group such as a methyl group and an ethyl group, and an alkenyl group such as a vinyl group and an allyl group. Aldehyde group, ketone group, carboxyl group, amino group, amide group, nitro group, halogenated alkyl group, mercapto group, sulfonic acid group, cyano group, isocyanate group and the like.

これらの各基の中でも、脱離基３０３は、特にアルキル基であるのが好ましい。アルキル基は化学的な安定性が高いため、アルキル基を含む接合膜３２は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
このような特徴を有する接合膜３２の構成材料としては、例えば、ポリオルガノシロキサンのようなシロキサン結合を含む重合物等が挙げられる。 Among these groups, the leaving group 303 is particularly preferably an alkyl group. Since the alkyl group has high chemical stability, the bonding film 32 including the alkyl group is excellent in weather resistance and chemical resistance.
Examples of the constituent material of the bonding film 32 having such characteristics include a polymer containing a siloxane bond such as polyorganosiloxane.

ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３２は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、ポリオルガノシロキサンで構成された接合膜３２は、バンク３１とカラーフィルター基板９とをより強固に接合することができる。
また、ポリオルガノシロキサンは、通常、撥水性（非接着性）を示すが、エネルギーを付与されることにより、容易に有機基を脱離させることができ、親水性に変化し、接着性を発現するが、この非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行えるという利点を有する。 The bonding film 32 made of polyorganosiloxane itself has excellent mechanical properties. In addition, it exhibits particularly excellent adhesion to many materials. Therefore, the bonding film 32 made of polyorganosiloxane can bond the bank 31 and the color filter substrate 9 more firmly.
Polyorganosiloxane usually exhibits water repellency (non-adhesiveness), but when given energy, it can easily desorb organic groups, changes to hydrophilicity, and exhibits adhesiveness. However, there is an advantage that the non-adhesiveness and the adhesiveness can be controlled easily and reliably.

また、ポリオルガノシロキサンの中でも、特に、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものが好ましい。オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とする接合膜３２は、接着性に特に優れることから、表示装置１０に対して特に好適に適用できるものである。また、オクタメチルトリシロキサンを主成分とする原料は、常温で液状をなし、適度な粘度を有するため、取り扱いが容易であるという利点もある。 Further, among polyorganosiloxanes, those mainly composed of a polymer of octamethyltrisiloxane are preferred. The bonding film 32 mainly composed of a polymer of octamethyltrisiloxane is particularly excellent in adhesiveness, and thus can be particularly suitably applied to the display device 10. Moreover, since the raw material which has octamethyltrisiloxane as a main component is liquid at normal temperature and has an appropriate viscosity, there is an advantage that it is easy to handle.

また、接合膜３２の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３２の平均厚さを前記範囲内とすることにより、バンク３１とカラーフィルター基板９との間の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜３２の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３２の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、表示装置１０の寸法精度が著しく低下するおそれがある。 Further, the average thickness of the bonding film 32 is preferably about 1 to 1000 nm, and more preferably about 2 to 800 nm. By setting the average thickness of the bonding film 32 within the above range, the dimensional accuracy between the bank 31 and the color filter substrate 9 can be bonded more firmly while preventing the dimensional accuracy between the bank 31 and the color filter substrate 9 from being significantly lowered.
That is, when the average thickness of the bonding film 32 is less than the lower limit value, there is a possibility that sufficient bonding strength cannot be obtained. On the other hand, when the average thickness of the bonding film 32 exceeds the upper limit, the dimensional accuracy of the display device 10 may be significantly reduced.

さらに、接合膜３２の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３２にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、バンク３１の接合面（接合膜３２に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３２を被着させることができる。その結果、接合膜３２は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、接合膜３２が設けられたバンク３１に対してカラーフィルター基板９を貼り合わせた際に、これらの密着性をより高めることができる。
なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３２の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３２の厚さをできるだけ厚くすればよい。 Furthermore, if the average thickness of the bonding film 32 is within the above range, a certain degree of shape followability is ensured for the bonding film 32. For this reason, for example, even when unevenness exists on the bonding surface of the bank 31 (surface adjacent to the bonding film 32), the bonding film 32 follows the shape of the unevenness, depending on the height of the unevenness. Can be applied. As a result, the bonding film 32 can absorb the unevenness and reduce the height of the unevenness generated on the surface. Then, when the color filter substrate 9 is bonded to the bank 31 provided with the bonding film 32, the adhesion can be further improved.
In addition, the degree of the shape followability as described above becomes more prominent as the thickness of the bonding film 32 increases. Therefore, in order to sufficiently ensure the shape following property, the thickness of the bonding film 32 may be increased as much as possible.

次に、接合膜３２を作製する方法、およびこの方法を含む表示装置１０の製造方法について説明する。
［１］まず、ＴＦＴ回路基板２０を用意する。
［１−Ａ］まず、基板２１を用意し、基板２１上に、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガス等を原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約２００〜５００ｎｍの酸化シリコンを主材料として構成される下地保護層２３を形成する。 Next, a method for manufacturing the bonding film 32 and a method for manufacturing the display device 10 including this method will be described.
[1] First, the TFT circuit substrate 20 is prepared.
[1-A] First, a substrate 21 is prepared, and an average thickness of about 200 to 500 nm is formed on the substrate 21 by, for example, plasma CVD using TEOS (tetraethoxysilane), oxygen gas, or the like as a source gas. A base protective layer 23 composed of silicon oxide as a main material is formed.

［１−Ｂ］次に、下地保護層２３上に、駆動用ＴＦＴ２４を形成する。
［１−Ｂａ］まず、基板２１を約３５０℃に加熱した状態で、下地保護層２３上に、例えばプラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコンを主材料として構成される半導体膜を形成する。
［１−Ｂｂ］次いで、半導体膜に対して、レーザアニールまたは固相成長法等により結晶化処理を行い、アモルファスシリコンをポリシリコンに変化させる。
ここで、レーザアニール法では、例えば、エキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は、例えば２００ｍＪ／ｃｍ^２程度に設定される。また、ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザー強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。 [1-B] Next, the driving TFT 24 is formed on the base protective layer 23.
[1-Ba] First, amorphous silicon having an average thickness of about 30 to 70 nm is mainly formed on the base protective layer 23 by the plasma CVD method or the like with the substrate 21 heated to about 350 ° C. A semiconductor film is formed.
[1-Bb] Next, the semiconductor film is crystallized by laser annealing, solid phase growth, or the like to change the amorphous silicon into polysilicon.
Here, in the laser annealing method, for example, a line beam having a beam length of 400 mm is used with an excimer laser, and the output intensity is set to about 200 mJ / cm ² , for example. As for the line beam, the line beam is scanned so that a portion corresponding to 90% of the peak value of the laser intensity in the short dimension direction overlaps each region.

［１−Ｂｃ］次いで、半導体膜をパターニングして島状とし、各島状の半導体層２４１を覆うように、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約６０〜１５０ｎｍの酸化シリコンまたは窒化シリコン等を主材料として構成されるゲート絶縁層２４２を形成する。
［１−Ｂｄ］次いで、ゲート絶縁層２４２上に、例えば、スパッタ法等により、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングし、ゲート電極２４３を形成する。
［１−Ｂｅ］次いで、この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極２４３に対して自己整合的にソース・ドレイン領域を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となる。 [1-Bc] Next, the semiconductor film is patterned to form islands, and for example, a plasma CVD method using TEOS (tetraethoxysilane) or oxygen gas as a source gas so as to cover each island-shaped semiconductor layer 241. Thus, a gate insulating layer 242 composed mainly of silicon oxide or silicon nitride having an average thickness of about 60 to 150 nm is formed.
[1-Bd] Next, a conductive film composed mainly of a metal such as aluminum, tantalum, molybdenum, titanium, or tungsten is formed on the gate insulating layer 242 by, for example, sputtering, and then patterned. A gate electrode 243 is formed.
[1-Be] Next, in this state, high concentration phosphorus ions are implanted to form source / drain regions in a self-aligned manner with respect to the gate electrode 243. Note that a portion where no impurity is introduced becomes a channel region.

［１−Ｃ］次に、駆動用ＴＦＴ２４に電気的に接続されるソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
［１−Ｃａ］まず、ゲート電極２４３を覆うように、第１層間絶縁層２５を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｃｂ］次いで、コンタクトホール内にソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。 [1-C] Next, the source electrode 244 and the drain electrode 245 electrically connected to the driving TFT 24 are formed.
[1-Ca] First, the first interlayer insulating layer 25 is formed so as to cover the gate electrode 243, and then a contact hole is formed.
[1-Cb] Next, the source electrode 244 and the drain electrode 245 are formed in the contact hole.

［１−Ｄ］次に、ドレイン電極２４５と陽極３とを電気的に接続する配線（中継電極）２７を形成する。
［１−Ｄａ］まず、第１層間絶縁層２５上に、第２層間絶縁層２６を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｄｂ］次いで、コンタクトホール内に配線２７を形成する。
以上のようにして、ＴＦＴ回路基板２０が得られる。 [1-D] Next, a wiring (relay electrode) 27 that electrically connects the drain electrode 245 and the anode 3 is formed.
[1-Da] First, the second interlayer insulating layer 26 is formed on the first interlayer insulating layer 25, and then contact holes are formed.
[1-Db] Next, a wiring 27 is formed in the contact hole.
As described above, the TFT circuit substrate 20 is obtained.

［２］次に、ＴＦＴ回路基板２０上に有機ＥＬ素子１を形成する。
［２−Ａ］まず、ＴＦＴ回路基板２０が備える第２層間絶縁層２６上に、配線２７に接触するように、陽極（画素電極）３を形成する。
この陽極３は、第２層間絶縁層２６上に、例えば、真空蒸着法やスパッタ法のような気相成膜法等により、前述したような陽極３の構成材料を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングすることにより得ることができる。 [2] Next, the organic EL element 1 is formed on the TFT circuit substrate 20.
[2-A] First, the anode (pixel electrode) 3 is formed on the second interlayer insulating layer 26 provided in the TFT circuit substrate 20 so as to be in contact with the wiring 27.
The anode 3 is formed on the second interlayer insulating layer 26 by using, for example, the above-described constituent material of the anode 3 as a main material by a vapor deposition method such as a vacuum deposition method or a sputtering method. It can be obtained by patterning after forming the film.

［２−Ｂ］次に、各陽極３、および、各陽極３の間で露出する第２層間絶縁層２６を覆うように、有機半導体層（発光層）４を一体的に形成する。
この有機半導体層４は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等を用いた気相プロセスや、スピンコート法（パイロゾル法）、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等を用いた液相プロセス等で形成することができる。これらの中でも、有機半導体層４の構成材料の熱安定性や、溶媒への溶解性等の物理的特性および／または化学的特性を考慮して、有機半導体層４は、液相プロセスにより形成するのが好ましい。 [2-B] Next, the organic semiconductor layer (light emitting layer) 4 is integrally formed so as to cover each anode 3 and the second interlayer insulating layer 26 exposed between the anodes 3.
The organic semiconductor layer 4 may be formed by, for example, a vapor phase process using a sputtering method, a vacuum evaporation method, a CVD method, a spin coating method (pyrosol method), a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, or a bar coating method. It can be formed by a liquid phase process using a roll coating method, a wire bar coating method, a dip coating method, a spray coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, an inkjet printing method, or the like. Among these, the organic semiconductor layer 4 is formed by a liquid phase process in consideration of the physical stability and / or chemical characteristics such as the thermal stability of the constituent material of the organic semiconductor layer 4 and the solubility in a solvent. Is preferred.

具体的には、有機半導体層形成用の液状材料を、液相プロセスを用いて、有機半導体層４を形成する領域、すなわち、各陽極３、および、各陽極３の間で露出する第２層間絶縁層２６上に供給し、脱溶媒または脱分散媒した後、必要に応じて、１５０℃程度で短時間の加熱処理を施す。
この脱溶媒または脱分散媒は、減圧雰囲気に放置する方法、熱処理(例えば５０〜６０℃程度)による方法、窒素ガスのような不活性ガスのフローによる方法等が挙げられる。さらに、追加の熱処理（１５０℃程度で短時間）で行うことにより、残存溶媒を除去する。 Specifically, the liquid material for forming the organic semiconductor layer is formed by using a liquid phase process to form a region where the organic semiconductor layer 4 is formed, that is, each anode 3 and the second interlayer exposed between each anode 3. After supplying on the insulating layer 26 and removing the solvent or dedispersing medium, if necessary, heat treatment is performed at about 150 ° C. for a short time.
Examples of the desolvent or dedispersion medium include a method of leaving in a reduced pressure atmosphere, a method of heat treatment (for example, about 50 to 60 ° C.), a method of a flow of an inert gas such as nitrogen gas, and the like. Furthermore, the residual solvent is removed by performing additional heat treatment (about 150 ° C. for a short time).

用いる液状材料は、前述したような発光材料を溶媒または分散媒に溶解または分散することにより調製される。
また、液状材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の各種無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。 The liquid material to be used is prepared by dissolving or dispersing the light emitting material as described above in a solvent or a dispersion medium.
Examples of the solvent or dispersion medium used for preparing the liquid material include various inorganic solvents such as nitric acid, sulfuric acid, ammonia, hydrogen peroxide, water, carbon disulfide, carbon tetrachloride, ethylene carbonate, and methyl ethyl ketone (MEK). , Acetone solvents, diethyl ketone, methyl isobutyl ketone (MIBK), methyl isopropyl ketone (MIPK), ketone solvents such as cyclohexanone, alcohol solvents such as methanol, ethanol, isopropanol, ethylene glycol, diethylene glycol (DEG), glycerin, diethyl ether , Diisopropyl ether, 1,2-dimethoxyethane (DME), 1,4-dioxane, tetrahydrofuran (THF), tetrahydropyran (THP), anisole, diethylene glycol dimethyl ether (di) Rim), ether solvents such as diethylene glycol ethyl ether (carbitol), cellosolve solvents such as methyl cellosolve, ethyl cellosolve, phenyl cellosolve, aliphatic hydrocarbon solvents such as hexane, pentane, heptane, cyclohexane, toluene, xylene, Aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, aromatic heterocyclic solvents such as pyridine, pyrazine, furan, pyrrole, thiophene, methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide (DMF), N, N-dimethylacetamide (DMA Amide solvents such as dichloromethane, chloroform, 1,2-dichloroethane, ester solvents such as ethyl acetate, methyl acetate, ethyl formate, sulfur compound solvents such as dimethyl sulfoxide (DMSO), sulfolane, etc. , Acetonitrile, propionitrile, nitrile solvents, formic acid such as acrylonitrile, acetic acid, trichloroacetic acid, various organic solvents such as an organic acid solvents such as trifluoroacetic acid, or mixed solvents containing them.

なお、本実施形態では、各有機ＥＬ素子１が白色光を発光し、カラーフィルター６により、その光の色調を変換する構成となっていることから、各陽極３および各陽極３の間で露出する第２層間絶縁層２６の全面に、有機半導体層４を一体的に形成することができる。
そのため、マスクを用いる必要がないため、これらの形成には、スピンコート法（パイロゾル法）、スプレーコート法等を用いた液相プロセス等が好適に用いられる。
また、このように本実施形態では、マスクを用いる必要がないことから、例えば、マスクの形成工程および除去工程等を省略できるため、表示装置１０の製造工程の簡略化および製造コストの削減を図ることができる。 In the present embodiment, each organic EL element 1 emits white light, and the color filter 6 converts the color tone of the light, so that it is exposed between each anode 3 and each anode 3. The organic semiconductor layer 4 can be integrally formed on the entire surface of the second interlayer insulating layer 26 to be formed.
Therefore, since it is not necessary to use a mask, a liquid phase process using a spin coating method (pyrosol method), a spray coating method, or the like is preferably used for these formations.
Further, in this embodiment, since it is not necessary to use a mask, for example, the mask forming process and the removing process can be omitted, and therefore, the manufacturing process of the display device 10 is simplified and the manufacturing cost is reduced. be able to.

［２−Ｃ］次に、有機半導体層（発光層）４上に、すなわち、有機半導体層４の陽極３と反対側に、各陽極３に共通の陰極５を形成する。
この陰極５は、例えば、前述したような気相プロセスおよび液相プロセス等により形成することができる。
なお、これらの方法は、陰極５の構成材料の熱安定性や、溶媒への溶解性等の物理的特性および／または化学的特性を考慮して選択される。
なお、本実施形態では、有機半導体層４の全面に、陰極５を形成することから、マスクを用いる必要がないため、これらの形成には、スパッタ法、真空蒸着法を用いた気相プロセス等が好適に用いられる。 [2-C] Next, the cathode 5 common to each anode 3 is formed on the organic semiconductor layer (light emitting layer) 4, that is, on the opposite side of the organic semiconductor layer 4 from the anode 3.
The cathode 5 can be formed by, for example, the gas phase process and the liquid phase process as described above.
These methods are selected in consideration of physical properties and / or chemical properties such as thermal stability of the constituent material of the cathode 5 and solubility in a solvent.
In this embodiment, since the cathode 5 is formed on the entire surface of the organic semiconductor layer 4, it is not necessary to use a mask. For this formation, a vapor phase process using a sputtering method, a vacuum deposition method, or the like. Are preferably used.

［３］次に、陰極５上に、カラーフィルター基板９のブラックマトリクス７とほぼ同じパターンとなるように、すなわち、各有機ＥＬ素子１を取り囲み（区画し）、各有機ＥＬ素子１が露出するように、バンク３１を形成する。
［３−Ａ］まず、図６（ａ）に示すように、陰極５を覆うように、前述したような気相プロセスおよび液相プロセス等により、バンク３１の構成材料により主として構成されるバンク形成膜３１’を形成する。
なお、これらの方法は、バンク３１の構成材料の熱安定性や、溶媒への溶解性等の物理的特性および／または化学的特性を考慮して選択される。例えば、バンク３１を前述したような導電性材料を主材料として構成する場合、バンク形成膜３１’を形成する方法としては、スパッタ法、真空蒸着法等を用いた気相プロセスが好適に選択される。 [3] Next, on the cathode 5, the organic EL elements 1 are exposed so as to have almost the same pattern as the black matrix 7 of the color filter substrate 9, that is, surround (divide) each organic EL element 1. Thus, the bank 31 is formed.
[3-A] First, as shown in FIG. 6A, a bank is formed mainly by the constituent material of the bank 31 by the vapor phase process and the liquid phase process as described above so as to cover the cathode 5. A film 31 ′ is formed.
These methods are selected in consideration of the thermal stability of the constituent material of the bank 31 and physical and / or chemical characteristics such as solubility in a solvent. For example, when the bank 31 is composed of the conductive material as described above as a main material, a vapor phase process using a sputtering method, a vacuum deposition method, or the like is preferably selected as a method for forming the bank forming film 31 ′. The

［３−Ｂ］次に、図６（ｂ）に示すように、バンク３１を形成する領域、すなわち、有機ＥＬ素子１が設けられていない領域に対応するレジスト層３８をバンク形成膜上に形成する。
このレジスト層３８は、バンク３１の形状に対応するフォトマスクを用いて、後述する工程［５−Ａａ］と同様にして得ることができる。 [3-B] Next, as shown in FIG. 6B, a resist layer 38 corresponding to a region where the bank 31 is formed, that is, a region where the organic EL element 1 is not provided is formed on the bank forming film. To do.
The resist layer 38 can be obtained in the same manner as in the step [5-Aa] described later using a photomask corresponding to the shape of the bank 31.

［３−Ｃ］次に、図６（ｃ）に示すように、レジスト層３８をマスクとして用いて、ウェットエッチング法によりバンク形成膜の不要部分を除去して、各有機ＥＬ素子１を露出させる。その後、図６（ｄ）に示すように、レジスト層３８を除去することによりバンク３１を形成する。以上のようにして、装置本体１１が得られる。
なお、ウェットエッチング法に用いるエッチング液としては、特に限定されないが、例えば、ＮａＯＨ、ＫＯＨのようなアルカリ金属水酸化物の水溶液、Ｍｇ（ＯＨ）_２のようなアルカリ土類金属水酸化物の水溶液、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの水溶液、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系有機溶媒等が挙げられ、これらを単独または混合して用いることができる。
また、レジスト層の除去は、例えば、大気圧または減圧下における酸素プラズマやオゾン蒸気により行うことができる。 [3-C] Next, as shown in FIG. 6C, unnecessary portions of the bank formation film are removed by wet etching using the resist layer 38 as a mask to expose each organic EL element 1. . Thereafter, as shown in FIG. 6D, the bank 31 is formed by removing the resist layer 38. The apparatus main body 11 is obtained as described above.
The etchant used in the wet etching method is not particularly limited. For example, an aqueous solution of an alkali metal hydroxide such as NaOH or KOH, or an aqueous solution of an alkaline earth metal hydroxide such as Mg (OH) ₂ is used. , An aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, amide organic solvents such as N, N-dimethylformamide (DMF), N, N-dimethylacetamide (DMA), and the like, and these can be used alone or in combination. .
The resist layer can be removed by, for example, oxygen plasma or ozone vapor under atmospheric pressure or reduced pressure.

［４］次に、図６（ｅ）に示すように、バンク３１上に接合膜３２を形成する。
なお、本工程［４］は、次の工程［５］の後に説明する。
［５］次に、カラーフィルター基板９を用意する。
［５−Ａ］まず、上基板８を用意し、図７（ａ）に示すように、上基板８上に、カラーフィルター６を形成する。 [4] Next, as shown in FIG. 6E, a bonding film 32 is formed on the bank 31.
In addition, this process [4] is demonstrated after the following process [5].
[5] Next, a color filter substrate 9 is prepared.
[5-A] First, the upper substrate 8 is prepared, and the color filter 6 is formed on the upper substrate 8 as shown in FIG.

［５−Ａａ］まず、上基板８上に、例えば、フォトリソグラフィー法を用いて、カラーフィルター６を形成する領域に開口部を有するレジスト層を形成する。
このレジスト層は、上基板８上に、レジスト材料を液相プロセスにより供給した後に、このレジスト材料を形成するカラーフィルター６の形状に対応するフォトマスクを介してｉ線、紫外線、電子線等により露光・現像することにより得ることができる。
用いるレジスト材料は、ネガ型のレジスト材料およびポジ型のレジスト材料のいずれであってもよく、カラーフィルター６の構成材料で説明したのと同様のものを用いることができる。 [5-Aa] First, a resist layer having an opening in a region where the color filter 6 is to be formed is formed on the upper substrate 8 by using, for example, a photolithography method.
The resist layer is formed by supplying a resist material on the upper substrate 8 by a liquid phase process, and then using an i-line, an ultraviolet ray, an electron beam or the like through a photomask corresponding to the shape of the color filter 6 forming the resist material. It can be obtained by exposure and development.
The resist material to be used may be either a negative resist material or a positive resist material, and the same materials as those described for the constituent material of the color filter 6 can be used.

［５−Ａｂ］次に、このレジスト層をマスクとして用いて、開口部にカラーフィルター形成用の液状材料を前述したような液相プロセスを用いて供給して乾燥した後、レジスト層を除去することによりカラーフィルター６を形成することができる。
また、カラーフィルター形成用の液状材料は、前述したようなカラーフィルター６の構成材料を溶媒または分散媒に溶解または分散することにより調製される。 [5-Ab] Next, using this resist layer as a mask, a liquid material for forming a color filter is supplied to the opening using the liquid phase process as described above and dried, and then the resist layer is removed. Thus, the color filter 6 can be formed.
The liquid material for forming the color filter is prepared by dissolving or dispersing the constituent materials of the color filter 6 as described above in a solvent or a dispersion medium.

液状材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、前記工程［２−Ｂ］で説明したのと同様のものを用いることができる。
前記液状材料を開口部に供給する方法としては、インクジェット法（液滴吐出法）を選択するのが好ましい。インクジェット法によれば、開口部の内側に液状材料を選択的に供給することができる。そのため、カラーフィルター６Ｒ、６Ｇ、６Ｂに対応する各色毎の液状材料を容易に塗り分けすることができる。
なお、レジスト層の除去は、例えば、大気圧または減圧下における酸素プラズマやオゾン蒸気により行うことができる。 As the solvent or dispersion medium used for the preparation of the liquid material, the same solvents as described in the above step [2-B] can be used.
As a method of supplying the liquid material to the opening, it is preferable to select an ink jet method (droplet discharge method). According to the inkjet method, the liquid material can be selectively supplied to the inside of the opening. Therefore, the liquid material for each color corresponding to the color filters 6R, 6G, and 6B can be easily applied.
The resist layer can be removed by, for example, oxygen plasma or ozone vapor under atmospheric pressure or reduced pressure.

［５−Ｂ］次に、図７（ｂ）に示すように、各カラーフィルター６同士の間、すなわち、上基板８が露出する領域に、ブラックマトリクス７を形成する。
このブラックマトリクス７は、例えば、上基板８が露出する領域に、ブラックマトリクス形成用の液状材料を前述したような液相プロセスを用いて供給した後、乾燥することにより得ることができる。
また、ブラックマトリクス形成用の液状材料は、前述したようなブラックマトリクス７の構成材料を溶媒または分散媒に溶解または分散することにより調製される。 [5-B] Next, as shown in FIG. 7B, the black matrix 7 is formed between the color filters 6, that is, in a region where the upper substrate 8 is exposed.
The black matrix 7 can be obtained, for example, by supplying a liquid material for forming a black matrix to a region where the upper substrate 8 is exposed by using the liquid phase process as described above and then drying.
The liquid material for forming the black matrix is prepared by dissolving or dispersing the constituent materials of the black matrix 7 as described above in a solvent or a dispersion medium.

液状材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、前記工程［２−Ｂ］で説明したのと同様のものを用いることができる。
前記液状材料を上基板８が露出する領域に供給する方法としては、インクジェット法（液滴吐出法）を選択するのが好ましい。インクジェット法によれば、上基板８が露出する領域の内側に液状材料を選択的に供給することができる。そのため、液状材料のムダを省くことができるとともに、カラーフィルター６の上面にブラックマトリクス７の構成材料が付着するのを確実に防止することができる。
なお、本工程［５］は、前記工程［４］の後に限らず、例えば、前記工程［１］の前、前記工程［１］と前記工程［２］の間、前記工程［２］と前記工程［３］の間等、いずれの段階で行ってもよい。 As the solvent or dispersion medium used for the preparation of the liquid material, the same solvents as described in the above step [2-B] can be used.
As a method of supplying the liquid material to the region where the upper substrate 8 is exposed, it is preferable to select an ink jet method (droplet discharge method). According to the ink jet method, the liquid material can be selectively supplied to the inside of the region where the upper substrate 8 is exposed. Therefore, the waste of the liquid material can be omitted, and the constituent material of the black matrix 7 can be reliably prevented from adhering to the upper surface of the color filter 6.
Note that this step [5] is not limited to after step [4], for example, before step [1], between step [1] and step [2], step [2] and step [2]. It may be performed at any stage such as during the step [3].

次に、前記工程［４］、すなわち、バンク３１上に接合膜３２を形成する方法について説明する。
このような接合膜３２は、いかなる方法で作製されたものでもよく、プラズマ重合法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により作製した膜にエネルギーを付与することによって作製することができるが、これらの中でも、エネルギー付与前の膜として、プラズマ重合法により作製された膜を用いるのが好ましい。プラズマ重合法によれば、最終的に、緻密で均質な接合膜３２を効率よく作製することができる。これにより、プラズマ重合法で作製された接合膜３２は、バンク３１（装置本体１１）とブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）との間を特に強固に接合するとともに、これらの間の熱抵抗をより低減することができる。また、プラズマ重合法で作製され、エネルギーが付与される前の接合膜３２は、エネルギーが付与されて活性化された状態を比較的長時間にわたって維持することができる。このため、表示装置１０の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
ここでは、接合膜３２をプラズマ重合法にて形成する方法について詳述するが、接合膜３２の形成方法を説明するのに先立って、接合膜３２を作製する際に用いるプラズマ重合装置について説明し、その後、接合膜３２の形成方法について説明する。 Next, the process [4], that is, a method of forming the bonding film 32 on the bank 31 will be described.
Such a bonding film 32 may be produced by any method, such as a film produced by various vapor phase film forming methods such as plasma polymerization, CVD, PVD, or various liquid phase film forming methods. Although it can produce by giving energy, among these, it is preferable to use the film | membrane produced by the plasma polymerization method as a film | membrane before energy provision. According to the plasma polymerization method, finally, a dense and homogeneous bonding film 32 can be efficiently produced. As a result, the bonding film 32 produced by the plasma polymerization method bonds the bank 31 (device main body 11) and the black matrix 7 (color filter substrate 9) particularly firmly, and reduces the thermal resistance between them. It can be further reduced. In addition, the bonding film 32 which is manufactured by the plasma polymerization method and has not been applied with energy can maintain a state in which energy has been applied and activated for a relatively long time. For this reason, the manufacturing process of the display device 10 can be simplified and improved in efficiency.
Here, a method for forming the bonding film 32 by the plasma polymerization method will be described in detail. Prior to the description of the method for forming the bonding film 32, a plasma polymerization apparatus used for manufacturing the bonding film 32 will be described. Thereafter, a method for forming the bonding film 32 will be described.

図５に示すプラズマ重合装置１００は、チャンバー１０１と、装置本体１１を支持する第１の電極１３０と、第２の電極１４０と、各電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する電源回路１８０と、チャンバー１０１内にガスを供給するガス供給部１９０と、チャンバー１０１内のガスを排気する排気ポンプ１７０とを備えている。これらの各部のうち、第１の電極１３０および第２の電極１４０がチャンバー１０１内に設けられている。以下、各部について詳細に説明する。
チャンバー１０１は、内部の気密を保持し得る容器であり、内部を減圧（真空）状態にして使用されるため、内部と外部との圧力差に耐え得る耐圧性能を有するものとされる。 The plasma polymerization apparatus 100 shown in FIG. 5 includes a chamber 101, a first electrode 130 that supports the apparatus body 11, a second electrode 140, and a power supply circuit 180 that applies a high-frequency voltage between the electrodes 130 and 140. A gas supply unit 190 that supplies gas into the chamber 101 and an exhaust pump 170 that exhausts the gas in the chamber 101 are provided. Among these parts, the first electrode 130 and the second electrode 140 are provided in the chamber 101. Hereinafter, each part will be described in detail.
The chamber 101 is a container that can keep the inside airtight, and is used with the inside being in a reduced pressure (vacuum) state. Therefore, the chamber 101 has pressure resistance that can withstand a pressure difference between the inside and the outside.

図５に示すチャンバー１０１は、軸線が水平方向に沿って配置されたほぼ円筒形をなすチャンバー本体と、チャンバー本体の左側開口部を封止する円形の側壁と、右側開口部を封止する円形の側壁とで構成されている。
チャンバー１０１の上方には供給口１０３が、下方には排気口１０４が、それぞれ設けられている。そして、供給口１０３にはガス供給部１９０が接続され、排気口１０４には排気ポンプ１７０が接続されている。 The chamber 101 shown in FIG. 5 has a substantially cylindrical chamber body whose axis is arranged along the horizontal direction, a circular side wall that seals the left opening of the chamber body, and a circle that seals the right opening. And side walls.
A supply port 103 is provided above the chamber 101, and an exhaust port 104 is provided below the chamber 101. A gas supply unit 190 is connected to the supply port 103, and an exhaust pump 170 is connected to the exhaust port 104.

なお、本実施形態では、チャンバー１０１は、導電性の高い金属材料で構成されており、接地線１０２を介して電気的に接地されている。
第１の電極１３０は、板状をなしており、装置本体１１を支持している。
この第１の電極１３０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面に、鉛直方向に沿って設けられており、これにより、第１の電極１３０は、チャンバー１０１を介して電気的に接地されている。なお、第１の電極１３０は、図５に示すように、チャンバー本体と同心状に設けられている。 In this embodiment, the chamber 101 is made of a highly conductive metal material and is electrically grounded via the ground wire 102.
The first electrode 130 has a plate shape and supports the apparatus main body 11.
The first electrode 130 is provided on the inner wall surface of the side wall of the chamber 101 along the vertical direction, whereby the first electrode 130 is electrically grounded via the chamber 101. As shown in FIG. 5, the first electrode 130 is provided concentrically with the chamber body.

第１の電極１３０の装置本体１１を支持する面には、静電チャック（吸着機構）１３９が設けられている。
この静電チャック１３９により、図５に示すように、装置本体１１を鉛直方向に沿って支持することができる。また、装置本体１１に多少の反りがあっても、静電チャック１３９に吸着させることにより、その反りを矯正した状態で装置本体１１をプラズマ処理に供することができる。 An electrostatic chuck (adsorption mechanism) 139 is provided on the surface of the first electrode 130 that supports the apparatus main body 11.
The electrostatic chuck 139 can support the apparatus main body 11 along the vertical direction as shown in FIG. Further, even if the apparatus main body 11 has a slight warp, the apparatus main body 11 can be subjected to plasma processing in a state where the warp is corrected by being attracted to the electrostatic chuck 139.

第２の電極１４０は、装置本体１１を介して、第１の電極１３０と対向して設けられている。なお、第２の電極１４０は、チャンバー１０１の側壁の内壁面から離間した（絶縁された）状態で設けられている。
この第２の電極１４０には、配線１８４を介して高周波電源１８２が接続されている。また、配線１８４の途中には、マッチングボックス（整合器）１８３が設けられている。これらの配線１８４、高周波電源１８２およびマッチングボックス１８３により、電源回路１８０が構成されている。
このような電源回路１８０によれば、第１の電極１３０は接地されているので、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間に高周波電圧が印加される。これにより、第１の電極１３０と第２の電極１４０との間隙には、高い周波数で向きが反転する電界が誘起される。
ガス供給部１９０は、チャンバー１０１内に所定のガスを供給するものである。 The second electrode 140 is provided to face the first electrode 130 with the apparatus main body 11 interposed therebetween. Note that the second electrode 140 is provided in a state of being separated (insulated) from the inner wall surface of the side wall of the chamber 101.
A high frequency power source 182 is connected to the second electrode 140 via a wiring 184. A matching box (matching unit) 183 is provided in the middle of the wiring 184. The wiring 184, the high-frequency power source 182 and the matching box 183 constitute a power circuit 180.
According to such a power supply circuit 180, since the first electrode 130 is grounded, a high frequency voltage is applied between the first electrode 130 and the second electrode 140. As a result, an electric field whose direction is reversed at a high frequency is induced in the gap between the first electrode 130 and the second electrode 140.
The gas supply unit 190 supplies a predetermined gas into the chamber 101.

図５に示すガス供給部１９０は、液状の膜材料（原料液）を貯留する貯液部１９１と、液状の膜材料を気化してガス状に変化させる気化装置１９２と、キャリアガスを貯留するガスボンベ１９３とを有している。また、これらの各部とチャンバー１０１の供給口１０３とが、それぞれ配管１９４で接続されており、ガス状の膜材料（原料ガス）とキャリアガスとの混合ガスを、供給口１０３からチャンバー１０１内に供給するように構成されている。 A gas supply unit 190 shown in FIG. 5 stores a liquid storage unit 191 that stores a liquid film material (raw material liquid), a vaporizer 192 that vaporizes the liquid film material to change it into a gaseous state, and stores a carrier gas. And a gas cylinder 193. These parts and the supply port 103 of the chamber 101 are connected to each other by a pipe 194, and a mixed gas of a gaseous film material (raw material gas) and a carrier gas is supplied from the supply port 103 into the chamber 101. It is configured to supply.

貯液部１９１に貯留される液状の膜材料は、プラズマ重合装置１００により、重合して装置本体１１のバンク３１の表面に重合膜を形成する原材料となるものである。
このような液状の膜材料は、気化装置１９２により気化され、ガス状の膜材料（原料ガス）となってチャンバー１０１内に供給される。なお、原料ガスについては、後に詳述する。 The liquid film material stored in the liquid storage unit 191 is a raw material that is polymerized by the plasma polymerization apparatus 100 to form a polymer film on the surface of the bank 31 of the apparatus main body 11.
Such a liquid film material is vaporized by the vaporizer 192 and is supplied into the chamber 101 as a gaseous film material (raw material gas). The source gas will be described in detail later.

ガスボンベ１９３に貯留されるキャリアガスは、電界の作用により放電し、およびこの放電を維持するために導入するガスである。このようなキャリアガスとしては、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス等が挙げられる。
また、チャンバー１０１内の供給口１０３の近傍には、拡散板１９５が設けられている。 The carrier gas stored in the gas cylinder 193 is a gas that is discharged due to the action of an electric field and introduced to maintain this discharge. Examples of such a carrier gas include Ar gas and He gas.
A diffusion plate 195 is provided near the supply port 103 in the chamber 101.

拡散板１９５は、チャンバー１０１内に供給される混合ガスの拡散を促進する機能を有する。これにより、混合ガスは、チャンバー１０１内に、ほぼ均一の濃度で分散することができる。
排気ポンプ１７０は、チャンバー１０１内を排気するものであり、例えば、油回転ポンプ、ターボ分子ポンプ等で構成される。このようにチャンバー１０１内を排気して減圧することにより、ガスを容易にプラズマ化することができる。また、大気雰囲気との接触による装置本体１１の汚染・酸化等を防止するとともに、プラズマ処理による反応生成物をチャンバー１０１内から効果的に除去することができる。
また、排気口１０４には、チャンバー１０１内の圧力を調整する圧力制御機構１７１が設けられている。これにより、チャンバー１０１内の圧力が、ガス供給部１９０の動作状況に応じて、適宜設定される。 The diffusion plate 195 has a function of promoting the diffusion of the mixed gas supplied into the chamber 101. Thereby, the mixed gas can be dispersed in the chamber 101 with a substantially uniform concentration.
The exhaust pump 170 exhausts the inside of the chamber 101, and includes, for example, an oil rotary pump, a turbo molecular pump, or the like. Thus, by exhausting the chamber 101 and reducing the pressure, the gas can be easily converted into plasma. Further, it is possible to prevent contamination and oxidation of the apparatus main body 11 due to contact with the air atmosphere, and to effectively remove reaction products from the plasma treatment from the chamber 101.
The exhaust port 104 is provided with a pressure control mechanism 171 that adjusts the pressure in the chamber 101. Thereby, the pressure in the chamber 101 is appropriately set according to the operation state of the gas supply unit 190.

次に、バンク３１に、接合膜３２を形成する方法について説明する。
［４−Ａ］まず、装置本体１１をプラズマ重合装置１００のチャンバー１０１内に収納して封止状態とした後、排気ポンプ１７０の作動により、チャンバー１０１内を減圧状態とする。
次に、ガス供給部１９０を作動させ、チャンバー１０１内に原料ガスとキャリアガスの混合ガスを供給する。供給された混合ガスは、チャンバー１０１内に充填される。 Next, a method for forming the bonding film 32 on the bank 31 will be described.
[4-A] First, the apparatus main body 11 is housed in the chamber 101 of the plasma polymerization apparatus 100 to be in a sealed state, and then the interior of the chamber 101 is depressurized by the operation of the exhaust pump 170.
Next, the gas supply unit 190 is operated to supply a mixed gas of the source gas and the carrier gas into the chamber 101. The supplied mixed gas is filled in the chamber 101.

ここで、混合ガス中における原料ガスの占める割合（混合比）は、原料ガスやキャリアガスの種類や目的とする成膜速度等によって若干異なるが、例えば、混合ガス中の原料ガスの割合を２０〜７０％程度に設定するのが好ましく、３０〜６０％程度に設定するのがより好ましい。これにより、重合膜の形成（成膜）の条件の最適化を図ることができる。
また、供給するガスの流量は、ガスの種類や目的とする成膜速度、膜厚等によって適宜決定され、特に限定されるものではないが、通常は、原料ガスおよびキャリアガスの流量を、それぞれ、１〜１００ｃｃｍ程度に設定するのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度に設定するのがより好ましい。 Here, the ratio (mixing ratio) of the source gas in the mixed gas is slightly different depending on the type of the source gas and the carrier gas, the target film forming speed, and the like. For example, the ratio of the source gas in the mixed gas is 20 It is preferable to set to about -70%, and it is more preferable to set to about 30-60%. As a result, it is possible to optimize the conditions for formation (film formation) of the polymer film.
Further, the flow rate of the gas to be supplied is appropriately determined depending on the type of gas, the target film formation rate, the film thickness, etc., and is not particularly limited, but usually the flow rates of the source gas and the carrier gas are respectively , Preferably about 1 to 100 ccm, more preferably about 10 to 60 ccm.

次いで、電源回路１８０を作動させ、一対の電極１３０、１４０間に高周波電圧を印加する。これにより、一対の電極１３０、１４０間に存在するガスの分子が電離し、プラズマが発生する。このプラズマのエネルギーにより原料ガス中の分子が重合し、重合物がバンク３１上に付着・堆積する。これにより、図６（ｅ）に示すように、バンク３１上にプラズマ重合膜で構成された接合膜３２が形成される。
なお、ここでは、装置本体１１の上面のうち、バンク３１の上面のみに部分的に接合膜３２を形成するので、例えば、バンク３１に対応する形状の窓部を有するマスクを用い、このマスク上から接合膜３２を成膜する。 Next, the power supply circuit 180 is activated, and a high frequency voltage is applied between the pair of electrodes 130 and 140. As a result, gas molecules existing between the pair of electrodes 130 and 140 are ionized to generate plasma. Molecules in the raw material gas are polymerized by the energy of the plasma, and the polymer is deposited and deposited on the bank 31. As a result, as shown in FIG. 6E, the bonding film 32 made of the plasma polymerized film is formed on the bank 31.
Here, since the bonding film 32 is partially formed only on the upper surface of the bank 31 in the upper surface of the apparatus main body 11, for example, a mask having a window portion having a shape corresponding to the bank 31 is used. Then, the bonding film 32 is formed.

原料ガスとしては、例えば、メチルシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルフェニルシロキサンのようなオルガノシロキサン等が挙げられる。
このような原料ガスを用いて得られるプラズマ重合膜、すなわち接合膜３２は、これらの原料が重合してなるもの（重合物）、すなわちポリオルガノシロキサンで構成されることとなる。 Examples of the source gas include organosiloxanes such as methylsiloxane, octamethyltrisiloxane, decamethyltetrasiloxane, decamethylcyclopentasiloxane, octamethylcyclotetrasiloxane, and methylphenylsiloxane.
The plasma polymerized film obtained by using such a raw material gas, that is, the bonding film 32 is composed of a polymer obtained by polymerizing these raw materials, that is, a polyorganosiloxane.

プラズマ重合の際、一対の電極１３０、１４０間に印加する高周波の周波数は、特に限定されないが、１ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜６０ＭＨｚ程度であるのがより好ましい。
また、高周波の出力密度は、特に限定されないが、０．０１〜１０Ｗ／ｃｍ^２程度であるのが好ましく、０．１〜１Ｗ／ｃｍ^２程度であるのがより好ましい。 In the plasma polymerization, the frequency of the high frequency applied between the pair of electrodes 130 and 140 is not particularly limited, but is preferably about 1 kHz to 100 MHz, and more preferably about 10 to 60 MHz.
Further, the power density of the high frequency is not particularly limited, and is preferably about 0.01 to 10 / cm ^2, more preferably about 0.1 to 1 W / cm ^2.

また、成膜時のチャンバー１０１内の圧力は、１３３．３×１０^−５〜１３３３Ｐａ（１×１０^−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０^−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０^−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。
原料ガス流量は、０．５〜２００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１〜１００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。一方、キャリアガス流量は、５〜７５０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜５００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。 Further, the pressure in the chamber 101 during film formation is preferably about 133.3 × 10 ^{−5 to} 1333 Pa (1 × 10 ^{−5 to} 10 Torr), and 133.3 × 10 ^{−4 to} 133.3 Pa ( More preferably, it is about 1 × 10 ^{−4 to} 1 Torr).
The raw material gas flow rate is preferably about 0.5 to 200 sccm, and more preferably about 1 to 100 sccm. On the other hand, the carrier gas flow rate is preferably about 5 to 750 sccm, and more preferably about 10 to 500 sccm.

処理時間は、１〜１０分程度であるのが好ましく、４〜７分程度であるのがより好ましい。なお、成膜される接合膜３２の厚さは、主に、この処理時間に比例する。したがって、この処理時間を調整することのみで、接合膜３２の厚さを容易に調整することができる。このため、バンク３１とカラーフィルター基板９との間の距離を厳密に制御することができる。
また、装置本体１１の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、２５〜１００℃程度であるのがより好ましい。
以上のようにして、接合膜３２を得ることができる。 The treatment time is preferably about 1 to 10 minutes, more preferably about 4 to 7 minutes. Note that the thickness of the bonding film 32 to be formed is mainly proportional to the processing time. Therefore, the thickness of the bonding film 32 can be easily adjusted only by adjusting the processing time. For this reason, the distance between the bank 31 and the color filter substrate 9 can be strictly controlled.
Moreover, it is preferable that the temperature of the apparatus main body 11 is 25 degreeC or more, and it is more preferable that it is about 25-100 degreeC.
As described above, the bonding film 32 can be obtained.

［４−Ｂ］次に、バンク３１上に形成した接合膜３２に対してエネルギーを付与する。
エネルギーが付与されると、接合膜３２では、図３に示す脱離基３０３がＳｉ骨格３０１から脱離する。そして、脱離基３０３が脱離した後には、図４に示すように、接合膜３２の表面３２０および内部に活性手３０４が生じる。これにより、接合膜３２の表面３２０に、カラーフィルター基板９との接着性が発現する。 [4-B] Next, energy is applied to the bonding film 32 formed on the bank 31.
When energy is applied, the leaving group 303 illustrated in FIG. 3 is detached from the Si skeleton 301 in the bonding film 32. Then, after the leaving group 303 is removed, active hands 304 are generated on the surface 320 and inside of the bonding film 32 as shown in FIG. Thereby, the adhesiveness with the color filter substrate 9 is expressed on the surface 320 of the bonding film 32.

