JP2009277954A - 回路モジュールの製造方法及び回路モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】基板に実装した電子部品を樹脂層に埋設して絶縁し、その上に導電性のシールド層を設けて電子部品をシールドするようにしたこの種の回路モジュールを、基板をハーフカットすることなく、安価に高い良品率で製造する。
【解決手段】第１の工程により用意される集合基板１ａの接地電極７上に、各子基板１１の領域に実装される電子部品３より背高に導電部材４ａを設け、第２の工程により、電子部品３が埋設されるように絶縁性の樹脂層５を設けて導電部材４ａの少なくとも上端面を樹脂層５から露出し、第３の工程により、その上にシールド層６を設けてシールド層６を導電部材４ａの少なくとも上端面に接し、第４の工程により集合基板１ａを子基板１１の領域に切断し、電子部品３の上面側のシールド及び側面のシールドを、集合基板１ａのハーフカットを行うことなく実現した回路モジュール２を製造する。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板に実装した電子部品を樹脂層に埋設して絶縁し、その上に導電性のシールド層を設けて前記電子部品を外部の電磁界や静電からシールドするようにした回路モジュールの製造方法及び回路モジュールに関し、より詳細には、シールド層を基板の接地電極に接続してシールド性を持たせる構造の改良に関する。

従来、この種の回路モジュールは、電子部品を実装した多層構造の集合基板を複数個の子基板に切断し、分割して製造される（例えば、特許文献１参照）。

前記特許文献１に記載された従来の回路モジュール（従来モジュール）の製造方法について、図２２の工程説明図を参照して説明する。

前記従来モジュールの製造方法は、集合基板製造工程、回路モジュール実装工程、封止樹脂層形成工程、シールド層形成工程、分離工程からなる。

集合基板製造工程は、複数の回路モジュール１００の回路基板（子基板）１１０に分割される集合基板２１０を形成する工程であり、集合基板２１０の内部に内層パターン１６０を形成するとともに、集合基板２１０の裏面に、内層パターン１６０につながった接地用電極１７０ａと、Ｉ／Ｏ電極（信号電極）１７０ｂとを形成する。なお、接地用電極１７０ａは表面側の接地用電極に導通し、Ｉ／Ｏ電極１７０ｂは表面側の信号パターンに導通している。

回路モジュール実装工程は、集合基板２１０の各回路モジュール１００の領域内それぞれの上面に要素部品（電子部品）１２０を実装する工程である。

封止樹脂層形成工程は、要素部品１２０を実装した集合基板２１０の上面側に絶縁性の封止樹脂層１４０を形成して要素部品１２０を封止樹脂層１４０で包む工程である。

シールド層形成工程は、封止樹脂層１４０の上に導電性樹脂から成るシールド層１９０を形成する工程である。シールド層１９０と基板２１０の裏面側の接地用電極１７０ａとの接続を十分に保証して各回路モジュール１００のシールド性を確保するため、シールド層形成工程の前に、つぎのハーフカット工程の処理が行われる。

すなわち、図２２の各破線はダイサー等により集合基板２１０を切断して各回路モジュール１００に分離（個片化）するための各分割線５００を示し、封止樹脂層１４０を形成して硬化させた後、シールド層１９０の形成工程に移行する前に、ハーフカット工程により、前記分割線５００に沿って集合基板２１０の表面から途中の深さまでハーフカットし、上側の接地用電極や内層パターン１６０の端面が露出した溝２００を形成する。

その後、シールド層形成工程により、封止樹脂層１４０上に例えば導電性樹脂から成るシールド層１９０が形成される。このとき、シールド層１９０の導電性樹脂が溝２００にも充填等され、シールド層１９０が内層パターン１６０等を介して集合基板２１０の裏面側の接地用電極１７０ａに確実に接続される。

分離工程は、シールド層１９０を形成した集合基板２１０を個々の回路モジュール１００に切断して分離する最終の工程である。

この分離工程において、前記ハーフカットの幅よりも狭いブレード幅のダイサーで切断（切削）して回路モジュール１００に分離することにより、各回路モジュール１００は、シールド層１９０が側面に露出して封止樹脂層１４０を完全に包み込むように被覆した構造に形成される。このとき、各回路モジュール１００は、ダイサーによるハーフカット後のシールド層１９０の形成により、前記したように回路基板１１０の側面に及ぶシールド層１９０と接地用電極１７０ａとが確実に導通してシールド性が向上する。

すなわち、回路モジュール１００は、集合基板２１０の各回路モジュール１００の領域に要素部品（電子部品）１２０を実装して樹脂層１４０に埋設し、つぎに、各回路モジュール１００の領域の境界線である分割線５００に沿って集合基板２１０をハーフカットし、集合基板２１０の上面側の接地用電極や内層パターン１６０の端面をハーフカットの溝２００等に露出し、さらに、樹脂層１４０の上から、樹脂層１４０を覆い、かつ、溝２００を埋めるようにシールド層１９０を形成し、集合基板２１０の各回路モジュール１００の領域をシールド層１９０で包み、その後、溝２００に沿って基板２１０をダイシングして各回路モジュール１００に分割して製造される。

この場合、回路モジュール１００を１ずつ個別に製造する場合に比して、製造工程の簡素化やコストの削減が図られる利点がある。
特開２００４−１７２１７６号公報（段落［００３５］−［００６４］、図９等）

前記従来の回路モジュール１００は、シールド層１９０を回路基板１１０の接地電極（接地用電極１７０ａ）に接続して要素部品１２０の上面及び側面のシールドを実現するするため、樹脂層１４０を形成して硬化させた後、ハーフカット工程により、集合基板２１０をハーフカットして集合基板２１０の上側の接地用電極や内層パターン１６０の端面を溝２００に露出し、その後、シールド層形成工程により、樹脂層１４０の上部を覆い、溝２００を埋めるようにシールド層１９０を積層し、この状態で回路基板１１０を完全に切断して回路モジュール１００が製造される。

この場合、回路モジュール１００の製造に前記ハーフカット工程を要し、しかも、このハーフカット工程において、ハーフカットの深さの厳密な管理が必要になる。そして、ハーフカットの精度が低いと、Ｉ／Ｏ電極１０７ｂなどの他の電極や部品を損傷するおそれがある。そのため、回路モジュール１００のような基板に実装した電子部品を樹脂層により包んで絶縁し、その上に導電性のシールド層を設けて電子部品をシールドするようにした回路モジュールを安価に高い良品率で製造することができない問題がある。

なお、この種の回路モジュール１００のようなシールドタイプの回路モジュールは、近年、基板が薄型化する傾向にある。そして、基板が薄くなればなる程、基板内の前記接地用電極や内層パターンを形成する接地電位の内層銀箔を、前記ハーフカットで露出させることが難しくなり、前記ハーフカット工程を含む製造方法では、回路モジュールの製造が容易でなく、製品の不良率が高まる問題もある。

本発明は、基板に実装した電子部品を樹脂層に埋設して絶縁し、その上に導電性のシールド層を設けて電子部品をシールドするようにしたこの種の回路モジュールを、基板をハーフカットすることなく、安価に高い良品率で製造することを目的とし、そのようにして製造したこの種の回路モジュールを提供することも目的とする。

上記した目的を達成するために、本発明の回路モジュールの製造方法は、電子部品を実装した複数個の子基板に分割される基板であって、少なくとも前記各子基板の領域の境界線である分割線上に連続的に又は不連続に接地電極が形成される集合基板を用意し、前記各子基板の領域に実装された前記電子部品より背高の導電部材を前記電子部品を囲むように前記接地電極上に設ける第１の工程と、前記集合基板上に、前記電子部品が埋没して前記導電部材の少なくとも上端面が露出するように絶縁性の樹脂層を形成する第２の工程と、前記絶縁性の樹脂層上に導電性のシールド層を形成する第３の工程と、前記シールド層が形成された前記集合基板を前記分割線に沿って切断し、切断された前記シールド層及び前記導電部材により前記電子部品をシールドする構造の複数個の回路モジュールを得る第４の工程と、を含むことを特徴としている（請求項１）。

そして、前記第１の工程において、前記導電部材は平面形状が前記分割線に沿った略細長い形状であることが好ましい（請求項２）。

また、前記第１の工程において、前記導電部材は球形状であり、前記集合基板の前記接地電極を貫通したスルーホール上に設けられることが好ましい（請求項３）。

つぎに、前記第１の工程において、前記導電部材は前記集合基板に実装される金属成形体であることが実用的である（請求項４）。

また、前記第１の工程において、前記各子基板の領域は縦横の分割線により前記集合基板を格子状に分割するように前記集合基板に形成され、前記導電部材は少なくとも前記縦横の分割線が交差する個所に設けられ、前記第４の工程における前記集合基板の切断により前記導電部材が４分割されることが、安価に量産する等の面から好ましい（請求項５）。

さらに、前記第１の工程において、前記導電部材は前記接地電極に導電性樹脂を塗布して前記接地電極上に設けられてもよい（請求項６）。

また、前記第１の工程において、前記接地電極の前記導電部材が設けられる部分は前記分割線に沿って凹ませるか切り欠かれていることが好ましい（請求項７）。

さらに、前記第２の工程において、前記絶縁性の樹脂層は前記導電部材の上端面が露出するように加工して厚みが調整されることが実用的で好ましい（請求項８）。

つぎに、本発明の回路モジュールは、集合基板を前記分割線に沿って切断して形成され、電子部品が実装された子基板と、前記集合基板の前記接地電極を分割して形成された分割接地電極と、前記集合基板の切断により、前記集合基板の接地電極上に設けられた前記導電部材が切断されて前記分割接地電極上に前記電子部品より背高に設けられた分割導電部材と、前記集合基板の切断により、前記集合基板上に積層された絶縁性の樹脂層が切断されて形成され、前記電子部品が埋設されて前記分割導電部材の側面及び上端面が露出するように前記子基板上に設けられた絶縁性の分割樹脂層と、前記集合基板の切断により、前記集合基板の前記樹脂層上に積層された導電性のシールド層が切断されて前記分割樹脂層上に設けられ、前記分割導電部材の上端面を覆う導電性の分割シールド層と、を備えたことを特徴としている（請求項９）。

そして、前記分割導電部材は、平面形状を前記集合基板の前記接地電極に沿った略細長い形状とする前記導電部材が前記分割線に沿って切断されて形成されたものであることが好ましい（請求項１０）。

また、前記分割導電部材は、前記集合基板に前記分割線に沿って実装された金属成形体が切断されて形成されたものであることが実用的で好ましい（請求項１１）。

さらに、前記分割導電部材は、前記集合基板の少なくとも縦横の前記分割線が交差する個所に設けられた導電部材を前記分割線に沿って４分割に切断されて形成されたものであることが量産等の面から好ましい（請求項１２）。

請求項１の発明によれば、第１の工程により用意される集合基板は、少なくとも各子基板の領域の境界線に沿う接地電極上に、各子基板の領域に実装される電子部品より背高に導電部材が設けられる。

そして、第２の工程により、電子部品が埋設されるように絶縁性の樹脂層が積層されて形成されて樹脂封止が施されると、電子部品より背高の導電部材は、少なくとも上端面が前記樹脂層から露出する。そのため、第３の工程によりシールド層が積層されて形成されると、シールド層は、導電部材の少なくとも上端面に接し、導電部材を介して接地電極に電気的に接続される。したがって、前記シールド層が電子部品の上面のシールドを形成し、前記導電部材が電子部品の側面のシールドを形成し、電子部品を外部の電磁界や静電から良好にシールドする。

この場合、電子部品の上面側のシールド及び側面のシールドを、集合基板のダイサーによるハーフカットを行うことなく実現することができ、従来は必須であったダイサーによるハーフカット工程は不要であり、前記ハーフカットの深さの厳密な管理が不要であり、製造が容易である。また、集合基板の電極や部品を損傷するおそれがなく、良品率が高くなる。

そして、第４の工程により、前記シールド層が形成された状態で前記分割線に沿って集合基板が切断されることにより、切断された前記シールド層及び前記導電部材により電子部品の上面及び側面を良好にシールドした複数個の回路モジュールを製造することができる。

したがって、従来のダイサーによるハーフカット工程を省き、回路モジュールを安価に高い良品率で製造することができる。また、ダイサーによるハーフカット工程を含まないので、製造工程の管理が容易になる利点もある。

請求項２の発明によれば、導電部材は、分割線に沿った紡錘形状（フットボール形状）等の平面視が分割線に沿った細長い形状の部材である。そのため、集合基板を分割線に沿って切断して得られる各回路モジュールは、切断後の導電部材の面積、すなわち、モジュール側面のシールド面積が広い。そのため、各回路モジュールのシールド効果が向上する効果も奏する。

請求項３の発明によれば、集合基板のスルーホールが球形状の導電部材の位置決め手段を形成し、前記第１の工程により、球形の導電部材を接地電極の前記スルーホールの位置に、容易に、かつ、精度よく設けることができる。

請求項４の発明によれば、金属成形体の導電部材を、実装部品の１つとして、電子部品の実装と同一の工程（第１の工程）により集合基板に実装して接地電極上に設けることができ、製造工程が簡素化してその管理が一層容易になる。

請求項５の発明によれば、集合基板を格子状（マトリクス状）に分割して多数個の回路モジュールを製造する際に、第１の工程において、導電部材が集合基板の少なくとも縦横の分割線が十字に交差する個所の接地電極上に設けられるので、樹脂層、シールド層を積層形成した後、第４の工程により集合基板を分割線に沿って切断すると、導電部材が４分割されて４つの回路モジュールのモジュール側面のシールドを形成する。

したがって、集合基板の前記分割線に沿った切断により、１つの導電部材を４分割して４つの回路モジュールを経済的に製造することができ、安価に量産できる効果を奏する。

請求項６の発明によれば、第１の工程により、導電部材は、導電性樹脂を接地電極に塗布して接地電極上に簡単に設けることができる。

請求項７の発明によれば、接地電極の導電部材が設けられる部分を前記分割線に沿って凹ませるか切り欠いているので、導電部材が前記金属成形体等で形成される場合、第１の工程により、接地電極の凹ませるか切り欠かれている部分の上に導電部材を容易に設けることができるとともに、第４の工程における分割線に沿った切断が容易に行える。また、導電部材が前記導電性樹脂で形成される場合、導電性樹脂を広がらないように接地電極上に容易に塗布することができる。

請求項８の発明によれば、第２の工程により、まず、絶縁性の樹脂層を電子部品だけでなく導電部材も埋まるように適当な厚みに積層し、その後、樹脂層を研磨、切削、切断（スライス）等の加工を施すことにより、導電部材の上端面が樹脂層から露出する厚みに調整して適切な層厚に形成することができる。この場合、樹脂層の積層形成時の層厚を厳密に管理しなくてよく、実用的である。

請求項９の発明によれば、集合基板を分割線に沿って切断して得られた子基板は電子部品が実装され、前記集合基板の接地電極上の導電部材を切断して得られた分割導電部材により側面のシールドが形成され、絶縁性の分割樹脂層の樹脂封止の上に積層された導電性の分割シールド層により上面のシールドが形成される。

したがって、前記請求項１の製造方法により製造される新規な回路モジュールを提供することができる。

請求項１０の発明によれば、前記分割導電部材は、平面形状が前記集合基板の分割線に沿った略細長い形状の導電部材を前記分割線に沿って切断して形成されたものであるので、モジュール側面のシールド面積が広く、回路モジュールのシールド効果が向上する効果も奏する。

請求項１１の発明によれば、集合基板に電子部品とともに実装部品の１つとして実装された金属成形体の導電部材が切断されて分割導電部材が形成されるので、回路モジュールを容易に製造できる効果も奏する。

