JP2009270154A - PLATED BASE MATERIAL HAVING Sn-PLATING LAYER AND METHOD FOR SUPPRESSING THE GROWTH OF ACICULAR WHISKER FROM THE PLATING LAYER - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress the generation of whiskers in a plated base material having a Pb-free Sn-plating layer. <P>SOLUTION: In a plated base material 3 obtained by forming a Pb-free Sn-plating layer 2 on the surface of a base material 1, the angle of adjoining crystal grain boundaries in the Sn-plating layer is controlled to ≤20°. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、ＰｂフリーのＳｎめっき層を有するめっき基材と、そのめっき層から針状ウィスカが成長するのを抑制する方法に関する。   The present invention relates to a plating substrate having a Pb-free Sn plating layer and a method for suppressing the growth of needle-like whiskers from the plating layer.

半導体装置のような電子部品において、外部端子の母材にはＣｕ、Ｃｕ合金、４２アロイ（鉄とＮｉが４２％の合金）などが用いられるが、素地のままでは端子表面が酸化してはんだ付け不良等による導通不良を引き起こす恐れがある。そのために、通常、めっき等により端子表面に保護膜（めっき層）を形成して酸化を防いでいる。   In an electronic component such as a semiconductor device, Cu, Cu alloy, 42 alloy (an alloy of 42% of iron and Ni) or the like is used as a base material for an external terminal. There is a risk of poor conduction due to improper attachment. For this purpose, a protective film (plating layer) is usually formed on the terminal surface by plating or the like to prevent oxidation.

めっき層の材料としてＳｎまたはＳｎ合金を用いる場合、従来からＰｂを含む材料が用いられてきた。近年、環境負荷を軽減する観点からＰｂフリー化が求められるようになり、前記端子のめっき層材料にも、例えば、純ＳｎあるいはＳｎ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｂｉ，Ｓｎ−ＡｇのようなＳｎ合金のように、Ｐｂを含まない材料が使用されるようになっている。しかし、Ｐｂフリーの材料で電子部品の端子表面をめっき処理すると、めっき層から例えば径が３μｍ程度のＳｎ単結晶の連続体である１００μｍを越えるような針状ウィスカが成長する。   When Sn or Sn alloy is used as the material of the plating layer, a material containing Pb has been conventionally used. In recent years, Pb-free material has been demanded from the viewpoint of reducing the environmental load, and the plating layer material of the terminal is made of, for example, pure Sn or Sn alloy such as Sn—Cu, Sn—Bi, Sn—Ag. As described above, a material not containing Pb is used. However, when the terminal surface of the electronic component is plated with a Pb-free material, needle-like whiskers that exceed 100 μm, for example, a continuous body of Sn single crystal having a diameter of about 3 μm grow from the plated layer.

近年、例えばＩＣチップをリードフレームに搭載した半導体装置のような電子部品は一層の小型化が求められており、結果として、その端子間の間隔は数百μｍ程度まで狭くなってきている。前記針状ウィスカは数百μｍの長さにまで成長することがあり、前記のように端子間の間隔が数百μｍ程度と狭い場合には、成長した針状ウィスカにより端子間ショートが発生する恐れがあるので、針状ウィスカの成長を抑制するための対策が求められている。   In recent years, for example, electronic components such as a semiconductor device in which an IC chip is mounted on a lead frame have been required to be further reduced in size, and as a result, the distance between the terminals has been reduced to about several hundred μm. The needle-shaped whisker may grow to a length of several hundred μm. When the distance between the terminals is as narrow as several hundred μm as described above, a short circuit between the terminals occurs due to the grown needle-shaped whisker. Since there is a fear, measures for suppressing the growth of needle whiskers are required.

針状ウィスカの発生および成長のメカニズムは完全には解明されていないが、めっき層中に蓄積された内部応力が一因であるとの考えから、めっき層の内部応力を除去することで針状ウィスカの発生を抑制しようとする提案がなされており、特許文献１には、Ｐｂを含まないＳｎ合金めっき層を、めっき後にその融点より高い温度で加熱してリフローさせて内部応力を開放することで、ウィスカの発生を抑制できることが記載されている。   The mechanism of the generation and growth of acicular whiskers has not been fully elucidated, but it is thought that the internal stress accumulated in the plating layer may be a cause, and by removing the internal stress in the plating layer, the acicular shape A proposal to suppress the generation of whiskers has been made, and Patent Document 1 discloses that a Pb-free Sn alloy plating layer is heated at a temperature higher than its melting point and reflowed to release internal stress. It is described that the generation of whiskers can be suppressed.