ここで、接合膜３２に付与するエネルギーは、いかなる方法で付与されてもよく、例えば、（Ｉ）接合膜３２にエネルギー線を照射する方法、（II）接合膜３２を加熱する方法、（III）接合膜３２に圧縮力を付与する（物理的エネルギーを付与する）方法が代表的に挙げられ、この他、プラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、オゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。 Here, the energy applied to the bonding film 32 may be applied by any method. For example, (I) a method of irradiating the bonding film 32 with energy rays, (II) a method of heating the bonding film 32, (III ) Typical examples include a method of applying a compressive force (applying physical energy) to the bonding film 32, a method of exposing to plasma (applying plasma energy), and a method of exposing to ozone gas (applying chemical energy). Method).

このうち、接合膜３２にエネルギーを付与する方法として、特に、上記（Ｉ）、（II）、（III）の各方法のうち、少なくとも１つの方法を用いるのが好ましい。これらの方法は、接合膜３２に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギー付与方法として好適である。 Among these, as a method for applying energy to the bonding film 32, it is particularly preferable to use at least one of the methods (I), (II), and (III). Since these methods can apply energy to the bonding film 32 with relative ease and efficiency, they are suitable as energy application methods.

以下、上記（Ｉ）、（II）、（III）の各方法について詳述する。
（Ｉ）接合膜３２にエネルギー線を照射する場合、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザー光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等、またはこれらのエネルギー線を組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１５０〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい。かかる紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、接合膜３２中のＳｉ骨格３０１が必要以上に破壊されるのを防止しつつ、Ｓｉ骨格３０１と脱離基３０３との間の結合を選択的に切断することができる。これにより、接合膜３２の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、接合膜３２に接着性を発現させることができる。 Hereinafter, the methods (I), (II), and (III) will be described in detail.
(I) When irradiating the bonding film 32 with energy rays, examples of the energy rays include light such as ultraviolet rays and laser light, particle rays such as X-rays, γ rays, electron beams, and ion beams, and the like. A combination of these energy rays.
Among these energy rays, it is particularly preferable to use ultraviolet rays having a wavelength of about 150 to 300 nm. According to such ultraviolet rays, the amount of energy applied is optimized, so that the Si skeleton 301 in the bonding film 32 is prevented from being destroyed more than necessary, and between the Si skeleton 301 and the leaving group 303. Can be selectively cleaved. Thereby, adhesiveness can be expressed in the bonding film 32 while preventing the characteristics (mechanical characteristics, chemical characteristics, etc.) of the bonding film 32 from being deteriorated.

また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基３０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１６０〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、接合膜３２の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ^２〜１Ｗ／ｃｍ^２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ^２〜５０ｍＷ／ｃｍ^２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと接合膜３２との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。 In addition, since ultraviolet rays can be processed in a short time without unevenness, the leaving group 303 can be efficiently eliminated. Furthermore, ultraviolet rays also have the advantage that they can be generated with simple equipment such as UV lamps.
The wavelength of ultraviolet light is more preferably about 160 to 200 nm.
In the case of using the UV lamp, the output may vary depending on the area of the bonding film 32 is preferably from ^1mW / cm ² ^~1W / cm 2 or ^so, at 5mW / cm ² ~50mW / cm 2 of about More preferably. In this case, the separation distance between the UV lamp and the bonding film 32 is preferably about 3 to 3000 mm, and more preferably about 10 to 1000 mm.

また、紫外線を照射する時間は、接合膜３２の表面付近の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、接合膜３２の内部の脱離基３０３を多量に脱離させない程度の時間とするのが好ましい。具体的には、紫外線の光量、接合膜３２の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。 In addition, the time of irradiation with ultraviolet rays is such a time that the leaving group 303 near the surface of the bonding film 32 can be released, that is, a time that does not allow a large amount of the leaving group 303 inside the bonding film 32 to be released. It is preferable to do this. Specifically, although it varies slightly depending on the amount of ultraviolet light, the constituent material of the bonding film 32, etc., it is preferably about 0.5 to 30 minutes, more preferably about 1 to 10 minutes.
Moreover, although an ultraviolet-ray may be irradiated continuously in time, you may irradiate intermittently (pulse form).

一方、レーザー光としては、例えば、エキシマレーザー（フェムト秒レーザー）、Ｎｄ−ＹＡＧレーザー、Ａｒレーザー、ＣＯ_２レーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザー等が挙げられる。
また、接合膜３２に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、特に大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。 On the other hand, examples of the laser light include an excimer laser (femtosecond laser), an Nd-YAG laser, an Ar laser, a CO ₂ laser, and a He—Ne laser.
Further, the irradiation of the energy beam to the bonding film 32 may be performed in any atmosphere, and specifically, the atmosphere, an oxidizing gas atmosphere such as oxygen, a reducing gas atmosphere such as hydrogen, nitrogen, An inert gas atmosphere such as argon, or a reduced pressure (vacuum) atmosphere in which these atmospheres are decompressed may be mentioned, and it is particularly preferable to perform in an air atmosphere. Thereby, it is not necessary to spend time and cost to control the atmosphere, and irradiation of energy rays can be performed more easily.

このように、エネルギー線を照射する方法によれば、接合膜３２に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギーの付与による装置本体１１の変質・劣化を防止することができる。
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、接合膜３２から脱離する脱離基３０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基３０３の脱離量を調整することにより、接合膜３２とカラーフィルター基板９との間の接合強度を容易に制御することができる。 As described above, according to the method of irradiating the energy beam, it is easy to selectively apply energy to the bonding film 32. For example, the device main body 11 is prevented from being deteriorated or deteriorated due to the application of energy. be able to.
Moreover, according to the method of irradiating energy rays, the magnitude of energy to be applied can be easily adjusted with high accuracy. For this reason, it is possible to adjust the desorption amount of the leaving group 303 desorbed from the bonding film 32. In this way, by adjusting the amount of elimination of the leaving group 303, the bonding strength between the bonding film 32 and the color filter substrate 9 can be easily controlled.

すなわち、脱離基３０３の脱離量を多くすることにより、接合膜３２の表面および内部に、より多くの活性手が生じるため、接合膜３２に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基３０３の脱離量を少なくすることにより、接合膜３２の表面および内部に生じる活性手を少なくし、接合膜３２に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。 That is, by increasing the amount of elimination of the leaving group 303, more active hands are generated on the surface and inside of the bonding film 32, so that the adhesiveness expressed in the bonding film 32 can be further increased. On the other hand, by reducing the amount of elimination of the leaving group 303, the number of active hands generated on the surface and inside of the bonding film 32 can be reduced, and the adhesiveness developed in the bonding film 32 can be suppressed.
In addition, in order to adjust the magnitude | size of the energy to provide, what is necessary is just to adjust conditions, such as the kind of energy beam, the output of an energy beam, the irradiation time of an energy beam.
Furthermore, according to the method of irradiating energy rays, a large amount of energy can be applied in a short time, so that the energy can be applied more efficiently.

（II）接合膜３２を加熱する場合（図示せず）、加熱温度を２５〜１００℃程度に設定するのが好ましく、５０〜１００℃程度に設定するのがより好ましい。かかる範囲の温度で加熱すれば、装置本体１１等が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合膜３２を確実に活性化させることができる。
また、加熱時間は、接合膜３２の分子結合を切断し得る程度の時間であればよく、具体的には、加熱温度が前記範囲内であれば、１〜３０分程度であるのが好ましい。 (II) When the bonding film 32 is heated (not shown), the heating temperature is preferably set to about 25 to 100 ° C, more preferably about 50 to 100 ° C. Heating at a temperature in such a range makes it possible to reliably activate the bonding film 32 while reliably preventing the apparatus main body 11 and the like from being altered or deteriorated by heat.
The heating time may be a time that can break the molecular bond of the bonding film 32. Specifically, if the heating temperature is within the above range, it is preferably about 1 to 30 minutes.

また、接合膜３２は、いかなる方法で加熱されてもよいが、例えば、ヒータを用いる方法、赤外線を照射する方法、火炎に接触させる方法等の各種加熱方法で加熱することができる。
なお、接合される部材間の熱膨張率がほぼ等しい場合には、上記のような条件で接合膜３２を加熱すればよいが、これらの熱膨張率が互いに異なっている場合には、後に詳述するが、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。 The bonding film 32 may be heated by any method, but can be heated by various heating methods such as a method using a heater, a method of irradiating infrared rays, and a method of contacting with a flame.
When the thermal expansion coefficients between the members to be bonded are substantially equal, the bonding film 32 may be heated under the above conditions. However, when these thermal expansion coefficients are different from each other, details will be given later. As described above, it is preferable to perform bonding at as low a temperature as possible. By performing the bonding at a low temperature, it is possible to further reduce the thermal stress generated at the bonding interface.

（III）本実施形態では、バンク３１とカラーフィルター基板９とを貼り合わせる前に、接合膜３２に対してエネルギーを付与する場合について説明しているが、かかるエネルギーの付与は、これらを重ね合わせた後に行われるようにしてもよい。すなわち、バンク３１上に接合膜３２を形成した後、エネルギーを付与する前に、接合膜３２とカラーフィルター基板９とが密着するように、これらを重ね合わせて、仮接合体とする。そして、この仮接合体中の接合膜３２に対してエネルギーを付与することにより、接合膜３２に接着性が発現し、接合膜３２を介してバンク３１とカラーフィルター基板９とがそれぞれ接合（接着）される。 (III) In the present embodiment, the case where energy is applied to the bonding film 32 before the bank 31 and the color filter substrate 9 are bonded to each other has been described. It may be performed after. That is, after the bonding film 32 is formed on the bank 31 and before the energy is applied, the bonding film 32 and the color filter substrate 9 are overlapped to form a temporary bonded body. By applying energy to the bonding film 32 in the temporary bonded body, the bonding film 32 exhibits adhesiveness, and the bank 31 and the color filter substrate 9 are bonded (bonded) via the bonding film 32, respectively. )

この場合、仮接合体中の接合膜３２に対するエネルギーの付与は、前述した（Ｉ）、（II）の方法でもよいが、接合膜３２に圧縮力を付与する方法を用いてもよい。
この場合、接合される部材同士が互いに近づく方向に、０．２〜１０ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのがより好ましい。これにより、単に圧縮するのみで、接合膜３２に対して適度なエネルギーを簡単に付与することができ、接合膜３２に十分な接着性が発現する。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、接合される部材の各構成材料によっては、部材に損傷等が生じるおそれがある。 In this case, the application of energy to the bonding film 32 in the temporary bonded body may be the methods (I) and (II) described above, or a method of applying a compressive force to the bonding film 32 may be used.
In this case, the members to be joined are preferably compressed at a pressure of about 0.2 to 10 MPa and more preferably compressed at a pressure of about 1 to 5 MPa in a direction in which the members to be joined approach each other. As a result, it is possible to easily apply an appropriate energy to the bonding film 32 by simply compressing, and the bonding film 32 exhibits sufficient adhesiveness. In addition, although this pressure may exceed the said upper limit, there exists a possibility that a member may be damaged depending on each component material of the member joined.

また、圧縮力を付与する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、圧縮力を付与する時間は、圧縮力の大きさに応じて適宜変更すればよい。具体的には、圧縮力の大きさが大きいほど、圧縮力を付与する時間を短くすることができる。
なお、仮接合体の状態では、接合される部材間は、まだ接合されていないので、これらの相対的な位置を容易に調整する（ずらす）ことができる。したがって、一旦、仮接合体を得た後、接合される部材の相対位置を微調整することにより、最終的に得られる表示装置１０の組み立て精度（寸法精度）を確実に高めることができる。 The time for applying the compressive force is not particularly limited, but is preferably about 10 seconds to 30 minutes. In addition, what is necessary is just to change suitably the time which provides compression force according to the magnitude | size of compression force. Specifically, the time for applying the compressive force can be shortened as the compressive force increases.
In addition, in the state of a temporary joined body, since the members to be joined are not yet joined, their relative positions can be easily adjusted (shifted). Therefore, once the temporary joined body is obtained, the assembly accuracy (dimensional accuracy) of the finally obtained display device 10 can be reliably increased by finely adjusting the relative position of the members to be joined.

以上のような（Ｉ）、（II）、（III）の各方法により、接合膜３２にエネルギーを付与することができる。
なお、接合膜３２の全面にエネルギーを付与するようにしてもよいが、一部の領域のみに付与するようにしてもよい。このようにすれば、接合膜３２の接着性が発現する領域を制御することができ、この領域の面積・形状等を適宜調整することによって、接合界面に発生する応力の局所集中を緩和することができる。これにより、例えば、接合される部材間の熱膨張率差が大きい場合でも、これらを確実に接合することができる。 Energy can be imparted to the bonding film 32 by the methods (I), (II), and (III) as described above.
Note that energy may be applied to the entire surface of the bonding film 32, but may be applied to only a part of the region. In this way, the region where the adhesiveness of the bonding film 32 is expressed can be controlled, and the local concentration of stress generated at the bonding interface can be reduced by appropriately adjusting the area, shape, etc. of this region. Can do. Thereby, for example, even when the difference in thermal expansion coefficient between the members to be joined is large, these can be reliably joined.

ここで、前述したように、エネルギーが付与される前の状態の接合膜３２は、図３に示すように、Ｓｉ骨格３０１と脱離基３０３とを有している。かかる接合膜３２にエネルギーが付与されると、脱離基３０３（本実施形態では、メチル基）がＳｉ骨格３０１から脱離する。これにより、図４に示すように、接合膜３２の表面３２０に活性手３０４が生じ、活性化される。その結果、接合膜３２の表面３２０に接着性が発現する。 Here, as described above, the bonding film 32 in a state before energy is applied has the Si skeleton 301 and the leaving group 303 as shown in FIG. When energy is applied to the bonding film 32, the leaving group 303 (in this embodiment, a methyl group) is detached from the Si skeleton 301. As a result, as shown in FIG. 4, active hands 304 are generated on the surface 320 of the bonding film 32 and activated. As a result, adhesiveness develops on the surface 320 of the bonding film 32.

ここで、接合膜３２を「活性化させる」とは、接合膜３２の表面３２０および内部の脱離基３０３が脱離して、Ｓｉ骨格３０１において終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態や、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、または、これらの状態が混在した状態のことを言う。 Here, “activating” the bonding film 32 means that the surface 320 of the bonding film 32 and the internal leaving group 303 are removed, and a bond not terminated in the Si skeleton 301 (hereinafter referred to as “unbonded”). It is also referred to as a “hand” or “dangling bond”), a state in which this unbonded hand is terminated by a hydroxyl group (OH group), or a state in which these states are mixed.

したがって、活性手３０４とは、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。このような活性手３０４によれば、被着体に対して、特に強固な接合が可能となる。
なお、後者の状態（未結合手が水酸基によって終端化された状態）は、例えば、接合膜３２に対して大気雰囲気中でエネルギー線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成することができる。 Therefore, the active hand 304 means a dangling bond (dangling bond) or a dangling bond terminated with a hydroxyl group. Such an active hand 304 enables particularly strong bonding to the adherend.
The latter state (state in which the dangling bond is terminated by a hydroxyl group) is obtained by, for example, irradiating the bonding film 32 with energy rays in the air atmosphere so that moisture in the air terminates the dangling bond. Can be easily generated.

［６］次に、バンク３１上に接合膜３２が形成された装置本体１１と、カラーフィルター基板９とを接合膜３２を介して接合させて表示装置１０を得る。
［６−Ａ］まず、接着性が発現してなる接合膜３２とブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）とが密着するように、これらを貼り合わせる。これにより、バンク３１（装置本体１１）とブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）とが、接合膜３２を介して接合（接着）される。そして、各有機ＥＬ素子１がバンク３１により取り囲まれるような形態となり、空間３６が形成される。 [6] Next, the display device 10 is obtained by bonding the device main body 11 having the bonding film 32 formed on the bank 31 and the color filter substrate 9 through the bonding film 32.
[6-A] First, the bonding film 32 exhibiting adhesiveness and the black matrix 7 (color filter substrate 9) are bonded together so as to be in close contact with each other. As a result, the bank 31 (device main body 11) and the black matrix 7 (color filter substrate 9) are bonded (adhered) via the bonding film 32. Then, each organic EL element 1 is surrounded by the bank 31 and a space 36 is formed.

なお、この工程は、不活性ガス雰囲気下で行うのが好ましい。これにより、空間３６内に不活性ガスを確実に充填することができる。
各有機ＥＬ素子１と、各カラーフィルター６とが対応した状態、すなわち、接合膜３２（バンク３１）とブラックマトリクス７とが対応した状態で、接合膜３２とブラックマトリクス７とを確実に接触させるには、アライメントマーク（図示せず）を双方の基板に予め形成して、これらのアライメントマーク同士が一致するように位置合わせすることにより、比較的容易に行うことができる。 This step is preferably performed in an inert gas atmosphere. Thereby, the inert gas can be reliably filled in the space 36.
In a state where each organic EL element 1 and each color filter 6 correspond, that is, in a state where the bonding film 32 (bank 31) and the black matrix 7 correspond, the bonding film 32 and the black matrix 7 are reliably brought into contact with each other. In this case, alignment marks (not shown) are formed in advance on both substrates, and the alignment marks are aligned so that they are aligned with each other.

ここで、上記のようにして接合されるバンク３１とカラーフィルター基板９の各熱膨張率は、ほぼ等しいのが好ましい。バンク３１とカラーフィルター基板９の各熱膨張率がほぼ等しければ、これらを貼り合せた際に、その接合界面に熱膨張に伴う応力が発生し難くなる。その結果、最終的に得られる表示装置１０において、剥離等の不具合が発生するのを確実に防止することができる。 Here, it is preferable that the coefficients of thermal expansion of the bank 31 and the color filter substrate 9 joined as described above are substantially equal. If the coefficients of thermal expansion of the bank 31 and the color filter substrate 9 are substantially equal, when they are bonded, stress due to thermal expansion is unlikely to occur at the bonding interface. As a result, in the finally obtained display device 10, it is possible to reliably prevent problems such as peeling.

また、バンク３１とカラーフィルター基板９の各熱膨張率が互いに異なる場合でも、これらを貼り合わせる際の条件を以下のように最適化することにより、バンク３１とカラーフィルター基板９とを高い寸法精度で強固に接合することができる。
すなわち、バンク３１とカラーフィルター基板９の各熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。 Even when the thermal expansion coefficients of the bank 31 and the color filter substrate 9 are different from each other, the bank 31 and the color filter substrate 9 can be made to have high dimensional accuracy by optimizing the conditions for bonding them as follows. Can be firmly joined.
That is, when the thermal expansion coefficients of the bank 31 and the color filter substrate 9 are different from each other, it is preferable to perform bonding at as low a temperature as possible. By performing the bonding at a low temperature, it is possible to further reduce the thermal stress generated at the bonding interface.

具体的には、バンク３１とカラーフィルター基板９との熱膨張率差にもよるが、バンク３１とカラーフィルター基板９の温度が２５〜５０℃程度である状態下で、これらを貼り合わせるのが好ましく、２５〜４０℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、バンク３１とカラーフィルター基板９との熱膨張率差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、表示装置１０における反りや剥離等の発生を確実に防止することができる。 Specifically, depending on the difference in thermal expansion coefficient between the bank 31 and the color filter substrate 9, these are bonded together in a state where the temperature of the bank 31 and the color filter substrate 9 is about 25 to 50 ° C. Preferably, it is more preferable to bond together under the condition of about 25 to 40 ° C. In such a temperature range, even if the difference in thermal expansion coefficient between the bank 31 and the color filter substrate 9 is large to some extent, the thermal stress generated at the bonding interface can be sufficiently reduced. As a result, it is possible to reliably prevent the occurrence of warpage or peeling in the display device 10.

また、この場合、バンク３１とカラーフィルター基板９との間の熱膨張係数の差が、５×１０^−５／Ｋ以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。なお、接合膜３２を用いることにより、上述したような低温下でも、バンク３１とカラーフィルター基板９とを強固に接合することができる。
また、バンク３１とカラーフィルター基板９とは、互いに剛性が異なっているのが好ましい。これにより、バンク３１とカラーフィルター基板９とをより強固に接合することができる。 In this case, when the difference in thermal expansion coefficient between the bank 31 and the color filter substrate 9 is 5 × 10 ⁻⁵ / K or more, the bonding is performed at the lowest possible temperature as described above. It is particularly recommended to do so. By using the bonding film 32, the bank 31 and the color filter substrate 9 can be firmly bonded even at a low temperature as described above.
Further, it is preferable that the bank 31 and the color filter substrate 9 have different rigidity. Thereby, the bank 31 and the color filter substrate 9 can be joined more firmly.

なお、バンク３１（装置本体１１）の接合膜３２を成膜する領域、すなわち、バンク３１の上面には、あらかじめ、接合膜３２との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、バンク３１と接合膜３２との間の接合強度をより高めることができ、最終的には、バンク３１とカラーフィルター基板９との接合強度を高めることができる。
かかる表面処理としては、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。このような処理を施すことにより、バンク３１の接合膜３２を成膜する領域を清浄化するとともに、該領域を活性化させることができる。 In addition, it is preferable that a surface treatment for improving adhesion with the bonding film 32 is performed in advance on a region where the bonding film 32 of the bank 31 (device main body 11) is formed, that is, the upper surface of the bank 31. As a result, the bonding strength between the bank 31 and the bonding film 32 can be further increased, and finally the bonding strength between the bank 31 and the color filter substrate 9 can be increased.
Examples of the surface treatment include physical surface treatment such as sputtering treatment and blast treatment, plasma treatment using oxygen plasma, nitrogen plasma, etc., corona discharge treatment, etching treatment, electron beam irradiation treatment, ultraviolet irradiation treatment, ozone Examples include chemical surface treatment such as exposure treatment, or a combination of these. By performing such treatment, the region where the bonding film 32 of the bank 31 is formed can be cleaned and the region can be activated.

また、これらの各表面処理の中でもプラズマ処理を用いることにより、接合膜３２を形成するために、バンク３１の表面を特に最適化することができる。
なお、表面処理を施すバンク３１が、樹脂材料（高分子材料）で構成されている場合には、特に、コロナ放電処理、窒素プラズマ処理等が好適に用いられる。
また、バンク３１の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜３２の接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られるバンク３１の構成材料としては、例えば、各種金属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を主材料とするものが挙げられる。 Further, by using plasma treatment among these surface treatments, the surface of the bank 31 can be particularly optimized in order to form the bonding film 32.
In addition, when the bank 31 to be subjected to the surface treatment is made of a resin material (polymer material), a corona discharge treatment, a nitrogen plasma treatment, or the like is preferably used.
Further, depending on the constituent material of the bank 31, there is a material in which the bonding strength of the bonding film 32 is sufficiently high without performing the surface treatment as described above. Examples of the constituent material of the bank 31 that can obtain such an effect include materials mainly composed of various metal materials, various silicon materials, various glass materials, and the like.

このような材料で構成されたバンク３１は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、比較的活性の高い水酸基が結合している。したがって、このような材料で構成されたバンク３１を用いると、上記のような表面処理を施さなくても、バンク３１と接合膜３２とを強固に密着させることができる。
なお、この場合、バンク３１の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合膜３２を成膜する領域の表面付近が上記のような材料で構成されていればよい。 The surface of the bank 31 made of such a material is covered with an oxide film, and a relatively active hydroxyl group is bonded to the surface of the oxide film. Therefore, when the bank 31 made of such a material is used, the bank 31 and the bonding film 32 can be firmly adhered without performing the surface treatment as described above.
In this case, the entire bank 31 may not be made of the material as described above, and at least the vicinity of the surface of the region where the bonding film 32 is formed needs to be made of the material as described above.

