JP2009277842A - インダクタ素子、集積回路装置、及び、三次元実装回路装置 - Google Patents
インダクタ素子、集積回路装置、及び、三次元実装回路装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009277842A JP2009277842A JP2008126934A JP2008126934A JP2009277842A JP 2009277842 A JP2009277842 A JP 2009277842A JP 2008126934 A JP2008126934 A JP 2008126934A JP 2008126934 A JP2008126934 A JP 2008126934A JP 2009277842 A JP2009277842 A JP 2009277842A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- layer
- inductor element
- wiring
- element according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 28
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 27
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 97
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F5/00—Coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5227—Inductive arrangements or effects of, or between, wiring layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/645—Inductive arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/10—Inductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
- H01F2017/002—Details of via holes for interconnecting the layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06527—Special adaptation of electrical connections, e.g. rewiring, engineering changes, pressure contacts, layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
【解決手段】 互いに上下方向で隣接する層準において互いの主配線方向が異なる少なくとも2つの層準のそれぞれに各主配線方向に沿うコイル要素1,2を設け、各コイル要素1(2)を異なった層準に形成したコイル要素2(1)に接続することにより1つのコイルを構成する。
【選択図】 図1
Description
上記課題を解決するために、本発明は、インダクタ素子であって、互いに上下方向で隣接する層準において互いの主配線方向が異なる少なくとも2つの層準のそれぞれに各主配線方向に沿うコイル要素1,2を設け、各コイル要素1(2)を異なった層準に設けたコイル要素2(1)に接続することにより1つのコイルを構成する。なお、本願明細書において「層準」とは、同じ階層の配線層が存在する層を意味する。
この場合、第1コイル要素1011〜1016を第1層金属配線層の主配線方向に沿った直線部と、その両端に設けた45°中央よりに傾斜した傾斜部により構成する。また、第2コイル要素3011〜3016も第2層金属配線層の主配線方向に沿った直線部と、その両端に設けた45°中央よりに傾斜した傾斜部により構成する。
なお、この場合、第1コイル要素1031〜1036から第4のコイル要素7031〜7036への接続部8031〜8036においては、上記の図7(c)に示したように、3つのビアが2つの接続導体を介して積層した構造になっている。
2 コイル要素
3 接続ビア
10,101 〜106 ,108 ,1010,1011〜1016,1031〜1036 第1コイル要素
11 第1層間絶縁膜
12 溝
13 TaN膜
14 Cu膜
15 周辺配線
20,201 〜2012,2021〜2032 ,2041〜2046 接続ビア
21 第2層間絶縁膜
22 ビアホール
23 TaN膜
24 W膜
30,301 〜306 ,3011〜3016,3031〜3036 第2コイル要素
31 第3層間絶縁膜
32 溝
33 TaN膜
34 Cu膜
35 周辺配線
36 接続導体
40,4031〜4036 接続ビア
50,5031〜5036 第3コイル要素
56 接続導体
60,6031〜6036 接続ビア
70,7031〜7036 第4コイル要素
8031〜8036 接続部
101〜103 半導体チップ
111〜113 インダクタ素子
1111 〜1131 受信用コイル
1112 〜1132 送信用コイル
Claims (12)
- 上下方向で隣接する層準において互いの主配線方向が異なる少なくとも2つの層準のそれぞれに各主配線方向に沿うコイル要素を設け、前記各コイル要素を異なった層準に設けたコイル要素と接続することにより1つのコイルを構成するインダクタ素子。
- 前記各層準に設けるコイル要素が、中央部を挟んで対向する少なくとも主要部が直線状のコイル要素からなり、前記各コイル要素の両端を異なった層準に設けたコイル要素に接続することにより1つのコイルを構成する請求項1記載のインダクタ素子。
- 前記1つのコイルが、互いの主配線方向が直交する2つの層準のコイル要素により構成される請求項1または2に記載のインダクタ素子。
- 前記各コイル要素が、全て直線状の配線パターンからなる請求項3記載のインダクタ素子。
- 前記コイル要素の少なくとも一部が、直線状の主配線パターンと折線状の副配線パターンにより構成される請求項3記載のインダクタ素子。
- 前記各コイル要素が、直線状の主配線パターンと前記直線状の主配線パ
ターンの両端に接続されるとともに、前記中央部に向かって45°折れ曲がった折れ曲がりパターンからなり、前記1つのコイルの投影平面パターンが八角形状のスパイラルパターンを構成する請求項3記載のインダクタ素子。 - 前記1つのコイルが、互いの主配線方向が直交する2つの層準のコイル要素により構成されるサブコイルを2つ積層して構成されるとともに、前記サブコイルの内の第1のサブコイルが内側に向かって巻回し、前記サブコイルの内の第2のサブコイルが外側に向かって巻回する請求項1または2に記載のインダクタ素子。
- 前記1つのコイルが、互いの主配線方向が順次45°傾斜する4つの層準に設けた少なくとも主要部が直線状のコイル要素を、前記4つの層準間を隣接する層準を第1の層準から第4の層準に向かって順次繰り返して接続して構成される請求項1または2に記載のインダクタ素子。
- 前記1つのコイルの中央部に、前記各層準の主配線方向に沿った周辺配線が配置されている請求項1乃至8のいずれか1項に記載のインダクタ素子。
- 請求項1乃至9のいずれか1項に記載のインダクタ素子を半導体チップに設けた集積回路装置。
- 請求項1乃至9のいずれか1項に記載のインダクタ素子を実装基板に設けた集積回路装置。
- 請求項10または11に記載の積回路装置を複数個積み重ねるとともに、前記各集積回路装置間の通信を前記インダクタ素子を用いて磁気的に行う三次元実装回路装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008126934A JP5252486B2 (ja) | 2008-05-14 | 2008-05-14 | インダクタ素子、集積回路装置、及び、三次元実装回路装置 |
US12/992,466 US8704627B2 (en) | 2008-05-14 | 2009-05-12 | Inductor element, integrated circuit device, and three-dimensional circuit device |
KR1020107024797A KR101608757B1 (ko) | 2008-05-14 | 2009-05-12 | 인덕터를 포함하는 집적 회로 소자, 집적 회로 장치, 및 삼차원 실장 회로 장치 |
PCT/JP2009/058819 WO2009139372A1 (ja) | 2008-05-14 | 2009-05-12 | インダクタ素子、集積回路装置、及び、三次元実装回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008126934A JP5252486B2 (ja) | 2008-05-14 | 2008-05-14 | インダクタ素子、集積回路装置、及び、三次元実装回路装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009277842A true JP2009277842A (ja) | 2009-11-26 |
JP2009277842A5 JP2009277842A5 (ja) | 2011-06-30 |
JP5252486B2 JP5252486B2 (ja) | 2013-07-31 |
Family
ID=41318739
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008126934A Active JP5252486B2 (ja) | 2008-05-14 | 2008-05-14 | インダクタ素子、集積回路装置、及び、三次元実装回路装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8704627B2 (ja) |
JP (1) | JP5252486B2 (ja) |
KR (1) | KR101608757B1 (ja) |
WO (1) | WO2009139372A1 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012209769A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Keio Gijuku | 積層集積回路装置 |
JP2013008859A (ja) * | 2011-06-24 | 2013-01-10 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ワイヤレス給電又は受電用コイルと、それを用いたユニット |
JP2013528295A (ja) * | 2010-06-08 | 2013-07-08 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 集積フォトニック・アプリケーションのための伝送線路 |
US8686821B2 (en) | 2012-01-19 | 2014-04-01 | Industrial Technology Research Institute | Inductor structure |
WO2016006508A1 (ja) * | 2014-07-07 | 2016-01-14 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | プリント配線板、アンテナ及びワイヤレス給電装置 |
KR20160088851A (ko) | 2013-11-21 | 2016-07-26 | 트루칩 재팬 가부시키가이샤 | 집적 회로 및 이를 구비한 적층 회로 |
JP6010633B2 (ja) * | 2012-12-19 | 2016-10-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP2017069456A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 学校法人慶應義塾 | 半導体チップ及びマルチチップモジュール |
JP2017139314A (ja) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | 学校法人慶應義塾 | 半導体集積回路装置 |
WO2020110195A1 (ja) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | 三菱電機株式会社 | 結合ループ回路、ノイズフィルタ回路及び回路生成方法 |
JP2021034593A (ja) * | 2019-08-26 | 2021-03-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101218985B1 (ko) * | 2011-05-31 | 2013-01-04 | 삼성전기주식회사 | 칩형 코일 부품 |
CN107370249B (zh) * | 2012-03-14 | 2020-06-09 | 索尼公司 | 电力发送装置以及非接触电力提供*** |
US9373434B2 (en) * | 2013-06-20 | 2016-06-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Inductor assembly and method of using same |
US9509375B2 (en) | 2013-08-01 | 2016-11-29 | SK Hynix Inc. | Wireless transceiver circuit with reduced area |
US9355956B2 (en) * | 2013-11-01 | 2016-05-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Inductor for semiconductor integrated circuit |
JP6221736B2 (ja) * | 2013-12-25 | 2017-11-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
TWI580589B (zh) * | 2014-09-30 | 2017-05-01 | 三緯國際立體列印科技股份有限公司 | 立體列印裝置 |
US10062494B2 (en) | 2014-11-03 | 2018-08-28 | Qorvo Us, Inc. | Apparatus with 3D inductors |
US10593449B2 (en) | 2017-03-30 | 2020-03-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic inductor with multiple magnetic layer thicknesses |
US10607759B2 (en) | 2017-03-31 | 2020-03-31 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating a laminated stack of magnetic inductor |
US10597769B2 (en) | 2017-04-05 | 2020-03-24 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating a magnetic stack arrangement of a laminated magnetic inductor |
US10347411B2 (en) | 2017-05-19 | 2019-07-09 | International Business Machines Corporation | Stress management scheme for fabricating thick magnetic films of an inductor yoke arrangement |
TWI697919B (zh) * | 2019-12-09 | 2020-07-01 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 非對稱式螺旋狀電感 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61144052A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH0786523A (ja) * | 1993-09-03 | 1995-03-31 | Motorola Inc | 集積回路および形成方法 |
JP2002009244A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路および半導体集積回路の設計方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5227659A (en) * | 1990-06-08 | 1993-07-13 | Trustees Of Boston University | Integrated circuit inductor |
US5656849A (en) * | 1995-09-22 | 1997-08-12 | International Business Machines Corporation | Two-level spiral inductor structure having a high inductance to area ratio |
DE69737411T2 (de) * | 1997-02-28 | 2007-10-31 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Verbesserter q-Induktor mit mehreren Metallisierungsschichten |
US7151298B1 (en) * | 1999-12-20 | 2006-12-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Electrostatic discharge protection network having distributed components |
US6429504B1 (en) * | 2000-05-16 | 2002-08-06 | Tyco Electronics Corporation | Multilayer spiral inductor and integrated circuits incorporating the same |
JP3907921B2 (ja) * | 2000-06-19 | 2007-04-18 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6420773B1 (en) * | 2000-10-04 | 2002-07-16 | Winbond Electronics Corp. | Multi-level spiral inductor structure having high inductance (L) and high quality factor (Q) |
JP2003078017A (ja) | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP4131544B2 (ja) | 2004-02-13 | 2008-08-13 | 学校法人慶應義塾 | 電子回路 |
JP4193060B2 (ja) | 2004-06-04 | 2008-12-10 | 学校法人慶應義塾 | 電子回路 |
JP4677598B2 (ja) | 2004-08-05 | 2011-04-27 | 学校法人慶應義塾 | 電子回路 |
JP5024740B2 (ja) | 2004-09-30 | 2012-09-12 | 学校法人慶應義塾 | Lsiチップ試験装置 |
KR100670506B1 (ko) | 2004-12-13 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 방열핀을 가지는 플라즈마 표시장치 |
JP2006173986A (ja) | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Keio Gijuku | 電子回路 |
JP2006173415A (ja) | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Keio Gijuku | 電子回路 |
JP4230468B2 (ja) | 2005-03-11 | 2009-02-25 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体基板上に形成されるインダクタンス素子 |
US7851257B2 (en) * | 2005-10-29 | 2010-12-14 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit stacking system with integrated passive components |
TWI344658B (en) * | 2007-05-11 | 2011-07-01 | Via Tech Inc | Inductor structure |
-
2008
- 2008-05-14 JP JP2008126934A patent/JP5252486B2/ja active Active
-
2009
- 2009-05-12 WO PCT/JP2009/058819 patent/WO2009139372A1/ja active Application Filing
- 2009-05-12 KR KR1020107024797A patent/KR101608757B1/ko active IP Right Grant
- 2009-05-12 US US12/992,466 patent/US8704627B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61144052A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH0786523A (ja) * | 1993-09-03 | 1995-03-31 | Motorola Inc | 集積回路および形成方法 |
JP2002009244A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路および半導体集積回路の設計方法 |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013528295A (ja) * | 2010-06-08 | 2013-07-08 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 集積フォトニック・アプリケーションのための伝送線路 |
JP2012209769A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Keio Gijuku | 積層集積回路装置 |
JP2013008859A (ja) * | 2011-06-24 | 2013-01-10 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ワイヤレス給電又は受電用コイルと、それを用いたユニット |
US8686821B2 (en) | 2012-01-19 | 2014-04-01 | Industrial Technology Research Institute | Inductor structure |