めっき層の結晶方位面およびその配向指数を制御することで、ウィスカの発生を抑制できることも提案されており、特許文献２には、Ｓｎめっき層の結晶粒界にＳｎ合金相を形成してウィスカの発生を抑制技術であって、Ｓｎ合金相が形成しやすくするために、めっき層における（２２０）面と（３２１）面の配向指数を高くすることが記載されている。   It has also been proposed that whisker generation can be suppressed by controlling the crystal orientation plane and the orientation index of the plating layer. Patent Document 2 discloses that whisker is formed by forming an Sn alloy phase at the crystal grain boundary of the Sn plating layer. In order to make it easy to form a Sn alloy phase, it is described that the orientation index of the (220) plane and the (321) plane in the plating layer is increased.

他の観点からのウィスカの成長を抑制する方法として、特許文献３には、ＳｎまたはＳｎ合金のめっき層を基材の上に電着により形成するに当たって、ＳｎまたはＳｎ合金のめっき層に、隣接する結晶面と５゜〜２２゜の角度を形成する結晶面が実質的にないようにすることが記載されている。   As a method for suppressing whisker growth from another point of view, Patent Document 3 discloses that a Sn or Sn alloy plating layer is adjacent to a Sn or Sn alloy plating layer when electrodeposited on a substrate. It is described that there is substantially no crystal plane forming an angle of 5 ° to 22 ° with the crystal plane to be formed.

特開平１０−１４４８３９号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-144839 特開２００６−２４９４６０号公報JP 2006-249460 A 特開２００４−１２４２４９号公報JP 2004-124249 A

本発明者らは、ＰｂフリーのＳｎめっき層でのウィスカの成長について多くの実験と研究を継続して行ってきており、前記した隣り合う結晶粒界の角度とウィスカの成長との関係についても実験と研究を行ってきたが、その過程で、隣り合う結晶粒界の角度が３０゜を越える角度である場合に、針状ウィスカの成長を抑制できないことを知見した。   The present inventors have continued many experiments and research on the growth of whiskers in the Pb-free Sn plating layer, and the relationship between the angle between adjacent crystal grain boundaries and the growth of whiskers is also described. Experiments and research have been carried out, but in the process, it has been found that the growth of acicular whiskers cannot be suppressed when the angle between adjacent grain boundaries exceeds 30 °.

本発明は、上記の事情を考慮してなされたものであり、Ｓｎめっき層における隣り合う結晶粒界の角度をある角度範囲に限定することによって針状ウィスカの成長を抑制できるようにしためっき基材、およびそのようなめっき層からウィスカが成長するのを抑制する方法を開示することを課題とする。   The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and is a plating base that can suppress the growth of needle-like whiskers by limiting the angle of adjacent crystal grain boundaries in the Sn plating layer to a certain angle range. It is an object to disclose a material and a method for suppressing whisker growth from such a plating layer.

上記の課題を解決するために、本発明者らは、ＰｂフリーのＳｎめっき層における隣り合う結晶粒界の角度とウィスカの成長との関係について、さらに多くの実験を行うことにより、隣り合う結晶粒界の角度が２０゜以下の場合に、ウィスカが成長はするものの、それは長さが５０μｍ以下のいわゆるノジュール状ウィスカであり、長さの長い針状ウィスカは成長しないことを知った。また、Ｓｎめっき層の形成を真空蒸着法により行うことにより、実質的にすべてのめっき面における隣り合う結晶粒界の角度を２０゜以下とすることができることを知った。   In order to solve the above-mentioned problems, the present inventors conducted more experiments on the relationship between the angle of adjacent crystal grain boundaries and the growth of whiskers in the Pb-free Sn plating layer. It was found that whisker grows when the grain boundary angle is 20 ° or less, but it is a so-called nodule-like whisker having a length of 50 μm or less, and a long needle-like whisker does not grow. Further, it has been found that by forming the Sn plating layer by a vacuum deposition method, the angle between adjacent crystal grain boundaries on substantially all plating surfaces can be made 20 ° or less.

本発明は、本発明者らが得た上記の知見に基づいており、本発明によるめっき基材は、母材の表面にＰｂフリーのＳｎめっき層を有するめっき基材であって、Ｓｎめっき層における隣り合う結晶粒界の角度が２０゜以下であることを特徴とする。   The present invention is based on the above findings obtained by the present inventors, and the plating substrate according to the present invention is a plating substrate having a Pb-free Sn plating layer on the surface of a base material, and the Sn plating layer The angle between adjacent crystal grain boundaries is 20 ° or less.

本発明によるめっき基材では、短絡をもたらすので好ましくないとされている長さ１００μｍを越えるような針状ウィスカは成長せず、成長する場合でも、長さが５０μｍ以下である径の大きいノジュール状ウィスカのみである。これは、隣り合う結晶粒界の角度が２０゜以下であることによりエネルギー的不安定が解消し、針状ウィスカの成長が抑制されるものと解される。   In the plating base material according to the present invention, a needle whisker having a length exceeding 100 μm, which is considered to be unfavorable because it causes a short circuit, does not grow. Only whisker. This is understood that the energy instability is eliminated when the angle between adjacent crystal grain boundaries is 20 ° or less, and the growth of needle-like whiskers is suppressed.

そのために、本発明によれば、針状ウィスカによる端子間短絡を生じさせないめっき基材が得られる。なお、本発明によるめっき基材において、めっき面の全面において隣り合う結晶粒界の角度が２０゜以下となっていることは望ましいが、その大半、例えば５０％を超える領域で隣り合う結晶粒界の角度が２０゜以下となっていれば、実使用に支障のないめっき基材が得られる。   Therefore, according to this invention, the plating base material which does not produce the short circuit between terminals by a needle-like whisker is obtained. In the plating substrate according to the present invention, it is desirable that the angle between adjacent crystal grain boundaries on the entire plating surface is 20 ° or less, but most of them, for example, adjacent crystal grain boundaries in a region exceeding 50%. If the angle is 20 ° or less, a plating base material that does not hinder actual use can be obtained.

本発明によるめっき層から針状ウィスカの成長を抑制する方法は、母材の表面にＰｂフリーのＳｎめっき層を有するめっき基材のめっき層から針状ウィスカが成長するのを抑制する方法であって、母材の表面に対するＳｎめっき層の形成を真空蒸着法により行い、形成されるＳｎめっき層における隣り合う結晶粒界の角度を２０゜以下とすることを特徴とする。   The method for suppressing the growth of needle-like whiskers from the plating layer according to the present invention is a method for suppressing the growth of needle-like whiskers from the plating layer of the plating base material having the Pb-free Sn plating layer on the surface of the base material. Then, the Sn plating layer is formed on the surface of the base material by a vacuum deposition method, and the angle of adjacent crystal grain boundaries in the formed Sn plating layer is set to 20 ° or less.

本発明者らの実験では、Ｓｎめっき層を電気めっきにより形成すると、隣り合う結晶粒界の角度を特定の範囲に制御することはできず、０゜〜９０゜の範囲にばらついたものとなる。そのために、結晶粒界の角度が３０゜〜６０゜程度の範囲である箇所から５０μｍを越える針状ウィスカが成長するのを避けることができない。真空蒸着法によりＳｎめっき層を形成すると、隣り合う結晶粒界の角度の多くを２０゜以下のもとすることができ、そのために、めっき層から針状ウィスカが成長するのを効果的に抑制することができる。   In the experiments by the present inventors, when the Sn plating layer is formed by electroplating, the angle between adjacent crystal grain boundaries cannot be controlled within a specific range, and varies within the range of 0 ° to 90 °. . Therefore, it is inevitable that acicular whiskers exceeding 50 μm grow from a location where the angle of the crystal grain boundary is in the range of about 30 ° to 60 °. When the Sn plating layer is formed by the vacuum evaporation method, many of the angles of the adjacent crystal grain boundaries can be set to 20 ° or less, so that the growth of needle-like whiskers from the plating layer is effectively suppressed. can do.

特に、蒸着速度１５０〜１００ｎｍ／分程度の速度で真空蒸着を行うことにより、めっき面のほとんどの領域を、隣り合う結晶粒界の角度が２０゜以下の領域とすることができる。   In particular, by performing vacuum vapor deposition at a vapor deposition rate of about 150 to 100 nm / min, most regions of the plating surface can be made into regions where the angle between adjacent crystal grain boundaries is 20 ° or less.