さらに、バンク３１の接合膜３２を成膜する領域に、以下の基や物質を有する場合には、上記のような表面処理を施さなくても、バンク３１と接合膜３２との接合強度を十分に高くすることができる。
このような基や物質としては、例えば、水酸基、チオール基、カルボキシル基、アミノ基、ニトロ基、イミダゾール基のような官能基、ラジカル、開環分子、２重結合、３重結合のような不飽和結合、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのようなハロゲン、過酸化物からなる群から選択される少なくとも１つの基または物質が挙げられる。 Furthermore, when the region where the bonding film 32 of the bank 31 is formed includes the following groups and materials, the bonding strength between the bank 31 and the bonding film 32 is sufficient even without performing the above surface treatment. Can be high.
Examples of such groups and substances include functional groups such as hydroxyl groups, thiol groups, carboxyl groups, amino groups, nitro groups, and imidazole groups, radicals, ring-opened molecules, double bonds, and triple bonds. And at least one group or substance selected from the group consisting of a saturated bond, a halogen such as F, Cl, Br, and I, and a peroxide.

また、このようなものを有する表面が得られるように、上述したような各種表面処理を適宜選択して行うのが好ましい。
また、表面処理に代えて、バンク３１の少なくとも接合膜３２を成膜する領域には、あらかじめ、中間層を形成しておくのが好ましい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、例えば、接合膜３２との密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能等を有するものが好ましい。このような中間層を介してバンク３１上に接合膜３２を成膜することにより、バンク３１と接合膜３２との接合強度を高め、信頼性の高い接合体、すなわち表示装置１０を得ることができる。 Further, it is preferable to appropriately select and perform various surface treatments as described above so that a surface having such a material can be obtained.
In place of the surface treatment, it is preferable to form an intermediate layer in advance in at least the region of the bank 31 where the bonding film 32 is formed.
The intermediate layer may have any function. For example, a layer having a function of improving adhesion to the bonding film 32, a cushioning function (buffer function), a function of reducing stress concentration, and the like are preferable. By forming the bonding film 32 on the bank 31 through such an intermediate layer, the bonding strength between the bank 31 and the bonding film 32 is increased, and a highly reliable bonded body, that is, the display device 10 can be obtained. it can.

かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタンのような金属系材料、金属酸化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、これらの各材料で構成された中間層の中でも、酸化物系材料で構成された中間層によれば、バンク３１と接合膜３２との間の接合強度を特に高めることができる。 Examples of the constituent material of the intermediate layer include metal materials such as aluminum and titanium, metal oxides, oxide materials such as silicon oxide, metal nitrides, and nitride materials such as silicon nitride. , Carbon-based materials such as graphite and diamond-like carbon, silane coupling agents, thiol-based compounds, metal alkoxides, and self-assembled film materials such as metal-halogen compounds. A combination of more than one species can be used.
Among the intermediate layers formed of these materials, the bonding strength between the bank 31 and the bonding film 32 can be particularly increased by the intermediate layer formed of the oxide-based material.

一方、カラーフィルター基板９の接合膜３２と接触する領域、すなわち、ブラックマトリクス７の下面にも、あらかじめ、接合膜３２との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。これにより、カラーフィルター基板９と接合膜３２との間の接合強度をより高めることができる。
なお、この表面処理には、バンク３１に対して施す前述したような表面処理と同様の処理を適用することができる。 On the other hand, it is preferable to subject the surface of the color filter substrate 9 that is in contact with the bonding film 32, that is, the lower surface of the black matrix 7, in advance to a surface treatment that improves adhesion to the bonding film 32. Thereby, the bonding strength between the color filter substrate 9 and the bonding film 32 can be further increased.
For this surface treatment, the same treatment as that described above for the bank 31 can be applied.

また、表面処理に代えて、カラーフィルター基板９の接合膜３２と接触する領域に、あらかじめ、接合膜３２との密着性を高める機能を有する中間層を形成しておくのが好ましい。これにより、カラーフィルター基板９と接合膜３２との間の接合強度をより高めることができる。
かかる中間層の構成材料には、前述のバンク３１に形成する中間層の構成材料と同様のものを用いることができる。 Further, it is preferable to form an intermediate layer having a function of improving adhesion to the bonding film 32 in advance in a region in contact with the bonding film 32 of the color filter substrate 9 instead of the surface treatment. Thereby, the bonding strength between the color filter substrate 9 and the bonding film 32 can be further increased.
As the constituent material of the intermediate layer, the same constituent material as that of the intermediate layer formed in the bank 31 can be used.

ここで、本工程において、接合膜３２が形成されたバンク３１と、カラーフィルター基板９とが接合されるメカニズムについて説明する。
例えば、カラーフィルター基板９のバンク３１との接合に供される領域に、水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程において、接合膜３２とカラーフィルター基板９とが接触するように、バンク３１とカラーフィルター基板９とを貼り合わせたとき、接合膜３２の表面３２０に存在する水酸基と、カラーフィルター基板９の前記領域に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、接合膜３２が形成されたバンク３１とカラーフィルター基板９とが接合されると推察される。
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、接合膜３２とカラーフィルター基板９との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、接合膜３２を介してバンク３１とカラーフィルター基板９とがより強固に接合されると推察される。 Here, a mechanism in which the bank 31 on which the bonding film 32 is formed and the color filter substrate 9 are bonded in this step will be described.
For example, a case where a hydroxyl group is exposed in a region used for bonding with the bank 31 of the color filter substrate 9 will be described as an example. In this step, the bonding film 32 and the color filter substrate 9 are in contact with each other. When the bank 31 and the color filter substrate 9 are bonded together, the hydroxyl group present on the surface 320 of the bonding film 32 and the hydroxyl group present in the region of the color filter substrate 9 attract each other by hydrogen bonding, An attractive force is generated between them. It is presumed that the bank 31 on which the bonding film 32 is formed and the color filter substrate 9 are bonded by this attractive force.
Further, the hydroxyl groups attracting each other by the hydrogen bond are cleaved from the surface with dehydration condensation depending on the temperature condition or the like. As a result, at the contact interface between the bonding film 32 and the color filter substrate 9, the bonds in which the hydroxyl groups are bonded are bonded to each other. Accordingly, it is presumed that the bank 31 and the color filter substrate 9 are bonded more firmly through the bonding film 32.

なお、前記工程［４−Ｂ］で活性化された接合膜３２の表面は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［４−Ｂ］の終了後、できるだけ早く本工程［６］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［４−Ｂ］の終了後、６０分以内に本工程［６］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、接合膜３２の表面が十分な活性状態を維持しているので、本工程で接合膜３２が形成されたバンク３１とカラーフィルター基板９とを貼り合わせたとき、これらの間に十分な接合強度を得ることができる。
このようにして接合されたバンク３１とカラーフィルター基板９との間は、その接合強度が５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ^２）以上であるのが好ましく、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ^２）以上であるのがより好ましい。このような接合強度であれば、接合界面の剥離を十分に防止し得るものとなる。そして、信頼性の高い表示装置１０が得られる。 Note that the active state of the surface of the bonding film 32 activated in the step [4-B] relaxes with time. For this reason, it is preferable to perform this process [6] as soon as possible after completion of the process [4-B]. Specifically, after the completion of the step [4-B], the step [6] is preferably performed within 60 minutes, and more preferably within 5 minutes. Within this time, the surface of the bonding film 32 maintains a sufficiently active state. Therefore, when the bank 31 on which the bonding film 32 is formed in this step and the color filter substrate 9 are bonded together, Sufficient bonding strength can be obtained in between.
The bonding strength between the bank 31 and the color filter substrate 9 bonded in this manner is preferably 5 MPa (50 kgf / cm ² ) or more, and more preferably 10 MPa (100 kgf / cm ² ) or more. preferable. With such a bonding strength, peeling of the bonding interface can be sufficiently prevented. And the display apparatus 10 with high reliability is obtained.

［６−Ｂ］次に、ＴＦＴ回路基板２０およびカラーフィルター基板９の縁部に、これらの縁部において形成される間隙を封止する封止部（図示せず）を形成する。
封止部は、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂のような有機材料またはその前駆体を含有する液状の封止部形成用材料を、インクジェット法のような液相プロセス等により封止部を形成する領域に供給した後、乾燥させることにより形成することができる。 [6-B] Next, sealing portions (not shown) are formed at the edges of the TFT circuit substrate 20 and the color filter substrate 9 to seal the gaps formed at these edges.
For example, the sealing portion may be formed of a liquid sealing portion forming material containing an organic material such as an acrylic resin, a polyimide resin, or an epoxy resin or a precursor thereof by a liquid phase process such as an inkjet method. After supplying to the area | region which forms a sealing part, it can form by making it dry.

以上のような工程を経て、表示装置１０を製造することができる。
なお、上記では、バンク３１上に成膜された接合膜３２とカラーフィルター基板９とが密着するように貼り合わせる場合について説明しているが、カラーフィルター基板９の下面に成膜された接合膜３２とバンク３１とが密着するように、バンク３１とカラーフィルター基板９とを貼り合わせるようにしてもよい。 The display device 10 can be manufactured through the steps as described above.
In the above description, the bonding film 32 formed on the bank 31 and the color filter substrate 9 are bonded so that they are in close contact with each other. However, the bonding film formed on the lower surface of the color filter substrate 9 is described. The bank 31 and the color filter substrate 9 may be bonded together so that the bank 32 and the bank 31 are in close contact with each other.

また、接合膜３２は、バンク３１とカラーフィルター基板９の双方に成膜されていてもよい。この場合、バンク３１上に成膜された接合膜３２と、カラーフィルター基板９の下面に成膜された接合膜３２とが密着するように、バンク３１とカラーフィルター基板９とを貼り合わせることにより、これらをより強固に接合することができる。
また、表示装置１０を得た後、この表示装置１０に対して、必要に応じ、以下の２つの工程（［７Ａ］および［７Ｂ］）のうちの少なくとも１つの工程（表示装置１０の接合強度を高める工程）を行うようにしてもよい。これにより、バンク３１とカラーフィルター基板９の接合強度のさらなる向上を図ることができる。 The bonding film 32 may be formed on both the bank 31 and the color filter substrate 9. In this case, the bank 31 and the color filter substrate 9 are bonded together so that the bonding film 32 formed on the bank 31 and the bonding film 32 formed on the lower surface of the color filter substrate 9 are in close contact with each other. These can be joined more firmly.
In addition, after obtaining the display device 10, at least one of the following two steps ([7A] and [7B]) (bonding strength of the display device 10) is applied to the display device 10 as necessary. May be performed. Thereby, the joint strength between the bank 31 and the color filter substrate 9 can be further improved.

［７Ａ］得られた表示装置１０を圧縮するように、具体的には、装置本体１１とカラーフィルター基板９とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、バンク３１およびカラーフィルター基板９の表面と、これらに隣接する接合膜３２の表面とが、それぞれより近接し、バンク３１とカラーフィルター基板９の接合強度をより高めることができる。 [7A] Specifically, the device main body 11 and the color filter substrate 9 are pressurized in a direction approaching each other so as to compress the obtained display device 10.
Thereby, the surface of the bank 31 and the color filter substrate 9 and the surface of the bonding film 32 adjacent thereto are closer to each other, and the bonding strength between the bank 31 and the color filter substrate 9 can be further increased.

また、表示装置１０を加圧することにより、表示装置１０中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、バンク３１とカラーフィルター基板９の接合強度をさらに高めることができる。
なお、この圧力は、表示装置１０の各部の構成材料や形状、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、上記条件に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、バンク３１とカラーフィルター基板９の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、表示装置１０の各部の構成材料によっては、表示装置１０に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、表示装置１０を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。 Further, by pressurizing the display device 10, the gap remaining at the bonding interface in the display device 10 can be crushed and the bonding area can be further expanded. Thereby, the bonding strength between the bank 31 and the color filter substrate 9 can be further increased.
In addition, what is necessary is just to adjust this pressure suitably according to conditions, such as a constituent material and shape of each part of the display apparatus 10, and a joining apparatus. Specifically, although it varies slightly depending on the above conditions, it is preferably about 0.2 to 10 MPa, and more preferably about 1 to 5 MPa. Thereby, the bonding strength between the bank 31 and the color filter substrate 9 can be reliably increased. The pressure may exceed the upper limit, but the display device 10 may be damaged depending on the constituent material of each part of the display device 10.
The time for pressurization is not particularly limited, but is preferably about 10 seconds to 30 minutes. In addition, what is necessary is just to change suitably the time to pressurize according to the pressure at the time of pressurizing. Specifically, the bonding strength can be improved as the pressure applied to the display device 10 is higher, even if the pressing time is shortened.

［７Ｂ］得られた表示装置１０を加熱する。
これにより、バンク３１とカラーフィルター基板９の接合強度をより高めることができる。
このとき、表示装置１０を加熱する際の温度は、室温より高く、表示装置１０の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、表示装置１０が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。 [7B] The obtained display device 10 is heated.
Thereby, the bonding strength between the bank 31 and the color filter substrate 9 can be further increased.
At this time, the temperature at which the display device 10 is heated is not particularly limited as long as it is higher than room temperature and lower than the heat-resistant temperature of the display device 10, but is preferably about 25 to 100 ° C., more preferably 50 to 100. About ℃. By heating at a temperature in such a range, it is possible to reliably increase the bonding strength while reliably preventing the display device 10 from being altered or deteriorated by heat.

また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
なお、前記工程［７Ａ］、［７Ｂ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、表示装置１０を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、表示装置１０の接合強度を特に高めることができる。 The heating time is not particularly limited, but is preferably about 1 to 30 minutes.
In addition, when performing both said process [7A] and [7B], it is preferable to perform these simultaneously. That is, it is preferable to heat the display device 10 while applying pressure. Thereby, the effect by pressurization and the effect by heating are exhibited synergistically, and the joint strength of the display device 10 can be particularly increased.

以上のような工程を行うことにより、バンク３１とカラーフィルター基板９の接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
なお、本実施形態では、バンク３１は、ブラックマトリクス７のパターンとほぼ等しいパターンをなす場合について説明したが、このような場合に限定されず、隣接するカラーフィルター６のうち同一のカラーフィルター同士（例えば、カラーフィルター６Ｂ同士）の間に対応する位置において、バンクの形成を省略するようにしてもよい。 By performing the steps as described above, it is possible to easily further improve the bonding strength between the bank 31 and the color filter substrate 9.
In the present embodiment, the case where the bank 31 has a pattern that is substantially the same as the pattern of the black matrix 7 has been described. However, the present invention is not limited to such a case, and the same color filter among the adjacent color filters 6 ( For example, the formation of the bank may be omitted at a position corresponding to between the color filters 6B).

また、バンク３１を、接合膜３２と同様の構成材料で構成してもよい（接合膜３２と同様に、エネルギーを付与することにより接着性が発現するように構成してもよい）。
また、本実施形態では、光Ｌ_１および光Ｌ_２を陰極５側から取り出すトップエミッション構造の有機ＥＬ素子１を備える表示装置１０に本発明の有機発光装置を適用した場合について説明したが、本発明では、このような場合に限定されず、例えば、光Ｌ_１および光Ｌ_２を陽極３（ＴＦＴ回路基板２０）側から取り出すボトムエミッション構造の有機ＥＬ素子を備える表示装置に本発明の有機発光装置を適用することもできる。この場合には、例えば、陽極３の下側、すなわち、ＴＦＴ回路基板２０の下側に、カラーフィルター基板９およびバンク３１を設けるようにすればよい。 Further, the bank 31 may be made of the same material as that of the bonding film 32 (similar to the bonding film 32, the bank 31 may be configured to exhibit adhesiveness by applying energy).
In the present embodiment, the case where the organic light emitting device of the present invention is applied to the display device 10 including the organic EL element 1 having a top emission structure that extracts the light L ₁ and the light L ₂ from the cathode 5 side has been described. The invention is not limited to such a case. For example, the organic light emitting device of the invention is applied to a display device including an organic EL element having a bottom emission structure that extracts the light L ₁ and the light L ₂ from the anode 3 (TFT circuit substrate 20) side. A device can also be applied. In this case, for example, the color filter substrate 9 and the bank 31 may be provided below the anode 3, that is, below the TFT circuit substrate 20.

＜＜第２実施形態＞＞
次に、本発明の有機発光装置の第２実施形態について説明する。
図８は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第２実施形態が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図９は、第２実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図１０は、第２実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図、図１１は、図１０に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。
なお、以下の説明では、図８〜図１１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 << Second Embodiment >>
Next, a second embodiment of the organic light emitting device of the present invention will be described.
FIG. 8 is a partially enlarged view showing a state before the energy is applied to the bonding film included in the second embodiment of the active matrix display device to which the organic light emitting device of the present invention is applied, and FIG. 9 is an active view according to the second embodiment. FIG. 10 is a partial enlarged view showing a state after the energy is applied to the bonding film included in the matrix display device, and FIG. 10 is a schematic view of the film forming device used for manufacturing the bonding film included in the active matrix display device according to the second embodiment. FIG. 11 is a schematic diagram showing a configuration of an ion source included in the film forming apparatus shown in FIG.
In the following description, the upper side in FIGS. 8 to 11 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下、第２実施形態について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置（有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置）（以下、単に「表示装置」と言う。）１０は、接合膜３２の構成が異なること以外は、前記第１実施形態と同様である。 Hereinafter, the second embodiment will be described with a focus on differences from the first embodiment, and description of similar matters will be omitted.
The active matrix display device (organic electroluminescence (EL) display device) (hereinafter simply referred to as “display device”) 10 of the present embodiment is the same as that of the first embodiment except that the configuration of the bonding film 32 is different. It is the same.

すなわち、本実施形態にかかる表示装置１０は、接合膜３２がエネルギー付与前の状態で、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子と、これら金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基３０３とを含むものである。換言すれば、エネルギー付与前の接合膜３２は、図８に示すように、金属酸化物で構成される金属酸化物膜に脱離基３０３を導入した膜であると言うことができる。
このような接合膜３２は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離し、接合膜３２の少なくとも表面付近に、図９に示す活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３２の表面３２０に、前記第１実施形態と同様の接着性が発現する。 That is, in the display device 10 according to the present embodiment, the bonding film 32 is in a state before energy is applied, and the metal atom, the oxygen atom bonded to the metal atom, and the detached bond bonded to at least one of the metal atom and the oxygen atom. And a leaving group 303. In other words, it can be said that the bonding film 32 before energy application is a film in which a leaving group 303 is introduced into a metal oxide film made of a metal oxide, as shown in FIG.
In such a bonding film 32, when energy is applied, the leaving group 303 is released from at least one of a metal atom and an oxygen atom, and an active hand 304 shown in FIG. 9 is generated at least near the surface of the bonding film 32. Is. As a result, the same adhesiveness as in the first embodiment appears on the surface 320 of the bonding film 32.

以下、本実施形態にかかる接合膜３２について説明する。
接合膜３２は、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子とで構成されるもの、すなわち金属酸化物に脱離基３０３が結合したものであることから、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜３２自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られる表示装置１０においても、寸法精度が高いものが得られる。 Hereinafter, the bonding film 32 according to the present embodiment will be described.
The bonding film 32 is composed of a metal atom and an oxygen atom bonded to the metal atom, that is, a bonding film 32 having a leaving group 303 bonded to a metal oxide, and thus is a strong film that is difficult to be deformed. . For this reason, the bonding film 32 itself has a high dimensional accuracy, and the display device 10 finally obtained also has a high dimensional accuracy.

また、接合膜３２は、優れた伝熱性（熱伝導性）を有しており、第１実施形態で述べたように、有機ＥＬ素子１（有機半導体層４）で発生した熱を、陰極５、バンク３１および接合膜３２を介してカラーフィルター基板９から、確実かつ効率良く放熱することができる。
さらに、接合膜３２は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３２）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、接合膜３２を用いて得られた表示装置１０の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。 Further, the bonding film 32 has excellent heat conductivity (thermal conductivity), and as described in the first embodiment, the heat generated in the organic EL element 1 (organic semiconductor layer 4) is transferred to the cathode 5. Then, heat can be radiated from the color filter substrate 9 through the bank 31 and the bonding film 32 reliably and efficiently.
Further, the bonding film 32 is a solid that does not have fluidity. For this reason, the thickness and shape of the adhesive layer (bonding film 32) hardly change compared to a liquid or viscous liquid (semi-solid) adhesive having fluidity that has been conventionally used. Therefore, the dimensional accuracy of the display device 10 obtained using the bonding film 32 is significantly higher than that of the conventional device. Furthermore, since the time required for the curing of the adhesive is not required, strong bonding can be achieved in a short time.

また、本発明では、接合膜３２は、導電性を有するものであるのが好ましい。これにより、特にバンク３１の少なくとも一部が導電性材料で構成されている場合、陰極５全体として抵抗値をさらに低減（電気伝導度をさらに向上）させることができ、発光装置１０をさらに低電圧で駆動することが可能となる。
また、導電性を有する接合膜３２は、電力線および信号線としての機能を併せ持つことができる。これにより、接合膜３２を介して電力や各種制御信号をやり取りすることができる。その結果、別途電力線や信号線等を設ける必要がなくなり、表示装置１０の構造をより簡単にすることができる。そして、表示装置１０の集積度を高めることができ、さらなる小型化および薄型化を図ることができる。 In the present invention, it is preferable that the bonding film 32 has conductivity. Thereby, particularly when at least a part of the bank 31 is made of a conductive material, the resistance value of the cathode 5 as a whole can be further reduced (electric conductivity can be further improved), and the light emitting device 10 can be further reduced in voltage. It becomes possible to drive with.
Further, the conductive bonding film 32 can have both functions as a power line and a signal line. Thereby, power and various control signals can be exchanged through the bonding film 32. As a result, it is not necessary to provide a separate power line, signal line, etc., and the structure of the display device 10 can be simplified. And the integration degree of the display apparatus 10 can be raised, and further size reduction and thickness reduction can be achieved.

また、接合膜３２が導電性を有する場合、接合膜３２の抵抗率は、構成材料の組成に応じて若干異なるものの、１×１０^−３Ω・ｃｍ以下であるのが好ましく、１×１０^−４Ω・ｃｍ以下であるのがより好ましい。
なお、脱離基３０３は、少なくとも接合膜３２の表面３２０付近に存在していればよく、接合膜３２のほぼ全体に存在していてもよいし、接合膜３２の表面３２０付近に偏在していてもよい。脱離基３０３が表面３２０付近に偏在する構成とすることにより、接合膜３２に金属酸化物膜としての機能を好適に発揮させることができる。すなわち、接合膜３２に、接合を担う機能の他に、導電性および透光性等の特性に優れた金属酸化物膜としての機能を好適に付与することができるという利点も得られる。換言すれば、脱離基３０３が、接合膜３２の導電性および透光性等の特性を阻害してしまうのを確実に防止することができる。 Also, if the bonding film 32 has conductivity, the resistivity of the bonding film 32, though slightly different depending on the composition of the material, but preferably not more than ^{1 × 10 -3 Ω · cm,} 1 × 10 - More preferably, it is ⁴ Ω · cm or less.
The leaving group 303 only needs to exist at least near the surface 320 of the bonding film 32, may exist almost at the entire bonding film 32, or is unevenly distributed near the surface 320 of the bonding film 32. May be. By adopting a configuration in which the leaving group 303 is unevenly distributed in the vicinity of the surface 320, the bonding film 32 can appropriately exhibit the function as a metal oxide film. In other words, the bonding film 32 can be advantageously provided with a function as a metal oxide film excellent in characteristics such as conductivity and translucency in addition to the function responsible for bonding. In other words, it is possible to reliably prevent the leaving group 303 from impairing the properties of the bonding film 32 such as conductivity and translucency.

