JP2009270961A - Ｍｅｍｓセンサおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板とキャップとの対向方向の物理量を検出するために必要な配線の接続を表面側で達成することができながら、製造工程の簡素化を図ることができる、ＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２上には、壁部６および分離部７により、第２絶縁層９を介して、ドープトポリシリコンからなる平板状のキャップ１２がシリコン基板２に対向した状態で支持されている。シリコン基板２とキャップ１２との間には、ドープトポリシリコンからなるＺ可動電極５が設けられている。Ｚ可動電極５は、その表面を壁部６および分離部７の表面よりもシリコン基板２側に下がった位置に有し、シリコン基板２およびキャップ１２から離間し、シリコン基板２およびキャップ１２の対向方向に変位可能である。これにより、キャップ１２およびＺ可動電極５は、それらの間隔の変化により静電容量が変化するコンデンサを構成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術により製造されるセンサおよびその製造方法に関する。

最近、ＭＥＭＳセンサの携帯電話機への搭載が開始されたことから、そのＭＥＭＳセンサの注目度が急激に高まっている。ＭＥＭＳセンサの代表的なものとして、たとえば、物体の加速度を検出するための加速度センサが知られている。
従来の加速度センサは、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を加工したものに、ガラスまたはシリコンからなるキャップを貼り合わせることにより作製される。具体的には、ＳＯＩ基板の表層をなすＳＯＩ層（シリコン層）およびその下層の絶縁層（酸化シリコン層）を選択的に除去することにより、ＳＯＩ層に、ＳＯＩ層の基層（絶縁層の下層）をなすシリコン基板から浮いた状態の複数の可動導電部と、シリコン基板に絶縁層を介して固定された状態の複数の固定導電部とが形成される。そして、陽極接合法により、キャップが固定導電部上に接合され、加速度センサが得られる。

Ｘ軸方向に対向する可動導電部と固定導電部との対は、Ｘ軸方向の加速度を検出するためのコンデンサを構成する。また、Ｙ軸方向に対向する可動導電部と固定導電部との対は、Ｙ軸方向の加速度を検出するためのコンデンサを構成する。加速度センサ（加速度センサが搭載される物体）にＸ軸方向またはＹ軸方向の加速度が生じると、可動導電部が変位し、可動導電部と固定導電部との間隔が変化する。これに伴って、可動導電部および固定導電部からなるコンデンサの静電容量が変化する。したがって、その静電容量の変化に基づいて、Ｘ軸方向またはＹ軸方向の加速度を検出することができる。また、可動導電部およびシリコン基板によりコンデンサを構成すれば、可動導電部およびシリコン基板の対向方向（Ｚ軸方向）の加速度を検出することができる。
特開２００７−１５００９８号公報

しかし、Ｚ軸方向の加速度を検出するためには、シリコン基板に配線を電気的に接続する必要がある。そして、その配線の接続を表面側（キャップが設けられている側）で達成するためには、Ｘ軸方向およびＹ軸方向の加速度の検出に使用されない固定導電部上に配線接続用のパッドを設けるとともに、パッドとシリコン基板との間に固定導電部および絶縁層を連続して貫通する貫通電極を設けなければならず、加速度センサの製造工程がかなり複雑になる。

そこで、本発明の目的は、基板とキャップとの対向方向の物理量を検出するために必要な配線の接続を表面側（キャップが設けられている側）で達成することができながら、製造工程の簡素化を図ることができる、ＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供することである。

前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板と、導電材料からなり、前記基板上に設けられる支持部と、前記基板と前記支持部との間に介在される第１絶縁層と、前記支持部上に設けられる第２絶縁層と、導電材料からなり、前記第２絶縁層を介して前記支持部に支持され、前記基板に対向する平板状のキャップと、前記支持部の材料と同一材料からなり、前記支持部と同一層に形成され、その表面を前記支持部の表面よりも前記基板側に下がった位置に有しており、前記基板および前記キャップに対して離間し、前記基板および前記キャップの対向方向に変位可能な可動部とを含む、ＭＥＭＳセンサである。

この構成によれば、基板上には、第１絶縁層を介して、導電材料からなる支持部が設けられている。この支持部によって、導電材料からなる平板状のキャップが基板に対向した状態で支持されている。支持部およびキャップは、それらの間に第２絶縁層が介在されることにより互いに絶縁されている。そして、基板とキャップとの間には、基板およびキャップから離間して、支持部の材料と同一材料からなる可動部が設けられている。可動部は、基板およびキャップの対向方向（以下、この項において「Ｚ軸方向」という。）に変位可能である。これにより、キャップおよび可動部は、それらの間隔の変化により静電容量が変化するコンデンサを構成する。

ＭＥＭＳセンサ（ＭＥＭＳセンサが搭載される物体）にＺ軸方向の物理量が生じ、または、ＭＥＭＳセンサにＺ軸方向の物理量が作用し、可動部が変位すると、キャップと可動部との間隔が変化する。これに伴って、キャップおよび可動部からなるコンデンサの静電容量が変化するので、その静電容量の変化に基づいて、そのＺ軸方向の物理量を検出することができる。なお、物理量としては、加速度および音圧などが例示される。

そして、可動部は、支持部と同一層に形成され、その表面を支持部の表面よりも基板側に下がった位置に有している。これにより、可動部の表面とキャップとの間に、第２絶縁層の厚さよりも大きな間隔のスペースを確保することができ、可動部が変位したときに、可動部とキャップとの衝突を防止することができる。
また、キャップおよび可動部からなるコンデンサでは、キャップが固定電極となり、この固定電極に対する配線の接続は、キャップ上に配線接続用のパッドを設けることにより達成される。したがって、従来の加速度センサと異なり、基板と配線との接続を達成するための貫通電極を設ける必要がない。よって、Ｚ軸方向の加速度を検出するために必要な配線の接続を表面側で達成することができながら、従来の加速度センサの構成と比較して、製造工程の簡素化を図ることができる。

請求項２に記載の発明は、基板上に、第１絶縁層を挟んで導電材料層を形成する工程と、前記導電材料層の表面上に、前記導電材料層を選択的に露出させるための開口を有する第２絶縁層を形成する工程と、前記導電材料層における前記開口から露出する部分を全体的に掘り下げて凹部を形成する工程と、前記導電材料層における前記開口から露出する部分を選択的に厚さ方向にわたって除去することにより、前記導電材料層を分割し、前記導電材料層の各分割部分からなる支持部および可動部を形成する工程と、前記第１絶縁層における前記可動部と接する部分を選択的に除去する工程と、前記第２絶縁層上に、導電材料からなる平板状のキャップを接合する工程とを含む、ＭＥＭＳセンサの製造方法である。

この製造方法により、請求項１に記載のＭＥＭＳセンサを製造することができる。
前記凹部を形成する工程は、請求項３に記載のように、前記導電材料層における前記開口から露出する部分の表面を酸化する工程と、当該酸化部分をエッチングにより除去する工程とを含んでいてもよい。この方法では、導電材料層の酸化部分と非酸化部分とのエッチングレートの差を利用して、エッチング量を良好に制御することができ、導電材料層に凹部を確実かつ容易に形成することができる。

以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る加速度センサの模式的な断面図である。
加速度センサ１は、ＭＥＭＳ技術により製造されるセンサ（ＭＥＭＳセンサ）である。加速度センサ１は、平面視四角形状のシリコン基板２を備えている。
シリコン基板２上には、複数のＸＹ可動電極３と、各ＸＹ可動電極３に対して間隔を空けて対向する複数のＸＹ固定電極４と、Ｚ可動電極５とが設けられている。ＸＹ可動電極３、ＸＹ固定電極４およびＺ可動電極５は、たとえば、不純物が高濃度にドープされることにより導電性が付与されたポリシリコン（以下、単に「ドープトポリシリコン」という。）からなり、互いに同じ厚さを有している。

たとえば、複数のＸＹ可動電極３には、シリコン基板２の表面と平行なＸ軸方向に間隔を空けて配置され、それぞれＸ軸方向と直交するＹ軸方向に延びる複数のＸ可動電極と、Ｙ軸方向に間隔を空けて配置され、それぞれＸ軸方向に延びる複数のＹ可動電極とが含まれる。各Ｘ可動電極のＹ軸方向の一端部は、Ｘ軸方向に延びるＸ連結部（図示せず）により連結されている。これにより、Ｘ可動電極およびＸ連結部は、櫛状構造をなしている。また、各Ｙ可動電極のＸ軸方向の一端部は、Ｙ軸方向に延びるＹ連結部（図示せず）により連結されている。これにより、Ｙ可動電極およびＹ連結部は、櫛状構造をなしている。

