JP3166745B2 - プラズマ処理装置ならびにプラズマ処理方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
及びプラズマ処理方法、特に半導体集積回路装置の製造
工程において適用されるプラズマ処理装置及びプラズマ
処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、プラ
ズマＣＶＤ処理やプラズマエッチング処理等、プラズマ
反応を利用した処理方法（以下プラズマ処理方法と記述
する）が広く用いられている。

【０００３】プラズマ処理方法は、反応ガスを減圧下に
おいて放電することにより、電子、イオンおよびラジカ
ル等の反応種を発生させて、所定の化学反応を促進させ
ることにより実現されるものである。ところが、このよ
うな過程において、目的とする位置すなわちウエハ等被
処理物表面以外の位置においても上記化学反応が起こ
り、特に被処理物状に成膜を行うプラズマＣＶＤ処理に
おいては、所定外の位置に置いて形成された反応生成物
が異物として作用し、種々の問題を引き起こすことが知
られている。

【０００４】例えば、上記化学反応により装置内壁や排
気孔付近等に付着した反応生成物がそこから剥落し、被
処理物状に落下することにより被処理物表面の清浄度が
損なわれ、製品の品質を著しく低下させる現象が従来知
られており、これに対して種々の研究がなされている。

【０００５】特開平４−２５０１５号公報及び特開平４
−１８６６１５号公報においては、プラズマ＝ＣＶＤ装
置において装置内部に付着する反応生成物を除去する方
法が開示されている。これらはそれぞれ装置構成細部は
異なるものの、いずれもプラズマＣＶＤ処理ににおいて
使用する成膜用電極の他にプラズマエッチング用の第三
の電極を設けており、この電極に対して高周波を印加し
て上記反応生成物をプラズマエッチングすることにより
除去するものである。すなわち、プラズマＣＶＤ処理に
よる被処理物上への成膜工程終了後、被処理物をいった
ん装置から取り出し、上記プラズマエッチング用電極を
使用して装置内部の反応生成物を除去するものである。

【０００６】また特開平５−４７７１２号公報において
は、プラズマＣＶＤ処理の過程において負に帯電した反
応生成物が被処理物直上に高密度に存在し、処理終了と
ともに電解の束縛を離れて被処理物上へと落下すること
に起因する汚染への対策法が開示されている。すなわち
被処理物上に滞留している反応生成物を、処理終了時に
おいて被処理物上空から排除するような作用を有する副
ポテンシャルを形成することにより、上述の汚染を防止
するものである。より具体的には被処理物を載置した下
部電極の周囲に、上記副ポテンシャル形成手段である電
極を配置し、プラズマＣＶＤ処理による成膜の終了と同
時にこの電極に対する高周波を印加するものである。

【０００７】上記各法によれば、装置内部に付着した反
応生成物を除去し、また処理終了直後の反応生成物落下
を防止し、被処理物の汚染を防止することが可能とな
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが上記各法を用
いた場合でも、被処理物の清浄度は十分確保されていな
かった。その理由を以下に説明する。

【０００９】一般的に、プラズマＣＶＤ処理はウエハ等
被処理物の上面に対する成膜を目的としてなされるが、
処理の過程においては処理ガスが同被処理物の側面にも
回り込んでこの部分にも成膜がなされてしまう。ところ
が特に半導体集積回路用のウエハにおいては、上記プラ
ズマＣＶＤ処理の前工程において種々の有機及び無機物
が側面上に付着していることが一般的であり、ここに成
膜された反応生成物は被処理物の移動等に伴って容易に
剥離してしまい、被処理物上面に付着して汚染を引き起
こしていた。

【００１０】このような側面上の反応生成物に起因する
汚染を防止するための方法としては、側面上に付着して
いる有機又は無機物を除去することが考えられる。具体
的にはウエット又はドライエッチングにより前記付着物
を除去する。しかし、この方法では工程の煩雑化を招く
とともに、ウエットエッチング時における水分やエッチ
ング液成分の残留、又はドライエッチング時における熱
履歴等により製品の品質管理上、好ましくない要因の増
加につながる。

【００１１】あるいは、プラズマＣＶＤ処理を行った後
にウエット又はドライエッチングにより側面の反応生成
物を除去する方法も考えられる。これらの方法において
も、上記と同様の問題が存在するが、より重要なことに
は被処理物をいったん装置外部、あるいは少なくともプ
ラズマＣＶＤ工程において使用したものとは別のチャン
バーへと移動する必要がある。しかし側面上の反応生成
物は上述のとおり被処理物の移動により剥落して汚染の
原因となるものであり、このような方法では汚染防止の
効果を得ることはできない。

【００１２】そこで本発明の課題は、プラズマＣＶＤ処
理による成膜工程において被処理物側面に形成される反
応生成物を、効率よくしかも製品の品質を低下させるこ
となく除去することが可能な装置ならびに方法を提供す
ることである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明のプラズマ処理装置は、装置内部に処理ガスを
導入し、かつ上部及び下部の対向型電極間に高周波を印
加することにより、被処理物に対して所定の処理を行う
プラズマ処理装置において、前記下部電極が、被処理物
を載置するための内部電極とその外周に設けられた外部
電極との二部からなる同心円状の構造を有し、かつそれ
ら同心円状の電極間に高周波を印加することが可能な電
気回路構成を備え、かつ前記内部電極と外部電極との少
なくとも一方が垂直方向に動作可能な構造を有し、かつ
それら同心円状の電極間にプラズマ処理ガスを導入する
ことが可能な構造を備えてなることを特徴とする。これ
により、プラズマＣＶＤ処理による被処理物表面上への
成膜工程終了後に、同一のチャンバー内において、プラ
ズマエッチング処理により被処理物側面上の反応生成物
を効果的に除去することができる。特に、内部電極と外
部電極との少なくとも一方について垂直方向に位置調整
を行うことにより、被処理物の形状や大きさに応じてプ
ラズマ領域を適宜調整し、プラズマＣＶＤ処理及びその
後のプラズマエッチング処理を効果的に行うことが可能
となる。

【００１４】また本発明のプラズマ処理装置は、前記同
心円状の電極間において、電気的導通状態又は絶縁状態
に切り替え可能な電気回路構成を備えてなることを特徴
とする。これにより、プラズマＣＶＤ処理工程において
は前記同心円状電極間を電気的絶縁状態とすることによ
り成膜反応を阻害することがなくなり、またプラズマエ
ッチング工程においては両者を電気的導通状態とするこ
とにより高周波を印加して被処理物側面のプラズマエッ
チングを効果的に行うことが可能となる。

【００１５】

【００１６】また本発明のプラズマ処理装置は、前記外
部電極が、絶縁性材料からなるプラズマ処理ガス領域限
定手段を付帯してなることを特徴とする。これにより、
被処理物側面のプラズマエッチング工程において、被処
理物上面へのプラズマエッチング処理ガスの回り込みが
抑制され、側面のみを効率的にプラズマエッチングする
ことが可能となる。

【００１７】また本発明のプラズマ処理装置は、前記プ
ラズマ処理ガス領域限定手段が、垂直方向に動作可能な
構造を有することを特徴とする。これにより、被処理物
上面への成膜工程においてはプラズマ処理ガス領域限定
手段を作用させずに従来どおり効率的に成膜を行い、か
つ側面のプラズマエッチング工程においてはプラズマ処
理ガス領域を限定し、側面のみを効率的にプラズマエッ
チングすることが可能となる。

【００１８】また本発明のプラズマ処理装置は、前記プ
ラズマガス領域限定手段が、リング状形状であることを
特徴とする。これにより、外部電極形状に合わせてプラ
ズマ処理ガス領域限定手段を形成することにより、プラ
ズマ処理ガス領域を効率的に限定することが可能とな
る。