以上のような接合膜３２としての機能が好適に発揮されるように、金属原子が選択される。
具体的には、金属原子としては、特に限定されないが、例えば、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｏのような典型金属元素等が挙げられる。 The metal atoms are selected so that the function as the bonding film 32 as described above is suitably exhibited.
Specifically, the metal atom is not particularly limited. For example, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd , Ag, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, various lanthanoid elements, transition metal elements such as various actinoid elements, Li, Be, Na, Mg, Al, K, Ca, Zn, Ga , Rb, Sr, Cd, In, Sn, Sb, Cs, Ba, Tl, Pd, Bi, Po, and other typical metal elements.

このうち、遷移金属は、最外殻電子がｄ軌道またはｆ軌道に位置しており、各遷移金属元素間は、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、接合膜３２が含む金属原子として、遷移金属元素の原子を選択することにより、接合膜３２に発現する接着性をより高めることができる。また、それとともに、接合膜３２の導電性をより高めることができる。 Among these transition metals, the outermost electrons are located in the d orbital or f orbital, and the transition metal elements are different only in the number of outermost shell electrons, so the physical properties are similar. ing. Transition metals generally have high hardness and melting point, and high electrical conductivity and thermal conductivity. For this reason, by selecting an atom of a transition metal element as the metal atom included in the bonding film 32, the adhesiveness expressed in the bonding film 32 can be further improved. In addition, the conductivity of the bonding film 32 can be further increased.

また、特に、接合膜３２が含む金属原子としてＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、ＴｉおよびＳｂのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることにより、接合膜３２は、特に優れた導電性を発揮するものとなる。
より具体的には、金属酸化物としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）および二酸化チタン（ＴｉＯ_２）等が挙げられる。 In particular, the bonding film 32 exhibits particularly excellent conductivity by using one or more of In, Sn, Zn, Ti, and Sb as metal atoms included in the bonding film 32. It will be a thing.
More specifically, examples of the metal oxide include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), antimony tin oxide (ATO), fluorine-containing indium tin oxide (FTO), and zinc oxide. (ZnO) and titanium dioxide (TiO _2), and the like.

なお、金属酸化物としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。
また、接合膜３２中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と酸素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３２の安定性が高くなり、バンク３１（装置本体１１）とブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）とをより強固に接合することができるようになる。 When indium tin oxide (ITO) is used as the metal oxide, the atomic ratio of indium to tin (indium / tin ratio) is preferably 99/1 to 80/20, and 97/3 More preferably, it is -85/15. Thereby, the effects as described above can be more remarkably exhibited.
The abundance ratio of metal atoms and oxygen atoms in the bonding film 32 is preferably about 3: 7 to 7: 3, and more preferably about 4: 6 to 6: 4. By setting the abundance ratio of metal atoms and oxygen atoms to be within the above range, the stability of the bonding film 32 is increased, and the bank 31 (device main body 11) and the black matrix 7 (color filter substrate 9) are further separated. It becomes possible to join firmly.

また、脱離基３０３は、前述したように、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、接合膜３２に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３２に確実に結合しているものが好適に選択される。 In addition, as described above, the leaving group 303 behaves so as to generate an active hand in the bonding film 32 by leaving from at least one of a metal atom and an oxygen atom. Therefore, although the leaving group 303 is relatively easily and uniformly desorbed by being given energy, it is securely bonded to the bonding film 32 so as not to be desorbed when no energy is given. Those are preferably selected.

かかる観点から、脱離基３０３には、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種が好適に用いられる。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、バンク３１とカラーフィルター基板９との接着性をより高度なものとすることができる。 From this viewpoint, the leaving group 303 is preferably a hydrogen atom, a carbon atom, a nitrogen atom, a phosphorus atom, a sulfur atom, a halogen atom, or at least one of atomic groups composed of these atoms. It is done. Such a leaving group 303 is relatively excellent in bond / elimination selectivity by energy application. For this reason, such a leaving group 303 can sufficiently satisfy the above-described necessity, and the adhesiveness between the bank 31 and the color filter substrate 9 can be enhanced.

なお、上記の各原子で構成される原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基およびスルホン酸基等が挙げられる。
以上のような各原子および原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、水素原子であるのが好ましい。水素原子で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３として水素原子を備える接合膜３２は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。 Examples of the atomic group (group) composed of the above atoms include, for example, an alkyl group such as a methyl group and an ethyl group, an alkoxy group such as a methoxy group and an ethoxy group, a carboxyl group, an amino group, and a sulfonic acid. Groups and the like.
Among the atoms and atomic groups as described above, the leaving group 303 is particularly preferably a hydrogen atom. Since the leaving group 303 composed of hydrogen atoms has high chemical stability, the bonding film 32 including a hydrogen atom as the leaving group 303 has excellent weather resistance and chemical resistance.

以上のことを考慮すると、接合膜３２としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ_２）の金属酸化物に、脱離基３０３として水素原子が導入されたものが好適に選択される。
かかる構成の接合膜３２は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜３２は、バンク３１に対して特に強固に接着するとともに、カラーフィルター基板９に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、バンク３１とカラーフィルター基板９とを強固に接合することができる。 Considering the above, as the bonding film 32, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), antimony tin oxide (ATO), fluorine-containing indium tin oxide (FTO), zinc oxide ( A material in which a hydrogen atom is introduced as a leaving group 303 into a metal oxide of ZnO) or titanium dioxide (TiO ₂ ) is preferably selected.
The bonding film 32 having such a configuration itself has excellent mechanical characteristics. In addition, it exhibits particularly excellent adhesion to many materials. Therefore, such a bonding film 32 adheres particularly firmly to the bank 31 and also exhibits a particularly strong adhesion to the color filter substrate 9. As a result, the bank 31 and the color filter substrate 9 are bonded to each other. It can be firmly joined.

また、接合膜３２の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３２の平均厚さを前記範囲内とすることにより、表示装置１０の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、バンク３１とカラーフィルター基板９とをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜３２の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３２の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、表示装置１０の寸法精度が著しく低下するおそれがある。 Further, the average thickness of the bonding film 32 is preferably about 1 to 1000 nm, and more preferably about 2 to 800 nm. By setting the average thickness of the bonding film 32 within the above range, it is possible to bond the bank 31 and the color filter substrate 9 more firmly while preventing the dimensional accuracy of the display device 10 from being significantly lowered.
That is, when the average thickness of the bonding film 32 is less than the lower limit value, there is a possibility that sufficient bonding strength cannot be obtained. On the other hand, when the average thickness of the bonding film 32 exceeds the upper limit, the dimensional accuracy of the display device 10 may be significantly reduced.

さらに、接合膜３２の平均厚さが前記範囲内であれば、接合膜３２にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、バンク３１の接合面（接合膜３２を成膜する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように接合膜３２を被着させることができる。その結果、接合膜３２は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、バンク３１とカラーフィルター基板９とを貼り合わせた際に、接合膜３２のカラーフィルター基板９に対する密着性を高めることができる。 Furthermore, if the average thickness of the bonding film 32 is within the above range, a certain degree of shape following property is ensured for the bonding film 32. For this reason, for example, even when unevenness exists on the bonding surface of the bank 31 (the surface on which the bonding film 32 is formed), the bonding film follows the unevenness shape depending on the height of the unevenness. 32 can be deposited. As a result, the bonding film 32 can absorb the unevenness and reduce the height of the unevenness generated on the surface. When the bank 31 and the color filter substrate 9 are bonded together, the adhesion of the bonding film 32 to the color filter substrate 9 can be improved.

なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３２の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３２の厚さをできるだけ厚くすればよい。
以上説明したような接合膜３２は、接合膜３２のほぼ全体に脱離基３０３を存在させる場合には、例えば、Ａ：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成することができる。また、脱離基３０３を接合膜３２の表面３２０付近に偏在させる場合には、例えば、Ｂ：金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成することができる。 In addition, the degree of the shape followability as described above becomes more prominent as the thickness of the bonding film 32 increases. Therefore, in order to sufficiently ensure the shape following property, the thickness of the bonding film 32 may be increased as much as possible.
When the leaving group 303 is present in almost the entire bonding film 32, the bonding film 32 as described above, for example, in the atmosphere containing the atomic component constituting the A: leaving group 303, It can be formed by depositing a metal oxide material containing metal atoms and oxygen atoms by a phase film formation method. Further, when the leaving group 303 is unevenly distributed near the surface 320 of the bonding film 32, for example, after forming a metal oxide film containing B: metal atom and the oxygen atom, It can be formed by introducing a leaving group 303 into at least one of a metal atom and an oxygen atom contained in the vicinity of the surface.

以下、ＡおよびＢの方法を用いて、バンク３１上に接合膜３２を成膜する場合について、詳述する。
＜Ａ＞Ａの方法では、接合膜３２は、上記のように、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法（ＰＶＤ法）により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成される。このようにＰＶＤ法を用いる構成とすれば、金属酸化物材料をバンク３１に向かって飛来させる際に、比較的容易に金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することができる。このため、接合膜３２のほぼ全体にわたって脱離基３０３を導入することができる。 Hereinafter, the case where the bonding film 32 is formed on the bank 31 using the methods A and B will be described in detail.
<A> In the method A, as described above, the bonding film 32 is formed of a metal atom and an oxygen by a physical vapor deposition method (PVD method) in an atmosphere containing an atomic component constituting the leaving group 303. It is formed by depositing a metal oxide material containing atoms. When the PVD method is used as described above, the leaving group 303 can be introduced into at least one of the metal atom and the oxygen atom relatively easily when the metal oxide material is made to fly toward the bank 31. . For this reason, the leaving group 303 can be introduced over almost the entire bonding film 32.

さらに、ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な接合膜３２を効率よく成膜することができる。これにより、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３２は、カラーフィルター基板９に対して特に強固に接合し得るものとなる。さらに、ＰＶＤ法で成膜された接合膜３２は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、光表示装置１０の製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。 Furthermore, according to the PVD method, a dense and homogeneous bonding film 32 can be efficiently formed. Thereby, the bonding film 32 formed by the PVD method can be particularly strongly bonded to the color filter substrate 9. Furthermore, the bonding film 32 formed by the PVD method is maintained for a relatively long time in a state where energy is applied and activated. For this reason, the manufacturing process of the optical display device 10 can be simplified and improved in efficiency.

また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気中に、金属酸化物の粒子を叩き出すことができる。そして、金属酸化物の粒子が叩き出された状態で、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスと接触させることができるため、金属酸化物（金属原子または酸素原子）への脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。 Further, examples of the PVD method include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a laser ablation method, and the like. Among these, the sputtering method is preferably used. According to the sputtering method, metal oxide particles can be knocked out into an atmosphere containing an atomic component constituting the leaving group 303 without breaking a bond between a metal atom and an oxygen atom. Since the metal oxide particles can be brought into contact with a gas containing an atomic component constituting the leaving group 303, the leaving group to the metal oxide (metal atom or oxygen atom) can be contacted. 303 can be introduced more smoothly.

以下、ＰＶＤ法により接合膜３２を成膜する方法として、スパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により、接合膜３２を成膜する場合を代表に説明する。
まず、接合膜３２の成膜方法を説明するのに先立って、バンク３１上にイオンビームスパッタリング法により接合膜３２を成膜する際に用いられる成膜装置８００について説明する。 Hereinafter, as a method of forming the bonding film 32 by the PVD method, a case where the bonding film 32 is formed by a sputtering method (ion beam sputtering method) will be described as a representative.
First, prior to describing the method of forming the bonding film 32, a film forming apparatus 800 used when forming the bonding film 32 on the bank 31 by ion beam sputtering will be described.

図１０に示す成膜装置８００は、イオンビームスパッタリング法による接合膜３２の形成がチャンバー（装置）内で行えるように構成されている。
具体的には、成膜装置８００は、チャンバー（真空チャンバー）２１１と、このチャンバー８１１内に設置され、装置本体１１（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）２１２と、チャンバー８１１内に設置され、チャンバー８１１内に向かってイオンビームＢを照射するイオン源（イオン供給部）２１５と、イオンビームＢの照射により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）を発生させるターゲット（金属酸化物材料）２１６を保持するターゲットホルダー（ターゲット保持部）２１７とを有している。 A film forming apparatus 800 shown in FIG. 10 is configured so that the bonding film 32 can be formed in a chamber (apparatus) by an ion beam sputtering method.
Specifically, the film forming apparatus 800 includes a chamber (vacuum chamber) 211 and a substrate holder (film forming object holding unit) 212 that is installed in the chamber 811 and holds the apparatus main body 11 (film forming object). And an ion source (ion supply unit) 215 that is installed in the chamber 811 and irradiates the ion beam B toward the chamber 811, and a metal oxide that includes metal atoms and oxygen atoms by the irradiation of the ion beam B ( For example, it has a target holder (target holding portion) 217 that holds a target (metal oxide material) 216 that generates ITO.

また、チャンバー８１１には、チャンバー８１１内に、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を供給するガス供給手段８６０と、チャンバー８１１内の排気をして圧力を制御する排気手段８３０とを有している。
なお、本実施形態では、基板ホルダー８１２は、チャンバー８１１の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー８１２は、回動可能となっている。これにより、バンク３１上に接合膜３２を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。 In the chamber 811, gas supply means 860 for supplying a gas containing an atomic component constituting the leaving group 303 (for example, hydrogen gas) into the chamber 811 and the pressure in the chamber 811 are exhausted. And an exhaust means 830 for performing the operation.
In the present embodiment, the substrate holder 812 is attached to the ceiling of the chamber 811. The substrate holder 812 is rotatable. Accordingly, the bonding film 32 can be formed on the bank 31 with a uniform and uniform thickness.

イオン源（イオン銃）２１５は、図１１に示すように、開口（照射口）２５０が形成されたイオン発生室８５６と、イオン発生室８５６内に設けられたフィラメント８５７と、グリッド８５３、８５４と、イオン発生室８５６の外側に設置された磁石８５５とを有している。
また、イオン発生室８５６には、図１０に示すように、その内部にガス（スパッタリング用ガス）を供給するガス供給源８１９が接続されている。 As shown in FIG. 11, the ion source (ion gun) 215 includes an ion generation chamber 856 in which an opening (irradiation port) 250 is formed, a filament 857 provided in the ion generation chamber 856, grids 853 and 854, , And a magnet 855 installed outside the ion generation chamber 856.
Further, as shown in FIG. 10, a gas supply source 819 for supplying a gas (sputtering gas) is connected to the ion generation chamber 856.

このイオン源８１５では、イオン発生室８５６内に、ガス供給源８１９からガスを供給した状態で、フィラメント８５７を通電加熱すると、フィラメント８５７から電子が放出され、放出された電子が磁石８５５の磁場によって運動し、イオン発生室８５６内に供給されたガス分子と衝突する。これにより、ガス分子がイオン化する。このガスのイオンＩ^＋は、グリッド８５３とグリッド８５４との間の電圧勾配により、イオン発生室８５６内から引き出されるとともに加速され、開口８５０を介してイオンビームＢとしてイオン源８１５から放出（照射）される。 In the ion source 815, when the filament 857 is energized and heated in a state where gas is supplied from the gas supply source 819 into the ion generation chamber 856, electrons are emitted from the filament 857, and the emitted electrons are generated by the magnetic field of the magnet 855. It moves and collides with gas molecules supplied into the ion generation chamber 856. Thereby, gas molecules are ionized. The ions I ⁺ of the gas are extracted from the ion generation chamber 856 and accelerated by the voltage gradient between the grid 853 and the grid 854, and are emitted (irradiated) from the ion source 815 as an ion beam B through the opening 850. Is done.

イオン源８１５から照射されたイオンビームＢは、ターゲット８１６の表面に衝突し、ターゲット８１６からは粒子（スパッタ粒子）が叩き出される。このターゲット８１６は、前述したような金属酸化物材料で構成されている。
この成膜装置８００では、イオン源８１５は、その開口８５０がチャンバー８１１内に位置するように、チャンバー８１１の側壁に固定（設置）されている。なお、イオン源８１５は、チャンバー８１１から離間した位置に配置し、接続部を介してチャンバー８１１に接続した構成とすることもできるが、本実施形態のような構成とすることにより、成膜装置８００の小型化を図ることができる。 The ion beam B irradiated from the ion source 815 collides with the surface of the target 816, and particles (sputtered particles) are knocked out from the target 816. This target 816 is made of a metal oxide material as described above.
In the film forming apparatus 800, the ion source 815 is fixed (installed) on the side wall of the chamber 811 so that the opening 850 is located in the chamber 811. Note that the ion source 815 can be arranged at a position separated from the chamber 811 and connected to the chamber 811 through a connection portion. 800 can be reduced in size.

また、イオン源８１５は、その開口８５０が、基板ホルダー８１２と異なる方向、本実施形態では、チャンバー８１１の底部側を向くように設置されている。
なお、イオン源８１５の設置個数は、１つに限定されるものではなく、複数とすることもできる。イオン源８１５を複数設置することにより、接合膜３２の成膜速度をより速くすることができる。 Further, the ion source 815 is installed such that the opening 850 faces a direction different from that of the substrate holder 812, in this embodiment, the bottom side of the chamber 811.
Note that the number of ion sources 815 installed is not limited to one, and may be plural. By installing a plurality of ion sources 815, the deposition rate of the bonding film 32 can be further increased.

また、ターゲットホルダー８１７および基板ホルダー８１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができる第１のシャッター８２０および第２のシャッター８２１が配設されている。
これらシャッター２２０、２２１は、それぞれ、ターゲット８１６、装置本体１１および接合膜３２が、不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。 In addition, a first shutter 820 and a second shutter 821 that can cover the target holder 817 and the substrate holder 812 are disposed, respectively.
These shutters 220 and 221 are for preventing the target 816, the apparatus main body 11, and the bonding film 32 from being exposed to an unnecessary atmosphere or the like, respectively.

また、排気手段８３０は、ポンプ８３２と、ポンプ８３２とチャンバー８１１とを連通する排気ライン８３１と、排気ライン８３１の途中に設けられたバルブ８３３とで構成されており、チャンバー８１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
さらに、ガス供給手段８６０は、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を貯留するガスボンベ８６４と、ガスボンベ８６４からこのガスをチャンバー８１１に導くガス供給ライン８６１と、ガス供給ライン８６１の途中に設けられたポンプ８６２およびバルブ８６３とで構成されており、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスをチャンバー８１１内に供給し得るようになっている。
以上のような構成の成膜装置８００を用いて、以下のようにして接合膜３２が形成される。
まず、装置本体１１を用意し、この装置本体１１を成膜装置８００のチャンバー８１１内に搬入し、基板ホルダー８１２に装着（セット）する。 The exhaust means 830 includes a pump 832, an exhaust line 831 that communicates the pump 832 and the chamber 811, and a valve 833 provided in the middle of the exhaust line 831. The pressure can be reduced.
Further, the gas supply means 860 includes a gas cylinder 864 that stores a gas (for example, hydrogen gas) containing an atomic component constituting the leaving group 303, a gas supply line 861 that guides the gas from the gas cylinder 864 to the chamber 811, and a gas The pump 862 and the valve 863 provided in the supply line 861 are configured so that a gas containing an atomic component constituting the leaving group 303 can be supplied into the chamber 811.
Using the film forming apparatus 800 having the above configuration, the bonding film 32 is formed as follows.
First, the apparatus main body 11 is prepared, and the apparatus main body 11 is carried into the chamber 811 of the film forming apparatus 800 and mounted (set) on the substrate holder 812.

次に、排気手段８３０を動作させ、すなわちポンプ８３２を作動させた状態でバルブ８３３を開くことにより、チャンバー８１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０^−７〜１×１０^−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０^−６〜１×１０^−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
さらに、ガス供給手段８６０を動作させ、すなわちポンプ８６２を作動させた状態でバルブ８６３を開くことにより、チャンバー８１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。 Next, the exhaust unit 830 is operated, that is, the valve 833 is opened while the pump 832 is operated, whereby the inside of the chamber 811 is decompressed. The degree of vacuum (degree of vacuum) is not particularly limited, but is preferably about 1 × 10 ⁻⁷ to 1 × 10 ⁻⁴ Torr, preferably about 1 × 10 ⁻⁶ to 1 × 10 ⁻⁵ Torr. Is more preferable.
Further, the gas supply means 860 is operated, that is, the valve 863 is opened while the pump 862 is operated, so that the gas containing the atomic components constituting the leaving group 303 is supplied into the chamber 811. Thereby, the inside of a chamber can be made into the atmosphere containing this gas (hydrogen gas atmosphere).

脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
また、チャンバー８１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、金属原子または酸素原子と、前記原子成分を含むガスとの反応が効率良く行われ、金属原子および酸素原子に確実に、前記原子成分を含むガスを導入することができる。 The flow rate of the gas containing the atomic component constituting the leaving group 303 is preferably about 1 to 100 ccm, and more preferably about 10 to 60 ccm. Thereby, the leaving group 303 can be reliably introduced into at least one of the metal atom and the oxygen atom.
The temperature in the chamber 811 may be 25 ° C. or higher, but is preferably about 25 to 100 ° C. By setting within this range, the reaction between the metal atom or oxygen atom and the gas containing the atomic component is efficiently performed, and the gas containing the atomic component is reliably introduced into the metal atom and the oxygen atom. Can do.

次に、第２のシャッター８２１を開き、さらに第１のシャッター８２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源８１５のイオン発生室８５６内にガスを導入するとともに、フィラメント８５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント８５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。 Next, the second shutter 821 is opened, and the first shutter 820 is opened.
In this state, a gas is introduced into the ion generation chamber 856 of the ion source 815 and the filament 857 is energized and heated. Thereby, electrons are emitted from the filament 857, and the emitted electrons collide with gas molecules, whereby the gas molecules are ionized.

このガスのイオンＩ^＋は、グリッド８５３とグリッド８５４とにより加速されて、イオン源８１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット８１６に衝突する。これにより、ターゲット８１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出される。このとき、チャンバー８１１内が脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）であることから、チャンバー８１１内に叩き出された粒子に含まれる金属原子および酸素原子に脱離基３０３が導入される。そして、この脱離基３０３が導入された金属酸化物が装置本体１１のバンク３１上に堆積することにより、接合膜３２が形成される。 The gas ions I ⁺ are accelerated by the grid 853 and the grid 854, emitted from the ion source 815, and collide with a target 816 made of a cathode material. Thereby, particles of metal oxide (for example, ITO) are knocked out from the target 816. At this time, since the inside of the chamber 811 is in an atmosphere containing a gas containing an atomic component constituting the leaving group 303 (for example, in a hydrogen gas atmosphere), the metal atoms contained in the particles knocked out in the chamber 811 And a leaving group 303 is introduced into the oxygen atom. Then, the bonding film 32 is formed by depositing the metal oxide introduced with the leaving group 303 on the bank 31 of the apparatus body 11.

なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源８１５のイオン発生室８５６内で、放電が行われ、電子ｅ⁻が発生するが、この電子ｅ⁻は、グリッド８５３により遮蔽され、チャンバー８１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源８１５の開口８５０）がターゲット８１６（チャンバー８１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室８５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３２に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３２の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。
以上のようにして、ほぼ全体にわたって脱離基３０３が存在する接合膜３２を成膜することができる。 In the ion beam sputtering method described in this embodiment, in the ion generation chamber 856 of the ion source 815, a discharge is performed, the electron e ^- is occurs, the electron e ^- is shielded by the grid 853, Release into the chamber 811 is prevented.
Further, since the irradiation direction of the ion beam B (the opening 850 of the ion source 815) is directed to the target 816 (a direction different from the bottom side of the chamber 811), the ultraviolet rays generated in the ion generation chamber 856 are formed. Irradiation to the bonding film 32 is more reliably prevented, and it is possible to reliably prevent the leaving group 303 introduced during the formation of the bonding film 32 from being detached.
As described above, the bonding film 32 in which the leaving group 303 exists almost entirely can be formed.

＜Ｂ＞一方、Ｂの方法では、接合膜３２は、上記のように、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３を導入することにより形成される。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を偏在させた状態で導入することができ、接合膜および金属酸化物膜としての双方の特性に優れた接合膜３２を形成することができる。 <B> On the other hand, in the method B, the bonding film 32 is formed of a metal oxide film containing metal atoms and oxygen atoms as described above, and then the metal contained in the vicinity of the surface of the metal oxide film. It is formed by introducing a leaving group 303 into at least one of an atom and an oxygen atom. According to such a method, it is possible to introduce the leaving group 303 in an unevenly distributed state near the surface of the metal oxide film in a relatively simple process, and to achieve both characteristics as a bonding film and a metal oxide film. An excellent bonding film 32 can be formed.

ここで、金属酸化物膜は、いかなる方法で成膜されたものでもよく、例えば、ＰＶＤ法（物理的気相成膜法）、ＣＶＤ法（化学的気相成膜法）、プラズマ重合法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜することができるが、中でも、特に、ＰＶＤ法により成膜するのが好ましい。ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な金属酸化物膜を効率よく成膜することができる。 Here, the metal oxide film may be formed by any method, for example, PVD method (physical vapor deposition method), CVD method (chemical vapor deposition method), plasma polymerization method, etc. The film can be formed by various vapor phase film forming methods, various liquid phase film forming methods, and the like, and it is particularly preferable to form the film by the PVD method. According to the PVD method, a dense and homogeneous metal oxide film can be efficiently formed.

また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびレーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、雰囲気中に金属酸化物の粒子を叩き出して、バンク３１上に供給することができるため、特性に優れた金属酸化物膜を成膜することができる。 Moreover, examples of the PVD method include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a laser ablation method, and the like. Among these, it is preferable to use a sputtering method. According to the sputtering method, metal oxide particles having excellent characteristics can be supplied to the bank 31 by knocking out metal oxide particles into the atmosphere without breaking the bond between the metal atom and the oxygen atom. A physical film can be formed.

さらに、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を導入する方法としては、各種方法が用いられ、例えば、Ｂ１：脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で金属酸化物膜を熱処理（アニーリング）する方法、Ｂ２：イオン・インプランテーション等が挙げられるが、中でも、特に、Ｂ１の方法を用いるのが好ましい。Ｂ１の方法によれば、比較的容易に、脱離基３０３を金属酸化物膜の表面付近に選択的に導入することができる。また、熱処理を施す際の、雰囲気温度や処理時間等の処理条件を適宜設定することにより、導入する脱離基３０３の量、さらには脱離基３０３が導入される金属酸化物膜の厚さの制御を的確に行うことができる。 Furthermore, as a method for introducing the leaving group 303 near the surface of the metal oxide film, various methods are used. For example, the metal oxide film is formed in an atmosphere containing an atomic component constituting the B1: leaving group 303. Examples of the method include heat treatment (annealing), B2: ion implantation, and the like. In particular, it is preferable to use the method B1. According to the method B1, the leaving group 303 can be selectively introduced near the surface of the metal oxide film relatively easily. Further, by appropriately setting the processing conditions such as the atmospheric temperature and the processing time when performing the heat treatment, the amount of the leaving group 303 to be introduced, and further the thickness of the metal oxide film into which the leaving group 303 is introduced. Can be accurately controlled.

以下、金属酸化物膜をスパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により成膜し、次に、得られた金属酸化物膜を、脱離基３０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で熱処理（アニーリング）することにより、接合膜３２を得る場合を代表に説明する。
なお、Ｂの方法を用いて接合膜３２の成膜する場合も、Ａの方法を用いて接合膜３２を成膜する際に用いられる成膜装置８００と同様の成膜装置が用いられるため、成膜装置に関する説明は省略する。 Hereinafter, a metal oxide film is formed by a sputtering method (ion beam sputtering method), and then the obtained metal oxide film is subjected to heat treatment (annealing) in an atmosphere containing an atomic component constituting the leaving group 303. Thus, the case where the bonding film 32 is obtained will be described as a representative.
Even when the bonding film 32 is formed using the method B, a film forming apparatus similar to the film forming apparatus 800 used when forming the bonding film 32 using the method A is used. A description of the film forming apparatus is omitted.

［ｉ］まず、装置本体１１を用意する。そして、この装置本体１１を成膜装置８００のチャンバー８１１内に搬入し、基板ホルダー８１２に装着（セット）する。
［ii］次に、排気手段８３０を動作させ、すなわちポンプ８３２を作動させた状態でバルブ８３３を開くことにより、チャンバー８１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０^−７〜１×１０^−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０^−６〜１×１０^−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、このとき、加熱手段を動作させ、チャンバー８１１内を加熱する。チャンバー８１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、膜密度の高い金属酸化物膜を成膜することができる。 [I] First, the apparatus main body 11 is prepared. Then, the apparatus main body 11 is carried into the chamber 811 of the film forming apparatus 800 and mounted (set) on the substrate holder 812.
[Ii] Next, the inside of the chamber 811 is decompressed by opening the valve 833 while the exhaust means 830 is operated, that is, the pump 832 is operated. The degree of vacuum (degree of vacuum) is not particularly limited, but is preferably about 1 × 10 ⁻⁷ to 1 × 10 ⁻⁴ Torr, preferably about 1 × 10 ⁻⁶ to 1 × 10 ⁻⁵ Torr. Is more preferable.
At this time, the heating means is operated to heat the inside of the chamber 811. Although the temperature in the chamber 811 should just be 25 degreeC or more, it is preferable that it is about 25-100 degreeC. By setting within this range, a metal oxide film having a high film density can be formed.

［iii］次に、第２のシャッター８２１を開き、さらに第１のシャッター８２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源８１５のイオン発生室８５６内にガスを導入するとともに、フィラメント８５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント８５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。 [Iii] Next, the second shutter 821 is opened, and the first shutter 820 is further opened.
In this state, a gas is introduced into the ion generation chamber 856 of the ion source 815 and the filament 857 is energized and heated. Thereby, electrons are emitted from the filament 857, and the emitted electrons collide with gas molecules, whereby the gas molecules are ionized.

このガスのイオンＩ^＋は、グリッド８５３とグリッド８５４とにより加速されて、イオン源８１５から放出され、陰極材料で構成されるターゲット８１６に衝突する。これにより、ターゲット８１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出され、装置本体１１のバンク３１上に堆積して、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子とを含む金属酸化物膜が形成される。 The gas ions I ⁺ are accelerated by the grid 853 and the grid 854, emitted from the ion source 815, and collide with a target 816 made of a cathode material. As a result, metal oxide (for example, ITO) particles are knocked out of the target 816 and deposited on the bank 31 of the apparatus main body 11, and a metal oxide containing a metal atom and an oxygen atom bonded to the metal atom. A material film is formed.

なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源８１５のイオン発生室８５６内で、放電が行われ、電子ｅ⁻が発生するが、この電子ｅ⁻は、グリッド８５３により遮蔽され、チャンバー８１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源８１５の開口８５０）がターゲット８１６（チャンバー８１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室８５６内で発生した紫外線が、成膜された接合膜３２に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜３２の成膜中に導入された脱離基３０３が脱離するのを確実に防止することができる。 In the ion beam sputtering method described in this embodiment, in the ion generation chamber 856 of the ion source 815, a discharge is performed, the electron e ^- is occurs, the electron e ^- is shielded by the grid 853, Release into the chamber 811 is prevented.
Further, since the irradiation direction of the ion beam B (the opening 850 of the ion source 815) is directed to the target 816 (a direction different from the bottom side of the chamber 811), the ultraviolet rays generated in the ion generation chamber 856 are formed. Irradiation to the bonding film 32 is more reliably prevented, and it is possible to reliably prevent the leaving group 303 introduced during the formation of the bonding film 32 from being detached.

［iv］次に、第２のシャッター８２１を開いた状態で、第１のシャッター８２０を閉じる。
この状態で、加熱手段を動作させ、チャンバー８１１内をさらに加熱する。チャンバー８１１内の温度は、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３が導入される温度に設定され、１００〜６００℃程度であるのが好ましく、１５０〜３００℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、次工程［v］において、装置本体１１および金属酸化物膜を変質・劣化させることなく、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基３０３を導入することができる。 [Iv] Next, with the second shutter 821 opened, the first shutter 820 is closed.
In this state, the heating means is operated to further heat the chamber 811. The temperature in the chamber 811 is set to a temperature at which the leaving group 303 is efficiently introduced onto the surface of the metal oxide film, and is preferably about 100 to 600 ° C., more preferably about 150 to 300 ° C. preferable. By setting within this range, in the next step [v], the leaving group 303 can be efficiently introduced onto the surface of the metal oxide film without deteriorating and degrading the apparatus main body 11 and the metal oxide film. it can.

［v］次に、ガス供給手段８６０を動作させ、すなわちポンプ８６２を作動させた状態でバルブ８６３を開くことにより、チャンバー８１１内に脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー８１１内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
このように、前記工程［iv］でチャンバー８１１内が加熱された状態で、チャンバー８１１内を、脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）とすると、金属酸化物膜の表面付近に存在する金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基３０３が導入されて、接合膜３２が形成される。 [V] Next, the gas supply means 860 is operated, that is, the valve 863 is opened in a state where the pump 862 is operated, whereby the gas containing the atomic components constituting the leaving group 303 is supplied into the chamber 811. Thereby, the inside of the chamber 811 can be made into an atmosphere containing such a gas (under a hydrogen gas atmosphere).
As described above, in the state where the inside of the chamber 811 is heated in the step [iv], the inside of the chamber 811 includes an atmosphere containing a gas containing an atomic component constituting the leaving group 303 (for example, under a hydrogen gas atmosphere). Then, the leaving group 303 is introduced into at least one of metal atoms and oxygen atoms existing near the surface of the metal oxide film, and the bonding film 32 is formed.

脱離基３０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基３０３を導入することができる。
なお、チャンバー８１１内は、前記工程［ii］において、排気手段８３０を動作させることにより調整された減圧状態を維持しているのが好ましい。これにより、金属酸化物膜の表面付近に対する脱離基３０３の導入をより円滑に行うことができる。また、前記工程［ii］の減圧状態を維持したまま、本工程においてチャンバー８１１内を減圧する構成とすることにより、再度減圧する手間が省けることから、成膜時間および成膜コスト等の削減を図ることができるという利点も得られる。 The flow rate of the gas containing the atomic component constituting the leaving group 303 is preferably about 1 to 100 ccm, and more preferably about 10 to 60 ccm. Thereby, the leaving group 303 can be reliably introduced into at least one of the metal atom and the oxygen atom.
Note that it is preferable that the inside of the chamber 811 maintain a reduced pressure state adjusted by operating the exhaust means 830 in the step [ii]. Thereby, the leaving group 303 can be introduced more smoothly into the vicinity of the surface of the metal oxide film. In addition, by reducing the pressure in the chamber 811 in this step while maintaining the reduced pressure state in the step [ii], it is possible to save the time for reducing the pressure again. There is also an advantage that it can be achieved.

この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０^−７〜１×１０^−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０^−６〜１×１０^−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、熱処理を施す時間は、１５〜１２０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。 The degree of vacuum (degree of vacuum) is not particularly limited, but is preferably about 1 × 10 ⁻⁷ to 1 × 10 ⁻⁴ Torr, preferably about 1 × 10 ⁻⁶ to 1 × 10 ⁻⁵ Torr. Is more preferable.
Moreover, it is preferable that the time which heat-processes is about 15 to 120 minutes, and it is more preferable that it is about 30 to 60 minutes.

導入する脱離基３０３の種類等によっても異なるが、熱処理を施す際の条件（チャンバー８１１内の温度、真空度、ガス流量、処理時間）を上記範囲内に設定することにより、金属酸化物膜の表面付近に脱離基３０３を選択的に導入することができる。
以上のようにして、表面３２０付近に脱離基３０３が偏在する接合膜３２を成膜することができる。 Although depending on the type of leaving group 303 to be introduced, etc., the metal oxide film can be obtained by setting the conditions for the heat treatment (temperature in the chamber 811, degree of vacuum, gas flow rate, treatment time) within the above ranges. A leaving group 303 can be selectively introduced in the vicinity of the surface.
As described above, the bonding film 32 in which the leaving group 303 is unevenly distributed in the vicinity of the surface 320 can be formed.

以上のような本実施形態にかかる表示装置１０においても、前記第１実施形態と同様の効果が得られる。
そして、この表示装置１０では、接合膜３２が優れた導電性を有するように構成することができるので、特にバンク３１の少なくとも一部が導電性材料で構成されている場合、陰極５全体として抵抗値をさらに低減（電気伝導度をさらに向上）させることができ、発光装置１０をさらに低電圧で駆動することが可能となる。 Also in the display device 10 according to the present embodiment as described above, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
In the display device 10, the bonding film 32 can be configured to have excellent conductivity. Therefore, particularly when at least a part of the bank 31 is formed of a conductive material, the entire cathode 5 has a resistance. The value can be further reduced (electric conductivity can be further improved), and the light emitting device 10 can be driven at a lower voltage.

＜＜第３実施形態＞＞
次に、本発明の有機発光装置の第３実施形態について説明する。
図１２は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第３実施形態が備える接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
なお、以下の説明では、図１２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 << Third Embodiment >>
Next, a third embodiment of the organic light emitting device of the present invention will be described.
FIG. 12 is a longitudinal sectional view schematically showing a film forming apparatus used for manufacturing a bonding film provided in the third embodiment of the active matrix display device to which the organic light emitting device of the present invention is applied.
In the following description, the upper side in FIG. 12 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下、第３実施形態について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置（有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置）（以下、単に「表示装置」と言う。）１０は、接合膜３２の構成が異なること以外は、前記第１実施形態と同様である。 Hereinafter, the third embodiment will be described with a focus on differences from the first embodiment, and description of similar matters will be omitted.
The active matrix display device (organic electroluminescence (EL) display device) (hereinafter simply referred to as “display device”) 10 of the present embodiment is the same as that of the first embodiment except that the configuration of the bonding film 32 is different. It is the same.

すなわち、本実施形態にかかる表示装置１０は、接合膜３２がエネルギー付与前の状態で、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである。
このような接合膜３２は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３が接合膜３２から脱離し、接合膜３２の少なくとも表面付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３２の表面に、前記第１実施形態と同様の接着性が発現する。 That is, the display device 10 according to the present embodiment includes the leaving group 303 composed of a metal atom and an organic component in a state where the bonding film 32 is before energy application.
In the bonding film 32, when energy is applied, the leaving group 303 is detached from the bonding film 32, and an active hand 304 is generated at least near the surface of the bonding film 32. As a result, the same adhesiveness as in the first embodiment appears on the surface of the bonding film 32.

以下、本実施形態にかかる接合膜３２について説明する。
接合膜３２は、バンク３１上に設けられ、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３を含むものである。
このような接合膜３２は、エネルギーが付与されると、脱離基３０３の接合手が切れて接合膜３２の少なくとも表面３２０付近から脱離し、図９に示すように、接合膜３２の少なくとも表面３２０付近に、活性手３０４が生じるものである。そして、これにより、接合膜３２の表面３２０に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、接合膜３２が形成されたバンク３１は、ブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）に対して、高い寸法精度で強固に効率よく接合可能なものとなる。 Hereinafter, the bonding film 32 according to the present embodiment will be described.
The bonding film 32 is provided on the bank 31 and includes a metal atom and a leaving group 303 composed of an organic component.
When energy is applied to such a bonding film 32, the bond of the leaving group 303 is cut and desorbed from at least the vicinity of the surface 320 of the bonding film 32, and as shown in FIG. 9, at least the surface of the bonding film 32. In the vicinity of 320, an active hand 304 is generated. Thereby, adhesiveness is developed on the surface 320 of the bonding film 32. When such adhesiveness is developed, the bank 31 on which the bonding film 32 is formed can be firmly and efficiently bonded to the black matrix 7 (color filter substrate 9) with high dimensional accuracy.

また、接合膜３２は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基３０３とを含むもの、すなわち有機金属膜であることから、変形し難い強固な膜となる。このため、接合膜３２自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られる表示装置１０においても、寸法精度が高いものが得られる。
また、接合膜３２は、優れた伝熱性（熱伝導性）を有しており、第１実施形態で述べたように、有機ＥＬ素子１（有機半導体層４）で発生した熱を、陰極５、バンク３１および接合膜３２を介してカラーフィルター基板９から、確実かつ効率良く放熱することができる。 Further, since the bonding film 32 includes a metal atom and a leaving group 303 composed of an organic component, that is, an organic metal film, the bonding film 32 is a strong film that is difficult to be deformed. For this reason, the bonding film 32 itself has a high dimensional accuracy, and the display device 10 finally obtained also has a high dimensional accuracy.
Further, the bonding film 32 has excellent heat conductivity (thermal conductivity), and as described in the first embodiment, the heat generated in the organic EL element 1 (organic semiconductor layer 4) is transferred to the cathode 5. Then, heat can be radiated from the color filter substrate 9 through the bank 31 and the bonding film 32 reliably and efficiently.

さらに、接合膜３２は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（接合膜３２）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、このような接合膜３２を用いて得られた表示装置１０の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。 Further, the bonding film 32 is a solid that does not have fluidity. For this reason, the thickness and shape of the adhesive layer (bonding film 32) hardly change compared to a liquid or viscous liquid (semi-solid) adhesive having fluidity that has been conventionally used. Therefore, the dimensional accuracy of the display device 10 obtained by using such a bonding film 32 is much higher than that of the related art. Furthermore, since the time required for curing the adhesive is not required, strong bonding can be achieved in a short time.

また、本発明では、接合膜３２は、導電性を有するものであるのが好ましい。これにより、特にバンク３１の少なくとも一部が導電性材料で構成されている場合、陰極５全体として抵抗値をさらに低減（電気伝導度をさらに向上）させることができ、発光装置１０をさらに低電圧で駆動することが可能となる。
また、導電性を有する接合膜３２は、電力線および信号線としての機能を併せ持つことができる。これにより、接合膜３２を介して電力や各種制御信号をやり取りすることができる。その結果、別途電力線や信号線等を設ける必要がなくなり、表示装置１０の構造をより簡単にすることができる。そして、表示装置１０の集積度を高めることができ、さらなる小型化および薄型化を図ることができる。
また、接合膜３２が導電性を有する場合、接合膜３２の抵抗率は、構成材料の組成に応じて若干異なるものの、１×１０^−３Ω・ｃｍ以下であるのが好ましく、１×１０^−４Ω・ｃｍ以下であるのがより好ましい。 In the present invention, it is preferable that the bonding film 32 has conductivity. Thereby, particularly when at least a part of the bank 31 is made of a conductive material, the resistance value of the cathode 5 as a whole can be further reduced (electric conductivity can be further improved), and the light emitting device 10 can be further reduced in voltage. It becomes possible to drive with.
Further, the conductive bonding film 32 can have both functions as a power line and a signal line. Thereby, power and various control signals can be exchanged through the bonding film 32. As a result, it is not necessary to provide a separate power line, signal line, etc., and the structure of the display device 10 can be simplified. And the integration degree of the display apparatus 10 can be raised, and further size reduction and thickness reduction can be achieved.
Also, if the bonding film 32 has conductivity, the resistivity of the bonding film 32, though slightly different depending on the composition of the material, but preferably not more than ^{1 × 10 -3 Ω · cm,} 1 × 10 - More preferably, it is ⁴ Ω · cm or less.

以上のような接合膜３２としての機能が好適に発揮されるように、金属原子および脱離基３０３が選択される。
具体的には、金属原子としては、例えば、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｐｏのような典型金属元素等が挙げられる。 The metal atom and the leaving group 303 are selected so that the function as the bonding film 32 as described above is suitably exhibited.
Specifically, examples of the metal atom include Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Hf, Transition metal elements such as Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, various lanthanoid elements, various actinoid elements, Li, Be, Na, Mg, Al, K, Ca, Zn, Ga, Rb, Sr, Typical metal elements such as Cd, In, Sn, Sb, Cs, Ba, Tl, Pd, Bi, and Po are listed.

このうち、遷移金属は、前述したように、各遷移金属元素間は、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、接合膜３２が含む金属原子として、遷移金属元素の原子を選択することにより、接合膜３２に発現する接着性をより高めることができる。また、それとともに、接合膜３２の導電性をより高めることができる。 Among these, as described above, the transition metals have similar physical properties because the transition metal elements are different only in the number of outermost electrons. Transition metals generally have high hardness and melting point, and high electrical conductivity and thermal conductivity. For this reason, by selecting an atom of a transition metal element as the metal atom included in the bonding film 32, the adhesiveness expressed in the bonding film 32 can be further improved. In addition, the conductivity of the bonding film 32 can be further increased.

また、特に、接合膜３２が含む金属原子としてＣｕ、Ａｌ、ＺｎおよびＦｅのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることにより、接合膜３２は、特に優れた導電性を発揮するものとなる。さらに、接合膜３２を後述する有機金属化学気相成長法を用いて成膜する場合には、これらの金属を含む金属錯体等を原材料として用いて、比較的容易かつ均一な膜厚の接合膜３２を成膜することができる。 In particular, the bonding film 32 exhibits particularly excellent conductivity by using one or more of Cu, Al, Zn and Fe as metal atoms included in the bonding film 32 in combination. Become. Further, when the bonding film 32 is formed by using a metal organic chemical vapor deposition method to be described later, a bonding film having a relatively easy and uniform film thickness is obtained using a metal complex containing these metals as a raw material. 32 can be deposited.

