JP2009253263A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】反応空間を提供するチャンバー100と、基板が載置される分割形成された下部電極210と、前記下部電極に対向する上部電極300と、前記基板を感知するために前記チャンバーの上側に設置された基板センサー710とを備え、前記上部電極は、電極板310と、前記電極板の下部に取り付けられた絶縁板320とを備え、前記上部電極には前記基板センサーからの光を前記基板に向かってガイドするための少なくとも1本のガイド孔312が穿設されている。前記ガイド孔が設けられているので、前記上部電極と前記下部電極との間の間隔をより精度よく制御できる。
【選択図】図1
Description
また、本発明の他の目的は、下部電極が複数に分割されてそれぞれの電極がグループ別に互い違いに昇降されることにより、基板の背面の全体が露出可能になることから、基板の上下エッジ及び側面だけではなく、基板の背面の全体に存在するパーチクル及び堆積物をも効率よく除去可能なプラズマ処理装置を提供するところにある。
図1は、本発明の第1の実施形態によるプラズマ処理装置の断面図であり、図2は、図1に示す上部電極の断面図である。図3は、図1のA領域に対する部分拡大図であり、図4は、図1に示す下部電極の斜視図である。
一方、本発明によるプラズマ処理装置は上述した構成に限定されるものではなく、種々の実施形態が採用可能である。以下では、このような可能性の一例として、本発明の第2の実施形態よるプラズマ処理装置について説明する。このとき、上述した実施形態と重複する説明は省略又は簡略化する。
110:下部チャンバー
120:チャンバーリッド
130:ゲート
140:排気部
150:チャンバーライナー
210:下部電極
241、852:下部リフト
300:上部電極
310:電極板
312:ガイド孔
320:絶縁板
331、851:上部リフト
500:フォーカスリング
600:ベントプレート
710:基板センサー
720:覗き窓領域
810:下部電極
820:絶縁板
830:支持板
Claims (15)
- 反応空間を提供するチャンバーと、
前記チャンバー内部の下部に位置付けられて基板が載置される下部電極と、
前記下部電極に対向するチャンバー内部の上部に位置付けられる上部電極と、
前記基板を感知するために前記チャンバーの上側に設置された基板センサーと、を備え、
前記上部電極は、電極板と、前記電極板の下部に取り付けられた絶縁板と、を備え、前記上部電極には前記基板センサーからの光を前記基板に向かってガイドするための少なくとも1本のガイド孔が穿設されているプラズマ処理装置。 - 前記電極板は周縁部に沿って下向きに突出された側壁を有し、前記側壁の内側に前記絶縁板が設置され、前記側壁、又は前記側壁と前記絶縁板との間、又は前記電極板と前記絶縁板との間を垂直に貫通するように前記ガイド孔が穿設されている請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガイド孔は上側の入口と下側の出口が内径よりも大きく形成されている請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記基板センサー及び前記ガイド孔は基板のエッジ部に対応する垂直線上に設けられている請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記下部電極は複数の電極に分割形成されている請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数の電極は2つのグループのいずれか一方に属し、RF電源と接地電源のいずれか一方を印加され、グループ別に上下移動が制御され、前記RF電源は400KHz〜100MHzの大きさを有する請求項5に記載のプラズマ処理装置。
- 前記RF電源は二重周波数を有する請求項6に記載のプラズマ処理装置。
- 前記下部電極は前記基板よりも大径に形成されている請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記下部電極に結合されて前記下部電極を昇降する下部リフトと、
前記上部電極に結合されて前記上部電極を昇降する上部リフトと、
を更に備える請求項1から8のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - チャンバーと、
前記チャンバー内の上部に設けられた絶縁板と、
前記チャンバーの側壁に形成され、接地電源が印加される接地電極と、
前記チャンバー内の下部に設けられ、基板が載置される下部電極と、
を備え、
前記下部電極は複数の電極に分割形成されて隣り合う2つの電極にはRF電源と接地電源が互い違いに印加されるプラズマ処理装置。 - 前記RF電源が印加される電極は固定され、残りの電極は上下駆動されるか、或いは、前記接地電源が印加される電極は固定され、残りの電極は上下駆動される請求項10に記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数の電極は、
前記基板の中心から外側に向かって配設された第1、第2及び第3の電極を備え、第3の電極に対する第1の電極の直径は35〜55%、第2の電極の直径は56〜75%の範囲を有する請求項10に記載のプラズマ処理装置。 - 前記複数の電極は、
前記基板の中心から外側に向かって配設された第1、第2、第3及び第4の電極を備え、第4の電極に対する第1の電極の直径は35〜45%、第2の電極の直径は46〜60%、第3の電極の直径は61〜75%の範囲を有する請求項10に記載のプラズマ処理装置。 - 前記複数の電極は、
前記基板の中心から外側に向かって配設された第1、第2、第3、第4及び第5の電極を備え、第5の電極に対する第1の電極の直径は30〜40%、第2の電極の直径は41〜50%、第3の電極の直径は51〜60%、第4の電極の直径は61〜75%の範囲を有する請求項10に記載のプラズマ処理装置。 - 前記基板を感知するために前記チャンバーの上側に設置された基板センサーを更に備え、
前記絶縁板には前記基板センサーからの出力光を前記基板に向かってガイドするための少なくとも1本のガイド孔が穿設されている請求項10に記載のプラズマ処理装置。
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