本発明において、Ｓｎめっき層を形成するＳｎは、純Ｓｎが好ましいが、Ｓｎ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｂｉ，Ｓｎ−Ａｇのような、鉛を含まないＳｎ合金であってもよい。   In the present invention, Sn forming the Sn plating layer is preferably pure Sn, but may be an Sn alloy containing no lead such as Sn—Cu, Sn—Bi, or Sn—Ag.

また、本発明において、母材に特に制限はないが、製造されるめっき基材の用途を考慮すると、Ｃｕ、Ｃｕ合金または４２アロイ（鉄とＮｉが４２％の合金）であることが好ましい。   In the present invention, the base material is not particularly limited, but considering the use of the plated base material to be produced, Cu, Cu alloy or 42 alloy (iron and Ni 42% alloy) is preferable.

本発明によれば、母材の表面にＰｂフリーのＳｎめっき層を有するめっき基材において、針状ウィスカの成長を抑制しためっき基材が得られる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the plating base material which suppressed the growth of the acicular whisker is obtained in the plating base material which has a Pb-free Sn plating layer on the surface of a base material.

以下、本発明を実施の形態に基づき説明する。図１は本発明により製造しためっき基材の一例を示す。   Hereinafter, the present invention will be described based on embodiments. FIG. 1 shows an example of a plating substrate manufactured according to the present invention.

めっき基材３は、母材１とその上に形成したＳｎめっき層２を備える。母材１は、好ましくは、Ｃｕ、Ｃｕ合金または４２アロイ（鉄とＮｉが４２％の合金）である。厚さに制限はなく、めっき基材３の用途を考慮して適宜設定される。   The plating substrate 3 includes a base material 1 and an Sn plating layer 2 formed thereon. The base material 1 is preferably Cu, Cu alloy or 42 alloy (alloy of 42% iron and Ni). There is no restriction | limiting in thickness, In consideration of the use of the plating base material 3, it sets suitably.

Ｓｎめっき層２は、真空蒸着法によって、母材１の表面に形成される。好ましくは、真空蒸着を蒸着速度１５０〜１００ｎｍ／分程度の速度で行う。Ｓｎめっき層を形成するＳｎは、純Ｓｎであってもよく、Ｓｎ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｂｉ，Ｓｎ−Ａｇのような、鉛を含まないＳｎ合金であってもよい。   The Sn plating layer 2 is formed on the surface of the base material 1 by a vacuum deposition method. Preferably, vacuum deposition is performed at a deposition rate of about 150 to 100 nm / min. Sn forming the Sn plating layer may be pure Sn, or may be an Sn alloy that does not contain lead, such as Sn—Cu, Sn—Bi, or Sn—Ag.

めっき基材３のＳｎめっき層２における隣り合う結晶粒界の角度を、断面方向からＥＢＳＰ法により測定すると、そのほとんどは２０゜以下の角度となっている。   When the angles of adjacent crystal grain boundaries in the Sn plating layer 2 of the plating base 3 are measured from the cross-sectional direction by the EBSP method, most of them are 20 ° or less.

本発明によるめっき基材は、半導体装置のような電子部品における外部端子に特に好適に適用できる。   The plating substrate according to the present invention can be particularly suitably applied to external terminals in electronic components such as semiconductor devices.

［実施例１］
４２アロイ母材の表面に、蒸着速度１５０ｎｍ／分でＳｎの真空蒸着を行って、厚さ６〜９μｍのＳｎめっき層を形成して試験用めっき部材ａとした。Ｓｎめっき層形成後に、Ｓｎめっき層における隣り合う結晶粒界の角度を、断面方向からＥＢＳＰ法により測定したところ、そのほとんどは２０゜以下であり、角度５゜の結晶粒界が最も多かった。 [Example 1]
On the surface of the 42 alloy base material, Sn was vacuum-deposited at a deposition rate of 150 nm / min to form a Sn plating layer having a thickness of 6 to 9 μm. After forming the Sn plating layer, the angle of adjacent crystal grain boundaries in the Sn plating layer was measured from the cross-sectional direction by the EBSP method. Most of them were 20 ° or less, and the crystal grain boundaries at an angle of 5 ° were the most.