US9536828B2 (en) | 2012-12-19 | 2017-01-03 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
JPWO2014097425A1 (ja) * | 2012-12-19 | 2017-01-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP6010633B2 (ja) * | 2012-12-19 | 2016-10-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US9749020B2 (en) | 2013-11-21 | 2017-08-29 | Thruchip Japan, Inc. | Integrated circuit and layered circuit provided therewith |
KR20160088851A (ko) | 2013-11-21 | 2016-07-26 | 트루칩 재팬 가부시키가이샤 | 집적 회로 및 이를 구비한 적층 회로 |
WO2016006508A1 (ja) * | 2014-07-07 | 2016-01-14 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | プリント配線板、アンテナ及びワイヤレス給電装置 |
US10373757B2 (en) | 2014-07-07 | 2019-08-06 | Sumitomo Electric Printed Circuits, Inc. | Printed circuit board, antenna, and wireless charging device |
JP2017069456A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 学校法人慶應義塾 | 半導体チップ及びマルチチップモジュール |
JP2017139314A (ja) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | 学校法人慶應義塾 | 半導体集積回路装置 |
WO2017135132A1 (ja) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | 学校法人慶應義塾 | 半導体集積回路装置 |
WO2020110195A1 (ja) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | 三菱電機株式会社 | 結合ループ回路、ノイズフィルタ回路及び回路生成方法 |
JPWO2020110195A1 (ja) * | 2018-11-27 | 2021-03-11 | 三菱電機株式会社 | 結合ループ回路、ノイズフィルタ回路及び回路生成方法 |
DE112018008086B4 (de) | 2018-11-27 | 2022-06-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Kopplungsschleifenschaltung, störfilterschaltung und schaltungserzeugungsverfahren |
JP2021034593A (ja) * | 2019-08-26 | 2021-03-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP7290513B2 (ja) | 2019-08-26 | 2023-06-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110016878A (ko) | 2011-02-18 |
JP5252486B2 (ja) | 2013-07-31 |
KR101608757B1 (ko) | 2016-04-04 |
US20110090036A1 (en) | 2011-04-21 |
WO2009139372A1 (ja) | 2009-11-19 |
US8704627B2 (en) | 2014-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5252486B2 (ja) | インダクタ素子、集積回路装置、及び、三次元実装回路装置 | |
US9093756B2 (en) | Antenna, transmitter device, receiver device, three-dimensional integrated circuit, and contactless communication system | |
JP5673359B2 (ja) | コイル部品及びその製造方法 | |
JP5195876B2 (ja) | コイル部品及びその製造方法 | |
JP5818694B2 (ja) | 磁気膜強化インダクタ | |
CN104813495B (zh) | 半导体器件上的混合变压器结构 | |
JP4592542B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN103579096A (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
CN101620919A (zh) | 平面型沟槽功率电感结构与制造方法 | |
CN110603635B (zh) | 具有用于无线信号及功率耦合的背侧线圈的半导体装置 | |
CN110770858B (zh) | 用于芯片到芯片近场通信的电感器 | |
US8872609B2 (en) | Inductor element and integrated circuit device | |
JP6570954B2 (ja) | 半導体チップ及びマルチチップモジュール | |
JP5360130B2 (ja) | コモンモードノイズフィルタ | |
WO2017010009A1 (ja) | 半導体素子 | |
JP6005438B2 (ja) | 積層集積回路 | |
TW200917290A (en) | Symmetrical inductor device | |
US20200286660A1 (en) | On-package vertical inductors and transformers for compact 5g modules | |
WO2024060358A1 (zh) | 半导体封装结构 | |
JP5018122B2 (ja) | 電子回路部品の製造方法及び電子回路部品 | |
KR101326355B1 (ko) | 무선통신을 위한 ic 집적 회로 제조방법 및 그 ic 집적 회로 | |
JP2005259969A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
CN114823048A (zh) | 一种片上堆叠式差分电感 | |
TW202240614A (zh) | 三維垂直螺旋電感器和變壓器 | |
JP2006286816A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110512 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110512 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130115 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130312 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130410 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5252486 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160426 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |