JP4539413B2 - 静電容量型センサの構造 - Google Patents
静電容量型センサの構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4539413B2 JP4539413B2 JP2005116167A JP2005116167A JP4539413B2 JP 4539413 B2 JP4539413 B2 JP 4539413B2 JP 2005116167 A JP2005116167 A JP 2005116167A JP 2005116167 A JP2005116167 A JP 2005116167A JP 4539413 B2 JP4539413 B2 JP 4539413B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- island
- sensor
- shaped separation
- glass substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Description
1b、1c センサチップ
2 上側Si基板
3 絶縁層
4 下側Si基板
6a、6b 可動電極
8 ガラス基板
9 固定電極
10a、10b、20 静電容量型センサ
11a、11b貫通穴
15 島状分離部
21 裏面島状分離部
23 ワイヤボンディング
24 保護用ガラス基板
Claims (4)
- 固定電極が形成されるガラス基板と可動電極が形成される半導体基板を備え、前記ガラス基板に設けられた貫通穴を通して前記各電極からの配線の引き出しを行う静電容量型センサの構造において、
前記半導体基板に、絶縁層を介在して接合された上側Si基板及び下側Si基板を有するSOI(Silicon on insulator)ウエハ基板を使用し、前記上側Si基板に、該Si基板から電気的に分離された島状分離部を形成し、
前記半導体基板と前記ガラス基板とを陽極接合することにより前記ガラス基板の貫通穴を密閉すると共に、前記島状分離部と前記固定電極の配線との電気的接続を行い、
前記島状分離部の裏面にある下側Si基板の一部を絶縁層まで除去したことを特徴とする静電容量型センサの構造。 - 前記島状分離部の裏面にある下側Si基板を前記島状分離部の大きさより大きな面積で除去し、前記島状分離部を下側Si基板から分離したことを特徴とする請求項1に記載の静電容量型センサの構造。
- 前記貫通穴の下部にある島状分離部に対し、前記ガラス基板の外部より直接ワイヤボンディングを含む電気的な配線を形成したことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の静電容量型センサの構造。
- 前記SOI基板の裏面に保護用ガラス基板を接合したことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の静電容量型センサの構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005116167A JP4539413B2 (ja) | 2005-04-13 | 2005-04-13 | 静電容量型センサの構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005116167A JP4539413B2 (ja) | 2005-04-13 | 2005-04-13 | 静電容量型センサの構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006295006A JP2006295006A (ja) | 2006-10-26 |
JP4539413B2 true JP4539413B2 (ja) | 2010-09-08 |
Family
ID=37415230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005116167A Expired - Fee Related JP4539413B2 (ja) | 2005-04-13 | 2005-04-13 | 静電容量型センサの構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4539413B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5163362B2 (ja) * | 2008-08-21 | 2013-03-13 | 株式会社村田製作所 | 半導体センサ装置 |
JP5444783B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2014-03-19 | パナソニック株式会社 | 微小デバイス |
JP5913038B2 (ja) * | 2012-10-01 | 2016-04-27 | アルプス電気株式会社 | 静電容量型圧力センサ及びその製造方法 |
KR101851569B1 (ko) | 2012-11-28 | 2018-04-24 | 삼성전자주식회사 | 초음파 변환기 및 그 제조방법 |
KR102074213B1 (ko) * | 2018-04-02 | 2020-02-06 | 포항공과대학교 산학협력단 | 관통 전극을 이용한 정전 방식 압력 센서 및 제작 방법 |
CN116018523A (zh) | 2021-08-19 | 2023-04-25 | 富士电机株式会社 | 传感器装置和传感器装置的制造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08254474A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-10-01 | Omron Corp | 半導体式センサ |
JP2000074768A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Akebono Brake Ind Co Ltd | 静電容量型圧力センサ及びその製造方法 |
JP2005091312A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 静電容量型加速度センサ |
-
2005
- 2005-04-13 JP JP2005116167A patent/JP4539413B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08254474A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-10-01 | Omron Corp | 半導体式センサ |
JP2000074768A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Akebono Brake Ind Co Ltd | 静電容量型圧力センサ及びその製造方法 |
JP2005091312A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 静電容量型加速度センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006295006A (ja) | 2006-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11002626B2 (en) | MEMS pressure sensor and method for forming the same | |
US8941229B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
KR102217083B1 (ko) | 압력 센서 | |
US7448277B2 (en) | Capacitive pressure sensor and method therefor | |
EP1860417B1 (en) | A pressure sensor having a chamber and a method for fabricating the same | |
US4838088A (en) | Pressure transducer and method for fabricating same | |
JP2610464B2 (ja) | コンデンサ形圧力センサおよび圧力センサ群 | |
US10712218B2 (en) | Pressure sensor | |
US7135749B2 (en) | Pressure sensor | |
JPH08320268A (ja) | 静電容量型センサ | |
EP3321655B1 (en) | All silicon capacitive pressure sensor | |
JP4539413B2 (ja) | 静電容量型センサの構造 | |
JP2015515609A (ja) | カテーテルダイおよびその製造方法 | |
CN101130426A (zh) | 微型机电***元件及其制造方法 | |
US9464950B2 (en) | Capacitive pressure sensors for high temperature applications | |
CN109060229B (zh) | 一种电容式压力传感器及其制造方法 | |
CN116134625A (zh) | 压力传感器构造、压力传感器装置及压力传感器构造的制造方法 | |
JP2009270961A (ja) | Memsセンサおよびその製造方法 | |
JPH10132684A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP3516011B2 (ja) | 静電容量型圧力センサ及びパッケージング構造 | |
KR100506073B1 (ko) | 고진공패키징마이크로자이로스코프및그제조방법 | |
US11027967B2 (en) | Deformable membrane and a compensating structure thereof | |
JPH11258089A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP2519393B2 (ja) | 半導体力学量センサの製造方法 | |
JPH08254474A (ja) | 半導体式センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070802 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100105 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100323 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100511 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100601 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100614 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4539413 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |