JP2009282256A - 青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造及びその作製方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体や、光学ヘッド、液晶ディスプレイ、陰極線管、青板ガラス、タッチセンサ、モニターフィルタ及びプラスチックスクリーン板被覆層等に好適に適用することができる青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を提供する。
【解決手段】基板Sと被覆層モジュールMとを備え、前記被覆層モジュールMは、前記基板Sの表面に形成され、複数層の炭素・ケイ素化合物と、チタン酸化物を含有する混合物被覆層、複数層のアルミニウム系酸化物被覆層と、複数層の金属被覆層とを互いに積層させて構成する。
【選択図】図1
【解決手段】基板Sと被覆層モジュールMとを備え、前記被覆層モジュールMは、前記基板Sの表面に形成され、複数層の炭素・ケイ素化合物と、チタン酸化物を含有する混合物被覆層、複数層のアルミニウム系酸化物被覆層と、複数層の金属被覆層とを互いに積層させて構成する。
【選択図】図1
Description
本発明は、被覆層構造及びその作製方法に関し、特に、青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造及びその作製方法に関する。
従来の反射防止光学被覆層の多層構造は、いずれも、光学被覆層の表層の物質が低屈折率を有するという通則を利用しており、例えば、SiO2は屈折率が1.46、また、MgF2は屈折率が1.38である。
しかしながら、該反射防止被覆層を、ディスプレイ工業、例えば、静電気防止効果のあるコンピュータモニタ、液晶ディスプレイまたはプラズマディスプレイに用いられる低反射ガラスに適用する場合、大量生産の工程では、前記光学被覆層構造の導電層が、絶縁層(例えば、SiO2またはMgF2)で焼結するという課題を有していた。
しかしながら、該反射防止被覆層を、ディスプレイ工業、例えば、静電気防止効果のあるコンピュータモニタ、液晶ディスプレイまたはプラズマディスプレイに用いられる低反射ガラスに適用する場合、大量生産の工程では、前記光学被覆層構造の導電層が、絶縁層(例えば、SiO2またはMgF2)で焼結するという課題を有していた。
反射防止被覆層の基本的な設計ルールは、基板表面に形成される第1層が高屈折率(Hと表記する)の物質からなり、その上に、低屈折率(Lと表記する)の物質からなる第2層を形成するというものである。
したがって、従来の反射防止被覆層の多層構造の設計ルールは、HLHLまたはHLHLHLであり、例えば、高屈折率(H)の物質をITO、低屈折率(L)の物質をSiO2とすると、前記4層構造の場合は、ガラス/ITO/SiO2/ITO/SiO2となる。
前記ITOは、透明な導電物質であるため、該多層構造の被覆層は100Ω/m2未満であり、該導電被覆層が接地される際に、電磁干渉(EMI)遮蔽または静電気放電に用いることができる。
したがって、従来の反射防止被覆層の多層構造の設計ルールは、HLHLまたはHLHLHLであり、例えば、高屈折率(H)の物質をITO、低屈折率(L)の物質をSiO2とすると、前記4層構造の場合は、ガラス/ITO/SiO2/ITO/SiO2となる。
前記ITOは、透明な導電物質であるため、該多層構造の被覆層は100Ω/m2未満であり、該導電被覆層が接地される際に、電磁干渉(EMI)遮蔽または静電気放電に用いることができる。
しかしながら、上記のような従来の光学多層構造は、表面物質がSiO2であり、かつ、その厚さが1000Åであり、該SiO2は、高密度で、不活性で、電気絶縁性に優れていることから、反射防止被覆層をディスプレイ工業に適用する過程において、外層のSiO2層を、隔てられている焼結ITO層に電気的に接続することは困難である。
このため、金属を前記ITO層に接続する接地工程においては、超音波溶接プロセスにより、該SiO2層を破って、ハンダボールと前記ITO層との良好な接触を確保する必要がある。
しかしながら、このプロセスは、反射防止被覆層の大量生産には適しているとは言えない。
しかも、前記超音波溶接プロセスでは、液体錫及び超音波の出力エネルギーにより、微細の汚染物が生じ、また、該超音波溶接プロセスでは、前記該絶縁層を均一な深さで破り、均一な接触抵抗を得られるとは限らないため、バスライン毎に非永続型の接触抵抗を発生する場合がある。
しかも、前記超音波溶接プロセスでは、液体錫及び超音波の出力エネルギーにより、微細の汚染物が生じ、また、該超音波溶接プロセスでは、前記該絶縁層を均一な深さで破り、均一な接触抵抗を得られるとは限らないため、バスライン毎に非永続型の接触抵抗を発生する場合がある。
このような問題点は、従来の電磁干渉防止及び反射防止被覆層を用いるプロセスでの歩留まり及び信頼性を低下させる。
図6Aに、従来の加工されていないガラスを光が透過する時の透過率と光波長の特性曲線図を示す。図6Aから、加工されていない(ガラス上に被覆層が形成されていない場合)ガラスを光線が透過する時、異なる光波長で、いずれも約92%と同じ光透過率であることが分かる。
また、図6Bに、従来の加工済みのガラスを光が透過する時の透過率と光波長の特性曲線図を示す。図6Bから、加工済み(ガラス上に予め設定された電磁干渉(EMI)防止被覆層が形成されている場合)のガラスを光が透過する時、異なる光波長では、光透過率が異なることが分かる。特に、青色光の近辺(最も左側の領域)と赤色光の近辺(最も右側の領域)の光波長は、その透過率が、10%程度まで低下することが明らかである。
本発明は、上記技術的課題を解決するためになされたものであり、半導体や、光学ヘッド、液晶ディスプレイ、陰極線管、青板ガラス、タッチセンサ、モニターフィルタ及びプラスチックスクリーン板被覆層等に好適に適用することができる青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を提供することを主な目的とする。
また、本発明の他の目的は、表層の物質が透過可能な表面導電層であり、該表面導電層の光反射率が0.5%未満であり、低抵抗光減衰反射防止被覆層の抵抗が0.5〜0.7Ω/m2であり、その透過率が55〜70%である青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、高導電性であり、プラズマディスプレイの製造に適用される際に、電磁干渉遮蔽、光学的視野角低反射、高表面硬度耐摩耗性、適度な光減衰効果等の利点が得られる青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を提供することにある。例えば、前記被覆層構造の表面抵抗が、0.5〜0.7Ω/m2であり、かつ、十分な硬度を有し、米軍標準規格MIL−C−48497の耐磨耗テストを満たすものである。
さらに、本発明の他の目的は、被覆層モジュールを作製した後、まず、前記被覆層モジュールの上面に、サイズが前記被覆層モジュールより小さい遮断板を設置し、前記被覆層モジュールの上面の周縁を露出させ、その後、導電層を前記被覆層モジュールの上面の周縁に塗布して、接地に供することにより、良好な電気接続が得られ、また、前記導電層が銀ペーストである青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を提供することにある。
さらにまた、本発明の他の目的は、複数層のアルミニウム系酸化物被覆層を使用することにより、色が青色に近い透過光が生成される青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するため、基板と、前記基板の表面に形成され、複数層の炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層と、複数層のアルミニウム系酸化物被覆層と、複数層の金属被覆層とが互いに積層されてなる被覆層モジュールとを備えていることを特徴とする青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を提供する。
また、本発明は、基板を用意する工程と、前記基板の表面に、複数層の炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層と、複数層のアルミニウム系酸化物被覆層と、複数層の金属被覆層とを互いに積層してなる被覆層モジュールを形成する工程とを備えていることを特徴とする青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造の作製方法を提供する。
本発明に係る青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造は、表層が良好な導電特性を有しているため、接地工程のための作業負荷を低減させることができ、大量生産の収率や信頼度の向上を図ることができる。このため、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイのガラス基板またはプラスチック基板上に好適に適用することができる。
以下、添付図面を参照して、上記目的を達成するための本発明の技術、手段及び効果を、より詳細に説明するが、本発明は、添付図面及び実施例によって、制限されるものではない。
図1は、本発明に係る低抵抗光減衰反射防止被覆層構造であり、基板Sと被覆層モジュールMを備えている。
前記基板Sは、プラスチックフィルムまたはガラスであることが好ましい。また、被覆層モジュールMは、プラズマディスプレイや液晶ディスプレイの基本被覆層とすることができる。
前記基板Sは、プラスチックフィルムまたはガラスであることが好ましい。また、被覆層モジュールMは、プラズマディスプレイや液晶ディスプレイの基本被覆層とすることができる。