【００１９】また本発明のプラズマ処理方法は、上部及
び下部に対向型電極を有するプラズマ処理装置におい
て、前記下部電極を、被処理物を載置するための内部電
極とその外周に設けられた外部電極との二部からなる同
心円状の構造とし、装置内に処理ガスを導入するととも
に前記対向型電極に高周波を印加して被処理物表面に成
膜を行った後に、前記内部電極と外部電極との少なくと
も一方を垂直方向に位置調整し、装置内に処理ガスを導
入するとともに前記同心円状の電極間に高周波を印加し
てプラズマを生成し、被処理物の側面を選択的にエッチ
ングすることを特徴とする。これにより、プラズマＣＶ
Ｄ処理による被処理物表面への成膜工程終了後に、同一
のチャンバー内において、プラズマエッチング処理によ
り被処理物側面の反応生成物を効果的に除去することが
できる。特に、内部電極と外部電極との少なくとも一方
について垂直方向に位置調整を行うことにより、被処理
物の形状や大きさに応じてプラズマ領域を適宜調整し、
プラズマＣＶＤ処理及びその後のプラズマエッチング処
理を効果的に行うことが可能となる。

【００２０】また本発明のプラズマ処理方法は、被処理
物の側面のエッチング工程において、被処理物の上面に
向かって不活性ガスを導入することを特徴とする。これ
により、被処理物上面へのプラズマエッチング処理ガス
到達が妨げられ、被処理物側面のみが選択的にエッチン
グされる。

【００２１】

【００２２】また本発明のプラズマ処理方法は、前記外
部電極に絶縁性材料からなるプラズマ処理ガス領域限定
手段を付帯させ、前記被処理物の成膜工程及び側面のエ
ッチング工程において、前記プラズマ処理ガス領域限定
手段を垂直方向に位置調整することを特徴とする。これ
により、被処理物上面への成膜工程においてはプラズマ
処理ガス領域限定手段を作用させずに従来どおり効率的
に成膜を行い、かつ側面のプラズマエッチング工程にお
いてはプラズマ処理ガス領域を限定して側面のみを選択
的かつ効率的にプラズマエッチングすることが可能とな
る。

【００２３】本発明は、プラズマＣＶＤ処理用の対向型
電極とは別に、プラズマエッチング処理用の第三の電極
を設ける点において従来の公知例と同様であり、プラズ
マエッチング処理終了後において被着物を装置内（チャ
ンバー内）から取り出した後にプラズマエッチング処理
を行えば、従来の公知例と同様に装置内部に付着してい
る反応生成物を除去することができる。あるいは同心円
状電極を副ポテンシャル形成手段として使用し、プラズ
マＣＶＤ処理終了時における反応生成物の被処理物上へ
の落下を抑制することも可能である。

【００２４】しかし本発明は、被処理物を載置しかつプ
ラズマＣＶＤ処理工程において下部電極となる基台の形
状を同心円状の内部電極と外部電極の二部に分割してこ
れらの間に高周波を印加することを可能とした点、及び
これらのうち少なくとも一方について垂直方向に位置調
整を可能とした点、さらにこれら電極間にプラズマ処理
ガスを導入可能な構造とした点にその最大の特徴を有
し、このような構造とすることにより、プラズマＣＶＤ
終了後に同一装置同一チャンバー内において側面のプラ
ズマエッチングを行うことを可能としたものである。特
に同心状電極のうち少なくとも一方を垂直方向に位置調
整可能な構造としたことにより、各プラズマ処理におけ
る処理条件及び、被処理物の材質、形状、大きさ等に応
じて適宜位置調整を行い、これによってプラズマ領域を
その都度最適化することができる。

【００２５】このように相異なるプラズマ処理を同一装
置内において行う場合、それそれの処理工程において使
用される電極が、他の処理工程においては何等阻害要因
とならないようにすることが、製造効率及び製品品質保
持の観点から重要である。そこで、前記同心円状電極間
において電気的に導通状態又は絶縁状態に切り替え可能
な電気接続を装置に具備させ、プラズマＣＶＤ工程にお
いては対向型電極のみが、逆にプラズマエッチング工程
においては同心円状電極のみが作用するようにする。

【００２６】

【００２７】また前記同心円状電極のうち外部電極に対
して絶縁性材料からなるプラズマ処理ガス領域限定手段
を付帯させ、被処理物側面のプラズマエッチング工程に
おいて、プラズマエッチング処理ガスの被処理物上面へ
の回り込みを抑制すると、側面のみを効率的にプラズマ
エッチングすることが可能となり、好ましい。

【００２８】しかし、被処理物上面への成膜工程におい
てはこのプラズマ処理ガス領域限定手段によりプラズマ
領域が変動し、かえって成膜に悪影響を及ぼす可能成が
ある。そこで、プラズマ処理ガス領域限定手段を垂直方
向に位置調整可能な構造とし、成膜工程においてはこれ
を被処理物から遠ざけて成膜に悪影響を及ぼさないよう
にし、側面のプラズマエッチング工程においてのみ上述
のような作用が生じるようにすることが望ましい。

【００２９】

【発明の実施形態】本発明の第一の実施形態について以
下に説明する。

【００３０】本実施形態は、半導体集積回路の製造工程
に関するものであり、前工程において金属配線等の処理
を行ったシリコンウエハ上にプラズマＣＶＤ処理により
酸化シリコン薄膜を成膜する場合の実施形態である。図
１に本発明のプラズマ処理装置の装置構成概略を示す。
プラズマ処理装置１００は、チャンバー１０１の排気孔
１０２の先に設置されたバルブ１０３を介して真空ポン
プ１０４と接続されており、バルブ１０３の開閉により
チャンバー１０１内部の圧力を調整可能な構造となって
いる。チャンバー１０１内には導電性材料からなる上部
電極１１０、及び同じく導電成材料からなる二部に分割
された同心円状下部電極（内部電極１２１及び外部電極
１２２）１２０が設置されている。内部電極１２１及び
外部電極１２２は、例えば駆動装置（図示せず）や制御
装置（図示せず）等により、それぞれ垂直方向に位置調
整が可能な構造である。

【００３１】また、内部電極１２１は、シリコンウエハ
１５０を載置する基台を兼ねている。シリコンウエハ１
５０は、プラズマ処理を円滑に行うためにその温度を調
整することが必須であり、そのために内部電極１２１に
付随するヒータ等温度調整機構（図示せず）を設け、こ
れにより内部電極１２１を通じてシリコンウエハ１５０
を温度調整することが望ましい。

【００３２】上部電極１１０は多孔状構造をとり、この
部分を通じてガス供給部１０５から内部へとガスが導入
される。また、内部電極１２１と外部電極１２２との間
にはプラズマエッチングガス導入部１０６が設置されて
おり、この部分を通じて装置内部へとプラズマエッチン
グ処理ガスが導入可能な構造となっている。

【００３３】外部電極１２２は接地されており、また内
部電極１２１と外部電極１２２とはスイッチ１３１によ
り電気的導通状態又は絶縁状態に切り替え可能な構造で
ある。また、上部電極１１０及び内部電極１２１は、ス
イッチ１３２及び１３３により、複合装置１４０を通じ
て高周波発振装置１４１及び１４２と電気的導通状態又
は絶縁状態に切り替え可能な構造となっている。高周波
発振装置１４１及び１４２は高周波電力及び周波数を可
変な構造である。

【００３４】次に、プラズマ処理装置１００を用いてシ
リコンウエハ１５０に対して行うプラズマ処理の工程に
ついて順を追って説明する。

【００３５】まず、予備室（図示せず）を通じてシリコ
ンウエハ１５０をチャンバー１０１内に導入し、内部電
極１２１上に載置する。開閉バルブ１０３を通じて接続
された真空ポンプ１０４により、チャンバー１０１内部
の圧力を１．０〜６．０Ｔｏｒｒ程度に保持する。ま
た、シリコンウエハ１５０は、内部電極１２１に付随し
て設置された温度調節機構（図示せず）により３５０〜
４００℃程度に保持される。次にガス供給部１０６から
原料ガスを導入する。例えば原料ガスとしてＴＥＯＳ
（Ｔｅｔｒａ Ｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎ）１００〜３
００ｓｃｃｍ及びＯ₂ ６００〜１５００ｓｃｃｍ、キャ
リアガスとしてＨｅ１００〜４００ｓｃｃｍをそれぞれ
マスフローコントローラ（図示せず）により流量調整
し、チャンバー１０１直前において混合した後に、チャ
ンバー内部へと供給する。

【００３６】高周波発振装置１４１及び１４２により発
振された高周波を複合装置１４０により複合される。高
周波は、例えば高周波発振装置１４１側周波数を１．５
６ＭＨｚ、高周波発振装置１４２側を２５０〜４５０Ｋ
Ｈｚとする。スイッチ１３１及び１３３を閉、スイッチ
１３２を開とすることにより、この複合高周波を上部電
極１１０に印加するとともに、上部電極１１０と内部電
極１２１とを電気的絶縁状態に、内部電極１２１と外部
電極１２２とを導通状態（接地）にする。

【００３７】印加された高周波により、前記原料ガス分
子が励起されてプラズマが生成される。励起されて活性
化された原料ガス分子は、シリコンウエハ１５０上面に
付着し、酸化シリコン薄膜が形成される。ところがこの
とき、原料ガスはシリコンウエハ１５０側面に容易に回
り込み、結果として図２に示されるようにシリコンウエ
ハ１５０側面にも酸化シリコン層２００が形成される。
シリコンウエハ１５０側面には、前工程各処理により各
種有機又は無機物質が付着していることが一般的であ
り、ここに形成された酸化シリコン薄膜２００は、シリ
コンウエハ１５０に加えられる機械的衝撃や熱サイクル
等により容易に剥落し、シリコンウエハ１５０表面に付
着してその品質を著しく低下する原因となる。そこで、
以下に記述する次工程により、シリコンウエハ１５０側
面の酸化シリコン薄膜２００を選択的にプラズマエッチ
ング処理し、除去する。

【００３８】プラズマＣＶＤ処理において所定時間経過
後、高周波発振装置１４１及び１４２の電源を切り、ま
たプラズマＣＶＤ処理ガス導入を中止して、いったん処
理を終了する。その後必要に応じて内部電極１２１及び
／又は外部電極１２２の高さを調節し、プラズマエッチ
ング処理ガス導入部１０６からプラズマエッチング処理
ガスをチャンバー１０１内部に導入する。例えば、プラ
ズマエッチング処理ガスとしてＣ₂Ｆ₆ガス４００〜１０
００ｓｃｃｍ及びＯ₂ ガス４００〜１５００ｓｃｃｍを
キャリアガスであるＨｅガス１００ｓｃｃｍ程度ととも
にそれぞれマスフローコントローラ（図示せず）により
流量を調整した後にチャンバー１０１直前において混合
後、チャンバー１０１内部に導入するとよい。

【００３９】また、ガス供給部１０５からはＡｒ、Ｈｅ
等の不活性ガス１０００〜２０００ｓｃｃｍを同じくマ
スフローコントローラ（図示せず）により流量調整後、
チャンバー１０１内部に導入する。

【００４０】次いでスイッチ１３１を開とすることによ
り、内部電極１２１と外部電極１２２とを電気的絶縁状
態とする。次にスイッチ１３２を閉、スイッチ１３３を
開とし、高周波発振装置１４１及び１４２の電源を投入
することにより、内部電極１２１と外部電極１２２との
間に高周波を印加することができる。高周波は、例えば
周波数１３．５６ＭＨｚ、電力３００〜８００Ｗとす
る。

【００４１】印加された高周波により内部電極１２１と
外部電極１２２との間のプラズマエッチング処理ガスが
励起され、プラズマが生成される。前述のように、内部
電極１２１及び／又は外部電極１２２の高さを適宜調節
することにより、あるいは各ガスの流量を調整すること
により、プラズマ領域を制御してシリコンウエハ１２０
上面へのプラズマエッチング処理ガスの影響を抑制する
ことができる。すなわち、シリコンウエハ１５０側面上
の酸化シリコンのみを選択的にプラズマエッチング処理
することができる。

【００４２】次に、本発明の第二の実施形態について説
明する。本実施形態においては、第一の実施形態におけ
るプラズマ処理装置１００の外部電極１２２に対して、
図３に示されるような絶縁性材料からなるリング３１０
を付帯させる。

