JP2009302025A - Organic light-emitting device and electronic equipment - Google Patents

Organic light-emitting device and electronic equipment Download PDF

Info

Publication number
JP2009302025A
JP2009302025A JP2008158565A JP2008158565A JP2009302025A JP 2009302025 A JP2009302025 A JP 2009302025A JP 2008158565 A JP2008158565 A JP 2008158565A JP 2008158565 A JP2008158565 A JP 2008158565A JP 2009302025 A JP2009302025 A JP 2009302025A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
auxiliary electrode
electrode
emitting device
organic light
organic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2008158565A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takatomo Yamamoto
隆智 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2008158565A priority Critical patent/JP2009302025A/en
Publication of JP2009302025A publication Critical patent/JP2009302025A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic light-emitting device with an auxiliary electrode to contact an electrode, having improved light-emitting property; and to provide electronic equipment equipped therewith. <P>SOLUTION: A display device 10 comprises a TFT circuit board 20, an anode 3, an organic semiconductor layer 7 provided on the anode 3, a barrier rib part 35 encircling the organic semiconductor layer 7, a cathode 8 opposed to the anode 3, and the auxiliary electrode 4 for functioning to reduce the electric resistance of the whole cathode 8 when contacting the cathode 8. The auxiliary electrode 4 contains metal atoms, oxygen atoms to be bonded to the metal atoms, and leaving groups to be bonded to at least one of the metal atoms and the oxygen atoms. By imparting energy to a region of at least part the auxiliary electrode 4, the leaving groups existing near the surface of the auxiliary electrode 4 are desorbed from at least one of the metal atoms and the oxygen atoms to develop adhesive property in the region on the surface of the auxiliary electrode. The auxiliary electrode 4 adheres to the cathode 8 with the developed adhesive property. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機発光装置および電子機器に関するものである。   The present invention relates to an organic light emitting device and an electronic apparatus.

有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に少なくとも蛍光性有機化合物（発光材料）を含む発光層を有する有機半導体層を挟んだ構成となっており、この発光層に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。
この有機ＥＬ素子は、１０Ｖ以下の低電圧で、１００〜１０００００ｃｄ／ｍ2程度の高輝度の面発光が可能であること、また、発光材料の種類を選択することにより、青色から赤色までの発光が可能なこと等の特徴を有し、安価で大面積フルカラー表示を実現し得る表示装置（有機発光装置）が備える素子として注目を集めている。 The organic EL element has a configuration in which an organic semiconductor layer having a light emitting layer containing at least a fluorescent organic compound (light emitting material) is sandwiched between a cathode and an anode, and electrons and holes (holes) are placed in the light emitting layer. In this device, excitons (excitons) are generated by injecting and recombining, and light is emitted by utilizing light emission (fluorescence / phosphorescence) when the excitons are deactivated.
This organic EL element can emit light with a high luminance of about 100 to 100,000 cd / m 2 at a low voltage of 10 V or less, and emits light from blue to red by selecting the type of light emitting material. It has attracted attention as an element included in a display device (organic light-emitting device) that has features such as being capable of being realized and that can realize large-area full-color display at low cost.

ここで、フルカラー表示を実現し得る有機発光装置は、例えば、図１５に示すように、基板が備える複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）９１０に対応するように設けられた個別の陽極９２０と、各陽極９２０を囲む枠状の隔壁部９３０と、隔壁部９３０の内側に設けられた発光層９４０と正孔輸送層９５０とを含む有機半導体層９６０と、各有機半導体層９６０および各隔壁部９３０を覆うように設けられた共通電極としての陰極９７０とを備え、陰極９７０側から光を取り出す構成となっているトップエミッション型の有機発光装置９００がある。   Here, for example, as shown in FIG. 15, an organic light emitting device capable of realizing full color display includes individual anodes 920 provided so as to correspond to a plurality of thin film transistors (TFTs) 910 included in the substrate, and each anode 920. An organic semiconductor layer 960 including a light-emitting layer 940 and a hole transport layer 950 provided inside the partition wall portion 930, and each organic semiconductor layer 960 and each partition wall portion 930 so as to cover There is a top emission type organic light emitting device 900 that includes a cathode 970 as a common electrode provided on the cathode and is configured to extract light from the cathode 970 side.

このような構成の有機発光装置９００では、有機ＥＬ素子９８０の発光効率をより高めるという観点から、陰極９７０の厚さを可能な限り薄く設定するのが望ましい。ところが、陰極９７０を薄くするにしたがって、陰極９７０全体としての抵抗値は増大することとなる。その結果、有機ＥＬ素子９８０の駆動電圧を高く設定する必要が生じ、これに起因して有機ＥＬ素子９８０の消費電力が高くなり、さらには、その寿命が短くなってしまうという問題がある。
なお、このような有機ＥＬ素子９８０の駆動電圧を高くすることに起因した問題は、陽極９２０側から光を取り出す構成のボトムエミッション型の有機発光装置においても同様に生じている。 In the organic light emitting device 900 having such a configuration, it is desirable to set the thickness of the cathode 970 as thin as possible from the viewpoint of further increasing the light emission efficiency of the organic EL element 980. However, as the cathode 970 is made thinner, the resistance value of the cathode 970 as a whole increases. As a result, it is necessary to set the drive voltage of the organic EL element 980 to be high, resulting in a problem that the power consumption of the organic EL element 980 is increased and the life thereof is shortened.
The problem caused by increasing the driving voltage of the organic EL element 980 similarly occurs in the bottom emission type organic light emitting device configured to extract light from the anode 920 side.

このような問題を解決する方法として、陰極９７０に接触する細幅の補助電極を隔壁部９３０の上面に設けることにより、この陰極９７０全体としての電気抵抗を低減させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
しかしながら、補助電極と陰極９７０との構成材料の組み合わせによっては、これら同士の間で十分な密着性が得られないことに起因して剥離が生じ、この剥離が生じた領域において、補助電極を用いた陰極９７０の低抵抗化が十分に行われず、有機発光装置に発光ムラが生じるという問題がある。 As a method for solving such a problem, a method of reducing the electrical resistance of the cathode 970 as a whole by providing a narrow auxiliary electrode in contact with the cathode 970 on the upper surface of the partition wall 930 has been proposed (for example, , See Patent Document 1).
However, depending on the combination of the constituent materials of the auxiliary electrode and the cathode 970, peeling occurs due to insufficient adhesion between them, and the auxiliary electrode is used in the area where the peeling occurs. However, the resistance of the cathode 970 is not sufficiently reduced, and there is a problem in that light emission unevenness occurs in the organic light emitting device.

特開２００３−１２３９８８号公報JP 2003-123988 A

本発明の目的は、電極に接触するように設けられた補助電極を備える、発光特性に優れた有機発光装置、およびかかる有機発光装置を備える電子機器を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an organic light emitting device having an auxiliary electrode provided so as to be in contact with an electrode and having excellent light emission characteristics, and an electronic apparatus including the organic light emitting device.

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の有機発光装置は、板状をなす基板と、
前記基板の一方の面側に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられ、電圧の印加により発光する発光層を有する有機半導体層と、
前記基板の一方の面側に設けられ、前記有機半導体層を囲む隔壁部と、
前記有機半導体層を介して前記第１の電極と対向配置され、平面視で前記有機半導体層と前記隔壁部とを包含するように設けられた第２の電極と、
該第２の電極に接触して、前記第２の電極全体の電気抵抗を低減する機能を有する補助電極とを備え、
前記補助電極は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記補助電極は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記補助電極の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離して、前記補助電極の表面の前記領域に接着性が発現し、この発現した接着性によって、前記第２の電極と接合していることを特徴とする。 Such an object is achieved by the present invention described below.
The organic light emitting device of the present invention includes a plate-shaped substrate,
A first electrode provided on one surface side of the substrate;
An organic semiconductor layer provided on the first electrode and having a light emitting layer that emits light by application of a voltage;
A partition provided on one side of the substrate and surrounding the organic semiconductor layer;
A second electrode disposed opposite to the first electrode through the organic semiconductor layer and provided to include the organic semiconductor layer and the partition wall in plan view;
An auxiliary electrode having a function of reducing the electrical resistance of the entire second electrode in contact with the second electrode;
The auxiliary electrode includes a metal atom, an oxygen atom bonded to the metal atom, and a leaving group bonded to at least one of the metal atom and the oxygen atom,
In the auxiliary electrode, energy is applied to at least a part of the region, so that the leaving group existing near the surface of the auxiliary electrode is detached from at least one of the metal atom and the oxygen atom, and the auxiliary electrode is removed. Adhesiveness is developed in the region on the surface of the electrode, and the second adhesive is bonded to the second electrode by the developed adhesiveness.

これにより、補助電極は、第２の電極に対して、化学的な結合に基づいて接合するため、これら同士が物理的な結合に基づいて結合している場合と比較して、強固に接合されたものとなる。その結果、これら同士の間で剥離が生じるのが確実に防止され、補助電極と第２の電極との間での電子の受け渡しをより円滑に行うことができる。したがって、有機発光装置は、このものが備える各有機半導体層間での発光ムラの発生が的確に防止され、優れた発光特性を有するものとなる。   Thereby, since the auxiliary electrode is bonded to the second electrode based on the chemical bond, the auxiliary electrode is firmly bonded as compared with the case where the auxiliary electrode is bonded based on the physical bond. It will be. As a result, it is possible to reliably prevent separation between them, and to transfer electrons between the auxiliary electrode and the second electrode more smoothly. Therefore, in the organic light emitting device, the occurrence of uneven light emission between the organic semiconductor layers included in the organic light emitting device is accurately prevented, and the light emitting device has excellent light emission characteristics.

本発明の有機発光装置では、前記補助電極中の前記金属原子は、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、アンチモンおよびアルミニウムのうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これにより、補助電極は、特に、優れた導電性を発揮するものとなる。そのため、これらの金属原子を適宜選択することにより、補助電極を第２の電極よりも電気抵抗が低いものとすることができ、その結果、第２の電極全体としての電気抵抗を確実に低減させることができる。 In the organic light-emitting device of the present invention, the metal atom in the auxiliary electrode is preferably at least one of indium, tin, zinc, titanium, antimony, and aluminum.
Thereby, especially an auxiliary electrode exhibits the outstanding electroconductivity. Therefore, by appropriately selecting these metal atoms, the auxiliary electrode can have a lower electrical resistance than the second electrode, and as a result, the electrical resistance of the entire second electrode can be reliably reduced. be able to.

本発明の有機発光装置では、前記補助電極中の前記脱離基は、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
かかる脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基は、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう補助電極に確実に結合しているものとなり、補助電極の接着性をより高度なものとすることができる。 In the organic light-emitting device of the present invention, the leaving group in the auxiliary electrode is a hydrogen atom, a carbon atom, a nitrogen atom, a phosphorus atom, a sulfur atom, a halogen atom, or an atomic group composed of these atoms. It is preferable that it is at least 1 type of these.
Such a leaving group is relatively excellent in bond / elimination selectivity by energy application. For this reason, such a leaving group is relatively easily and uniformly desorbed by applying energy, but when it is not given energy, it is securely bonded to the auxiliary electrode so as not to desorb. As a result, the adhesion of the auxiliary electrode can be made higher.

本発明の有機発光装置では、前記補助電極は、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）またはインジウムオキサイド（ＩＯ）に、前記脱離基として水素原子が導入されたものであることが好ましい。
これにより、補助電極は、特に、優れた導電性を発揮するとともに、接合膜としての機能も好適に発揮するものとなる。 In the organic light emitting device of the present invention, the auxiliary electrode includes indium tin oxide (ITO), fluorine-containing indium tin oxide (FITO), antimontin oxide (ATO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), A hydrogen atom is introduced as the leaving group into tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), fluorine-containing tin oxide (FTO), fluorine-containing indium oxide (FIO) or indium oxide (IO). It is preferable.
As a result, the auxiliary electrode exhibits particularly excellent conductivity and also functions suitably as a bonding film.

本発明の有機発光装置では、前記補助電極中の前記金属原子と前記酸素原子の存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、補助電極の安定性が高くなり、補助電極を第２の電極に対してより確実に接合することができる。また、補助電極を優れた導電性を発揮するものとすることができる。 In the organic light-emitting device of the present invention, the abundance ratio of the metal atom and the oxygen atom in the auxiliary electrode is preferably 3: 7 to 7: 3.
Thereby, stability of an auxiliary electrode becomes high and an auxiliary electrode can be more reliably joined with respect to a 2nd electrode. Moreover, the auxiliary electrode can exhibit excellent conductivity.

本発明の有機発光装置では、前記補助電極中の前記脱離基は、前記補助電極の表面付近に偏在していることが好ましい。
これにより、補助電極に金属酸化物膜としての機能を好適に発揮させることができる。すなわち、補助電極に、接合膜としての機能の他に、導電性特性に優れた金属酸化物膜としての機能を好適に付与することができる。 In the organic light emitting device of the present invention, it is preferable that the leaving group in the auxiliary electrode is unevenly distributed near the surface of the auxiliary electrode.
Thereby, the function as a metal oxide film can be suitably exhibited in the auxiliary electrode. That is, in addition to the function as a bonding film, the function as a metal oxide film having excellent conductivity can be suitably imparted to the auxiliary electrode.

本発明の有機発光装置は、板状をなす基板と、
前記基板の一方の面側に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられ、電圧の印加により発光する発光層を有する有機半導体層と、
前記基板の一方の面側に設けられ、前記有機半導体層を囲む隔壁部と、
前記有機半導体層を介して前記第１の電極と対向配置され、平面視で前記有機半導体層と前記隔壁部とを包含するように設けられた第２の電極と、
該第２の電極に接触して、前記第２の電極全体の電気抵抗を低減する機能を有する補助電極とを備え、
前記補助電極は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記補助電極は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記補助電極の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離して、前記補助電極の表面の前記領域に接着性が発現し、この発現した接着性によって、前記第２の電極と接合していることを特徴とする。 The organic light emitting device of the present invention includes a plate-shaped substrate,
A first electrode provided on one surface side of the substrate;
An organic semiconductor layer provided on the first electrode and having a light emitting layer that emits light by application of a voltage;
A partition provided on one side of the substrate and surrounding the organic semiconductor layer;
A second electrode disposed opposite to the first electrode through the organic semiconductor layer and provided to include the organic semiconductor layer and the partition wall in plan view;
An auxiliary electrode having a function of reducing the electrical resistance of the entire second electrode in contact with the second electrode;
The auxiliary electrode includes a metal atom and a leaving group composed of an organic component,
In the auxiliary electrode, energy is applied to at least a part of the region, so that the leaving group existing near the surface of the auxiliary electrode is detached from at least one of the metal atom and the oxygen atom, and the auxiliary electrode is removed. Adhesiveness is developed in the region on the surface of the electrode, and the second adhesive is bonded to the second electrode by the developed adhesiveness.

これにより、補助電極は、第２の電極に対して、化学的な結合に基づいて接合するため、これら同士が物理的な結合に基づいて結合している場合と比較して、強固に接合されたものとなる。その結果、これら同士の間で剥離が生じるのが確実に防止され、補助電極と第２の電極との間での電子の受け渡しをより円滑に行うことができる。したがって、有機発光装置は、このものが備える各有機半導体層間での発光ムラの発生が的確に防止され、優れた発光特性を有するものとなる。   Thereby, since the auxiliary electrode is bonded to the second electrode based on the chemical bond, the auxiliary electrode is firmly bonded as compared with the case where the auxiliary electrode is bonded based on the physical bond. It will be. As a result, it is possible to reliably prevent separation between them, and to transfer electrons between the auxiliary electrode and the second electrode more smoothly. Therefore, in the organic light emitting device, the occurrence of uneven light emission between the organic semiconductor layers included in the organic light emitting device is accurately prevented, and the organic light emitting device has excellent light emission characteristics.

本発明の有機発光装置では、前記補助電極は、有機金属材料を原材料として、有機金属化学気相成長法を用いて成膜されたものであることが好ましい。
これにより、比較的容易かつ均一な膜厚の補助電極を成膜することができる。
本発明の有機発光装置では、前記補助電極は、低還元性雰囲気下で成膜されたものであることが好ましい。
これにより、補助電極として、純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れたものを成膜することができる。 In the organic light-emitting device of the present invention, it is preferable that the auxiliary electrode is formed using an organic metal material as a raw material and using a metal organic chemical vapor deposition method.
Thereby, an auxiliary electrode having a relatively uniform film thickness can be formed.
In the organic light-emitting device of the present invention, the auxiliary electrode is preferably formed in a low reducing atmosphere.
As a result, the auxiliary electrode can be formed in a state where a part of the organic substance contained in the organometallic material remains without forming a pure metal film. That is, a film excellent in both characteristics as a bonding film and a metal film can be formed.

本発明の有機発光装置では、前記脱離基は、前記有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存したものであることが好ましい。
これにより、有機物の一部が脱離基としての機能を発揮する補助電極を形成することができる。
本発明の有機発光装置では、前記脱離基は、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団で構成されることが好ましい。
かかる脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基は、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう補助電極に確実に結合しているものとなり、補助電極の接着性をより高度なものとすることができる。 In the organic light-emitting device of the present invention, it is preferable that the leaving group is one in which a part of the organic substance contained in the organometallic material remains.
Thereby, an auxiliary electrode in which a part of the organic substance exhibits a function as a leaving group can be formed.
In the organic light emitting device of the present invention, the leaving group is composed of an atomic group containing a carbon atom as an essential component and containing at least one of a hydrogen atom, a nitrogen atom, a phosphorus atom, a sulfur atom and a halogen atom. Is preferred.
Such a leaving group is relatively excellent in bond / elimination selectivity by energy application. For this reason, such a leaving group is relatively easily and uniformly desorbed by applying energy, but when it is not given energy, it is securely bonded to the auxiliary electrode so as not to desorb. As a result, the adhesion of the auxiliary electrode can be made higher.

本発明の有機発光装置では、前記脱離基は、アルキル基であることが好ましい。
アルキル基で構成される脱離基は、化学的な安定性が高いため、脱離基としてアルキル基を備える補助電極は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
本発明の有機発光装置では、前記有機金属材料は、金属錯体であることが好ましい。
金属錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、補助電極を確実に形成することができる。 In the organic light emitting device of the present invention, the leaving group is preferably an alkyl group.
Since a leaving group composed of an alkyl group has high chemical stability, an auxiliary electrode having an alkyl group as the leaving group is excellent in weather resistance and chemical resistance.
In the organic light emitting device of the present invention, the organometallic material is preferably a metal complex.
By using the metal complex, it is possible to reliably form the auxiliary electrode in a state in which a part of the organic substance contained in the metal complex remains.

本発明の有機発光装置では、前記金属原子は、コバルト、ニッケル、銅、ロジウム、銀、タンタル、タングステン、金およびアルミニウムのうちの少なくとも１種であることが好ましい。
補助電極は、特に、優れた導電性を発揮するものとなる。そのため、これらの金属原子を適宜選択することにより、補助電極を第２の電極よりも電気抵抗が低いものとすることができ、その結果、第２の電極全体としての電気抵抗を確実に低減させることができる。 In the organic light emitting device of the present invention, the metal atom is preferably at least one of cobalt, nickel, copper, rhodium, silver, tantalum, tungsten, gold and aluminum.
In particular, the auxiliary electrode exhibits excellent conductivity. Therefore, by appropriately selecting these metal atoms, the auxiliary electrode can have a lower electrical resistance than the second electrode, and as a result, the electrical resistance of the entire second electrode can be reliably reduced. be able to.

本発明の有機発光装置では、前記補助電極中の金属原子と炭素原子との存在比は、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、補助電極の安定性が高くなり、補助電極を第２の電極に対してより確実に接合することができる。また、補助電極を優れた導電性を発揮するものとすることができる。
本発明の有機発光装置では、前記エネルギーの付与は、前記補助電極にエネルギー線を照射する方法により行われることが好ましい。
かかる方法は、補助電極に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。 In the organic light-emitting device of the present invention, the abundance ratio of metal atoms to carbon atoms in the auxiliary electrode is preferably 3: 7 to 7: 3.
Thereby, stability of an auxiliary electrode becomes high and an auxiliary electrode can be more reliably joined with respect to a 2nd electrode. Moreover, the auxiliary electrode can exhibit excellent conductivity.
In the organic light-emitting device of the present invention, it is preferable that the application of energy is performed by a method of irradiating the auxiliary electrode with energy rays.
Since this method can apply energy to the auxiliary electrode relatively easily and efficiently, it is preferably used as a method for applying energy.

本発明の有機発光装置では、前記第１の電極は、陽極であり、前記第２の電極は、陰極であることが好ましい。
これにより、補助電極は、陰極に対して、化学的な結合に基づいて接合するため、これら同士が物理的な結合に基づいて結合している場合と比較して、強固に接合されたものとなる。その結果、これら同士の間で剥離が生じるのが確実に防止され、補助電極と陰極との間での電子の受け渡しをより円滑に行うことができる。したがって、有機発光装置は、このものが備える各有機半導体層間での発光ムラの発生が的確に防止され、優れた発光特性を有するものとなる。 In the organic light-emitting device of the present invention, it is preferable that the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode.
Thereby, since the auxiliary electrode is bonded to the cathode based on the chemical bond, the auxiliary electrode is firmly bonded as compared with the case where the auxiliary electrode is bonded based on the physical bond. Become. As a result, it is possible to reliably prevent separation between them, and to transfer electrons between the auxiliary electrode and the cathode more smoothly. Therefore, in the organic light emitting device, the occurrence of uneven light emission between the respective organic semiconductor layers included in the organic light emitting device is accurately prevented, and the organic light emitting device has excellent light emission characteristics.

本発明の有機発光装置では、前記補助電極は、前記隔壁部と前記第２の電極との間に設けられていることが好ましい。
これにより、発光層の発光による光が第２の電極を透過する際に、補助電極を透過させる必要がない。そのため、補助電極を設けることにより、第２の電極を透過する光の透過率が低下してしまうのを確実に防止することができる。 In the organic light-emitting device of the present invention, it is preferable that the auxiliary electrode is provided between the partition wall and the second electrode.
Thereby, when the light by the light emission of the light emitting layer is transmitted through the second electrode, it is not necessary to transmit the auxiliary electrode. Therefore, by providing the auxiliary electrode, it is possible to reliably prevent a decrease in the transmittance of light transmitted through the second electrode.

本発明の有機発光装置では、前記第１の電極は、複数設けられており、
前記第２の電極は、平面視で前記複数の第１の電極と隔壁部とを包含するように一体的に設けられていることが好ましい。
これにより、第２の電極が各第１の電極に対応する共通電極となり、個別に第２の電極を設けるのが省略され、有機発光装置の構造を簡単なものとすることができる。また、第２の電極の補助電極に対する接合箇所を比較的多く確保することができ、よって、電極全体としての電気抵抗を低減することができる。 In the organic light emitting device of the present invention, a plurality of the first electrodes are provided,
It is preferable that the second electrode is integrally provided so as to include the plurality of first electrodes and the partition wall in a plan view.
Thereby, the second electrode becomes a common electrode corresponding to each first electrode, and the provision of the second electrode separately is omitted, and the structure of the organic light emitting device can be simplified. In addition, a relatively large number of joints of the second electrode with respect to the auxiliary electrode can be secured, and thus the electrical resistance of the entire electrode can be reduced.

本発明の有機発光装置では、前記補助電極は、前記第２の電極よりも電気抵抗が低いことが好ましい。
これにより、補助電極を第２の電極に接触するように設ければ、電極全体としての電気抵抗を確実に低減することができる。
本発明の有機発光装置では、前記第２の電極は、その平均厚さが１００〜３０００ｎｍのものであることが好ましい。
これにより、第２の電極に電極としての機能を発揮させつつ、第２の電極を透光性に優れたものとすることができる。
本発明の有機発光装置では、前記補助電極は、その平均厚さが１０〜２０００ｎｍのものであることが好ましい。
これにより、電極全体としての電気抵抗を低減させる補助電極と、第２の電極と補助電極とを接合する接合膜としての機能の双方を補助電極に確実に発揮させることができる。 In the organic light-emitting device of the present invention, it is preferable that the auxiliary electrode has a lower electrical resistance than the second electrode.
Thereby, if the auxiliary electrode is provided so as to be in contact with the second electrode, the electrical resistance of the entire electrode can be reliably reduced.
In the organic light emitting device of the present invention, it is preferable that the second electrode has an average thickness of 100 to 3000 nm.
Thereby, it is possible to make the second electrode excellent in translucency while allowing the second electrode to function as an electrode.
In the organic light-emitting device of the present invention, the auxiliary electrode preferably has an average thickness of 10 to 2000 nm.
Thus, both the auxiliary electrode for reducing the electrical resistance of the entire electrode and the function as a bonding film for bonding the second electrode and the auxiliary electrode can be surely exhibited in the auxiliary electrode.

本発明の有機発光装置では、前記隔壁部は、平面視での形状が格子状をなすものであることが好ましい。
これにより、有機発光装置が備える複数の有機半導体層を隔壁部により囲むことができ、かかる構成の隔壁部に対応するように補助電極を設ければ、電極全体としての電気抵抗を確実に低減することができる。 In the organic light emitting device of the present invention, it is preferable that the partition wall has a lattice shape in plan view.
Thereby, a plurality of organic semiconductor layers provided in the organic light emitting device can be surrounded by the partition wall, and if an auxiliary electrode is provided so as to correspond to the partition wall having such a configuration, the electrical resistance as a whole of the electrode is reliably reduced. be able to.

本発明の有機発光装置では、前記隔壁部は、シリコン酸化物を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、隔壁部は、補助電極の構成材料との接合性に優れるものとなるため、隔壁部と補助電極との間の接合が強固なものとなる。また、隔壁部を形成する際の加工性に優れるため、寸法精度の高い隔壁部が得られる。 In the organic light-emitting device of the present invention, it is preferable that the partition wall is composed of silicon oxide as a main material.
Thereby, since a partition part becomes excellent in joining property with the constituent material of an auxiliary electrode, joining between a partition part and an auxiliary electrode becomes firm. Moreover, since it is excellent in the workability at the time of forming a partition part, a partition part with high dimensional accuracy is obtained.

本発明の有機発光装置では、当該有機発光装置は、前記第２の電極側から光を取り出すトップエミッション構造の装置であることが好ましい。
かかる構成の有機発光装置に本発明を適用することにより、第２の電極から高効率で光を透過させることができるとともに、第２の電極の電極全体としての電気抵抗を確実に低減させることができる。
本発明の電子機器は、本発明の有機発光装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。 In the organic light emitting device of the present invention, the organic light emitting device is preferably a device having a top emission structure for extracting light from the second electrode side.
By applying the present invention to the organic light-emitting device having such a configuration, light can be transmitted from the second electrode with high efficiency, and the electrical resistance of the second electrode as a whole can be reliably reduced. it can.
An electronic apparatus according to the present invention includes the organic light-emitting device according to the present invention.
As a result, a highly reliable electronic device can be obtained.

以下、本発明の有機発光装置および電子機器について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
まず、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置について説明する。 Hereinafter, an organic light emitting device and an electronic apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
First, an active matrix display device to which the organic light emitting device of the present invention is applied will be described.

＜有機発光装置＞
＜＜第１実施形態＞＞
まず、アクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態について説明する。
図１は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態を示す縦断面図、図２は、図１に示すアクティブマトリクス型表示装置の有機ＥＬ素子の配置を示す平面図、図３は、有機ＥＬ素子の他の配置を示す平面図、図４は、図１に示す表示装置が備える、Ｉの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図５は、図１に示す表示装置が備える、Ｉの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図６は、Ｉの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図、図７は、図６に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図、図８は、IIの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図、図９は、IIの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図、図１０は、IIの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図１および図４〜１０中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 <Organic light emitting device>
<< First Embodiment >>
First, a first embodiment of an active matrix display device will be described.
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a first embodiment of an active matrix display device to which the organic light emitting device of the present invention is applied, and FIG. 2 shows an arrangement of organic EL elements of the active matrix display device shown in FIG. FIG. 3 is a plan view showing another arrangement of the organic EL elements, and FIG. 4 is a partially enlarged view showing a state before energy application of the bonding film having the configuration I included in the display device shown in FIG. FIG. 5 is a partially enlarged view showing a state after energy application of the bonding film having the configuration I included in the display device shown in FIG. 1, and FIG. 6 is a configuration used when forming the bonding film having the configuration I. FIG. 7 is a schematic diagram showing a configuration of an ion source included in the film forming apparatus shown in FIG. 6, and FIG. 8 shows a state before energy application of the bonding film having a configuration of II. FIG. 9 is a partially enlarged view showing the state after energy application of the bonding film having the structure II. FIG. 10 is a longitudinal sectional view schematically showing a film forming apparatus used when forming a bonding film having the structure II. Hereinafter, for convenience of explanation, the upper side in FIGS. 1 and 4 to 10 is referred to as “upper”, and the lower side is referred to as “lower”.

図１に示すアクティブマトリクス型表示装置（以下、単に「表示装置」と言う。）１０は、ＴＦＴ回路基板２０と、このＴＦＴ回路基板２０上に設けられ、発光色が赤色（Ｒ）の有機ＥＬ素子１Ｒ、緑色（Ｇ）の有機ＥＬ素子１Ｇおよび青色（Ｂ）の有機ＥＬ素子１Ｂと、各有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ同士を囲む隔壁部３５と、隔壁部３５上に設けられた補助電極４と、ＴＦＴ回路基板２０に対向する上基板９とを有している。   An active matrix display device (hereinafter simply referred to as a “display device”) 10 shown in FIG. 1 is provided on a TFT circuit substrate 20 and the TFT circuit substrate 20, and an organic EL whose emission color is red (R). Element 1R, green (G) organic EL element 1G and blue (B) organic EL element 1B, partition wall 35 surrounding each of organic EL elements 1R, 1G, and 1B, and auxiliary provided on partition wall 35 It has an electrode 4 and an upper substrate 9 facing the TFT circuit substrate 20.

基板２１は、表示装置１０を構成する各部の支持体となるものであり、上基板９は、例えば、各有機ＥＬ素子（有機発光素子）１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを保護する保護膜等として機能するものである。
また、本実施形態の表示装置１０は、上基板９（後述する陰極８）側から光を取り出す構成（トップエミッション型）であるため、上基板９は、実質的に透明（無色透明、着色透明、半透明）とされ、一方、基板２１は、特に、透明性は要求されない。 The substrate 21 serves as a support for each part of the display device 10, and the upper substrate 9 functions as a protective film for protecting the organic EL elements (organic light emitting elements) 1R, 1G, and 1B, for example. Is.
In addition, since the display device 10 of the present embodiment has a configuration (top emission type) in which light is extracted from the upper substrate 9 (cathode 8 described later) side, the upper substrate 9 is substantially transparent (colorless and transparent, colored and transparent). On the other hand, the substrate 21 is not particularly required to be transparent.

このような基板２１には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板のうち比較的硬度の高いものが好適に用いられる。
一方、上基板９には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板のうち透明なものが選択され、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料等を主材料として構成される基板を用いることができる。
基板２１の平均厚さは、特に限定されないが、１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、５〜２０ｍｍ程度であるのがより好ましい。一方、上基板９の平均厚さも、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。 As such a substrate 21, a substrate having a relatively high hardness among various glass material substrates and various resin substrates is suitably used.
On the other hand, as the upper substrate 9, a transparent one of various glass material substrates and various resin substrates is selected. For example, glass materials such as quartz glass and soda glass, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polypropylene, cycloolefin A substrate composed mainly of a resin material such as polymer, polyamide, polyethersulfone, polymethyl methacrylate, polycarbonate, or polyarylate can be used.
Although the average thickness of the board | substrate 21 is not specifically limited, It is preferable that it is about 1-30 mm, and it is more preferable that it is about 5-20 mm. On the other hand, the average thickness of the upper substrate 9 is not particularly limited, but is preferably about 0.1 to 30 mm, and more preferably about 0.1 to 10 mm.

回路部２２は、基板２１上に形成された下地保護層２３と、下地保護層２３上に形成された駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）２４と、第１層間絶縁層２５と、第２層間絶縁層２６とを有している。
駆動用ＴＦＴ２４は、半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
このような回路部２２上に、各駆動用ＴＦＴ２４に対応して、それぞれ、有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが設けられている。 The circuit unit 22 includes a base protective layer 23 formed on the substrate 21, a driving TFT (switching element) 24 formed on the base protective layer 23, a first interlayer insulating layer 25, and a second interlayer insulating layer. 26.
The driving TFT 24 includes a semiconductor layer 241, a gate insulating layer 242 formed on the semiconductor layer 241, a gate electrode 243 formed on the gate insulating layer 242, a source electrode 244, and a drain electrode 245. ing.
On such a circuit portion 22, organic EL elements 1R, 1G, and 1B are provided corresponding to the driving TFTs 24, respectively.

また、図１（図２、図３も同様）に示すように、各有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、隔壁部（バンク）３５により囲まれており、これにより、隣接する有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ同士は、１つの有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ（単位）毎に区画される。この隔壁部３５は、互いに対向配置された陽極３と陰極８との間に設けられ、これらの電極間の距離を規制する機能も有している。   Further, as shown in FIG. 1 (the same applies to FIGS. 2 and 3), each of the organic EL elements 1R, 1G, and 1B is surrounded by a partition wall (bank) 35, whereby the adjacent organic EL element 1R is surrounded. 1G and 1B are partitioned for each organic EL element 1R, 1G, and 1B (unit). The partition wall portion 35 is provided between the anode 3 and the cathode 8 that are arranged to face each other, and also has a function of regulating the distance between these electrodes.

隔壁部３５は、板状をなす第１隔壁部３１と、第１隔壁部３１上に設けられたブロック状をなす第２隔壁部３２とで構成される。第１隔壁部３１は、隣接する陽極３間をまたぐように設けられている。
また、第１隔壁部３１は、陽極３に接する（接合した）陽極接合部３１１と、ＴＦＴ回路基板２０の回路部２２の上面に接する（接合した）基板接合部３１２とを有している。これにより、隔壁部３５がＴＦＴ回路基板２０に対して確実に固定される。
さらに、第２隔壁部３２は、主に有機半導体層７を包囲する部位である。この第２隔壁部３２は、その両側面３２１が上方に向かって互いに接近するように傾斜した傾斜面となっている。また、第２隔壁部３２の上面（頂面）３２２は、平面を構成している。 The partition wall portion 35 includes a plate-shaped first partition wall portion 31 and a block-shaped second partition wall portion 32 provided on the first partition wall portion 31. The first partition wall 31 is provided so as to straddle between the adjacent anodes 3.
The first partition wall 31 includes an anode bonding portion 311 that is in contact with (bonded to) the anode 3 and a substrate bonding portion 312 that is in contact with (bonded to) the upper surface of the circuit portion 22 of the TFT circuit substrate 20. Thereby, the partition wall portion 35 is securely fixed to the TFT circuit substrate 20.
Further, the second partition wall portion 32 is a part mainly surrounding the organic semiconductor layer 7. The second partition wall 32 is an inclined surface that is inclined such that both side surfaces 321 approach each other upward. Further, the upper surface (top surface) 322 of the second partition wall portion 32 forms a plane.

このような構成の複数の隔壁部３５は、全体として平面視での形状が格子状をなすように一体的に設けられている（図２参照）。これにより、各隔壁部３５の内側に有機半導体層７（有機ＥＬ素子１）を囲むように設けることができ、このように設けられた有機半導体層７は、マトリクス状をなす。よって、有機ＥＬ素子１を表示装置１０に好適に用いることができる。   The plurality of partition walls 35 having such a configuration are integrally provided so that the shape in plan view as a whole forms a lattice shape (see FIG. 2). Thus, the organic semiconductor layer 7 (organic EL element 1) can be provided inside each partition wall 35, and the organic semiconductor layer 7 thus provided has a matrix shape. Therefore, the organic EL element 1 can be suitably used for the display device 10.

第１隔壁部３１および第２隔壁部３２の構成材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、下地層との密着性等を考慮して選択される。
具体的には、第１隔壁部３１および第２隔壁部３２の構成材料としては、例えば、ＳｉＯ２のようなシリコン酸化物（無機材料）や、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂のような樹脂材料（有機材料）が挙げられる。また、第１隔壁部３１の構成材料と第２隔壁部３２の構成材料とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。 The constituent materials of the first partition wall portion 31 and the second partition wall portion 32 are selected in consideration of heat resistance, liquid repellency, ink solvent resistance, adhesion to the underlayer, and the like.
Specifically, as the material of the first partition wall portion 31 and the second partition wall 32, for example, a silicon oxide such as SiO 2 (inorganic material) or a resin material such as acrylic resin, polyimide resin (Organic material). Moreover, the constituent material of the 1st partition part 31 and the constituent material of the 2nd partition part 32 may be the same, and may differ.

第２隔壁部３２の構成材料にシリコン酸化物を用いた場合、第２隔壁部３２の表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、比較的活性の高い水酸基が結合している。したがって、このような材料を用いると、後述する補助電極４の構成材料との接合性に優れ、第２隔壁部３２と補助電極４との間の接合を強固なものとすることができる。また、第２隔壁部３２を形成する際の加工性に優れるため、寸法精度の高い第２隔壁部３２が得られる。このため、高精度の表示装置１０が得られる。   When silicon oxide is used as the constituent material of the second partition wall 32, the surface of the second partition wall 32 is covered with an oxide film, and a relatively highly active hydroxyl group is bonded to the surface of the oxide film. ing. Therefore, when such a material is used, it is excellent in the bonding property with the constituent material of the auxiliary electrode 4 described later, and the bonding between the second partition wall portion 32 and the auxiliary electrode 4 can be strengthened. Moreover, since it is excellent in the workability at the time of forming the 2nd partition part 32, the 2nd partition part 32 with high dimensional accuracy is obtained. For this reason, the highly accurate display apparatus 10 is obtained.

また、隔壁部３５の開口の形状は、図２に示す構成では四角形であるが、この他、例えば、円形、楕円形、六角形等の多角形等、いかなるものであってもよい。
なお、隔壁部３５の開口の形状を多角形とする場合には、角部は丸みを帯びているのが好ましい。これにより、正孔輸送層５および発光層６を、後述するような液状材料を用いて形成する際に、これらの液状材料を、隔壁部３５の内側の空間の隅々にまで確実に、すなわち、過不足なく供給することができる。
このような隔壁部３５の高さは、陽極３、正孔輸送層５および発光層６の合計の厚さや、補助電極４の高さにもよるが、例えば、３０〜５００ｎｍ程度とするのが好ましい。かかる高さとすることにより、十分に隔壁（バンク）としての機能が発揮される。 In addition, the shape of the opening of the partition wall 35 is a quadrangle in the configuration shown in FIG. 2, but may be any other shape such as a circle, an ellipse, a polygon such as a hexagon, and the like.
In addition, when making the shape of the opening of the partition part 35 into a polygon, it is preferable that the corner part is rounded. Thereby, when the hole transport layer 5 and the light emitting layer 6 are formed using a liquid material as described later, these liquid materials are surely spread to every corner of the space inside the partition wall portion 35, that is, Can be supplied without excess or deficiency.
The height of the partition wall 35 is, for example, about 30 to 500 nm although it depends on the total thickness of the anode 3, the hole transport layer 5 and the light emitting layer 6 and the height of the auxiliary electrode 4. preferable. By having such a height, the function as a partition (bank) is sufficiently exhibited.

補助電極（補助陰極）４は、隔壁部３５と後述する陰極８との間に、隔壁部３５（第２隔壁部３２）の形状に対応して設けられている。
この補助電極４は、陰極８と接触することにより、陰極全体としての電気抵抗を低減することを目的に形成されている。
また、本実施形態のように、隔壁部３５と陰極８との間に補助電極４を設ける構成とすることにより、有機半導体層７の発光による光が陰極８を透過する際に、補助電極４を透過させる必要がない。そのため、補助電極４を設けることにより、陰極８を透過する光の透過率が低下してしまうのを確実に防止することができる。 The auxiliary electrode (auxiliary cathode) 4 is provided between the partition wall portion 35 and the cathode 8 described later, corresponding to the shape of the partition wall portion 35 (second partition wall portion 32).
The auxiliary electrode 4 is formed for the purpose of reducing the electrical resistance of the entire cathode by contacting the cathode 8.
Further, as in the present embodiment, the auxiliary electrode 4 is provided between the partition wall portion 35 and the cathode 8, so that when the light emitted from the organic semiconductor layer 7 passes through the cathode 8, the auxiliary electrode 4. There is no need to transmit the light. Therefore, by providing the auxiliary electrode 4, it is possible to reliably prevent the transmittance of light transmitted through the cathode 8 from being lowered.

本発明では、この補助電極４の構成に特徴を有し、その詳細については後述する。
本実施形態では、各有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの陽極３は、個別電極（画素電極）を構成し、各駆動用ＴＦＴ２４のドレイン電極２４５に配線２７により電気的に接続されている。また、正孔輸送層５および発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを備える有機半導体層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂとは、各有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに対して個別に形成されており、陰極８は、共通電極とされている。
そして、各有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、図２に示すように、平面視において、マトリクス状に配置され、２点鎖線で囲まれる部分（３つの有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ）により１画素が構成されている。 The present invention has a feature in the configuration of the auxiliary electrode 4, and details thereof will be described later.
In the present embodiment, the anode 3 of each organic EL element 1R, 1G, 1B constitutes an individual electrode (pixel electrode) and is electrically connected to the drain electrode 245 of each driving TFT 24 by a wiring 27. The organic semiconductor layers 7R, 7G, and 7B including the hole transport layer 5 and the light emitting layers 6R, 6G, and 6B are individually formed for the organic EL elements 1R, 1G, and 1B. The common electrode.
As shown in FIG. 2, each organic EL element 1R, 1G, 1B is arranged in a matrix shape in plan view and is surrounded by a portion surrounded by a two-dot chain line (three organic EL elements 1R, 1G, 1B). One pixel is configured.

なお、有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの配置は、図２に示すものに限定されず、例えば、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すようなものであってもよい。図３（ａ）では、有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの配置の順番が図２に示す構成のものとは異なっている。図３（ｂ）では、有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂがそれぞれ三角形の頂部に位置するように配置されている。   Note that the arrangement of the organic EL elements 1R, 1G, and 1B is not limited to that shown in FIG. 2, and may be as shown in FIGS. 3A and 3B, for example. In FIG. 3A, the arrangement order of the organic EL elements 1R, 1G, and 1B is different from that of the configuration shown in FIG. In FIG. 3B, the organic EL elements 1R, 1G, and 1B are arranged so as to be located at the tops of the triangles.

以下、この有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂについて詳述する。
表示装置１０では、図１に示すように、個別に（複数）設けられた陽極３と、これらの陽極３を平面視で包含するように設けられた陰極８と、各陽極３にそれぞれ対応するように陰極８との間に設けられた有機半導体層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂとで、有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが構成されている。なお、本実施形態では、有機半導体層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂは、陽極３側から正孔輸送層５と発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂとがこの順で積層された積層体となっている。 Hereinafter, the organic EL elements 1R, 1G, and 1B will be described in detail.
As shown in FIG. 1, the display device 10 corresponds to each of the anodes 3 provided individually (plural), the cathode 8 provided so as to include these anodes 3 in plan view, and each anode 3. As described above, the organic EL elements 1R, 1G, and 1B are configured by the organic semiconductor layers 7R, 7G, and 7B provided between the cathode 8 and the cathode 8. In the present embodiment, the organic semiconductor layers 7R, 7G, and 7B are stacked bodies in which the hole transport layer 5 and the light emitting layers 6R, 6G, and 6B are stacked in this order from the anode 3 side.

なお、以下では、有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを総称して有機ＥＬ素子１と、有機半導体層７Ｒ、７Ｇ、７Ｂを総称して有機半導体層７と、発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを総称して発光層６と言うことがある。
また、陰極８が全陽極３を包含するようなものであることにより、当該陰極８が全陽極３に対応する共通電極となり、個別に陰極８を設けるのが省略され、表示装置１０の構造が簡単なものとなる。 Hereinafter, the organic EL elements 1R, 1G, and 1B are collectively referred to as the organic EL element 1, the organic semiconductor layers 7R, 7G, and 7B are collectively referred to as the organic semiconductor layer 7, and the light emitting layers 6R, 6G, and 6B are collectively referred to. In this case, the light emitting layer 6 may be referred to.
Further, since the cathode 8 includes all the anodes 3, the cathode 8 becomes a common electrode corresponding to all the anodes 3, and the provision of the cathodes 8 is omitted, and the structure of the display device 10 is reduced. It will be easy.

陽極３は、正孔輸送層５（有機半導体層７）に正孔を注入する電極である。
この陽極３の構成材料（陽極材料）としては、導電性を有するものであればよく、特に限定されないが、仕事関数が大きく、導電性に優れた材料を用いるのが好ましい。
このような陽極材料としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムと酸化亜鉛との複合物）、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。 The anode 3 is an electrode that injects holes into the hole transport layer 5 (organic semiconductor layer 7).
The constituent material (anode material) of the anode 3 is not particularly limited as long as it has conductivity, but a material having a large work function and excellent conductivity is preferably used.
Examples of such an anode material include ITO (composite of indium oxide and zinc oxide), SnO 2 , Sb-containing SnO 2 , oxides such as Al-containing ZnO, Al, Ni, Co, Au, Pt, and Ag. Cu, alloys containing these, and the like can be used, and at least one of them can be used.

陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。陽極３の厚さが薄すぎると、陽極３としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陽極３が厚過ぎると、後述する正孔と電子との再結合を発光層６において行うことができず、有機ＥＬ素子１の発光効率等の特性が低下するおそれがある。
なお、陽極材料には、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂材料を用いることもできる。 The average thickness of the anode 3 is not particularly limited, but is preferably about 10 to 200 nm, and more preferably about 50 to 150 nm. If the thickness of the anode 3 is too thin, the function as the anode 3 may not be sufficiently exhibited. On the other hand, if the anode 3 is too thick, recombination of holes and electrons described later is performed in the light emitting layer 6. This cannot be performed, and characteristics such as the light emission efficiency of the organic EL element 1 may be deteriorated.
As the anode material, for example, a conductive resin material such as polythiophene or polypyrrole can be used.

また、このような陽極３は、光反射性を有するのが好ましい。これにより、後述する発光層６で発光した光が陽極３側で吸収（吸光）されることなく、上基板９側に反射させて、上基板９（陰極８）を通過する光の量を増大させることができる。その結果、有機ＥＬ素子１の発光効率や光の取り出し効率等の特性が向上をすることとなる。
かかる構成の陽極３は、前述したような陽極材料のうち、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇまたはこれらを含む合金で、その少なくとも表面付近を構成することにより形成することができる。 Moreover, it is preferable that such an anode 3 has light reflectivity. As a result, the light emitted from the light emitting layer 6 described later is not absorbed (absorbed) on the anode 3 side, but reflected on the upper substrate 9 side to increase the amount of light passing through the upper substrate 9 (cathode 8). Can be made. As a result, characteristics such as the light emission efficiency and light extraction efficiency of the organic EL element 1 are improved.
The anode 3 having such a structure can be formed by forming at least the vicinity of the surface of Al, Ni, Co, Ag, or an alloy containing these among the anode materials as described above.

一方、陰極８は、有機半導体層７（発光層６）に電子を注入する電極である。
この陰極８の構成材料（陰極材料）としては、表示装置１０が陰極８側から光を取り出すトップエミッション構造であるため透光性を有する透明導電性材料が選択される。
このような陰極材料としては、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、等の透明導電性材料が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。 On the other hand, the cathode 8 is an electrode for injecting electrons into the organic semiconductor layer 7 (light emitting layer 6).
As the constituent material (cathode material) of the cathode 8, a transparent conductive material having translucency is selected because the display device 10 has a top emission structure in which light is extracted from the cathode 8 side.
Examples of such cathode materials include indium tin oxide (ITO), fluorine-containing indium tin oxide (FITO), antimony tin oxide (ATO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), and tin oxide (SnO 2 ). ), Zinc oxide (ZnO), fluorine-containing tin oxide (FTO), fluorine-containing indium oxide (FIO), indium oxide (IO), and the like. They can be used in combination.

陰極８の平均厚さは、特に限定されないが、１００〜３０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５００〜２０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陰極８の厚さが薄すぎると、陰極８としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陰極８が厚過ぎると、陰極材料の種類等によっては、光の透過率が低下して、トップエミッション型の構造を有する有機ＥＬ素子１として、実用に適さなくなるおそれがある。
このような陰極８は、その光（可視光領域）の透過率が好ましくは６０％以上、より好ましくは８０％以上となっている。これにより、光を効率よく陰極８側から取り出すことができる。 The average thickness of the cathode 8 is not particularly limited, but is preferably about 100 to 3000 nm, and more preferably about 500 to 2000 nm. If the thickness of the cathode 8 is too thin, the function as the cathode 8 may not be sufficiently exhibited. On the other hand, if the cathode 8 is too thick, the light transmittance may decrease depending on the type of the cathode material. The organic EL element 1 having a top emission type structure may not be suitable for practical use.
Such a cathode 8 has a light transmittance (visible light region) of preferably 60% or more, more preferably 80% or more. Thereby, light can be efficiently extracted from the cathode 8 side.

ここで、陰極８は、このような光の透過率が確保されるように、その厚さが上述したような範囲内で可能な限り薄く設定される。そのため、陰極８としての抵抗値が増大することとなる。これにより、補助電極４の形成を省略すると、有機ＥＬ素子１の駆動電圧を高く設定しなければならず、その結果として、有機ＥＬ素子１の消費電力が高くなり、さらには、その寿命が短くなってしまうという問題がある。また、陽極３と陰極８との間に電圧を印加するための端子は、通常、陰極８の縁部において確保されるが、陰極８抵抗値が大きくなると、この端子から各有機ＥＬ素子１（発光層６）までの距離が異なることに起因して、各画素（有機ＥＬ素子１）の発光を均一に制御すること、すなわち、複数の画素を同時に発光させることが困難となる。   Here, the thickness of the cathode 8 is set as thin as possible within the above-described range so that such light transmittance is ensured. Therefore, the resistance value as the cathode 8 increases. Thereby, if the formation of the auxiliary electrode 4 is omitted, the drive voltage of the organic EL element 1 must be set high. As a result, the power consumption of the organic EL element 1 is increased, and further, the life thereof is shortened. There is a problem of becoming. In addition, a terminal for applying a voltage between the anode 3 and the cathode 8 is normally secured at the edge of the cathode 8, but when the resistance value of the cathode 8 is increased, the organic EL element 1 ( Due to the difference in distance to the light emitting layer 6), it is difficult to uniformly control the light emission of each pixel (organic EL element 1), that is, to simultaneously emit a plurality of pixels.

これに対して、陰極８と接触するように隔壁部３５上に補助電極４を設けることにより、陰極８の隔壁部に対応する領域で補助電極４と接触させることができ、陰極８と補助電極４とを合わせた電気抵抗、すなわち、陰極全体としての電気抵抗を低減することができる。その結果、有機ＥＬ素子１の消費電力が低くなり、さらには、有機ＥＬ素子１の長寿命化を図ることができる。   On the other hand, by providing the auxiliary electrode 4 on the partition wall 35 so as to be in contact with the cathode 8, the auxiliary electrode 4 can be contacted in a region corresponding to the partition wall of the cathode 8. 4, that is, the electrical resistance of the entire cathode can be reduced. As a result, the power consumption of the organic EL element 1 is reduced, and the life of the organic EL element 1 can be extended.

さらに、補助電極４は、図１に示すように、隔壁部３５上に、第２隔壁部３２の形状に対応して設けられている。そのため、上述したような端子を介して陽極３と陰極８との間に電圧を印加したとしても、導電性に優れる補助電極４を介して電流（電子）が流れることから、各画素（有機ＥＬ素子１）をほぼ同時に発光させることができる。
また、陽極３と陰極８との間には、有機半導体層７が設けられている。本実施形態では、この有機半導体層７は、正孔輸送層５と発光層６とで構成される積層体となっている。 Furthermore, as shown in FIG. 1, the auxiliary electrode 4 is provided on the partition wall portion 35 in correspondence with the shape of the second partition wall portion 32. Therefore, even if a voltage is applied between the anode 3 and the cathode 8 through the terminals as described above, current (electrons) flows through the auxiliary electrode 4 having excellent conductivity, so that each pixel (organic EL The element 1) can emit light almost simultaneously.
An organic semiconductor layer 7 is provided between the anode 3 and the cathode 8. In the present embodiment, the organic semiconductor layer 7 is a laminate composed of the hole transport layer 5 and the light emitting layer 6.

正孔輸送層５は、陽極３から注入された正孔を発光層６まで輸送する機能を有するものである。
正孔輸送層５の構成材料（正孔輸送材料）としては、例えば、ポリアリールアミン、フルオレン−アリールアミン共重合体、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等の化合物が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、前記化合物は、他の化合物との混合物として用いることもできる。一例として、ポリチオフェンを含有する混合物としては、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等が挙げられる。 The hole transport layer 5 has a function of transporting holes injected from the anode 3 to the light emitting layer 6.
Examples of the constituent material (hole transport material) of the hole transport layer 5 include polyarylamine, fluorene-arylamine copolymer, fluorene-bithiophene copolymer, poly (N-vinylcarbazole), polyvinylpyrene, and polyvinyl. Compounds such as anthracene, polythiophene, polyalkylthiophene, polyhexylthiophene, poly (p-phenylene vinylene), polytinylene vinylene, pyrene formaldehyde resin, ethyl carbazole formaldehyde resin or derivatives thereof, and one or more of these Two or more kinds can be used in combination.
Moreover, the said compound can also be used as a mixture with another compound. As an example, the polythiophene-containing mixture includes poly (3,4-ethylenedioxythiophene / styrene sulfonic acid) (PEDOT / PSS) and the like.

このような正孔輸送層５の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、陽極３と正孔輸送層５との間には、例えば、陽極３からの正孔注入効率を向上させる正孔注入層を設けるようにしてもよい。
この正孔注入層の構成材料（正孔注入材料）としては、例えば、銅フタロシアニンや、４，４‘，４‘‘−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。 The average thickness of the hole transport layer 5 is not particularly limited, but is preferably about 10 to 150 nm, and more preferably about 50 to 100 nm.
A hole injection layer that improves the efficiency of hole injection from the anode 3 may be provided between the anode 3 and the hole transport layer 5, for example.
Examples of the constituent material (hole injection material) of the hole injection layer include copper phthalocyanine, 4,4 ′, 4 ″ -tris (N, N-phenyl-3-methylphenylamino) triphenylamine ( m-MTDATA) and the like.

ここで、陽極３と陰極８との間に通電（電圧を印加）すると、正孔輸送層５中を移動して発光層６に注入された正孔と、陰極８から発光層６に注入された電子とが、この発光層６において再結合する。そして、発光層６ではエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。
発光層６（６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ）の構成材料（発光材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）のような低分子系のものや、オキサジアゾール系高分子、トリアゾール系高分子、カルバゾール系高分子のような高分子系のものが挙げられ、これらの１種または２種以上を組み合わせて、目的とする発光色を得るようにする。 Here, when an electric current is applied between the anode 3 and the cathode 8 (voltage is applied), holes that move through the hole transport layer 5 and injected into the light emitting layer 6 are injected into the light emitting layer 6 from the cathode 8. The electrons recombine in the light emitting layer 6. And in the light emitting layer 6, an exciton (exciton) produces | generates, and when this exciton returns to a ground state, energy (fluorescence and phosphorescence) is discharge | released (light emission).
As a constituent material (luminescent material) of the luminescent layer 6 (6R, 6G, 6B), for example, 1,3,5-tris [(3-phenyl-6-tri-fluoromethyl) quinoxalin-2-yl] benzene ( TPQ1), benzene compounds such as 1,3,5-tris [{3- (4-t-butylphenyl) -6-trisfluoromethyl} quinoxalin-2-yl] benzene (TPQ2), phthalocyanine, copper phthalocyanine (CuPc), metal or metal-free phthalocyanine compounds such as iron phthalocyanine, tris (8-hydroxyquinolinolate) aluminum (Alq 3 ), factory (2-phenylpyridine) iridium (Ir (ppy) 3 ) Such as low molecular weight materials, oxadiazole polymers, triazole polymers, carbazole polymers Such polymer-based ones are mentioned, and one or two or more of these are combined to obtain a target emission color.

具体的には、赤色の発光材料（発光層６Ｒの構成材料）としては、例えば、トリス（１−フェニルイソキノリン） イリジウム（III）、ポリ［２，５−ビス（３、７−ジメチルオクチロキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシルオキシ）−１，４−（１−シアノビニレン）フェニレン］、ポリ［２−メトキシ−５−（３，７−ジメチルオクチルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］等が挙げられる。   Specifically, as the red light emitting material (the constituent material of the light emitting layer 6R), for example, tris (1-phenylisoquinoline) iridium (III), poly [2,5-bis (3,7-dimethyloctyloxy) -1,4-phenylenevinylene], poly [2-methoxy-5- (2′-ethylhexyloxy) -1,4- (1-cyanovinylene) phenylene], poly [2-methoxy-5- (3,7- Dimethyloctyloxy) -1,4-phenylenevinylene] and the like.

緑色の発光材料（発光層６Ｇの構成材料）としては、例えば、９，１０−ビス［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン、ポリ（９，９−ジヘキシル−２，７−ビニレンフルオレニレン）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（１，４−ジフェニレン−ビニレン−２−メトキシ−５−｛２−エチルヘキシルオキシ｝ベンゼン）］、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−（２−エトキシルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン）］等が挙げられる。   Examples of the green light-emitting material (the constituent material of the light-emitting layer 6G) include 9,10-bis [(9-ethyl-3-carbazole) -vinylenyl] -anthracene, poly (9,9-dihexyl-2,7- Vinylenefluorenylene), poly [(9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl) -co- (1,4-diphenylene-vinylene-2-methoxy-5- {2-ethylhexyloxy} benzene)], Poly [(9,9-dioctyl-2,7-divinylenefluorenylene) -ortho-co- (2-methoxy-5- (2-ethoxylhexyloxy) -1,4-phenylene)] and the like. .

青色の発光材料（発光層６Ｂの構成材料）としては、例えば、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル、ポリ［（９．９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルオキシフルオレン−２，７−ジイル）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−｛２−エトキシヘキシルオキシ｝フェニレン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（エチルニルベンゼン）］等が挙げられる。   As a blue light emitting material (a constituent material of the light emitting layer 6B), for example, 4,4′-bis (9-ethyl-3-carbazovinylene) -1,1′-biphenyl, poly [(9.9-dioctylfluorene- 2,7-diyl) -co- (2,5-dimethoxybenzene-1,4-diyl)], poly [(9,9-dihexyloxyfluorene-2,7-diyl) -ortho-co- (2- Methoxy-5- {2-ethoxyhexyloxy} phenylene-1,4-diyl)], poly [(9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl) -co- (ethylnylbenzene)] and the like. .

また、各発光層６の平均厚さは、特に限定されないが、それぞれ、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、陰極８と発光層６との間には、陰極８から注入された電子を発光層６まで輸送する機能を有する電子輸送層を設けるようにしてもよく、さらには、この電子輸送層と陰極８との間に、陰極８から電子輸送層への電子の注入効率を向上させる電子注入層を設けるようにしてもよい。 Moreover, although the average thickness of each light emitting layer 6 is not specifically limited, It is preferable that it is about 10-150 nm, respectively, and it is more preferable that it is about 50-100 nm.
Note that an electron transport layer having a function of transporting electrons injected from the cathode 8 to the light emitting layer 6 may be provided between the cathode 8 and the light emitting layer 6. An electron injection layer that improves the injection efficiency of electrons from the cathode 8 to the electron transport layer may be provided between the cathode 8 and the cathode 8.

電子輸送層の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン系化合物、フェナントレン系化合物、クリセン系化合物、ペリレン系化合物、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、アクリジン系化合物、スチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ビスチリル系化合物、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリン系化合物、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、オキサジアゾール系化合物、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロン系化合物、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレン系化合物、８−ヒドロキシキノリン アルミニウム（Ａｌｑ３）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。 As a constituent material (electron transport material) of the electron transport layer, for example, benzene such as 1,3,5-tris [(3-phenyl-6-tri-fluoromethyl) quinoxalin-2-yl] benzene (TPQ1) Compounds, naphthalene compounds, phenanthrene compounds, chrysene compounds, perylene compounds, anthracene compounds, pyrene compounds, acridine compounds, stilbene compounds, thiophene compounds such as BBOT, bistyryl compounds, distyrylpyrazine Such as pyrazine compounds, quinoxaline compounds, benzoquinone compounds such as 2,5-diphenyl-para-benzoquinone, naphthoquinone compounds, anthraquinone compounds, oxadiazole compounds, 3,4,5-triphenyl- Tones like 1,2,4-triazole Azole compounds, oxazole compounds, anthrone compounds, fluorenone compounds such as 1,3,8-trinitro-fluorenone (TNF), diphenoquinone compounds such as MBDQ, stilbenequinone compounds such as MBSQ, anthraquino Dimethane compounds, thiopyran dioxide compounds, fluorenylidenemethane compounds, diphenyldicyanoethylene compounds, fluorene compounds, 8-hydroxyquinoline aluminum (Alq 3 ), benzoxazole and benzothiazole as ligands Examples include various metal complexes such as complexes, and one or more of these can be used in combination.

電子輸送層の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、電子注入層の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、８−ヒドロキシキノリン、オキサジアゾール、または、これらの誘導体（例えば、８−ヒドロキシキノリンを含む金属キレートオキシノイド化合物）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上組み合わせて用いることができる。 Although the average thickness of an electron carrying layer is not specifically limited, It is preferable that it is about 1-100 nm, and it is more preferable that it is about 20-50 nm.
Examples of the constituent material (electron injection material) of the electron injection layer include 8-hydroxyquinoline, oxadiazole, or derivatives thereof (for example, metal chelate oxinoid compounds containing 8-hydroxyquinoline). These can be used alone or in combination of two or more.

次に、補助電極４について詳述する。
補助電極４は、前述のように、陰極８と接触することにより、陰極全体としての電気抵抗を低減することを目的に形成され、本実施形態では、隔壁部３５と陰極８との間に、隔壁部３５（第２隔壁部３２）の形状に対応して設けられている。
本発明では、この補助電極４の構成に特徴を有し、補助電極としての機能が好適に発揮し得るように、優れた導電性を発揮して陰極全体としての電気抵抗を低減し得るとともに、陰極８に対して化学的な結合に基づいて強固に接合して補助電極４と陰極８との間での電子の受け渡しが円滑に行い得るものであり、具体的には、補助電極４としては、次のようなＩまたはIIの構成のものが用いられる。 Next, the auxiliary electrode 4 will be described in detail.
As described above, the auxiliary electrode 4 is formed for the purpose of reducing the electrical resistance of the entire cathode by contacting the cathode 8, and in this embodiment, between the partition wall 35 and the cathode 8, It is provided corresponding to the shape of the partition wall portion 35 (second partition wall portion 32).
In the present invention, the structure of the auxiliary electrode 4 has a feature, so that the function as the auxiliary electrode can be suitably exhibited, and the electrical resistance as the whole cathode can be reduced by exhibiting excellent conductivity, The cathode 8 is firmly bonded on the basis of chemical bonding so that electrons can be smoothly transferred between the auxiliary electrode 4 and the cathode 8. Specifically, as the auxiliary electrode 4, The following I or II configuration is used.

以下、ＩおよびIIの構成の補助電極４について、それぞれ、詳述する。
I： まず、Ｉの構成の補助電極４は、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子と、これら金属原子および酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基８０３とを含むものである（図４参照。）。換言すれば、補助電極４は、金属酸化物で構成される金属酸化物膜に脱離基８０３を導入したものと言うことができる。 Hereinafter, each of the auxiliary electrodes 4 configured as I and II will be described in detail.
I: First, the auxiliary electrode 4 having the configuration I includes a metal atom, an oxygen atom bonded to the metal atom, and a leaving group 803 bonded to at least one of the metal atom and the oxygen atom (FIG. 4). reference.). In other words, it can be said that the auxiliary electrode 4 has a leaving group 803 introduced into a metal oxide film made of a metal oxide.

このような補助電極４は、エネルギーが付与されると、脱離基８０３が補助電極４（金属原子および酸素原子の少なくとも一方）から脱離し、図５に示すように、補助電極４の少なくとも表面４５の付近に、活性手８０４が生じるものである。そして、これにより、補助電極４表面に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、補助電極４は、陰極８に対して、化学的な結合に基づいて接合可能な接合膜として機能するものとなる。そこで、補助電極４の接合膜としての機能が発揮されて、補助電極４と陰極８とが強固に接合されるため、これら同士の間で剥離が生じるのを確実に防止することができる。   In such an auxiliary electrode 4, when energy is applied, the leaving group 803 is detached from the auxiliary electrode 4 (at least one of a metal atom and an oxygen atom), and as shown in FIG. In the vicinity of 45, an active hand 804 is generated. As a result, adhesiveness is developed on the surface of the auxiliary electrode 4. When such adhesiveness develops, the auxiliary electrode 4 functions as a bonding film that can be bonded to the cathode 8 based on chemical bonding. Therefore, the function of the auxiliary electrode 4 as a bonding film is exhibited, and the auxiliary electrode 4 and the cathode 8 are firmly bonded, so that it is possible to reliably prevent the separation between them.

また、補助電極４は、金属原子と、この金属原子と結合する酸素原子とで構成されるもの、すなわち金属酸化物に脱離基８０３が結合したものであることから、変形し難い強固な膜となる。さらに、補助電極４は、流動性を有さない固体状をなすものである。これらのため、補助電極４自体が寸法精度の高いものとなり、表示装置１０においても、高さのばらつきが生じ難い。そのため、後述する表示装置１０の製造方法において、各補助電極４に陰極８を接合する（貼り合わせる）際に、各補助電極４と陰極８とを確実に接合することができる。   Further, since the auxiliary electrode 4 is composed of a metal atom and an oxygen atom bonded to the metal atom, that is, a metal oxide having a leaving group 803 bonded thereto, it is a strong film that is difficult to deform. It becomes. Furthermore, the auxiliary electrode 4 is a solid that does not have fluidity. For these reasons, the auxiliary electrode 4 itself has high dimensional accuracy, and the display device 10 is less likely to have height variations. Therefore, in the method for manufacturing the display device 10 to be described later, when the cathode 8 is bonded (bonded) to each auxiliary electrode 4, each auxiliary electrode 4 and the cathode 8 can be reliably bonded.

なお、脱離基８０３は、少なくとも補助電極４の表面４５付近に存在していればよく、補助電極４のほぼ全体に存在していてもよいし、補助電極４の表面４５付近に偏在していてもよい。なお、脱離基８０３が表面４５付近に偏在する構成とすることにより、補助電極４に金属酸化物膜としての機能を好適に発揮させることができる。すなわち、補助電極４に、接合膜としての機能の他に、導電性特性に優れた金属酸化物膜としての機能を好適に付与することができるという利点も得られる。
以上のような補助電極４としての機能が好適に発揮されるように、金属原子が選択される。 Note that the leaving group 803 may be present at least near the surface 45 of the auxiliary electrode 4, may be present substantially throughout the auxiliary electrode 4, or is unevenly distributed near the surface 45 of the auxiliary electrode 4. May be. In addition, by setting the leaving group 803 to be unevenly distributed in the vicinity of the surface 45, the function as a metal oxide film can be suitably exerted on the auxiliary electrode 4. That is, the auxiliary electrode 4 can be advantageously provided with a function as a metal oxide film having excellent conductivity characteristics in addition to a function as a bonding film.
The metal atom is selected so that the function as the auxiliary electrode 4 as described above is suitably exhibited.

具体的には、金属原子としては、例えば、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｔｉ（チタン）、Ｓｂ（アンチモン）およびＡｌ（アルミニウム）のうちの１種または２種以上を含有するものが好適に用いられる。補助電極４を、これらの金属原子を含むもの、すなわちこれらの金属原子を含む金属酸化物に脱離基８０３を導入したものとすることにより、補助電極４は、特に、優れた導電性を発揮するものとなる。そのため、これらの金属原子を適宜選択することにより、補助電極４を陰極８よりも電気抵抗が低いものとすることができ、その結果、陰極全体としての電気抵抗を確実に低減することができる。   Specifically, examples of the metal atom include one or more of In (indium), Sn (tin), Zn (zinc), Ti (titanium), Sb (antimony), and Al (aluminum). The one containing is preferably used. By using the auxiliary electrode 4 containing these metal atoms, that is, a metal oxide containing these metal atoms introduced with a leaving group 803, the auxiliary electrode 4 exhibits particularly excellent conductivity. To be. Therefore, by appropriately selecting these metal atoms, the auxiliary electrode 4 can have a lower electrical resistance than the cathode 8, and as a result, the electrical resistance of the entire cathode can be reliably reduced.

より具体的には、金属酸化物としては、例えば、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）およびインジウムオキサイド（ＩＯ）等が挙げられる。
なお、金属酸化物としてインジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。これにより、前述したような効果をより顕著に発揮させることができる。 More specifically, examples of the metal oxide include indium tin oxide (ITO), fluorine-containing indium tin oxide (FITO), antimontin oxide (ATO), indium zinc oxide (IZO), and aluminum zinc oxide (AZO). , Tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), fluorine-containing tin oxide (FTO), fluorine-containing indium oxide (FIO), indium oxide (IO), and the like.
When indium tin oxide (ITO) is used as the metal oxide, the atomic ratio of indium to tin (indium / tin ratio) is preferably 99/1 to 80/20, and 97/3 More preferably, it is 85/15. Thereby, the effects as described above can be more remarkably exhibited.

また、補助電極４中の金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と酸素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、補助電極４の安定性が高くなり、補助電極４を陰極８に対してより確実に接合することができる。また、補助電極４を優れた導電性を発揮するものとすることができる。   The abundance ratio of metal atoms and oxygen atoms in the auxiliary electrode 4 is preferably about 3: 7 to 7: 3, more preferably about 4: 6 to 6: 4. By setting the abundance ratio of metal atoms and oxygen atoms to be within the above range, the stability of the auxiliary electrode 4 is increased, and the auxiliary electrode 4 can be more reliably bonded to the cathode 8. Further, the auxiliary electrode 4 can exhibit excellent conductivity.

また、脱離基８０３は、前述したように、金属原子および酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、補助電極４に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基８０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう補助電極４に確実に結合しているものが好適に選択される。   Further, as described above, the leaving group 803 behaves so as to generate an active hand in the auxiliary electrode 4 by leaving from at least one of a metal atom and an oxygen atom. Therefore, although the leaving group 803 is relatively easily and uniformly desorbed by being given energy, it is securely bonded to the auxiliary electrode 4 so as not to be desorbed when no energy is given. Those are preferably selected.

かかる観点から、脱離基８０３には、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種が好適に用いられる。かかる脱離基８０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基８０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、補助電極４の接着性をより高度なものとすることができる。   From this point of view, the leaving group 803 is preferably a hydrogen atom, a carbon atom, a nitrogen atom, a phosphorus atom, a sulfur atom, a halogen atom, or at least one of atomic groups composed of these atoms. It is done. Such a leaving group 803 is relatively excellent in selectivity for binding / leaving due to energy application. For this reason, such a leaving group 803 can sufficiently satisfy the above-described necessity, and the adhesiveness of the auxiliary electrode 4 can be enhanced.

なお、上記の各原子で構成される原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基およびスルホン酸基等が挙げられる。
以上のような各原子および原子団の中でも、Ｉの構成の補助電極４では、脱離基８０３は、特に、水素原子であるのが好ましい。水素原子で構成される脱離基８０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基８０３として水素原子を備える補助電極４は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。 Examples of the atomic group (group) composed of the above atoms include, for example, an alkyl group such as a methyl group and an ethyl group, an alkoxy group such as a methoxy group and an ethoxy group, a carboxyl group, an amino group, and a sulfonic acid. Groups and the like.
Among the atoms and atomic groups as described above, in the auxiliary electrode 4 having the configuration I, the leaving group 803 is particularly preferably a hydrogen atom. Since the leaving group 803 composed of hydrogen atoms has high chemical stability, the auxiliary electrode 4 having a hydrogen atom as the leaving group 803 has excellent weather resistance and chemical resistance.

以上のことを考慮すると、補助電極４としては、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）およびインジウムオキサイド（ＩＯ）の金属酸化物に、脱離基８０３として水素原子が導入されたものが好適に選択される。 Considering the above, the auxiliary electrode 4 includes indium tin oxide (ITO), fluorine-containing indium tin oxide (FITO), antimony tin oxide (ATO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), Hydrogen atoms are introduced as leaving groups 803 into metal oxides of tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), fluorine-containing tin oxide (FTO), fluorine-containing indium oxide (FIO), and indium oxide (IO). Are preferably selected.

II： 次に、IIの構成の補助電極４は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基８０３を含むものである（図８参照。）。
このような補助電極４は、エネルギーが付与されると、脱離基８０３が補助電極４の少なくとも表面４５付近から脱離し、図９に示すように、補助電極４の少なくとも表面４５付近に、活性手８０４が生じるものである。そして、これにより、補助電極４の表面に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、補助電極４は、陰極８に対して、化学的な結合に基づいて接合可能な接合膜として機能するものとなる。そこで、補助電極４の接合膜としての機能が発揮されて、補助電極４と陰極８とが強固に接合されるため、これら同士の間で剥離が生じるのを確実に防止することができる。 II: Next, the auxiliary electrode 4 having the structure II includes a metal atom and a leaving group 803 composed of an organic component (see FIG. 8).
In such an auxiliary electrode 4, when energy is applied, the leaving group 803 is detached from at least the vicinity of the surface 45 of the auxiliary electrode 4, and as shown in FIG. A hand 804 is generated. Thereby, adhesiveness is developed on the surface of the auxiliary electrode 4. When such adhesiveness develops, the auxiliary electrode 4 functions as a bonding film that can be bonded to the cathode 8 based on chemical bonding. Therefore, the function of the auxiliary electrode 4 as a bonding film is exhibited, and the auxiliary electrode 4 and the cathode 8 are firmly bonded, so that it is possible to reliably prevent the separation between them.

また、補助電極４は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基８０３とを含むもの、すなわち有機金属膜であることから、変形し難い強固な膜となる。さらに、補助電極４は、流動性を有さない固体状をなすものである。これらのため、補助電極４自体が寸法精度の高いものとなり、表示装置１０においても、高さのばらつきが生じ難い。そのため、後述する表示装置１０の製造方法において、各補助電極４に陰極８を接合する（貼り合わせる）際に、各補助電極４と陰極８とを確実に接合することができる。
以上のような補助電極４としての機能が好適に発揮されるように、金属原子および脱離基８０３が選択される。 In addition, since the auxiliary electrode 4 includes a metal atom and a leaving group 803 composed of an organic component, that is, an organic metal film, the auxiliary electrode 4 is a strong film that is not easily deformed. Further, the auxiliary electrode 4 is a solid that does not have fluidity. For these reasons, the auxiliary electrode 4 itself has high dimensional accuracy, and the display device 10 is unlikely to have height variations. Therefore, in the method for manufacturing the display device 10 to be described later, when the cathode 8 is bonded (bonded) to each auxiliary electrode 4, each auxiliary electrode 4 and the cathode 8 can be reliably bonded.
The metal atom and the leaving group 803 are selected so that the function as the auxiliary electrode 4 as described above is suitably exhibited.

具体的には、金属原子としては、例えば、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕのような遷移金属元素、Ａｌのような典型金属元素等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を含有するものが好適に用いられる。補助電極４を金属原子として、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｔａ、Ｗ、ＡｕおよびＡｌのうちの少なくとも１種を含むものとすることにより、補助電極４は、特に、優れた導電性を発揮するものとなる。そのため、これらの金属原子を適宜選択することにより、補助電極４を陰極８よりも電気抵抗が低いものとすることができ、その結果、陰極全体としての電気抵抗を確実に低減させることができる。   Specifically, examples of the metal atom include transition metal elements such as Co, Ni, Cu, Rh, Ag, Ta, W, and Au, and typical metal elements such as Al. What contains 1 type (s) or 2 or more types is used suitably. By using the auxiliary electrode 4 as a metal atom and including at least one of Co, Ni, Cu, Rh, Ag, Ta, W, Au, and Al, the auxiliary electrode 4 exhibits particularly excellent conductivity. To be. Therefore, by appropriately selecting these metal atoms, the auxiliary electrode 4 can have a lower electrical resistance than the cathode 8, and as a result, the electrical resistance of the entire cathode can be reliably reduced.