前記被覆層モジュールMは、前記基板Sの表面に形成された第1被覆層1と、該第1被覆層1上に形成された第1シェーディング被覆層C1と、該第1シェーディング被覆層C1上に形成された第2被覆層2と、該第2被覆層2上に形成された第2シェーディング被覆層C2と、該第2シェーディング被覆層C2上に形成された第3被覆層3と、該第3被覆層3上に形成された第3シェーディング被覆層C3と、該第3シェーディング被覆層C3上に形成された第4被覆層4と、該第4被覆層4上に形成された第4シェーディング被覆層C4と、該第4シェーディング被覆層C4上に形成された第5被覆層5と、該第5被覆層5上に形成された第5シェーディング被覆層C5と、該第5シェーディング被覆層C5上に形成された第6被覆層6と、該第6被覆層6上に形成された第6シェーディング被覆層C6と、該第6シェーディング被覆層C6上に形成された第7被覆層7と、該第7被覆層7上に形成された第7シェーディング被覆層C7と、該第7シェーディング被覆層C7上に形成された第8被覆層8と、該第8被覆層8上に形成された第8シェーディング被覆層C8と、該第8シェーディング被覆層C8上に形成された第9被覆層9とを備えている。
前記第1被覆層1、前記第3被覆層3、前記第5被覆層5、前記第7被覆層7及び前記第9被覆層9は、いずれも、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層である。前記第1シェーディング被覆層C1、前記第2シェーディング被覆層C2、前記第3シェーディング被覆層C3、前記第4シェーディング被覆層C4、前記第5シェーディング被覆層C5、前記第6シェーディング被覆層C6、前記第7シェーディング被覆層C7及び前記第8シェーディング被覆層C8は、いずれも、アルミニウム系酸化物被覆層である。前記第2被覆層2、前記第4被覆層4、前記第6被覆層6及び前記第8被覆層8は、いずれも、金属被覆層である。
上記のように、前記被覆層モジュールMは、前記基板Sの表面に形成され、複数層の炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層と、複数層のアルミニウム系酸化物被覆層と、複数層の金属被覆層とを互いに積層することにより構成される。
また、前記炭素・ケイ素化合物は炭化ケイ素(SiC)、前記チタン酸化物は二酸化チタン(TiO2)、前記アルミニウム系酸化物被覆層はアルミナ(Al2O3)、前記金属被覆層は銀(Ag)からなる。
また、前記炭素・ケイ素化合物は炭化ケイ素(SiC)、前記チタン酸化物は二酸化チタン(TiO2)、前記アルミニウム系酸化物被覆層はアルミナ(Al2O3)、前記金属被覆層は銀(Ag)からなる。
また、前記第1被覆層、前記第3被覆層、前記第5被覆層、前記第7被覆層及び該第9被覆層の屈折率は、いずれも、2.6であり、前記第2被覆層、前記第4被覆層、前記第6被覆層及び前記第8被覆層の屈折率は、いずれも、0.1〜0.5の範囲内である。
また、前記第1被覆層の厚さは30nm、前記第2被覆層の厚さは10〜18nm、前記第3被覆層の厚さは66nm、前記第4被覆層の厚さは15nm、前記第5被覆層の厚さは60nm、前記第6被覆層の厚さは15nm、前記第7被覆層の厚さは70nm、前記第8被覆層の厚さは15nm、前記第9被覆層の厚さは40nmである。
また、前記第1シェーディング被覆層C1、前記第2シェーディング被覆層C2、前記第3シェーディング被覆層C3、前記第4シェーディング被覆層C4、前記第5シェーディング被覆層C5、前記第6シェーディング被覆層C6、前記第7シェーディング被覆層C7及び前記第8シェーディング被覆層C8の厚さは、いずれも、3〜6nmである。
また、前記第1シェーディング被覆層C1、前記第2シェーディング被覆層C2、前記第3シェーディング被覆層C3、前記第4シェーディング被覆層C4、前記第5シェーディング被覆層C5、前記第6シェーディング被覆層C6、前記第7シェーディング被覆層C7及び前記第8シェーディング被覆層C8の厚さは、いずれも、3〜6nmである。
また、前記第1被覆層1、前記第3被覆層3、前記第5被覆層5、前記第7被覆層7及び前記第9被覆層9の炭素・ケイ素化合物被覆層は、いずれも、直流または交流マグネトロンスパッタリング法により形成される。また、前記第2被覆層2、前記第4被覆層4、前記第6被覆層6及び前記第8被覆層8の金属被覆層塗布層も、いずれも、直流または交流マグネトロンスパッタリング法により形成される。また、前記第1被覆層1〜前記第9被覆層9は、インライン方式またはロール・ツー・ロール方式による真空蒸着またはスパッタリングで形成される。
図2は、本発明に係る低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を示す上面図である。図2に示す被覆層モジュールMは、上面の周縁に塗布された接地するための導電層Cを備えている。
このように、接地するための導電層Cは、前記被覆層モジュールMの第9被覆層9の上面の周面に塗布される。
具体的には、被覆層モジュールMを作製した後、まず、遮断板Bを、前記被覆層モジュールMの上面に設置する。この遮断板Bは、前記被覆層モジュールMよりもサイズが小さいため、前記被覆層モジュールMの上面の周縁が露出する。その後、導電層Cを被覆層モジュールMの上面の周縁に塗布して、接地させることにより、良好な電気接続が得られる。最後に、遮断板Bを除去する。ここで、前記導電層Cには、銀ペーストを用いる。
このように、接地するための導電層Cは、前記被覆層モジュールMの第9被覆層9の上面の周面に塗布される。
具体的には、被覆層モジュールMを作製した後、まず、遮断板Bを、前記被覆層モジュールMの上面に設置する。この遮断板Bは、前記被覆層モジュールMよりもサイズが小さいため、前記被覆層モジュールMの上面の周縁が露出する。その後、導電層Cを被覆層モジュールMの上面の周縁に塗布して、接地させることにより、良好な電気接続が得られる。最後に、遮断板Bを除去する。ここで、前記導電層Cには、銀ペーストを用いる。
図3A及び図3Bは、本発明に係る低抵抗光減衰反射防止被覆層構造の作製方法のフローチャートであり、以下の工程を備えている。なお、図3Aに示す工程と、図3Bに示す工程とは、Sで連続している。
S200:基板Sを用意する工程と、
S202:基板Sの表面に、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層である第1被覆層1を形成する工程と、
S204:第1被覆層1上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第1シェーディング被覆層C1を形成する工程と、
S206:第1シェーディング被覆層C1上に、金属被覆層である第2被覆層2を形成する工程と、
S208:第2被覆層2上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第2シェーディング被覆層C2を形成する工程と、
S210:第2シェーディング被覆層C2上に、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層である第3被覆層3を形成する工程と、
S212:第3被覆層3上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第3シェーディング被覆層C3を形成する工程と、
S214:第3シェーディング被覆層C3上に、金属被覆層である第4被覆層4を形成する工程と、
S216:第4被覆層4上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第4シェーディング被覆層C4を形成する工程と、
S218:第4シェーディング被覆層C4上に、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層である第5被覆層5を形成する工程と、
S220:第5被覆層5上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第5シェーディング被覆層C5を形成する工程と、
S222:第5シェーディング被覆層C5上に、金属被覆層である第6被覆層6を形成する工程と、
S224:第6被覆層6上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第6シェーディング被覆層C6を形成する工程と、
S226:第6シェーディング被覆層C6上に、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層である第7被覆層7を形成する工程と、
S228:第7被覆層7上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第7シェーディング被覆層C7を形成する工程と、
S230:第7シェーディング被覆層C7上に、金属被覆層である第8被覆層8を形成する工程と、
S232:第8被覆層8上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第8シェーディング被覆層C8を形成する工程と、
最後に、S234:第8シェーディング被覆層C8上に、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層である第9被覆層9を形成する工程とを備えている。
S200:基板Sを用意する工程と、
S202:基板Sの表面に、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層である第1被覆層1を形成する工程と、
S204:第1被覆層1上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第1シェーディング被覆層C1を形成する工程と、
S206:第1シェーディング被覆層C1上に、金属被覆層である第2被覆層2を形成する工程と、
S208:第2被覆層2上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第2シェーディング被覆層C2を形成する工程と、
S210:第2シェーディング被覆層C2上に、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層である第3被覆層3を形成する工程と、
S212:第3被覆層3上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第3シェーディング被覆層C3を形成する工程と、
S214:第3シェーディング被覆層C3上に、金属被覆層である第4被覆層4を形成する工程と、
S216:第4被覆層4上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第4シェーディング被覆層C4を形成する工程と、
S218:第4シェーディング被覆層C4上に、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層である第5被覆層5を形成する工程と、
S220:第5被覆層5上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第5シェーディング被覆層C5を形成する工程と、
S222:第5シェーディング被覆層C5上に、金属被覆層である第6被覆層6を形成する工程と、
S224:第6被覆層6上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第6シェーディング被覆層C6を形成する工程と、
S226:第6シェーディング被覆層C6上に、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層である第7被覆層7を形成する工程と、
S228:第7被覆層7上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第7シェーディング被覆層C7を形成する工程と、
S230:第7シェーディング被覆層C7上に、金属被覆層である第8被覆層8を形成する工程と、
S232:第8被覆層8上に、アルミニウム系酸化物被覆層である第8シェーディング被覆層C8を形成する工程と、
最後に、S234:第8シェーディング被覆層C8上に、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層である第9被覆層9を形成する工程とを備えている。
図4は、本発明に係る青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造の透過率と光波長の特性曲線図である。図4から分かるように、本発明に係る青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造を光が透過する際に、異なる光波長では、光透過率が異なっている。特に、青色光の近辺(最も左側の領域)の光波長は、その透過率が、明らかに、従来の10%程度から30%程度まで増加している。
また、図5に示すように、本発明は、スパッタリングによるアルミニウム系酸化物被覆層(Al2O3)のコーティングを追加したため、色度領域のxy座標が、元のA(0.32〜0.33,0.35〜0.36)からB(0.28〜0.30,0.32〜0.34)になり、座標色が、黄緑色から青色に近い色になる。
上記のような低抵抗光減衰反射防止被覆層は、半導体や光学ヘッド、液晶ディスプレイ、陰極線管、青板ガラス、タッチセンサ、モニターフィルタ及びプラスチックスクリーン板被覆層等の工業用途に適用することができる。
また、該低抵抗光減衰反射防止被覆層の表層の物質は、透過可能な表面導電層であり、該透過可能の表面導電層の光反射率は0.5%未満であり、前記低抵抗光減衰反射防止被覆層の抵抗が、0.5〜0.7Ω/m2であり、その透過率は55〜70%である。
さらに、本発明に係る被覆層構造は、高導電性であり、プラズマディスプレイ製造に適用される際に、電磁干渉遮蔽、光学的視野角低反射、高表面硬度耐摩耗性、適度な光減衰効果等の利点を有している。
例えば、本発明の被覆層構造の表面抵抗は、0.5〜0.7Ω/m2であり、かつ、十分な硬度を有し、米軍標準規格MIL−C−48497の耐磨耗テストを満たす。
例えば、本発明の被覆層構造の表面抵抗は、0.5〜0.7Ω/m2であり、かつ、十分な硬度を有し、米軍標準規格MIL−C−48497の耐磨耗テストを満たす。
また、前記被覆層構造の表層は、良好な導電特性を有しているため、該青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造は、接地工程に要する作業負荷を低減させることができ、また、大量生産時の収率や信頼度の向上を図ることができ、したがって、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイのガラス基板またはプラスチック基板上に好適に適用することができる。
以上は、本発明の好ましい実施例に過ぎず、本発明を制限するものではない。本発明に係る特許請求の範囲や明細書の記載に基づいて行った、当業者が適宜なし得る程度の変更や修飾等も、本発明の特許請求の範囲内に包含される。
S 基板
M 被覆層モジュール
1 第1被覆層
2 第2被覆層
3 第3被覆層
4 第4被覆層
5 第5被覆層
6 第6被覆層
7 第7被覆層
8 第8被覆層
9 第9被覆層
C1 第1シェーディング被覆層
C2 第2シェーディング被覆層
C3 第3シェーディング被覆層
C4 第4シェーディング被覆層
C5 第5シェーディング被覆層
C6 第6シェーディング被覆層
C7 第7シェーディング被覆層
C8 第8シェーディング被覆層
B 遮断板
C 導電層
M 被覆層モジュール
1 第1被覆層
2 第2被覆層
3 第3被覆層
4 第4被覆層
5 第5被覆層
6 第6被覆層
7 第7被覆層
8 第8被覆層
9 第9被覆層
C1 第1シェーディング被覆層
C2 第2シェーディング被覆層
C3 第3シェーディング被覆層
C4 第4シェーディング被覆層
C5 第5シェーディング被覆層
C6 第6シェーディング被覆層
C7 第7シェーディング被覆層
