JP2009278138A - Coating and developing apparatus, and method therefor - Google Patents
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に対してレジスト液の塗布処理や、露光後の現像処理等を行う塗布、現像装置及びその方法に関する。 The present invention relates to a coating / developing apparatus and method for performing a resist solution coating process, a developing process after exposure, and the like on a substrate such as a semiconductor wafer or an LCD substrate (glass substrate for liquid crystal display).
半導体デバイスやＬＣＤ基板の製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術により基板に対してレジストパターンの形成が行なわれている。この技術は、例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）などの基板に、レジスト液を塗布して、当該ウエハの表面に液膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行なうことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われている。 In the manufacturing process of a semiconductor device or an LCD substrate, a resist pattern is formed on the substrate by a technique called photolithography. In this technology, for example, a resist solution is applied to a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), a liquid film is formed on the surface of the wafer, the resist film is exposed using a photomask, and then developed. Is performed by a series of steps to obtain a desired pattern.
このような処理は、一般にレジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に、露光装置を接続したレジストパターン形成装置を用いて行われ、例えば特許文献１に示す構成が知られている。この装置では、例えば図１２に示すように、多数枚のウエハＷを収納したキャリア１０がキャリアブロック１Ａのキャリアステージ１１に搬入され、キャリア１０内のウエハは受け渡しアーム１２により処理ブロック１Ｂに受け渡される。そして処理ブロック１Ｂ内の塗布ユニット１３Ａに搬送されて、レジスト液が塗布され、次いでインターフェイスブロック１Ｃを介して露光装置１Ｄに搬送される。露光処理後のウエハは、再び処理ブロック１Ｂに戻されて現像ユニット１３Ｂにて現像処理が行われ、元のキャリア１０内に戻されるようになっている。図中１４（１４ａ〜１４ｃ）は、塗布ユニット１３Ａや現像ユニット１３Ｂの処理の前後にウエハに対して所定の加熱処理や冷却処理を行なうための加熱ユニット、冷却ユニットや受け渡しステージ等を備えた棚ユニットである。
Such a process is generally performed using a resist pattern forming apparatus in which an exposure apparatus is connected to a coating / developing apparatus for coating and developing a resist solution. For example, a configuration shown in
ここでウエハＷは処理ブロック１Ｂに設けられた２つの搬送手段１５Ａ，１５Ｂにより、塗布ユニット１３Ａと現像ユニット１３Ｂと棚ユニット１４Ａ〜１４Ｃの各部等の、処理ブロック１Ｂ内においてウエハＷが置かれるモジュール間を搬送される。この際、ウエハＷは上記の処理を施されるにあたり、処理予定の全てのウエハＷについて、予め各々がどのタイミングでどのモジュールに搬送されるかを定めた搬送スケジュールに従って搬送されている。
Here, the wafer W is a module in which the wafer W is placed in the processing block 1B such as each part of the
ところで従来では、塗布・現像装置は所定の品種の専用の装置として用いられており、品種の異なる処理に対しては別の装置を用いるという考え方であったが、近年では１台の装置によって少量多品種の生産に対応できることが望まれている。例えばレジスト膜の上下に反射防止膜を形成する場合や、レジスト膜の上下の一方に反射防止膜を形成する場合、レジスト膜のみで反射防止膜を形成しない場合等、塗布の態様が異なる場合があり、このような品種の異なる処理にも適用できる装置の開発が求められている。この場合、塗布膜を形成するためのユニットや、現像処理を行なうためのユニットが同じ処理ブロック内に設けられている構成では、１つの処理ブロックに組み込まれるユニット数が多く、処理ブロックが大型化し、占有面積が大きくなってしまう。 Conventionally, the coating / developing apparatus has been used as a dedicated apparatus of a predetermined type, and the idea of using a different apparatus for processing of different types has been in recent years. It is desired to be able to cope with the production of various varieties. For example, when the antireflection film is formed on the upper and lower sides of the resist film, when the antireflection film is formed on one of the upper and lower sides of the resist film, or when the antireflection film is not formed only with the resist film, the application mode may be different. There is a need to develop an apparatus that can be applied to such different types of processing. In this case, in the configuration in which the unit for forming the coating film and the unit for performing the development process are provided in the same processing block, the number of units incorporated in one processing block is large, and the processing block becomes large. The occupied area will become large.
また処理ブロック１Ｂに設けられた塗布ユニット１３Ａや加熱ユニット等のモジュールや搬送手段１５Ａ，１５Ｂが故障したり、搬送手段１５Ａ，１５Ｂと各モジュールとの間で所定のタイミングでウエハＷの受け渡しが行なうことができない場合などのトラブルが発生する場合があり、この場合には、搬送手段１５Ａ，１５Ｂの動作を停止して、装置の稼動を停止するようになっている。
In addition, a module such as a
しかしながら搬送手段１５Ａ，１５Ｂが停止してしまうと、各モジュールではウエハＷが取り出されず、モジュール内に残されたままになってしまう。ここで塗布ユニット１３Ａで処理されたウエハＷは、当該ユニット１３Ａ内に置かれたままの状態にしておくと膜質が悪化してしまい、その後に搬送手段１５Ａ，１５Ｂによる搬送を開始しても、所定の品質のレジスト膜を確保することはできない。このため各モジュール内に取り残されたウエハＷは製品とはならずに回収され、表面に形成された塗布膜が溶剤で洗浄されて再使用される。
However, if the transfer means 15A and 15B are stopped, the wafer W is not taken out in each module and remains in the module. Here, if the wafer W processed by the
ところで近年露光装置のスループットが大きくなってきており、これに合わせて塗布、現像装置においても露光装置のスループットに合わせた処理能力が求められている。このため処理ブロック１Ｂ内のラインに入るウエハＷの枚数を多くしているので、処理ブロック１Ｂ内でトラブルが発生すると、回収しなければならないウエハＷの枚数が多くなってしまい、洗浄処理等のウエハＷの再生使用のために行なわれる処理の負担が大きくなってしまう。またウエハＷを回収したり、トラブルがあった場所の確認や修正作業等を行なう間は装置が稼動できないので、スループットが低下してしまう。 Incidentally, in recent years, the throughput of the exposure apparatus has been increasing, and accordingly, the processing capability in accordance with the throughput of the exposure apparatus is also required in the coating and developing apparatus. For this reason, since the number of wafers W entering the line in the processing block 1B is increased, if a trouble occurs in the processing block 1B, the number of wafers W to be collected increases, which causes a cleaning process or the like. The burden of processing performed for reclaiming the wafer W is increased. Further, since the apparatus cannot be operated while the wafer W is collected or the troubled place is confirmed or corrected, the throughput is lowered.
ここで本発明者らは、塗布、現像装置のスループットを高めるために、露光処理前のモジュールを収納するエリアと、露光処理後のモジュールを収納するエリアとを上下に配置し、夫々のエリアに搬送手段を設けることにより、搬送手段の負荷を軽減することを検討している。このように、塗布処理を行うエリアと、現像処理を行うエリアを夫々上下に配置し、夫々のエリアに搬送手段を設ける構成は特許文献２に記載されている。
Here, in order to increase the throughput of the coating and developing apparatus, the inventors arrange an area for storing the module before the exposure process and an area for storing the module after the exposure process in the vertical direction. We are considering reducing the load on the transport means by providing the transport means. As described above,
しかしながらこのような構成においても、塗布処理を行なうエリア、現像処理を行なうエリアにて、モジュールや搬送手段の故障などのトラブルが発生する場合があり、上述と同様の問題が発生するおそれがあるが、この点については特許文献２には何ら記載されていない。
However, even in such a configuration, troubles such as failure of the module and the conveying means may occur in the area where the coating process is performed and the area where the development process is performed, and the same problem as described above may occur. In this respect,
本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、レジスト膜の上下に反射防止膜を形成するにあたり、反射防止膜を塗布する場合、しない場合のいずれにも対応することができ、かつ省スペース化を図ることができる技術を提供することにある。また他の目的は、塗布膜形成用の単位ブロックの１つに異常が発生した場合でも、スループットの低下を抑えることができる技術を提供することにある。 The present invention has been made under such circumstances, and the object thereof is to correspond to both cases where an antireflection film is applied or not when an antireflection film is formed above and below a resist film. It is an object of the present invention to provide a technique that can save space. Another object is to provide a technique capable of suppressing a decrease in throughput even when an abnormality occurs in one of the unit blocks for forming a coating film.
このため本発明の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックと、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックと、を備え、
ｂ）前記各単位ブロックは、薬液を基板に塗布するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、基板を冷却する冷却ユニットと、これらユニット間で基板を搬送する単位ブロック用の搬送手段と、を備え、
ｃ）前記互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックに設けられる液処理ユニットは、基板にレジスト液を塗布するための塗布ユニットと、レジスト液を塗布する前に基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための第１の反射防止膜ユニットと、レジスト液を塗布した後に基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための第２の反射防止膜ユニットとを含み、塗布膜形成用の単位ブロックでは、単位ブロック単位で、基板に対してレジスト膜を含む塗布膜の形成が行なわれることを特徴とする。
For this reason, the coating and developing apparatus of the present invention transfers the substrate carried by the carrier to the carrier block to the processing block, forms a coating film including a resist film in the processing block, and then passes it to the exposure apparatus through the interface block. In the coating and developing apparatus that transports and returns the substrate after exposure returned through the interface block to the carrier block after developing in the processing block,
a) The processing block includes a plurality of coating film forming unit blocks stacked on each other, and a development processing unit block stacked on the coating film forming unit block,
b) Each of the unit blocks includes a liquid processing unit for applying a chemical solution to the substrate, a heating unit for heating the substrate, a cooling unit for cooling the substrate, and conveyance for the unit block for conveying the substrate between these units. Means, and
c) A liquid processing unit provided in the unit blocks for forming a plurality of coating films stacked on each other includes a coating unit for applying a resist solution to the substrate and an antireflection film on the substrate before applying the resist solution. A first antireflection film unit for applying the chemical solution, and a second antireflection film unit for applying a chemical solution for the antireflection film to the substrate after applying the resist solution, In the unit block, a coating film including a resist film is formed on the substrate in unit block units.
また塗布膜形成用の単位ブロックの一つに異常が発生したときに、当該異常が発生した塗布膜形成用の単位ブロックに対しては基板の搬送を行なわず、他の塗布膜形成用の単位ブロックに対しては基板の搬送を行なうように制御する制御部を備えるようにしてもよい。 Further, when an abnormality occurs in one of the coating film forming unit blocks, the substrate is not transferred to the coating film forming unit block in which the abnormality has occurred, and another coating film forming unit is formed. You may make it provide the control part which controls so that a board | substrate may be conveyed with respect to a block.
さらに各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう第１の受け渡しステージを積層して構成された第１の受け渡しステージ群と、前記第１の受け渡しステージ同士の間で基板の受け渡しを行なうための第１の基板受け渡し手段と、を備えるように構成してもよいし、各単位ブロック毎にインターフェイスブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう第２の受け渡しステージを積層して構成された第２の受け渡しステージ群と、前記第２の受け渡しステージ同士の間で基板の受け渡しを行なうための第２の基板受け渡し手段と、を備えるように構成してもよい。 Furthermore, a first delivery stage group provided on the carrier block side for each unit block and configured by laminating a first delivery stage for delivering a substrate to and from the transfer means of each unit block; And a first substrate transfer means for transferring a substrate between one transfer stage, or provided on the interface block side for each unit block, A second delivery stage group configured by stacking a second delivery stage for delivering the substrate to and from the transfer means, and a second for delivering the substrate between the second delivery stages. The substrate transfer means may be provided.
ここで第１の受け渡しステージ群は、キャリアブロックと処理ブロックとの間で基板の受け渡しを行なうためキャリアブロック用受け渡しステージを含むものとし、第２の受け渡しステージ群は、インターフェイスブロックと処理ブロックとの間で基板の受け渡しを行なうためインターフェイスブロック用受け渡しステージを含むものとすることができる。 Here, the first delivery stage group includes a carrier block delivery stage for delivering the substrate between the carrier block and the processing block, and the second delivery stage group is provided between the interface block and the processing block. In order to transfer the substrate, an interface block transfer stage can be included.
また処理ブロックとインターフェイスブロックとの間に、塗布膜形成後露光処理前及び／又は露光処理後現像処理前並びに現像処理後の処理を行なうユニットを備えた補助ブロックを設けるようにしてもよい。この際前記補助ブロックに設けられるユニットは、基板表面の状態を検査するための、基板に形成された塗布膜の膜厚を検査するための膜厚検査ユニット、露光前及び／又は露光後の基板を洗浄するための洗浄ユニット、露光装置にて生じるパターンの位置ずれを検出するためのデフォーカス検査装置、レジスト液の塗布ムラを検出するための塗布ムラ検出装置、現像処理の不良を検出するための現像不良検出装置、基板に付着したパーティクル数を検出するためのパーティクル数検出装置、レジスト塗布後の基板に発生するコメットを検出するためのコメット検出装置、スプラッシュバック検出装置、基板表面の欠陥を検出するための欠陥検出装置、現像処理後の基板に残存するレジスト残渣を検出するためのスカム検出装置、レジスト塗布処理及び／又は現像処理の不具合を検出するための不具合検出装置、基板上に形成されたレジスト膜の線幅を測定するための線幅測定装置、露光後の基板とフォトマスクとの重ね合わせ精度を検査するための重ね合わせ検査装置の少なくとも一つである。 Further, an auxiliary block including units for performing processing after coating film formation before exposure processing and / or after exposure processing before development processing and after development processing may be provided between the processing block and the interface block. At this time, the unit provided in the auxiliary block is a film thickness inspection unit for inspecting the film thickness of the coating film formed on the substrate for inspecting the state of the substrate surface, the substrate before exposure and / or after exposure. Cleaning unit for cleaning, defocus inspection device for detecting pattern misalignment caused in exposure apparatus, coating unevenness detecting device for detecting uneven coating of resist solution, for detecting defects in development processing Development failure detection device, particle number detection device for detecting the number of particles attached to the substrate, comet detection device for detecting comets generated on the substrate after resist coating, splash back detection device, substrate surface defects Defect detection device for detection, scum detection device for detecting resist residue remaining on substrate after development processing, resist coating Defect detection device for detecting defects in processing and / or development processing, line width measurement device for measuring the line width of a resist film formed on a substrate, overlay accuracy between a substrate and a photomask after exposure It is at least one of overlay inspection apparatuses for inspecting.