【００４３】リング３１０の作成に使用される具体的材
料としては、例えばアルミナ等セラミックスを使用すれ
ばよい。

【００４４】またリング３１０は、例えば駆動装置（図
示せず）や制御装置（図示せず）等により、それぞれ垂
直方向に位置調整が可能な構造となっている。

【００４５】本実施形態におけるプラズマ処理方法は、
第一の実施形態とほぼ同様であるが、リング３１０を作
用させることを特徴とする。すなわち、シリコンウエハ
１５０上面への酸化シリコン薄膜の成膜工程において
は、リング３１０をシリコンウエハ１５０から隔離し
（リング３１０を内部電極１２１下方へと移動し）、プ
ラズマＣＶＤ処理に対する影響がないようにする。プラ
ズマＣＶＤ処理終了後、今度はリング３１０をシリコン
ウエハ１５０の上面ラインと同じ高さに移動し、プラズ
マエッチング処理ガスがシリコンウエハ１５０上面に回
り込むことを抑制し、側面のみを効率的にプラズマエッ
チングするものである。

【００４６】なお、第一及び第二の実施形態ともに、上
部電極１１０を平板状の電極としたが、これに限定され
るものではなく、例えばドーム状としてもよい。

【００４７】

【実施例】本発明の第一の実施例について説明する。本
実施例は、先に図１で示したプラズマ処理装置１００を
使用してシリコン基板上に酸化シリコン層を約１μｍ成
膜し、さらにその側面をプラズマエッチング処理するも
のである。具体的な処理条件を以下に示す。

【００４８】 プラズマＣＶＤ処理による酸化シリコン層成膜工程 圧力：３．０Ｔｏｒｒ 温度：３８０℃ プラズマＣＶＤ処理ガス：ＴＥＯＳ／ １２０ｓｃｃｍ Ｏ₂ ／１２００ｓｃｃｍ Ｈｅ（キャリアガス） ／ １００ｓｃｃｍ 高周波：１３．５６ＭＨｚ、４４０Ｗ ４３０ＫＨｚ、３３０Ｗ 成膜時間：１００ｓｅｃ

【００４９】上記プラズマＣＶＤ処理終了後、シリコン
基板をプラズマ処理装置１００より取り出し、断面をＳ
ＥＭ観察した。その結果、上面には約１μｍの酸化シリ
コン薄膜が形成されており、また側面にも約０．５μｍ
の酸化シリコン薄膜が形成されていた。

【００５０】別のシリコン基板上に、同条件において再
びプラズマＣＶＤ処理を行い、その後、プラズマエッチ
ング処理を行う。

【００５１】 プラズマエッチング処理による側面のエッチング工程 圧力：３．０Ｔｏｒｒ 温度：３８０℃ プラズマエッチング処理時に導入する不活性ガス：Ｈｅ ／ １２００ｓｃｃ ｍ プラズマエッチング処理ガス：Ｃ₂Ｆ₆／ ６００ｓｃｃｍ Ｏ₂ ／ ７２０ｓｃｃｍ Ｈｅ(キャリアガス) ／ １００ｓｃｃｍ 高周波：１３．５６ＭＨｚ、７００Ｗ エッチング処理時間：１００ｓｅｃ

【００５２】プラズマエッチング処理終了後、シリコン
基板をプラズマ処理装置１００から取り出し、断面をＳ
ＥＭ観察した。その結果、シリコン基板上面には酸化シ
リコン薄膜が約１μｍ形成されており、それに対して側
面には酸化シリコン薄膜は見られなかった。

【００５３】次に本発明の第二の実施例について説明す
る。本実施例は先に図３で示したプラズマ処理装置を使
用して、第一の実施例と同様に、シリコン基板上に酸化
シリコン層を約１μｍ成膜し、さらにその側面をプラズ
マエッチング処理するものである。具体的な処理条件は
第一の実施例とほぼ同じであるが、ここではアルミナに
より作成されたリング３１０を使用する点が異なる。プ
ラズマＣＶＤ処理による成膜工程においては、リング３
１０を内部電極１２１より下部に位置させたうえで処理
を行う。また、プラズマエッチング処理工程において
は、リング３１０をシリコン基板の上面と同じ高さに移
動した上で処理を行う。

【００５４】第一の実施例と同様に、プラズマＣＶＤ処
理終了後、及びプラズマエッチング終了後の試料につい
てそれぞれ断面をＳＥＭ観察した結果は、第一の実施例
とほぼ同様であった。

【００５５】以上により、プラズマＣＶＤ処理により成
膜された側面の酸化シリコン層が、引き続き行なったプ
ラズマエッチング処理により選択的にエッチングされる
ことが確認された。

【００５６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、プラズマ
ＣＶＤ処理による成膜工程において被処理物側面に形成
される反応生成物を、効率よくしかも製品の品質を低下
させることなく除去することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明のプラズマＣＶＤ装置の第一の実施形
態を示す構成概略図である。

【図２】 プラズマＣＶＤ処理後の被処理物の状態を示
す断面図である。

【図３】 本発明のプラズマＣＶＤ装置の第二の実施形
態を示す構成概略図である。

【符号の説明】

１００ プラズマ処理装置 １０１ チャンバー １０２ 排気孔 １０３ バルブ １０４ 真空ポンプ １０５ ガス供給部 １０６ エッチングガス導入部 １１０ 上部電極 １２０ 同心円状電極 １２１ 内部電極 １２２ 外部電極 １３１〜１３３ スイッチ １４０ 複合装置 １４１〜１４２ 高周波発振装置 １５０ シリコンウエハ ２００ 酸化シリコン層 ３１０ リング

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 装置内部に処理ガスを導入し、かつ上部
   及び下部の対向型電極間に高周波を印加することによ
   り、被処理物に対して所定の処理を行うプラズマ処理装
   置において、前記下部電極が、被処理物を載置するための内部電極と
   その外周に設けられた外部電極との二部からなる同心円
   状の構造を有し、 かつそれら同心円状の電極間に高周波
   を印加することが可能な電気回路構成を備え、かつ前記
   内部電極と外部電極との少なくとも一方が垂直方向に動
   作可能な構造を有し、かつそれら同心円状の電極間にプ
   ラズマ処理ガスを導入することが可能な構造を備えてな
   ることを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 【請求項２】 前記同心円状の電極間において、電気的
   導通状態又は絶縁状態に切り替え可能な電気回路構成を
   備えてなることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ
   処理装置。
3. 【請求項３】 前記外部電極が、絶縁性材料からなるプ
   ラズマ処理ガス領域限定手段を付帯してなることを特徴
   とする請求項１又は請求項２に記載のプラズマ処理装
   置。
4. 【請求項４】 前記プラズマ処理ガス領域限定手段が、
   垂直方向に動作可能な構造を有することを特徴とする請
   求項３に記載のプラズマ処理装置。
5. 【請求項５】 前記プラズマ処理ガス領域限定手段が、
   リング状形状であることを特徴とする請求項３又は請求
   項４に記載のプラズマ処理装置。
6. 【請求項６】 上部及び下部に対向型電極を有するプラ
   ズマ処理装置において、前記下部電極を、被処理物を載
   置するための内部電極とその外周に設けられた外部電極
   との二部からなる同心円状の構造とし、 装置内に処理ガスを導入するとともに前記対向型電極に
   高周波を印加して被処理物表面に成膜を行った後に、前
   記内部電極と外部電極との少なくとも一方を垂直方向に
   位置調整し、 装置内に処理ガスを導入するとともに前記同心円状の電
   極間に高周波を印加してプラズマを生成し、被処理物の
   側面を選択的にエッチングすることを特徴とするプラズ
   マ処理方法。
7. 【請求項７】 被処理物の側面のエッチング工程におい
   て、被処理物の上面に向かって不活性ガスを導入するこ
   とを特徴とする請求項６に記載のプラズマ処理方法。
8. 【請求項８】 前記外部電極に絶縁性材料からなるプラ
   ズマ処理ガス領域限定手段を付帯させ、 前記被処理物の成膜工程及び側面のエッチング工程にお
   いて、前記プラズマ処理ガス領域限定手段を垂直方向に
   位置調整することを特徴とする請求項６又は請求項７に
   記載のプラズマ処理方法。