また、脱離基３０３は、前述したように、接合膜３２から脱離することにより、接合膜３２に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう接合膜３２に確実に結合しているものが好適に選択される。 In addition, as described above, the leaving group 303 behaves so as to generate an active hand in the bonding film 32 by detaching from the bonding film 32. Therefore, although the leaving group 303 is relatively easily and uniformly desorbed by being given energy, it is securely bonded to the bonding film 32 so as not to be desorbed when no energy is given. Those are preferably selected.

具体的には、脱離基３０３としては、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団が好適に選択される。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、接合膜３２の接着性をより高度なものとすることができる。 Specifically, as the leaving group 303, an atomic group containing a carbon atom as an essential component and containing at least one of a hydrogen atom, a nitrogen atom, a phosphorus atom, a sulfur atom and a halogen atom is suitably selected. Such a leaving group 303 is relatively excellent in bond / elimination selectivity by energy application. Therefore, such a leaving group 303 can sufficiently satisfy the above-described necessity, and the adhesiveness of the bonding film 32 can be further enhanced.

より具体的には、原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基の他、前記アルキル基の末端がイソシアネート基、アミノ基およびスルホン酸基等で終端しているもの等が挙げられる。
以上のような原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、アルキル基であるのが好ましい。アルキル基で構成される脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３としてアルキル基を備える接合膜３２は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。 More specifically, examples of the atomic group (group) include an alkyl group such as a methyl group and an ethyl group, an alkoxy group such as a methoxy group and an ethoxy group, and a carboxyl group, and the end of the alkyl group is an isocyanate group. And those terminated with a group, an amino group, a sulfonic acid group, and the like.
Among the atomic groups as described above, the leaving group 303 is particularly preferably an alkyl group. Since the leaving group 303 composed of an alkyl group has high chemical stability, the bonding film 32 having an alkyl group as the leaving group 303 is excellent in weather resistance and chemical resistance.

また、かかる構成の接合膜３２において、金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、接合膜３２の安定性が高くなり、バンク３１（装置本体１１）とブラックマトリクス７（カラーフィルター基板９）とをより強固に接合することができるようになる。また、接合膜３２を優れた導電性を発揮するものとすることができる。 In the bonding film 32 having such a configuration, the abundance ratio of metal atoms to oxygen atoms is preferably about 3: 7 to 7: 3, and more preferably about 4: 6 to 6: 4. By setting the abundance ratio of metal atoms and carbon atoms to be within the above range, the stability of the bonding film 32 is increased, and the bank 31 (device main body 11) and the black matrix 7 (color filter substrate 9) are further connected. It becomes possible to join firmly. Further, the bonding film 32 can exhibit excellent conductivity.

また、接合膜３２の平均厚さは、０．２〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。接合膜３２の平均厚さを前記範囲内とすることにより、表示装置１０の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、バンク３１とカラーフィルター基板９とをより強固に接合することができる。
すなわち、接合膜３２の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３２の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、表示装置１０の寸法精度が著しく低下するおそれがある。 The average thickness of the bonding film 32 is preferably about 0.2 to 1000 nm, and more preferably about 2 to 800 nm. By setting the average thickness of the bonding film 32 within the above range, it is possible to bond the bank 31 and the color filter substrate 9 more firmly while preventing the dimensional accuracy of the display device 10 from being significantly lowered.
That is, when the average thickness of the bonding film 32 is less than the lower limit value, there is a possibility that sufficient bonding strength cannot be obtained. On the other hand, when the average thickness of the bonding film 32 exceeds the upper limit, the dimensional accuracy of the display device 10 may be significantly reduced.

なお、上記のような形状追従性の程度は、接合膜３２の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、接合膜３２の厚さをできるだけ厚くすればよい。
以上説明したような接合膜３２は、いかなる方法で成膜してもよいが、例えば、IIａ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜のほぼ全体または表面付近に選択的に付与（化学修飾）して接合膜３２を形成する方法、IIｂ：金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３２を形成する方法（積層させる方法あるいは、単原子層からなる接合層を形成）、IIｃ：金属原子と脱離基３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として適切な溶媒に溶解させスピンコート法などを用いて接合膜を形成する方法等が挙げられる。これらの中でも、IIｂの方法により接合膜３２を成膜するのが好ましい。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の接合膜３２を形成することができる。 In addition, the degree of the shape followability as described above becomes more prominent as the thickness of the bonding film 32 increases. Therefore, in order to sufficiently ensure the shape following property, the thickness of the bonding film 32 may be increased as much as possible.
The bonding film 32 as described above may be formed by any method. For example, IIa: an organic substance containing a leaving group (organic component) 303 on a metal film composed of a metal atom is replaced with a metal film. A method of forming the bonding film 32 by selectively imparting (chemically modifying) almost the entire surface or in the vicinity of the surface, IIb: an organic metal material having a metal atom and an organic substance containing a leaving group (organic component) 303 as a raw material As a method of forming the bonding film 32 using a metal organic chemical vapor deposition method (a method of laminating or forming a bonding layer made of a monoatomic layer), IIc: an organic substance containing a metal atom and a leaving group 303 Examples thereof include a method in which an organic metal material is dissolved in an appropriate solvent as a raw material and a bonding film is formed using a spin coating method or the like. Among these, it is preferable to form the bonding film 32 by the method IIb. According to such a method, the bonding film 32 having a uniform film thickness can be formed by a relatively simple process.

以下、IIｂの方法、すなわち金属原子と、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて接合膜３２を形成する方法により、接合膜３２を得る場合を代表に説明する。
まず、接合膜３２の成膜方法を説明するのに先立って、接合膜３２を成膜する際に用いられる成膜装置４００について説明する。 Hereinafter, by the method of IIb, that is, the method of forming the bonding film 32 using a metal organic chemical vapor deposition method using an organic metal material having a metal atom and an organic substance containing a leaving group (organic component) 303 as a raw material, A case where the bonding film 32 is obtained will be described as a representative.
First, before describing the method for forming the bonding film 32, the film forming apparatus 400 used when forming the bonding film 32 will be described.

図１２に示す成膜装置４００は、有機金属化学気相成長法（以下、「ＭＯＣＶＤ法」と省略することもある。）による接合膜３２の形成をチャンバー４１１内で行えるように構成されている。
具体的には、成膜装置４００は、チャンバー（真空チャンバー）４１１と、このチャンバー４１１内に設置され、装置本体１１（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）４１２と、チャンバー４１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給する有機金属材料供給手段４６０と、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを供給するガス供給手段４７０と、チャンバー４１１内の排気をして圧力を制御する排気手段４３０と、基板ホルダー４１２を加熱する加熱手段（図示せず）とを有している。 A film forming apparatus 400 shown in FIG. 12 is configured so that the bonding film 32 can be formed in the chamber 411 by a metal organic chemical vapor deposition method (hereinafter sometimes abbreviated as “MOCVD method”). .
Specifically, the film forming apparatus 400 includes a chamber (vacuum chamber) 411 and a substrate holder (film forming object holding unit) 412 that is installed in the chamber 411 and holds the apparatus main body 11 (film forming object). An organic metal material supply means 460 for supplying a vaporized or atomized organic metal material into the chamber 411, a gas supply means 470 for supplying a gas for making the inside of the chamber 411 under a low reducing atmosphere, and a chamber Evacuation means 430 for evacuating the inside of 411 to control the pressure, and heating means (not shown) for heating the substrate holder 412.

基板ホルダー４１２は、本実施形態では、チャンバー４１１の底部に取り付けられている。この基板ホルダー４１２は、モータの作動により回動可能となっている。これにより、バンク３１上に接合膜３２を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
また、基板ホルダー４１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができるシャッター４２１が配設されている。このシャッター４２１は、装置本体１１および接合膜３２が不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。 The substrate holder 412 is attached to the bottom of the chamber 411 in this embodiment. The substrate holder 412 can be rotated by the operation of a motor. Accordingly, the bonding film 32 can be formed on the bank 31 with a uniform and uniform thickness.
Further, in the vicinity of the substrate holder 412, a shutter 421 that can cover them is provided. The shutter 421 is for preventing the apparatus main body 11 and the bonding film 32 from being exposed to an unnecessary atmosphere or the like.

有機金属材料供給手段４６０は、チャンバー４１１に接続されている。この有機金属材料供給手段４６０は、固形状の有機金属材料を貯留する貯留槽４６２と、気化または霧化した有機金属材料をチャンバー４１１内に送気するキャリアガスを貯留するガスボンベ４６５と、キャリアガスと気化または霧化した有機金属材料をチャンバー４１１内に導くガス供給ライン４６１と、ガス供給ライン４６１の途中に設けられたポンプ４６４およびバルブ４６３とで構成されている。かかる構成の有機金属材料供給手段４６０では、貯留槽４６２は、加熱手段を有しており、この加熱手段の作動により固形状の有機金属材料を加熱して気化し得るようになっている。そのため、バルブ４６３を開放した状態で、ポンプ４６４を作動させて、キャリアガスをガスボンベ４６５から貯留槽４６２に供給すると、このキャリアガスとともに気化または霧化した有機金属材料が、ガス供給ライン４６１内を通過してチャンバー４１１内に供給されるようになっている。 The organometallic material supply unit 460 is connected to the chamber 411. The organometallic material supply means 460 includes a storage tank 462 that stores a solid organometallic material, a gas cylinder 465 that stores a carrier gas that feeds the vaporized or atomized organometallic material into the chamber 411, and a carrier gas. And a gas supply line 461 for introducing the vaporized or atomized organometallic material into the chamber 411, and a pump 464 and a valve 463 provided in the middle of the gas supply line 461. In the organometallic material supply means 460 having such a configuration, the storage tank 462 has a heating means, and the operation of the heating means can heat and vaporize the solid organometallic material. Therefore, when the pump 464 is operated while the valve 463 is opened and the carrier gas is supplied from the gas cylinder 465 to the storage tank 462, the organometallic material vaporized or atomized together with the carrier gas passes through the gas supply line 461. It passes through and is supplied into the chamber 411.

なお、キャリアガスとしては、特に限定されず、例えば、窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガス等が好適に用いられる。
また、本実施形態では、ガス供給手段４７０がチャンバー４１１に接続されている。ガス供給手段４７０は、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを貯留するガスボンベ４７５と、前記低還元性雰囲気下とするためのガスをチャンバー４１１内に導くガス供給ライン４７１と、ガス供給ライン４７１の途中に設けられたポンプ４７４およびバルブ４７３とで構成されている。かかる構成のガス供給手段４７０では、バルブ４７３を開放した状態で、ポンプ４７４を作動させると、前記低還元性雰囲気下とするためのガスが、ガスボンベ４７５から、供給ライン４７１を介して、チャンバー４１１内に供給されるようになっている。ガス供給手段４７０をかかる構成とすることにより、チャンバー４１１内を有機金属材料に対して確実に低還元な雰囲気とすることができる。その結果、有機金属材料を原材料としてＭＯＣＶＤ法を用いて接合膜３２を成膜する際に、有機金属材料に含まれる有機成分の少なくとも一部を脱離基３０３として残存させた状態で接合膜３２が成膜される。 In addition, it does not specifically limit as carrier gas, For example, nitrogen gas, argon gas, helium gas, etc. are used suitably.
In this embodiment, the gas supply unit 470 is connected to the chamber 411. The gas supply means 470 includes a gas cylinder 475 for storing a gas for making the inside of the chamber 411 under a low reducing atmosphere, a gas supply line 471 for introducing the gas for making the low reducing atmosphere into the chamber 411, A pump 474 and a valve 473 provided in the middle of the gas supply line 471 are configured. In the gas supply means 470 having such a configuration, when the pump 474 is operated with the valve 473 opened, the gas for making the low reducing atmosphere is supplied from the gas cylinder 475 through the supply line 471 to the chamber 411. It is designed to be supplied inside. When the gas supply unit 470 is configured as described above, the inside of the chamber 411 can be surely set in a low reducing atmosphere with respect to the organometallic material. As a result, when the bonding film 32 is formed using the MOCVD method using the organometallic material as a raw material, at least a part of the organic component contained in the organometallic material is left as the leaving group 303 in the bonding film 32. Is deposited.

チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスとしては、特に限定されないが、例えば、窒素ガスおよびヘリウム、アルゴン、キセノンのような希ガス、一酸化窒素、一酸化二窒素等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、有機金属材料として、後述する２，４−ペンタジオネート−銅（II）や［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］等のように分子構造中に酸素原子を含有するものを用いる場合には、低還元性雰囲気下とするためのガスに、水素ガスを添加するのが好ましい。これにより、酸素原子に対する還元性を向上させることができ、接合膜３２に過度の酸素原子が残存することなく、接合膜３２を成膜することができる。その結果、この接合膜３２は、膜中における金属酸化物の存在率が低いものとなり、優れた導電性を発揮することとなる。 The gas for bringing the inside of the chamber 411 into a low reducing atmosphere is not particularly limited, and examples thereof include nitrogen gas and rare gases such as helium, argon, and xenon, nitrogen monoxide, and dinitrogen monoxide. These can be used alone or in combination of two or more.
In the case of using an organic metal material containing an oxygen atom in the molecular structure, such as 2,4-pentadionate-copper (II) or [Cu (hfac) (VTMS)] described later. In addition, it is preferable to add hydrogen gas to the gas for achieving a low reducing atmosphere. Thereby, the reducibility with respect to oxygen atoms can be improved, and the bonding film 32 can be formed without excessive oxygen atoms remaining in the bonding film 32. As a result, the bonding film 32 has a low abundance of the metal oxide in the film and exhibits excellent conductivity.

また、キャリアガスとして前述した窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガスのうちの少なくとも１種を用いる場合には、このキャリアガスに低還元性雰囲気下とするためのガスとしての機能をも発揮させることができる。
また、排気手段４３０は、ポンプ４３２と、ポンプ４３２とチャンバー４１１とを連通する排気ライン４３１と、排気ライン４３１の途中に設けられたバルブ４３３とで構成されており、チャンバー４１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
以上のような構成の成膜装置４００を用いてＭＯＣＶＤ法により、以下のようにしてバンク３１上に接合膜３２が形成される。 In addition, when at least one of the nitrogen gas, argon gas and helium gas described above is used as the carrier gas, the carrier gas can also exhibit a function as a gas for providing a low reducing atmosphere. it can.
The exhaust means 430 includes a pump 432, an exhaust line 431 that communicates the pump 432 and the chamber 411, and a valve 433 provided in the middle of the exhaust line 431. The pressure can be reduced.
The bonding film 32 is formed on the bank 31 by the MOCVD method using the film forming apparatus 400 configured as described above.

［ｉ］まず、装置本体１１を用意する。そして、この装置本体１１を成膜装置４００のチャンバー４１１内に搬入し、基板ホルダー４１２に装着（セット）する。
［ii］次に、排気手段４３０を動作させ、すなわちポンプ４３２を作動させた状態でバルブ４３３を開くことにより、チャンバー４１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０^−７〜１×１０^−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０^−６〜１×１０^−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。 [I] First, the apparatus main body 11 is prepared. Then, the apparatus main body 11 is carried into the chamber 411 of the film forming apparatus 400 and mounted (set) on the substrate holder 412.
[Ii] Next, the exhaust unit 430 is operated, that is, the valve 433 is opened while the pump 432 is operated, so that the inside of the chamber 411 is decompressed. The degree of vacuum (degree of vacuum) is not particularly limited, but is preferably about 1 × 10 ⁻⁷ to 1 × 10 ⁻⁴ Torr, preferably about 1 × 10 ⁻⁶ to 1 × 10 ⁻⁵ Torr. Is more preferable.

また、ガス供給手段４７０を動作させ、すなわちポンプ４７４を作動させた状態でバルブ４７３を開くことにより、チャンバー４１１内に、低還元性雰囲気下とするためのガスを供給して、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下とする。ガス供給手段４７０による前記ガスの流量は、特に限定されないが、０．１〜１０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜５ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。 In addition, by operating the gas supply means 470, that is, by opening the valve 473 while the pump 474 is operated, the gas for making the low reducing atmosphere is supplied into the chamber 411, and the inside of the chamber 411 is supplied. Under a low reducing atmosphere. The flow rate of the gas by the gas supply means 470 is not particularly limited, but is preferably about 0.1 to 10 sccm, and more preferably about 0.5 to 5 sccm.

さらに、このとき、加熱手段を動作させ、基板ホルダー４１２を加熱する。基板ホルダー４１２の温度は、形成する接合膜３２の種類、すなわち、接合膜３２を形成する際に用いる原材料の種類によっても若干異なるが、８０〜６００℃程度であるのが好ましく、１００〜４５０℃程度であるのがより好ましく、２００〜３００℃程度であるのがさらに好ましい。かかる範囲内に設定することにより、後述する有機金属材料を用いて、優れた接着性を有する接合膜３２を成膜することができる。 Further, at this time, the heating means is operated to heat the substrate holder 412. The temperature of the substrate holder 412 varies slightly depending on the type of the bonding film 32 to be formed, that is, the type of raw material used when forming the bonding film 32, but is preferably about 80 to 600 ° C., preferably 100 to 450 ° C. More preferably, it is about 200-300 degreeC. By setting within this range, the bonding film 32 having excellent adhesiveness can be formed using an organometallic material described later.

［iii］次に、シャッター４２１を開いた状態にする。
そして、固形状の有機金属材料を貯留された貯留槽４６２が備える加熱手段を動作させることにより、有機金属材料を気化させた状態で、ポンプ４６４を動作させるとともに、バルブ４６３を開くことにより、気化または霧化した有機金属材料をキャリアガスとともにチャンバー内に導入する。 [Iii] Next, the shutter 421 is opened.
Then, by operating the heating means provided in the storage tank 462 in which the solid organic metal material is stored, the pump 464 is operated in a state where the organic metal material is vaporized, and the valve 463 is opened to vaporize. Alternatively, the atomized organometallic material is introduced into the chamber together with the carrier gas.

このように、前記工程［ii］で基板ホルダー４１２が加熱された状態で、チャンバー４１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給すると、バンク３１上で有機金属材料が加熱されることにより、有機金属材料中に含まれる有機物の一部が残存した状態で、バンク３１上に接合膜３２を形成することができる。
すなわち、ＭＯＣＶＤ法によれば、有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存するように金属原子を含む膜を形成すれば、この有機物の一部が脱離基３０３としての機能を発揮する接合膜３２をバンク３１上に形成することができる。 As described above, when the vaporized or atomized organometallic material is supplied into the chamber 411 in a state where the substrate holder 412 is heated in the step [ii], the organometallic material is heated on the bank 31. The bonding film 32 can be formed on the bank 31 in a state where a part of the organic substance contained in the organometallic material remains.
That is, according to the MOCVD method, if a film containing metal atoms is formed so that a part of the organic substance contained in the organometallic material remains, a part of the organic substance exhibits a function as the leaving group 303. A film 32 can be formed on the bank 31.

このようなＭＯＣＶＤ法に用いられる、有機金属材料としては、特に限定されないが、例えば、２，４−ペンタジオネート−銅（II）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ_３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ_２）、銅フタロシアニン、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＭＨＹ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＭＨＹ）］等、各種遷移金属元素を含んだアミド系、アセチルアセトネート系、アルコキシ系、シリコンを含むシリル系、カルボキシル基をもつカルボニル系のような金属錯体、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ジエチル亜鉛のようなアルキル金属や、その誘導体等が挙げられる。これらの中でも、有機金属材料としては、金属錯体であるのが好ましい。金属錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、接合膜３２を確実に形成することができる。 The organometallic material used in such MOCVD method is not particularly limited. For example, 2,4-pentadionate-copper (II), tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq ₃ ), tris (4 - methyl-8-quinolinolato) aluminum (III) (Almq _3), (8- hydroxyquinoline) zinc _(Znq 2), copper phthalocyanine, Cu (hexafluoroacetylacetonate) (vinyltrimethylsilane) [Cu (hfac) (VTMS )], Cu (hexafluoroacetylacetonate) (2-methyl-1-hexen-3-ene) [Cu (hfac) (MHY)], Cu (perfluoroacetylacetonate) (vinyltrimethylsilane) [Cu ( pfac) (VTMS)], Cu (perfluoroacetylacetonate) 2-methyl-1-hexen-3-ene) [Cu (pfac) (MHY)] and other amides, acetylacetonates, alkoxys, silicon-containing silyls, and carboxyl groups containing various transition metal elements. Examples include carbonyl-based metal complexes, alkyl metals such as trimethylgallium, trimethylaluminum, and diethylzinc, and derivatives thereof. Among these, the organometallic material is preferably a metal complex. By using the metal complex, the bonding film 32 can be reliably formed in a state in which a part of the organic substance contained in the metal complex remains.

また、本実施形態では、ガス供給手段４７０を動作させることにより、チャンバー４１１内を低還元性雰囲気下となっているが、このような雰囲気下とすることにより、バンク３１上に純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた接合膜３２を形成することができる。 In this embodiment, the chamber 411 is under a low reducing atmosphere by operating the gas supply means 470. By using such an atmosphere, a pure metal film is formed on the bank 31. Without being formed, a film can be formed in a state in which a part of the organic substance contained in the organometallic material remains. That is, the bonding film 32 having excellent characteristics as both the bonding film and the metal film can be formed.

気化または霧化した有機金属材料の流量は、０．１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、均一な膜厚で、かつ、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、接合膜３２を成膜することができる。
以上のように、接合膜３２を成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基３０３として用いる構成とすることにより、形成した金属膜等に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜３２を成膜することができる。 The flow rate of the vaporized or atomized organometallic material is preferably about 0.1 to 100 ccm, and more preferably about 0.5 to 60 ccm. Accordingly, the bonding film 32 can be formed with a uniform film thickness and with a part of the organic substance contained in the organometallic material remaining.
As described above, by using the residue remaining in the film as the leaving group 303 when the bonding film 32 is formed, it is not necessary to introduce the leaving group into the formed metal film or the like. The bonding film 32 can be formed by a relatively simple process.

なお、有機金属材料を用いて形成された接合膜３２に残存する前記有機物の一部は、その全てが脱離基３０３として機能するものであってもよいし、その一部が脱離基３０３として機能するものであってもよい。
以上のようにして、接合膜３２を成膜することができる。
以上のような本実施形態にかかる表示装置１０においても、前記第１実施形態と同様の効果が得られる。
そして、この表示装置１０では、接合膜３２が優れた導電性を有するように構成することができるので、特にバンク３１の少なくとも一部が導電性材料で構成されている場合、陰極５全体として抵抗値をさらに低減（電気伝導度をさらに向上）させることができ、発光装置１０をさらに低電圧で駆動することが可能となる。 Note that part of the organic substance remaining in the bonding film 32 formed using the organometallic material may function as the leaving group 303, or part of the organic substance may function as the leaving group 303. It may function as.
As described above, the bonding film 32 can be formed.
Also in the display device 10 according to the present embodiment as described above, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
In the display device 10, the bonding film 32 can be configured to have excellent conductivity. Therefore, particularly when at least a part of the bank 31 is formed of a conductive material, the entire cathode 5 has a resistance. The value can be further reduced (electric conductivity can be further improved), and the light emitting device 10 can be driven at a lower voltage.