試験用めっき部材ａに対して、高温側６０℃、低温側０℃、各２０ｍｉｎの冷熱衝撃試験を２０００サイクル実施して、めっき層表面でのウィスカ発生の有無を走査型電子顕微鏡により観察した。結果を図２のグラフにａとして示した。すなわち、試験用めっき部材ａでは、長さ１０μｍ程度のノジュール状ウィスカが成長していたが、針状ウィスカの発生は観察できなかった。   The test plating member a was subjected to 2000 cycles of a thermal shock test of 60 ° C. on the high temperature side, 0 ° C. on the low temperature side and 20 min each, and the presence or absence of whisker generation on the surface of the plating layer was observed with a scanning electron microscope. The results are shown as a in the graph of FIG. That is, in the test plating member a, nodular whiskers having a length of about 10 μm were grown, but the occurrence of needle-like whiskers could not be observed.

［実施例２］
真空蒸着の条件を蒸着速度１２０ｎｍ／分とした以外は、実施例１と同様にして試験用めっき部材ｂを作った。実施例１と同様にして断面方向からＥＢＳＰ法により測定したところ、そのほとんどは２０゜以下であり、角度１０゜の結晶粒界が最も多かった。 [Example 2]
A test plating member b was prepared in the same manner as in Example 1 except that the vacuum deposition conditions were a deposition rate of 120 nm / min. When measured by the EBSP method from the cross-sectional direction in the same manner as in Example 1, most of them were 20 ° or less, and there were the most crystal grain boundaries at an angle of 10 °.

試験用めっき部材ｂに対して、実施例１と同じ冷熱衝撃試験を行い、めっき層表面でのウィスカ発生の有無を観察した。結果を図２のグラフにｂとして示した。すなわち、試験用めっき部材ｂでは、長さ３０μｍ程度のノジュール状ウィスカが成長していたが、針状ウィスカの発生は観察できなかった。   The same thermal shock test as in Example 1 was performed on the test plating member b, and the presence or absence of whisker generation on the surface of the plating layer was observed. The results are shown as b in the graph of FIG. That is, in the test plating member b, nodular whiskers having a length of about 30 μm were grown, but the occurrence of needle-like whiskers could not be observed.

［実施例３］
真空蒸着の条件を蒸着速度１００ｎｍ／分とした以外は、実施例１と同様にして試験用めっき部材ｃを作った。実施例１と同様にして断面方向からＥＢＳＰ法により測定したところ、そのほとんどは２０゜以下であり、角度１５゜の結晶粒界が最も多かった。 [Example 3]
A test plating member c was prepared in the same manner as in Example 1 except that the vacuum deposition conditions were set at a deposition rate of 100 nm / min. When measured by the EBSP method from the cross-sectional direction in the same manner as in Example 1, most of them were 20 ° or less, and there were most crystal grain boundaries at an angle of 15 °.

試験用めっき部材ｃに対して、実施例１と同じ冷熱衝撃試験を行い、めっき層表面でのウィスカ発生の有無を観察した。結果を図２のグラフにｃとして示した。すなわち、試験用めっき部材ｃでは、長さ４５μｍ程度のノジュール状ウィスカが成長していたが、針状ウィスカの発生は観察できなかった。   The same thermal shock test as in Example 1 was performed on the test plating member c, and the presence or absence of whisker generation on the surface of the plating layer was observed. The results are shown as c in the graph of FIG. That is, in the test plating member c, nodular whiskers having a length of about 45 μm were grown, but the occurrence of needle-like whiskers could not be observed.

［比較例１］
実施例１で用いたと同じ母材に対して、電解めっきにより厚さ６〜９μｍのＳｎめっき層を形成し、試験用めっき部材ｄとした。使用しためっき浴は、硫酸浴である。Ｓｎめっき層における隣り合う結晶粒界の角度を、断面方向からＥＢＳＰ法により測定したところ、特定の角度に偏らず、３０゜〜９０゜の範囲にほぼ等しくばらついていた。 [Comparative Example 1]
An Sn plating layer having a thickness of 6 to 9 μm was formed on the same base material as used in Example 1 by electrolytic plating to obtain a test plating member d. The plating bath used is a sulfuric acid bath. When the angle between adjacent crystal grain boundaries in the Sn plating layer was measured from the cross-sectional direction by the EBSP method, the angle was not evenly biased to a specific angle and varied almost equally in the range of 30 ° to 90 °.

試験用めっき部材ｄに対して、実施例１と同じ冷熱衝撃試験を実施して、めっき層表面でのウィスカ発生の有無を走査型電子顕微鏡により観察した。結果を図２のグラフに（イ）〜（ト）として示した。すなわち、隣り合う結晶粒界の角度が３０゜の箇所からは長さ５０μｍを越えるノジュール状ウィスカ（イ）が成長し、また、隣り合う結晶粒界の角度が７０゜、８０゜、９０゜の箇所からも長さ５０μｍを越えるノジュール状ウィスカ（ホ）、（ヘ）、（ト）が成長していた。さらに、隣り合う結晶粒界の角度が４０゜、５０゜、６０゜の箇所からは長さ１００μｍを越える針状ウィスカ（ロ）、（ハ）、（ニ）が成長していた。   The same thermal shock test as in Example 1 was performed on the test plating member d, and the presence or absence of whisker generation on the surface of the plating layer was observed with a scanning electron microscope. The results are shown as (A) to (G) in the graph of FIG. That is, nodule-shaped whiskers (i) having a length of more than 50 μm grow from a position where the angle between adjacent crystal grain boundaries is 30 °, and the angle between adjacent crystal grain boundaries is 70 °, 80 °, 90 °. Nodule-like whiskers (e), (e), (e) exceeding 50 μm in length were also grown from the location. Furthermore, needle-like whiskers (b), (c) and (d) having a length exceeding 100 μm grew from portions where the angle between adjacent crystal grain boundaries was 40 °, 50 ° and 60 °.

［考察］
図２に示すグラフからわかるように、本発明による製造方法で製造した本発明によるめっき部材は、Ｓｎめっき層における隣り合う結晶粒界の角度が２０゜以下であることから、５０μｍを超える長さのノジュール状ウィスカおよび針状ウィスカの成長が抑制されている。そのために、本発明によるめっき基材は、端子間の間隔が狭い半導体装置のような電子部品における外部端子等として、特に好適に適用できることがわかる。 [Discussion]
As can be seen from the graph shown in FIG. 2, the plating member according to the present invention manufactured by the manufacturing method according to the present invention has a length exceeding 50 μm because the angle of the adjacent crystal grain boundary in the Sn plating layer is 20 ° or less. The growth of nodular whiskers and needle whiskers is suppressed. Therefore, it can be seen that the plating base according to the present invention can be particularly suitably applied as an external terminal or the like in an electronic component such as a semiconductor device having a narrow interval between terminals.

本発明によるめっき部材を説明するための図。The figure for demonstrating the plating member by this invention. 実施例と比較例におけるめっき基材でのＳｎめっき層にやけるウィスカ長を隣り合う結晶粒界の角度と共に示すグラフ。The graph which shows the whisker length which can be given to Sn plating layer in the plating base material in an Example and a comparative example with the angle of an adjacent crystal grain boundary.

符号の説明Explanation of symbols

１…母材、２…めっき層、３…めっき基材   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base material, 2 ... Plating layer, 3 ... Plating base material

Claims (2)

母材の表面にＰｂフリーのＳｎめっき層を有するめっき基材であって、Ｓｎめっき層における隣り合う結晶粒界の角度が２０゜以下であることを特徴とするめっき基材。   A plating substrate having a Pb-free Sn plating layer on a surface of a base material, wherein an angle between adjacent crystal grain boundaries in the Sn plating layer is 20 ° or less. 母材の表面にＰｂフリーのＳｎめっき層を有するめっき基材の前記めっき層から針状ウィスカが成長するのを抑制する方法であって、母材の表面に対するＳｎめっき層の形成を真空蒸着法により行い、形成されるＳｎめっき層における隣り合う結晶粒界の角度を２０゜以下とすることを特徴とするめっき層から針状ウィスカの成長を抑制する方法。   A method of suppressing the growth of needle-like whiskers from the plating layer of a plating base material having a Pb-free Sn plating layer on the surface of the base material, wherein the formation of the Sn plating layer on the surface of the base material is performed by vacuum evaporation And suppressing the growth of acicular whiskers from the plating layer, wherein the angle of adjacent crystal grain boundaries in the formed Sn plating layer is 20 ° or less.

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