一方、複数のＸＹ固定電極４には、各Ｘ可動電極に対してＸ軸方向に間隔を空けて対向し、それぞれＹ軸方向に延びる複数のＸ固定電極と、各Ｙ可動電極に対してＹ軸方向に間隔を空けて対向し、それぞれＸ軸方向に延びる複数のＹ固定電極とが含まれる。各Ｘ固定電極のＹ軸方向の一端部は、Ｘ軸方向に延びるＸ連結部（図示せず）により連結されている。これにより、Ｘ固定電極およびＸ連結部は、櫛状構造をなすＸ可動電極およびＸ連結部に対し、互いの櫛歯が接触せずに噛み合うような櫛状構造をなしている。また、各Ｙ固定電極のＸ軸方向の一端部は、Ｙ軸方向に延びるＹ連結部（図示せず）により連結されている。これにより、Ｙ固定電極およびＹ連結部は、櫛状構造をなすＹ可動電極およびＹ連結部に対し、互いの櫛歯が接触せずに噛み合うような櫛状構造をなしている。

Ｚ可動電極５は、平面視四角形状に形成されている。
なお、図１には、紙面に直交する方向をＹ軸方向として、ＸＹ可動電極３に含まれるＸ可動電極およびＸＹ固定電極４に含まれるＸ固定電極が示されている。ＸＹ可動電極３に含まれるＹ可動電極およびＸＹ固定電極４に含まれるＹ固定電極は、それらの図示が省略されている。

また、シリコン基板２上には、シリコン基板２の周縁に沿った平面視四角環状の壁部６が設けられている。この壁部６に囲まれる領域内に、ＸＹ可動電極３、ＸＹ固定電極４およびＺ可動電極５が壁部６から分離して設けられている。
さらに、シリコン基板２上には、壁部６に囲まれる領域内に、２つの分離部７がＸＹ可動電極３、ＸＹ固定電極４、Ｚ可動電極５および壁部６から分離して設けられている。

壁部６および分離部７は、ＸＹ可動電極３、ＸＹ固定電極４およびＺ可動電極５の材料と同一材料、たとえば、ドープトポリシリコンからなる。そして、壁部６および分離部７は、ＸＹ可動電極３、ＸＹ固定電極４およびＺ可動電極５と同一層に形成され、ＸＹ可動電極３、ＸＹ固定電極４およびＺ可動電極５の厚さよりも大きな厚さを有し、各表面がＸＹ可動電極３、ＸＹ固定電極４およびＺ可動電極５の各表面よりも一段高い位置に配置されている。言い換えれば、ＸＹ可動電極３、ＸＹ固定電極４およびＺ可動電極５は、各表面を壁部６および分離部７の表面よりもシリコン基板２側に下がった位置に有している。

シリコン基板２と壁部６および分離部７との各間には、第１絶縁層８が介在されている。第１絶縁層８は、たとえば、酸化シリコンからなる。
そして、Ｘ可動電極を連結するＸ連結部およびＹ可動電極を連結するＹ連結部は、壁部６の内側面に接続されている。これにより、ＸＹ可動電極３は、Ｘ連結部またはＹ連結部を介して、壁部６と電気的に接続されている。また、シリコン基板２とＸＹ可動電極３との間には、第１絶縁層８は介在されておらず、ＸＹ可動電極３は、シリコン基板２上に浮いた状態で、Ｘ連結部またはＹ連結部により片持ち支持され、それぞれ対向するＸＹ固定電極４との対向方向に変位可能である。

Ｘ固定電極を連結するＸ連結部は、１つの分離部７（以下「Ｘ分離部７」という。）の側面に接続されている。これにより、Ｘ固定電極（ＸＹ固定電極４）は、Ｘ連結部を介して、Ｘ分離部７と電気的に接続されている。
Ｙ固定電極を連結するＹ連結部は、他の１つの分離部７（以下「Ｙ分離部７」という。）の側面に接続されている。これにより、Ｙ固定電極（ＸＹ固定電極４）は、Ｙ連結部を介して、Ｙ分離部７と電気的に接続されている。

Ｚ可動電極５には、図示しない接続部が一体に形成されており、この接続部は、壁部６の内側面に接続されている。これにより、Ｚ可動電極５は、接続部を介して、壁部６と電気的に（同電位に）接続されている。また、シリコン基板２とＺ可動電極５との間には、第１絶縁層８は介在されておらず、Ｚ可動電極５は、シリコン基板２上に浮いた状態で、接続部により、Ｘ軸方向およびＹ軸方向と直交するＺ軸方向に変位可能に支持されている。

壁部６および各分離部７上には、第２絶縁層９が設けられている。具体的には、壁部６上において、第２絶縁層９は、壁部６の内周に沿って、その内周形状に対応した平面視四角環状に形成されている。各分離部７上において、第２絶縁層９は、分離部７の表面を選択的に露出させる開口９ａを有するパターンに形成されている。第２絶縁層９は、たとえば、酸化シリコン層および窒化シリコン層をこの順に積層した２層構造を有している。

そして、壁部６の表面には、第２絶縁層９から露出する部分に、接地用パッド１０が設けられている。また、各分離部７の表面における開口９ａから露出する部分には、電圧印加用パッド１１が設けられている。接地用パッド１０および電圧印加用パッド１１は、たとえば、アルミニウムからなる。
第２絶縁層９上には、平板状のキャップ１２が支持されている。キャップ１２は、壁部６上の第２絶縁層９の形状に対応した外形（平面視四角形状）を有し、その壁部６上の第２絶縁層９により取り囲まれる領域を上方から覆うように設けられている。これにより、ＸＹ可動電極３、ＸＹ固定電極４、Ｚ可動電極５および分離部７が配置される空間は、シリコン基板２、壁部６、第２絶縁層９およびキャップ１２により密閉された空間（真空空間または窒素ガスなどの不活性ガスが充満した空間）となっており、この空間への外部からの水分などの進入が防止されている。また、キャップ１２には、各分離部７上の電圧印加用パッド１１を露出させるための開口１２ａが形成されている。キャップ１２は、たとえば、ドープトポリシリコンからなる。

キャップ１２の表面には、電圧印加用パッド１３が設けられている。電圧印加用パッド１３は、たとえば、アルミニウムからなる。
接地用パッド１０には、開口１２ａを介して、グランド電位（０Ｖ）に制御された配線（図示せず）が接続される。各電圧印加用パッド１１，１３には、一定電位（たとえば、±５Ｖ）に制御された配線（図示せず）が接続される。

これにより、互いに対向するＸＹ可動電極３およびＸＹ固定電極４の各組は、ＸＹ可動電極３とＸＹ固定電極４との間に一定電圧が印加され、その間隔の変化により静電容量が変化するコンデンサを構成している。また、Ｚ可動電極５とキャップ１２とは、それらの間に一定電圧が印加され、その間隔の変化により静電容量が変化するコンデンサを構成している。

加速度センサ１（加速度センサ１が搭載される物体）にＸ軸方向の加速度が生じ、各Ｘ可動電極（ＸＹ可動電極３）がＸ軸方向に変位すると、互いに対向するＸ可動電極およびＸ固定電極（ＸＹ固定電極４）からなる各コンデンサの静電容量が変化する。そして、静電容量の変化に伴い、壁部６および接地用パッド１０を介してＸ可動電極に接続された配線と、Ｘ分離部７および電圧印加用パッド１１を介してＸ固定電極に電気的に接続された配線とを含む回路に、その静電容量の変化量に応じた電流が流れる。したがって、その電流に基づいて、加速度センサ１に生じたＸ軸方向の加速度を検出することができる。

加速度センサ１にＹ軸方向の加速度が生じ、各Ｙ可動電極（ＸＹ可動電極３）がＹ軸方向に変位すると、互いに対向するＹ可動電極およびＹ固定電極（ＸＹ固定電極４）からなる各コンデンサの静電容量が変化する。そして、静電容量の変化に伴い、壁部６および接地用パッド１０を介してＹ可動電極に接続された配線と、Ｙ分離部７および電圧印加用パッド１１を介してＹ固定電極に電気的に接続された配線とを含む回路に、その静電容量の変化量に応じた電流が流れる。したがって、その電流に基づいて、加速度センサ１に生じたＹ軸方向の加速度を検出することができる。

また、加速度センサ１にＺ軸方向の加速度が生じた場合、Ｚ可動電極５がＺ軸方向に変位し、Ｚ可動電極５とキャップ１２とからなるコンデンサの静電容量が変化する。そして、静電容量の変化に伴い、壁部６および接地用パッド１０を介してＺ可動電極５に接続された配線と、電圧印加用パッド１３を介してキャップ１２に電気的に接続された配線とを含む回路に、その静電容量の変化量に応じた電流が流れる。したがって、その電流に基づいて、加速度センサ１に生じたＺ軸方向の加速度を検出することができる。

