JP2009239559A - 高周波フィルタ - Google Patents
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Abstract
【課題】超小型で帯域内における挿入損失が少なく、減衰特性が急峻でかつ減衰量を大きく確保でき、通過帯域や遮断領域の広帯域化が容易な低コストの高周波フィルタを実現すること。
【解決手段】高周波信号の伝送線路に対して交差する方向に設けられ、互いに電磁的に結合する結合部を有する複数の分岐線路を備え、前記高周波信号から特定の周波数成分をフィルタリングする高周波フィルタであって、前記複数の分岐線路は非対称に形成されていることを特徴とするもの。
【選択図】 図1
【解決手段】高周波信号の伝送線路に対して交差する方向に設けられ、互いに電磁的に結合する結合部を有する複数の分岐線路を備え、前記高周波信号から特定の周波数成分をフィルタリングする高周波フィルタであって、前記複数の分岐線路は非対称に形成されていることを特徴とするもの。
【選択図】 図1
Description
本発明は、高周波フィルタに関し、詳しくは、バンドエリミネーションフィルタ(以下BEFという)に関するものである。
図7は従来の代表的な分布定数型BEFの一例を示す構成説明図であり、(A)はマイクロストリップラインで構成されたパターン例図、(B)は等価回路図である。
(A)において、伝送路パターン1は所定幅の矩形に形成されている。この伝送路パターン1には、入力端2から出力端3に向かう信号の伝送方向に沿って、所定の間隔を保つようにして、所定幅で所定長さの矩形よりなる第1のオープンスタブ4と第2のオープンスタブ5が垂直方向に形成されている。
ここで、これら第1のオープンスタブ4と第2のオープンスタブ5は、高周波信号に対して容量成分(キャパシタ)として作用する。したがって、等価回路は、(B)に示すように、伝送路1にキャパシタ4、5の一端が接続されて他端は開放されたものになる。
再び(A)において、伝送路パターン1の入力端2から入力された信号は、第1のオープンスタブ4を通り、入力される信号周波数によっては第1のオープンスタブ4の容量成分の影響を受ける。第1のオープンスタブ4の容量成分の影響を受けない信号成分はさらに伝送路パターン1を経て第2のオープンスタブ5を通り、入力される信号周波数によっては第2のオープンスタブ5の容量成分の影響を受ける。第2のオープンスタブ5の容量成分の影響を受けない信号成分はさらに伝送路パターン1を経て、出力端3から出力される。
これにより、出力端3から出力される出力信号は、第1のオープンスタブ4および第2のオープンスタブ5の容量成分により所定の周波数帯域の信号成分が減衰された図8に示すようなバンドエリミネーションの周波数特性を示すことになる。
ところで、BEFを用いるのにあたっては、あるときは狭帯域で減衰量の大きいものを必要とし、またあるときは広帯域で減衰量が大きいものを必要とすることがある。基本的には、減衰量は当然大きい方が望ましいが、減衰量を大きくするためにフィルタ自体が巨大になることは現実的でなく、実装面積によっては使用できないものになる。
また、減衰量を大きく取るように設計するということは、フィルタの段数(次数)を増やすということであり、インサーションロス(挿入損失)も当然増加する。フィルタを通信系の回路で使用する場合、この挿入損失が全体のノイズフロアに与える影響はかなり大きく、無視できない場合が殆どである。
図8の特性例図において、Aは遮断帯域内減衰量最小値(任意)、Bは遮断帯域内減衰量最大値(任意)である。Fc_centは中心周波数、Fc_low1は信号通過帯域低域側カットオフ周波数、Fc_low2は遮断帯域低域側カットオフ周波数、Fc_high1は信号通過帯域高域側カットオフ周波数、Fc_high2は遮断帯域高域側カットオフ周波数、BWは遮断帯域である。フィルタの段数(次数)が少ないとFc_low1からFc_low2までの帯域が広くなる。
また、遮断帯域内減衰量最大値Bを大きくするためには、(A)に示すオープンスタブを増やす必要がある。さらに、遮断帯域低域側カットオフ周波数Fc_low2の周波数を低くしようとすればするほどこれらオープンスタブ間の間隔は広くなり、オープンスタブの長さそのものも長くしなければならない。
特許文献1には、マイクロストリップラインで構成されたBEFの構成例が記載されている。
特開2000−91806号公報