＜電子機器＞
このような表示装置１０は、各種の電子機器に組み込むことができる。
図１３は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述の表示装置１０で構成されている。 <Electronic equipment>
Such a display device 10 can be incorporated into various electronic devices.
FIG. 13 is a perspective view showing the configuration of a mobile (or notebook) personal computer to which the electronic apparatus of the present invention is applied.
In this figure, a personal computer 1100 includes a main body 1104 provided with a keyboard 1102 and a display unit 1106 provided with a display. The display unit 1106 is rotatable with respect to the main body 1104 via a hinge structure. It is supported by.
In the personal computer 1100, the display unit included in the display unit 1106 is configured by the display device 10 described above.

図１４は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。 FIG. 14 is a perspective view showing a configuration of a mobile phone (including PHS) to which the electronic apparatus of the invention is applied.
In this figure, a cellular phone 1200 includes a plurality of operation buttons 1202, an earpiece 1204 and a mouthpiece 1206, and a display unit.
In the mobile phone 1200, the display unit is configured by the display device 10 described above.

図１５は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。 FIG. 15 is a perspective view showing the configuration of a digital still camera to which the electronic apparatus of the present invention is applied. In this figure, connection with an external device is also simply shown.
Here, an ordinary camera sensitizes a silver halide photographic film with a light image of a subject, whereas a digital still camera 1300 photoelectrically converts a light image of a subject with an imaging device such as a CCD (Charge Coupled Device). An imaging signal (image signal) is generated.

ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。 A display unit is provided on the back of a case (body) 1302 in the digital still camera 1300, and is configured to display based on an imaging signal from the CCD, and functions as a finder that displays an object as an electronic image.
In the digital still camera 1300, the display unit is configured by the display device 10 described above.

ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。 A circuit board 1308 is installed inside the case. The circuit board 1308 is provided with a memory that can store (store) an imaging signal.
A light receiving unit 1304 including an optical lens (imaging optical system), a CCD, and the like is provided on the front side of the case 1302 (on the back side in the illustrated configuration).
When the photographer confirms the subject image displayed on the display unit and presses the shutter button 1306, the CCD image pickup signal at that time is transferred and stored in the memory of the circuit board 1308.

また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。 In the digital still camera 1300, a video signal output terminal 1312 and an input / output terminal 1314 for data communication are provided on the side surface of the case 1302. As shown in the figure, a television monitor 1430 is connected to the video signal output terminal 1312 and a personal computer 1440 is connected to the input / output terminal 1314 for data communication as necessary. Further, the imaging signal stored in the memory of the circuit board 1308 is output to the television monitor 1430 or the personal computer 1440 by a predetermined operation.

なお、本発明の電子機器は、図１３のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図１４の携帯電話機、図１５のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。 The electronic apparatus of the present invention includes, for example, a television, a video camera, a viewfinder type, in addition to the personal computer (mobile personal computer) in FIG. 13, the mobile phone in FIG. 14, and the digital still camera in FIG. Monitor direct-view video tape recorder, laptop personal computer, car navigation system, pager, electronic notebook (including communication function), electronic dictionary, calculator, electronic game device, word processor, workstation, video phone, security TV Monitors, electronic binoculars, POS terminals, devices equipped with touch panels (for example, cash dispensers and automatic ticket vending machines for financial institutions), medical devices (for example, electronic thermometers, blood pressure monitors, blood glucose meters, electrocardiographs, ultrasound diagnostic devices, Endoscopic display device), fish finder, various measurements Vessels, instruments (e.g., gages for vehicles, aircraft, and ships), a flight simulator, various monitors, and a projection display such as a projector.

以上、本発明の有機発光装置および電子機器を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、有機発光装置および電子機器を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。 As mentioned above, although the organic light-emitting device and electronic device of this invention were demonstrated based on embodiment of illustration, this invention is not limited to this, Each part which comprises an organic light-emitting device and electronic device is the same. It can be replaced with any structure that can perform its function. Moreover, arbitrary components may be added.
Further, the present invention may be a combination of any two or more configurations (features) of the above embodiments.

なお、前記実施形態では、接合膜は、それを成膜する際、装置本体およびカラーフィルター基板のうちの装置本体に成膜されるようになっているが、本発明では、これに限定されず、例えば、装置本体およびカラーフィルター基板の双方に成膜されてもよく、また、カラーフィルター基板に成膜されてもよい。
また、前記実施形態では、装置本体のうちのバンクと、カラーフィルター基板のブラックマトリクスとが接合膜を介して接合されるようになっているが、本発明では、これに限定されない。すなわち、装置本体側の接合部位（接合箇所）は、バンク以外の部位であってもよく、また、カラーフィルター基板側の接合部位は、ブラックマトリクス以外の部位であってもよい。
また、本発明では、バンクは省略されていてもよい。
また、本発明では、陽極の位置と陰極との位置とを、前記実施形態と逆にしてもよい。すなわち、本発明は、基板上に陰極、有機半導体層、陽極がこの順で積層されている構成の有機ＥＬ素子（有機発光素子）を備える有機発光装置に適用してもよい。 In the embodiment, the bonding film is formed on the apparatus main body of the apparatus main body and the color filter substrate when forming the film, but the present invention is not limited to this. For example, the film may be formed on both the apparatus main body and the color filter substrate, or may be formed on the color filter substrate.
In the embodiment, the bank in the apparatus main body and the black matrix of the color filter substrate are bonded via the bonding film. However, the present invention is not limited to this. That is, the bonding portion (bonding portion) on the apparatus main body side may be a portion other than the bank, and the bonding portion on the color filter substrate side may be a portion other than the black matrix.
In the present invention, the bank may be omitted.
In the present invention, the position of the anode and the position of the cathode may be reversed from those in the above embodiment. That is, the present invention may be applied to an organic light emitting device including an organic EL element (organic light emitting element) having a structure in which a cathode, an organic semiconductor layer, and an anode are laminated in this order on a substrate.

本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態を示す縦断面図である。1 is a longitudinal sectional view illustrating a first embodiment of an active matrix display device to which an organic light emitting device of the present invention is applied. 第１実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置の主要部を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the principal part of the active matrix type display apparatus concerning 1st Embodiment. 第１実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。It is the elements on larger scale which show the state before energy provision of the joining film with which the active matrix type display apparatus concerning 1st Embodiment is provided. 第１実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。It is the elements on larger scale which show the state after the energy provision of the joining film | membrane with which the active matrix type display apparatus concerning 1st Embodiment is provided. 第１実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜の作製に用いられるプラズマ重合装置を模式的に示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows typically the plasma polymerization apparatus used for preparation of the joining film with which the active matrix type display apparatus concerning 1st Embodiment is provided. 第１実施形態にかかる示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。It is a figure (longitudinal sectional drawing) for demonstrating the manufacturing method of the active-matrix display device shown concerning 1st Embodiment. 第１実施形態にかかる示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。It is a figure (longitudinal sectional drawing) for demonstrating the manufacturing method of the active-matrix display device shown concerning 1st Embodiment. 本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第２実施形態が備える接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。It is the elements on larger scale which show the state before energy provision of the joining film with which 2nd Embodiment of the active matrix type display apparatus to which the organic light-emitting device of this invention is applied is provided. 第２実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。It is the elements on larger scale which show the state after the energy provision of the joining film | membrane with which the active matrix type display apparatus concerning 2nd Embodiment is provided. 第２実施形態にかかるアクティブマトリクス型表示装置が備える接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows typically the film-forming apparatus used for preparation of the joining film with which the active matrix type display apparatus concerning 2nd Embodiment is provided. 図１０に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the ion source with which the film-forming apparatus shown in FIG. 10 is provided. 本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第３実施形態が備える接合膜の作製に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows typically the film-forming apparatus used for preparation of the joining film with which 3rd Embodiment of the active-matrix display device to which the organic light-emitting device of this invention is applied is provided. 本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a configuration of a mobile (or notebook) personal computer to which an electronic apparatus of the present invention is applied. 本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the mobile telephone (PHS is also included) to which the electronic device of this invention is applied. 本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the digital still camera to which the electronic device of this invention is applied. 従来の有機発光装置の一例を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows an example of the conventional organic light-emitting device.

符号の説明Explanation of symbols

１……有機ＥＬ素子３……陽極３１……バンク３１１……基部３１２……頂部３１’……バンク形成膜３２……接合膜３２０……表面３６……空間３８……レジスト層４……有機半導体層５……陰極６、６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ……カラーフィルター７……ブラックマトリクス８……上基板９……カラーフィルター基板１０……表示装置１１……装置本体２０……ＴＦＴ回路基板２１……基板２２……回路部２３……下地保護層２４……駆動用ＴＦＴ２４１……半導体層２４２……ゲート絶縁層２４３……ゲート電極２４４……ソース電極２４５……ドレイン電極２５……第１層間絶縁層２６……第２層間絶縁層２７……配線３０１……Ｓｉ骨格３０２……シロキサン結合３０３……脱離基３０４……活性手１００……プラズマ重合装置１０１……チャンバー１０２……接地線１０３……供給口１０４……排気口１３０……第１の電極１３９……静電チャック１４０……第２の電極１７０……排気ポンプ１７１……圧力制御機構１８０……電源回路１８２……高周波電源１８３……マッチングボックス１８４……配線１９０……ガス供給部１９１……貯液部１９２……気化装置１９３……ガスボンベ１９４……配管１９５……拡散板４００……成膜装置４１１……チャンバー４１２……基板ホルダー４２１……シャッター４３０……排気手段４３１……排気ライン４３２……ポンプ４３３……バルブ４６０……有機金属材料供給手段４６１……ガス供給ライン４６２……貯留槽４６３……バルブ４６４……ポンプ４６５……ガスボンベ４７０……ガス供給手段４７１……ガス供給ライン４７３……バルブ４７４……ポンプ４７５……ガスボンベ８００…成膜装置８１１…チャンバー８１２…基板ホルダー８１５…イオン源８１６…ターゲット８１７…ターゲットホルダー８１９…ガス供給源８２０…第１のシャッター８２１…第２のシャッター８３０…排気手段８３１…排気ライン８３２…ポンプ８３３…バルブ８５０…開口８５３、８５４…グリッド８５５…磁石８５６…イオン発生室８５７…フィラメント８６０…ガス供給手段８６１…ガス供給ライン８６２…ポンプ８６３…バルブ８６４…ガスボンベ１１００……パーソナルコンピュータ１１０２……キーボード１１０４……本体部１１０６……表示ユニット１２００……携帯電話機１２０２……操作ボタン１２０４……受話口１２０６……送話口１３００……ディジタルスチルカメラ１３０２……ケース（ボディー）１３０４……受光ユニット１３０６…………シャッタボタン１３０８……回路基板１３１２……ビデオ信号出力端子１３１４……データ通信用の入出力端子１４３０……テレビモニタ１４４０……パーソナルコンピュータ９００……基板９０１……画素電極９０２……発光層９０３……対向電極９１０……有機ＥＬ素子９１１……カラーフィルター基板９１２……カラーフィルター９１３……ブラックマトリクス９１５……空間９２０……表示装置Ｌ_１、Ｌ_２、ｌ_１〜ｌ_８……光 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL element 3 ... Anode 31 ... Bank 311 ... Base part 312 ... Top part 31 '... Bank formation film 32 ... Bonding film 320 ... Surface 36 ... Space 38 ... Resist layer 4 ... Organic semiconductor layer 5 ... Cathode 6, 6R, 6G, 6B ... Color filter 7 ... Black matrix 8 ... Upper substrate 9 ... Color filter substrate 10 ... Display device 11 ... Device body 20 ... TFT circuit substrate DESCRIPTION OF SYMBOLS 21 …… Substrate 22 …… Circuit part 23 …… Underly protection layer 24 …… Drive TFT 241 …… Semiconductor layer 242 …… Gate insulating layer 243 …… Gate electrode 244 …… Source electrode 245 …… Drain electrode 25 …… First interlayer insulating layer 26 …… Second interlayer insulating layer 27 …… Wiring 301 …… Si skeleton 302 …… Siloxane bond 303 …… Leaving group 304 …… Active hand 100 …… Plastic Polymerization apparatus 101 …… Chamber 102 …… Grounding wire 103 …… Supply port 104 …… Exhaust port 130 …… First electrode 139 …… Electrostatic chuck 140 …… Second electrode 170 …… Exhaust pump 171 …… Pressure control mechanism 180 …… Power supply circuit 182 …… High frequency power supply 183 …… Matching box 184 …… Wiring 190 …… Gas supply unit 191 …… Liquid storage unit 192 …… Vaporizer 193 …… Gas cylinder 194 …… Piping 195 …… Diffusion plate 400 ... Film forming apparatus 411 ... Chamber 412 ... Substrate holder 421 ... Shutter 430 ... Exhaust means 431 ... Exhaust line 432 ... Pump 433 ... Valve 460 ... Organometallic material supply means 461 ... Gas supply line 462 …… Storage tank 463 …… Valve 464 …… Pump 465 …… Gas cylinder 47 ... Gas supply means 471 ... Gas supply line 473 ... Valve 474 ... Pump 475 ... Gas cylinder 800 ... Deposition device 811 ... Chamber 812 ... Substrate holder 815 ... Ion source 816 ... Target 817 ... Target holder 819 ... Gas supply Source 820 ... First shutter 821 ... Second shutter 830 ... Exhaust means 831 ... Exhaust line 832 ... Pump 833 ... Valve 850 ... Opening 853, 854 ... Grid 855 ... Magnet 856 ... Ion generation chamber 857 ... Filament 860 ... Gas supply Means 861 ... Gas supply line 862 ... Pump 863 ... Valve 864 ... Gas cylinder 1100 ... Personal computer 1102 ... Keyboard 1104 ... Main body 1106 ... Display unit 1200 ... Mobile phone 1202 ... Operation button 1204 …… Entrance 1206 …… Transmission mouth 1300 …… Digital still camera 1302 …… Case (body) 1304 …… Light receiving unit 1306 ………… Shutter button 1308 …… Circuit board 1312 …… Video signal output terminal 1314 …… Input / output terminal for data communication 1430 …… TV monitor 1440 …… Personal computer 900 …… Substrate 901 …… Pixel electrode 902 …… Light emitting layer 903 …… Counter electrode 910 …… Organic EL element 911 …… Color filter Substrate 912 ... Color filter 913 ... Black matrix 915 ... Space 920 ... Display device L ₁ , L ₂ , l _{1 to} l ₈ ... Light

Claims

互いに対向するように配置された第１の電極および第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられ、発光層を含む有機半導体層とを備える複数の有機発光素子を有する装置本体と、
前記各有機発光素子に対応するように設けられたカラーフィルターを備え、前記装置本体に接合膜を介して接合されたカラーフィルター基板とを有し、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に接着性が発現し、その接着性によって、前記装置本体と前記カラーフィルター基板とを接合していることを特徴とする有機発光装置。 A plurality of organic layers each including a first electrode and a second electrode disposed so as to face each other, and an organic semiconductor layer including a light emitting layer provided between the first electrode and the second electrode An apparatus body having a light emitting element;
A color filter provided to correspond to each of the organic light emitting elements, and a color filter substrate bonded to the apparatus body via a bonding film;
The bonding film includes a Si skeleton including a siloxane (Si-O) bond and a random atomic structure, and a leaving group bonded to the Si skeleton,
Since the bonding film is energized to at least a part of the bonding film, the leaving group existing near the surface of the bonding film is detached from the Si skeleton and adheres to the region on the surface of the bonding film. The organic light emitting device is characterized in that the device main body and the color filter substrate are bonded to each other by the adhesiveness.

前記接合膜を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％である請求項１に記載の有機発光装置。 2. The organic light-emitting device according to claim 1, wherein a sum of a content ratio of Si atoms and a content ratio of O atoms among atoms obtained by removing H atoms from all atoms constituting the bonding film is 10 to 90 atomic%.

前記接合膜中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３である請求項１または２に記載の有機発光装置。 3. The organic light emitting device according to claim 1, wherein the abundance ratio of Si atoms and O atoms in the bonding film is 3: 7 to 7: 3.

前記Ｓｉ骨格の結晶化度は、４５％以下である請求項１ないし３のいずれかに記載の有機発光装置。 The organic light-emitting device according to claim 1, wherein the crystallinity of the Si skeleton is 45% or less.

前記脱離基は、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Ｓｉ骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものである請求項１ないし４のいずれかに記載の有機発光装置。 The leaving group includes an H atom, a B atom, a C atom, an N atom, an O atom, a P atom, an S atom, and a halogen atom, or an atomic group arranged so that each of these atoms is bonded to the Si skeleton. The organic light-emitting device according to claim 1, wherein the organic light-emitting device is composed of at least one selected from the group consisting of:

前記脱離基は、アルキル基である請求項５に記載の有機発光装置。 The organic light-emitting device according to claim 5, wherein the leaving group is an alkyl group.

前記接合膜は、プラズマ重合法により形成されたものである請求項１ないし６のいずれかに記載の有機発光装置。 The organic light-emitting device according to claim 1, wherein the bonding film is formed by a plasma polymerization method.

前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されている請求項７に記載の有機発光装置。 The organic light-emitting device according to claim 7, wherein the bonding film is composed of polyorganosiloxane as a main material.

前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものである請求項８に記載の有機発光装置。 The organic light-emitting device according to claim 8, wherein the polyorganosiloxane is mainly composed of a polymer of octamethyltrisiloxane.

前記接合膜の平均厚さは、１〜１０００ｎｍである請求項１ないし９のいずれかに記載の有機発光装置。 The organic light-emitting device according to claim 1, wherein the bonding film has an average thickness of 1 to 1000 nm.

互いに対向するように配置された第１の電極および第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられ、発光層を含む有機半導体層とを備える複数の有機発光素子を有する装置本体と、
前記各有機発光素子に対応するように設けられたカラーフィルターを備え、前記装置本体に接合膜を介して接合されたカラーフィルター基板とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に接着性が発現し、その接着性によって、前記装置本体と前記カラーフィルター基板とを接合していることを特徴とする有機発光装置。 A plurality of organic layers each including a first electrode and a second electrode disposed so as to face each other, and an organic semiconductor layer including a light emitting layer provided between the first electrode and the second electrode An apparatus body having a light emitting element;
A color filter provided to correspond to each of the organic light emitting elements, and a color filter substrate bonded to the apparatus body via a bonding film;
The bonding film includes a metal atom, an oxygen atom bonded to the metal atom, and a leaving group bonded to at least one of the metal atom and the oxygen atom,
In the bonding film, energy is applied to at least a part of the bonding film, so that the leaving group existing near the surface of the bonding film is released from at least one of the metal atom and the oxygen atom, and the bonding film An organic light emitting device characterized in that adhesiveness is developed in the region of the surface of the substrate, and the device main body and the color filter substrate are joined by the adhesiveness.

互いに対向するように配置された第１の電極および第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられ、発光層を含む有機半導体層とを備える複数の有機発光素子を有する装置本体と、
前記各有機発光素子に対応するように設けられたカラーフィルターを備え、前記装置本体に接合膜を介して接合されたカラーフィルター基板とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に接着性が発現し、その接着性によって、前記装置本体と前記カラーフィルター基板とを接合していることを特徴とする有機発光装置。 A plurality of organic layers each including a first electrode and a second electrode disposed so as to face each other, and an organic semiconductor layer including a light emitting layer provided between the first electrode and the second electrode An apparatus body having a light emitting element;
A color filter provided to correspond to each of the organic light emitting elements, and a color filter substrate bonded to the apparatus body via a bonding film;
The bonding film includes a metal atom and a leaving group composed of an organic component,
The bonding film is provided with energy in at least a part of the bonding film, so that the leaving group existing near the surface of the bonding film is detached from the bonding film and adheres to the region on the surface of the bonding film. The organic light emitting device is characterized in that the device main body and the color filter substrate are bonded to each other by the adhesiveness.

前記接合膜は、流動性を有しない固体状のものである請求項１ないし１２のいずれかに記載の有機発光装置。 The organic light-emitting device according to claim 1, wherein the bonding film is a solid that does not have fluidity.

前記装置本体は、前記各有機発光素子を区画するように設けられたバンクを有する請求項１ないし１３のいずれかに記載の有機発光装置。 The organic light-emitting device according to claim 1, wherein the device main body includes a bank provided so as to partition the organic light-emitting elements.

前記接合膜を介して前記バンクと前記カラーフィルター基板とが接合されている請求項１４に記載の有機発光装置。 The organic light-emitting device according to claim 14, wherein the bank and the color filter substrate are bonded via the bonding film.

前記接合膜を介して、前記バンクと、前記カラーフィルター基板の隣接する前記カラーフィルター間の領域とが接合されている請求項１４に記載の有機発光装置。 The organic light-emitting device according to claim 14, wherein the bank and a region between the color filters adjacent to the color filter substrate are bonded to each other through the bonding film.

前記バンクは、一端側が前記接合膜を介して前記カラーフィルター基板に接合され、他端側が前記第２の電極に接合されている請求項１４ないし１６のいずれかに記載の有機発光装置。 17. The organic light emitting device according to claim 14, wherein one end side of the bank is bonded to the color filter substrate via the bonding film, and the other end side is bonded to the second electrode.

前記バンクの少なくとも一部を導電性材料で構成し、
前記バンクの前記導電性材料で構成された部位を前記第２の電極に接触させることにより、前記第２の電極の電気伝導度を向上させるよう構成した請求項１４ないし１７のいずれかに記載の有機発光装置。 At least a portion of the bank is made of a conductive material;
18. The electrical conductivity of the second electrode is improved by bringing a portion made of the conductive material of the bank into contact with the second electrode. 18. Organic light emitting device.

前記導電性材料は、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇおよびこれらを含む合金のうちの少なくとも１種を主成分とするものである請求項１８に記載の有機発光装置。 The organic light-emitting device according to claim 18, wherein the conductive material is mainly composed of at least one of Al, Ni, Co, Ag, and an alloy containing these.

前記カラーフィルター基板は、前記バンクの前記各有機発光素子と反対側に設けられ、光の透過を阻止するブラックマトリクスを有する請求項１４ないし１９のいずれかに記載の有機発光装置。 The organic light-emitting device according to claim 14, wherein the color filter substrate has a black matrix that is provided on a side of the bank opposite to the organic light-emitting elements and blocks light transmission.

前記第１の電極は、前記各有機発光素子毎に設けられ、
前記第２の電極は、平面視で前記各第１の電極を包含するように設けられた共通電極である請求項１ないし２０のいずれかに記載の有機発光装置。 The first electrode is provided for each organic light emitting element,
21. The organic light-emitting device according to claim 1, wherein the second electrode is a common electrode provided so as to include the first electrodes in a plan view.

前記各有機発光素子は、同色に発光するものである請求項１ないし２１のいずれかに記載の有機発光装置。 The organic light-emitting device according to claim 1, wherein each of the organic light-emitting elements emits light of the same color.

当該有機発光装置は、前記第１の電極を陽極、前記第２の電極を陰極とし、前記第２の電極側から光を取り出すトップエミッション構造の装置である請求項１ないし２２のいずれかに記載の有機発光装置。 23. The organic light emitting device according to claim 1, wherein the organic light emitting device is a device having a top emission structure in which the first electrode is an anode, the second electrode is a cathode, and light is extracted from the second electrode side. Organic light emitting device.

請求項１ないし２３のいずれかに記載の有機発光装置を備えることを特徴とする電子機器。 24. An electronic device comprising the organic light emitting device according to claim 1.