また、補助電極４を後述する有機金属化学気相成長法を用いて成膜する場合には、これらの金属原子を含む金属錯体等を原材料として用いて、比較的容易かつ均一な膜厚の補助電極４を成膜することができる。
なお、遷移金属元素は、各遷移金属元素間で、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、金属原子として遷移金属元素を用いた場合、補助電極４に発現する接着性をより高めることができる。 In addition, when the auxiliary electrode 4 is formed by using a metal organic chemical vapor deposition method, which will be described later, a metal complex containing these metal atoms is used as a raw material, and a relatively easy and uniform auxiliary film thickness is obtained. The electrode 4 can be formed.
The transition metal elements are similar in physical properties because they are different only in the number of outermost electrons among the transition metal elements. Transition metals generally have high hardness and melting point, and high electrical conductivity and thermal conductivity. For this reason, when a transition metal element is used as a metal atom, the adhesiveness expressed in the auxiliary electrode 4 can be further improved.

また、脱離基８０３は、前述したように、補助電極４から脱離することにより、補助電極４に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基８０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう補助電極４に確実に結合しているものが好適に選択される。   Further, as described above, the leaving group 803 behaves so as to generate an active hand in the auxiliary electrode 4 by detaching from the auxiliary electrode 4. Therefore, although the leaving group 803 is relatively easily and uniformly desorbed by being given energy, it is securely bonded to the auxiliary electrode 4 so as not to be desorbed when no energy is given. Those are preferably selected.

具体的には、IIの構成の補助電極４では、脱離基８０３としては、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団が好適に選択される。かかる脱離基８０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基８０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、補助電極４の接着性をより高度なものとすることができる。   Specifically, in the auxiliary electrode 4 having the configuration II, the leaving group 803 includes a carbon atom as an essential component and includes at least one of a hydrogen atom, a nitrogen atom, a phosphorus atom, a sulfur atom, and a halogen atom. An atomic group is preferably selected. Such a leaving group 803 is relatively excellent in selectivity for binding / leaving due to energy application. For this reason, such a leaving group 803 can sufficiently satisfy the above-described necessity, and the adhesiveness of the auxiliary electrode 4 can be enhanced.

より具体的には、原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基の他、前記アルキル基の末端がイソシアネート基、アミノ基およびスルホン酸基等で終端しているもの等が挙げられる。
以上のような原子団の中でも、脱離基８０３は、特に、アルキル基であるのが好ましい。アルキル基で構成される脱離基８０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基８０３としてアルキル基を備える補助電極４は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。 More specifically, examples of the atomic group (group) include an alkyl group such as a methyl group and an ethyl group, an alkoxy group such as a methoxy group and an ethoxy group, and a carboxyl group, and the end of the alkyl group is an isocyanate group. And those terminated with a group, an amino group, a sulfonic acid group, and the like.
Among the atomic groups as described above, the leaving group 803 is particularly preferably an alkyl group. Since the leaving group 803 composed of an alkyl group has high chemical stability, the auxiliary electrode 4 having an alkyl group as the leaving group 803 has excellent weather resistance and chemical resistance.

また、かかる構成の補助電極４において、金属原子と酸素原子の存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。金属原子と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、補助電極４の安定性が高くなり、補助電極４を陰極８に対してより確実に接合することができる。また、補助電極４を優れた導電性を発揮するものとすることができる。   In the auxiliary electrode 4 having such a configuration, the abundance ratio of metal atoms to oxygen atoms is preferably about 3: 7 to 7: 3, and more preferably about 4: 6 to 6: 4. By setting the abundance ratio of metal atoms and carbon atoms to be in the above range, the stability of the auxiliary electrode 4 is increased, and the auxiliary electrode 4 can be more reliably bonded to the cathode 8. Further, the auxiliary electrode 4 can exhibit excellent conductivity.

また、補助電極４の平均厚さは、１０〜２０００ｎｍ程度であるのが好ましく、３００〜１５００ｎｍ程度であるのがより好ましい。補助電極４の平均厚さを前記範囲内とすることにより、補助電極と接合膜との双方の機能を補助電極４に確実に発揮させることができる。
さらに、補助電極４の平均厚さが前記範囲内であれば、補助電極４にある程度の形状追従性が確保される。このため、例えば、第２隔壁部３２の接合面（補助電極４に隣接する面）に凹凸が存在している場合でも、その凹凸の高さにもよるが、凹凸の形状に追従するように補助電極４を成膜させることができる。その結果、補助電極４は、凹凸を吸収して、その表面に生じる凹凸の高さを緩和することができる。そして、補助電極４に陰極８を接合した際に、補助電極４の陰極８に対する密着性を高めることができる。 The average thickness of the auxiliary electrode 4 is preferably about 10 to 2000 nm, and more preferably about 300 to 1500 nm. By setting the average thickness of the auxiliary electrode 4 within the above range, the functions of both the auxiliary electrode and the bonding film can be reliably exerted on the auxiliary electrode 4.
Furthermore, if the average thickness of the auxiliary electrode 4 is within the above range, a certain degree of shape followability is ensured for the auxiliary electrode 4. For this reason, for example, even when unevenness is present on the bonding surface (surface adjacent to the auxiliary electrode 4) of the second partition wall portion 32, it follows the shape of the unevenness depending on the height of the unevenness. The auxiliary electrode 4 can be formed. As a result, the auxiliary electrode 4 can absorb the unevenness and reduce the height of the unevenness generated on the surface. And when the cathode 8 is joined to the auxiliary electrode 4, the adhesion of the auxiliary electrode 4 to the cathode 8 can be enhanced.

なお、上記のような形状追従性の程度は、補助電極４の厚さが厚いほど顕著になる。したがって、形状追従性を十分に確保するためには、前記範囲内で、補助電極４の厚さをできるだけ厚くすればよい。
なお、本実施形態では、上基板９（陰極８）側から光を取り出すトップエミッション型の表示装置１０に補助電極４を設ける場合について説明したが、このような場合に限定されず、ＴＦＴ回路基板２０（陽極３）側から光を取り出すボトムエミッション型の表示装置に補助電極を設けるようにしてもよい。 Note that the degree of the shape followability as described above becomes more prominent as the auxiliary electrode 4 is thicker. Therefore, in order to sufficiently ensure the shape followability, the thickness of the auxiliary electrode 4 should be as large as possible within the above range.
In the present embodiment, the case where the auxiliary electrode 4 is provided in the top emission type display device 10 that extracts light from the upper substrate 9 (cathode 8) side is described. However, the present invention is not limited to such a case, and the TFT circuit substrate is provided. You may make it provide an auxiliary electrode in the bottom emission type display apparatus which takes out light from 20 (anode 3) side.

なお、ボトムエミッション型の表示装置は、トップエミッション型の表示装置と比較して、ＴＦＴ回路基板２０に駆動用ＴＦＴ２４が存在するため、光を取り出す領域の面積が制限される。すなわち、ＴＦＴ回路基板２０の開口率が低下する。そのため、より高い発光輝度を得るためには、有機ＥＬ素子の駆動電圧を高く設定する必要が生じ、これに起因して有機ＥＬ素子の消費電力が高くなり、さらには、その寿命が短くなってしまうという問題がある。このようなボトムエミッション型の表示装置の陽極に接触するように補助電極を設けると、トップエミッション型の表示装置に適用した場合と同様に、有機ＥＬ素子の駆動電圧を低くすることができ、上述したような問題を解消することができる。   Note that the bottom emission type display device has a driving TFT 24 on the TFT circuit substrate 20 as compared with the top emission type display device, and therefore, the area of the light extraction region is limited. That is, the aperture ratio of the TFT circuit substrate 20 is reduced. Therefore, in order to obtain higher light emission luminance, it is necessary to set the drive voltage of the organic EL element to be high, which results in an increase in power consumption of the organic EL element and further shortening its life. There is a problem of end. When the auxiliary electrode is provided so as to be in contact with the anode of such a bottom emission type display device, the driving voltage of the organic EL element can be lowered as in the case of application to the top emission type display device. Can solve the problem.

また、本発明は、本実施形態で説明したような、ＴＦＴ回路基板２０上に陽極３、正孔輸送層５、発光層６および陰極８がこの順で積層された構成の有機ＥＬ素子１を備える表示装置１０に適用できる他、ＴＦＴ回路基板２０上に個別の陰極、個別の発光層、個別の正孔輸送層および共通の陽極がこの順で積層された構成の有機ＥＬ素子を備える表示装置にも適用することができる。この場合、陽極（共通電極）の電気抵抗を低下させることを目的に、陽極３に接触するように、隔壁部３５上に補助電極（補助陽極）を設けるようにすればよい。   Further, the present invention provides an organic EL element 1 having a configuration in which the anode 3, the hole transport layer 5, the light emitting layer 6 and the cathode 8 are laminated in this order on the TFT circuit substrate 20 as described in the present embodiment. In addition to being applicable to the display device 10 provided, the display device includes an organic EL element having a configuration in which individual cathodes, individual light emitting layers, individual hole transport layers, and a common anode are laminated in this order on the TFT circuit substrate 20. It can also be applied to. In this case, for the purpose of reducing the electrical resistance of the anode (common electrode), an auxiliary electrode (auxiliary anode) may be provided on the partition wall 35 so as to be in contact with the anode 3.

以上のような表示装置１０は、例えば、次のようにして製造することができる。
［１］まず、複数の陽極（個別電極）３が設けられたＴＦＴ回路基板２０を用意する（第１の工程）。
［１−Ａ］まず、基板２１を用意し、基板２１上に、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガス等を原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約２００〜５００ｎｍの酸化シリコンを主材料として構成される下地保護層２３を形成する。 The display device 10 as described above can be manufactured, for example, as follows.
[1] First, a TFT circuit substrate 20 provided with a plurality of anodes (individual electrodes) 3 is prepared (first step).
[1-A] First, a substrate 21 is prepared, and an average thickness of about 200 to 500 nm is formed on the substrate 21 by, for example, plasma CVD using TEOS (tetraethoxysilane), oxygen gas, or the like as a source gas. A base protective layer 23 composed of silicon oxide as a main material is formed.

［１−Ｂ］次に、下地保護層２３上に、駆動用ＴＦＴ２４を形成する。
［１−Ｂａ］まず、基板２１を約３５０℃に加熱した状態で、下地保護層２３上に、例えばプラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコンを主材料として構成される半導体膜を形成する。
［１−Ｂｂ］次いで、半導体膜に対して、レーザアニールまたは固相成長法等により結晶化処理を行い、アモルファスシリコンをポリシリコンに変化させる。
ここで、レーザアニール法では、例えば、エキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は、例えば２００ｍＪ／ｃｍ２程度に設定される。また、ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザー強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域に重なるようにラインビームを走査する。 [1-B] Next, the driving TFT 24 is formed on the base protective layer 23.
[1-Ba] First, amorphous silicon having an average thickness of about 30 to 70 nm is mainly formed on the base protective layer 23 by the plasma CVD method or the like with the substrate 21 heated to about 350 ° C. A semiconductor film is formed.
[1-Bb] Next, the semiconductor film is crystallized by laser annealing, solid phase growth, or the like to change the amorphous silicon into polysilicon.
Here, in the laser annealing method, for example, a line beam having a beam length of 400 mm is used with an excimer laser, and the output intensity is set to about 200 mJ / cm 2 , for example. For the line beam, the line beam is scanned so that a portion corresponding to 90% of the peak value of the laser intensity in the short dimension direction overlaps each region.

［１−Ｂｃ］次いで、半導体膜をパターニングして島状とし、各島状の半導体層２４１を覆うように、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約６０〜１５０ｎｍの酸化シリコンまたは窒化シリコン等を主材料として構成されるゲート絶縁層２４２を形成する。
［１−Ｂｄ］次いで、ゲート絶縁層２４２上に、例えば、スパッタ法等により、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングし、ゲート電極２４３を形成する。
［１−Ｂｅ］次いで、この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極２４３に対して自己整合的にソース・ドレイン領域を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となる。 [1-Bc] Next, the semiconductor film is patterned to form islands, and for example, a plasma CVD method using TEOS (tetraethoxysilane) or oxygen gas as a source gas so as to cover each island-shaped semiconductor layer 241. Thus, a gate insulating layer 242 composed mainly of silicon oxide or silicon nitride having an average thickness of about 60 to 150 nm is formed.
[1-Bd] Next, a conductive film composed mainly of a metal such as aluminum, tantalum, molybdenum, titanium, or tungsten is formed on the gate insulating layer 242 by, for example, sputtering, and then patterned. A gate electrode 243 is formed.
[1-Be] Next, in this state, high concentration phosphorus ions are implanted to form source / drain regions in a self-aligned manner with respect to the gate electrode 243. Note that a portion where no impurity is introduced becomes a channel region.

［１−Ｃ］次に、駆動用ＴＦＴ２４に電気的に接続されるソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
［１−Ｃａ］まず、ゲート電極２４３を覆うように、第１層間絶縁層２５を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｃｂ］次いで、コンタクトホール内にソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。 [1-C] Next, the source electrode 244 and the drain electrode 245 electrically connected to the driving TFT 24 are formed.
[1-Ca] First, the first interlayer insulating layer 25 is formed so as to cover the gate electrode 243, and then a contact hole is formed.
[1-Cb] Next, the source electrode 244 and the drain electrode 245 are formed in the contact hole.

［１−Ｄ］次に、ドレイン電極２４５と陽極３とを電気的に接続する配線（中継電極）２７を形成する。
［１−Ｄａ］まず、第１層間絶縁層２５上に、第２層間絶縁層２６を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｄｂ］次いで、コンタクトホール内に配線２７を形成する。
以上のようにして、ＴＦＴ回路基板２０が得られる。 [1-D] Next, a wiring (relay electrode) 27 that electrically connects the drain electrode 245 and the anode 3 is formed.
[1-Da] First, the second interlayer insulating layer 26 is formed on the first interlayer insulating layer 25, and then contact holes are formed.
[1-Db] Next, a wiring 27 is formed in the contact hole.
As described above, the TFT circuit substrate 20 is obtained.

［１−Ｅ］次に、ＴＦＴ回路基板２０が備える第２層間絶縁層２６上に、各配線２７に接触するように、複数の陽極（個別電極）３を形成する（第１の工程）。
この陽極３は、第２層間絶縁層２６上に、例えば、真空蒸着法やスパッタ法のような気相成膜法等により、前述したような陽極３の構成材料を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングすることにより得ることができる。 [1-E] Next, a plurality of anodes (individual electrodes) 3 are formed on the second interlayer insulating layer 26 included in the TFT circuit substrate 20 so as to be in contact with each wiring 27 (first step).
The anode 3 is formed on the second interlayer insulating layer 26 by using, for example, the above-described constituent material of the anode 3 as a main material by a vapor deposition method such as a vacuum deposition method or a sputtering method. It can be obtained by patterning after forming the film.

［２］次に、第２層間絶縁層２６上に、各陽極３を囲む（区画する）ように、すなわち、各有機ＥＬ素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを形成する領域を囲むように、隔壁部（バンク）３５と補助電極４とをこの順で積層した状態で形成する。
このような隔壁部３５および補助電極４は、例えば、第２層間絶縁層２６上に第１隔壁部３１を形成した後、この第１隔壁部３１上に、第２隔壁部３２と補助電極４とを一括して形成することにより得ることができる。 [2] Next, on the second interlayer insulating layer 26, partition portions (so as to surround (partition) the anodes 3, that is, surround regions where the organic EL elements 1R, 1G, 1B are formed). The bank) 35 and the auxiliary electrode 4 are formed in a stacked state in this order.
For example, after the first partition wall 31 is formed on the second interlayer insulating layer 26, the second partition wall 32 and the auxiliary electrode 4 are formed on the first partition wall 31. Can be obtained by forming them together.

以下、かかる方法により、隔壁部３５および補助電極４を形成する場合について説明する。
［２−Ａ］ まず、第２層間絶縁層２６上に第１隔壁部３１を形成する。
この第１隔壁部３１は、例えば、陽極３および第２層間絶縁層２６を覆うように絶縁膜を形成した後、フォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすることにより形成される。 Hereinafter, the case where the partition part 35 and the auxiliary electrode 4 are formed by this method will be described.
[2-A] First, the first partition wall 31 is formed on the second interlayer insulating layer 26.
The first partition wall 31 is formed, for example, by forming an insulating film so as to cover the anode 3 and the second interlayer insulating layer 26 and then patterning using a photolithography method or the like.

［２−Ｂ］ 次に、第１隔壁部３１上に、第２隔壁部３２と補助電極４とを一括して形成する。
このような第２隔壁部３２および補助電極４は、例えば、第１隔壁部３１および陽極３を覆うように、第２隔壁部３２とすべき絶縁膜を形成し、さらにこの絶縁膜を覆うように、補助電極４とすべき接合膜を形成した後に、フォトリソグラフィー法等を用いて、これら絶縁膜と接合膜とを一括してパターニングすることにより形成される。 [2-B] Next, the second partition wall 32 and the auxiliary electrode 4 are collectively formed on the first partition wall 31.
For example, the second partition wall 32 and the auxiliary electrode 4 form an insulating film to be the second partition wall 32 so as to cover the first partition wall 31 and the anode 3, and further cover this insulating film. In addition, after forming the bonding film to be the auxiliary electrode 4, the insulating film and the bonding film are collectively patterned by using a photolithography method or the like.

本発明では、補助電極４の構成に特徴を有し、補助電極４は、前述したようにＩおよびIIの構成のものが挙げられるが、それぞれ、各構成の接合膜を以下のようにして形成した後、得られた接合膜をパターニングすることにより形成することができる。
I： まず、Ｉの構成の補助電極（接合膜）４は、補助電極４のほぼ全体に脱離基８０３を存在させる場合には、例えば、Ｉ−Ａ：脱離基８０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成することができる。また、補助電極（接合膜）４の表面４５付近に偏在させる場合には、例えば、Ｉ−Ｂ：金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基８０３を導入することにより形成することができる。 In the present invention, the auxiliary electrode 4 is characterized by the structure of the auxiliary electrode 4. As described above, the auxiliary electrode 4 includes the structures of I and II. The bonding films of the respective structures are formed as follows. Then, the obtained bonding film can be formed by patterning.
I: First, the auxiliary electrode (bonding film) 4 having the configuration I has, for example, IA: atomic component constituting the leaving group 803 when the leaving group 803 is present in almost the entire auxiliary electrode 4. The film can be formed by depositing a metal oxide material containing a metal atom and an oxygen atom by a physical vapor deposition method in an atmosphere containing oxygen. In the case of uneven distribution near the surface 45 of the auxiliary electrode (bonding film) 4, for example, after forming a metal oxide film containing IB: metal atom and the oxygen atom, this metal oxide film Can be formed by introducing a leaving group 803 into at least one of a metal atom and an oxygen atom contained in the vicinity of the surface.

以下、Ｉ−ＡおよびＩ−Ｂの方法を用いて、第２隔壁部３２とすべき絶縁膜上に、補助電極４とすべき接合膜を成膜する場合について、詳述する。
Ｉ−Ａ： Ｉ−Ａの方法では、接合膜は、上記のように、脱離基８０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法（ＰＶＤ法）により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物材料を成膜することにより形成される。このようにＰＶＤ法を用いる構成とすれば、金属酸化物材料を絶縁膜に向かって飛来させる際に、比較的容易に金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基８０３を導入することができるため、接合膜のほぼ全体に亘って脱離基８０３を導入することができる。 Hereinafter, the case where the bonding film to be the auxiliary electrode 4 is formed on the insulating film to be the second partition wall 32 by using the methods IA and IB will be described in detail.
IA: In the method of IA, as described above, the bonding film is formed of a metal atom by a physical vapor deposition method (PVD method) in an atmosphere containing an atomic component constituting the leaving group 803. And a metal oxide material containing oxygen atoms. When the PVD method is used as described above, the leaving group 803 can be introduced into at least one of the metal atom and the oxygen atom relatively easily when the metal oxide material is made to fly toward the insulating film. Therefore, the leaving group 803 can be introduced over almost the entire bonding film.

さらに、ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な接合膜を効率よく成膜することができる。これにより、ＰＶＤ法で成膜された接合膜（補助電極４）は、陰極８に対して特に強固に接合し得るものとなる。また、ＰＶＤ法で形成された接合膜は、絶縁膜に対しても高い密着性を示す。このため、接合膜（補助電極４）を介して陰極８と絶縁膜（第２隔壁部３２）との間に高い接合強度が得られる。さらに、ＰＶＤ法で成膜された接合膜は、エネルギーが付与されて活性化された状態が比較的長時間にわたって維持される。このため、表示装置１０の製造工程の簡素化、効率化を図ることができる。   Furthermore, according to the PVD method, a dense and homogeneous bonding film can be efficiently formed. Thereby, the bonding film (auxiliary electrode 4) formed by the PVD method can be particularly strongly bonded to the cathode 8. Further, the bonding film formed by the PVD method exhibits high adhesion to the insulating film. For this reason, a high bonding strength is obtained between the cathode 8 and the insulating film (second partition wall portion 32) through the bonding film (auxiliary electrode 4). Furthermore, the bonding film formed by the PVD method is maintained for a relatively long time in a state where energy is applied and activated. For this reason, simplification and efficiency improvement of the manufacturing process of the display apparatus 10 can be achieved.

また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、脱離基８０３を構成する原子成分を含む雰囲気中に、金属酸化物の粒子を叩き出すことができる。そして、金属酸化物の粒子が叩き出された状態で、脱離基８０３を構成する原子成分を含むガスと接触させることができるため、金属酸化物（金属原子または酸素原子）への脱離基８０３の導入をより円滑に行うことができる。   Further, examples of the PVD method include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a laser ablation method, and the like. Among these, the sputtering method is preferably used. According to the sputtering method, metal oxide particles can be knocked out in an atmosphere containing an atomic component constituting the leaving group 803 without breaking a bond between a metal atom and an oxygen atom. In addition, since the metal oxide particles can be brought into contact with a gas containing an atomic component constituting the leaving group 803, the leaving group to the metal oxide (metal atom or oxygen atom) can be contacted. 803 can be introduced more smoothly.

以下、ＰＶＤ法により接合膜を形成する方法として、スパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）を用いる場合を代表に説明する。
まず、接合膜の成膜方法を説明するのに先立って、絶縁膜の接合面にイオンビームスパッタリング法により接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置２００について説明する。
図６に示す成膜装置２００は、イオンビームスパッタリング法による補助電極４の形成がチャンバー（装置）内で行えるように構成されている。
具体的には、成膜装置２００は、チャンバー（真空チャンバー）２１１と、このチャンバー２１１内に設置され、絶縁膜が形成されたＴＦＴ回路基板（成膜対象物）２０を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）２１２と、チャンバー２１１内に設置され、チャンバー２１１内に向かってイオンビームＢを照射するイオン源（イオン供給部）２１５と、イオンビームＢの照射により、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）を発生させるターゲット（金属酸化物材料）２１６を保持するターゲットホルダー（ターゲット保持部）２１７とを有している。 Hereinafter, a case where a sputtering method (ion beam sputtering method) is used as a method for forming a bonding film by the PVD method will be described as a representative.
First, prior to describing the method for forming the bonding film, the film forming apparatus 200 used when forming the bonding film on the bonding surface of the insulating film by ion beam sputtering will be described.
A film forming apparatus 200 shown in FIG. 6 is configured such that the auxiliary electrode 4 can be formed in a chamber (apparatus) by an ion beam sputtering method.
Specifically, the film forming apparatus 200 includes a chamber (vacuum chamber) 211 and a substrate holder (synthetic object) 20 that holds the TFT circuit substrate (film formation target) 20 on which an insulating film is formed. (Film object holding unit) 212, an ion source (ion supply unit) 215 that is installed in the chamber 211 and irradiates the ion beam B toward the chamber 211, and metal ions and oxygen atoms are irradiated by the ion beam B irradiation. And a target holder (target holding portion) 217 that holds a target (metal oxide material) 216 that generates a metal oxide (for example, ITO).

また、チャンバー２１１には、チャンバー２１１内に、脱離基８０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を供給するガス供給手段２６０と、チャンバー２１１内の排気をして圧力を制御する排気手段２３０とを有している。
なお、本実施形態では、基板ホルダー２１２は、チャンバー２１１の天井部に取り付けられている。この基板ホルダー２１２は、回動可能となっている。これにより、絶縁膜上に接合膜を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。 The chamber 211 has a gas supply means 260 for supplying a gas containing an atomic component constituting the leaving group 803 (for example, hydrogen gas) in the chamber 211, and the chamber 211 is evacuated to control the pressure. And an evacuation unit 230 for performing the operation.
In the present embodiment, the substrate holder 212 is attached to the ceiling portion of the chamber 211. The substrate holder 212 is rotatable. Accordingly, the bonding film can be formed on the insulating film with a uniform and uniform thickness.

イオン源（イオン銃）２１５は、図７に示すように、開口（照射口）２５０が形成されたイオン発生室２５６と、イオン発生室２５６内に設けられたフィラメント２５７と、グリッド２５３、２５４と、イオン発生室２５６の外側に設置された磁石２５５とを有している。
また、イオン発生室２５６には、図６に示すように、その内部にガス（スパッタリング用ガス）を供給するガス供給源２１９が接続されている。 As shown in FIG. 7, the ion source (ion gun) 215 includes an ion generation chamber 256 in which an opening (irradiation port) 250 is formed, a filament 257 provided in the ion generation chamber 256, grids 253 and 254, And a magnet 255 installed outside the ion generation chamber 256.
Further, as shown in FIG. 6, a gas supply source 219 for supplying a gas (sputtering gas) is connected to the ion generation chamber 256.

このイオン源２１５では、イオン発生室２５６内に、ガス供給源２１９からガスを供給した状態で、フィラメント２５７を通電加熱すると、フィラメント２５７から電子が放出され、放出された電子が磁石２５５の磁場によって運動し、イオン発生室２５６内に供給されたガス分子と衝突する。これにより、ガス分子がイオン化する。このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４との間の電圧勾配により、イオン発生室２５６内から引き出されるとともに加速され、開口２５０を介してイオンビームＢとしてイオン源２１５から放出（照射）される。
イオン源２１５から照射されたイオンビームＢは、ターゲット２１６の表面に衝突し、ターゲット２１６からは粒子（スパッタ粒子）が叩き出される。このターゲット２１６は、前述したような金属酸化物材料で構成されている。 In the ion source 215, when the filament 257 is energized and heated in a state where gas is supplied from the gas supply source 219 into the ion generation chamber 256, electrons are emitted from the filament 257, and the emitted electrons are generated by the magnetic field of the magnet 255. It moves and collides with gas molecules supplied into the ion generation chamber 256. Thereby, gas molecules are ionized. The ions I + of the gas are extracted from the ion generation chamber 256 and accelerated by a voltage gradient between the grid 253 and the grid 254 and are emitted (irradiated) from the ion source 215 as an ion beam B through the opening 250. Is done.
The ion beam B irradiated from the ion source 215 collides with the surface of the target 216, and particles (sputtered particles) are knocked out from the target 216. The target 216 is made of a metal oxide material as described above.

この成膜装置２００では、イオン源２１５は、その開口２５０がチャンバー２１１内に位置するように、チャンバー２１１の側壁に固定（設置）されている。なお、イオン源２１５は、チャンバー２１１から離間した位置に配置し、接続部を介してチャンバー２１１に接続した構成とすることもできるが、本実施形態のような構成とすることにより、成膜装置２００の小型化を図ることができる。   In the film forming apparatus 200, the ion source 215 is fixed (installed) on the side wall of the chamber 211 so that the opening 250 is located in the chamber 211. Note that the ion source 215 can be arranged at a position separated from the chamber 211 and connected to the chamber 211 via a connection portion. 200 can be reduced in size.

また、イオン源２１５は、その開口２５０が、基板ホルダー２１２と異なる方向、本実施形態では、チャンバー２１１の底部側を向くように設置されている。
なお、イオン源２１５の設置個数は、１つに限定されるものではなく、複数とすることもできる、イオン源２１５を複数設置することにより、接合膜の成膜速度をより速くすることができる。 The ion source 215 is installed such that the opening 250 faces in a direction different from that of the substrate holder 212, in this embodiment, the bottom side of the chamber 211.
Note that the number of ion sources 215 is not limited to one, and may be plural. By installing a plurality of ion sources 215, the deposition rate of the bonding film can be further increased. .

また、ターゲットホルダー２１７および基板ホルダー２１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができる第１のシャッター２２０および第２のシャッター２２１が配設されている。
これらシャッター２２０、２２１は、それぞれ、ターゲット２１６および絶縁膜が設けられたＴＦＴ回路基板２０が、不用な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
また、排気手段２３０は、ポンプ２３２と、ポンプ２３２とチャンバー２１１とを連通する排気ライン２３１と、排気ライン２３１の途中に設けられたバルブ２３３とで構成されており、チャンバー２１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。 In addition, a first shutter 220 and a second shutter 221 that can cover the target holder 217 and the substrate holder 212 are disposed, respectively.
The shutters 220 and 221 are for preventing the target 216 and the TFT circuit substrate 20 provided with the insulating film from being exposed to an unnecessary atmosphere or the like.
The exhaust means 230 includes a pump 232, an exhaust line 231 that communicates the pump 232 and the chamber 211, and a valve 233 provided in the middle of the exhaust line 231. The pressure can be reduced.

さらに、ガス供給手段２６０は、脱離基８０３を構成する原子成分を含むガス（例えば、水素ガス）を貯留するガスボンベ２６４と、ガスボンベ２６４からこのガスをチャンバー２１１に導くガス供給ライン２６１と、ガス供給ライン２６１の途中に設けられたポンプ２６２およびバルブ２６３とで構成されており、脱離基８０３を構成する原子成分を含むガスをチャンバー２１１内に供給し得るようになっている。   Further, the gas supply means 260 includes a gas cylinder 264 that stores a gas (for example, hydrogen gas) that includes atomic components constituting the leaving group 803, a gas supply line 261 that guides the gas from the gas cylinder 264 to the chamber 211, and a gas A pump 262 and a valve 263 provided in the middle of the supply line 261 are configured so that a gas containing an atomic component constituting the leaving group 803 can be supplied into the chamber 211.

以上のような構成の成膜装置２００を用いて、以下のようにして接合膜が形成される。
まず、絶縁膜が形成されたＴＦＴ回路基板（以下、単に「ＴＦＴ回路基板」と言うこともある。）２０を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。 Using the film forming apparatus 200 having the above configuration, a bonding film is formed as follows.
First, a TFT circuit substrate (hereinafter sometimes simply referred to as “TFT circuit substrate”) 20 on which an insulating film is formed is carried into a chamber 211 of a film forming apparatus 200 and mounted (set) on a substrate holder 212. .
Next, the exhaust means 230 is operated, that is, the valve 233 is opened while the pump 232 is operated, whereby the inside of the chamber 211 is decompressed. The degree of vacuum (degree of vacuum) is not particularly limited, but is preferably about 1 × 10 −7 to 1 × 10 −4 Torr, preferably about 1 × 10 −6 to 1 × 10 −5 Torr. Is more preferable.

さらに、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基８０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
脱離基８０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基８０３を導入することができる。
また、チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、金属原子または酸素原子と、前記原子成分を含むガスとの反応が効率良く行われ、金属原子および酸素原子に確実に、前記原子成分を含むガスを導入することができる。 Further, the gas supply means 260 is operated, that is, the valve 263 is opened while the pump 262 is operated, whereby the gas containing the atomic components constituting the leaving group 803 is supplied into the chamber 211. Thereby, the inside of a chamber can be made into the atmosphere containing this gas (hydrogen gas atmosphere).
The flow rate of the gas containing the atomic component constituting the leaving group 803 is preferably about 1 to 100 ccm, and more preferably about 10 to 60 ccm. Thereby, the leaving group 803 can be reliably introduced into at least one of the metal atom and the oxygen atom.
Further, the temperature in the chamber 211 may be 25 ° C. or higher, but is preferably about 25 to 100 ° C. By setting within this range, the reaction between the metal atom or oxygen atom and the gas containing the atomic component is efficiently performed, and the gas containing the atomic component is reliably introduced into the metal atom and the oxygen atom. Can do.

次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。 Next, the second shutter 221 is opened, and the first shutter 220 is further opened.
In this state, a gas is introduced into the ion generation chamber 256 of the ion source 215, and the filament 257 is energized and heated. As a result, electrons are emitted from the filament 257, and the emitted electrons collide with gas molecules, whereby the gas molecules are ionized.

このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、金属酸化物材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出される。このとき、チャンバー２１１内が脱離基８０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）であることから、チャンバー２１１内に叩き出された粒子に含まれる金属原子および酸素原子に脱離基８０３が導入される。そして、この脱離基８０３が導入された金属酸化物が絶縁膜の接合面上に被着することにより、接合膜が形成される。 The ions I + of the gas are accelerated by the grid 253 and the grid 254, are emitted from the ion source 215, and collide with the target 216 made of a metal oxide material. Thereby, particles of metal oxide (for example, ITO) are knocked out from the target 216. At this time, since the inside of the chamber 211 is in an atmosphere containing a gas containing an atomic component constituting the leaving group 803 (for example, in a hydrogen gas atmosphere), metal atoms contained in the particles knocked out into the chamber 211 And a leaving group 803 is introduced into the oxygen atom. The metal oxide with the leaving group 803 introduced is deposited on the bonding surface of the insulating film, whereby a bonding film is formed.

なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。
さらに、イオンビームＢの照射方向（イオン源２１５の開口２５０）がターゲット２１６（チャンバー２１１の底部側と異なる方向）に向いているので、イオン発生室２５６内で発生した紫外線が、成膜された補助電極４に照射されるのがより確実に防止されて、接合膜の成膜中に導入された脱離基８０３が脱離するのを確実に防止することができる。
以上のようにして、厚さ方向のほぼ全体に亘って脱離基８０３が存在する接合膜を成膜することができる。 In the ion beam sputtering method described in this embodiment, in the ion generation chamber 256 of the ion source 215, a discharge is performed, the electron e - is occurs, the electron e - is shielded by the grid 253, Release into the chamber 211 is prevented.
Further, since the irradiation direction of the ion beam B (the opening 250 of the ion source 215) is directed to the target 216 (a direction different from the bottom side of the chamber 211), the ultraviolet rays generated in the ion generation chamber 256 are formed. Irradiation to the auxiliary electrode 4 can be prevented more reliably, and the leaving group 803 introduced during the formation of the bonding film can be reliably prevented from leaving.
As described above, a bonding film in which the leaving group 803 exists over almost the entire thickness direction can be formed.

Ｉ−Ｂ： また、Ｉ−Ｂの方法では、接合膜は、金属原子と酸素原子とを含む金属酸化物膜を成膜した後、この金属酸化物膜の表面付近に含まれる金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基８０３を導入することにより形成される。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、金属酸化物膜の表面付近に脱離基８０３を偏在させた状態で導入することができ、接合膜および金属酸化物膜としての双方の特性に優れたものを成膜することができる。   IB: Further, in the method IB, the bonding film is formed by forming a metal oxide film containing metal atoms and oxygen atoms, and then the metal atoms and oxygen contained in the vicinity of the surface of the metal oxide film. It is formed by introducing a leaving group 803 into at least one of the atoms. According to such a method, it is possible to introduce the leaving group 803 in an unevenly distributed manner in the vicinity of the surface of the metal oxide film in a relatively simple process, so that both characteristics as a bonding film and a metal oxide film can be obtained. An excellent film can be formed.

ここで、金属酸化物膜は、いかなる方法で成膜されたものでもよく、例えば、ＰＶＤ法（物理的気相成膜法）、ＣＶＤ法（化学的気相成膜法）、プラズマ重合法のような各種気相成膜法や、各種液相成膜法等により成膜することができるが、中でも、特に、ＰＶＤ法により成膜するのが好ましい。ＰＶＤ法によれば、緻密で均質な金属酸化物膜を効率よく成膜することができる。   Here, the metal oxide film may be formed by any method, for example, PVD method (physical vapor deposition method), CVD method (chemical vapor deposition method), plasma polymerization method, etc. The film can be formed by various vapor phase film forming methods, various liquid phase film forming methods, and the like, and it is particularly preferable to form the film by the PVD method. According to the PVD method, a dense and homogeneous metal oxide film can be efficiently formed.

また、ＰＶＤ法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびレーザーアブレーション法等が挙げられるが、中でも、スパッタリング法を用いるのが好ましい。スパッタリング法によれば、金属原子と酸素原子との結合が切断することなく、雰囲気中に金属酸化物の粒子を叩き出して、絶縁膜上に供給することができるため、特性に優れた金属酸化物膜を成膜することができる。   Moreover, examples of the PVD method include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a laser ablation method, and the like. Among these, it is preferable to use a sputtering method. According to the sputtering method, metal oxide particles with excellent characteristics can be supplied to the insulating film by ejecting metal oxide particles into the atmosphere without breaking the bond between metal atoms and oxygen atoms. A physical film can be formed.

さらに、金属酸化物膜の表面付近に脱離基８０３を導入する方法としては、各種方法が用いられ、例えば、Ｉ−Ｂ１：脱離基８０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で金属酸化物膜を熱処理（アニール）する方法、Ｉ−Ｂ２：イオンインプラテーション法等が挙げられるが、中でも、特に、Ｉ−Ｂ１の方法を用いるのが好ましい。Ｉ−Ｂ１の方法によれば、比較的容易に、脱離基８０３を金属酸化物膜の表面付近に選択的に導入することができる。また、熱処理を施す際の、雰囲気温度や処理時間等の処理条件を適宜設定することにより、導入する脱離基８０３の量、さらには脱離基８０３が導入される金属酸化物膜の厚さの制御を的確に行うことができる。   Furthermore, as a method for introducing the leaving group 803 near the surface of the metal oxide film, various methods are used, for example, I-B1: metal oxide in an atmosphere containing an atomic component constituting the leaving group 803. Examples include a method of heat-treating (annealing) the film, I-B2: ion implantation method, etc. Among them, it is particularly preferable to use the method of I-B1. According to the method I-B1, the leaving group 803 can be selectively introduced near the surface of the metal oxide film relatively easily. In addition, by appropriately setting processing conditions such as an atmospheric temperature and a processing time when performing the heat treatment, the amount of the leaving group 803 to be introduced, and the thickness of the metal oxide film into which the leaving group 803 is introduced Can be accurately controlled.

以下、金属酸化物膜をスパッタリング法（イオンビームスパッタリング法）により成膜し、次に、得られた金属酸化物膜を、脱離基８０３を構成する原子成分を含む雰囲気下で熱処理することにより、接合膜を得る場合を代表に説明する。
なお、Ｉ−Ｂの方法を用いて接合膜の成膜する場合も、Ｉ−Ａの方法を用いて接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置２００と同様の成膜装置が用いられるため、成膜装置に関する説明は省略する。 Hereinafter, a metal oxide film is formed by a sputtering method (ion beam sputtering method), and then the obtained metal oxide film is heat-treated in an atmosphere containing an atomic component constituting the leaving group 803. The case where a bonding film is obtained will be described as a representative.
Note that when the bonding film is formed using the method IB, a film forming apparatus similar to the film forming apparatus 200 used when forming the bonding film using the method IA is used. Therefore, the description regarding the film forming apparatus is omitted.

まず、ＴＦＴ回路基板２０を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、このとき、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内を加熱する。チャンバー２１１内の温度は、２５℃以上であればよいが、２５〜１００℃程度であるのが好ましい。かかる範囲内に設定することにより、膜密度の高い金属酸化物膜を成膜することができる。 First, the TFT circuit substrate 20 is carried into the chamber 211 of the film forming apparatus 200 and mounted (set) on the substrate holder 212.
Next, the exhaust means 230 is operated, that is, the valve 233 is opened while the pump 232 is operated, whereby the inside of the chamber 211 is decompressed. The degree of vacuum (degree of vacuum) is not particularly limited, but is preferably about 1 × 10 −7 to 1 × 10 −4 Torr, preferably about 1 × 10 −6 to 1 × 10 −5 Torr. Is more preferable.
At this time, the heating means is operated to heat the chamber 211. Although the temperature in the chamber 211 should just be 25 degreeC or more, it is preferable that it is about 25-100 degreeC. By setting within this range, a metal oxide film having a high film density can be formed.

次に、第２のシャッター２２１を開き、さらに第１のシャッター２２０を開いた状態にする。
この状態で、イオン源２１５のイオン発生室２５６内にガスを導入するとともに、フィラメント２５７に通電して加熱する。これにより、フィラメント２５７から電子が放出され、この放出された電子とガス分子が衝突することにより、ガス分子がイオン化する。 Next, the second shutter 221 is opened, and the first shutter 220 is further opened.
In this state, a gas is introduced into the ion generation chamber 256 of the ion source 215, and the filament 257 is energized and heated. As a result, electrons are emitted from the filament 257, and the emitted electrons collide with gas molecules, whereby the gas molecules are ionized.

このガスのイオンＩ＋は、グリッド２５３とグリッド２５４とにより加速されて、イオン源２１５から放出され、金属酸化物材料で構成されるターゲット２１６に衝突する。これにより、ターゲット２１６から金属酸化物（例えば、ＩＴＯ）の粒子が叩き出され、絶縁膜上に被着して、金属原子と、この金属原子に結合する酸素原子とを含む金属酸化物膜が形成される。
なお、本実施形態で説明したイオンビームスパッタリング法では、イオン源２１５のイオン発生室２５６内で、放電が行われ、電子ｅ−が発生するが、この電子ｅ−は、グリッド２５３により遮蔽され、チャンバー２１１内への放出が防止される。 The ions I + of the gas are accelerated by the grid 253 and the grid 254, are emitted from the ion source 215, and collide with the target 216 made of a metal oxide material. As a result, metal oxide (for example, ITO) particles are knocked out of the target 216, deposited on the insulating film, and a metal oxide film containing metal atoms and oxygen atoms bonded to the metal atoms is formed. It is formed.
In the ion beam sputtering method described in this embodiment, in the ion generation chamber 256 of the ion source 215, a discharge is performed, the electron e - is occurs, the electron e - is shielded by the grid 253, Release into the chamber 211 is prevented.

次に、第２のシャッター２２１を開いた状態で、第１のシャッター２２０を閉じる。
この状態で、加熱手段を動作させ、チャンバー２１１内をさらに加熱する。チャンバー２１１内の温度は、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基８０３が導入される温度に設定され、１００〜６００℃程度であるのが好ましく、１５０〜３００℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、次工程において、ＴＦＴ回路基板２０、第１隔壁部３１、絶縁膜および金属酸化物膜を変質・劣化させることなく、金属酸化物膜の表面に効率良く脱離基８０３を導入することができる。 Next, with the second shutter 221 open, the first shutter 220 is closed.
In this state, the heating means is operated to further heat the chamber 211. The temperature in the chamber 211 is set to a temperature at which the leaving group 803 is efficiently introduced into the surface of the metal oxide film, and is preferably about 100 to 600 ° C., more preferably about 150 to 300 ° C. preferable. By setting within this range, in the next step, the TFT circuit substrate 20, the first partition wall 31, the insulating film and the metal oxide film can be efficiently detached from the surface of the metal oxide film without deteriorating or deteriorating. A group 803 can be introduced.

次に、ガス供給手段２６０を動作させ、すなわちポンプ２６２を作動させた状態でバルブ２６３を開くことにより、チャンバー２１１内に脱離基８０３を構成する原子成分を含むガスを供給する。これにより、チャンバー２１１内をかかるガスを含む雰囲気下（水素ガス雰囲気下）とすることができる。
このように、前工程でチャンバー２１１内が加熱された状態で、チャンバー２１１内を、脱離基８０３を構成する原子成分を含むガスを含む雰囲気下（例えば、水素ガス雰囲気下）とすると、金属酸化物膜の表面付近に存在する金属原子および酸素原子の少なくとも一方に脱離基８０３が導入されて、接合膜が形成される。 Next, the gas supply means 260 is operated, that is, the valve 263 is opened while the pump 262 is operated, so that the gas containing the atomic components constituting the leaving group 803 is supplied into the chamber 211. Thereby, the inside of the chamber 211 can be made into the atmosphere containing this gas (under hydrogen gas atmosphere).
As described above, when the inside of the chamber 211 is heated in the previous step and the inside of the chamber 211 is an atmosphere containing a gas containing an atomic component constituting the leaving group 803 (for example, under a hydrogen gas atmosphere), the metal A leaving group 803 is introduced into at least one of a metal atom and an oxygen atom existing near the surface of the oxide film, whereby a bonding film is formed.

脱離基８０３を構成する原子成分を含むガスの流量は、１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、金属原子および酸素原子の少なくとも一方に確実に脱離基８０３を導入することができる。
なお、チャンバー２１１内は、前記工程において、排気手段２３０を動作させることにより調整された減圧状態を維持しているのが好ましい。これにより、金属酸化物膜の表面付近に対する脱離基８０３の導入をより円滑に行うことができる。また、前記工程の減圧状態を維持したまま、本工程においてチャンバー２１１内を減圧する構成とすることにより、再度減圧する手間が省けることから、成膜時間および成膜コスト等の削減を図ることができるという利点も得られる。 The flow rate of the gas containing the atomic component constituting the leaving group 803 is preferably about 1 to 100 ccm, and more preferably about 10 to 60 ccm. Thereby, the leaving group 803 can be reliably introduced into at least one of the metal atom and the oxygen atom.
Note that it is preferable that the reduced pressure state adjusted by operating the exhaust means 230 is maintained in the chamber 211 in the above-described step. Thereby, the leaving group 803 can be introduced more smoothly into the vicinity of the surface of the metal oxide film. In addition, by reducing the pressure in the chamber 211 in this step while maintaining the reduced pressure state of the above step, it is possible to reduce the time for reducing the pressure again, thereby reducing the film formation time and the film formation cost. The advantage of being able to do it is also obtained.

この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、熱処理を施す時間は、１５〜１２０分程度であるのが好ましく、３０〜６０分程度であるのがより好ましい。 The degree of vacuum (degree of vacuum) is not particularly limited, but is preferably about 1 × 10 −7 to 1 × 10 −4 Torr, preferably about 1 × 10 −6 to 1 × 10 −5 Torr. Is more preferable.
Moreover, it is preferable that the time which heat-processes is about 15 to 120 minutes, and it is more preferable that it is about 30 to 60 minutes.

導入する脱離基８０３の種類等によっても異なるが、熱処理を施す際の条件（チャンバー２１１内の温度、真空度、ガス流量、処理時間）を上記範囲内に設定することにより、金属酸化物膜の表面付近に脱離基８０３を選択的に導入することができる。
以上のようにして、表面４５付近に脱離基８０３が偏在する接合膜を成膜することができる。 Although depending on the type of leaving group 803 to be introduced, etc., the metal oxide film can be obtained by setting the conditions for the heat treatment (temperature in the chamber 211, degree of vacuum, gas flow rate, treatment time) within the above ranges. A leaving group 803 can be selectively introduced in the vicinity of the surface.
As described above, a bonding film in which the leaving group 803 is unevenly distributed near the surface 45 can be formed.

II： 次に、IIの構成の補助電極（接合膜）４は、例えば、II−Ａ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）８０３を含む有機物を、金属膜のほぼ全体に付与して補助電極（接合膜）４を形成する方法、II−Ｂ：金属原子で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）８０３を含む有機物を、金属膜の表面付近に選択的に付与（化学修飾）して補助電極（接合膜）４を形成する方法、II−Ｃ：金属原子と、脱離基（有機成分）８０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて補助電極（接合膜）４を形成する方法等が挙げられる。これらの中でも、II−Ｃの方法により補助電極（接合膜）４を成膜するのが好ましい。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の補助電極（接合膜）４を形成することができる。   II: Next, the auxiliary electrode (bonding film) 4 having the structure of II is made of, for example, an organic material containing a leaving group (organic component) 803 on a metal film composed of II-A: metal atoms. A method of forming the auxiliary electrode (bonding film) 4 by applying to almost the whole, II-B: an organic substance containing a leaving group (organic component) 803 on the metal film composed of metal atoms, near the surface of the metal film A method of forming an auxiliary electrode (bonding film) 4 by selectively applying (chemical modification) to a metal, II-C: an organic metal material having a metal atom and an organic substance containing a leaving group (organic component) 803 as a raw material And a method of forming the auxiliary electrode (bonding film) 4 using a metal organic chemical vapor deposition method. Among these, it is preferable to form the auxiliary electrode (bonding film) 4 by the II-C method. According to this method, the auxiliary electrode (bonding film) 4 having a uniform film thickness can be formed by a relatively simple process.

以下、II−Ｃの方法、すなわち金属原子と、脱離基（有機成分）８０３を含む有機物とを有する有機金属材料を原材料として有機金属化学気相成長法を用いて補助電極（接合膜）４を形成する方法により、補助電極４とすべき接合膜を成膜する場合を代表に説明する。
まず、接合膜の成膜方法を説明するのに先立って、接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置５００について説明する。 Hereinafter, the auxiliary electrode (bonding film) 4 is formed by the metal-organic chemical vapor deposition method using II-C method, that is, an organic metal material having a metal atom and an organic substance containing a leaving group (organic component) 803 as a raw material. A case where a bonding film to be the auxiliary electrode 4 is formed by the method of forming the electrode will be described as a representative.
First, prior to describing the method of forming the bonding film, the film forming apparatus 500 used when forming the bonding film will be described.

図１０に示す成膜装置５００は、有機金属化学気相成長法（以下、「ＭＯＣＶＤ法」と省略することもある。）による補助電極４の形成をチャンバー５１１内で行えるように構成されている。
具体的には、成膜装置５００は、チャンバー（真空チャンバー）５１１と、このチャンバー５１１内に設置され、ＴＦＴ回路基板（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）５１２と、チャンバー５１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給する有機金属材料供給手段５６０と、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを供給するガス供給手段５７０と、チャンバー５１１内の排気をして圧力を制御する排気手段５３０と、基板ホルダー５１２を加熱する加熱手段（図示せず）とを有している。 A film forming apparatus 500 shown in FIG. 10 is configured so that the auxiliary electrode 4 can be formed in the chamber 511 by a metal organic chemical vapor deposition method (hereinafter sometimes abbreviated as “MOCVD method”). .
Specifically, the film forming apparatus 500 includes a chamber (vacuum chamber) 511 and a substrate holder (film forming object holding unit) 512 that is installed in the chamber 511 and holds a TFT circuit substrate (film forming object). An organic metal material supply means 560 for supplying a vaporized or atomized organic metal material into the chamber 511, a gas supply means 570 for supplying a gas for making the inside of the chamber 511 under a low reducing atmosphere, and a chamber Evacuation means 530 for evacuating the inside of 511 to control the pressure, and heating means (not shown) for heating the substrate holder 512 are provided.

基板ホルダー５１２は、本実施形態では、チャンバー５１１の底部に取り付けられている。この基板ホルダー５１２は、モータの作動により回動可能となっている。これにより、絶縁膜上に接合膜を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
また、基板ホルダー５１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができるシャッター５２１が配設されている。このシャッター５２１は、ＴＦＴ回路基板２０および形成された接合膜が不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。 The substrate holder 512 is attached to the bottom of the chamber 511 in this embodiment. The substrate holder 512 can be rotated by the operation of a motor. Accordingly, the bonding film can be formed on the insulating film with a uniform and uniform thickness.
Further, in the vicinity of the substrate holder 512, a shutter 521 that can cover them is provided. The shutter 521 is for preventing the TFT circuit substrate 20 and the formed bonding film from being exposed to an unnecessary atmosphere or the like.

有機金属材料供給手段５６０は、チャンバー５１１に接続されている。この有機金属材料供給手段５６０は、固形状の有機金属材料を貯留する貯留槽５６２と、気化または霧化した有機金属材料をチャンバー５１１内に送気するキャリアガスを貯留するガスボンベ５６５と、キャリアガスと気化または霧化した有機金属材料をチャンバー５１１内に導くガス供給ライン５６１と、ガス供給ライン５６１の途中に設けられたポンプ５６４およびバルブ５６３とで構成されている。かかる構成の有機金属材料供給手段５６０では、貯留槽５６２は、加熱手段を有しており、この加熱手段の作動により固形状の有機金属材料を加熱して気化し得るようになっている。そのため、バルブ５６３を開放した状態で、ポンプ５６４を作動させて、キャリアガスをガスボンベ５６５から貯留槽５６２に供給すると、このキャリアガスとともに気化または霧化した有機金属材料が、供給ライン５６１内を通過してチャンバー５１１内に供給されるようになっている。
なお、キャリアガスとしては、特に限定されず、例えば、窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガス等が好適に用いられる。 The organometallic material supply unit 560 is connected to the chamber 511. The organometallic material supply means 560 includes a storage tank 562 that stores a solid organometallic material, a gas cylinder 565 that stores a carrier gas that feeds the vaporized or atomized organometallic material into the chamber 511, and a carrier gas. And a gas supply line 561 for introducing the vaporized or atomized organometallic material into the chamber 511, and a pump 564 and a valve 563 provided in the middle of the gas supply line 561. In the organometallic material supply unit 560 having such a configuration, the storage tank 562 has a heating unit, and the operation of the heating unit can heat and vaporize the solid organometallic material. Therefore, when the pump 564 is operated with the valve 563 opened and the carrier gas is supplied from the gas cylinder 565 to the storage tank 562, the organometallic material vaporized or atomized together with the carrier gas passes through the supply line 561. Then, it is supplied into the chamber 511.
In addition, it does not specifically limit as carrier gas, For example, nitrogen gas, argon gas, helium gas, etc. are used suitably.

また、本実施形態では、ガス供給手段５７０がチャンバー５１１に接続されている。ガス供給手段５７０は、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを貯留するガスボンベ５７５と、前記低還元性雰囲気下とするためのガスをチャンバー５１１内に導くガス供給ライン５７１と、ガス供給ライン５７１の途中に設けられたポンプ５７４およびバルブ５７３とで構成されている。かかる構成のガス供給手段５７０では、バルブ５７３を開放した状態で、ポンプ５７４を作動させると、前記低還元性雰囲気下とするためのガスが、ガスボンベ５７５から、供給ライン５７１を介して、チャンバー５１１内に供給されるようになっている。ガス供給手段５７０をかかる構成とすることにより、チャンバー５１１内を有機金属材料に対して確実に低還元な雰囲気とすることができる。その結果、有機金属材料を原材料としてＭＯＣＶＤ法を用いて節後膜を成膜する際に、有機金属材料に含まれる有機成分の少なくとも一部を脱離基８０３として残存させた状態で接合膜が成膜される。
チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスとしては、特に限定されないが、例えば、窒素ガスおよびヘリウム、アルゴン、キセノンのような希ガス等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。 In this embodiment, the gas supply unit 570 is connected to the chamber 511. The gas supply means 570 includes a gas cylinder 575 for storing a gas for making the inside of the chamber 511 under a low reducing atmosphere, a gas supply line 571 for introducing the gas for making the low reducing atmosphere into the chamber 511, The pump 574 and the valve 573 are provided in the middle of the gas supply line 571. In the gas supply means 570 having such a configuration, when the pump 574 is operated with the valve 573 opened, the gas for setting the low reducing atmosphere is supplied from the gas cylinder 575 via the supply line 571 to the chamber 511. It is designed to be supplied inside. With such a configuration of the gas supply unit 570, the inside of the chamber 511 can be surely set in a low reduction atmosphere with respect to the organometallic material. As a result, when the post-node film is formed using the MOCVD method using the organometallic material as a raw material, the bonding film is formed in a state where at least a part of the organic component contained in the organometallic material remains as the leaving group 803. A film is formed.
The gas for making the inside of the chamber 511 under a low reducing atmosphere is not particularly limited, and examples thereof include nitrogen gas and rare gases such as helium, argon, and xenon. A combination of more than one species can be used.

なお、有機金属材料として、後述する２，４−ペンタジオネート−銅（II）や［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］等のように分子構造中に酸素原子を含有するものを用いる場合には、低還元性雰囲気下とするためのガスに、水素ガスを添加するのが好ましい。これにより、酸素原子に対する還元性を向上させることができ、接合膜に過度の酸素原子が残存することなく、補助電極４を成膜することができる。その結果、この補助電極４は、膜中における有機物の存在率が低いものとなり、優れた導電性を発揮することとなる。   In the case of using an organic metal material containing an oxygen atom in the molecular structure, such as 2,4-pentadionate-copper (II) or [Cu (hfac) (VTMS)] described later. In addition, it is preferable to add hydrogen gas to the gas for achieving a low reducing atmosphere. Thereby, the reducibility with respect to oxygen atoms can be improved, and the auxiliary electrode 4 can be formed without excessive oxygen atoms remaining in the bonding film. As a result, the auxiliary electrode 4 has a low abundance of organic substances in the film, and exhibits excellent conductivity.

また、キャリアガスとして前述した窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガスのうちの少なくとも１種を用いる場合には、このキャリアガスに低還元性雰囲気下とするためのガスとしての機能をも発揮させることができる。
また、排気手段５３０は、ポンプ５３２と、ポンプ５３２とチャンバー５１１とを連通する排気ライン５３１と、排気ライン５３１の途中に設けられたバルブ５３３とで構成されており、チャンバー５１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。 In addition, when at least one of the nitrogen gas, argon gas and helium gas described above is used as the carrier gas, the carrier gas can also exhibit a function as a gas for providing a low reducing atmosphere. it can.
The exhaust means 530 includes a pump 532, an exhaust line 531 that communicates the pump 532 and the chamber 511, and a valve 533 provided in the middle of the exhaust line 531. The pressure can be reduced.

以上のような構成の成膜装置５００を用いてＭＯＣＶＤ法により、以下のようにして絶縁膜上に接合膜が形成される。
まず、ＴＦＴ回路基板（以下、単に「ＴＦＴ回路基板」と言うこともある。）２０を成膜装置５００のチャンバー５１１内に搬入し、基板ホルダー５１２に装着（セット）する。 A bonding film is formed on the insulating film as described below by MOCVD using the film forming apparatus 500 having the above configuration.
First, a TFT circuit substrate (hereinafter sometimes simply referred to as a “TFT circuit substrate”) 20 is carried into the chamber 511 of the film forming apparatus 500 and mounted (set) on the substrate holder 512.

次に、排気手段５３０を動作させ、すなわちポンプ５３２を作動させた状態でバルブ５３３を開くことにより、チャンバー５１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、ガス供給手段５７０を動作させ、すなわちポンプ５７４を作動させた状態でバルブ５７３を開くことにより、チャンバー５１１内に、低還元性雰囲気下とするためのガスを供給して、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下とする。ガス供給手段５７０による前記ガスの流量は、特に限定されないが、０．１〜１０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜５ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。 Next, the exhaust means 530 is operated, that is, the valve 533 is opened while the pump 532 is operated, so that the inside of the chamber 511 is decompressed. The degree of vacuum (degree of vacuum) is not particularly limited, but is preferably about 1 × 10 −7 to 1 × 10 −4 Torr, preferably about 1 × 10 −6 to 1 × 10 −5 Torr. Is more preferable.
Further, by operating the gas supply means 570, that is, by opening the valve 573 while the pump 574 is operated, a gas for making a low reducing atmosphere is supplied into the chamber 511, and the inside of the chamber 511 is supplied. Under a low reducing atmosphere. The flow rate of the gas by the gas supply unit 570 is not particularly limited, but is preferably about 0.1 to 10 sccm, and more preferably about 0.5 to 5 sccm.

さらに、このとき、加熱手段を動作させ、基板ホルダー５１２を加熱する。基板ホルダー５１２の温度は、形成する接合膜の種類、すなわち、接合膜を形成する際に用いる原材料の種類によっても若干異なるが、８０〜３００℃程度で有るのが好ましく、１００〜２７５℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、後述する有機金属材料を用いて、優れた接着性を有する接合膜を成膜することができる。   Further, at this time, the heating means is operated to heat the substrate holder 512. The temperature of the substrate holder 512 varies slightly depending on the type of bonding film to be formed, that is, the type of raw material used when forming the bonding film, but is preferably about 80 to 300 ° C., and about 100 to 275 ° C. More preferably. By setting within this range, a bonding film having excellent adhesiveness can be formed using an organometallic material described later.

次に、シャッター５２１を開いた状態にする。
そして、固形状の有機金属材料を貯留された貯留槽５６２が備える加熱手段を動作させることにより、有機金属材料を気化させた状態で、ポンプ５６４を動作させるとともに、バルブ５６３を開くことにより、気化または霧化した有機金属材料をキャリアガスとともにチャンバー内に導入する。
このように、前記工程で基板ホルダー５１２が加熱された状態で、チャンバー５１１内に、気化または霧化した有機金属材料を供給すると、絶縁膜上で有機金属材料が加熱されることにより、有機金属材料中に含まれる有機物の一部が残存した状態で、絶縁膜の接合面上に接合膜を形成することができる。 Next, the shutter 521 is opened.
Then, by operating the heating means provided in the storage tank 562 in which the solid organic metal material is stored, the pump 564 is operated in a state where the organic metal material is vaporized, and the valve 563 is opened to vaporize. Alternatively, the atomized organometallic material is introduced into the chamber together with the carrier gas.
As described above, when the vaporized or atomized organometallic material is supplied into the chamber 511 in a state where the substrate holder 512 is heated in the above-described process, the organometallic material is heated on the insulating film. The bonding film can be formed on the bonding surface of the insulating film in a state where a part of the organic substance contained in the material remains.

すなわち、ＭＯＣＶＤ法によれば、有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存するように金属原子を含む膜を形成すれば、この有機物の一部が脱離基８０３としての機能を発揮する接合膜を絶縁膜上に形成することができる。
このようなＭＯＣＶＤ法に用いられる、有機金属材料としては、特に限定されないが、例えば、２，４−ペンタジオネート−銅（II）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ２）、銅フタロシアニン、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＭＨＹ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＭＨＹ）］のような金属錯体、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ジエチル亜鉛のようなアルキル金属や、その誘導体等が挙げられる。これらの中でも、有機金属材料としては、金属錯体であるのが好ましい。金属錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存した状態で、接合膜を確実に形成することができる。 That is, according to the MOCVD method, if a film containing metal atoms is formed so that a part of the organic substance contained in the organometallic material remains, a part of the organic substance exhibits a function as the leaving group 803. A film can be formed on the insulating film.
The organometallic material used in such MOCVD method is not particularly limited. For example, 2,4-pentadionate-copper (II), tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3 ), tris (4 - methyl-8-quinolinolato) aluminum (III) (Almq 3), (8- hydroxyquinoline) zinc (Znq 2), copper phthalocyanine, Cu (hexafluoroacetylacetonate) (vinyltrimethylsilane) [Cu (hfac) (VTMS )], Cu (hexafluoroacetylacetonate) (2-methyl-1-hexen-3-ene) [Cu (hfac) (MHY)], Cu (perfluoroacetylacetonate) (vinyltrimethylsilane) [Cu ( pfac) (VTMS)], Cu (perfluoroacetylacetonate) 2-methyl-1-hexene-3-ene) [Cu (pfac) (MHY)] metal complexes, such as, trimethyl gallium, trimethyl aluminum, alkali metal or such as diethyl zinc, derivatives thereof. Among these, the organometallic material is preferably a metal complex. By using the metal complex, the bonding film can be reliably formed in a state where a part of the organic matter contained in the metal complex remains.

また、本実施形態では、ガス供給手段５７０を動作させることにより、チャンバー５１１内を低還元性雰囲気下となっているが、このような雰囲気下とすることにより、絶縁膜上に純粋な金属膜が形成されることなく、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れたものを成膜することができる。
気化または霧化した有機金属材料の流量は、０．１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、均一な膜厚で、かつ、有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、接合膜を成膜することができる。 Further, in this embodiment, the gas supply means 570 is operated to make the inside of the chamber 511 under a low reducing atmosphere. By making such an atmosphere, a pure metal film is formed on the insulating film. Without being formed, a film can be formed in a state in which a part of the organic substance contained in the organometallic material remains. That is, a film excellent in both characteristics as a bonding film and a metal film can be formed.
The flow rate of the vaporized or atomized organometallic material is preferably about 0.1 to 100 ccm, and more preferably about 0.5 to 60 ccm. Accordingly, the bonding film can be formed with a uniform film thickness and with a part of the organic matter contained in the organometallic material remaining.

以上のように、接合膜を成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基８０３として用いる構成とすることにより、形成した金属膜等に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で接合膜を成膜することができる。
なお、有機金属材料を用いて形成された接合膜に残存する前記有機物の一部は、その全てが脱離基８０３として機能するものであってもよいし、その一部が脱離基８０３として機能するものであってもよい。
以上のようにして、絶縁膜上に接合膜を成膜することができる。 As described above, the structure in which the residue remaining in the film when the bonding film is formed is used as the leaving group 803 makes it unnecessary to introduce a leaving group into the formed metal film or the like. The bonding film can be formed by a simple process.
Note that part of the organic substance remaining in the bonding film formed using the organometallic material may function as the leaving group 803, or part of the organic substance may serve as the leaving group 803. It may function.
As described above, a bonding film can be formed over the insulating film.

なお、絶縁膜の接合面には、上記の方法により接合膜を形成するのに先立って、絶縁膜の構成材料に応じて、あらかじめ、絶縁膜と接合膜との密着性を高める表面処理を施すのが好ましい。
かかる表面処理としては、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。このような処理を施すことにより、絶縁膜の接合面を清浄化するとともに、該領域を活性化させることができる。これにより、絶縁膜と接合膜との接合を確実に行うことができる。
また、これらの各表面処理の中でもプラズマ処理を用いることにより、接合膜を形成するために、絶縁膜の表面を特に最適化することができる。 In addition, prior to forming the bonding film by the above-described method, a surface treatment is performed on the bonding surface of the insulating film in advance to improve the adhesion between the insulating film and the bonding film according to the constituent material of the insulating film. Is preferred.
Examples of the surface treatment include physical surface treatment such as sputtering treatment and blast treatment, plasma treatment using oxygen plasma, nitrogen plasma, etc., corona discharge treatment, etching treatment, electron beam irradiation treatment, ultraviolet irradiation treatment, ozone Examples include chemical surface treatment such as exposure treatment, or a combination of these. By performing such treatment, the bonding surface of the insulating film can be cleaned and the region can be activated. Thereby, the insulating film and the bonding film can be reliably bonded.
In addition, by using plasma treatment among these surface treatments, the surface of the insulating film can be particularly optimized in order to form a bonding film.

また、絶縁膜の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、接合膜の接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる絶縁膜の構成材料としては、例えば、各種金属酸化物系材料等を主材料とするものが挙げられる。
このような材料で構成された絶縁膜は、接合面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、比較的活性の高い水酸基が結合している。したがって、このような材料で構成された絶縁膜を用いると、上記のような表面処理を施さなくても、絶縁膜と接合膜とを強固に接合することができる。
なお、この場合、絶縁膜の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも接合面の表面付近が上記のような材料で構成されていればよい。
以上のようにして、絶縁膜の接合面に接合膜を設けることができる。 Further, depending on the constituent material of the insulating film, there is a material in which the bonding strength of the bonding film is sufficiently high without performing the surface treatment as described above. As a constituent material of the insulating film that can obtain such an effect, for example, a material mainly composed of various metal oxide materials or the like can be cited.
An insulating film made of such a material has a bonding surface covered with an oxide film, and a relatively active hydroxyl group is bonded to the surface of the oxide film. Therefore, when an insulating film made of such a material is used, the insulating film and the bonding film can be firmly bonded without performing the surface treatment as described above.
In this case, the entire insulating film may not be made of the material as described above, and at least the vicinity of the surface of the bonding surface may be made of the material as described above.
As described above, the bonding film can be provided on the bonding surface of the insulating film.

［３］次に、各陽極３上に、すなわち、各隔壁部３５の内側に、それぞれ、正孔輸送層５および発光層６をこの順で積層して有機半導体層７を形成する。
［３−Ａ］まず、各陽極３上に、それぞれ、正孔輸送層５を形成する。
この正孔輸送層５は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等を用いた気相プロセスや、スピンコート法（パイロゾル法）、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等を用いた液相プロセス等により形成することができるが、中でも、インクジェット法（液滴吐出法）を用いた液相プロセスにより形成するのが好ましい。インクジェット法を用いることにより、正孔輸送層５の薄膜化、画素サイズの微小化を図ることができる。また、正孔輸送層形成用の液状材料を、隔壁部３５の内側に選択的に供給することができるため、液状材料のムダを省くことができる。 [3] Next, the organic semiconductor layer 7 is formed by laminating the hole transport layer 5 and the light emitting layer 6 in this order on each anode 3, that is, inside each partition wall 35.
[3-A] First, the hole transport layer 5 is formed on each anode 3.
The hole transport layer 5 is formed by, for example, a vapor phase process using a sputtering method, a vacuum deposition method, a CVD method, a spin coating method (pyrosol method), a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating. Can be formed by a liquid phase process using a method, a roll coating method, a wire bar coating method, a dip coating method, a spray coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, an inkjet printing method, etc. Among these, it is preferable to form by a liquid phase process using an ink jet method (droplet discharge method). By using the inkjet method, the hole transport layer 5 can be made thinner and the pixel size can be reduced. Further, since the liquid material for forming the hole transport layer can be selectively supplied to the inside of the partition wall portion 35, waste of the liquid material can be omitted.

具体的には、正孔輸送層形成用の液状材料を、インクジェットプリント装置のヘッドから吐出し、各陽極３上に供給し、脱溶媒または脱分散媒した後、必要に応じて、１５０℃程度で短時間の加熱処理を施す。
この脱溶媒または脱分散媒は、減圧雰囲気に放置する方法、熱処理(例えば５０〜６０℃程度)による方法、窒素ガスのような不活性ガスのフローによる方法等が挙げられる。さらに、追加の熱処理（１５０℃程度で短時間）で行うことにより、残存溶媒を除去する。
用いる液状材料は、前述したような正孔輸送材料を溶媒または分散媒に溶解または分散することにより調製される。 Specifically, the liquid material for forming the hole transport layer is discharged from the head of the ink jet printing apparatus, supplied onto each anode 3, and after removing the solvent or dedispersing medium, about 150 ° C. if necessary. And heat treatment for a short time.
Examples of the desolvent or dedispersion medium include a method of leaving in a reduced pressure atmosphere, a method of heat treatment (for example, about 50 to 60 ° C.), a method of a flow of an inert gas such as nitrogen gas, and the like. Furthermore, the residual solvent is removed by performing additional heat treatment (about 150 ° C. for a short time).
The liquid material to be used is prepared by dissolving or dispersing the hole transport material as described above in a solvent or a dispersion medium.

また、液状材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の各種無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
なお、陽極３上に供給された液状材料は、流動性が高く（粘性が低く）、水平方向（面方向）に広がろうとするが、陽極３が隔壁部３５により囲まれているため、所定の領域以外に広がることが阻止され、正孔輸送層５（有機ＥＬ素子１）の輪郭形状が正確に規定される。 Examples of the solvent or dispersion medium used for preparing the liquid material include various inorganic solvents such as nitric acid, sulfuric acid, ammonia, hydrogen peroxide, water, carbon disulfide, carbon tetrachloride, ethylene carbonate, and methyl ethyl ketone (MEK). , Acetone solvents, diethyl ketone, methyl isobutyl ketone (MIBK), methyl isopropyl ketone (MIPK), ketone solvents such as cyclohexanone, alcohol solvents such as methanol, ethanol, isopropanol, ethylene glycol, diethylene glycol (DEG), glycerin, diethyl ether , Diisopropyl ether, 1,2-dimethoxyethane (DME), 1,4-dioxane, tetrahydrofuran (THF), tetrahydropyran (THP), anisole, diethylene glycol dimethyl ether (di) Rim), ether solvents such as diethylene glycol ethyl ether (carbitol), cellosolve solvents such as methyl cellosolve, ethyl cellosolve, phenyl cellosolve, aliphatic hydrocarbon solvents such as hexane, pentane, heptane, cyclohexane, toluene, xylene, Aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, aromatic heterocyclic solvents such as pyridine, pyrazine, furan, pyrrole, thiophene, methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide (DMF), N, N-dimethylacetamide (DMA Amide solvents such as dichloromethane, chloroform, 1,2-dichloroethane, ester solvents such as ethyl acetate, methyl acetate, ethyl formate, sulfur compound solvents such as dimethyl sulfoxide (DMSO), sulfolane, etc. , Acetonitrile, propionitrile, nitrile solvents, formic acid such as acrylonitrile, acetic acid, trichloroacetic acid, various organic solvents such as an organic acid solvents such as trifluoroacetic acid, or mixed solvents containing them.
Note that the liquid material supplied onto the anode 3 has high fluidity (low viscosity) and tends to spread in the horizontal direction (plane direction). Spreading outside the region is prevented, and the contour shape of the hole transport layer 5 (organic EL element 1) is accurately defined.

［３−Ｂ］次に、各正孔輸送層５上に、発光層６を形成する。
この発光層６も、気相プロセスや液相プロセスにより形成することができるが、前述したのと同様の理由から、インクジェット法（液滴吐出法）を用いた液相プロセスにより形成するのが好ましい。また、インクジェット法を用いることにより、複数色の発光層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂの塗り分けを容易に行うことができるという利点も得られる。 [3-B] Next, the light emitting layer 6 is formed on each hole transport layer 5.
The light emitting layer 6 can also be formed by a gas phase process or a liquid phase process, but for the same reason as described above, it is preferable to form the light emitting layer 6 by a liquid phase process using an ink jet method (droplet discharge method). . Further, by using the ink jet method, there is an advantage that the light emitting layers 6R, 6G, and 6B of a plurality of colors can be easily applied separately.

［４］次に、補助電極４の表面４５に対して、エネルギーを付与する。
ここで、補助電極４にエネルギーを付与すると、補助電極４では、脱離基８０３の結合手が切れて補助電極４の表面４５付近から脱離し、脱離基８０３が脱離した後には、活性手が補助電極４の表面４５付近に生じる。これにより、補助電極４の表面４５に、陰極８との接着性が発現する。
このような状態の補助電極４は、陰極８と、化学的な結合に基づいて接合し得るものであるため、これら同士が物理的な結合に基づいて結合している場合と比較して、強固に接合されたものとなる。そのため、これら同士の間で剥離が生じるのを確実に防止することができ、補助電極４と陰極８との間での電子の受け渡しをより円滑に行うことができる。 [4] Next, energy is applied to the surface 45 of the auxiliary electrode 4.
Here, when energy is applied to the auxiliary electrode 4, the auxiliary electrode 4 is activated after the bond of the leaving group 803 is cut and released from the vicinity of the surface 45 of the auxiliary electrode 4 and the leaving group 803 is released. A hand is generated near the surface 45 of the auxiliary electrode 4. Thereby, adhesiveness with the cathode 8 is expressed on the surface 45 of the auxiliary electrode 4.
Since the auxiliary electrode 4 in such a state can be bonded to the cathode 8 based on chemical bonding, the auxiliary electrode 4 is stronger than the case where they are bonded based on physical bonding. It becomes what was joined to. Therefore, it is possible to reliably prevent the separation between them, and to transfer electrons between the auxiliary electrode 4 and the cathode 8 more smoothly.

ここで、補助電極４に付与するエネルギーは、いかなる方法を用いて付与するものであってもよいが、例えば、補助電極４にエネルギー線を照射する方法、補助電極４を加熱する方法、補助電極４に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、補助電極４をプラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、補助電極４をオゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。中でも、本実施形態では、補助電極４にエネルギーを付与する方法として、特に、補助電極４にエネルギー線を照射する方法を用いるのが好ましい。かかる方法は、補助電極４に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。
このうち、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。 Here, the energy applied to the auxiliary electrode 4 may be applied using any method. For example, a method of irradiating the auxiliary electrode 4 with an energy beam, a method of heating the auxiliary electrode 4, and an auxiliary electrode 4, a method of applying compressive force (physical energy) to 4, a method of exposing the auxiliary electrode 4 to plasma (applying plasma energy), a method of exposing the auxiliary electrode 4 to ozone gas (applying chemical energy), and the like. . Especially, in this embodiment, it is preferable to use the method of irradiating the auxiliary electrode 4 with energy rays as a method of applying energy to the auxiliary electrode 4. Since this method can apply energy to the auxiliary electrode 4 relatively easily and efficiently, it is preferably used as a method for applying energy.
Among these, as energy rays, for example, light such as ultraviolet rays and laser beams, X-rays, γ rays, electron beams, particle beams such as ion beams, etc., or a combination of two or more of these energy rays Is mentioned.

これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１２６〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい。かかる範囲内の紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、補助電極４中の脱離基８０３を確実に脱離させることができる。これにより、補助電極４の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、補助電極４に接着性を確実に発現させることができる。   Among these energy rays, it is particularly preferable to use ultraviolet rays having a wavelength of about 126 to 300 nm. With ultraviolet rays within such a range, the amount of energy applied is optimized, so that the leaving group 803 in the auxiliary electrode 4 can be removed with certainty. As a result, it is possible to reliably cause the auxiliary electrode 4 to exhibit adhesiveness while preventing the characteristics (mechanical characteristics, chemical characteristics, etc.) of the auxiliary electrode 4 from deteriorating.

また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基８０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１２６〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、補助電極４の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ２〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ２〜５０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと補助電極４との離間距離は、３〜３０００ｍｍ程度とするのが好ましく、１０〜１０００ｍｍ程度とするのがより好ましい。 Further, since ultraviolet rays can be processed in a short time without unevenness, the leaving group 803 can be efficiently removed. Furthermore, ultraviolet rays also have the advantage that they can be generated with simple equipment such as UV lamps.
The wavelength of the ultraviolet light is more preferably about 126 to 200 nm.
In the case of using the UV lamp, the output may vary depending on the area of the auxiliary electrode 4 is preferably from 1mW / cm 2 ~1W / cm 2 or so, at 5mW / cm 2 ~50mW / cm 2 of about More preferably. In this case, the distance between the UV lamp and the auxiliary electrode 4 is preferably about 3 to 3000 mm, and more preferably about 10 to 1000 mm.

また、紫外線を照射する時間は、補助電極４の表面４５付近の脱離基８０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、補助電極４に必要以上に紫外線が照射されない程度の時間とするのが好ましい。これにより、補助電極４が変質・劣化するのを効果的に防止することができる。具体的には、紫外線の光量、補助電極４の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。 Further, the time for irradiating with ultraviolet rays is preferably set to such a time that the leaving group 803 in the vicinity of the surface 45 of the auxiliary electrode 4 can be eliminated, that is, the time that the auxiliary electrode 4 is not irradiated with ultraviolet rays more than necessary. . Thereby, it is possible to effectively prevent the auxiliary electrode 4 from being altered or deteriorated. Specifically, although it varies slightly depending on the amount of ultraviolet light, the constituent material of the auxiliary electrode 4, etc., it is preferably about 0.5 to 30 minutes, more preferably about 1 to 10 minutes.
Moreover, although an ultraviolet-ray may be irradiated continuously in time, you may irradiate intermittently (pulse form).

一方、レーザ光としては、例えば、エキシマレーザのようなパルス発振レーザ（パルスレーザ）、炭酸ガスレーザ、半導体レーザのような連続発振レーザ等が挙げられる。中でも、パルスレーザが好ましく用いられる。パルスレーザでは、補助電極４のレーザ光が照射された部分に経時的に熱が蓄積され難いので、蓄積された熱による補助電極４の変質・劣化を確実に防止することができる。すなわち、パルスレーザによれば、補助電極４の内部にまで蓄積された熱の影響がおよぶのを、防止することができる。   On the other hand, examples of the laser light include a pulsed laser (pulse laser) such as an excimer laser, a continuous wave laser such as a carbon dioxide laser, and a semiconductor laser. Among these, a pulse laser is preferably used. In the pulse laser, heat hardly accumulates in the portion of the auxiliary electrode 4 irradiated with the laser light with time, so that alteration and deterioration of the auxiliary electrode 4 due to the accumulated heat can be reliably prevented. That is, according to the pulse laser, it is possible to prevent the heat accumulated in the auxiliary electrode 4 from being affected.

また、パルスレーザのパルス幅は、熱の影響を考慮した場合、できるだけ短い方が好ましい。具体的には、パルス幅が１ｐｓ（ピコ秒）以下であるのが好ましく、５００ｆｓ（フェムト秒）以下であるのがより好ましい。パルス幅を前記範囲内にすれば、レーザ光照射に伴って補助電極４に生じる熱の影響を、的確に抑制することができる。なお、パルス幅が前記範囲内程度に小さいパルスレーザは、「フェムト秒レーザ」と呼ばれる。   The pulse width of the pulse laser is preferably as short as possible in consideration of the influence of heat. Specifically, the pulse width is preferably 1 ps (picosecond) or less, and more preferably 500 fs (femtosecond) or less. If the pulse width is within the above range, the influence of heat generated in the auxiliary electrode 4 due to laser light irradiation can be accurately suppressed. A pulse laser having a pulse width as small as the above range is called a “femtosecond laser”.

また、レーザ光の波長は、特に限定されないが、例えば、２００〜１２００ｎｍ程度であるのが好ましく、４００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、レーザ光のピーク出力は、パルスレーザの場合、パルス幅によって異なるが、０．１〜１０Ｗ程度であるのが好ましく、１〜５Ｗ程度であるのがより好ましい。
さらに、パルスレーザの繰り返し周波数は、０．１〜１００ｋＨｚ程度であるのが好ましく、１〜１０ｋＨｚ程度であるのがより好ましい。パルスレーザの周波数を前記範囲内に設定することにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、脱離基８０３を補助電極４の表面４５付近から確実に切断することができる。 The wavelength of the laser light is not particularly limited, but is preferably about 200 to 1200 nm, and more preferably about 400 to 1000 nm.
In the case of a pulse laser, the peak output of the laser light varies depending on the pulse width, but is preferably about 0.1 to 10 W, and more preferably about 1 to 5 W.
Furthermore, the repetition frequency of the pulse laser is preferably about 0.1 to 100 kHz, and more preferably about 1 to 10 kHz. By setting the frequency of the pulse laser within the above range, the temperature of the portion irradiated with the laser light is remarkably increased, and the leaving group 803 can be reliably cut from the vicinity of the surface 45 of the auxiliary electrode 4.

なお、このようなレーザ光の各種条件は、レーザ光を照射された部分の温度が、好ましくは常温（室温）〜６００℃程度、より好ましくは２００〜６００℃程度、さらに好ましくは３００〜４００℃程度になるように適宜調整されるのが好ましい。これにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、脱離基８０３を補助電極４から確実に切断することができる。   The various conditions of such laser light are such that the temperature of the portion irradiated with the laser light is preferably from room temperature (room temperature) to about 600 ° C., more preferably about 200 to 600 ° C., and even more preferably 300 to 400 ° C. It is preferable to adjust as appropriate. Thereby, the temperature of the portion irradiated with the laser light is remarkably increased, and the leaving group 803 can be reliably cut from the auxiliary electrode 4.

また、補助電極４に照射するレーザ光は、その焦点を、補助電極４の表面４５に合わせた状態で、この表面４５に沿って走査されるようにするのが好ましい。これにより、レーザ光の照射によって発生した熱が、表面４５付近に局所的に蓄積されることとなる。その結果、補助電極４の表面４５に存在する脱離基８０３を選択的に脱離させることができる。   In addition, it is preferable that the laser light applied to the auxiliary electrode 4 is scanned along the surface 45 in a state where the focal point is aligned with the surface 45 of the auxiliary electrode 4. Thereby, the heat generated by the laser light irradiation is locally accumulated in the vicinity of the surface 45. As a result, the leaving group 803 present on the surface 45 of the auxiliary electrode 4 can be selectively removed.

また、補助電極４に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、中でも、特に、大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。
このように、エネルギー線を照射する方法によれば、補助電極４の表面４５付近に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギーの付与によるＴＦＴ回路基板２０および補助電極４の変質・劣化、すなわち得られる表示装置１０の変質・劣化を防止することができる。 Further, the irradiation of the energy beam to the auxiliary electrode 4 may be performed in any atmosphere. Specifically, the atmosphere, an oxidizing gas atmosphere such as oxygen, a reducing gas atmosphere such as hydrogen, nitrogen, An inert gas atmosphere such as argon or a reduced pressure (vacuum) atmosphere in which these atmospheres are decompressed may be used, and it is particularly preferable to perform in an air atmosphere. Thereby, it is not necessary to spend time and cost to control the atmosphere, and irradiation of energy rays can be performed more easily.
As described above, according to the method of irradiating energy rays, it is easy to selectively apply energy to the vicinity of the surface 45 of the auxiliary electrode 4. The deterioration / deterioration of the electrode 4, that is, the deterioration / deterioration of the display device 10 obtained can be prevented.

また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、補助電極４から脱離する脱離基８０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基８０３の脱離量を調整することにより、補助電極４と陰極８との間の接合強度を容易に制御することができる。
すなわち、脱離基８０３の脱離量を多くすることにより、補助電極４の表面４５付近に、より多くの活性手が生じるため、補助電極４に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基８０３の脱離量を少なくすることにより、補助電極４の表面４５付近に生じる活性手を少なくし、補助電極４に発現する接着性を抑えることができる。
なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。 Moreover, according to the method of irradiating energy rays, the magnitude of energy to be applied can be easily adjusted with high accuracy. For this reason, it becomes possible to adjust the desorption amount of the leaving group 803 desorbing from the auxiliary electrode 4. By adjusting the amount of elimination of the leaving group 803 in this way, the bonding strength between the auxiliary electrode 4 and the cathode 8 can be easily controlled.
That is, by increasing the amount of elimination of the leaving group 803, more active hands are generated in the vicinity of the surface 45 of the auxiliary electrode 4, so that the adhesiveness expressed in the auxiliary electrode 4 can be further enhanced. On the other hand, by reducing the amount of elimination of the leaving group 803, the number of active hands generated near the surface 45 of the auxiliary electrode 4 can be reduced, and the adhesiveness developed on the auxiliary electrode 4 can be suppressed.
In addition, in order to adjust the magnitude | size of the energy to provide, what is necessary is just to adjust conditions, such as the kind of energy beam, the output of an energy beam, the irradiation time of an energy beam.
Furthermore, according to the method of irradiating energy rays, a large amount of energy can be applied in a short time, so that the energy can be applied more efficiently.

ここで、エネルギーが付与される前の補助電極４は、図４および図８に示すように、その表面４５付近に脱離基８０３を有している。かかる補助電極４にエネルギーを付与すると、脱離基８０３（図４では、水素原子、図８では、メチル基）が補助電極４から脱離する。これにより、図５および図９に示すように、補助電極４の表面４５に活性手８０４が生じ、活性化される。その結果、補助電極４の表面に接着性が発現する。   Here, as shown in FIGS. 4 and 8, the auxiliary electrode 4 before energy is applied has a leaving group 803 near the surface 45 thereof. When energy is applied to the auxiliary electrode 4, the leaving group 803 (a hydrogen atom in FIG. 4 and a methyl group in FIG. 8) is detached from the auxiliary electrode 4. As a result, as shown in FIGS. 5 and 9, active hands 804 are generated on the surface 45 of the auxiliary electrode 4 and activated. As a result, adhesiveness develops on the surface of the auxiliary electrode 4.

ここで、本明細書中において、補助電極４が「活性化された」状態とは、上述のように補助電極４の表面４５および内部の脱離基８０３が脱離して、補助電極４の構成原子において終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態の他、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、補助電極４が「活性化された」状態と言うこととする。
したがって、活性手８０４とは、図５および図９に示すように、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。このような活性手８０４が存在するようにすれば、補助電極４に対して、陰極８をより確実に接合することが可能となる。 Here, in this specification, the state in which the auxiliary electrode 4 is “activated” means that the surface 45 of the auxiliary electrode 4 and the internal leaving group 803 are detached as described above, and the configuration of the auxiliary electrode 4 In addition to the state in which an unterminated bond hand (hereinafter also referred to as “unbonded hand” or “dangling bond”) occurs in the atom, this unbonded hand is terminated by a hydroxyl group (OH group). Furthermore, the auxiliary electrode 4 is referred to as an “activated” state including a state in which these states are mixed.
Therefore, the active hand 804 refers to a dangling bond (dangling bond) or a dangling bond terminated with a hydroxyl group, as shown in FIGS. If such active hands 804 are present, the cathode 8 can be more reliably bonded to the auxiliary electrode 4.

なお、後者の状態（未結合手が水酸基によって終端化された状態）は、例えば、補助電極４に対して大気雰囲気中でエネルギー線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成されることとなる。
また、本実施形態では、補助電極４と陰極８とを接着する前に、予め、補助電極４に対してエネルギーを付与する場合について説明しているが、かかるエネルギーの付与は、補助電極４と陰極８とを接合する（補助電極４上に陰極８を重ね合わせる）際、または重ね合わせた後に行うようにしてもよい。 In the latter state (the state in which the dangling bond is terminated by a hydroxyl group), for example, by irradiating the auxiliary electrode 4 with energy rays in the air atmosphere, moisture in the air terminates the dangling bond. Therefore, it is easily generated.
Further, in the present embodiment, a case where energy is applied to the auxiliary electrode 4 in advance before bonding the auxiliary electrode 4 and the cathode 8 is described. It may be performed when the cathode 8 is joined (the cathode 8 is superposed on the auxiliary electrode 4) or after the superposition.

［５］ 次に、共通の陰極８が設けられた上基板９を用意し、前記工程［４］において接着性が発現した補助電極４が設けられたＴＦＴ回路基板２０と、陰極８と補助電極４とを対向するようにして重ね合わせる。
これにより、補助電極４に接着性が発現しているため、陰極８と補助電極４とが接合されて、表示装置１０が製造される。 [5] Next, an upper substrate 9 provided with a common cathode 8 is prepared, and the TFT circuit substrate 20 provided with the auxiliary electrode 4 exhibiting adhesiveness in the step [4], the cathode 8 and the auxiliary electrode. 4 are overlapped so as to face each other.
Thereby, since the adhesiveness is expressed in the auxiliary electrode 4, the cathode 8 and the auxiliary electrode 4 are joined, and the display apparatus 10 is manufactured.

ここで、本工程において、陰極８と補助電極４とが接合されるメカニズムについて説明する。
例えば、陰極８の補助電極４との接合に供される領域に、水酸基が露出していると、本工程において、陰極８と補助電極４とを接触させたとき、補助電極４の表面４５に存在する水酸基と、陰極８に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、陰極８と補助電極４とが接合されると推察される。
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、陰極８と補助電極４との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、陰極８と補助電極４とが接合されると推察される。 Here, the mechanism by which the cathode 8 and the auxiliary electrode 4 are joined in this step will be described.
For example, if a hydroxyl group is exposed in a region of the cathode 8 that is to be joined to the auxiliary electrode 4, when the cathode 8 and the auxiliary electrode 4 are brought into contact with each other in this step, the surface 45 of the auxiliary electrode 4 is exposed. The hydroxyl group present and the hydroxyl group present on the cathode 8 are attracted to each other by hydrogen bonding, and an attractive force is generated between the hydroxyl groups. It is assumed that the negative electrode 8 and the auxiliary electrode 4 are joined by this attractive force.
Further, the hydroxyl groups attracting each other by the hydrogen bond are cleaved from the surface with dehydration condensation depending on the temperature condition or the like. As a result, at the contact interface between the cathode 8 and the auxiliary electrode 4, the bonds in which the hydroxyl groups are bonded are bonded. Thereby, it is guessed that the cathode 8 and the auxiliary electrode 4 are joined.

かかるメカニズムによる陰極８と補助電極４との接合は、化学的な結合に基づいて接合するものであるため、これら同士が物理的な結合に基づいて結合している場合と比較して、強固に接合されたものとなる。そのため、これら同士の間で剥離が生じるのを確実に防止することができ、補助電極４と陰極８との間での電子の受け渡しをより円滑に行うことができる。したがって、製造された表示装置１０は、このものが備える各有機ＥＬ素子１間での発光ムラの発生が的確に防止され、優れた発光特性を有するものとなる。
なお、上基板９への陰極８の形成は、前述したような陰極８の構成材料を原料として用いた、真空蒸着法やスパッタ法のような気相成膜法等により行うことができる。 The joining of the cathode 8 and the auxiliary electrode 4 by this mechanism is based on a chemical bond, so that it is stronger than the case where they are bonded based on a physical bond. It will be joined. Therefore, it is possible to reliably prevent the separation between them, and to transfer electrons between the auxiliary electrode 4 and the cathode 8 more smoothly. Therefore, the manufactured display device 10 has an excellent light emission characteristic in which light emission unevenness is accurately prevented between the organic EL elements 1 included in the display device 10.
The formation of the cathode 8 on the upper substrate 9 can be performed by a vapor deposition method such as a vacuum deposition method or a sputtering method using the constituent material of the cathode 8 as described above as a raw material.

また、上基板９は、有機ＥＬ素子１を保護する保護基板としての機能を有する。このような上基板９を、陰極８上に設けることにより、有機ＥＬ素子１が酸素や水分に接触するのをより好適に防止または低減できることから、有機ＥＬ素子１の信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果をより確実に得ることができる。
なお、補助電極４と陰極８とを接合した後に、必要に応じ、以下の２つの工程（［６Ａ］および［６Ｂ］）のうちの少なくとも一方の工程（補助電極４と陰極８との接合をより確実にするための工程）を行うようにしてもよい。これにより、補助電極４と陰極８との接合がより確実なものなる。 Further, the upper substrate 9 has a function as a protective substrate for protecting the organic EL element 1. By providing such an upper substrate 9 on the cathode 8, it is possible to more suitably prevent or reduce the contact of the organic EL element 1 with oxygen or moisture. -Effects such as prevention of deterioration can be obtained more reliably.
In addition, after joining the auxiliary electrode 4 and the cathode 8, at least one of the following two steps ([6A] and [6B]) (joining of the auxiliary electrode 4 and the cathode 8 is performed if necessary). You may make it perform the process for making it more reliable. Thereby, joining of the auxiliary electrode 4 and the cathode 8 becomes more reliable.

［６Ａ］ 本工程では、得られたバンプ表示装置１０を、補助電極４と陰極８とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、陰極８の表面に、補助電極４の表面がより近接し、表示装置１０における補助電極４と陰極８との接合をより確実なものとすることができる。
また、表示装置１０を加圧することにより、補助電極４と陰極８との接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、補助電極４と陰極８との接合をより確実なものとすることができる。
このとき、表示装置１０を加圧する際の圧力は、表示装置１０が損傷を受けない程度の圧力で、できるだけ高い方が好ましい。これにより、この圧力に比例して表示装置１０における補助電極４と陰極８との接合がより確実なものとなる。 [6A] In this step, the obtained bump display device 10 is pressurized in a direction in which the auxiliary electrode 4 and the cathode 8 approach each other.
Thereby, the surface of the auxiliary electrode 4 is closer to the surface of the cathode 8, and the bonding between the auxiliary electrode 4 and the cathode 8 in the display device 10 can be made more reliable.
Further, by pressurizing the display device 10, the gap remaining at the bonding interface between the auxiliary electrode 4 and the cathode 8 can be crushed to further increase the bonding area. Thereby, joining of the auxiliary electrode 4 and the cathode 8 can be made more reliable.
At this time, the pressure at the time of pressurizing the display device 10 is a pressure that does not damage the display device 10 and is preferably as high as possible. As a result, the bonding between the auxiliary electrode 4 and the cathode 8 in the display device 10 becomes more reliable in proportion to the pressure.

なお、この圧力は、補助電極４および陰極８の各構成材料等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、補助電極４および陰極８の各構成材料等に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、補助電極４と陰極８との接合がより確実なものとなる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、補助電極４および陰極８の各構成材料によっては、補助電極４および陰極８等に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、バンプ搭載基板を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。 In addition, what is necessary is just to adjust this pressure suitably according to conditions, such as each constituent material of the auxiliary electrode 4 and the cathode 8. Specifically, although it is slightly different depending on the constituent materials of the auxiliary electrode 4 and the cathode 8, it is preferably about 0.2 to 10 MPa, more preferably about 1 to 5 MPa. Thereby, joining of the auxiliary electrode 4 and the cathode 8 becomes more reliable. The pressure may exceed the upper limit, but depending on the constituent materials of the auxiliary electrode 4 and the cathode 8, the auxiliary electrode 4 and the cathode 8 may be damaged.
The time for pressurization is not particularly limited, but is preferably about 10 seconds to 30 minutes. In addition, what is necessary is just to change suitably the time to pressurize according to the pressure at the time of pressurizing. Specifically, the higher the pressure at which the bump mounting substrate is pressed, the more the bonding strength can be improved even if the pressing time is shortened.

［６Ｂ］ 本工程では、得られた表示装置１０を加熱する。
これにより、表示装置１０における補助電極４と陰極８との接合をより確実なものとすることができる。
このとき、表示装置１０を加熱する際の温度は、室温より高く、表示装置１０の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、表示装置１０が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、表示装置１０における補助電極４と陰極８との接合がより確実なものとなる。 [6B] In this step, the obtained display device 10 is heated.
Thereby, the joining of the auxiliary electrode 4 and the cathode 8 in the display device 10 can be made more reliable.
At this time, the temperature at which the display device 10 is heated is not particularly limited as long as it is higher than room temperature and lower than the heat-resistant temperature of the display device 10, but is preferably about 25 to 100 ° C., more preferably 50 to 100. About ℃. Heating at a temperature in such a range ensures that the auxiliary electrode 4 and the cathode 8 in the display device 10 are more reliably joined while reliably preventing the display device 10 from being altered or deteriorated by heat.

また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、前記工程［６Ａ］、［６Ｂ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、表示装置１０を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、表示装置１０における補助電極４と陰極８との接合をさらに確実なものとすることができる。
以上のような工程を行うことにより、表示装置１０における補助電極４と陰極８との接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。 The heating time is not particularly limited, but is preferably about 1 to 30 minutes.
Moreover, when performing both said process [6A] and [6B], it is preferable to perform these simultaneously. That is, it is preferable to heat the display device 10 while applying pressure. Thereby, the effect by pressurization and the effect by heating are exhibited synergistically, and the joining of the auxiliary electrode 4 and the cathode 8 in the display device 10 can be further ensured.
By performing the steps as described above, it is possible to easily further improve the bonding strength between the auxiliary electrode 4 and the cathode 8 in the display device 10.

＜＜第２実施形態＞＞
次に、アクティブマトリクス型表示装置の第２実施形態について説明する。
図１１は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第２実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第２実施形態について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。 << Second Embodiment >>
Next, a second embodiment of the active matrix display device will be described.
FIG. 11 is a longitudinal sectional view showing a second embodiment of an active matrix display device to which the organic light emitting device of the present invention is applied. In the following description, the upper side in FIG. 11 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
Hereinafter, the second embodiment will be described with a focus on differences from the first embodiment, and description of similar matters will be omitted.

図１１に示す型表示装置１０は、補助電極４が隔壁部３５の形状に対応することなく、陰極８の形状に対応して、すなわち陰極８を覆うように形成されていること以外は、前記第１実施形態の表示装置１０と同様である。
かかる構成の表示装置１０では、隔壁部３５に対応する領域で補助電極４と陰極８とが化学的な結合に基づいて接合するばかりでなく、有機半導体層７に対応する領域でも補助電極４と陰極８とが化学的な結合に基づいて接合している。さらに、有機半導体層７に対応する領域において、補助電極４と発光層６（有機半導体層７）とが化学的な結合に基づいて結合している。
そのため、本実施形態では、補助電極４を介して、陰極８と発光層６とが化学的な結合に基づいて結合していることから、これら同士間における電子の受け渡しがより円滑に行われるようになり、発光層６への電子の注入効率を確実に向上させることができる。その結果、有機ＥＬ素子１は、優れた発光特性を有するものとなる。 The type display device 10 shown in FIG. 11 has the above-described configuration except that the auxiliary electrode 4 does not correspond to the shape of the partition wall 35 but corresponds to the shape of the cathode 8, that is, covers the cathode 8. This is the same as the display device 10 of the first embodiment.
In the display device 10 having such a configuration, not only the auxiliary electrode 4 and the cathode 8 are bonded based on chemical bonding in the region corresponding to the partition wall 35, but also in the region corresponding to the organic semiconductor layer 7. The cathode 8 is joined based on a chemical bond. Further, in a region corresponding to the organic semiconductor layer 7, the auxiliary electrode 4 and the light emitting layer 6 (organic semiconductor layer 7) are bonded based on chemical bonding.
For this reason, in the present embodiment, the cathode 8 and the light emitting layer 6 are bonded based on chemical bonding via the auxiliary electrode 4, so that electrons are transferred more smoothly between them. Thus, the efficiency of electron injection into the light emitting layer 6 can be improved with certainty. As a result, the organic EL element 1 has excellent light emission characteristics.

＜電子機器＞
このような表示装置（本発明の有機発光装置）１０は、各種の電子機器に組み込むことができる。
図１２は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。 <Electronic equipment>
Such a display device (organic light-emitting device of the present invention) 10 can be incorporated into various electronic devices.
FIG. 12 is a perspective view showing a configuration of a mobile (or notebook) personal computer to which the electronic apparatus of the present invention is applied.

この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述の表示装置１０で構成されている。 In this figure, a personal computer 1100 includes a main body 1104 provided with a keyboard 1102 and a display unit 1106 provided with a display. The display unit 1106 is rotatable with respect to the main body 1104 via a hinge structure. It is supported by.
In the personal computer 1100, the display unit included in the display unit 1106 is configured by the display device 10 described above.

図１３は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。 FIG. 13 is a perspective view showing a configuration of a mobile phone (including PHS) to which the electronic apparatus of the invention is applied.
In this figure, a cellular phone 1200 includes a plurality of operation buttons 1202, an earpiece 1204 and a mouthpiece 1206, and a display unit.
In the mobile phone 1200, the display unit is configured by the display device 10 described above.

図１４は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。 FIG. 14 is a perspective view showing the configuration of a digital still camera to which the electronic apparatus of the present invention is applied. In this figure, connection with an external device is also simply shown.
Here, an ordinary camera sensitizes a silver halide photographic film with a light image of a subject, whereas a digital still camera 1300 photoelectrically converts a light image of a subject with an imaging device such as a CCD (Charge Coupled Device). An imaging signal (image signal) is generated.

ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。 A display unit is provided on the back of a case (body) 1302 in the digital still camera 1300, and is configured to display based on an imaging signal from the CCD, and functions as a finder that displays an object as an electronic image.
In the digital still camera 1300, the display unit is configured by the display device 10 described above.

ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。 A circuit board 1308 is installed inside the case. The circuit board 1308 is provided with a memory that can store (store) an imaging signal.
A light receiving unit 1304 including an optical lens (imaging optical system), a CCD, and the like is provided on the front side of the case 1302 (on the back side in the illustrated configuration).
When the photographer confirms the subject image displayed on the display unit and presses the shutter button 1306, the CCD image pickup signal at that time is transferred and stored in the memory of the circuit board 1308.

また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。   In the digital still camera 1300, a video signal output terminal 1312 and an input / output terminal 1314 for data communication are provided on the side surface of the case 1302. As shown in the figure, a television monitor 1430 is connected to the video signal output terminal 1312 and a personal computer 1440 is connected to the input / output terminal 1314 for data communication as necessary. Further, the imaging signal stored in the memory of the circuit board 1308 is output to the television monitor 1430 or the personal computer 1440 by a predetermined operation.

なお、本発明の電子機器は、図１２のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図１３の携帯電話機、図１４のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。   The electronic apparatus of the present invention includes, for example, a television, a video camera, a viewfinder type, in addition to the personal computer (mobile personal computer) in FIG. 12, the mobile phone in FIG. 13, and the digital still camera in FIG. Monitor direct-view video tape recorder, laptop personal computer, car navigation system, pager, electronic notebook (including communication function), electronic dictionary, calculator, electronic game device, word processor, workstation, video phone, security TV Monitors, electronic binoculars, POS terminals, devices equipped with touch panels (for example, cash dispensers and automatic ticket vending machines for financial institutions), medical devices (for example, electronic thermometers, blood pressure monitors, blood glucose meters, electrocardiographs, ultrasound diagnostic devices Endoscopic display device), fish finder, various measurements Vessels, instruments (e.g., gages for vehicles, aircraft, and ships), a flight simulator, various monitors, and a projection display such as a projector.

以上、本発明の有機発光装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、有機発光装置および電子機器を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
例えば、本発明の有機発光装置は、前記実施形態で説明したような、各有機ＥＬ素子がそれぞれ異なる発光色（赤色、緑色および青色）を発光するフルカラー表示のものに限定されず、各有機ＥＬ素子が同一の発光色（例えば、白色）を発光する単色（モノカラー）表示のものであってもよい。 As mentioned above, although the organic light-emitting device and electronic device of this invention were demonstrated based on embodiment of illustration, this invention is not limited to this, Each part which comprises an organic light-emitting device and electronic device is the same. It can be replaced with any structure that can perform its function. Moreover, arbitrary components may be added.
For example, the organic light emitting device of the present invention is not limited to a full color display in which each organic EL element emits different emission colors (red, green, and blue) as described in the above embodiment. The element may have a monochromatic display that emits the same emission color (for example, white).

本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態を示す縦断面図である。1 is a longitudinal sectional view illustrating a first embodiment of an active matrix display device to which an organic light emitting device of the present invention is applied. 図１に示すアクティブマトリクス型表示装置の有機ＥＬ素子の配置を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing an arrangement of organic EL elements of the active matrix display device shown in FIG. 1. 有機ＥＬ素子の他の配置を示す平面図である。It is a top view which shows other arrangement | positioning of an organic EL element. 本発明の有機発光装置が備える、Ｉの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。It is the elements on larger scale which show the state before the energy provision of the joining film | membrane of the structure of I with which the organic light-emitting device of this invention is provided. 本発明の有機発光装置が備える、Ｉの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。It is the elements on larger scale which show the state after the energy provision of the joining film | membrane of the structure of I with which the organic light-emitting device of this invention is provided. Ｉの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。1 is a longitudinal sectional view schematically showing a film forming apparatus used when forming a bonding film having a configuration I. FIG. 図６に示す成膜装置が備えるイオン源の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the ion source with which the film-forming apparatus shown in FIG. 6 is provided. 本発明の有機発光装置が備える、IIの構成の接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。It is the elements on larger scale which show the state before the energy provision of the joining film | membrane of the structure of II with which the organic light-emitting device of this invention is provided. 本発明の有機発光装置が備える、IIの構成の接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。It is the elements on larger scale which show the state after the energy provision of the joining film | membrane of the structure of II with which the organic light-emitting device of this invention is provided. IIの構成の接合膜を成膜する際に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows typically the film-forming apparatus used when forming the joining film | membrane of the structure of II. 本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第２実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 2nd Embodiment of the active matrix type display apparatus to which the organic light-emitting device of this invention is applied. 本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a configuration of a mobile (or notebook) personal computer to which an electronic apparatus of the present invention is applied. 本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the mobile telephone (PHS is also included) to which the electronic device of this invention is applied. 本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the digital still camera to which the electronic device of this invention is applied. 従来のアクティブマトリクス型表示装置の一例を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows an example of the conventional active matrix type display apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１、１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ……有機ＥＬ素子 ３……陽極 ３１……第１隔壁部 ３２……第２隔壁部 ３５……隔壁部 ４……補助電極 ５……正孔輸送層 ６、６Ｒ、６Ｇ、６Ｂ……発光層 ７、７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ……有機半導体層（有機半導体層積層体） ８……陰極（第２の電極） ４５……表面 ９……上基板（保護基板） １０……表示装置 ２０……ＴＦＴ回路基板（基板） ２００、５００……成膜装置 ２１……基板 ２１１、５１１……チャンバー ２１２、５１２……基板ホルダー ２１５……イオン源 ２１６……ターゲット ２１７……ターゲットホルダー ２１９……ガス供給源 ２２……回路部 ２２０……第１のシャッター ２２１……第２のシャッター ２３……下地保護層 ２３０、５３０……排気手段 ２３１、５３１……排気ライン ２３２、２６２、５３２、５６４、５７４……ポンプ ２３３、２６３、５３３、５６３、５７３……バルブ ２４……駆動用ＴＦＴ ２４１……半導体層 ２４２……ゲート絶縁層 ２４３……ゲート電極 ２４４……ソース電極 ２４５……ドレイン電極 ２５……第１層間絶縁層 ２５０……開口 ２５３、２５４……グリッド ２５５……磁石 ２５６……イオン発生室 ２５７……フィラメント ２６……第２層間絶縁層 ２６０、５７０……ガス供給手段 ２６１、５６１、５７１……ガス供給ライン ２６４、５６５、５７５……ガスボンベ ２７……配線 ３１１……陽極接合部 ３１２……基板接合部 ３２１……側面 ３２２……上面 ５２１……シャッター ５６０……有機金属材料供給手段 ５６２……貯留槽 ８０３……脱離基 ８０４……活性手 ９００……有機発光装置 ９２０……陽極 ９３０……隔壁部 ９４０……発光層 ９５０……正孔輸送層 ９６０……有機半導体層 ９７０……陰極 ９８０……有機ＥＬ素子 １１００……パーソナルコンピュータ １１０２……キーボード １１０４……本体部 １１０６……表示ユニット １２００……携帯電話機 １２０２……操作ボタン １２０４……受話口 １２０６……送話口 １３００……ディジタルスチルカメラ １３０２……ケース（ボディー） １３０４……受光ユニット １３０６……シャッタボタン １３０８……回路基板 １３１２……ビデオ信号出力端子 １３１４……データ通信用の入出力端子 １４３０……テレビモニタ １４４０……パーソナルコンピュータ Ｂ……イオンビーム   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1R, 1G, 1B ... Organic EL element 3 ... Anode 31 ... 1st partition part 32 ... 2nd partition part 35 ... Partition part 4 ... Auxiliary electrode 5 ... Hole transport layer 6, 6R , 6G, 6B: Light emitting layer 7, 7R, 7G, 7B: Organic semiconductor layer (organic semiconductor layer stack) 8: Cathode (second electrode) 45 ... Surface 9: Upper substrate (protective substrate) DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Display apparatus 20 ... TFT circuit board (substrate) 200, 500 ... Film-forming apparatus 21 ... Substrate 211, 511 ... Chamber 212, 512 ... Substrate holder 215 ... Ion source 216 ... Target 217 ... ... Target holder 219 ... Gas supply source 22 ... Circuit unit 220 ... First shutter 221 ... Second shutter 23 ... Underlying protective layer 230, 530 ... Exhaust means 231, 531 ... Gas line 232, 262, 532, 564, 574 ... Pump 233, 263, 533, 563, 573 ... Valve 24 ... Driving TFT 241 ... Semiconductor layer 242 ... Gate insulating layer 243 ... Gate electrode 244 ... ... Source electrode 245 ... Drain electrode 25 ... First interlayer insulating layer 250 ... Opening 253, 254 ... Grid 255 ... Magnet 256 ... Ion generation chamber 257 ... Filament 26 ... Second interlayer insulating layer 260, 570... Gas supply means 261, 561, 571... Gas supply lines 264, 565, 575... Gas cylinder 27 .. Wiring 311. ... Shutter 560 ... Organometallic material supply means 562 ... Storage tank 803 ... Leaving group 804... Active hand 900... Organic light emitting device 920... Anode 930 .. partition wall portion 940... Luminescent layer 950. Element 1100... Personal computer 1102... Keyboard 1104... Main unit 1106. Case (body) 1304 …… Light receiving unit 1306 …… Shutter button 1308 …… Circuit board 1312 …… Video signal output terminal 1314 …… Input / output terminal for data communication 1430 …… TV monitor 1440 …… Personal computer B …… Ion beam

Claims (26)

板状をなす基板と、
前記基板の一方の面側に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられ、電圧の印加により発光する発光層を有する有機半導体層と、
前記基板の一方の面側に設けられ、前記有機半導体層を囲む隔壁部と、
前記有機半導体層を介して前記第１の電極と対向配置され、平面視で前記有機半導体層と前記隔壁部とを包含するように設けられた第２の電極と、
該第２の電極に接触して、前記第２の電極全体の電気抵抗を低減する機能を有する補助電極とを備え、
前記補助電極は、金属原子と、該金属原子に結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記補助電極は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記補助電極の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離して、前記補助電極の表面の前記領域に接着性が発現し、この発現した接着性によって、前記第２の電極と接合していることを特徴とする有機発光装置。 A plate-shaped substrate;
A first electrode provided on one surface side of the substrate;
An organic semiconductor layer provided on the first electrode and having a light emitting layer that emits light by application of a voltage;
A partition provided on one side of the substrate and surrounding the organic semiconductor layer;
A second electrode disposed opposite to the first electrode through the organic semiconductor layer and provided to include the organic semiconductor layer and the partition wall in plan view;
An auxiliary electrode having a function of reducing the electrical resistance of the entire second electrode in contact with the second electrode;
The auxiliary electrode includes a metal atom, an oxygen atom bonded to the metal atom, and a leaving group bonded to at least one of the metal atom and the oxygen atom,
In the auxiliary electrode, energy is applied to at least a part of the auxiliary electrode, whereby the leaving group existing in the vicinity of the surface of the auxiliary electrode is detached from at least one of the metal atom and the oxygen atom, thereby the auxiliary electrode. An organic light-emitting device characterized in that adhesiveness is developed in the region of the surface of the electrode and is bonded to the second electrode by the developed adhesiveness. 前記補助電極中の前記金属原子は、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、アンチモンおよびアルミニウムのうちの少なくとも１種である請求項１に記載の有機発光装置。   The organic light-emitting device according to claim 1, wherein the metal atom in the auxiliary electrode is at least one of indium, tin, zinc, titanium, antimony, and aluminum. 前記補助電極中の前記脱離基は、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種である請求項１または２に記載の有機発光装置。   The leaving group in the auxiliary electrode is at least one of a hydrogen atom, a carbon atom, a nitrogen atom, a phosphorus atom, a sulfur atom and a halogen atom, or an atomic group composed of each of these atoms. 3. The organic light emitting device according to 1 or 2. 前記補助電極は、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）またはインジウムオキサイド（ＩＯ）に、前記脱離基として水素原子が導入されたものである請求項１ないし３のいずれかに記載の有機発光装置。 The auxiliary electrode includes indium tin oxide (ITO), fluorine-containing indium tin oxide (FITO), antimony tin oxide (ATO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), tin oxide (SnO 2 ), and oxidation. The hydrogen atom is introduced as the leaving group into zinc (ZnO), fluorine-containing tin oxide (FTO), fluorine-containing indium oxide (FIO) or indium oxide (IO). The organic light-emitting device described in 1. 前記補助電極中の前記金属原子と前記酸素原子の存在比は、３：７〜７：３である請求項１ないし４のいずれかに記載の有機発光装置。   5. The organic light-emitting device according to claim 1, wherein an abundance ratio between the metal atom and the oxygen atom in the auxiliary electrode is 3: 7 to 7: 3. 前記補助電極中の前記脱離基は、前記補助電極の表面付近に偏在している請求項１ないし５のいずれかに記載の有機発光装置。   The organic light-emitting device according to claim 1, wherein the leaving group in the auxiliary electrode is unevenly distributed near the surface of the auxiliary electrode. 板状をなす基板と、
前記基板の一方の面側に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられ、電圧の印加により発光する発光層を有する有機半導体層と、
前記基板の一方の面側に設けられ、前記有機半導体層を囲む隔壁部と、
前記有機半導体層を介して前記第１の電極と対向配置され、平面視で前記有機半導体層と前記隔壁部とを包含するように設けられた第２の電極と、
該第２の電極に接触して、前記第２の電極全体の電気抵抗を低減する機能を有する補助電極とを備え、
前記補助電極は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記補助電極は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記補助電極の表面付近に存在する前記脱離基が前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離して、前記補助電極の表面の前記領域に接着性が発現し、この発現した接着性によって、前記第２の電極と接合していることを特徴とする有機発光装置。 A plate-shaped substrate;
A first electrode provided on one surface side of the substrate;
An organic semiconductor layer provided on the first electrode and having a light emitting layer that emits light by application of a voltage;
A partition provided on one side of the substrate and surrounding the organic semiconductor layer;
A second electrode disposed opposite to the first electrode through the organic semiconductor layer and provided to include the organic semiconductor layer and the partition wall in plan view;
An auxiliary electrode having a function of reducing the electrical resistance of the entire second electrode in contact with the second electrode;
The auxiliary electrode includes a metal atom and a leaving group composed of an organic component,
In the auxiliary electrode, energy is applied to at least a part of the auxiliary electrode, whereby the leaving group existing in the vicinity of the surface of the auxiliary electrode is detached from at least one of the metal atom and the oxygen atom, thereby the auxiliary electrode. An organic light-emitting device characterized in that adhesiveness is developed in the region of the surface of the electrode and is bonded to the second electrode by the developed adhesiveness. 前記補助電極は、有機金属材料を原材料として、有機金属化学気相成長法を用いて成膜されたものである請求項７に記載の有機発光装置。   The organic light-emitting device according to claim 7, wherein the auxiliary electrode is formed using an organic metal material as a raw material by a metal organic chemical vapor deposition method. 前記補助電極は、低還元性雰囲気下で成膜されたものである請求項８に記載の有機発光装置。   The organic light-emitting device according to claim 8, wherein the auxiliary electrode is formed in a low reducing atmosphere. 前記脱離基は、前記有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存したものである請求項８または９に記載の有機発光装置。   The organic light-emitting device according to claim 8, wherein the leaving group is a residue of a part of an organic substance contained in the organometallic material. 前記脱離基は、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団で構成される請求項８ないし１０のいずれかに記載の有機発光装置。   The said leaving group is a carbon atom as an essential component, and is comprised by the atomic group containing at least 1 sort (s) of a hydrogen atom, a nitrogen atom, a phosphorus atom, a sulfur atom, and a halogen atom. The organic light-emitting device described. 前記脱離基は、アルキル基である請求項１１に記載の有機発光装置。   The organic light-emitting device according to claim 11, wherein the leaving group is an alkyl group. 前記有機金属材料は、金属錯体である請求項８ないし１２のいずれかに記載の有機発光装置。   The organic light-emitting device according to claim 8, wherein the organometallic material is a metal complex. 前記金属原子は、コバルト、ニッケル、銅、ロジウム、銀、タンタル、タングステン、金およびアルミニウムのうちの少なくとも１種である請求項７ないし１３のいずれかに記載の有機発光装置。   The organic light-emitting device according to claim 7, wherein the metal atom is at least one of cobalt, nickel, copper, rhodium, silver, tantalum, tungsten, gold, and aluminum. 前記補助電極中の金属原子と炭素原子との存在比は、３：７〜７：３である請求項７ないし１４のいずれかに記載の有機発光装置。   The organic light-emitting device according to claim 7, wherein the abundance ratio of metal atoms to carbon atoms in the auxiliary electrode is 3: 7 to 7: 3. 前記エネルギーの付与は、前記補助電極にエネルギー線を照射する方法により行われる請求項１ないし１５のいずれかに記載の有機発光装置。   The organic light emitting device according to claim 1, wherein the application of energy is performed by a method of irradiating the auxiliary electrode with energy rays. 前記第１の電極は、陽極であり、前記第２の電極は、陰極である請求項１ないし１６のいずれかに記載の有機発光装置。   The organic light-emitting device according to claim 1, wherein the first electrode is an anode, and the second electrode is a cathode. 前記補助電極は、前記隔壁部と前記第２の電極との間に設けられている請求項１ないし１７のいずれかに記載の有機発光装置。   The organic light-emitting device according to claim 1, wherein the auxiliary electrode is provided between the partition wall and the second electrode. 前記第１の電極は、複数設けられており、
前記第２の電極は、平面視で前記複数の第１の電極と隔壁部とを包含するように一体的に設けられている請求項１ないし１８のいずれかに記載の有機発光装置。 A plurality of the first electrodes are provided,
The organic light-emitting device according to any one of claims 1 to 18, wherein the second electrode is integrally provided so as to include the plurality of first electrodes and partition walls in a plan view. 前記補助電極は、前記第２の電極よりも電気抵抗が低い請求項１ないし１９のいずれかに記載の有機発光装置。   The organic light-emitting device according to claim 1, wherein the auxiliary electrode has an electric resistance lower than that of the second electrode. 前記第２の電極は、その平均厚さが１００〜３０００ｎｍのものである請求項１ないし２０のいずれかに記載の有機発光装置。   The organic light-emitting device according to any one of claims 1 to 20, wherein the second electrode has an average thickness of 100 to 3000 nm. 前記補助電極は、その平均厚さが１０〜２０００ｎｍのものである請求項２１に記載の有機発光装置。   The organic light-emitting device according to claim 21, wherein the auxiliary electrode has an average thickness of 10 to 2000 nm. 前記隔壁部は、平面視での形状が格子状をなすものである請求項２０ないし２２のいずれかに記載の有機発光装置。   The organic light-emitting device according to claim 20, wherein the partition wall has a lattice shape in plan view. 前記隔壁部は、シリコン酸化物を主材料として構成されている請求項１ないし２３のいずれかに記載の有機発光装置。   The organic light emitting device according to any one of claims 1 to 23, wherein the partition wall portion is composed of silicon oxide as a main material. 当該有機発光装置は、前記第２の電極側から光を取り出すトップエミッション構造の装置である請求項１ないし２４のいずれかに記載の有機発光装置。   The organic light-emitting device according to any one of claims 1 to 24, wherein the organic light-emitting device is a top emission structure device that extracts light from the second electrode side. 請求項１ないし２５のいずれかに記載の有機発光装置を備えることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the organic light-emitting device according to claim 1.
JP2008158565A 2008-06-17 2008-06-17 Organic light-emitting device and electronic equipment Withdrawn JP2009302025A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008158565A JP2009302025A (en) 2008-06-17 2008-06-17 Organic light-emitting device and electronic equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008158565A JP2009302025A (en) 2008-06-17 2008-06-17 Organic light-emitting device and electronic equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009302025A true JP2009302025A (en) 2009-12-24

Family

ID=41548698

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008158565A Withdrawn JP2009302025A (en) 2008-06-17 2008-06-17 Organic light-emitting device and electronic equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009302025A (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150002119A (en) * 2013-06-28 2015-01-07 엘지디스플레이 주식회사 Organic electro luminescent device and method of fabricating the same
KR20150016777A (en) * 2013-08-05 2015-02-13 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display
KR101548304B1 (en) 2013-04-23 2015-08-28 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display Device and Method for Manufacturing The Same
JP2016085913A (en) * 2014-10-28 2016-05-19 株式会社ジャパンディスプレイ Display device
CN104393191B (en) * 2014-12-04 2017-01-25 京东方科技集团股份有限公司 Organic electroluminescence device, display device and preparation method of organic electroluminescence device
KR20170015700A (en) * 2015-07-30 2017-02-09 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof
US9786867B2 (en) 2015-03-02 2017-10-10 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing an organic light emitting display including a magnetic particle on a first electrode
WO2023280110A1 (en) * 2021-07-09 2023-01-12 京东方科技集团股份有限公司 Display substrate and preparation method therefor

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002158090A (en) * 2000-09-08 2002-05-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device, its production method and thin film forming device
JP2004349138A (en) * 2003-05-23 2004-12-09 Toyota Industries Corp Organic electroluminescent element and its manufacturing method
JP2007149578A (en) * 2005-11-30 2007-06-14 Alps Electric Co Ltd Method of manufacturing light emitting device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002158090A (en) * 2000-09-08 2002-05-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device, its production method and thin film forming device
JP2004349138A (en) * 2003-05-23 2004-12-09 Toyota Industries Corp Organic electroluminescent element and its manufacturing method
JP2007149578A (en) * 2005-11-30 2007-06-14 Alps Electric Co Ltd Method of manufacturing light emitting device

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101548304B1 (en) 2013-04-23 2015-08-28 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display Device and Method for Manufacturing The Same
KR20150002119A (en) * 2013-06-28 2015-01-07 엘지디스플레이 주식회사 Organic electro luminescent device and method of fabricating the same
KR102044137B1 (en) * 2013-06-28 2019-11-13 엘지디스플레이 주식회사 Organic electro luminescent device and method of fabricating the same
KR20150016777A (en) * 2013-08-05 2015-02-13 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display
KR102092924B1 (en) * 2013-08-05 2020-03-25 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display
JP2016085913A (en) * 2014-10-28 2016-05-19 株式会社ジャパンディスプレイ Display device
CN104393191B (en) * 2014-12-04 2017-01-25 京东方科技集团股份有限公司 Organic electroluminescence device, display device and preparation method of organic electroluminescence device
US9786867B2 (en) 2015-03-02 2017-10-10 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing an organic light emitting display including a magnetic particle on a first electrode
KR20170015700A (en) * 2015-07-30 2017-02-09 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof
KR102326301B1 (en) * 2015-07-30 2021-11-15 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof
WO2023280110A1 (en) * 2021-07-09 2023-01-12 京东方科技集团股份有限公司 Display substrate and preparation method therefor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7190335B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
KR101011346B1 (en) Light emitting apparatus and method of fabricating the same
JP2009302025A (en) Organic light-emitting device and electronic equipment
US20100147220A1 (en) Evaporation container and vapor deposition apparatus
JP2007123052A (en) Manufacturing method of light-emitting element, light-emitting element, and light emitting device and electronic equipment
JP4651916B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
JP5677432B2 (en) ORGANIC EL ELEMENT, DISPLAY DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE
TW201220921A (en) Light emitting device, electronic equipment and apparatus for manufacturing the same
JP2008270182A (en) Formation method of light-emitting device
TW201132225A (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20040014370A (en) Electroluminescence element and a light emitting device using the same
JP2011107476A (en) Method for manufacturing electronic device
JP5572920B2 (en) SUBSTRATE FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, AND METHOD FOR PRODUCING THEM
JP4545385B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
WO2012017490A1 (en) Organic el element, display device, and light-emitting device
US8946693B2 (en) Organic EL element, display device, and light-emitting device
JP4439894B2 (en) Vapor deposition crucible and vapor deposition apparatus
US9287520B2 (en) Organic EL element, organic EL panel having organic EL element, organic EL light-emitting apparatus, and organic EL display apparatus
JP2009199957A (en) Organic light-emitting device and electronic equipment
JP2009295447A (en) Organic light-emitting device and electronic apparatus
JP4578872B2 (en) Container and vapor deposition equipment
JP4946971B2 (en) Organic light emitting device and electronic device
JP2008165988A (en) Manufacturing method of light emitting device, light emitting device, and electronic device
JP2008211069A (en) Electronic device and substrate for the same, and electronic apparatus
US8703530B2 (en) Method for producing organic EL element, display device, light-emitting apparatus, and ultraviolet irradiation device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110603

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120321

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20120417