請求項１２の発明によれば、分割導電部材が集合基板の導電部材を４分割に切断して形成されるため、回路モジュールを経済的で安価に量産できる効果を奏する。

つぎに、本発明をより詳細に説明するため、実施形態について、図１〜図２１にしたがって詳述する。なお、各図においては、断面を示す斜線等は適宜省略している。また、各図の同一の符号を付したものは、同一又は相当するものを示す。

（第１の実施形態）
主に請求項１、４、９、１１に対応する第１の実施形態について、図１〜図５を参照して説明する。

図１は集合基板１ａから回路モジュール２を製造する場合の製造工程の説明図である。図２は電子部品３及び導電部材４ａが実装された状態の集合基板１ａを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視図である。図３は集合基板１ａに樹脂層５が設けられた樹脂封止の状態の斜視図、図４は更にシールド層６が設けられた状態の斜視図、図５は樹脂層５、シールド層６が設けられた集合基板１ａを切断して形成された回路モジュール２の斜視図である。

本実施形態においては、図１に示す第１〜４の工程を経ることにより、１枚の集合基板１ａから例えば６個のシールド構造の回路モジュール２を製造するものとして、以下にその製造工程を説明する。

［第一の工程］
第一の工程は用意された集合基板１ａの接地電極７上に導電部材４ａを設ける工程である。具体的に説明すると、まず、集合基板１ａは図２の（ａ）、（ｂ）に示すように、基板実装面（表面）に仮想的に引かれた縦横の分割線（破線）Ｌにより、例えば格子状の６個（縦２個×横３個）の子基板１１の領域に区分される。また、分割線Ｌ上に連続的に（ラインパターン状に）又は、必要な個所だけに不連続に（ランド状に）、接地電極７のリフローパターンが印刷される。なお、図２においては、ラインパターンの接地電極７の一例を示す。また、接地電極７は必要に応じて、スルーホール等を介して集合基板１ａの裏面の接地電極等に接続される。

つぎに、部品の自動実装により、各子基板１１ａの領域に１つ又は複数個の電子部品３が実装される。このとき、本実施形態では、請求項４に対応するため、実装部品（チップ部品）の１つとして、例えばＣＲチップに類似した角柱状（平面視が正方形又は矩形）であって、他のチップ部品（電子部品３）より背高の金属成形体の導電チップが、前記分割線Ｌに沿って設定されたシールド間隔で接地電極７上に実装される。

そして、リフロー半田付けの処理により接地電極７上に前記金属成形体の導電チップを半田付けすることにより、前記金属成形体が各子基板１１の領域に実装された電子部品３より背高の導電部材４ａを形成し、導電部材４ａが各子基板１１の電子部品３を囲むように接地電極７上に設けられる。そのため、導電部材４ａにより電子部品３の側面のシールドが形成される。

この場合、部品実装の工程により、電子部品３と同様にして導電部材４ａが接地電極７上に設けられるので、導電部材４ａを設ける工程を別途用意する必要がなく、製造工程が簡素化して回路モジュール２の製造が容易に行える。

ところで、導電部材４ａとしての前記導電チップは、例えば矩形の金属柱であってもよいが、金属柱の切断は容易でないので、中空の金属パイプであることが好ましく、また、金属以外の切断が容易な導電性部材のチップであってもよい。また、前記導電チップの配置数や配置間隔はシールド効果等を考慮して適当に設定すればよく、各子基板１１の領域の縦と横とで前記導電チップの大きさや前記配置数、前記配置間隔を異ならせてもよい。さらに、導電部材４ａは、分割線Ｌ上の接地電極７だけでなく、特性改善等の必要に応じて、各子基板１１の領域にも実装されていても良い。

［第２の工程］
第２の工程は樹脂封止の工程であり、図３に示すように、電子部品３や導電部材４ａが設けられた集合基板１ａ上に、電子部品３が埋没して導電部材４ａの少なくとも上端面が露出するように、熱硬化性の樹脂や紫外線硬化性の樹脂等からなる絶縁性の樹脂層５を形成して樹脂封止を行う。

この第２の工程においては、導電部材４ａの上端面が露出するように層厚を正確に管理して樹脂封止を行ってもよいが、製造管理を容易にする等のため、樹脂封止の工程（図１の第２の工程の１）と表面加工の工程（図１の第２の工程の２）の２段階の工程としても良い。まず前記樹脂封止の工程により、例えば、適当なダム材で囲いを形成し、その中にフィル材を塗布等して充填したり、電子部品３及び導電部材４ａをプリプレグの層に埋設して熱硬化等して固化したりして、適当な厚さの封止フィル層や封止プリプレグ層を形成する。つぎに、前記表面加工の工程により、それらの層の上面（表面）側に導電部材４ａの上端面が露出するまで研磨、切削、切断（スライス）等の加工を施して樹脂層５を形成する（請求項８対応）。なお、前記表面加工の具体的な方法としては、例えば、太いダイサーで直線的に削っていく方法、グラインダーを用いて研磨する方法、エンドミル等の切削工具を用いて、面を削り取っていく方法がある。一方、導電部材４ａの上端面が露出するように層厚を正確に管理して樹脂封止を行う場合は、前記研磨の工程が省ける利点がある。

［第３の工程］
第３の工程は、図４に示すように樹脂層５上に導電性のシールド層６を形成する工程であり、シールド層６は、例えば銀ペースト等の導電性ペーストの吹き付け塗装やめっき、金属箔の印刷や貼り付け等により簡単に形成される。このとき、シールド層６は導電部材４ａの上端面に電気的に結合され、電子部品３の上面のシールドを形成する。

なお、シールド層６を銀ペースト等の導電性ペーストで吹き付け塗装して形成する場合は、平面に塗装するだけなので、均一に塗ることができ、スピンコータ等、特殊設備が不要になる利点がある。また、印刷や金属箔の貼り付けによりシールド層６を形成すると、工程作業が簡単になって製造コストが安価になる。ところで、金属箔と樹脂層５との貼り合せ方法としては、熱プレス、超音波溶着、導電接着等が考えられる。また、金属箔を貼る代わりに、銅箔付きのプリプレグで樹脂層５及びシールド層６を形成することも可能であり、この場合も製造コストが安価になる。

［第４の工程］
第４の工程は、シールド層６が形成された集合基板１ａをダイサーカットにより分割線Ｌに沿って切断し、図５に示すように、分割シールド層６１及び分割導電部材４１ａにより子基板１１の電子部品３をシールドする構造の回路モジュール２を製造する工程である。

したがって、本実施形態の場合、第１の工程により、集合基板１ａの少なくとも各子基板１１の領域の分割線（境界線）Ｌ上に沿う接地電極７上に、各子基板１１の領域に実装される電子部品３より背高に導電部材４ａが設けられ、第２の工程により、導電部材４ａの上端面が露出するように絶縁性の樹脂層５が形成され、第３の工程により、その上にシールド層６が積層されるため、シールド層６及び導電部材４ａが接地電極７に電気的に接続され、従来は必須であった集合基板のハーフカットを行うことなく、電子部品３の上面及び側面のシールドが形成される。さらに、第４の工程により、前記分割線Ｌに沿って集合基板１ａがダイサーカットされることにより、電子部品３を外部の電磁界や静電からシールドする構造の６個の回路モジュール２が一度に製造される（請求項１対応）。

そして、各回路モジュール２は、子基板１１上に電子部品３が実装され、その電子部品３を分割導電部材４１ａが囲み、子基板１１上に、分割導電部材４１ａの側面が露出した分割樹脂層５１、分割導電部材４１ａに電気的に接合した分割シールド層６１を積層した構造であり、分割シールド層６１及び分割導電部材４１ａにより子基板１１の電子部品３を外部の電磁界や静電からシールドすることができる（請求項９対応）。

この場合、各回路モジュール２は、電子部品３の上面側のシールド及び側面のシールドを、集合基板１ａのハーフカットを行うことなく実現される。そして、各回路モジュール２の製造に際し、従来は必須であったダイサーによるハーフカット工程が不要であるので、ハーフカットの深さの厳密な管理が不要であり、容易に製造できる。また、集合基板１ａの電極や部品を損傷するおそれがなく、良品率を高くすることができる。なお、ダイサーによるハーフカットを行う場合には、基板の厚みが薄くなればなる程、加工が困難になるという欠点があるが、本発明は、そのようなハーフカットを行わないので集合基板１ａの厚みが薄くなっても何ら問題がない。

また、導電部材４ａは集合基板１ａの接地電極７上にどのようにして形成してもよいが、本実施形態においては、導電部材４ａを電子部品３のようなチップ部品に類似した形状の金属成形体とし、電子部品３と一緒に部品実装の工程で成形したため、導電部材４ａ及びそれを分割した分割導電部材４１ａの製造工程が簡素化してその管理が一層容易になる利点もある。

さらに、導電部材４ａ（分割導電部材４１ａ）を分割線Ｌ上の任意の位置（適当な位置）に設けることことができるので、シールド層６（分割シールド６１）を所望の部分（シールド効果の高い部分）に設けて有効に接地し、回路モジュール２の高周波特性等を向上できる利点もある。さらに、分割導電部材４１ａが１つの導電チップを分割して形成されるので回路モジュール２における占有面積が少なくなり、回路モジュール２の高密度実装が可能になる利点もある。

また、分割導電部材４１ａが導電チップで形成されるので、接地電極７の幅を導電チップの幅以下にすることにより、リフロ−後のチップの位置精度を上げることができる利点もある。加えて、接地電極７のラインを回路モジュール２の外形に沿って形成することで、導電チップの実装位置を、接地電極７のライン上で自由に選ぶことができ、レジストマスクを形成した場合にも、レジストマスクの変更のみで導電チップの実装位置を容易に変えることができる利点もある。

さらに、導電部材４ａは、平面視が正方形の角柱状或いは平面視が円形の円柱状であってもよいが、本実施形態の場合、図２に示すように分割線Ｌに沿った平面視が細長い矩形状であるので、電子部品３を囲む分割導電部材４１ａの面積、すなわちモジュール側面ののシールド面積が広く、シールド効果が向上する利点がある。

（第２の実施形態）
請求項７に対応する第２の実施形態について、図６〜図８を参照して説明する。

図６は集合基板１ｂの平面図、図７は図６の破線で囲んだ部分の断面図、図８は図６のＡ−Ａ線の断面図である。なお、図８においては、集合基板１ｂの電子部品３等は省いている。

本実施形態においては、前記第１の実施形態で説明した第１〜４の工程により、１枚の集合基板１ｂから、前記第１の実施形態の回路モジュール２と同様の４個（２×２）のシールド構造の回路モジュールを製造する。

そして、本実施形態が前記第１の実施形態と最も異なる点は、第１の工程において、集合基板１ｂの接地電極７の略分割線Ｌを中心線とする狭い一定幅の部分が、分割線Ｌに沿って切り欠いた状態に形成され、図６及び図７に示すように分割線Ｌに沿った細い溝８ａが形成される点である。なお、溝８ａは、実施形態においては接地電極７を完全に切り欠いて形成されているが、Ｕ字やＶ字の断面に凹ませて形成されていてもよい。また、溝８ａは、集合基板１ｂのリフローパターン形成時に溝８ａのスリットをエッチングにより同時に形成するか、又は、前記リフローパターンにしたがって接地電極７を形成した後、接地電極７を削って形成する。

この場合、例えば前記の部品の自動実装により、前記導電部材４ａは図６、図８に示すように溝８ａを跨ぐようにして接地電極７上に設けられ、リフロー半田付けの処理により、図７に示すように半田９によって接地電極７に取り付けられる。

そして、第４の工程により、前記溝８ａがダイサーのガイド溝を形成し、分割線Ｌに沿った集合基板１ｂのダイサーカットが容易に行える利点がある。

（第３の実施形態）
集合基板１ｃに球形状の導電部材４ｂを設ける第３の実施形態について、図９〜図１１を参照して説明する。

図９は集合基板１ｃから回路モジュール２を製造する場合の製造工程の説明図である。図１０は電子部品３及び導電部材４ｂが実装された状態の集合基板１ｃの平面図、図１１は図１０の導電部材４ｂの部分の拡大した断面図である。

本実施形態において、前記第１、第２の実施形態と最も異なる点は、集合基板１ｃの導電部材４ｂが球形状である点である。

この球形状の導電部材４ｂは、第１の工程において、例えば、電子回路３等の他のチップ部品の実装とは別個に、金属ペーストの落とし込み等によって複数個同時に集合基板１ｃに実装されて電子回路３等より背高に分割線Ｌに沿って設けられるか、球状の導電チップを用意し、自動実装により電子回路３等の他のチップ部品と一緒に実装して電子回路３等より背高に分割線Ｌに沿って設けられ、他の部品と同時にリフロー半田付けされる。

そして、導電部材４ｂを形成した後、第２の工程により樹脂層５を設け、第３の工程によりシールド層６を設け、第４の工程により集合基板１ｃを切断して各回路モジュール２を製造する。なお、図９の４１ｂは分割導電部材である。

（第４の実施形態）
第３の実施形態の変形例であって、請求項２に対応する第４の実施形態について、図１２及び図１３を参照して説明する。

図１２は集合基板１ｃの平面図、図１３はその導電部材４ｃの形状を示す断面図であり、（ａ）は一例を示す断面図、（ｂ）は他の例を示す断面図である。

本実施形態の場合、前記第１の工程において、導電部材４ｃは図１３に示すように平面形状が分割線Ｌに沿った略細長い楕円形である。すなわち、導電部材４ｃは、球形状でなく、図１３（ａ）に示す紡錘形状（フットボール形状）又は同図（ｂ）に示すような扁平な半球形状等である。この場合、第１の実施形態の導電部材４ａと同様、回路モジュールに分割したときに、電子部品３を囲む分割導電部材の面積、すなわちモジュール側面のシールド面積が球形状の場合より広く、シールド効果が向上する利点がある。

（第５の実施形態）
請求項３に対応する第５の実施形態について、前記第３の実施形態の図１１に対応する図１４を参照して説明する。

図１４に示すように、本実施形態においては、導電球からなる球形状の導電部材４ｂは集合基板１ｃの接地電極７を貫通したスルーホール１０上に、集合基板１ｃ上の電子部品３等より背高に設けられ、その後、リフロー半田の処理によって接地電極７に半田９により半田付けされる。

この場合、導電部材４ｂはスルーホール１０が位置決め手段として作用し、スルーホール１０上に精度良く容易に設けることができ、導電部材４ｂを電子部品３等の他の部品との間隔を詰めて集合基板１ｃに設けることができるようになるので、集合基板１ｃの実装密度を高めることができる利点がある。

（第６の実施形態）
請求項５に対応する第６の実施形態について、図１５〜図１７を参照して説明する。

図１５は電子部品３及び導電部材４ｄが実装された状態の集合基板１ｄの平面図、図１６はその一部の拡大図、図１７は集合基板１ｄを切断して子基板１１に分割した状態の部分平面図である。

本実施形態においては、前記第１の工程により用意される集合基板１ｄは、図１６、図１７から明らかなように、各子基板１１の領域は縦横の分割線Ｌにより集合基板１ｄを格子状に分割するように集合基板１ｄに形成され、しかも、他のチップ部品（電子部品３）より背高の金属成形体の導電チップからなる導電部材４ｄが前記縦横の分割線Ｌが交差する個所の接地電極７上に設けられる。なお、導電部材４ｄは前記交差する個所以外にも設けられていてもよい。

そして、第２の工程により集合基板１ｄ上に前記樹脂層５を設け、第３の工程により前記樹脂層５上に前記シールド層６を設けた後、第４の工程により、集合基板１ｄをダイサーカットにより分割線Ｌに沿って切断して回路モジュールを製造すると、その子基板１１は図１７に示すように、電極部材４ｄを４分割して形成された分割導電部材４１ｃが分割接地電極７１上に設けられて、電子部品３の側面シールド（モジュール側面のシールド）を形成する。

したがって、本実施形態の場合、集合基板１ｄの導電部材４ｄを４分割して４つの回路モジュールを経済的に製造することができ、安価に量産できる効果を奏する。なお、導電部材４ｄは例えば導電部材４ｂのような球形状や、導電部材４ｃのような平面形状が集合基板１ｄの分割線Ｌに沿った略細長い楕円形状等であってもよい。

（第７の実施形態）
請求項６に対応する第７の実施形態について、図１８及び図１９を参照して説明する。

図１８は電子部品３及び導電部材４ｅが設けられた状態の集合基板１ｅの平面図、図１９はその一部の断面図である。

本実施形態においては、前記第１の工程において、接地電極７に沿って導電性樹脂（ダム材）を塗布し、硬化して接地電極７上に一体に導電部材４ｅを設ける。

そして、前記第２の工程により、電子部品や導電部材４ｅが設けられた集合基板１ｅの上から絶縁樹脂（フィル材）を塗布して充填し、硬化して絶縁性の樹脂層を形成し、その後、樹脂層の表面を研磨等して導電部材４ｅの端面を露出する。

さらに、前記第３の工程により、シールド層を吹き付け塗装や印刷、金属箔の貼付により形成した後、前記第４の工程により、ダイサーを使って集合基板１ｅを切断し、回路モジュールを製造する。

この場合、製造された回路モジュールは、導電性樹脂の導電部材４ｅを分割して形成された分割導電部材が、接地電極７を分割して形成された子基板１１の接地電位のランド（分割接地電極）に接続されて側面シールドを形成し、また、前記分割導電部材の露出した端面にシールド層を分割して形成された分割シールド層が接続されて上面シールドを形成し、前記第１ないし第６の実施形態と同様の効果を奏する。

そして、回路モジュールの上面（表面）は、前記樹脂層の研磨等の加工によって平坦になる。また、前記シールド層は、銀ペースト等導電性ペーストで吹き付け塗装で形成する場合は、平面に塗装するだけなので、容易に均一に塗って形成することができ、スピンコータ等の特殊設備は不要である。前記シールド層は、印刷により安価に形成することも可能であり、金属箔等を樹脂層平面に貼り付けて安価に形成することも可能である。その場合、金属箔と樹脂との貼り合せは熱プレス、超音波溶着、導電接着等で行えばよい。

ところで、本実施形態においても、図１９に示すように、接地電極７の中央部に前記第２の実施形態の溝８ａと同様の細い溝８ｂが接地電極７に沿って形成される。なお、溝８ｂは接地電極７を完全に切り欠いて形成されるか、Ｕ字やＶ字の断面に凹ませて形成される。その形成手法は、溝８ａと同様である。

この場合、溝８ｂによって導電性樹脂の溜まりが接地電極７の中央部に形成され、導電性樹脂が外側に濡れ広がるのを防ぐことができる。また、溝８ｂが接地電極７を完全に切り欠いて形成される場合、子基板１１に分割する際に接地電極７の銅箔を切らずに済み、切断が容易になる利点もある。なお、溝８ｂは導電性樹脂を塗布する際の基準にもなり、導電性樹脂の塗布精度が向上する利点もある。

（第８の実施形態）
第７の実施形態の変形例について、図１９に対応する図２０を参照して説明する。

本実施形態においては、図２０に示すように、図１９の分割線Ｌに沿って接地電極７及び集合基板１ｅがＶカットされ、図２０の溝８ｂに代えてＶカット形状の溝８ｃが形成される。

この場合、溝８ｃによって導電性樹脂の溜まりが接地電極７の中央部に形成され、導電性樹脂が外側に濡れ広がるのを防ぐことができる。また、集合基板１ｅもＶカットの切り込みが入っているので、子基板１１に分割する際に接地電極７の銅箔を切らずに済むだけでなく集合基板１ｅの切断も容易に行え、集合基板１ｅを一層容易に子基板１１に分割できる。なお、溝８ｃも導電性樹脂を塗布する際の基準になり、導電性樹脂の塗布精度が向上する利点もある。なお、前記Ｖカットは、例えば先端がＶ型の円盤を回転させて削ることにより容易に形成できる。

そして、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、例えば、集合基板１ａ〜１ｅ、導電部材４ａ〜４ｅ、樹脂層５、シールド層６の寸法や、集合基板１ａ〜１ｅの分割格子の縦横の数等はどのようであってもよく、集合基板１ａ〜１ｅは１列に分割されるものであってもよい。また、各実施形態の集合基板１ａ〜１ｅの接地電極７は分割線Ｌに沿って不連続に形成されていてもよく、具体的には、例えば第１の実施形態の集合基板１ａの接地電極７は図２１に示すように分割線Ｌに沿った不連続なランドに形成されていてもよい。

さらに、集合基板１ａ〜１ｅ、導電部材４ａ〜４ｅ、樹脂層５、シールド層６等の材質は、どのようであってもよい。

そして、本発明は、高周波回路モジュール等の種々のこの種の回路モジュールの製造に適用できる。

第１の実施形態の製造工程の説明図である。 図１の集合基板を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視図である。 図１の集合基板の樹脂封止の状態の斜視図である。 図１の集合基板のシールド層が設けられた状態の斜視図である。 図１の集合基板を切断して形成された回路モジュールの斜視図である。 第２の実施形態の集合基板の平面図である。 図６の一部の断面図である。 図６の他の一部の断面図である。 第３の実施形態の製造工程の説明図である。 図９の集合基板の平面図である。 図１０の一部の拡大断面図である。 第４の実施形態の集合基板の平面図である。 図１２の導電部材の形状を示す断面図であり、（ａ）は一例を示す断面図、（ｂ）は他の例を示す断面図である。 第５の実施形態の集合基板の一部の拡大断面図である。 第６の実施形態の集合基板の平面図である。 図１５の一部の拡大図である。 図１５の集合基板を子基板に分割した状態の部分平面図である。 第７の実施形態の集合基板の平面図である。 図１８の一部の断面図である。 第８の実施形態の集合基板の一部の断面図である。 接地電極の他の例を示す集合基板の平面図である。 従来例の製造工程の説明図である。

符号の説明

１ａ〜１ｅ 集合基板
２ 回路モジュール
３ 電子部品
４ａ〜４ｅ 導電部材
５ 樹脂層
６ シールド層
７ 接地電極
１１ 子基板
４１ａ〜４１ｃ 分割導電部材
５１ 分割樹脂層
６１ 分割シールド層
７１ 分割接地電極
Ｌ 分割線

Claims (12)

1. 電子部品を実装した複数個の子基板に分割される基板であって、少なくとも前記各子基板の領域の境界線である分割線上に接地電極が形成される集合基板を用意し、前記各子基板の領域に実装された前記電子部品より背高の導電部材を前記電子部品を囲むように前記接地電極上に設ける第１の工程と、
   前記集合基板上に、前記電子部品が埋設されて前記導電部材の少なくとも上端面が露出するように絶縁性の樹脂層を形成する第２の工程と、
   前記絶縁性の樹脂層上に導電性のシールド層を形成する第３の工程と、
   前記シールド層が形成された前記集合基板を前記分割線に沿って切断し、切断された前記シールド層及び前記導電部材により前記電子部品をシールドする構造の複数個の回路モジュールを得る第４の工程と、
   を含むことを特徴とする回路モジュールの製造方法。
2. 前記第１の工程において、前記導電部材は平面形状が前記分割線に沿った略細長い形状であることを特徴とする請求項１に記載の回路モジュールの製造方法。
3. 前記第１の工程において、前記導電部材は球形状であり、前記集合基板の前記接地電極を貫通したスルーホール上に設けられることを特徴とする請求項１に記載の回路モジュールの製造方法。
4. 前記第１の工程において、前記導電部材は前記集合基板に実装される金属成形体であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の回路モジュールの製造方法。
5. 前記第１の工程において、前記各子基板の領域は縦横の分割線により前記集合基板を格子状に分割するように前記集合基板に形成され、前記導電部材は少なくとも前記縦横の分割線が交差する個所に設けられ、 前記第４の工程における前記集合基板の切断により前記縦横の分割線が交差する個所の導電部材が４分割されることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の回路モジュールの製造方法。
6. 前記第１の工程において、前記導電部材は前記接地電極に導電性樹脂を塗布して前記接地電極上に設けられることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路モジュールの製造方法。
7. 前記第１の工程において、前記接地電極の前記導電部材が設けられる部分は前記分割線に沿って凹ませるか切り欠かれていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の回路モジュールの製造方法。
8. 前記第２の工程において、前記絶縁性の樹脂層は前記導電部材の上端面が露出するように加工して厚みが調整されることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の回路モジュールの製造方法。
9. 集合基板を分割線に沿って切断して形成され電子部品が実装された子基板と、
   前記集合基板の切断により、前記集合基板の前記接地電極を分割して形成された分割接地電極と、
   前記集合基板の切断により、前記集合基板の前記接地電極上に設けられた導電部材が切断されて前記分割接地電極上に前記電子部品より背高に設けられた分割導電部材と、
   前記集合基板の切断により、前記集合基板上に積層された絶縁性の樹脂層が切断されて形成され、前記電子部品が埋設されて前記分割導電部材の側面及び上端面が露出するように前記子基板上に設けられた絶縁性の分割樹脂層と、
   前記集合基板の切断により、前記集合基板の前記樹脂層上に積層された導電性のシールド層が切断されて前記分割樹脂層上に設けられ、前記分割導電部材の上端面を覆う導電性の分割シールド層と、
   を備えたことを特徴とする回路モジュール。
10. 前記分割導電部材は、平面形状を前記集合基板の前記接地電極に沿った略細長い形状とする前記導電部材が前記分割線に沿って切断されて形成されたものであることを特徴とする請求項９に記載の回路モジュール。
11. 前記分割導電部材は、前記集合基板に前記分割線に沿って実装された金属成形体が切断されて形成されたものであることを特徴とする請求項９又は１０に記載の回路モジュール。
12. 前記分割導電部材は、前記集合基板の少なくとも縦横の前記分割線が交差する個所に設けられた前記導電部材が前記分割線に沿って４分割に切断されて形成されたものであることを特徴とする請求項９ないし１１のいずれかに記載の回路モジュール。

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