また前記露光装置として、基板表面に液層を形成して液浸露光するものを用い、前記補助ブロックに設けられるユニットは、前記液浸露光された後の基板を洗浄する洗浄ユニットとしてもよい。この際、前記互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックに対して、レジスト膜が形成された基板に対して、前記レジスト膜の上に撥水性の保護膜を形成するための塗布膜形成用の単位ブロックをさらに積層して設けることが好ましい。 The exposure apparatus may be one that forms a liquid layer on the substrate surface and performs immersion exposure, and the unit provided in the auxiliary block may be a cleaning unit that cleans the substrate after the immersion exposure. At this time, a coating film for forming a water-repellent protective film on the resist film on the substrate on which the resist film is formed with respect to the plurality of unit blocks for forming the coating film stacked on each other It is preferable to further stack and form unit blocks for formation.
また本発明は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置であって、
ａ）前記処理ブロックは、互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックと、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックと、を備え、
ｂ）前記各単位ブロックは、薬液を基板に塗布するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、基板を冷却する冷却ユニットと、これらユニット間で基板を搬送する単位ブロック用の搬送手段と、を備え、
ｃ）前記互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックに設けられる液処理ユニットは、基板にレジスト液を塗布するための塗布ユニットと、レジスト液を塗布する前に基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための第１の反射防止膜ユニットと、レジスト液を塗布した後に基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための第２の反射防止膜ユニットとを含み、塗布膜形成用の単位ブロックでは、単位ブロック単位で、基板に対してレジスト膜を含む塗布膜の形成が行なわれることを特徴とする塗布、現像装置で行なわれる塗布、現像方法において、
前記塗布膜形成用の単位ブロックの一つに異常が発生したときに、当該異常が発生した塗布膜形成用の単位ブロックに対しては基板の搬送を行なわず、他の塗布膜形成用の単位ブロックに対しては基板の搬送を行なうことを特徴とする。
Further, the present invention transfers the substrate carried by the carrier to the carrier block to the processing block, forms a coating film containing a resist film in the processing block, and then transports it to the exposure apparatus through the interface block. A coating and developing apparatus that develops the substrate after exposure returned through the processing block and delivers it to the carrier block,
a) The processing block includes a plurality of coating film forming unit blocks stacked on each other, and a development processing unit block stacked on the coating film forming unit block,
b) Each of the unit blocks includes a liquid processing unit for applying a chemical solution to the substrate, a heating unit for heating the substrate, a cooling unit for cooling the substrate, and conveyance for the unit block for conveying the substrate between these units. Means, and
c) A liquid processing unit provided in the unit blocks for forming a plurality of coating films stacked on each other includes a coating unit for applying a resist solution to the substrate and an antireflection film on the substrate before applying the resist solution. A first antireflection film unit for applying the chemical solution, and a second antireflection film unit for applying a chemical solution for the antireflection film to the substrate after applying the resist solution, In the unit block, in the coating and developing method performed in the coating and developing apparatus, wherein a coating film including a resist film is formed on the substrate in a unit block unit,
When an abnormality occurs in one of the coating film forming unit blocks, the substrate is not transferred to the coating film forming unit block in which the abnormality has occurred, and another coating film forming unit is formed. A substrate is transported to the block.
以上において本発明では、夫々に塗布ユニットと、第１の反射防止膜ユニットと、第２の反射防止膜ユニットとが設けられた塗布膜形成用の単位ブロックを互いに積層して複数段設けているので、レジスト膜の上下に反射防止膜を形成する場合、しない場合のいずれにも対応することができると共に、処理ブロックの占有面積を小さくし、省スペース化を図ることができる。 As described above, in the present invention, the coating film forming unit blocks each provided with the coating unit, the first antireflection film unit, and the second antireflection film unit are stacked and provided in a plurality of stages. Therefore, it is possible to cope with both cases where the antireflection film is formed on the upper and lower sides of the resist film and not, and the area occupied by the processing block can be reduced to save space.
また塗布膜形成用の単位ブロックの１つに異常が発生した場合でも、他の単位ブロックを用いて塗布膜の形成を行なうことができるので、装置全体の稼動を停止することがなく、稼動を停止した場合に比べてスループットの低下を抑えることができる。さらに複数層の塗布膜形成用の単位ブロックにて塗布膜の形成処理を振り分けて行なうことにより、異常が発生した単位ブロックから回収する基板が少なくなり、当該基板を再使用するために行なわれる処理の負担が軽減される。 Even if an abnormality occurs in one of the unit blocks for forming the coating film, the coating film can be formed using another unit block, so that the operation of the entire apparatus is not stopped. A decrease in throughput can be suppressed as compared with the case of stopping. Further, by performing the coating film forming process in the unit blocks for forming a plurality of coating films, the number of substrates recovered from the unit block in which an abnormality has occurred is reduced, and the processing performed to reuse the substrate The burden of is reduced.
以下、本発明に係る塗布、現像装置の第１の実施の形態について説明する。図１は、本発明の塗布、現像装置をレジストパターン形成装置に適用した場合の一実施の形態の平面図を示し、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この装置は、基板であるウエハＷが例えば１３枚密閉収納されたキャリア２０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、複数個例えば５個の単位ブロックＢ１〜Ｂ５を縦に配列して構成した処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、露光装置Ｓ４とを備えている。
Hereinafter, a first embodiment of a coating and developing apparatus according to the present invention will be described. FIG. 1 shows a plan view of an embodiment in which the coating and developing apparatus of the present invention is applied to a resist pattern forming apparatus, FIG. 2 is a schematic perspective view thereof, and FIG. 3 is a schematic side view thereof. This apparatus is a process in which a carrier block S1 for carrying in / out a
前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリア２０を複数個載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すためのトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、後述する単位ブロックＢ１，Ｂ２の受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２との間でウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリア２０の配列方向に移動自在に構成されている。
In the
キャリアブロックＳ１の奥側には筐体２４にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は、複数個例えば５個の単位ブロックＢ１〜Ｂ５を積層して構成されており、この例では、下方側から第１，第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２が現像処理を行うための単位ブロック、その上の３段の第３〜第５の単位ブロックＢ３〜Ｂ５が、ウエハＷに対して塗布液の塗布処理を行なうための塗布膜形成用の単位ブロックとして割り当てられている。
A processing block S2 surrounded by a
続いて第１〜第５の単位ブロックＢ（Ｂ１〜Ｂ５）の構成について説明する。これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、ウエハＷに対して薬液を塗布するための液処理ユニットと、前記液処理ユニットにて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種の加熱・冷却系の処理ユニットと、前記液処理ユニットと加熱・冷却系の処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の搬送手段であるメインアームＡ１〜Ａ５と、を備えている。 Next, the configuration of the first to fifth unit blocks B (B1 to B5) will be described. Each of these unit blocks B1 to B5 includes a liquid processing unit for applying a chemical solution to the wafer W, and various heating / cooling systems for performing pre-processing and post-processing of processing performed in the liquid processing unit. And main arms A1 to A5, which are dedicated transfer means for delivering the wafer W between the liquid processing unit and the heating / cooling processing unit.
前記単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、この例では、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間で、前記液処理ユニットと、加熱・冷却系の処理ユニットと、搬送手段との配置レイアウトが同じになるように形成されている。ここで配置レイアウトが同じであるとは、各処理ユニットにおけるウエハＷを載置する中心つまり液処理ユニットにおける後述するスピンチャックの中心や、加熱ユニットや冷却ユニットにおける加熱プレートや冷却プレートの中心が同じという意味である。 In this example, the unit blocks B1 to B5 are formed so that the arrangement layout of the liquid processing unit, the heating / cooling system processing unit, and the conveying means is the same among the unit blocks B1 to B5. Has been. Here, the same arrangement layout means that the center on which the wafer W is placed in each processing unit, that is, the center of the spin chuck described later in the liquid processing unit, and the center of the heating plate or cooling plate in the heating unit or cooling unit are the same. It means that.
塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５は同様に構成されているので、図１に示す塗布膜形成用の第３の単位ブロックＢ３を例にして以下に説明する。この単位ブロックＢ３のほぼ中央には、当該単位ブロックＢ３の長さ方向（図中Ｙ軸方向）に、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３とを接続するための、ウエハＷの搬送領域Ｒ１が形成されている。この搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見た両側には、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側に、前記液処理ユニットとして、レジスト膜の下層側の反射防止膜（以下「第１の反射防止膜」という）を形成するために、ウエハＷに対して第１の反射防止膜用の薬液を塗布するための第１の反射防止膜ユニット３１と、ウエハＷにレジスト液を塗布するための塗布ユニット３２と、レジスト膜の上層側の反射防止膜（以下「第２の反射防止膜」という）を形成するために、ウエハＷに対して第２の反射防止膜用の薬液を塗布するための第２の反射防止膜ユニット３３とが夫々前記搬送領域Ｒ１に沿って並んで設けられている。
Since the unit blocks B3 to B5 for forming the coating film are configured in the same manner, the third unit block B3 for forming the coating film shown in FIG. 1 will be described as an example. Near the center of the unit block B3, a transfer region R1 for the wafer W for connecting the carrier block S1 and the interface block S3 is formed in the length direction (Y-axis direction in the drawing) of the unit block B3. ing. On both sides of the transport region R1 as viewed from the carrier block S1 side, on the right side from the near side (carrier block S1 side) to the back side, as the liquid processing unit, an antireflection film (hereinafter referred to as a lower layer side of the resist film). A first
また搬送領域Ｒ１の手前側から奥側に向かって左側には、加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニットＵ１が設けられており、この棚ユニットＵ１は、塗布ユニット３２や第１及び第２の反射防止膜ユニット３１，３３にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種ユニットを、複数段例えば２段に、複数列例えば４列に亘って積層した構成とされている。こうして前記搬送領域Ｒ１は区画されており、例えばこの区画された搬送領域Ｒ１に清浄エアを噴出させて排気することにより、当該領域内のパーティクルの浮遊を抑制するようになっている。
Further, a shelf unit U1 in which heating / cooling units are multi-staged is provided on the left side from the front side to the back side of the transport region R1, and the shelf unit U1 includes the
上述の前処理及び後処理を行うための各種ユニットの中には、例えば図４及び図５（棚ユニットＵ１を搬送領域Ｒ１側から見た図）に示すように、第１の反射防止膜用の薬液の塗布前にウエハＷを所定の温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ３１）、レジスト液の塗布前にウエハＷを所定の温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ３２）、第２の反射防止膜用の薬液の塗布前にウエハＷを所定の温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ３３）、第１の反射防止膜用の薬液の塗布後にウエハＷの加熱処理を行うための加熱ユニット（ＣＨＰ３１）、レジスト液の塗布後にウエハＷの加熱処理を行うための例えばプリベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＣＨＰ３２）、第２の反射防止膜用の薬液の塗布後にウエハＷの加熱処理を行うための加熱ユニット（ＣＨＰ３３）、レジスト液とウエハＷとの密着性を向上させるための疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）、ウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光するための周縁露光装置（ＷＥＥ）等が含まれている。 Among the various units for performing the above-described pre-processing and post-processing, for example, as shown in FIGS. 4 and 5 (a view of the shelf unit U1 as viewed from the transport region R1 side), the first anti-reflection film A cooling unit (COL31) for adjusting the wafer W to a predetermined temperature before application of the chemical solution, a cooling unit (COL32) for adjusting the wafer W to a predetermined temperature before application of the resist solution, and a second reflection. A cooling unit (COL33) for adjusting the wafer W to a predetermined temperature before application of the chemical solution for the antireflection film, and a heating unit (COL33) for performing heat treatment of the wafer W after application of the chemical solution for the first antireflection film CHP 31), a heating unit (CHP 32) called a pre-baking unit or the like for performing a heat treatment of the wafer W after application of the resist solution, and a wafer after application of the chemical solution for the second antireflection film. A heating unit (CHP33) for performing the heat treatment of W, a hydrophobizing unit (ADH) for improving the adhesion between the resist solution and the wafer W, and for selectively exposing only the edge portion of the wafer W A peripheral exposure device (WEE) and the like are included.
また冷却ユニット（ＣＯＬ３１〜３３）や加熱ユニット（ＣＨＰ３１〜３３）等の各処理ユニットは、夫々処理容器４１内に収納されており、棚ユニットＵ１は、前記処理容器４１が４列に渡って２段に積層されて構成され、各処理容器４１の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハ搬出入口４２が形成されている。図４中４３は、当該単位ブロックＢ３のベースプレートであり、単位ブロックＢ２との仕切り壁をなすものである。
Each processing unit such as a cooling unit (
前記搬送領域Ｒ１には前記メインアームＡ３が設けられている。このメインアームＡ３は、当該第３の単位ブロックＢ３内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば棚ユニットＵ１の各処理ユニット、第１及び第２の反射防止膜ユニット３１，３３、塗布ユニット３２、後述する棚ユニットＵ２と棚ユニットＵ３の各部との間でウエハの受け渡しを行うように構成されており、このために進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Ｙ軸方向に移動自在に構成されている。
The main arm A3 is provided in the transfer region R1. The main arm A3 includes all modules (places where the wafer W is placed) in the third unit block B3, for example, each processing unit of the shelf unit U1, first and second
また搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１と隣接する領域は、第１のウエハ受け渡し領域Ｒ２となっていて、この領域Ｒ２には、図１及び図３に示すように、トランスファーアームＣとメインアームＡ３とがアクセスできる位置に棚ユニットＵ２が設けられると共に、この棚ユニットＵ２に対してウエハＷの受け渡しを行うための第１の基板受け渡し手段をなす第１の受け渡しアームＤ１を備えている。 An area adjacent to the carrier block S1 in the transfer area R1 is a first wafer transfer area R2, which includes a transfer arm C, a main arm A3, and a transfer arm C, as shown in FIGS. A shelf unit U2 is provided at a position where the first and second arms can be accessed, and a first transfer arm D1 serving as a first substrate transfer means for transferring the wafer W to the shelf unit U2 is provided.
前記棚ユニットＵ２は、図３に示すように、当該単位ブロックＢ３のメインアームＡ３と、他の単位ブロックＢ１，Ｂ２，Ｂ４，Ｂ５のメインアームＡ１，Ａ２，Ａ４，Ａ５との間でウエハＷの受け渡しを行うための１個以上例えば２個の第１の受け渡しステージＴＲＳ３を備えている。この例では、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、棚ユニットＵ２に１個以上例えば２個の第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５を備えており、これにより棚ユニットＵ２は、第１の受け渡しステージが多段に積層された第１の受け渡しステージ群を構成している。また前記第１の受け渡しアームＤ１は各第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５に対してウエハＷの受け渡しを行うことができるように、進退自在及び昇降自在に構成されている。 As shown in FIG. 3, the shelf unit U2 includes a wafer W between the main arm A3 of the unit block B3 and the main arms A1, A2, A4, A5 of the other unit blocks B1, B2, B4, B5. One or more, for example, two first delivery stages TRS3 are provided. In this example, each of the unit blocks B1 to B5 includes one or more, for example, two first delivery stages TRS1 to TRS5 in the shelf unit U2, so that the shelf unit U2 has multiple first delivery stages. A first delivery stage group stacked on the substrate is configured. The first delivery arm D1 is configured to be movable forward and backward and up and down so that the wafer W can be delivered to the first delivery stages TRS1 to TRS5.