すなわち、図7に示す従来構成のフィルタは、減衰特性を急峻にすればするほど、また減衰量を大きくすればするほどフィルタ段数が増加してフィルタ自体が大きくなり、挿入損失も増加することになる。
本発明は、このような課題を解決するものであり、その目的は、超小型で帯域内における挿入損失が少なく、減衰特性が急峻でかつ減衰量を大きく確保でき、通過帯域や遮断領域の広帯域化が容易な低コストの高周波フィルタを実現することにある。
このような課題を達成するために、本発明のうち請求項1記載の発明は、高周波信号の伝送線路に対して交差する方向に設けられ、互いに電磁的に結合する結合部を有する複数の分岐線路を備え、前記高周波信号から特定の周波数成分をフィルタリングする高周波フィルタであって、前記複数の分岐線路は非対称に形成されていることを特徴とする。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の高周波フィルタにおいて、前記分岐線路は、隣接する一対の分岐線路を単位として電磁的に結合することを特徴とする。
請求項3記載の発明は、請求項1または請求項2記載の高周波フィルタにおいて、前記結合部は、前記分岐線路の一部に設けられることを特徴とする。
請求項4記載の発明は、請求項1から請求項3のいずれかに記載の高周波フィルタにおいて、前記分岐線路部は、前記高周波信号の伝送線路よりも幅が狭く、前記高周波信号に対して誘導成分として作用する第1パターンと、前記第1パターンよりも幅が広く、前記結合部をなす第2パターンとからなることを特徴とする。
請求項5記載の発明は、請求項4記載の高周波フィルタにおいて、前記第1パターンおよび前記第2パターンは、共に前記高周波信号の伝送線路に対して交差する方向に形成されていることを特徴とする。
請求項6記載の発明は、請求項1から請求項5のいずれかに記載の高周波フィルタにおいて、前記分岐線路に対応して前記伝送線路の途中に設けられ、前記伝送線路よりも幅が狭く前記高周波信号に対して誘導成分として作用する第2分岐線路を備えることを特徴とする。
請求項7記載の発明は、請求項6記載の高周波フィルタにおいて、前記第2分岐線路はコ字形状であることを特徴とする。
請求項8記載の発明は、請求項1から請求項7のいずれかに記載の高周波フィルタにおいて、前記伝送線路及び前記分岐線路は誘電体基板上に形成されており、隣接する分岐線路の前記結合部は、その間隔が前記誘電体基板の厚みの3倍以下となるよう配置されることを特徴とする。
本発明によれば、超小型で帯域内における挿入損失が少なく、減衰特性が急峻でかつ減衰量を大きく確保でき、通過帯域や遮断領域の広帯域化が容易に実現できる低コストの高周波フィルタが得られる。
以下、本発明について、図面を用いて詳細に説明する。図1は本発明の一実施例を示す構成説明図であり、マイクロストリップラインを用いて形成された例であって、(A)は平面図、(B)は(A)のA−A線に沿った断面拡大図である。
図1において、高周波フィルタ10は、高周波信号の伝送線路としての入力線路11および出力線路12の間に、分岐線路13、14と分岐線路15(第2分岐線路)とを形成したものである。なお、図1に示す高周波フィルタ10は、入力線路11側から見た場合と出力線路12側から見た場合とでは非対称である。
入力線路11は高周波信号が入力される線路であり、出力線路12は入力線路11から入力された高周波信号から特定の周波数成分をフィルタリングした信号が出力される線路である。なお、入力線路11および出力線路15は、たとえば特性インピーダンスが50Ωになるように、その幅w1,w2などが設計されている。ここで、図1に示す高周波フィルタ10は非対称な構成であるため、入力線路11の幅w1と出力線路12の幅w2は1mm程度ではあるものの異なる。また、入力線路11および出力線路12は、直接接続されておらず、分岐線路13〜15を介して互いに電気的に接続されている。
分岐線路13は、入力線路11に接続されており、入力線路11から出力線路12に至る高周波信号の伝送線路に対して直交する方向に設けられている。なお、以下の説明では、入力線路11から出力線路12に至る方向を「伝送方向」といい、この伝送方向に直交する方向を「交差方向」という。分岐線路13は、交差方向に延びる第1パターン13aと第2パターン13bとで構成されている。第1パターン13aは、その幅w31が入力線路11の幅w1および出力線路12の幅w2よりも狭く、高周波信号に対して誘導成分(インダクタンス)として作用する。第2パターン13bは、その幅w32が第1パターン13aの幅w31よりも広く、高周波信号に対して誘導成分として作用するとともに、オープンスタブとして機能する。なお、第2パターン13bが有する誘導成分は、第1パターン13aが有する誘導成分とは異なる。
分岐線路14は、出力線路12に接続されており、交差方向に設けられている。この分岐線路14は、分岐線路13と同様に、交差方向に延びる第1パターン14aと第2パターン14bとで構成されている。第1パターン14aは、その幅w41が入力線路11の幅w1および出力線路12の幅w2よりも狭く、高周波信号に対して誘導成分(インダクタンス)として作用する。第2パターン14bは、その幅w42が第1パターン14aの幅w41よりも広く、高周波信号に対して誘導成分として作用するとともに、オープンスタブとして機能する。なお、図1に示す高周波フィルタ10は非対称な構成であるため、第1パターン14aが有する誘導成分は分岐線路13の第1パターン13aが有する誘導成分と異なる。また、第2パターン14bの長さは第2パターン13bよりも短く、第2パターン14bが有する誘導成分は分岐線路13の第2パターン13bが有する誘導成分と異なる。
分岐線路13の第2パターン13bと分岐線路14の第2パターン14bとは、分岐線路13と分岐線路14とを互いに電磁的に結合する結合部をなしている。つまり、図1に示すように、分岐線路13と分岐線路14とは離間して形成されているものの、分岐線路13を伝播する高周波信号が第2パターン部13bに至ると、その成分の一部が第2パターン部14bを介して分岐線路14に伝播される。ここで、分岐線路13と分岐線路14とが「電磁的に結合」しているとは、分岐線路13と分岐線路14との間隔(つまり、第2パターン13b,14bの間隔)Δtが、(B)に示す誘電体基板SBの厚みt0の3倍以下である状態をいう。なお、誘電体基板SBの裏面には、接地電位に設定されるグランドパターン16が設けられている。
高周波回路を設計するのにあたり、パターン間を電磁的に絶縁する場合には、経験的にパターンの間隔を誘電体基板SBの厚みt0の3倍よりも大きくしている。たとえば、誘電体基板SBの厚みt0が0.5mmの場合には、パターンの間隔を1.5mmよりも大きくすれば、そのパターン間における高周波信号の伝播を無視することができる。逆に、パターンの間隔が誘電体基板SBの厚みt0の3倍以下である場合には、そのパターン間における高周波信号の伝播を無視することができず、パターン間が電磁的に結合しているということができる。以上から、分岐線路13と分岐線路14との間隔Δtが誘電体基板SBの厚みt0の3倍以下である場合には、分岐線路13と分岐線路14とが「電磁的に結合」しているということができる。
なお、上述の通り、分岐線路13と分岐線路14との間隔Δtが誘電体基板SBの厚みt0の3倍以下であれば分岐線路13と分岐線路14とが「電磁的に結合」しているということができる。しかしながら、分岐線路13と分岐線路14との電磁的結合の度合いを示す結合係数kを大きくするためには、分岐線路13と分岐線路14との間隔(第2パターン13b,14bの間隔)Δtを、誘電体基板SBの厚みt0以下にすることが望ましい。
ここで、分岐線路13と14を電磁的に結合させる結合部を設けるのは、高周波フィルタ10のQ値を大きくするためである。つまり、図1に示す高周波フィルタ10が備える分岐線路13〜15は、高周波信号に対して誘導成分(正確には、誘導成分および容量成分)として作用するため、結合部を設けなくともフィルタ回路が形成されており、あるQ値を有する。これに加えて、本実施形態では分岐線路13、14を電磁的に結合させることで共振を生じさせ、上記のQ値と共振との相乗効果によりQ値を大きくして減衰特性を急峻にしている。
分岐線路15は、入力線路11および出力線路12に接続されたコ字形状の線路であり、その幅w5が入力線路11の幅w1および出力線路12の幅w2よりも狭く、高周波信号に対して誘導成分として作用する。なお、以上の高周波フィルタ10が形成される誘電体基板SBは、一般的に用いられるガラスエポキシ基板等の安価な基板である。以上説明した、分岐線路13〜15が伝送方向に占める大きさは数mm程度であり、交差方向に占める大きさは十数mm程度である。
上記構成において、入力線路11から入力された高周波信号は、入力線路11に接続された分岐線路13を伝播する信号と、分岐線路15を伝播する信号とに分岐される。分岐された一方の信号は、分岐線路13の第1パターン13aを介して第2パターン13bに至り、その一部が第2パターン13bと電磁的に結合している分岐線路14の第2パターン14bに伝播する。そして、分岐線路の第2パターン14bから第1パターン14aを介して出力線路12に至る。他方、分岐された他方の信号は、コ字形状の分岐線路15を介して出力線路12に至る。分岐線路13,14を介した信号と、分岐線路15を介した信号とは、出力線路12において合成されて出力される。
このように構成することにより、出力線路12から合成されて出力される信号の周波数応答特性は、図2に示すように従来構成よりも広い遮断帯域幅になるカットオフ周波数を持つBEF特性になる。
図3は、本発明の他の実施例を示す構成説明図であり、図1の基本構成に基づきオープンスタブを多段化したものである。図3において、高周波フィルタ20は、高周波信号の伝送線路としての入力線路21および出力線路22の間に、分岐線路23〜26と分岐線路27(第2分岐線路)とを形成したものである。なお、図3に示す高周波フィルタ20も、入力線路21側から見た場合と出力線路22側から見た場合とでは非対称に形成されている。
分岐線路23は交差方向に延びる第1パターン23aと第2パターン23bとで構成され、分岐線路24は交差方向に延びる第1パターン24aと第2パターン24bとで構成され、分岐線路25は交差方向に延びる第1パターン25aと第2パターン25bとで構成され、分岐線路26は交差方向に延びる第1パターン26aと第2パターン26bとで構成されている。これら分岐線路23〜26を構成する第1パターン23a〜26aと第2パターン23b〜26bの幅と長さはそれぞれ異なるように、上向きの同一方向に形成されている。
このように分岐線路23〜26を構成する第1パターン23a〜26aと第2パターン23b〜26bの幅と長さがそれぞれ異なるように形成されていることにより、分岐線路23〜26について隣接する分岐線路間の電磁的結合の度合いを示す結合係数kは、それぞれ異なった値になる。
図3のように構成することにより、出力線路22から合成されて出力される信号の周波数応答特性は、図4に示すように図1の構成よりもさらに広い遮断帯域幅になるカットオフ周波数を持つBEF特性になる。
図5も本発明の他の実施例を示す構成説明図であり、図3におけるオープンスタブの多段化の変形例である。図3の構成では分岐線路23〜26が上向きの同一方向に形成されているが、図5の構成では分岐線路は上下方向に分散して形成されている。
(A)に示す高周波フィルタ30は、入力線路31に対して上向き方向に分岐線路33と34が形成され、出力線路32に対して下向き方向に分岐線路35と36が形成されている。分岐線路33は上向き交差方向に延びる第1パターン33aと第2パターン33bとで構成され、分岐線路34は上向き交差方向に延びる第1パターン34aと第2パターン34bとで構成され、分岐線路35は下向き交差方向に延びる第1パターン35aと第2パターン35bとで構成され、分岐線路36は下向き交差方向に延びる第1パターン36aと第2パターン36bとで構成されている。
また、(A)に示す高周波フィルタ30では、図1および図3の実施例ではコの字形で下向き方向に形成されている分岐線路15または27に相当するものはなく、入力線路31の端部の下辺を延長させた形で分岐線路33と34が形成され、出力線路32の端部の上辺を延長させた形で分岐線路35と36が形成されている。すなわち、交差方向に形成された分岐線路をパターンで連結する分岐線路は、コ字形状に限るものではない。
高周波フィルタ30における電磁的結合は、上向き方向に形成されている分岐線路33と34との間と、下向き方向に形成されている分岐線路35と36との間で発生する。これにより、図4とほぼ同様なBEF特性が得られる。
(B)に示す高周波フィルタ40は、入力線路41に対して上向き方向に形成された分岐線路43と下向き方向に形成された分岐線路44および出力線路42に対して下向き方向に形成された分岐線路45と上向き方向に形成された分岐線路46で構成されている。分岐線路43は上向き交差方向に延びる第1パターン43aと第2パターン43bとで構成され、分岐線路44は下向き交差方向に延びる第1パターン44aと第2パターン44bとで構成され、分岐線路45は下向き交差方向に延びる第1パターン45aと第2パターン45bとで構成され、分岐線路46は上向き交差方向に延びる第1パターン46aと第2パターン46bとで構成されている。
高周波フィルタ40における電磁的結合は、上向き方向に形成されている分岐線路43と46との間では殆ど無視できる程度であり、下向き方向に形成されている分岐線路44と45との間で発生するものが支配的になる。これにより、図2とほぼ同様なBEF特性が得られる。
なお、図5のように、分岐線路を上下方向に分散して形成することにより、高周波フィルタの外形形状の幅方向への広がりを抑制できる。
また、分岐線路間の電磁的結合について、上記各実施例では同一平面上に形成されたパターン間で行う例を示しているが、図6に示すように多層基板の上下層のパターン間で行うものであってもよい。これによっても、高周波フィルタの外形形状の幅方向への広がりを抑制できる。
また、分岐線路間の電磁的結合について、上記各実施例ではいずれも分岐線路の先端部に形成されている幅広のオープンスタブで行っているが、先端部のオープンスタブは幅狭にして途中部分を幅広にし、これら幅広の途中部分で電磁的結合させてもよい。また、分岐線路全体を幅狭にし、電磁的結合させたい部分のパターンを湾曲あるいは蛇行させて接近させるようにしてもよい。
また、前記実施例では、マイクロストリップラインを用いて形成された高周波フィルタについて説明したが、エンベデッドマイクロストリップライン、アシンメトリックストリップラインなどを用いて形成することもできる。
さらに、本発明はマイクロストリップラインに制限されものではなく、導波管や周波数選択膜(FSS:Frequency Selective Surfaces)にも適用することができる。
さらに、本発明はマイクロストリップラインに制限されものではなく、導波管や周波数選択膜(FSS:Frequency Selective Surfaces)にも適用することができる。
以上説明したように、本発明によれば、超小型で帯域内における挿入損失が少なく、減衰特性が急峻でかつ減衰量を大きく確保でき、通過帯域や遮断領域の広帯域化が容易に実現できる低コストの高周波フィルタを実現できる。
10、20、30、40 高周波フィルタ
11、21,31、41 入力線路
12、22,32、42 出力線路
13〜15、23〜27、33〜36、43〜46 分岐線路
11、21,31、41 入力線路
12、22,32、42 出力線路
13〜15、23〜27、33〜36、43〜46 分岐線路
Claims (8)
- 高周波信号の伝送線路に対して交差する方向に設けられ、互いに電磁的に結合する結合部を有する複数の分岐線路を備え、前記高周波信号から特定の周波数成分をフィルタリングする高周波フィルタであって、
前記複数の分岐線路は非対称に形成されていることを特徴とする高周波フィルタ。 - 前記分岐線路は、隣接する一対の分岐線路を単位として電磁的に結合することを特徴とする請求項1記載の高周波フィルタ。
- 前記結合部は、前記分岐線路の一部に設けられることを特徴とする請求項1または請求項2記載の高周波フィルタ。
- 前記分岐線路部は、前記高周波信号の伝送線路よりも幅が狭く、前記高周波信号に対して誘導成分として作用する第1パターンと、
前記第1パターンよりも幅が広く、前記結合部をなす第2パターンとからなることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の高周波フィルタ。 - 前記第1パターンおよび前記第2パターンは、共に前記高周波信号の伝送線路に対して交差する方向に形成されていることを特徴とする請求項4記載の高周波フィルタ。
- 前記分岐線路に対応して前記伝送線路の途中に設けられ、前記伝送線路よりも幅が狭く前記高周波信号に対して誘導成分として作用する第2分岐線路を備えることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の高周波フィルタ。
- 前記第2分岐線路はコ字形状であることを特徴とする請求項6記載の高周波フィルタ。
- 前記伝送線路及び前記分岐線路は誘電体基板上に形成されており、隣接する分岐線路の前記結合部は、その間隔が前記誘電体基板の厚みの3倍以下となるよう配置されることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれかに記載の高周波フィルタ。
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