図２Ａ〜２Ｉは、図１に示す加速度センサの各製造工程における模式的な断面図である。
加速度センサ１の製造工程では、まず、図２Ａに示すように、ＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）法により、シリコン基板２の表面上に、酸化シリコン層２１が形成される。酸化シリコン層２１は、たとえば、５μｍの厚さに形成される。その後、エピタキシャル成長法またはＬＰＣＶＤ（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）により、酸化シリコン層２１上に、ドープトポリシリコン層２２が形成される。ドープトポリシリコン層２２は、たとえば、２５μｍの厚さに形成される。ドープトポリシリコン層２２の形成後、ドープトポリシリコン層２２に対し、たとえば、温度１０００℃および気圧１０Ｔｏｒｒの条件下での水素アニールが１０分間にわたって行われる。

次に、図２Ｂに示すように、ＬＯＰＯＳ（Local Oxidation of Poly silicon Over Silicon）技術により、ドープトポリシリコン層２２上に、酸化シリコンおよび窒化シリコンがこの順に堆積され、酸化シリコン層および窒化シリコン層からなる絶縁層２３が形成される。その後、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、絶縁層２３が選択的に除去され、ＸＹ可動電極３、ＸＹ固定電極４、Ｚ可動電極５が形成されるべき部分に開口２３ａを有する絶縁層２３のパターンが形成される。

その後、図２Ｃに示すように、ドープトポリシリコン層２２における絶縁層２３の開口２３ａから露出する部分が酸化され、その部分に酸化膜２４が形成される。
次いで、図２Ｄに示すように、エッチングにより、酸化膜２４が除去される。これにより、ドープトポリシリコン層２２に、絶縁層２３の開口２３ａに連通する凹部２５が形成される。

その後、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、ドープトポリシリコン層２２がパターニングされる。具体的には、ドープトポリシリコン層２２における絶縁層２３の開口２３ａから露出する部分が選択的に厚さ方向にわたって除去されることにより、ドープトポリシリコン層２２が分割される。これにより、図２Ｅに示すように、酸化シリコン層２１上に、ドープトポリシリコン層２２の各分割部分からなるＸＹ可動電極３、ＸＹ固定電極４、Ｚ可動電極５、壁部６および分離部７が形成される。

次に、図２Ｆに示すように、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、絶縁層２３が選択的に除去（パターニング）され、壁部６および分離部７上に、開口９ａを有する第２絶縁層９が形成される。
その後、図２Ｇに示すように、ドライエッチングにより、ＸＹ可動電極３およびＺ可動電極５の下方から酸化シリコン層２１が選択的に除去される。これにより、ＸＹ可動電極３およびＺ可動電極５は、シリコン基板２の表面から浮いた状態になり、それぞれ変位可能となる。また、酸化シリコン層２１は、壁部６および分離部７の下方に残り、それらを支持する第１絶縁層８となる。

次いで、図２Ｈに示すように、陽極接合法により、第２絶縁層９上に、開口１２ａを有するキャップ１２が貼り付けられる。
その後、スパッタ法により、壁部６、分離部７およびキャップ１２の表面に、アルミニウム膜が形成される。そして、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、そのアルミニウム膜がパターニングされ、壁部６、分離部７およびキャップ１２上にアルミニウム膜が選択的に残される。これにより、図２Ｉに示すように、壁部６、分離部７およびキャップ１２上に、それぞれ接地用パッド１０、電圧印加用パッド１１および電圧印加用パッド１３が形成される。

その後、シリコン基板２の裏面が研削され、シリコン基板２が薄くされることにより、図１に示す加速度センサ１が得られる。
以上のように、シリコン基板２上には、第１絶縁層８を介して、ドープトポリシリコンからなる壁部６および分離部７が設けられている。この壁部６および分離部７によって、ドープトポリシリコンからなる平板状のキャップ１２がシリコン基板２に対向した状態で支持されている。壁部６および分離部７とキャップ１２とは、それらの間に第２絶縁層９が介在されることにより互いに絶縁されている。そして、シリコン基板２とキャップ１２との間には、シリコン基板２およびキャップ１２から離間して、壁部６および分離部７の材料と同一材料からなるＺ可動電極５が設けられている。Ｚ可動電極５は、シリコン基板２およびキャップ１２の対向方向（Ｚ軸方向）に変位可能である。これにより、キャップ１２およびＺ可動電極５は、それらの間隔の変化により静電容量が変化するコンデンサを構成する。そして、そのコンデンサの静電容量の変化に基づいて、そのＺ軸方向の加速度を検出することができる。

そして、Ｚ可動電極５は、壁部６および分離部７と同一層に形成され、その表面を壁部６および分離部７の表面よりもシリコン基板２側に下がった位置に有している。これにより、Ｚ可動電極５の表面とキャップ１２との間に、第２絶縁層９の厚さよりも大きな間隔のスペースを確保することができ、Ｚ可動電極５が変位したときに、Ｚ可動電極５とキャップ１２との衝突を防止することができる。

また、キャップ１２およびＺ可動電極５からなるコンデンサでは、キャップ１２が固定電極となり、この固定電極に対する配線の接続は、キャップ１２上に電圧印加用パッド１３を設けることにより達成される。したがって、従来の加速度センサと異なり、シリコン基板２と配線との接続を達成するための貫通電極を設ける必要がない。よって、Ｚ軸方向の加速度を検出するために必要な配線の接続を表面側で達成することができながら、従来の加速度センサの構成と比較して、製造工程の簡素化を図ることができる。

そして、その製造工程では、ドープトポリシリコン層２２における絶縁層２３の開口２３ａから露出する部分が酸化され、その酸化により形成される酸化膜２４が除去されることにより、ドープトポリシリコン層２２に凹部２５が形成される。この方法では、ドープトポリシリコン層２２と酸化膜２４とのエッチングレートの差を利用して、エッチング量を良好に制御することができ、ドープトポリシリコン層２２に凹部２５を確実かつ容易に形成することができる。

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、他の形態で実施することが可能である。たとえば、ＭＥＭＳセンサの一例として、物体の加速度を検出するための加速度センサを取り上げたが、本発明は、加速度センサに限らず、音圧を検出する圧力センサなどに適用することもできる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

図１は、本発明の一実施形態に係る加速度センサの模式的な断面図である。 図２Ａは、図１に示す加速度センサの製造方法を説明するための模式的な断面図である。 図２Ｂは、図２Ａの次の工程を模式的に示す断面図である。 図２Ｃは、図２Ｂの次の工程を模式的に示す断面図である。 図２Ｄは、図２Ｃの次の工程を模式的に示す断面図である。 図２Ｅは、図２Ｄの次の工程を模式的に示す断面図である。 図２Ｆは、図２Ｅの次の工程を模式的に示す断面図である。 図２Ｇは、図２Ｆの次の工程を模式的に示す断面図である。 図２Ｈは、図２Ｇの次の工程を模式的に示す断面図である。 図２Ｉは、図２Ｈの次の工程を模式的に示す断面図である。

符号の説明

１ 加速度センサ（ＭＥＭＳセンサ）
２ シリコン基板（基板）
５ Ｚ可動電極（可動部）
６ 壁部（支持部）
７ 分離部（支持部）
８ 第１絶縁層
９ 第２絶縁層
１２ キャップ
２１ 酸化シリコン層（第１絶縁層）
２２ ドープトポリシリコン層（導電材料層）
２３ 絶縁層（第２絶縁層）
２３ａ 開口
２４ 酸化膜（酸化部分）
２５ 凹部

Claims (3)

1. 基板と、
   導電材料からなり、前記基板上に設けられる支持部と、
   前記基板と前記支持部との間に介在される第１絶縁層と、
   前記支持部上に設けられる第２絶縁層と、
   導電材料からなり、前記第２絶縁層を介して前記支持部に支持され、前記基板に対向する平板状のキャップと、
   前記支持部の材料と同一材料からなり、前記支持部と同一層に形成され、その表面を前記支持部の表面よりも前記基板側に下がった位置に有しており、前記基板および前記キャップに対して離間し、前記基板および前記キャップの対向方向に変位可能な可動部とを含む、ＭＥＭＳセンサ。
2. 基板上に、第１絶縁層を挟んで導電材料層を形成する工程と、
   前記導電材料層の表面上に、前記導電材料層を選択的に露出させるための開口を有する第２絶縁層を形成する工程と、
   前記導電材料層における前記開口から露出する部分を全体的に掘り下げて凹部を形成する工程と、
   前記導電材料層における前記開口から露出する部分を選択的に厚さ方向にわたって除去することにより、前記導電材料層を分割し、前記導電材料層の各分割部分からなる支持部および可動部を形成する工程と、
   前記第１絶縁層における前記可動部と接する部分を選択的に除去する工程と、
   前記第２絶縁層上に、導電材料からなる平板状のキャップを接合する工程とを含む、ＭＥＭＳセンサの製造方法。
3. 前記凹部を形成する工程は、前記導電材料層における前記開口から露出する部分の表面を酸化する工程と、当該酸化部分をエッチングにより除去する工程とを含む、請求項２に記載のＭＥＭＳセンサの製造方法。

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