ここで前記第１及び第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２の第１の受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２は、この例ではトランスファーアームＣとの間でウエハＷの受け渡しが行なわれるように構成され、キャリアブロック用受け渡しステージに相当する。さらにこの例では、第２の単位ブロックＢ２は第１の受け渡しステージとして例えば２個のＴＲＳ−Ｆをさらに備えており、この受け渡しステージＴＲＳーＦはトランスファーアームＣによりウエハＷを処理ブロックＳ２に搬入するための専用の受け渡しステージとして用いられる。この受け渡しステージＴＲＳーＦもキャリアブロック用受け渡しステージに相当し、第１の単位ブロックＢ１に設けるようにしてもよい。またこの受け渡しステージＴＲＳーＦを別個に設けずに、受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２を用いて、トランスファーアームＣからウエハＷを処理ブロックＳ２に搬入するようにしてもよい。 In this example, the first transfer stages TRS1 and TRS2 of the first and second unit blocks B1 and B2 are configured to transfer the wafer W to and from the transfer arm C in this example. Corresponds to the delivery stage. Furthermore, in this example, the second unit block B2 further includes, for example, two TRS-Fs as the first delivery stage, and the delivery stage TRS-F carries the wafer W into the processing block S2 by the transfer arm C. It is used as a dedicated delivery stage for This delivery stage TRS-F also corresponds to a carrier block delivery stage, and may be provided in the first unit block B1. Alternatively, the wafer W may be transferred from the transfer arm C to the processing block S2 using the transfer stages TRS1 and TRS2 without providing the transfer stage TRS-F separately.
さらに搬送領域Ｒ１のインターフェイスブロックＳ３と隣接する領域は、第２のウエハ受け渡し領域Ｒ３となっていて、この領域Ｒ３には、図１，３に示すように、メインアームＡ３がアクセスできる位置に棚ユニットＵ３が設けられると共に、この棚ユニットＵ３に対してウエハＷの受け渡しを行うための第２の基板受け渡し手段をなす第２の受け渡しアームＤ２を備えている。 Further, an area adjacent to the interface block S3 in the transfer area R1 is a second wafer transfer area R3. As shown in FIGS. 1 and 3, the area R3 has a shelf at a position accessible by the main arm A3. A unit U3 is provided, and a second transfer arm D2 serving as a second substrate transfer means for transferring the wafer W to the shelf unit U3 is provided.
前記棚ユニットＵ３は、図３及び図６に示すように、当該単位ブロックＢ３のメインアームＡ３と、他の単位ブロックＢ１，Ｂ２，Ｂ４，Ｂ５のメインアームＡ１，Ａ２，Ａ４，Ａ５との間でウエハＷの受け渡しを行うための１個以上例えば２個の第２の受け渡しステージＴＲＳ８を備えている。この例では、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、棚ユニットＵ３に１個以上例えば２個の第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０を備えており、これにより棚ユニットＵ３は、第２の受け渡しステージが多段に積層された第２の受け渡しステージ群を構成している。また前記第２の受け渡しアームＤ２は各第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０に対してウエハＷの受け渡しを行うことができるように、進退自在及び昇降自在に構成されている。 As shown in FIGS. 3 and 6, the shelf unit U3 is located between the main arm A3 of the unit block B3 and the main arms A1, A2, A4, A5 of the other unit blocks B1, B2, B4, B5. At least one, for example, two second delivery stages TRS8 for delivering the wafer W are provided. In this example, each of the unit blocks B1 to B5 includes one or more, for example, two second delivery stages TRS6 to TRS10 in the shelf unit U3, whereby the shelf unit U3 has a plurality of second delivery stages. 2nd delivery stage group laminated | stacked on this is comprised. The second delivery arm D2 is configured to be movable forward and backward and up and down so that the wafer W can be delivered to the second delivery stages TRS6 to TRS10.
このように本実施の形態では、第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５と第１の受け渡しアームＤ１とが設けられた第１のウエハ受け渡し領域Ｒ２と、第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０と第２の受け渡しアームＤ２とが設けられた第２のウエハ受け渡し領域Ｒ３とは５つの単位ブロックＢ１〜Ｂ５同士の間で連通された領域として形成され、これらの領域Ｒ２，Ｒ３で挟まれた搬送領域Ｒ１を含む領域は、各単位ブロック同士の間において仕切り壁により区画されるようになっている。そして５段に積層された各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間で、上述の第１の受け渡しアームＤ１と第２の受け渡しアームＤ２とにより、夫々第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５とＴＲＳ−Ｆ、第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０を介して、自由にウエハＷの受け渡しを行なうことができるように構成されている。 Thus, in the present embodiment, the first wafer transfer region R2 in which the first transfer stages TRS1 to TRS5 and the first transfer arm D1 are provided, the second transfer stages TRS6 to TRS10, and the second transfer stages TRS1 to TRS10. The second wafer transfer region R3 provided with the transfer arm D2 is formed as a region communicating between the five unit blocks B1 to B5, and the transfer region R1 sandwiched between these regions R2 and R3 is defined as the second wafer transfer region R3. The area to be included is partitioned by a partition wall between the unit blocks. Then, between the unit blocks B1 to B5 stacked in five stages, the first delivery arm D1 and the second delivery arm D2 described above cause the first delivery stages TRS1 to TRS5 and TRS-F, respectively, The wafer W can be freely transferred via the two transfer stages TRS6 to TRS10.
続いて他の単位ブロックについて図３及び図５を用いて簡単に説明する。第４及び第５の単位ブロックＢ４，Ｂ５は第３の単位ブロックＢ３と同様に構成され、第４の単位ブロックＢ４では、液処理ユニットとして、前記第１の反射防止膜形成ユニット３１と、塗布ユニット３２と、第２の反射防止膜形成ユニット３３とが設けられ、棚ユニットＵ１には、第１の反射防止膜用薬液、レジスト液、第２の反射防止膜用薬液を夫々塗布する前に、ウエハＷを所定の温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ４１，ＣＯＬ４２，ＣＯＬ４３）、第１の反射防止膜用薬液、レジスト液、第２の反射防止膜用薬液を夫々塗布した後に、ウエハＷの加熱処理を行うための加熱ユニット（ＣＨＰ４１，ＣＨＰ４２，ＣＨＰ４３）、疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）、周縁露光装置（ＷＥＥ）等が含まれている。そしてこの第４の単位ブロックＢ４では、メインアームＡ４により、第１の受け渡しステージＴＲＳ４，第２の受け渡しステージＴＲＳ９と、第１及び第２の反射防止膜ユニット３１，３３と、塗布ユニット３２と、棚ユニットＵ１の各処理ユニットとに対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
Next, other unit blocks will be briefly described with reference to FIGS. The fourth and fifth unit blocks B4 and B5 are configured in the same manner as the third unit block B3. In the fourth unit block B4, the first antireflection
そして第５の単位ブロックＢ５は、液処理ユニットとして、前記第１の反射防止膜形成ユニット３１と、塗布ユニット３２と、第２の反射防止膜形成ユニット３３とが設けられ、棚ユニットＵ１には、第１の反射防止膜用薬液、レジスト液、第２の反射防止膜用薬液を夫々塗布する前に、ウエハＷを所定の温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ５１，ＣＯＬ５２，ＣＯＬ５３）、第１の反射防止膜用薬液、レジスト液、第２の反射防止膜用薬液を夫々塗布した後に、ウエハＷの加熱処理を行うための加熱ユニット（ＣＨＰ５１，ＣＨＰ５２，ＣＨＰ５３）、疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）、周縁露光装置（ＷＥＥ）等が含まれている。そしてこの第５の単位ブロックＢ５では、メインアームＡ５により、第１の受け渡しステージＴＲＳ５，第２の受け渡しステージＴＲＳ１０と、第１及び第２の反射防止膜形成ユニット３１，３３と、塗布ユニット３２と、棚ユニットＵ１の各処理ユニットとに対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
The fifth unit block B5 is provided with the first antireflection
また第１及び第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２は同様に構成され、液処理ユニットとしてウエハＷに対して現像処理を行うための現像ユニットが設けられ、棚ユニットＵ１には、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＥＢ１，ＰＥＢ２）や、この加熱ユニット（ＰＥＢ１，ＰＥＢ２）における処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ１，ＣＯＬ２）、現像処理後のウエハＷを水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＯＳＴ１，ＰＯＳＴ２）を備えている以外は第３の単位ブロックＢ３と同様に構成されている。 Further, the first and second unit blocks B1 and B2 are configured in the same manner, and a development unit for performing development processing on the wafer W is provided as a liquid processing unit. The shelf unit U1 includes the wafer W after exposure. A heating unit (PEB1, PEB2) called a post-exposure baking unit that heat-treats the wafer W, or a cooling unit (COL1, COL1, 2) for adjusting the wafer W to a predetermined temperature after the processing in the heating unit (PEB1, PEB2) COL2), and the same configuration as the third unit block B3 except that it includes a heating unit (POST1, POST2) called post-baking unit that heat-processes the wafer W after the development processing to remove moisture. Has been.
そしてこれら第１及び第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２では、夫々メインアームＡ１，Ａ２により、夫々第１の受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２，ＴＲＳ−Ｆ、第２の受け渡しステージＴＲＳ６，ＴＲＳ７と、現像ユニットと、棚ユニットＵ１の各処理ユニットとに対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。 In these first and second unit blocks B1 and B2, the first transfer stages TRS1, TRS2, and TRS-F, the second transfer stages TRS6 and TRS7, and the developing unit are respectively performed by the main arms A1 and A2. The wafer W is delivered to each processing unit of the shelf unit U1.
ここで現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２では、これらの間の仕切り壁を取り外し、１個のメインアームＡ１により、夫々第１の受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２，ＴＲＳ−Ｆ、第２の受け渡しステージＴＲＳ６，ＴＲＳ７と、単位ブロックＢ１，Ｂ２の現像ユニットと、単位ブロックＢ１，Ｂ２の棚ユニットＵ１の各処理ユニットとに対してウエハＷの受け渡しが行われるように構成してもよい。 Here, in the unit blocks B1 and B2 for development processing, the partition wall between them is removed, and the first transfer stage TRS1, TRS2, TRS-F, and the second transfer stage TRS6 are respectively removed by one main arm A1. , TRS7, and the wafer W may be transferred to the developing units of the unit blocks B1 and B2 and the processing units of the shelf unit U1 of the unit blocks B1 and B2.
なお図５はこれら処理ユニットのレイアウトの一例を示すものであって、このレイアウトは便宜上のものであり、処理ユニットは加熱ユニット（ＣＨＰ、ＰＥＢ、ＰＯＳＴ）、冷却ユニット（ＣＯＬ）、疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）、周縁露光装置（ＷＥＥ）に限らず、他の処理ユニットを設けるようにしてもよいし、実際の装置では各処理ユニットの処理時間などを考慮してユニットの設置数が決められる。 FIG. 5 shows an example of the layout of these processing units. This layout is for convenience. The processing units are a heating unit (CHP, PEB, POST), a cooling unit (COL), and a hydrophobic treatment unit. (ADH), not only the edge exposure apparatus (WEE), but other processing units may be provided. In an actual apparatus, the number of units installed is determined in consideration of the processing time of each processing unit.
一方、処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ６の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ６と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアームＥと、複数枚のウエハＷを棚状に保持するためのバッファ８３とを備えている。前記インターフェイスアームＥは、処理ブロックＳ２と露光装置Ｓ４との間に介在するウエハＷの搬送手段をなすものであり、この例では、第１〜第５の単位ブロックＢ１〜Ｂ５の第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０とバッファ８３の各部に対してウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Ｘ軸方向に移動自在に構成され、この例では第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０がインターフェイスブロック用受け渡しステージに相当する。
On the other hand, an exposure apparatus S4 is connected to the back side of the shelf unit U6 in the processing block S2 via an interface block S3. The interface block S3 includes an interface arm E for delivering the wafer W to the shelf unit U6 and the exposure apparatus S4 of the processing block S2, and a
前記バッファ８３は、露光装置Ｓ４のスループットと処理部ブロックＳ２のスループットとを調整する際や、露光条件の切り替えの間に、例えば塗布処理後のウエハＷを一旦ストックしておき、順次露光装置Ｓ４に搬送するような場合に用いられる。このようにすると、露光装置Ｓ４のスループットに合わせることができ、またロット毎に、露光強度やマスク種等の適切な露光条件に切り替えて露光処理を行なうことができる。さらに露光条件の切り替えの間にも、塗布処理は連続して行なうことができるので、生産性が向上する。
The
また前記インターフェイスアームＥは、単位ブロックＢ１〜Ｂ５のうちの特定の単位ブロックの第２の受け渡しステージに対してウエハＷの受け渡しを行うように構成してもよく、この場合にはインターフェイスアームＥがアクセスできる第２の受け渡しステージがインターフェイスブロック用受け渡しステージに相当する。 The interface arm E may be configured to deliver the wafer W to the second delivery stage of a specific unit block among the unit blocks B1 to B5. In this case, the interface arm E The accessible second delivery stage corresponds to the interface block delivery stage.
続いて液処理ユニット、メインアームＡ（Ａ１〜Ａ５）、第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２、インターフェイスアームＥの構成について簡単に説明する。先ず液処理ユニットについて、図７に示す塗布ユニット３２を例にして簡単に説明する。
Next, the configuration of the liquid processing unit, the main arm A (A1 to A5), the first and second delivery arms D1 and D2, and the interface arm E will be briefly described. First, the liquid processing unit will be briefly described by taking the
図中５１は、処理容器５０内に収納された基板保持部をなすスピンチャックであり、真空吸着によりウエハＷを水平に保持するように構成されている。このスピンチャック５１は駆動機構５２により鉛直軸回りに回転でき、かつ昇降できるようになっている。またスピンチャック５１の周囲にはウエハＷからスピンチャック５１に跨る側方部分を囲うカップ５３が設けられ、当該カップ５３の底部側には、凹部状をなす液受け部５４がウエハＷの周縁下方側に全周に亘って、外側領域と内側領域とに区画されて設けられており、外側領域の底部には貯留した塗布液等を排出するためのドレイン管５４ａが接続され、内側領域の底部には二つの排気管５４ｂが接続されている。なお図示は省略するが、ウエハＷの裏面側を支持して昇降可能な昇降ピンが設けられており、この昇降ピンとメインアームＡとの協働作用によりスピンチャック５１に対してウエハＷの受け渡しが行なわれるようになっている。
In the figure,
また図中５５は、ウエハＷに対して塗布液（レジスト液）を供給するための薬液ノズルであり、この薬液ノズル５５は移動機構５５ａにより、例えば処理容器５０のＹ方向に伸びるように設けられたガイドレール５５ｂに沿って、カップ５３の一端側の外方側から他端側の外方側まで移動自在、かつ昇降自在に構成されている。図中５６は、カップ５３の外側に設けられた薬液ノズルの待機領域である。
In the figure,
また図中５７は、スピンチャック５１に保持されたウエハＷの周縁部にリンス液を供給するためのサイドリンス機構であり、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。図中５８ａは処理容器５０の天井部に取り付けられたフィルタユニット、５８ｂは処理容器５０の底面に設けられた排気部であり、排気部５８ｂから所定の排気量で排気すると共に、フィルタユニット５８ａから所定流量の、温度と湿度とが調整された清浄気体を供給することにより、処理容器５０内に清浄気体のダウンフローが形成され、メインアームＡの搬送領域Ｒ１よりも陽圧になるように設定されている。図中５９は、処理容器５０の搬送領域Ｒ１に臨む面に形成されたウエハＷの搬入出口であり、開閉シャッタ５９ａにより開閉自在に構成されている。
この塗布ユニット３２では、ウエハＷはメインアームＡにより搬入出口５９を介して処理容器５０内に搬入され、図示しない昇降ピンとの協働作業により、カップ５３よりも上方側に位置させたスピンチャック５１に受け渡される。そしてスピンチャック５１を処理位置まで下降させ、薬液ノズル５５から当該ウエハＷの中央部にレジスト液を供給すると共に、スピンチャック５１を回転させ、レジスト液を遠心力によりウエハＷの径方向に広げることにより、当該表面にレジストの液膜を形成させる。こうしてレジストの液膜が形成されたウエハＷは搬入出口５９を介してメインアームＡにより塗布ユニット３２の外部に搬出される。
In the
前記第１の反射防止膜ユニット３１は、レジスト液を塗布する前にウエハＷに反射防止膜用の薬液を塗布するためのもの、第２の反射防止膜ユニット３２は、レジスト液を塗布した後にウエハＷに反射防止膜用の薬液を塗布するためのものであり、これらのユニット３１，３３は、薬液ノズルから夫々反射防止膜用の薬液を供給する以外は、夫々塗布ユニット３２と同様に構成される。そして塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５では、これら第１及び第２の反射防止膜ユニット３１，３３、塗布ユニット３２が夫々収納容器５０に収納されて、搬送領域Ｒ１に臨むように横方向（Ｙ軸方向）に配列した状態で共通のベースプレート４３に設けられている。
The first
また現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２には、液処理ユニットとして３個の現像ユニットが搬送領域Ｒ１に臨むように横方向（Ｙ軸方向）に並んで設けられるが、この現像ユニットは、薬液ノズルの長さ方向に亘って現像液の供給領域が形成されていて、ウエハＷの直径方向に現像液を供給するように構成され、洗浄液ノズルを備える点以外は、塗布ユニット３２とほぼ同様に構成されている。洗浄液ノズルは、薬液ノズルと同様に構成され、移動機構により前記ガイドレールに沿って移動自在、かつ昇降自在に構成されてスピンチャックに保持されたウエハＷに対して洗浄液を供給するようになっている。
Further, in the unit blocks B1 and B2 for development processing, three development units as liquid processing units are provided side by side in the horizontal direction (Y-axis direction) so as to face the transport region R1. A developer supply region is formed over the length direction of the nozzle, is configured to supply the developer in the diameter direction of the wafer W, and is substantially the same as the
このような現像ユニットでは、メインアームＡにより搬入出口を介して処理容器内にウエハＷが搬入され、スピンチャックにウエハＷが受け渡される。そして薬液ノズルから当該ウエハＷの中央部に現像液を供給すると共に、スピンチャックにより例えばウエハＷを半回転させ、これにより現像液をウエハＷの全面に供給する。そして所定時間経過後、洗浄液ノズルからウエハＷに洗浄液を供給し、ウエハＷ表面の現像液を洗い流し、その後ウエハＷを回転させて乾燥させることにより現像処理を終了する。 In such a developing unit, the wafer W is loaded into the processing container by the main arm A via the loading / unloading port, and the wafer W is delivered to the spin chuck. Then, the developing solution is supplied from the chemical solution nozzle to the central portion of the wafer W, and for example, the wafer W is rotated by a half rotation by the spin chuck, whereby the developing solution is supplied to the entire surface of the wafer W. Then, after a predetermined time has passed, the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid nozzle to the wafer W, the developer on the surface of the wafer W is washed away, and then the wafer W is rotated and dried to complete the developing process.
またこの現像ユニットでは、洗浄液ノズルを別個に設ける代わりに、塗布ユニット３２のサイドリンス機構５７と同様の構成の、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成された洗浄機構を設け、これにより、スピンチャックに保持されたウエハＷの中央部に洗浄液を供給するようにしてもよい。
Further, in this developing unit, instead of providing the cleaning liquid nozzle separately, a cleaning mechanism having the same configuration as the side rinse
またメインアームＡは、例えば図４に示すように、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本のアーム６１，６２を備えており、これらアーム６１，１６２は基台６３に沿って互いに独立して進退自在に構成されている。またこの基台６３は回転機構６４により鉛直軸回りに回転自在に構成される共に、移動機構６５により、棚ユニットＵ１を支持する台部６６の搬送領域Ｒ１に臨む面に取り付けられたＹ軸レール６７に沿ってＹ軸方向に移動自在、かつ昇降レール６８に沿って昇降自在に構成されている。こうしてアーム６１，６２は、進退自在、Ｙ軸方向に移動自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成され、棚ユニットＵ１の各ユニットや第１及び第２の受け渡しステージ、液処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。このようなメインアームＡは、後述する制御部からの指令に基づいて図示しないコントローラにより駆動が制御される。またアームの加熱ユニットでの蓄熱を防止するために、ウエハＷの受け取り順番をプログラムで任意に制御できるようになっている。
Further, as shown in FIG. 4, for example, the main arm A includes two
また前記インターフェイスアームＥは、例えば図８に示すように、ウエハＷの裏面側中央領域を支持するための１本のアーム７１が基台７２に沿って進退自在に設けられている。前記基台７２は、昇降台７３に回転機構７４により鉛直軸回りに回転自在に取り付けられ、前記昇降台７３は昇降レール７５に沿って昇降自在に設けられている。また例えば昇降レール７５は、Ｘ軸レール７６に沿ってＸ軸方向に移動自在に設けられている。こうしてアーム７１は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Ｘ軸方向に移動自在に構成され、棚ユニットＵ２の第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０、バッファ８３との間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。
For example, as shown in FIG. 8, the interface arm E is provided with a
前記第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２も、鉛直軸回りに回転せず、Ｘ軸方向に移動しない他は、インターフェイスアームＥと同様に構成されている。このような第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２、インターフェイスアームＥは、後述する制御部からの指令に基づいて図示しないコントローラにより駆動が制御される。 The first and second transfer arms D1, D2 are also configured in the same manner as the interface arm E, except that they do not rotate around the vertical axis and do not move in the X-axis direction. The driving of the first and second delivery arms D1 and D2 and the interface arm E is controlled by a controller (not shown) based on a command from a control unit described later.
ここで前記加熱ユニット（ＣＨＰ３１〜５３、ＰＯＳＴ１，２、ＰＥＢ１，２）としては、図１に示すように、加熱プレート４５と、搬送アームを兼用する冷却プレート４４とを備え、メインアームＡと加熱プレート４５との間のウエハＷの受け渡しを冷却プレート４４により行なう、加熱冷却を１つのユニットにて行うことができる構成の装置が用いられ、冷却ユニット（ＣＯＬ１〜ＣＯＬ５３）としては、例えば水冷方式の冷却プレートを備えた構成の装置が用いられる。なお前記疎水化処理ユニットは、ＨＭＤＳ雰囲気中でガス処理を行なうものである。
Here, as the heating units (
以上において、上述のレジストパターン形成装置は、目的とする塗布膜に応じて用意されるプロセスレシピや、ウエハＷの搬送経路を示した搬送レシピの作成や管理、各処理ユニットにおける処理や、メインアームＡ１〜Ａ５、トランスファーアームＣ、第１及び第２の受け渡しアームＤ１，Ｄ２、インターフェイスアームＥの駆動制御を行うコンピュータからなる制御部１００を備えている。 In the above, the resist pattern forming apparatus described above creates and manages a process recipe prepared according to a target coating film, a transfer recipe showing the transfer path of the wafer W, a process in each processing unit, and a main arm. A control unit 100 including a computer that controls driving of A1 to A5, transfer arm C, first and second transfer arms D1 and D2, and interface arm E is provided.
本発明では、現像処理用の第１及び第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２と、塗布膜形成用の第３〜第５の単位ブロックＢ３〜Ｂ５とが用意されているが、各塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５では、単位ブロックＢ３〜Ｂ５単位で塗布膜が形成され、この塗布膜を形成するための一連の処理が完結されるようになっている。また現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２でも単位ブロック単位で一連の処理が完結されるようになっている。 In the present invention, first and second unit blocks B1 and B2 for development processing and third to fifth unit blocks B3 to B5 for forming a coating film are prepared. In the unit blocks B3 to B5, a coating film is formed in the unit blocks B3 to B5, and a series of processes for forming the coating film is completed. In addition, a series of processing is completed in units of unit blocks B1 and B2 for development processing.
前記搬送レシピは、目的とする塗布膜の種類に応じて、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５内及び現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２内のウエハＷの搬送経路が、例えば使用されるモジュールを、使用する順序に沿って記載することにより作成され、こうして制御部１００には、塗布膜毎に複数個の搬送レシピが格納されている。ここで塗布膜の種類には、例えばレジスト膜の上下に反射防止膜を形成する場合、レジスト膜の上下のいずれか一方に反射防止膜を形成する場合、反射防止膜を形成しない場合の他、レジスト膜や反射防止膜の種類を変えた場合や、レジスト膜や反射防止膜の厚さを変えた場合がある。同じ塗布膜とはレジスト膜や反射防止膜等の種類や厚さが同じであり、加熱ユニットや冷却ユニットでの処理条件（処理温度や処理時間）が同じものをいい、これ以外の塗布膜は違う塗布膜とする。 In the transfer recipe, for example, the transfer path of the wafer W in the unit blocks B3 to B5 for coating film formation and the unit blocks B1 and B2 for development processing is used according to the type of the target coating film. The modules are created by describing them in the order in which they are used. Thus, the control unit 100 stores a plurality of transfer recipes for each coating film. Here, for example, in the case of forming an antireflection film on the upper and lower sides of the resist film, in the case of forming the antireflection film on either the upper and lower sides of the resist film, in the case of not forming the antireflection film, There are cases where the type of the resist film or the antireflection film is changed or the thickness of the resist film or the antireflection film is changed. The same coating film has the same type and thickness of resist film, antireflection film, etc., and the processing conditions (processing temperature and processing time) in the heating unit and cooling unit are the same. Use a different coating film.
こうして制御部１００では、複数の搬送レシピから、形成しようとする塗布膜の種類に応じて所定の搬送レシピを選択することにより、結果としてウエハＷが搬送される塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５と、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２とが指定され、指定された単位ブロックＢ１〜Ｂ５では、所定の搬送経路でウエハＷが搬送され、一連の処理が行われるようになっている。 In this way, the control unit 100 selects a predetermined transfer recipe from a plurality of transfer recipes according to the type of the coating film to be formed, and as a result, unit blocks B3 to B for forming the coating film on which the wafer W is transferred. B5 and development processing unit blocks B1 and B2 are designated, and in the designated unit blocks B1 to B5, the wafer W is transported through a predetermined transport path, and a series of processing is performed.
続いてこのレジストパターン形成装置の作用について、ロットＡのウエハＷに対しては、第３の単位ブロックＢ３にて搬送レシピＡに従ってウエハＷを搬送して第１の塗布膜を形成し、ロットＢのウエハＷに対しては第４の単位ブロックＢ４にて搬送レシピＢに従ってウエハＷを搬送して第２の塗布膜を形成し、ロットＣのウエハＷに対しては第５の単位ブロックＢ５にて搬送レシピＣに従ってウエハＷを搬送して第３の塗布膜を形成する場合を例にして説明する。 Subsequently, regarding the operation of the resist pattern forming apparatus, for the wafer W of lot A, the first coating film is formed by transferring the wafer W in accordance with the transfer recipe A in the third unit block B3. The wafer W is transferred to the fourth unit block B4 according to the transfer recipe B to form a second coating film, and the wafer W of the lot C is transferred to the fifth unit block B5. A case where the third coating film is formed by transferring the wafer W according to the transfer recipe C will be described as an example.
先ず処理を行なう前に、オペレータが、ウエハＷのロットと、このロットに対応する搬送レシピを選択する。具体的には、例えばロットＡのウエハＷに対しては搬送レシピＡ（第３の単位ブロック３にて第１の塗布膜を形成するレシピ）を選択し、ロットＢのウエハＷに対しては搬送レシピＢ（第４の単位ブロックＢ４にて第２の塗布膜を形成するレシピ）、ロットＣのウエハＷに対しては搬送レシピＣ（第５の単位ブロックＢ５にて第３の塗布膜を形成するレシピ）を選択し、ロットＡ、ロットＢ、ロットＣのウエハＷが順番にトランスファーアームＣにより払い出されるようにする。ここで夫々の搬送レシピには、現像処理を行なう際の単位ブロックＢ１，Ｂ２内の搬送経路についても記載されている。 First, before processing, the operator selects a lot of wafers W and a transfer recipe corresponding to the lot. Specifically, for example, the transfer recipe A (recipe for forming the first coating film in the third unit block 3) is selected for the wafer W of the lot A, and the wafer W of the lot B is selected. Transfer recipe B (recipe for forming the second coating film in the fourth unit block B4), and transfer recipe C (the third coating film in the fifth unit block B5) for the wafer W of the lot C The recipe W to be formed is selected, and the wafers W of lot A, lot B, and lot C are discharged by the transfer arm C in order. Here, each conveyance recipe also describes the conveyance paths in the unit blocks B1 and B2 when the development process is performed.
ここで前記第１の塗布膜はレジスト膜の上下に夫々反射防止膜を形成する場合、第２の塗布膜はレジスト膜の上に反射防止膜を形成する場合であって、第３の塗布膜はレジスト膜の下に反射防止膜を形成する場合として説明する。この際第１〜第３の塗布膜は、夫々のレジストの種類が異なり、加熱ユニットでの加熱温度や、冷却ユニットでの冷却温度が異なるものとする。 Here, the first coating film is a case where an antireflection film is formed above and below the resist film, and the second coating film is a case where an antireflection film is formed on the resist film. Will be described as a case where an antireflection film is formed under the resist film. At this time, the first to third coating films have different resist types, and the heating temperature in the heating unit and the cooling temperature in the cooling unit are different.
先ず外部からロットＡのウエハＷＡを含むキャリア２０Ａと、ロットＢのウエハＷＢを含むキャリア２０Ｂと、ロットＣのウエハＷＣを含むキャリア２０Ｃとがキャリアブロック２１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ内から順番にウエハＷＡ，ウエハＷＢ，ウエハＷＣが取り出される。
First, the carrier 20A including the wafer WA of the lot A, the carrier 20B including the wafer WB of the lot B, and the carrier 20C including the wafer WC of the lot C are loaded into the
続いてウエハＷＡ〜ＷＣは、トランスファーアームＣにより、先ず第２の単位ブロックＢ２の棚ユニットＵ５の第１の受け渡しステージＴＲＳーＦに順番に受け渡され、次いでウエハＷＡは、第１の受け渡しアームＤ１により第１の受け渡し部ＴＲＳ３を介して、単位ブロックＢ３のメインアームＡ３に受け渡され、ウエハＷＢは、第１の受け渡しアームＤ１により第１の受け渡し部ＴＲＳ４を介して、単位ブロックＢ４のメインアームＡ４に受け渡され、ウエハＷＣは、第１の受け渡しアームＤ１により第１の受け渡し部ＴＲＳ５を介して、単位ブロックＢ５のメインアームＡ５に受け渡される。 Subsequently, the wafers WA to WC are first transferred by the transfer arm C to the first transfer stage TRS-F of the shelf unit U5 of the second unit block B2, and then the wafer WA is transferred to the first transfer arm. D1 is transferred to the main arm A3 of the unit block B3 via the first transfer unit TRS3, and the wafer WB is transferred to the main of the unit block B4 by the first transfer arm D1 via the first transfer unit TRS4. The wafer WC is transferred to the arm A4, and the wafer WC is transferred by the first transfer arm D1 to the main arm A5 of the unit block B5 via the first transfer portion TRS5.
そして第３の単位ブロックＢ３では、メインアームＡ３により、冷却ユニット（ＣＯＬ３１）→第１の反射防止膜ユニット３１→加熱ユニット（ＣＨＰ３１）の順序で搬送されて、ウエハＷＡ表面に第１の反射防止膜が形成される。次いでウエハＷは冷却ユニット（ＣＯＬ３２）→塗布ユニット３２→加熱ユニット（ＣＨＰ３２）の順序で搬送されて、第１の反射防止膜の上にレジスト膜が形成される。次いでウエハＷＡは、冷却ユニット（ＣＯＬ３３）→第２の反射防止膜ユニット３３→加熱ユニット（ＣＨＰ３３）→周縁露光装置（ＷＥＥ）→棚ユニットＵ６の第２の受け渡しステージＴＲＳ８の順序で搬送されて、レジスト膜の上に第２の反射防止膜が形成される。
また第４の単位ブロックＢ４では、メインアームＡ４により、疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）→冷却ユニット（ＣＯＬ４２）→塗布ユニット３２→加熱ユニット（ＣＨＰ４２）の順序で搬送されて、ウエハＷＢの上にレジスト膜が形成される。次いでウエハＷＢは、冷却ユニット（ＣＯＬ４３）→第２の反射防止膜ユニット３３→加熱ユニット（ＣＨＰ４３）→周縁露光装置（ＷＥＥ）→棚ユニットＵ２の第２の受け渡しステージＴＲＳ９の順序で搬送されて、レジスト膜の上に第２の反射防止膜が形成される。
In the third unit block B3, the main arm A3 carries the cooling unit (COL31) → the first
Further, in the fourth unit block B4, the main arm A4 carries the hydrophobic treatment unit (ADH) → the cooling unit (COL42) → the
また第５の単位ブロックＢ５では、メインアームＡ５により、冷却ユニット（ＣＯＬ５１）→第１の反射防止膜ユニット３１→加熱ユニット（ＣＨＰ５１）の順序で搬送されて、ウエハＷＣ表面に第１の反射防止膜が形成される。次いでウエハＷＣは疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）→冷却ユニット（ＣＯＬ５２）→塗布ユニット３２→加熱ユニット（ＣＨＰ５２）→周縁露光装置（ＷＥＥ）→棚ユニットＵ２の第２の受け渡しステージＴＲＳ１０の順序で搬送されて、レジスト膜の上に第２の反射防止膜が形成される。
In the fifth unit block B5, the main arm A5 carries the cooling unit (COL51) → the first
続いて第２の受け渡しステージＴＲＳ８のウエハＷＡ，受け渡しステージＴＲＳ９のウエハＷＢ、受け渡しステージＴＲＳ１０のウエハＷＣは、夫々インターフェイスアームＥにより露光装置Ｓ４に予め設定された順番に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。露光処理後のウエハＷＡ〜ＷＣは、インターフェイスアームＥにより、予め設定された搬送レシピに従って第１及び第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２にウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ６の第２の受け渡しステージＴＲＳ６（ＴＲＳ７）に搬送され、このステージＴＲＳ６（ＴＲＳ７）上のウエハＷは、単位ブロックＢ１（Ｂ２）のメインアームＡ１（Ａ２）に受け取られ、当該単位ブロックＢ１（Ｂ２）にて、先ず加熱ユニット（ＰＥＢ１（ＰＥＢ２））→冷却ユニット（ＣＯＬ１（ＣＯＬ２））→現像ユニット→加熱ユニット（ＰＯＳＴ１（ＰＯＳＴ２））の順序で搬送され、所定の現像処理が行われる。こうして現像処理が行われたウエハＷＡ〜ＷＣは、トランスファーアームＣにウエハＷを受け渡すために、第１の受け渡しステージＴＲＳ１（ＴＲＳ２）に順次搬送され、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃに戻される。 Subsequently, the wafer WA of the second transfer stage TRS8, the wafer WB of the transfer stage TRS9, and the wafer WC of the transfer stage TRS10 are each transferred by the interface arm E to the exposure apparatus S4 in a preset order, where predetermined exposure is performed. Processing is performed. The wafers WA to WC after the exposure processing are transferred by the interface arm E to the second delivery of the shelf unit U6 in order to deliver the wafer W to the first and second unit blocks B1 and B2 in accordance with a preset transfer recipe. The wafer W transferred to the stage TRS6 (TRS7) and received on the stage TRS6 (TRS7) is received by the main arm A1 (A2) of the unit block B1 (B2), and is first heated in the unit block B1 (B2). It is conveyed in the order of unit (PEB1 (PEB2)) → cooling unit (COL1 (COL2)) → developing unit → heating unit (POST1 (POST2)), and a predetermined developing process is performed. The wafers WA to WC thus developed are sequentially transferred to the first transfer stage TRS1 (TRS2) in order to transfer the wafer W to the transfer arm C, and placed on the carrier block S1 by the transfer arm C. Returned to the original carrier 20A, 20B, 20C.
このようなレジストパターン形成装置では、各塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５と、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２とを異なるエリアに設け、夫々に専用のメインアームＡを設けたので、メインアームＡの負荷が軽減する。このためメインアームＡの搬送効率が向上するので、結果としてスループットを高めることができる。 In such a resist pattern forming apparatus, the unit blocks B3 to B5 for forming each coating film and the unit blocks B1 and B2 for development processing are provided in different areas, and a dedicated main arm A is provided for each. The load on the main arm A is reduced. For this reason, since the transfer efficiency of the main arm A is improved, the throughput can be increased as a result.
また塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５の夫々に、第１の反射防止膜ユニット３１、塗布ユニット３２、第２の反射防止膜ユニット３３を備えているので、搬送レシピにより選択することにより、１つの単位ブロックＢ３（Ｂ４，Ｂ５）にて反射防止膜を形成する場合、しない場合のいずれにも対応することができる。さらに複数の塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５を互いに積層して設けることにより、品種の異なる塗布膜の形成に対応するためにモジュール数が多くなっても、これらモジュールを各単位ブロックＢ３〜Ｂ５に分散して設けることができるので、処理ブロックＳ２の大型化を抑え、省スペース化を図ることができる。
In addition, since each of the unit blocks B3 to B5 for forming the coating film includes the first
なお上述の実施の形態で反射防止膜を形成しない処理を行なう場合には、例えばウエハＷは、キャリア２０→トランスファーアームＣ→棚ユニットＵ２の第１の受け渡しステージＴＲＳーＦ→第１の受け渡しアームＤ１→第１の受け渡しステージＴＲＳ３〜ＴＲＳ５→単位ブロックＢ３〜Ｂ５のメインアームＡ３〜Ａ５→疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）→冷却ユニット（ＣＯＬ３２〜ＣＯＬ５２）→塗布ユニット３２→加熱ユニット（ＣＨＰ３２〜ＣＨＰ５２）→周縁露光装置（ＷＥＥ）→棚ユニットＵ３の第２の受け渡しステージＴＲＳ８〜ＴＲＳ１０→インターフェイスアームＥ→露光装置Ｓ４→インターフェイスアームＥ→第２の受け渡しステージＴＲＳ６,ＴＲＳ７→単位ブロックＢ１，Ｂ２の経路で搬送される。
In the above-described embodiment, when the process without forming the antireflection film is performed, for example, the wafer W is transferred from the
この際、搬送レシピを指定することにより、各単位ブロックＢ３〜Ｂ５では、夫々独立してウエハＷの搬送が行なわれ、例えば第３の単位ブロックＢ３で第１の塗布膜を形成する処理と、第４の単位ブロックＢ４にて第２の塗布膜を形成する処理と第５の単位ブロックＢ５にて第３の塗布膜を形成する処理とが同時に行なわれる。このため複数の単位ブロックで異なる処理を同時に行うことができるので、少量多品種の塗布膜の形成に適している。ここで同時に塗布膜の形成が行なわれるとは、単位ブロックＢ３〜Ｂ５の少なくとも２つの単位ブロック内にウエハＷが置かれている状態をいう。 At this time, by specifying the transfer recipe, the wafer W is transferred independently in each of the unit blocks B3 to B5. For example, a process of forming the first coating film in the third unit block B3; The process of forming the second coating film in the fourth unit block B4 and the process of forming the third coating film in the fifth unit block B5 are performed simultaneously. For this reason, since different processes can be simultaneously performed in a plurality of unit blocks, it is suitable for forming a small amount of various types of coating films. Here, the simultaneous formation of the coating film means a state in which the wafer W is placed in at least two unit blocks B3 to B5.
また塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５のうちのいずれか、又は現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２のいずれかにおいて、処理の途中で液処理ユニットや加熱ユニット等のモジュールやメインアームＡ１〜Ａ５が故障したり、メインアームＡ１〜Ａ５と各モジュールとの間で所定のタイミングでウエハＷの受け渡しが行なうことができない場合などの何らかの異常が発生した場合、当該単位ブロックへのウエハＷの搬送を停止する一方、他の残りの単位ブロックにはウエハＷの搬送を続行することにより、処理を続行することができる。 Further, in any of the unit blocks B3 to B5 for coating film formation or in any of the unit blocks B1 and B2 for development processing, a module such as a liquid processing unit or a heating unit or a main arm A1 to A1 during the processing. When an abnormality occurs such as when A5 fails or when the wafer W cannot be delivered between the main arms A1 to A5 and each module at a predetermined timing, the wafer W is transferred to the unit block. While the process is stopped, the process can be continued by continuing the transfer of the wafer W to the other remaining unit blocks.
この場合には、制御部１００に、ある単位ブロックにてトラブルが発生した時点で、当該単位ブロックではメインアームを停止するプログラムと、この際アラーム等でオペレータに知らせるプログラムと、例えばトランスファーアームＣに、トラブルが発生した単位ブロックにはウエハＷを搬送しない指令を出力するプログラムと、トランスファーアームＣに、トラブルが発生した単位ブロック以外の単位ブロックにはウエハＷを搬送する指令を出力するプログラムと、を格納しておく。 In this case, when trouble occurs in a certain unit block in the control unit 100, a program for stopping the main arm in the unit block, a program for notifying the operator by an alarm or the like, and a transfer arm C, for example, A program for outputting a command not to transfer the wafer W to the unit block in which the trouble has occurred, a program for outputting a command to transfer the wafer W to the unit block other than the unit block in which the trouble has occurred, to the transfer arm C, Is stored.
これによりトラブルが発生した単位ブロックに対してはウエハＷの搬送が停止され、それ以外の単位ブロックではウエハＷの搬送が行われて、所定の処理が続行される。このためトラブルが発生した単位ブロック以外の単位ブロックでは装置を稼動させることができるので、装置を停止する場合に比べてスループットを高くすることができる。 Thereby, the transfer of the wafer W is stopped for the unit block in which the trouble has occurred, and the transfer of the wafer W is performed for the other unit blocks, and the predetermined process is continued. For this reason, since the apparatus can be operated in the unit blocks other than the unit block in which the trouble has occurred, the throughput can be increased as compared with the case where the apparatus is stopped.
ここで例えば３つの塗布膜形成用の単位ブロックを用いて処理を行なっている場合には、これら３つの単位ブロックの夫々にウエハＷが分散されるように搬送されるので、１つの処理ブロックに塗布ユニットや現像ユニット、加熱ユニット等の全てのモジュールが設けられている場合に比べて、１つの単位ブロック内に滞在するウエハＷが少ない。従って１つの単位ブロックでトラブルがあったとしても、この単位ブロック内に存在し、処理が途中で中断されたために回収されるウエハＷが、前記１つの処理ブロックＳに全てのモジュールが設けられている場合に比べて少ない。このため例えば洗浄処理等の、前記回収されたウエハＷを再使用するための処理の負担が少なくなる。 Here, when processing is performed using, for example, three unit blocks for forming a coating film, the wafer W is transferred so as to be dispersed in each of these three unit blocks, so that one processing block is used. The number of wafers W staying in one unit block is smaller than when all modules such as a coating unit, a developing unit, and a heating unit are provided. Therefore, even if there is a trouble in one unit block, the wafer W that is present in this unit block and is recovered because the process is interrupted is all provided in the one processing block S. Less than if there is. For this reason, the burden of processing for reusing the collected wafer W such as cleaning processing is reduced.
また上述のようにロットＡ，ロットＢ，ロットＣの処理を並列に行なうのではなく、先ずロットＡのウエハＷに対して第１の塗布膜の形成を行なった後、次いでロットＢのウエハＷに対して第２の塗布膜の形成を行なう場合を想定すると、塗布ユニットや現像ユニットや加熱ユニット等のモジュールが同じ処理ブロックに設けられている構成では、これら第１の塗布膜と第２の塗布膜とは加熱ユニットにおけるウエハＷの加熱温度が異なるので、第１の塗布膜と第２の塗布膜とのロットの切り替えのときに、前記加熱温度の調整を行わなくてはならない。この際この温度の調整にある程度の時間がかかるので、ロットＡの処理が終了してからロットＢの処理を開始するまでにある程度の時間が必要であり、装置が稼動しない時間が長くなって、スループットが低下してしまう。 Also, as described above, the processing of lot A, lot B, and lot C is not performed in parallel, but first the first coating film is formed on the wafer W of lot A, and then the wafer W of lot B Assuming that the second coating film is formed, the first coating film and the second coating film are configured in a configuration in which modules such as a coating unit, a developing unit, and a heating unit are provided in the same processing block. Since the heating temperature of the wafer W in the heating unit is different from that of the coating film, the heating temperature must be adjusted when the lot is switched between the first coating film and the second coating film. At this time, since it takes a certain time to adjust the temperature, a certain amount of time is required from the end of the processing of the lot A until the processing of the lot B is started. Throughput decreases.
これに対して本発明のように、複数の塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５を備える場合には、いずれかの単位ブロックにてロットＡのウエハＷに対して第１の塗布膜の形成を行なった後、次いで前記第１の塗布膜の形成を行う単位ブロックとは別の塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５にてロットＢのウエハＷに対して第２の塗布膜の形成を行なうように、ウエハＷの搬送を行なうことにより、ロットＢのウエハＷを搬送する単位ブロックにて予め加熱ユニットの温度調整を行なうことができるので、ロットＡの処理が終了してから、直ちにロットＢの処理を開始することができ、装置が稼動しない時間が発生しないので、スループットの低下が抑えられるという利点もある。 On the other hand, when the plurality of unit blocks B3 to B5 for forming a coating film are provided as in the present invention, the first coating film is formed on the wafer W of the lot A in any unit block. Then, the second coating film is formed on the wafer W of the lot B in the unit blocks B3 to B5 for forming the coating film different from the unit block for forming the first coating film. As described above, since the wafer W is transferred, the temperature of the heating unit can be adjusted in advance in the unit block for transferring the wafer W of the lot B. Therefore, the lot is immediately processed after the processing of the lot A is completed. Since the process B can be started and no time for the apparatus to operate does not occur, there is an advantage that a decrease in throughput can be suppressed.
さらにまた上述の実施の形態では、１つの塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５にて、露光処理前までの塗布膜形成のための一連の処理を完結しているので、前記塗布膜の形成を１つの単位ブロックＢ３〜Ｂ５内で行うことができ、塗布膜形成のために異なる単位ブロックにウエハＷを搬送する場合に比べて、単位ブロック同士の間のウエハＷの搬送がないので、経路が単純化し、ウエハＷの搬送効率を高めることができる。 Furthermore, in the above-described embodiment, a series of processes for forming a coating film before exposure processing is completed in one unit block B3 to B5 for forming a coating film. Can be performed in one unit block B3 to B5, and there is no transfer of the wafer W between the unit blocks as compared with the case where the wafer W is transferred to different unit blocks for forming a coating film. Can be simplified and the transfer efficiency of the wafer W can be improved.
また５層の単位ブロックＢ１〜Ｂ５に対してウエハＷの受け渡しを行うための受け渡しアームと受け渡しステージとを、処理ブロックＳ２のキャリアブロックＳ１に隣接する領域と、インターフェイスブロックＳ３に隣接する領域の両方に設けているので、ウエハＷをキャリアブロックＢ→各塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５→インターフェイスブロックＢと一方向でスムーズに搬送することができ、搬送経路が単純化されるので、搬送効率が高くなる。 In addition, a transfer arm and a transfer stage for transferring the wafer W to the five-layer unit blocks B1 to B5 are provided in both the area adjacent to the carrier block S1 and the area adjacent to the interface block S3 in the processing block S2. Since the wafer W can be smoothly transferred in one direction from the carrier block B to the unit blocks B3 to B5 for forming each coating film and the interface block B, the transfer path is simplified. Increases efficiency.
さらにまた各単位ブロック間の間でウエハＷの受け渡しを行なうための第１及び第２の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ１０と、この受け渡しステージにアクセスするための専用の受け渡しアームＤ１，Ｄ２とを設けているので、各単位ブロック間のウエハＷの搬送系の構成がシンプルなものとなる。 Furthermore, first and second transfer stages TRS1 to TRS10 for transferring the wafer W between the unit blocks and dedicated transfer arms D1 and D2 for accessing the transfer stage are provided. Therefore, the configuration of the transfer system for the wafer W between the unit blocks is simplified.
ここで塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５や、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２は、既述のように夫々同じ単位ブロックにより構成され、つまり液処理ユニット、加熱ユニット、冷却ユニット、メインアームＡの配置レイアウトが塗布膜形成用の単位ブロック同士、現像処理用の単位ブロック同士の間で同じになるように構成されているので、塗布液や現像液等の薬液の配管や、排液路や排気路等の配管を近くにまとめることができ、また電気系統のケーブル等も近くにまとめることができて、前記配管やケーブル等の引き回しが単純化し、組み立て作業が容易となる。このため製造に要する時間の短縮を図ると共に、製造スループットが高まるので製造コストを低減することができる。 Here, the unit blocks B3 to B5 for coating film formation and the unit blocks B1 and B2 for development processing are each constituted by the same unit block as described above, that is, a liquid processing unit, a heating unit, a cooling unit, a main unit. Since the arrangement layout of the arm A is the same between the unit blocks for coating film formation and between the unit blocks for development processing, piping for chemical solutions such as coating solution and developer, and drainage Pipes such as roads and exhaust paths can be gathered close together, and cables and the like of electrical systems can be gathered nearby, and the routing of the pipes and cables and the like is simplified and assembly work is facilitated. Therefore, the manufacturing time can be shortened and the manufacturing throughput can be increased, so that the manufacturing cost can be reduced.
またこのように塗布膜形成用の単位ブロック、現像処理用の単位ブロックとして、夫々同じ単位ブロックを製造すればよいので、構成が異なる単位ブロックを製造する場合に比べて製造作業が容易となり、製造ミスが少なくなる。このため製造スループットが高まり、製造コストを低減することができる。また共通の部材を用いることができるので、この点からも製造コストの低減に貢献することができる。さらに同じ単位ブロックにより構成すれば、既述のように製造ミスが少なくなるため、精度が高くなり、調整が容易となる。このため、調整に要する時間が短縮されるという利点もある。 In addition, since the same unit block may be manufactured as the unit block for coating film formation and the unit block for development processing in this way, the manufacturing work becomes easier compared with the case of manufacturing unit blocks having different configurations. There are fewer mistakes. For this reason, manufacturing throughput increases and manufacturing cost can be reduced. Moreover, since a common member can be used, it can contribute to reduction of manufacturing cost also from this point. Further, if the same unit block is used, manufacturing errors are reduced as described above, so that accuracy is increased and adjustment is facilitated. For this reason, there also exists an advantage that the time which adjustment requires is shortened.
以上においてこの実施の形態では、トランスファーアームＣが全ての単位ブロックＢ１〜Ｂ５の第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５に対してウエハＷの受け渡しを行なうように構成してもよいし、インターフェイスアームＥが単位ブロックＢ１〜Ｂ５の内のいずれかの第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０との間でのみウエハＷの受け渡しを行なうように構成してもよい。 As described above, in this embodiment, the transfer arm C may be configured to transfer the wafer W to the first transfer stages TRS1 to TRS5 of all the unit blocks B1 to B5. The wafer W may be transferred only between any of the second transfer stages TRS6 to TRS10 in the unit blocks B1 to B5.
続いて本発明の第２の実施の形態について図９に基づいて説明する。この例は、露光装置Ｓ４として、ウエハＷの表面に液層を形成して液浸露光を行なう装置を用いると共に、処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３との間に補助ブロックＳ５を設け、かつ塗布膜形成用の単位ブロックとして、例えば第５の単位ブロックＢ５の上層側に、第２の反射防止膜の上に撥水性の保護膜を形成するためのユニットを有する単位ブロック（図示せず）をさらに積層して設ける例である。前記撥水性の保護膜を形成するためのユニットとは、液浸露光対応時に求められる液処理ユニットである、液浸露光される際の液体がレジストに含浸されるのを防ぐための保護膜を塗布する撥水性保護膜塗布ユニットであり、またこの単位ブロックには露光後の保護膜の除去や露光前後にウエハＷに付着したパーティクルや、露光に支障をきたす成分を除去洗浄するための洗浄ユニットが設けられてもよい。 Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this example, an apparatus that forms a liquid layer on the surface of the wafer W and performs immersion exposure is used as the exposure apparatus S4, and an auxiliary block S5 is provided between the processing block S2 and the interface block S3. As a unit block for formation, for example, a unit block (not shown) having a unit for forming a water-repellent protective film on the second antireflection film on the upper side of the fifth unit block B5 is further provided. This is an example of stacking. The unit for forming the water-repellent protective film is a liquid processing unit required at the time of immersion exposure, and a protective film for preventing the resist from being impregnated with the liquid at the time of immersion exposure. This is a water repellent protective film coating unit to be applied, and this unit block has a cleaning unit for removing and cleaning the protective film after exposure, removing particles adhering to the wafer W before and after exposure, and components that hinder exposure. May be provided.
前記補助ブロックＳ５には、塗布膜形成後露光処理前及び／又は露光処理後現像処理前並びに現像処理後の処理を行なうユニット、例えば布膜形成後露光処理前に行う検査や、露光処理後現像処理前の検査や、現像処理後の検査を行うための検査ユニット８１や、液浸露光後の例えば洗浄処理を行なうための洗浄ユニット８２と、インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＥとの間でウエハＷの受け渡しを行なうための受け渡しステージＴＲＳを多段に設けた棚ユニットＵ４と、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ３の例えば受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０と、検査ユニット８１と、洗浄ユニット８２と、棚ユニットＵ４の各部に対してウエハＷの受け渡しを行うための第３の受け渡しアームＦと、を備えている。これら検査ユニット８１や洗浄ユニット８２は多段に構成されてもよいし、受け渡しアームＦの両側に、洗浄ユニット８２又は検査ユニット１のみを設けるようにしてもよく、配置は自在である。
In the auxiliary block S5, a unit for performing processing after coating film formation before exposure processing and / or after exposure processing before development processing and after development processing, for example, inspection performed after fabric film formation and before exposure processing, development after exposure processing Wafer W between
前記第３の受け渡しアームＦは、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成され、前記塗布膜形成後露光処理前に行う検査としては、塗布膜の膜厚の検査や異物検査等があり、露光処理後現像処理前に行う検査としては、露光重ね合わせ検査等がある。またこれらに限らず、基板上のアライメントマークを検出するユニットや、レーザー処理により膜を一部除去するユニットを設けるようにしてもよい。 The third delivery arm F is configured to be movable back and forth, movable up and down, and rotatable about a vertical axis. Examples of inspections performed after the coating film formation and before the exposure process include a coating film thickness inspection and a foreign matter inspection. As an inspection performed after the exposure process and before the development process, there is an exposure overlay inspection or the like. Further, the present invention is not limited thereto, and a unit for detecting an alignment mark on the substrate and a unit for removing a part of the film by laser processing may be provided.
そして前記補助ブロックに設けられるユニットとしては、ウエハ表面の状態を検査するための、例えばウエハＷに形成された塗布膜の膜厚を検査するための膜厚検査ユニット、レジスト液の塗布ムラを検出するための塗布ムラ検出装置、露光前及び／又は露光後の基板を洗浄するための洗浄ユニット、露光装置にて生じるパターンの位置ずれを検出するためのデフォーカス検査装置、現像処理の不良を検出するための現像不良検出装置、ウエハＷに付着したパーティクル数を検出するためのパーティクル数検出装置、レジスト塗布後のウエハＷ表面にレジスト液中の気泡や異物によって発生するコメットを検出するためのコメット検出装置、ウエハＷ表面から飛び出したレジスト液の溶剤がウエハＷに再付着するスプラッシュバックを検出するスプラッシュバック検出装置、ウエハＷ表面の同一場所に同一の形状で現れる共通欠陥を検出する共通欠陥検出装置、現像処理後のウエハＷに残存するレジスト残渣を検出するためのスカム検出装置、レジスト塗布処理及び／又は現像処理がされていない不具合を検出するためのＮＯ ＲＥＳＩＳＴ，ＮＯ ＤＥＶＥＬＯＰ検査装置（不具合検出装置）、ウエハＷ上に形成されたレジスト膜の線幅を測定するための線幅測定装置、露光装置にて露光されたウエハＷとフォトマスクとの重ね合わせ精度を規格値と比較して検査するための重ね合わせ検査装置の少なくとも一つが設けられる。 As the unit provided in the auxiliary block, for example, a film thickness inspection unit for inspecting the state of the wafer surface, for example, inspecting the film thickness of the coating film formed on the wafer W, and detecting coating unevenness of the resist solution Coating unevenness detection device for cleaning, cleaning unit for cleaning a substrate before and / or after exposure, a defocus inspection device for detecting a positional deviation of a pattern generated in the exposure device, and a defect in development processing are detected Development defect detection device for detecting the number of particles adhering to the wafer W, and a comet for detecting comets generated by bubbles or foreign substances in the resist solution on the surface of the wafer W after resist coating Detection device detects splash back in which solvent of resist solution jumping out from wafer W surface reattaches to wafer W Splash back detection apparatus, common defect detection apparatus for detecting common defects appearing in the same shape at the same location on the surface of the wafer W, scum detection apparatus for detecting resist residue remaining on the wafer W after development processing, resist coating process And / or a NO RESIST, NO DEVELOP inspection apparatus (defect detection apparatus) for detecting defects that are not developed, a line width measuring apparatus for measuring the line width of the resist film formed on the wafer W, At least one overlay inspection apparatus for inspecting the overlay accuracy of the wafer W exposed by the exposure apparatus and the photomask by comparing with a standard value is provided.
前記デフォーカス検査は予め登録された正しいパターンとの比較によって露光装置における焦点ぼけを検出するものであり、線幅測定装置とは、例えば予め登録された正しいパターンとの比較によって露光装置における露光量や露光時間が適正がどうかを検出するものであり、重ね合わせ検査装置とは、例えば下層のパターンと比較できるようにされた特定の部位のパターンを、予め登録された正しいパターンと比較することによって露光装置における露光位置の位置ずれを検出するものである。 The defocus inspection detects defocus in the exposure apparatus by comparing with a pre-registered correct pattern, and the line width measuring apparatus is, for example, an exposure amount in the exposure apparatus by comparing with a pre-registered correct pattern. And the overlay inspection device, for example, by comparing a pattern of a specific part that can be compared with a lower layer pattern with a correct pattern registered in advance, for example. This is to detect a displacement of the exposure position in the exposure apparatus.
このような構成では、ウエハＷに対して露光後に洗浄処理を行なう場合には、例えば上述の第１の実施の形態と同様に、ウエハＷは、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５で第２の反射防止膜を形成した後、撥水性の保護膜を形成するための単位ブロックに搬送され、次いで棚ユニットＵ３の第２の受け渡しステージを介して補助ブロックＳ５の第３の受け渡しアームＦ→棚ユニットＵ４の受け渡しステージ→インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＥ→露光装置Ｓ４の経路で搬送され、露光後のウエハＷは、インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＥ→補助ブロックＳ５の棚ユニットＵ４の受け渡しステージ→第３の受け渡しアームＦ→洗浄ユニット８２→第３の受け渡しアームＦ→棚ユニットＵ３の受け渡しステージＴＲＳ６,ＴＲＳ７→メインアームＡ１，Ａ２→単位ブロックＢ１，Ｂ２の経路で搬送される。なお棚ユニットＵ４は、露光前、又は露光後のウエハＷを複数枚、ストックできるように構成してもよく、この場合には、図１の装置のインターフェイスブロックＳ３に設けられるバッファ８３と同様な目的で用いられる。
In such a configuration, when the cleaning process is performed on the wafer W after exposure, for example, as in the first embodiment described above, the wafer W is formed by the unit blocks B3 to B5 for forming the coating film. After the antireflection film of 2 is formed, the film is transferred to a unit block for forming a water-repellent protective film, and then the third transfer arm F of the auxiliary block S5 through the second transfer stage of the shelf unit U3. The delivery stage of the shelf unit U4 → the interface arm E of the interface block S3 → the exposure unit S4 is transported, and the exposed wafer W is the interface arm E of the interface block S3 → the delivery stage of the shelf unit U4 of the auxiliary block S5 → Third delivery arm F → cleaning
また各種の検査を行なう場合には、一定枚数おきに抜き出されたウエハＷに対して所定の検査が行なわれる。例えば塗布膜形成後の検査の場合には、露光装置Ｓ４に搬送される前に補助ブロックＳ５にて検査が行なわれ、露光後の検査の場合には露光装置Ｓ４から補助ブロックＳ５に戻ってきたウエハＷに対して検査が行なわれ、現像処理後の検査の場合には処理ブロックＳ２にて現像処理を行なった後、再び補助ブロックＳ５にウエハＷを搬送して検査が行なわれる。 When various inspections are performed, predetermined inspections are performed on the wafers W extracted every certain number. For example, in the case of inspection after the formation of the coating film, the inspection is performed in the auxiliary block S5 before being transferred to the exposure device S4, and in the case of inspection after the exposure, the exposure device S4 returns to the auxiliary block S5. An inspection is performed on the wafer W, and in the case of an inspection after the development processing, the development processing is performed in the processing block S2, and then the wafer W is transferred again to the auxiliary block S5 and the inspection is performed.
ここで前記第２の反射防止膜の上に形成される撥水性の保護膜を形成するのは、当該保護膜により液浸露光時の液体を弾き、前記液体をウエハＷの表面に残り難くするためであり、例えばウエハＷの表面及び周縁部裏面側に形成される。また液浸露光後の洗浄処理は、前記保護膜がウエハＷから剥がれてパーティクルの発生原因となることを抑えるために、この保護膜を除去するために行われるものであり、例えばウエハＷの表面及び裏面側周縁部に前記保護膜を除去するための薬液を供給して前記保護膜を除去し、次いで前記薬液を洗浄するための洗浄液を供給することにより行なわれる。 Here, the water-repellent protective film formed on the second antireflection film is formed by repelling the liquid at the time of immersion exposure by the protective film so that the liquid hardly remains on the surface of the wafer W. For example, it is formed on the front surface of the wafer W and the back surface of the peripheral portion. The cleaning process after immersion exposure is performed to remove the protective film in order to prevent the protective film from being peeled off from the wafer W and causing generation of particles. And the chemical | medical solution for removing the said protective film is supplied to a back surface side peripheral part, the said protective film is removed, and the cleaning liquid for wash | cleaning the said chemical | medical solution is then supplied.
この実施の形態では、処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３との間に、検査ユニットや洗浄ユニットを備えた補助ブロックＳ５を設けたので、例えば前記塗布膜形成後露光処理前に検査や洗浄を行なう場合、及び／又は露光処理後現像処理前に検査や洗浄を行なう場合、並びに現像処理後に検査や洗浄を行う場合に、処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３との間のウエハＷの通り道にて、前記検査や洗浄を行うことができる。このためウエハＷの搬送経路の複雑化を抑えながら、塗布膜形成後や露光処理後、現像処理後の適切なタイミングや検査や洗浄を行なうことができ、このような検査や洗浄を行なう場合であっても、搬送経路の複雑化を抑えることができる。 In this embodiment, since the auxiliary block S5 having an inspection unit and a cleaning unit is provided between the processing block S2 and the interface block S3, for example, when inspection or cleaning is performed after the coating film is formed and before the exposure processing is performed. And / or the inspection and cleaning after the exposure processing and before the development processing, and when the inspection and cleaning are performed after the development processing, the inspection is performed in the path of the wafer W between the processing block S2 and the interface block S3. And can be washed. For this reason, it is possible to carry out appropriate timing, inspection and cleaning after the coating film formation, after the exposure processing, and after the development processing, while suppressing the complexity of the transfer path of the wafer W. Even if it exists, complication of a conveyance path | route can be suppressed.
この実施の形態においても、反射防止膜を形成しない場合には、レジスト膜の上に前記保護膜を形成するようにしてもよいし、洗浄処理は、露光処理の前後のいずれか、又は露光処理の前後両方にて行うようにしてもよい。また保護膜を有しない場合には、前記洗浄ユニット８２は、単にウエハＷの汚れを除去するために使用される。
Also in this embodiment, when the antireflection film is not formed, the protective film may be formed on the resist film, and the cleaning process is performed either before or after the exposure process, or the exposure process. It may be performed both before and after. Further, when the protective film is not provided, the
以上において本発明では、第１〜第５の単位ブロックＢ１〜Ｂ５同士の間でのウエハＷの受け渡しを、前記第１の受け渡しアームＤ１又は第２の受け渡しアームＤ２のいずれか一方で行なうようにしてもよい。図１０，図１１に第１の受け渡しアームＤ１のみで５層の単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間でウエハＷの受け渡しを行なう場合の第３の単位ブロックＢ３について示す。 As described above, in the present invention, the transfer of the wafer W between the first to fifth unit blocks B1 to B5 is performed by either the first transfer arm D1 or the second transfer arm D2. May be. FIGS. 10 and 11 show the third unit block B3 when the wafer W is transferred between the unit blocks B1 to B5 of the five layers only by the first transfer arm D1.
この例が上述の実施の形態と異なる点は、受け渡しアームが第１の受け渡しアームＤ１のみであり、第２の受け渡しステージＴＲＳ１１，１２は、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２にのみ設けられ、これら単位ブロックＢ１，Ｂ２を介してキャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ２との間でウエハＷの受け渡しが行われる点であり、これら以外の構成は、上述の実施の形態と同様である。図１０，図１１中Ｕ５は、第２の受け渡しステージを多段に積層してなる第２の受け渡しステージ群を備えた棚ユニットであり、第２の受け渡しステージＴＲＳ１１，１２は例えば第１及び第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２の夫々に１個以上例えば２個設けられ、これら受け渡しステージＴＲＳ１１，１２はインターフェイス用受け渡しステージに相当する。 This example is different from the above-described embodiment in that the transfer arm is only the first transfer arm D1, and the second transfer stages TRS11 and 12 are provided only in the development processing unit blocks B1 and B2. The wafer W is transferred between the carrier block S1 and the interface block S2 via these unit blocks B1 and B2, and the other configuration is the same as that of the above-described embodiment. 10 and 11, U5 is a shelf unit including a second delivery stage group formed by stacking the second delivery stages in multiple stages. The second delivery stages TRS11 and 12 are, for example, first and second Each of the unit blocks B1 and B2 is provided with one or more, for example, two, and these delivery stages TRS11 and 12 correspond to interface delivery stages.
このレジストパターン形成装置におけるウエハＷの流れについて簡単に説明すると、先ずキャリアブロック２１に搬入されたキャリア２０から、トランスファーアームＣによりウエハＷが取り出されて、第２の単位ブロックＢ２の受け渡しステージＴＲＳーＦに受け渡される。次いでウエハＷを塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５に受け渡すために、第１の受け渡しアームＤ１により、第１の受け渡しステージＴＲＳ３〜ＴＲＳ５まで搬送し、当該単位ブロックＢ３〜Ｂ５のメインアームＡ３〜Ａ５に受け渡す。
The flow of the wafer W in this resist pattern forming apparatus will be briefly described. First, the wafer W is taken out by the transfer arm C from the
そして塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５では、既述のようにレジスト膜を含む塗布膜を形成するために各モジュールに順次搬送され、こうして塗布膜が形成されたウエハＷは受け渡しステージＴＲＳ３〜ＴＲＳ５に搬送される。 In the unit blocks B3 to B5 for forming the coating film, as described above, the wafer W is sequentially transferred to each module to form the coating film including the resist film, and the wafer W thus formed with the coating film is transferred to the transfer stages TRS3 to TRS3. Carried to TRS5.
次いで受け渡しステージＴＲＳ３〜ＴＲＳ５のウエハＷは第１の受け渡しアームＤ１により、受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２に搬送され、続いて単位ブロックＢ１，Ｂ２のメインアームＡ１，Ａ２により当該単位ブロックＢ１，Ｂ２の第２の受け渡しステージＴＲＳ６，ＴＲＳ７に搬送される。そして受け渡しステージＴＲＳ６，ＴＲＳ７のウエハＷは、インターフェイスアームＥにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。 Next, the wafers W of the transfer stages TRS3 to TRS5 are transferred to the transfer stages TRS1 and TRS2 by the first transfer arm D1, and then the second arms of the unit blocks B1 and B2 by the main arms A1 and A2 of the unit blocks B1 and B2. Are transferred to the delivery stages TRS6 and TRS7. The wafers W of the transfer stages TRS6 and TRS7 are transferred to the exposure apparatus S4 by the interface arm E, where a predetermined exposure process is performed.
露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＥにより、第２の受け渡しステージＴＲＳ６，ＴＲＳ７に搬送され、このステージＴＲＳ６,ＴＲＳ７上のウエハＷは、単位ブロックＢ１，Ｂ２のメインアームＡ１，Ａ２に受け取られ、当該単位ブロックＢ１，Ｂ２にて、既述の現像処理が行われる。こうして現像処理が行われたウエハＷは、トランスファーアームＣにウエハＷを受け渡すために、第１の受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２に搬送され、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
The wafer W after the exposure processing is transferred to the second delivery stages TRS6 and TRS7 by the interface arm E, and the wafer W on the stages TRS6 and TRS7 is received by the main arms A1 and A2 of the unit blocks B1 and B2. In the unit blocks B1 and B2, the above-described development processing is performed. The wafer W thus developed is transferred to the first transfer stages TRS1 and TRS2 in order to transfer the wafer W to the transfer arm C, and is placed on the carrier block S1 by the transfer arm C. Returned to the
この場合には、トランスファーアームＣを各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の第１の受け渡しステージに対してアクセス可能に構成し、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５とトランスファーアームＣとの間でウエハＷの受け渡しを行なうようにしてもよい。 In this case, the transfer arm C is configured to be accessible to the first transfer stage of each of the unit blocks B1 to B5, and the wafer W is interposed between the unit blocks B3 to B5 for forming the coating film and the transfer arm C. You may make it perform delivery of.
このような塗布、現像装置においても、上述の実施の形態と同様に、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５毎に専用のメインアームＡを設けることにより、メインアームＡの搬送効率が向上して、スループットを高めることができる。また塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５の夫々にて、反射防止膜を形成する場合、しない場合のいずれにも対応することができ、品種の異なる塗布膜の形成に対応しながらも、処理ブロックＳ２の占有面積の省スペース化を図ることができる。また１つの塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５にて、露光処理前までの塗布膜形成のための一連の処理を完結しているので、ウエハＷの搬送経路が単純化され、搬送効率を高めることができる。 In such a coating and developing apparatus, similarly to the above-described embodiment, by providing a dedicated main arm A for each of the unit blocks B1 to B5, the conveyance efficiency of the main arm A is improved and throughput is increased. Can be increased. In addition, in each of the coating film forming unit blocks B3 to B5, it is possible to cope with the case where the antireflection film is formed or not. Space saving of the occupied area of the block S2 can be achieved. In addition, since a series of processes for forming the coating film before the exposure process is completed in one unit block B3 to B5 for forming the coating film, the transfer path of the wafer W is simplified and the transfer efficiency is improved. Can be increased.
また塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５のうちのいずれか、又は現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２のいずれかにおいて、処理の途中でトラブルが発生した場合であっても、他の残りの単位ブロックでは処理を続行でき、装置を停止する場合に比べてスループットを高くすることができる。またトラブルが発生した単位ブロックに滞在するウエハＷが少ないことから、処理の途中で回収されるウエハＷが少なく、ウエハＷの再使用のために行なわれる処理の負担が少ない。 また先ずロットＡのウエハＷに対して第１の塗布膜の形成を行なった後、次いでロットＢのウエハＷに対して第２の塗布膜の形成を行なう場合を想定した場合に、ロットＡの処理が終了してから、直ちにロットＢの処理を開始することができ、装置が稼動しない時間が発生しないので、スループットの低下が抑えられる。 Even if any of the unit blocks B3 to B5 for forming a coating film or any of the unit blocks B1 and B2 for development processing has a trouble in the middle of the processing, other remaining blocks Processing can be continued in the unit block, and throughput can be increased as compared with the case where the apparatus is stopped. In addition, since the number of wafers W staying in the unit block where the trouble has occurred is small, the number of wafers W collected during the processing is small, and the burden of processing performed for reuse of the wafers W is small. Further, when it is assumed that the first coating film is first formed on the wafer W of the lot A and then the second coating film is formed on the wafer W of the lot B, the lot A Since the processing of the lot B can be started immediately after the processing is completed, and the time during which the apparatus does not operate does not occur, a decrease in throughput can be suppressed.
ここで塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５や、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２を同じ単位ブロックにより構成することにより、組み立て作業の容易化や、製造スループットの向上、製造コストの低減、調整の容易化を図ることができる。 Here, the unit blocks B3 to B5 for coating film formation and the unit blocks B1 and B2 for development processing are configured by the same unit block, thereby facilitating assembly work, improving manufacturing throughput, and reducing manufacturing costs. Adjustment can be facilitated.
さらにこの実施の形態では、前記キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ２との間を接続するウエハＷの搬送領域Ｒ１は現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２のみに形成し、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５と現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２との間でウエハＷの受け渡しを、第１の受け渡しアームＤ１のみで行なっているので、搬送系が少ない。 Furthermore, in this embodiment, the transfer area R1 of the wafer W connecting between the carrier block S1 and the interface block S2 is formed only in the development processing unit blocks B1 and B2, and the coating film forming unit block B3. Since the transfer of the wafer W is performed only between the first transfer arm D1 between B5 and the unit blocks B1 and B2 for development processing, the number of transfer systems is small.
この際、処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３との間のウエハＷの受け渡し用のインターフェイス用受け渡しステージは、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２の受け渡しステージＴＲＳ１１，ＴＲＳ１２のみであるので、インターフェイスアームＥのアクセス範囲が狭く、当該アームＥの移動範囲が狭められるので、当該アームＥの搬送制御が容易になる。このように、搬送系や装置のアクセス構成がシンプルであるので、搬送手段の制御が行ない易いという利点もある。 At this time, the interface transfer stage for transferring the wafer W between the processing block S2 and the interface block S3 is only the transfer stages TRS11 and TRS12 of the unit blocks B1 and B2 for development processing. Since the access range is narrow and the movement range of the arm E is narrowed, the conveyance control of the arm E is facilitated. Thus, since the access configuration of the transport system and the apparatus is simple, there is an advantage that the transport means can be easily controlled.
以上においてこの実施の形態では、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２と、複数の塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５との間でウエハＷの受け渡しを第２の受け渡しアームＤ２のみにより行なうようにしてもよい。この場合には棚ユニットＵ１には、キャリアブロックＳ１と現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２との間でウエハＷの受け渡しを行なうためのキャリアブロック用受け渡しステージが設けられる。また棚ユニットＵ５には各単位ブロックＢ１〜Ｂ５に第２の受け渡しステージが設けられると共に、インターフェイスブロックＳ３と現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２との間でウエハＷの受け渡しを行なうためのインターフェイスブロック用受け渡しステージが設けられる。 As described above, in this embodiment, the transfer of the wafer W is performed only by the second transfer arm D2 between the development processing unit blocks B1, B2 and the plurality of coating film forming unit blocks B3-B5. It may be. In this case, the shelf unit U1 is provided with a carrier block delivery stage for delivering the wafer W between the carrier block S1 and the development processing unit blocks B1 and B2. The shelf unit U5 is provided with a second delivery stage in each of the unit blocks B1 to B5, and an interface block for delivering the wafer W between the interface block S3 and the development processing unit blocks B1 and B2. A delivery stage is provided.
またこの場合には、インターフェイスアームＥを各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の第２の受け渡しステージに対してアクセス可能に構成し、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５とインターフェイスアームＥとの間でウエハＷの受け渡しを行なうようにしてもよい。 In this case, the interface arm E is configured to be accessible to the second delivery stage of each of the unit blocks B1 to B5, and the wafer is interposed between the unit blocks B3 to B5 for forming the coating film and the interface arm E. You may make it perform delivery of W.
さらにこの実施の形態では、前記キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ２との間のウエハＷの搬送を塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５の少なくとも一つを介してのみ行なうようにしてもよい。具体的に、例えば塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５の全てにおいてキャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ２との間でウエハＷの搬送が行なわれ、第１の受け渡しアームＤ１にて単位ブロックＢ１〜Ｂ５間のウエハＷの受け渡しを行う場合を例にして説明する。 Further, in this embodiment, the transfer of the wafer W between the carrier block S1 and the interface block S2 may be performed only through at least one of the unit blocks B3 to B5 for forming the coating film. Specifically, for example, the wafer W is transferred between the carrier block S1 and the interface block S2 in all of the unit blocks B3 to B5 for forming the coating film, and the unit blocks B1 to B5 are transferred by the first transfer arm D1. A case where the wafer W is transferred between them will be described as an example.
この場合、例えば各塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５はキャリアブロック用受け渡しステージと、インターフェイスブロック用受け渡しステージを備えている。この例では、キャリアブロックＳ１のウエハＷはいずれかの塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５の受け渡しステージを介して当該単位ブロックＢ３〜Ｂ５に搬入され、ここで塗布膜が形成される。そして当該単位ブロックＢ３〜Ｂ５のインターフェイスブロック用受け渡しステージを介してインターフェイスアームＥにより露光装置Ｓ４に搬送される。 In this case, for example, each of the coating film forming unit blocks B3 to B5 includes a carrier block delivery stage and an interface block delivery stage. In this example, the wafer W of the carrier block S1 is carried into the unit blocks B3 to B5 via any one of the transfer stages of the unit blocks B3 to B5 for forming a coating film, where a coating film is formed. Then, it is conveyed to the exposure apparatus S4 by the interface arm E through the interface block delivery stage of the unit blocks B3 to B5.
一方露光後のウエハＷは、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５のいずれかのインターフェイスブロック用受け渡しステージを介してこれら単位ブロックＢ３〜Ｂ５に搬入され、第１の受け渡しステージ、第１の受け渡しアームＤ１を介して現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２に搬送され、ここで現像処理される。現像処理後のウエハＷは第１の受け渡しステージに搬送され、第１の受け渡しアームＤにより塗布膜形成用単位ブロックＢ３〜Ｂ５に設けられたキャリア用受け渡しステージに搬送されて、ここからキャリアブロックＳ１に受け渡される。 On the other hand, the exposed wafer W is carried into the unit blocks B3 to B5 via the interface block transfer stage of any one of the unit blocks B3 to B5 for coating film formation, and the first transfer stage and the first transfer are performed. It is transported to the development processing unit blocks B1 and B2 via the arm D1, where it is developed. The wafer W after the development processing is transferred to the first transfer stage, transferred to the carrier transfer stage provided in the coating film forming unit blocks B3 to B5 by the first transfer arm D, and from here the carrier block S1 Is passed on.
ここでインターフェイスブロック用受け渡しステージは、全ての単位ブロックＢ１〜Ｂ５に設けるようにしてもよい。またキャリアブロック用受け渡しステージとインターフェイスブロック用受け渡しステージは、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５の少なくとも一つに設けられていればよく、これらは異なる塗布膜形成用の単位ブロックに設けられていてもよい。 Here, the interface block delivery stage may be provided in all the unit blocks B1 to B5. The carrier block delivery stage and the interface block delivery stage only need to be provided in at least one of the coating film forming unit blocks B3 to B5, and these are provided in different coating film forming unit blocks. May be.
またこの例においても、全ての単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間のウエハＷの受け渡しをインターフェイスブロック側に設けられた受け渡しステージと、これら受け渡しステージにアクセス可能な受け渡しアームとの組み合わせのみによって行なうようにしてもよい。
以上において本発明では、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２のみにウエハＷを搬送して処理を行うようにしてもよい。また現像処理用の単位ブロックを１層としてもよいし、塗布膜形成用の単位ブロックを３層以外の複数層としてもよい。さらにまた本発明では、トランスファーアームＣにてアクセスできるキャリアブロック用受け渡しステージは、トランスファーアームＣと積層された単位ブロックの１つ以上の単位ブロックとの間でウエハＷの受け渡しが行われるものであればよい。さらにまた棚ユニットＵ２，Ｕ５についてもインターフェイスアームＥとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の第２の受け渡しステージＴＲＳを設け、この第２の受け渡しステージＴＲＳと第２の受け渡しアームＤ２とを介して各単位ブロックＢ１〜Ｂ５とインターフェイスブロックＳ２との間でウエハＷの受け渡しを行なうようにしてもよい。
Also in this example, the transfer of the wafer W between all the unit blocks B1 to B5 is performed only by a combination of a transfer stage provided on the interface block side and a transfer arm accessible to the transfer stage. Also good.
As described above, in the present invention, the wafer W may be transferred only to the unit blocks B1 and B2 for development processing. The unit block for development processing may be a single layer, or the unit block for coating film formation may be a plurality of layers other than three layers. Furthermore, in the present invention, the carrier block transfer stage accessible by the transfer arm C is one in which the wafer W is transferred between the transfer arm C and one or more unit blocks of the stacked unit blocks. That's fine. Further, the shelf units U2 and U5 are also provided with a dedicated second transfer stage TRS for transferring the wafer W to and from the interface arm E, and the second transfer stage TRS and the second transfer arm D2 are provided. Alternatively, the wafer W may be transferred between the unit blocks B1 to B5 and the interface block S2.
また各単位ブロックに設けられる棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ５の受け渡しステージＴＲＳは１個以上であればよく、冷却機能を備えたものであってもよい。さらにキャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３との間でウエハＷの受け渡しを行なう単位ブロックには、トランスファーアームＣとインターフェイスアームＥとの間、又は棚ユニットＵ１と棚ユニットＵ２（Ｕ５）との間で、ウエハＷの搬送を行なうためのメインアームＡとは別個の、専用の搬送手段を設けるようにしてもよい。さらにまた棚ユニットＵ１，Ｕ２（Ｕ５）には、受け渡しステージ以外のモジュール例えば冷却ユニットなどを設けるようにしてもよいし、処理ブロックＳ２に積層される単位ブロックＢ１〜Ｂ５の処理ユニットとして、目的に応じた検査ユニットを設けるようにしてもよい。例えば塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５には、膜厚測定器を設けるようにしてもよいし、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２にパターン重ね合わせ検査や現像処理後の現像欠陥検査ユニットを設けるようにしてもよい。また単位ブロックに検査ユニットを設けるようにしてもよく、この場合メインアームＡの搬送路の両側に検査ユニットを設けるようにしてもよいし、検査ユニット専用の単位ブロックを設けるようにしてもよい。また本発明は半導体ウエハのみならず液晶ディスプレイ用のガラス基板（ＬＣＤ基板）といった基板を処理する塗布、現像装置にも適用できる。 Further, the number of delivery stages TRS of the shelf units U1, U2, U5 provided in each unit block may be one or more, and may have a cooling function. Further, the unit block for transferring the wafer W between the carrier block S1 and the interface block S3 includes the transfer arm C and the interface arm E, or the shelf unit U1 and the shelf unit U2 (U5). Separately from the main arm A for carrying the wafer W, a dedicated carrying means may be provided. Furthermore, the shelf units U1 and U2 (U5) may be provided with modules other than the delivery stage, such as a cooling unit, or as processing units of the unit blocks B1 to B5 stacked on the processing block S2. A corresponding inspection unit may be provided. For example, the coating film forming unit blocks B3 to B5 may be provided with a film thickness measuring device, or the development processing unit blocks B1 and B2 may be subjected to pattern overlay inspection or development defect inspection unit after development processing. May be provided. In addition, an inspection unit may be provided in the unit block. In this case, an inspection unit may be provided on both sides of the conveyance path of the main arm A, or a unit block dedicated to the inspection unit may be provided. The present invention can also be applied to a coating and developing apparatus for processing a substrate such as a glass substrate (LCD substrate) for a liquid crystal display as well as a semiconductor wafer.
Ｗ 半導体ウエハ
２０ キャリア
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 処理ブロック
Ｓ３ インターフェイスブロック
Ｓ４ 露光装置
Ｓ５ 補助ブロック
Ａ１〜Ａ５ メインアーム
Ｂ１〜Ｂ５ 単位ブロック
Ｃ トランファーアーム
Ｄ１ 第１の受け渡しアーム
Ｄ２ 第２の受け渡しアーム
Ｅ インターフェイスアーム
Ｆ 第３の受け渡しアーム
３１ 第１の反射防止膜形成ユニット
３２ 塗布ユニット
３３ 第２の反射防止膜形成ユニット
８１ 検査ユニット
８２ 洗浄ユニット
１００ 制御部
Claims (3)
ａ）前記処理ブロックは、互いに積層され、各々独立して露光後の基板の現像処理を行う第１の現像処理用の単位ブロック及び第２の現像処理用の単位ブロックを備え、
ｂ）前記各単位ブロックは、前記キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に向かって水平に直線状に伸びる基板の搬送領域と、現像液を基板に供給するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、基板を冷却する冷却ユニットと、これらユニット間で基板を搬送するために前記搬送領域に沿って移動するように単位ブロックごとに独立して設けられた単位ブロック用の搬送手段と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。 After the substrate carried into the carrier block by the carrier is transferred to the processing block, and a coating film including a resist film is formed in the processing block, an interface block connected to the processing block on the opposite side of the carrier block is provided. In the coating and developing apparatus, the substrate after the exposure is conveyed to the exposure apparatus and returned to the carrier block after being developed through the processing block.
a) The processing blocks include a first development processing unit block and a second development processing unit block that are stacked on each other and independently perform development processing of the substrate after exposure,
b) Each of the unit blocks includes a substrate transfer area extending linearly from the carrier block side to the interface block side, a liquid processing unit for supplying the developer to the substrate, and heating for heating the substrate. A unit, a cooling unit for cooling the substrate, and a transport unit for the unit block provided independently for each unit block so as to move along the transport region to transport the substrate between these units. An application / development apparatus comprising:
前記現像処理用の単位ブロックの一つに異常が発生したときに、当該異常が発生した現像処理用の単位ブロックに対しては基板の搬送を行なわず、他の現像処理用の単位ブロックに対しては基板の搬送を行なうことを特徴とする塗布、現像方法。 In the coating and developing method performed in the coating and developing apparatus according to claim 1,
When an abnormality occurs in one of the development processing unit blocks, the substrate is not transported to the development processing unit block in which the abnormality has occurred, and the other development processing unit blocks are not transported. A coating and developing method characterized by transporting the substrate.
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