C8 第8シェーディング被覆層
B 遮断板
C 導電層
Claims (8)
- 基板と、
前記基板の表面に形成され、複数層の炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層と、複数層のアルミニウム系酸化物被覆層と、複数層の金属被覆層とが互いに積層されてなる被覆層モジュールとを備えていることを特徴とする青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造。 - 前記被覆層モジュールは、
前記基板の表面に形成される第1被覆層と、
前記第1被覆層上に形成される第1シェーディング被覆層と、
前記第1シェーディング被覆層上に形成される第2被覆層と、
前記第2被覆層上に形成される第2シェーディング被覆層と、
前記第2シェーディング被覆層上に形成される第3被覆層と、
前記第3被覆層上に形成される第3シェーディング被覆層と、
前記第3シェーディング被覆層上に形成される第4被覆層と、
前記第4被覆層上に形成される第4シェーディング被覆層と、
前記第4シェーディング被覆層上に形成される第5被覆層と、
前記第5被覆層上に形成される第5シェーディング被覆層と、
前記第5シェーディング被覆層上に形成される第6被覆層と、
前記第6被覆層上に形成される第6シェーディング被覆層と、
前記第6シェーディング被覆層上に形成される第7被覆層と、
前記第7被覆層上に形成される第7シェーディング被覆層と、
前記第7シェーディング被覆層上に形成される第8被覆層と、
前記第8被覆層上に形成される第8シェーディング被覆層と、
前記第8シェーディング被覆層上に形成される第9被覆層とを備え、
前記第1被覆層、前記第3被覆層、前記第5被覆層、前記第7被覆層及び該第9被覆層は、いずれも、炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層であり、
前記第1シェーディング被覆層、前記第2シェーディング被覆層、前記第3シェーディング被覆層、前記第4シェーディング被覆層、前記第5シェーディング被覆層、前記第6シェーディング被覆層、前記第7シェーディング被覆層及び前記第8シェーディング被覆層は、いずれも、アルミニウム系酸化物被覆層であり、
前記第2被覆層、前記第4被覆層、前記第6被覆層及び前記第8被覆層は、いずれも、金属被覆層であることを特徴とする請求項1記載の青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造。 - 前記炭素・ケイ素化合物被覆層は炭化ケイ素、前記チタン酸化物は二酸化チタン、前記アルミニウム系酸化物被覆層はアルミナ、前記金属被覆層は銀であることを特徴とする請求項2記載の青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造。
- 前記炭素・ケイ素化合物と前記チタン酸化物の割合は、40%:60%で、これらの混合物被覆層の屈折率は、前記金属被覆層よりも高いことを特徴とする請求項2記載の青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造。
- 前記第1被覆層の厚さは30nm、
前記第2被覆層の厚さは15nm、
前記第3被覆層の厚さは66nm、
前記第4被覆層の厚さは15nm、
前記第5被覆層の厚さは60nm、
前記第6被覆層の厚さは15nm、
前記第7被覆層の厚さは70nm、
前記第8被覆層の厚さは15nm、
前記第9被覆層の厚さは40nmであり、
前記第1シェーディング被覆層、前記第2シェーディング被覆層、前記第3シェーディング被覆層、前記第4シェーディング被覆層、前記第5シェーディング被覆層、前記第6シェーディング被覆層、前記第7シェーディング被覆層及び前記第8シェーディング被覆層の厚さは、いずれも、3〜6nmの範囲内であることを特徴とする請求項2記載の青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造。 - さらに、前記被覆層モジュールの上面の周縁に塗布された接地するための導電層を備えていることを特徴とする請求項1記載の青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造。
- 基板を用意する工程と、
前記基板の表面に、複数層の炭素・ケイ素化合物とチタン酸化物を含有する混合物被覆層と、複数層のアルミニウム系酸化物被覆層と、複数層の金属被覆層とを互いに積層してなる被覆層モジュールを形成する工程とを備えていることを特徴とする青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造の作製方法。 - さらに、前記被覆層モジュールの上面に、該被覆層モジュールの上面の周縁を露出させるように、前記被覆層モジュールよりもサイズが小さい遮断板を設ける工程と、
前記被覆層モジュールの上面の露出した周縁に、接地するための導電層を塗布する工程とを備えていることを特徴とする請求項7記載の青色光透過率を向上させる低抵抗光減衰反射防止被覆層構造の作製方法。
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